JPWO2007086325A1 - 電気素子，メモリ装置，および半導体集積回路 - Google Patents

電気素子，メモリ装置，および半導体集積回路 Download PDF

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Abstract

電気素子は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを備える。可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。

Description

本発明は、与えられる電気的パルスに応じてその抵抗値が変化する可変抵抗材料を用いた電気素子，メモリ装置，および半導体集積回路に関する。
近年、電子機器におけるデジタル技術の進展に伴い、画像などのデータを保存するために、不揮発性記憶素子の要望が大きくなってきており、さらに記憶素子の大容量化、書き込み電力の低減、書き込み／読み出し時間の高速化、長寿命化の要求がますます高まりつつある。こうした要求に対し、与えられる電気的パルスに応じてその抵抗値が変化するペロブスカイト材料（例えば、Ｐｒ（１−Ｘ）ＣａＸＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）、ＬａＳｒＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）、ＧｄＢａＣｏＸＯＹ（ＧＢＣＯ）など）を用いて不揮発性記憶素子を構成する技術が、米国特許第６，２０４，１３９号公報（特許文献１）に開示されている。この特許文献１に開示された技術は、これらの材料（以下、可変抵抗材料と記す。）に所定の電気的パルスを与えてその抵抗値を増大もしくは減少させ、その結果変化した抵抗値を異なる数値の記憶に用いることにより、記憶素子として用いるというものである。
電気的パルスにより抵抗値が変化する材料としてペロブスカイト材料が米国特許第６，２０４，１３９号公報に開示されている。また、アモルファスカーボン膜の深いアクセプターレベルと浅いドナーレベルを用い、電荷注入により抵抗を変化させるメモリ素子が提案されている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．８４，（１９９８），ｐ５６４７）。
また、特開２００４−３４２８４３号公報（特許文献２）には、アモルファス酸化物（例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｙ，ＺＲ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｉの中から選ばれる１つ以上の元素の酸化物）にＡｇあるいはＣｕの電極を設けて電圧を印加することによって、電極材料であるＡｇあるいはＣｕをイオン化して薄膜中に拡散させ、アモルファス酸化物の抵抗値を変化させる不揮発性記憶素子に関する技術が開示されている。
米国特許第６，２０４，１３９号公報 特開２００４−３４２８４３号公報 Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．８４，（１９９８），ｐ５６４７
このような可変抵抗材料を用いた記憶素子を形成する際、ＣＭＯＳプロセスにおいて高温による破壊等を防ぐために、成膜時の基板温度は４５０℃以下であることが望ましい。しかし、ペロブスカイト構造を有する材料を成膜するためには、通常、成膜時に基板の温度を７００℃以上にする必要がある。
また、ペロブスカイト材料のような可変抵抗材料を記憶素子として利用する場合、所定の電気的パルスの印加に応じた抵抗変化が安定している（抵抗変化の大きさが一定である）ことが望ましい。
本発明は、安定した抵抗変化を実現することを目的とする。さらに詳しくは、電気的パルスの印加を繰り返しても抵抗変化が安定している電気素子，その電気素子を利用したメモリ装置，半導体集積回路を提供することを目的とする。
この発明の１つの局面に従うと、電気素子は、第１の電極と、第２の電極と、可変抵抗薄膜とを備える。可変抵抗薄膜は、第１の電極と第２の電極との間に接続される。また、可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含む。また、可変抵抗薄膜は、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である可変抵抗薄膜を用いた電気素子は、抵抗変化が安定していることがわかった。したがって、例えば、電気素子を記憶素子として使用した場合、従来よりも、安定した記憶・再生を実現することができる。また、可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく、微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用しても特性変化が生じにくい。
また、上記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下であっても良い。
好ましくは、上記可変抵抗薄膜の膜厚は、２００ｎｍ以下である。
好ましくは、上記第１の電極および上記第２の電極のうち少なくとも１つは、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２のうちいずれかを用いて構成された電極である。
好ましくは、上記電気素子は、上記第１の電極と上記第２の電極との間に所定の電気的パルスが印加されて抵抗値が変化することによって、１ビットあるいは多ビットの情報を記憶する。
好ましくは、上記電気素子は、上記第１の電極と上記第２の電極との間に所定の電圧が印加されて電気素子の抵抗値に応じた電流が流れることによって、１ビットあるいは多ビットの情報を読み出す。
この発明のもう１つの局面に従うと、メモリ装置は、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のビット線に一対一で対応する複数のプレート線と、複数のトランジスタと、複数のトランジスタに一対一で対応する複数の電気素子と、複数のワード線を駆動するワード線駆動部と、複数のビット線と複数のプレート線とを駆動するビット線／プレート線駆動部とを備える。複数のトランジスタの各々とそのトランジスタに対応する電気素子とは、複数のビット線のうちいずれか１本とそのビット線に対応するプレート線との間に直列に接続される。複数のトランジスタの各々は、そのトランジスタに対応するビット線とそのトランジスタに対応する電気素子との間に接続され、ゲートが複数のワード線のうちいずれか１本に接続される。複数の電気素子の各々は、第１の電極と、第２の電極と、可変抵抗薄膜とを含む。第１の電極は、その電気素子に対応するトランジスタに接続される。第２の電極は、その電気素子に対応するプレート線に接続される。可変抵抗薄膜は、第１の電極と第２の電極との間に接続される。可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
上記メモリ装置では、メモリ（電気素子）の抵抗変化が安定しているので、安定した記憶・再生を実現することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく、微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用してもメモリアレイとしての信頼性を維持することができる。
また、上記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下であっても良い。
好ましくは、上記複数の電気素子のうちいずれか１つに情報を記憶するときには、上記ワード線駆動部は、上記複数のワード線のうち上記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加する。また、上記ビット線／プレート線駆動部は、上記複数のビット線のうち上記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたビット線に第１の電気的パルスを印加するとともに、そのビット線に対応するプレート線に第２の電気的パルスを印加する。
上記メモリ装置では、情報を記憶しようとする電気素子にのみ所定の電気的パルスが印加されることになるので、その電気素子に情報を書き込むことができる。
好ましくは、上記複数の電気素子のうちいずれか１つに記憶された情報を再生するときには、上記ワード線駆動部は、上記複数のワード線のうち上記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加する。上記ビット線／プレート線駆動部は、上記複数のビット線のうち上記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたビット線に第１の再生電圧を印加するとともに、そのビット線に対応するプレート線に第２の再生電圧を印加する。
上記メモリ装置では、情報を読み出そうとする電気素子にのみ所定の電圧が印加されることになるので、その電気素子から情報を読み出すことができる。
この発明のさらにもう１つの局面に従うと、半導体集積回路は、上記メモリ装置と、所定の演算を行う論理回路とを備える。論理回路は、記憶モードおよび再生モードを有する。論理回路は、記憶モードのときには、ビットデータを上記メモリ装置に記憶する。また、論理回路は、再生モードのときには、上記メモリ装置に記憶されたビットデータを読み出す。
この発明のさらにもう１つの局面に従うと、半導体集積回路は、上記メモリ装置と、プログラム実行モードとプログラム書換モードとを有するプロセッサとを備える。プロセッサは、プログラム実行モードでは、上記メモリ装置に記憶されたプログラムに従って動作する。また、プロセッサは、プログラム書換モードでは、上記メモリ装置に記憶されたプログラムを外部から入力した別の新たなプログラムに書き換える。
以上のように、従来よりも安定した抵抗変化を実現することができる。
図１は、電気素子の基本構成を示す図である。 図２は、薄膜（Ａ）の回析パターンを示すグラフである。 図３は、薄膜（Ｂ）の回析パターンを示すグラフである。 図４は、薄膜（Ｃ）の回析パターンを示すグラフである。 薄膜（Ａ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 薄膜（Ｂ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 薄膜（Ｃ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 可変抵抗薄膜の結晶粒径と抵抗変化率との関係を示すグラフである。 本発明の電気素子の回路記号を示す図である。 図９に示した電気素子の抵抗変化について説明するための図である。 図９に示した電気素子の出力電流について説明するための図である。 この発明の第２の実施形態によるメモリ装置の全体構成を示す図である。 この発明の第３の実施形態による半導体集積回路の全体構成を示す図である。 この発明の第４の実施形態による半導体集積回路の全体構成を示す図である。 図１５Ａは、電気素子の用途の一例を示す図である。図１５Ｂは、電気素子の用途の別の一例を示す図である。
符号の説明
１ 上部電極
２ 可変抵抗薄膜
３ 下部電極
４ 基板
５ 電源
１０１−１，１０１−２ 端子
１０２ 電気素子
２００ メモリ装置
２０１ メモリアレイ
２０２ アドレスバッファ
２０３ 制御部
２０４ 行デコーダ
２０５ ワード線ドライバ
２０６ 列デコーダ
２０７ ビット線／プレート線ドライバ
ＭＣ２１１，ＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２ メモリセル
Ｗ１，Ｗ２ ワード線
Ｂ１，Ｂ２ ビット線
Ｐ１，Ｐ２ プレート線
３００ 半導体集積回路
３０１ 論理回路
４００ 半導体集積回路
４０１ プロセッサ
４０２ インターフェイス
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
（電気素子の基本構成および基本特性）
まず、本実施形態に用いられる電気素子の基本構成および基本特性について説明する。
電気素子の基本構成を図１に示す。電子素子では、基板４上に下部電極３が形成され、下部電極３上に可変抵抗薄膜２が形成され、可変抵抗薄膜２上に上部電極１が形成される。電源５は、上部電極１と下部電極３との間に所定の電圧を印加する。電源５によって所定の条件を満たす電圧が印加されると、電気素子の抵抗値は、増加／減少する。例えば、ある閾値よりも大きな電圧値を有する電気的パルスが印加されると、電気素子の抵抗値が減少する。一方、その閾値よりも小さな電圧値を有する電圧（所定の条件を満たさない電圧）が印加されても、その電圧は、電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない（つまり、電気素子の抵抗値は変化しない）。
上部電極１および下部電極３に用いる材料は、仕事関数が低いものほど好ましい。例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２が好ましい。ただし、可変抵抗薄膜２を形成する際に、通常、基板４が加熱されるので、下部電極３に用いる材料は、この加熱温度においても安定なものを用いた方が良い。
可変抵抗薄膜２の膜厚は、１μｍ以下であることが好ましい。可変抵抗薄膜２の膜厚を１μｍ以下にすれば、電気的パルスによって電気素子の抵抗値を変化させることが十分可能である。
さらに、可変抵抗薄膜２の膜厚は、２００ｎｍ以下であることが好ましい。製造プロセスにおいてリソグラフィーを行う場合、可変抵抗薄膜２の膜厚が薄いほど加工しやすいからである。また、可変抵抗薄膜２の膜厚が薄いほど、電気素子の抵抗値を変化させる電気的パルスの電圧値が低くてすむ。
本実施形態における可変抵抗薄膜２は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。または、本実施形態における可変抵抗薄膜２は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
以下に、このような可変抵抗薄膜を用いる理由について、３つの電気素子（電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ））を例に挙げて説明する。
＜電気素子の作製＞
図１のように、基板４上に下部電極３を形成した。次に、Ｆｅ３Ｏ４をターゲットとしてスパッタリングを実行し、下部電極３上に可変抵抗薄膜２を形成した。次に、上部電極１を可変抵抗薄膜２上に形成した。このようにして、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）を作製した。
なお、電気素子（Ａ）の作製時には、Ａｒガス中に対して酸素を混合することなくスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。また、電気素子（Ｂ）の作製時には、Ａｒガス中に対して「５％」の酸素分圧を混合してスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。さらに、電気素子（Ｃ）の作製時には、Ａｒガス中に対して「１．２％」の酸素分圧を混合してスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。
＜Ｘ線回析＞
ここで、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々の可変抵抗薄膜に対してＸ線回析を行い、回析ピークを測定した。
図２のように、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜では、回折角２θ＝１８．２°にＦｅ３Ｏ４の（１１１）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝３６．８°にＦｅ３Ｏ４の（２２２）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝５６．８°にＦｅ３Ｏ４の（５１１）に対応する回折ピークが現れた。このように、電気素子（Ａ）では、Ｆｅ３Ｏ４の回析ピーク強度が大きく半値幅が小さいＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
図３のように、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜では、回析ピーク強度が小さくブロードなＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
図４のように、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜では、回折角２θ＝３５°にＦｅ２Ｏ３の（３１１）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝３６．８°にＦｅ３Ｏ４の（２２２）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝５６．８°にＦｅ３Ｏ４の（５１１）に対応する回折ピークが現れた。このように、電気素子（Ｃ）では、電気素子（Ｂ）よりも回析ピーク強度が大きく電気素子（Ａ）よりも回析ピーク強度が小さいＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
このような結果から、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜の結晶性は、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜の結晶性よりも悪く、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜の結晶性よりも良いことがわかった。
さらに、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々における回析ピークの半値幅から下記のシェラー式（Ｓｃｈｅｒｒｅｒ）を用いて、３つの電気素子の各々における可変抵抗薄膜の結晶粒径を算出した。
Ｄ＝Ｋ×λ／（β×ｃｏｓθ）
Ｄ：結晶粒径 Ｋ：０．９（定数） λ：Ｘ線の波長
β：回析ピークの半値幅 θ：回析線のブラッグ角
算出した結果、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径は、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径よりも小さく、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径よりも大きかった。
＜実験＞
次に、上述のように作製した電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々に対して、２種類の電気的パルス（正極性パルスおよび負極性パルス）を交互に印加し、電気的パルスを１回印加するたびに電気素子の抵抗値を測定した。なお、正極性パルスは、上部電極１が下部電極３に対して「正」になる電気的パルスである。また、負極性パルスは、上部電極１が下部電極３に対して「負」になる電気的パルスである。また、ここでは、電気素子の抵抗値を求めるために、上部電極１と下部電極３との間に測定電圧（電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない電圧。ここでは、「０．５Ｖ」）を印加した。つまり、測定電圧の電圧値と測定電圧印加時に流れる電流の電流値とを用いて電気素子の抵抗値を求めた。
＜電気素子（Ａ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋１．６Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
負極性パルス：電圧値「−１．１Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
図５のように、電気素子（Ａ）の抵抗値は、初め、負極性パルスを印加すると約０．７ｋΩから約０．２５ｋΩへ減少し（０．４５ｋΩ程度減少し）、正極性パルスを印加すると約０．２５ｋΩから約０．６ｋΩへ増加した（０．３５ｋΩ程度増加した）。しかし、電気的パルスの印加回数の増加にともない、電気素子（Ａ）の抵抗値は、印加された電気的パルスに応じて変化する量が減少していった。４０回目以降は、電気素子（Ａ）の抵抗値は、電気的パルスを印加しても、ほとんど変化しなかった。
ここで、電圧値を「＋１．６Ｖ」から「＋２Ｖ」に高くした正極性パルスを６５回目に印加した。すると、電気素子（Ａ）の抵抗値は、約０．３ｋΩから約２ｋΩへ再び変化した。また、６６回目に負極性パルスを印加すると、電気素子（Ａ）の抵抗値は、約２ｋΩから約０．２５ｋΩへ変化した。しかし、その後、電圧値を高くした電気的パルスを印加しても、電気的パルスの印加回数が増加するにともない、印加された電気的パルスに応じて変化する量が再び減少していった。
このように、電気素子（Ａ）は、数Ｖ程度の電気的パルスによって抵抗値が増減した。しかし、その抵抗変化の大きさは、パルスの印加回数が増加するにつれて、小さくなっていった。
＜電気素子（Ｂ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋４Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
負極性パルス：電圧値「−４Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
図６のように、電気素子（Ｂ）の抵抗値は、電気的パルスを印加しても、ほとんど変化しなかった。このように、電気素子（Ｂ）は、電気的パルスを印加しても、抵抗変化は生じなかった。
＜電気素子（Ｃ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋２Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
負極性パルス：電圧値「−２．４Ｖ」，パルス幅「１００ｎｓ」
図７のように、電気素子（Ｃ）の抵抗値は、正極性パルスを印加すると約１．２５ｋΩから約０．１５ｋΩへ減少し（１．１ｋΩ程度減少し）、負極性パルスを印加すると約０．１５ｋΩから約１．２５ｋΩへ増加した（１．１ｋΩ程度増加した）。また、薄膜（Ｃ）では、電気的パルスの印加回数が増加しても、１．１ｋΩ程度の抵抗変化が継続して生じた（抵抗変化の大きさがほぼ同一である回数が多かった）。
このように、電気素子（Ｃ）は、数Ｖ程度の電気的パルスによって抵抗値が増加／減少することがわかった。また、電気素子（Ａ）と比較すると、電気素子（Ｃ）は、電気的パルスの印加回数が増加しても、印加された電気的パルスに応じた抵抗変化が安定している（抵抗変化の大きさがほぼ同一である）ことがわかった。
以上より、可変抵抗薄膜において、結晶粒径が大きすぎると安定した抵抗変化を実現することができず、結晶粒径が小さすぎると抵抗変化が生じにくいことがわかった。
ここで、互いに結晶粒径の大きさが異なる複数の可変抵抗薄膜を作製して、その可変抵抗薄膜の各々に対して抵抗変化率（電気素子の高抵抗値と低抵抗値との比）の測定を実行した。図８のように、結晶粒径が２ｎｍの場合では抵抗変化率は約１倍と低いが、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である範囲内では約８倍から１０倍以上の安定した抵抗変化率を実現することができることが分かった。
また、可変抵抗薄膜２がＦｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含んでいる電気素子についても同様の検証を実行するために、互いに結晶粒径の大きさが異なる３種類の電気素子を作製して同様の実験を実行した。その結果、可変抵抗薄膜２がＦｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含んでいる場合も、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である範囲内では、安定した抵抗変化率を実現することができることが分かった。
（第１の実施形態）
＜回路記号の定義＞
この発明の第１の実施形態による電気素子について説明する。なお、本実施形態で用いる電気素子の回路記号を図９のように定義する。図９において、図１の上部電極１は端子１０１−１に接続される。一方、図１の下部電極３は、端子１０１−２に接続される。
図１０のように、端子１０１−２に対して端子１０１−１が「正極性」となる電気的パルス（正極性パルス）が電気素子１０２に印加されると、電気素子１０２の抵抗値は減少する。逆に、端子１０１−２に対して端子１０１−１が「負極性」となる電気的パルス（負極性パルス）が電気素子１０２に印加されると、電気素子１０２の抵抗値は増加する。すなわち、矢印の向きに電流が流れるように電気的パルスが印加されると電気素子１０２の抵抗値が減少する。一方、矢印に対して逆向きに電流が流れるように電気的パルスが印加されると、電気素子１０２の抵抗値が増加する。
また、図１１のように、電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない電圧（再生電圧）を印加すると、電気素子１０２の抵抗値に応じた出力電流が流れる。つまり、電気素子１０２の抵抗値が「Ｒａ」のときには電流値「Ｉａ」を有する出力電流が流れ、電気素子１０２の抵抗値が「Ｒｂ」のときには電流値「Ｉｂ」を有する出力電流が流れる。
＜動作＞
次に、図９に示した電気素子１０２による動作について説明する。ここでは、電気素子１０２は、メモリとして使用され、１ビットデータの処理を行う。なお、電気素子１０２の抵抗値は、高抵抗状態に初期化されているものとする。また、電気素子１０２の抵抗値が「高抵抗状態」であるときを「０」とし、電気素子１０２の抵抗値が「低抵抗状態」であるときを「１」とする。
〔記憶〕
電気素子１０２に「１」を示す１ビットデータを書き込む場合、図１０に示すように、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１に記憶電圧を印加する。記憶電圧は、例えば、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルスである。電気素子１０２には正極性パルスが印加されるので、電気素子１０２の抵抗値は、低抵抗状態になる。このように、電気素子１０２は「１」を示す１ビットデータを記憶したことになる。
〔リセット〕
電気素子１０２の記憶状態を初期の状態に戻す場合、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１にリセット電圧を印加する。リセット電圧は、例えば、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルスである。電気素子１０２には負極性パルスが印加されるので、電気素子１０２の抵抗値は、高抵抗状態に戻る。このように、電気素子１０２の記憶状態は初期状態「０」に戻ったことになる。
〔再生〕
次に、図１１に示すように、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１に再生電圧を印加する。再生電圧は、例えば、電圧値が「＋０．５Ｖ」を示す電圧である。電気素子１０２には再生電圧が印加されるので、電気素子１０２の抵抗値に応じた電流値を有する電流が端子１０１−１と端子１０１−２との間に流れる。次に、端子１０１−１と端子１０１−２との間を流れる電流の電流値と再生電圧の電圧値とに基づいて、電気素子１０２の抵抗値を求める。ここで、電気素子１０２の抵抗値が「高抵抗状態」であるときを「０」とし、電気素子１０２の抵抗値が「低抵抗状態」であるときを「１」とすれば、電気素子１０２から１ビットデータを再生したことになる。
＜効果＞
以上のように、電気素子をメモリとして利用することができる。また、電気素子は電気的パルスの印加を繰り返し実行しても抵抗変化が安定しているので、従来よりも、安定した記憶・再生を実現することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用してもメモリとしての信頼性を維持することができる。
なお、端子１０１−１，１０１−２の各々に印加される電圧は、上述の数値に限定されない。記憶時において、電気素子に対して正極性パルスが印加されるように端子１０１−１，１０１−２の各々に電圧を印加すれば、同様の効果が得られる。同様に、リセット時において、電気素子に対して負極性パルスが印加されるように端子１０１−１，１０１−２の各々に電圧を印加すれば、同様の効果が得られる。再生時も同様である。
また、本実施形態では、２つの抵抗状態に数値を割り当てて「１ビット」のデータを読み書きしているが、３つ以上の抵抗状態の各々に数値を割り当てて「多ビット」のデータを読み書きすることも可能である。この場合、その多ビットデータの値に応じて、印加する電気的パルスの電圧値または回数を調整すればよい。
（第２の実施形態）
＜全体構成＞
この発明の第２の実施形態によるメモリ装置２００の全体構成を図１２に示す。この装置２００は、メモリアレイ２０１と、アドレスバッファ２０２と、制御部２０３と、行デコーダ２０４と、ワード線ドライバ２０５と、列デコーダ２０６と、ビット線／プレート線ドライバ２０７とを備える。
メモリアレイ２０１には、ワード線Ｗ１，Ｗ２と、ビット線Ｂ１，Ｂ２と、プレート線Ｐ１，Ｐ２と、トランジスタＴ２１１，Ｔ２１２，Ｔ２２１，Ｔ２２２と、メモリセルＭＣ２１１，ＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２とが設けられている。メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の各々は、図９に示した電気素子１０２である。
トランジスタＴ２１１〜Ｔ２２２，メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の接続関係は同様であるので、代表してトランジスタＴ２１１およびメモリセルＭＣ２１１の接続関係について説明する。トランジスタＴ２１１およびメモリセルＭＣ２１１はビット線Ｂ１とプレート線Ｐ１との間に直列に接続される。トランジスタＴ２１１は、ビット線Ｂ１とメモリセルＭＣ２１１との間に接続され、ゲートがワード線Ｗ１に接続される。メモリセルＭＣ２１１は、トランジスタＴ２１１とプレート線Ｐ１との間に接続される。また、トランジスタＴ２１１〜Ｔ２２２の各々は、対応するワード線に所定の電圧（活性化電圧）が印加されると、導通する。
アドレスバッファ２０２は、外部からのアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳを入力して、行アドレス信号ＲＯＷを行デコーダ２０４に出力するとともに、列アドレス信号ＣＯＬＵＭＮを列デコーダ２０６に出力する。アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳは、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２のうち選択されるメモリセルのアドレスを示す。行アドレス信号ＲＯＷは、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに示されたアドレスのうち行のアドレスを示す。列アドレスＣＯＬＵＭＮは、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに示されたアドレスのうち列のアドレスを示す。
制御部２０３は、外部からのモード選択信号ＭＯＤＥに応じて、記憶モード，リセットモード，および再生モードのうちいずれか１つになる。記憶モードでは、制御部２０３は、外部からの入力データＤｉｎに応じて、「記憶電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。再生モードでは、制御部２０３は、「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。さらに、再生モードでは、ビット線／プレート線ドライバ２０７からの信号ＩＲＥＡＤに応じたビット値を示す出力データＤｏｕｔを外部へ出力する。信号ＩＲＥＡＤは、再生モード時にプレート線Ｐ１，Ｐ２を流れる電流の電流値を示す。また、リセットモードでは、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の記憶状態を確認し、その記憶状態に応じて、「リセット電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。
行デコーダ２０４は、アドレスバッファ２０２からの行アドレス信号ＲＯＷに応じて、ワード線Ｗ１，Ｗ２のうちいずれか１つを選択する。
ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線に活性化電圧を印加する。
列デコーダ２０６は、アドレスバッファ２０２からの列アドレス信号ＣＯＬＵＭＮに応じて、ビット線Ｂ１，Ｂ２のうちいずれか１つを選択するとともにプレート線Ｐ１，Ｐ２のうちいずれか１つを選択する。
ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「記憶電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線に記憶電圧ＶＷＲＩＴＥを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線に再生電圧ＶＲＥＡＤを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。その後、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、そのプレート線を流れる電流の電流値を示す信号ＩＲＥＡＤを制御部２０３に出力する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「リセット電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線にリセット電圧ＶＲＥＳＥＴを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。
なお、記憶電圧ＶＷＲＩＴＥは、例えば、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルスである。また、再生電圧ＶＲＥＡＤは、例えば、電圧値が「＋０．５Ｖ」を示す電圧である。また、リセット電圧ＶＲＥＳＥＴは、例えば、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルスである。
＜動作＞
次に、図１２に示したメモリ装置２００による動作について説明する。この装置２００による動作には、メモリセルに入力データＤｉｎを書き込む記憶モードと、メモリセルに書き込まれた情報をリセットするリセットモードと、メモリセルに書き込まれた情報を出力データＤｏｕｔとして出力（再生）する再生モードとが存在する。なお、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２は、高抵抗状態に初期化されているものとする。また、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳは、メモリセルＭＣ２１１のアドレスを示すものとする。
〔記憶モード〕
まず、記憶モードにおける動作について説明する。
制御部２０３は、入力データＤｉｎが「１」を示す場合、「記憶電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。また、制御部２０３は、入力データＤｉｎが「０」を示す場合、制御信号ＣＯＮＴを出力しない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「記憶電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１に記憶電圧ＶＷＲＩＴＥを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルス（正極性パルス）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値は低抵抗状態になる。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には正極性パルスが印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２の抵抗状態は変化しない。
このように、メモリセルＭＣ２１１の抵抗状態だけが「低抵抗状態」に変化するので、メモリセルＭＣ２１１に「１」を示す１ビットデータが書き込まれたことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１への書き込みが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述の記憶モードにおける動作が繰り返される。
〔再生モード〕
次に、再生モードにおける動作について説明する。
制御部２０３は、「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「再生電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１に再生電圧ＶＲＥＡＤを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「０．５Ｖ」である電圧（測定電圧）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値に応じた電流値を有する電流がメモリセルＭＣ２１１に流れ、その電流がビット線Ｂ１に流出する。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には測定電圧が印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には電流が流れない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、プレート線Ｐ１を流れる電流の電流値を測定し、その測定値を示す信号ＩＲＥＡＤを制御部２０３に出力する。次に、制御部２０３は、その信号ＩＲＥＡＤに示された電流値に応じた出力データＤｏｕｔを外部に出力する。例えば、低抵抗状態のときに流れる電流の電流値であるならば、制御部２０３は、「１」を示す出力データＤｏｕｔを出力する。
このように、メモリセルＭＣ２１１にのみ電流が流れ、その電流がプレート線Ｐ１に流出するので、メモリセルＭＣ２１１から１ビットデータを読み出したことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１からの読み出しが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述の再生モードにおける動作が繰り返される。
〔リセットモード〕
次に、リセットモードにおける動作について説明する。
まず、制御部２０３は、再生モードにおける処理を行うことによってメモリセルＭＣ２１１の記憶状態を調べる。
次に、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１が「１」を示すビットデータを記憶していると判断すると（メモリセルＭＣ２１１が低抵抗状態であると判断すると）、「リセット電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。また、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１が「０」を示すビットデータを記憶している場合（メモリセルＭＣ２１１が高抵抗状態である場合）には、制御信号ＣＯＮＴを出力しない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「リセット電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１にリセット電圧ＶＲＥＳＥＴを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である電気的パルス（負極性パルス）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値は高抵抗状態になる。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には負極性パルスが印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２の抵抗状態は変化しない。
このように、メモリセルＭＣ２１１の抵抗状態だけが「高抵抗状態」に変化するので、メモリセルＭＣ２１１に記憶された１ビットデータをリセットしたことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１のリセットが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述のリセットモードにおける動作が繰り返される。
＜効果＞
以上のように、電気素子をメモリアレイとして利用することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく微結晶構造を有する。したがって、従来よりも長時間使用してもメモリアレイとしての信頼性を維持することができる。
なお、図１２では、メモリセルが４つしか存在しないがこれに限らず、５つ以上のメモリセルをマトリックス状に配置することも可能である。
（第３の実施形態）
＜構成＞
この発明の第３の実施形態による半導体集積回路（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ−ＲＡＭ）３００の構成を図１３に示す。この回路３００は、図１２に示したメモリ装置２００と、論理回路３０１とを備え、１つの半導体チップ上に形成される。メモリ装置２００は、データＲＡＭとして使用される。論理回路３０１は、所定の演算（例えば、音声データ・画像データの符号化／復号化）を行う回路であり、その演算の際に、メモリ装置２００を利用する。論理回路３０１は、メモリ装置２００にアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳおよびモード選択信号ＭＯＤＥを制御して、メモリ装置２００へのデータの書き込み／読み出しを行う。
＜動作＞
次に、図１３に示した半導体集積回路（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ−ＲＡＭ）３００による動作について説明する。この回路３００による動作には、メモリ装置２００に所定のデータ（ビットデータ）を書き込む書込処理と、メモリ装置２００に書き込んだデータを読み出す読出処理と、メモリ装置２００に書き込んだデータをリセットするリセット処理とが存在する。
〔書込処理〕
まず、書込処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に所定のデータ（例えば、符号化動画像データ等）を書き込むために、「記憶モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、その所定のデータを書き込むメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、論理回路３０１は、その所定のデータを１ビットずつ１ビットデータＤｉｎとしてメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の記憶モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００にその所定のデータが１ビットずつ書き込まれる。
〔読出処理〕
次に、読出処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に書き込んだデータを読み出すために、「再生モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、書き込まれたデータを読み出すメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の再生モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたデータが１ビットずつ出力データＤｏｕｔとして読み出される。
〔リセット処理〕
次に、リセット処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に記憶されたデータをリセットすために、「リセットモード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、メモリ装置２００に記憶されたデータをリセットするメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態のリセットモードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたデータが１ビットずつリセットされる。
＜効果＞
以上のように、メモリ装置に大量の情報を高速に記憶することが可能となる。
（第４の実施形態）
＜構成＞
この発明の第４の実施形態による半導体集積回路（ｒｅｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ ＬＳＩ）４００の構成を図１４に示す。この回路４００は、図１２に示したメモリ装置２００と、プロセッサ４０１と、インターフェイス４０２を備え、１つの半導体チップ上に形成される。メモリ装置２００は、プログラムＲＯＭとして使用され、プロセッサ４０１の動作に必要なプログラムを記憶する。プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラムに従って動作し、メモリ装置２００およびインターフェイス４０２を制御する。インターフェイス４０２は、外部から入力されたプログラムをメモリ装置２００に順次出力する。
＜動作＞
次に、図１４に示した半導体集積回路（ｒｅｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ ＬＳＩ）４００による動作について説明する。この回路４００による動作には、記憶されたプログラムに従って動作するプログラム実行処理と、メモリ装置２００に記憶されたプログラムを別の新たなプログラムに書き換えるプログラム書換処理とが存在する。
〔プログラム実行処理〕
まず、プログラム実行処理について説明する。
プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラムを読み出すために、「再生モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、その必要なプログラムが書き込まれたメモリセルを示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の再生モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたプログラムが出力データＤｏｕｔとして１ビットずつ読み出される。
次に、プロセッサ４０１は、読み出したプログラムに従って、所定の演算を行う。
〔プログラム書換処理〕
次に、プログラム書換処理について説明する。
プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラム（書換対象となるプログラム）を消去するために、「リセットモード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、書換対象となるプログラムを記憶するメモリセルの位置を示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態のリセットモードと同様の動作が行われる。これにより、メモリセルに記憶されたプログラムが１ビットずつリセットされる。
次に、プロセッサ４０１は、メモリセルのリセットが完了すると、新たなプログラムを書き込むために、「記憶モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、新たなプログラムを記憶すべきメモリセルの位置を示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、プロセッサ４０１は、外部からインターフェイス４０２を介して１ビットずつメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。メモリ装置２００では、第２の実施形態の記憶モードと同様の処理が行われる。これにより、新たなプログラムがメモリ装置２００に１ビットずつ記憶される。
このように、メモリ装置２００は書き換え可能な不揮発性メモリであるため、記憶するプログラムの内容を書き換えることが可能である。つまり、プロセッサ５０１において実現される機能を代えることができる。また、複数のプログラムをメモリ装置２００に記憶しておき、読み出すプログラムに応じてプロセッサ４０１で実現される機能を代えることもできる。
＜効果＞
以上のように、１つのＬＳＩで異なる機能を実現することが可能（いわゆるｒｅ−ｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ）となる。
以上の説明において、この電気素子の抵抗状態を変化させるためには、印加する電気的パルスが所定の条件を満たせば良い。よって、記憶時／リセット時にその条件を満たす電気的パルスが電気素子に印加されるようにし、再生時にはその条件を満たさない電圧が電気素子に印加されるようにすれば、同様の効果を得ることができる。つまり、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００ｎｓｅｃ」である正極性パルスを印加すると電気素子の抵抗状態が「高抵抗状態」から「低抵抗状態」に変化する例について説明したが、この電気的パルスの電圧値およびパルス幅が他の数値であっても同様の効果を得ることは可能である。また、電気素子の初期化にあたるフォーミングの方法によっては、負極性パルスを印加することによって電気素子の抵抗状態が「高抵抗状態」から「低抵抗状態」に変化することもある。
また、以上の実施形態では、本発明の電気素子を「記憶素子」として利用する例について説明しているが、利用の用途はこれに限らない。例えば、本発明の電気素子を、複数の信号の切替を決定するスイッチング素子、周波数を切り替えるために用いられる可変抵抗素子（図１５Ａ参照）、複数の信号の混合比率を決定する可変抵抗素子（図１５Ｂ参照），コンデンサーとの組み合わせで時定数を決定する時定数変化素子等として利用することも可能である。例えば、図１５Ａ，図１５Ｂにおいて、電気素子１０２の抵抗値を変化させる場合、スイッチＳＷａ，ＳＷｂを切り替えて電気素子１０２と電源５とを電気的に接続する。次に、電源５によって所定の電気的パルスが電気素子１０２に印加される。これにより、電気素子１０２の抵抗値が変化する。次に、スイッチＳＷａ，ＳＷｂを元の接続状態に戻す。このように、電気素子１０２を可変抵抗素子として使用することで、周波数可変回路（図１５Ａ）、混合比率を変えるミキシング回路（図１５Ｂ）を実現することができる。
本発明の電気素子は、抵抗変化が安定しているので、不揮発性メモリ，その他可変抵抗素子等として有用である。
本発明は、与えられる電気的パルスに応じてその抵抗値が変化する可変抵抗材料を用いた電気素子，メモリ装置，および半導体集積回路に関する。
近年、電子機器におけるデジタル技術の進展に伴い、画像などのデータを保存するために、不揮発性記憶素子の要望が大きくなってきており、さらに記憶素子の大容量化、書き込み電力の低減、書き込み／読み出し時間の高速化、長寿命化の要求がますます高まりつつある。こうした要求に対し、与えられる電気的パルスに応じてその抵抗値が変化するペロブスカイト材料（例えば、Ｐｒ（１−Ｘ）ＣａＸＭｎＯ３(ＰＣＭＯ)、ＬａＳｒＭｎＯ３(ＬＳＭＯ)、ＧｄＢａＣｏＸＯＹ(ＧＢＣＯ)など）を用いて不揮発性記憶素子を構成する技術が、米国特許第6,204,139号公報（特許文献１）に開示されている。この特許文献１に開示された技術は、これらの材料（以下、可変抵抗材料と記す。）に所定の電気的パルスを与えてその抵抗値を増大もしくは減少させ、その結果変化した抵抗値を異なる数値の記憶に用いることにより、記憶素子として用いるというものである。
電気的パルスにより抵抗値が変化する材料としてペロブスカイト材料が米国特許第6,204,139号公報に開示されている。また、アモルファスカーボン膜の深いアクセプターレベルと浅いドナーレベルを用い、電荷注入により抵抗を変化させるメモリ素子が提案されている（J.Appl.Phys.,Vol.84,(1998),p5647）。
また、特開2004-342843号公報（特許文献２）には、アモルファス酸化物（例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｙ，ＺＲ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｉの中から選ばれる１つ以上の元素の酸化物）にＡｇあるいはCuの電極を設けて電圧を印加することによって、電極材料であるＡｇあるいはCuをイオン化して薄膜中に拡散させ、アモルファス酸化物の抵抗値を変化させる不揮発性記憶素子に関する技術が開示されている。
米国特許第6,204,139号公報 特開2004-342843号公報 J.Appl.Phys.,Vol.84,(1998),p5647
このような可変抵抗材料を用いた記憶素子を形成する際、ＣＭＯＳプロセスにおいて高温による破壊等を防ぐために、成膜時の基板温度は４５０℃以下であることが望ましい。しかし、ペロブスカイト構造を有する材料を成膜するためには、通常、成膜時に基板の温度を７００℃以上にする必要がある。
また、ペロブスカイト材料のような可変抵抗材料を記憶素子として利用する場合、所定の電気的パルスの印加に応じた抵抗変化が安定している（抵抗変化の大きさが一定である）ことが望ましい。
本発明は、安定した抵抗変化を実現することを目的とする。さらに詳しくは、電気的パルスの印加を繰り返しても抵抗変化が安定している電気素子，その電気素子を利用したメモリ装置，半導体集積回路を提供することを目的とする。
この発明の１つの局面に従うと、電気素子は、第１の電極と、第２の電極と、可変抵抗薄膜とを備える。可変抵抗薄膜は、第１の電極と第２の電極との間に接続される。また、可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含む。また、可変抵抗薄膜は、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である可変抵抗薄膜を用いた電気素子は、抵抗変化が安定していることがわかった。したがって、例えば、電気素子を記憶素子として使用した場合、従来よりも、安定した記憶・再生を実現することができる。また、可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく、微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用しても特性変化が生じにくい。
また、上記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下であっても良い。
好ましくは、上記可変抵抗薄膜の膜厚は、２００ｎｍ以下である。
好ましくは、上記第１の電極および上記第２の電極のうち少なくとも１つは、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２のうちいずれかを用いて構成された電極である。
好ましくは、上記電気素子は、上記第１の電極と上記第２の電極との間に所定の電気的パルスが印加されて抵抗値が変化することによって、１ビットあるいは多ビットの情報を記憶する。
好ましくは、上記電気素子は、上記第１の電極と上記第２の電極との間に所定の電圧が印加されて電気素子の抵抗値に応じた電流が流れることによって、１ビットあるいは多ビットの情報を読み出す。
この発明のもう１つの局面に従うと、メモリ装置は、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のビット線に一対一で対応する複数のプレート線と、複数のトランジスタと、複数のトランジスタに一対一で対応する複数の電気素子と、複数のワード線を駆動するワード線駆動部と、複数のビット線と複数のプレート線とを駆動するビット線／プレート線駆動部とを備える。複数のトランジスタの各々とそのトランジスタに対応する電気素子とは、複数のビット線のうちいずれか１本とそのビット線に対応するプレート線との間に直列に接続される。複数のトランジスタの各々は、そのトランジスタに対応するビット線とそのトランジスタに対応する電気素子との間に接続され、ゲートが複数のワード線のうちいずれか１本に接続される。複数の電気素子の各々は、第１の電極と、第２の電極と、可変抵抗薄膜とを含む。第１の電極は、その電気素子に対応するトランジスタに接続される。第２の電極は、その電気素子に対応するプレート線に接続される。可変抵抗薄膜は、第１の電極と第２の電極との間に接続される。可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
上記メモリ装置では、メモリ（電気素子）の抵抗変化が安定しているので、安定した記憶・再生を実現することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく、微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用してもメモリアレイとしての信頼性を維持することができる。
また、上記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下であっても良い。
好ましくは、上記複数の電気素子のうちいずれか１つに情報を記憶するときには、上記ワード線駆動部は、上記複数のワード線のうち上記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加する。また、上記ビット線／プレート線駆動部は、上記複数のビット線のうち上記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたビット線に第１の電気的パルスを印加するとともに、そのビット線に対応するプレート線に第２の電気的パルスを印加する。
上記メモリ装置では、情報を記憶しようとする電気素子にのみ所定の電気的パルスが印加されることになるので、その電気素子に情報を書き込むことができる。
好ましくは、上記複数の電気素子のうちいずれか１つに記憶された情報を再生するときには、上記ワード線駆動部は、上記複数のワード線のうち上記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加する。上記ビット線／プレート線駆動部は、上記複数のビット線のうち上記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたビット線に第１の再生電圧を印加するとともに、そのビット線に対応するプレート線に第２の再生電圧を印加する。
上記メモリ装置では、情報を読み出そうとする電気素子にのみ所定の電圧が印加されることになるので、その電気素子から情報を読み出すことができる。
この発明のさらにもう１つの局面に従うと、半導体集積回路は、上記メモリ装置と、所定の演算を行う論理回路とを備える。論理回路は、記憶モードおよび再生モードを有する。論理回路は、記憶モードのときには、ビットデータを上記メモリ装置に記憶する。また、論理回路は、再生モードのときには、上記メモリ装置に記憶されたビットデータを読み出す。
この発明のさらにもう１つの局面に従うと、半導体集積回路は、上記メモリ装置と、プログラム実行モードとプログラム書換モードとを有するプロセッサとを備える。プロセッサは、プログラム実行モードでは、上記メモリ装置に記憶されたプログラムに従って動作する。また、プロセッサは、プログラム書換モードでは、上記メモリ装置に記憶されたプログラムを外部から入力した別の新たなプログラムに書き換える。
以上のように、従来よりも安定した抵抗変化を実現することができる。
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
（電気素子の基本構成および基本特性）
まず、本実施形態に用いられる電気素子の基本構成および基本特性について説明する。
電気素子の基本構成を図１に示す。電子素子では、基板４上に下部電極３が形成され、下部電極３上に可変抵抗薄膜２が形成され、可変抵抗薄膜２上に上部電極１が形成される。電源５は、上部電極１と下部電極３との間に所定の電圧を印加する。電源５によって所定の条件を満たす電圧が印加されると、電気素子の抵抗値は、増加／減少する。例えば、ある閾値よりも大きな電圧値を有する電気的パルスが印加されると、電気素子の抵抗値が減少する。一方、その閾値よりも小さな電圧値を有する電圧（所定の条件を満たさない電圧）が印加されても、その電圧は、電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない（つまり、電気素子の抵抗値は変化しない）。
上部電極１および下部電極３に用いる材料は、仕事関数が低いものほど好ましい。例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２が好ましい。ただし、可変抵抗薄膜２を形成する際に、通常、基板４が加熱されるので、下部電極３に用いる材料は、この加熱温度においても安定なものを用いた方が良い。
可変抵抗薄膜２の膜厚は、１μｍ以下であることが好ましい。可変抵抗薄膜２の膜厚を１μｍ以下にすれば、電気的パルスによって電気素子の抵抗値を変化させることが十分可能である。
さらに、可変抵抗薄膜２の膜厚は、２００ｎｍ以下であることが好ましい。製造プロセスにおいてリソグラフィーを行う場合、可変抵抗薄膜２の膜厚が薄いほど加工しやすいからである。また、可変抵抗薄膜２の膜厚が薄いほど、電気素子の抵抗値を変化させる電気的パルスの電圧値が低くてすむ。
本実施形態における可変抵抗薄膜２は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。または、本実施形態における可変抵抗薄膜２は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である。
以下に、このような可変抵抗薄膜を用いる理由について、３つの電気素子（電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ））を例に挙げて説明する。
＜電気素子の作製＞
図１のように、基板４上に下部電極３を形成した。次に、Ｆｅ３Ｏ４をターゲットとしてスパッタリングを実行し、下部電極３上に可変抵抗薄膜２を形成した。次に、上部電極１を可変抵抗薄膜２上に形成した。このようにして、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）を作製した。
なお、電気素子（Ａ）の作製時には、Ａｒガス中に対して酸素を混合することなくスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。また、電気素子（Ｂ）の作製時には、Ａｒガス中に対して「５％」の酸素分圧を混合してスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。さらに、電気素子（Ｃ）の作製時には、Ａｒガス中に対して「１．２％」の酸素分圧を混合してスパッタリングを実行することにより、可変抵抗薄膜２を形成した。
＜Ｘ線回析＞
ここで、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々の可変抵抗薄膜に対してＸ線回析を行い、回析ピークを測定した。
図２のように、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜では、回折角２θ＝１８．２°にＦｅ３Ｏ４の（１１１）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝３６．８°にＦｅ３Ｏ４の（２２２）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝５６．８°にＦｅ３Ｏ４の（５１１）に対応する回折ピークが現れた。このように、電気素子（Ａ）では、Ｆｅ３Ｏ４の回析ピーク強度が大きく半値幅が小さいＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
図３のように、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜では、回析ピーク強度が小さくブロードなＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
図４のように、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜では、回折角２θ＝３５°にＦｅ２Ｏ３の（３１１）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝３６．８°にＦｅ３Ｏ４の（２２２）に対応する回折ピークが現れ、回折角２θ＝５６．８°にＦｅ３Ｏ４の（５１１）に対応する回折ピークが現れた。このように、電気素子（Ｃ）では、電気素子（Ｂ）よりも回析ピーク強度が大きく電気素子（Ａ）よりも回析ピーク強度が小さいＦｅ３Ｏ４の回析ピークが現れた。
このような結果から、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜の結晶性は、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜の結晶性よりも悪く、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜の結晶性よりも良いことがわかった。
さらに、電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々における回析ピークの半値幅から下記のシェラー式（Scherrer）を用いて、３つの電気素子の各々における可変抵抗薄膜の結晶粒径を算出した。
Ｄ＝Ｋ×λ／（β×cosθ）
Ｄ：結晶粒径 Ｋ：０．９（定数） λ：Ｘ線の波長
β：回析ピークの半値幅 θ：回析線のブラッグ角
算出した結果、電気素子（Ｃ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径は、電気素子（Ａ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径よりも小さく、電気素子（Ｂ）の可変抵抗薄膜の結晶粒径よりも大きかった。
＜実験＞
次に、上述のように作製した電気素子（Ａ），電気素子（Ｂ），電気素子（Ｃ）の各々に対して、２種類の電気的パルス（正極性パルスおよび負極性パルス）を交互に印加し、電気的パルスを１回印加するたびに電気素子の抵抗値を測定した。なお、正極性パルスは、上部電極１が下部電極３に対して「正」になる電気的パルスである。また、負極性パルスは、上部電極１が下部電極３に対して「負」になる電気的パルスである。また、ここでは、電気素子の抵抗値を求めるために、上部電極１と下部電極３との間に測定電圧（電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない電圧。ここでは、「０．５Ｖ」）を印加した。つまり、測定電圧の電圧値と測定電圧印加時に流れる電流の電流値とを用いて電気素子の抵抗値を求めた。
＜電気素子（Ａ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋１．６Ｖ」，パルス幅「１００ns」
負極性パルス：電圧値「−１．１Ｖ」，パルス幅「１００ns」
図５のように、電気素子（Ａ）の抵抗値は、初め、負極性パルスを印加すると約０．７kΩから約０．２５kΩへ減少し（０．４５kΩ程度減少し）、正極性パルスを印加すると約０．２５kΩから約０．６kΩへ増加した（０．３５kΩ程度増加した）。しかし、電気的パルスの印加回数の増加にともない、電気素子（Ａ）の抵抗値は、印加された電気的パルスに応じて変化する量が減少していった。４０回目以降は、電気素子（Ａ）の抵抗値は、電気的パルスを印加しても、ほとんど変化しなかった。
ここで、電圧値を「＋１．６Ｖ」から「＋２Ｖ」に高くした正極性パルスを６５回目に印加した。すると、電気素子（Ａ）の抵抗値は、約０．３kΩから約２kΩへ再び変化した。また、６６回目に負極性パルスを印加すると、電気素子（Ａ）の抵抗値は、約２kΩから約０．２５kΩへ変化した。しかし、その後、電圧値を高くした電気的パルスを印加しても、電気的パルスの印加回数が増加するにともない、印加された電気的パルスに応じて変化する量が再び減少していった。
このように、電気素子（Ａ）は、数Ｖ程度の電気的パルスによって抵抗値が増減した。しかし、その抵抗変化の大きさは、パルスの印加回数が増加するにつれて、小さくなっていった。
＜電気素子（Ｂ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋４Ｖ」，パルス幅「１００ns」
負極性パルス：電圧値「−４Ｖ」，パルス幅「１００ns」
図６のように、電気素子（Ｂ）の抵抗値は、電気的パルスを印加しても、ほとんど変化しなかった。このように、電気素子（Ｂ）は、電気的パルスを印加しても、抵抗変化は生じなかった。
＜電気素子（Ｃ）の測定結果＞
正極性パルス：電圧値「＋２Ｖ」，パルス幅「１００ns」
負極性パルス：電圧値「−２．４Ｖ」，パルス幅「１００ns」
図７のように、電気素子（Ｃ）の抵抗値は、正極性パルスを印加すると約１．２５kΩから約０．１５kΩへ減少し（１．１kΩ程度減少し）、負極性パルスを印加すると約０．１５kΩから約１．２５kΩへ増加した（１．１kΩ程度増加した）。また、薄膜（Ｃ）では、電気的パルスの印加回数が増加しても、１．１kΩ程度の抵抗変化が継続して生じた（抵抗変化の大きさがほぼ同一である回数が多かった）。
このように、電気素子（Ｃ）は、数Ｖ程度の電気的パルスによって抵抗値が増加／減少することがわかった。また、電気素子（Ａ）と比較すると、電気素子（Ｃ）は、電気的パルスの印加回数が増加しても、印加された電気的パルスに応じた抵抗変化が安定している（抵抗変化の大きさがほぼ同一である）ことがわかった。
以上より、可変抵抗薄膜において、結晶粒径が大きすぎると安定した抵抗変化を実現することができず、結晶粒径が小さすぎると抵抗変化が生じにくいことがわかった。
ここで、互いに結晶粒径の大きさが異なる複数の可変抵抗薄膜を作製して、その可変抵抗薄膜の各々に対して抵抗変化率（電気素子の高抵抗値と低抵抗値との比）の測定を実行した。図８のように、結晶粒径が２ｎｍの場合では抵抗変化率は約１倍と低いが、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である範囲内では約８倍から１０倍以上の安定した抵抗変化率を実現することができることが分かった。
また、可変抵抗薄膜２がＦｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含んでいる電気素子についても同様の検証を実行するために、互いに結晶粒径の大きさが異なる３種類の電気素子を作製して同様の実験を実行した。その結果、可変抵抗薄膜２がＦｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含んでいる場合も、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である範囲内では、安定した抵抗変化率を実現することができることが分かった。
（第１の実施形態）
＜回路記号の定義＞
この発明の第１の実施形態による電気素子について説明する。なお、本実施形態で用いる電気素子の回路記号を図９のように定義する。図９において、図１の上部電極１は端子１０１−１に接続される。一方、図１の下部電極３は、端子１０１−２に接続される。
図１０のように、端子１０１−２に対して端子１０１−１が「正極性」となる電気的パルス（正極性パルス）が電気素子１０２に印加されると、電気素子１０２の抵抗値は減少する。逆に、端子１０１−２に対して端子１０１−１が「負極性」となる電気的パルス（負極性パルス）が電気素子１０２に印加されると、電気素子１０２の抵抗値は増加する。すなわち、矢印の向きに電流が流れるように電気的パルスが印加されると電気素子１０２の抵抗値が減少する。一方、矢印に対して逆向きに電流が流れるように電気的パルスが印加されると、電気素子１０２の抵抗値が増加する。
また、図１１のように、電気素子の抵抗変化に影響を及ぼさない電圧（再生電圧）を印加すると、電気素子１０２の抵抗値に応じた出力電流が流れる。つまり、電気素子１０２の抵抗値が「Ｒａ」のときには電流値「Ｉａ」を有する出力電流が流れ、電気素子１０２の抵抗値が「Ｒｂ」のときには電流値「Ｉｂ」を有する出力電流が流れる。
＜動作＞
次に、図９に示した電気素子１０２による動作について説明する。ここでは、電気素子１０２は、メモリとして使用され、１ビットデータの処理を行う。なお、電気素子１０２の抵抗値は、高抵抗状態に初期化されているものとする。また、電気素子１０２の抵抗値が「高抵抗状態」であるときを「０」とし、電気素子１０２の抵抗値が「低抵抗状態」であるときを「１」とする。
〔記憶〕
電気素子１０２に「１」を示す１ビットデータを書き込む場合、図１０に示すように、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１に記憶電圧を印加する。記憶電圧は、例えば、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルスである。電気素子１０２には正極性パルスが印加されるので、電気素子１０２の抵抗値は、低抵抗状態になる。このように、電気素子１０２は「１」を示す１ビットデータを記憶したことになる。
〔リセット〕
電気素子１０２の記憶状態を初期の状態に戻す場合、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１にリセット電圧を印加する。リセット電圧は、例えば、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルスである。電気素子１０２には負極性パルスが印加されるので、電気素子１０２の抵抗値は、高抵抗状態に戻る。このように、電気素子１０２の記憶状態は初期状態「０」に戻ったことになる。
〔再生〕
次に、図１１に示すように、端子１０１−２をグランドに落とし、端子１０１−１に再生電圧を印加する。再生電圧は、例えば、電圧値が「＋０．５Ｖ」を示す電圧である。電気素子１０２には再生電圧が印加されるので、電気素子１０２の抵抗値に応じた電流値を有する電流が端子１０１−１と端子１０１−２との間に流れる。次に、端子１０１−１と端子１０１−２との間を流れる電流の電流値と再生電圧の電圧値とに基づいて、電気素子１０２の抵抗値を求める。ここで、電気素子１０２の抵抗値が「高抵抗状態」であるときを「０」とし、電気素子１０２の抵抗値が「低抵抗状態」であるときを「１」とすれば、電気素子１０２から１ビットデータを再生したことになる。
＜効果＞
以上のように、電気素子をメモリとして利用することができる。また、電気素子は電気的パルスの印加を繰り返し実行しても抵抗変化が安定しているので、従来よりも、安定した記憶・再生を実現することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく微結晶構造を有する。したがって、従来よりも、長時間使用してもメモリとしての信頼性を維持することができる。
なお、端子１０１−１，１０１−２の各々に印加される電圧は、上述の数値に限定されない。記憶時において、電気素子に対して正極性パルスが印加されるように端子１０１−１，１０１−２の各々に電圧を印加すれば、同様の効果が得られる。同様に、リセット時において、電気素子に対して負極性パルスが印加されるように端子１０１−１，１０１−２の各々に電圧を印加すれば、同様の効果が得られる。再生時も同様である。
また、本実施形態では、２つの抵抗状態に数値を割り当てて「１ビット」のデータを読み書きしているが、３つ以上の抵抗状態の各々に数値を割り当てて「多ビット」のデータを読み書きすることも可能である。この場合、その多ビットデータの値に応じて、印加する電気的パルスの電圧値または回数を調整すればよい。
（第２の実施形態）
＜全体構成＞
この発明の第２の実施形態によるメモリ装置２００の全体構成を図１２に示す。この装置２００は、メモリアレイ２０１と、アドレスバッファ２０２と、制御部２０３と、行デコーダ２０４と、ワード線ドライバ２０５と、列デコーダ２０６と、ビット線／プレート線ドライバ２０７とを備える。
メモリアレイ２０１には、ワード線Ｗ１，Ｗ２と、ビット線Ｂ１，Ｂ２と、プレート線Ｐ１，Ｐ２と、トランジスタＴ２１１，Ｔ２１２，Ｔ２２１，Ｔ２２２と、メモリセルＭＣ２１１，ＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２とが設けられている。メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の各々は、図９に示した電気素子１０２である。
トランジスタＴ２１１〜Ｔ２２２，メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の接続関係は同様であるので、代表してトランジスタＴ２１１およびメモリセルＭＣ２１１の接続関係について説明する。トランジスタＴ２１１およびメモリセルＭＣ２１１はビット線Ｂ１とプレート線Ｐ１との間に直列に接続される。トランジスタＴ２１１は、ビット線Ｂ１とメモリセルＭＣ２１１との間に接続され、ゲートがワード線Ｗ１に接続される。メモリセルＭＣ２１１は、トランジスタＴ２１１とプレート線Ｐ１との間に接続される。また、トランジスタＴ２１１〜Ｔ２２２の各々は、対応するワード線に所定の電圧（活性化電圧）が印加されると、導通する。
アドレスバッファ２０２は、外部からのアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳを入力して、行アドレス信号ＲＯＷを行デコーダ２０４に出力するとともに、列アドレス信号ＣＯＬＵＭＮを列デコーダ２０６に出力する。アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳは、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２のうち選択されるメモリセルのアドレスを示す。行アドレス信号ＲＯＷは、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに示されたアドレスのうち行のアドレスを示す。列アドレスＣＯＬＵＭＮは、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに示されたアドレスのうち列のアドレスを示す。
制御部２０３は、外部からのモード選択信号ＭＯＤＥに応じて、記憶モード，リセットモード，および再生モードのうちいずれか１つになる。記憶モードでは、制御部２０３は、外部からの入力データＤｉｎに応じて、「記憶電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。再生モードでは、制御部２０３は、「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。さらに、再生モードでは、ビット線／プレート線ドライバ２０７からの信号ＩＲＥＡＤに応じたビット値を示す出力データＤｏｕｔを外部へ出力する。信号ＩＲＥＡＤは、再生モード時にプレート線Ｐ１，Ｐ２を流れる電流の電流値を示す。また、リセットモードでは、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２の記憶状態を確認し、その記憶状態に応じて、「リセット電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。
行デコーダ２０４は、アドレスバッファ２０２からの行アドレス信号ＲＯＷに応じて、ワード線Ｗ１，Ｗ２のうちいずれか１つを選択する。
ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線に活性化電圧を印加する。
列デコーダ２０６は、アドレスバッファ２０２からの列アドレス信号ＣＯＬＵＭＮに応じて、ビット線Ｂ１，Ｂ２のうちいずれか１つを選択するとともにプレート線Ｐ１，Ｐ２のうちいずれか１つを選択する。
ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「記憶電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線に記憶電圧ＶＷＲＩＴＥを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線に再生電圧ＶＲＥＡＤを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。その後、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、そのプレート線を流れる電流の電流値を示す信号ＩＲＥＡＤを制御部２０３に出力する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「リセット電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線にリセット電圧ＶＲＥＳＥＴを印加するとともに列デコーダ２０６によって選択されたプレート線をグランドに落とす。
なお、記憶電圧ＶＷＲＩＴＥは、例えば、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルスである。また、再生電圧ＶＲＥＡＤは、例えば、電圧値が「＋０．５Ｖ」を示す電圧である。また、リセット電圧ＶＲＥＳＥＴは、例えば、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルスである。
＜動作＞
次に、図１２に示したメモリ装置２００による動作について説明する。この装置２００による動作には、メモリセルに入力データＤｉｎを書き込む記憶モードと、メモリセルに書き込まれた情報をリセットするリセットモードと、メモリセルに書き込まれた情報を出力データＤｏｕｔとして出力（再生）する再生モードとが存在する。なお、メモリセルＭＣ２１１〜ＭＣ２２２は、高抵抗状態に初期化されているものとする。また、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳは、メモリセルＭＣ２１１のアドレスを示すものとする。
〔記憶モード〕
まず、記憶モードにおける動作について説明する。
制御部２０３は、入力データＤｉｎが「１」を示す場合、「記憶電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。また、制御部２０３は、入力データＤｉｎが「０」を示す場合、制御信号ＣＯＮＴを出力しない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「記憶電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１に記憶電圧ＶＷＲＩＴＥを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルス（正極性パルス）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値は低抵抗状態になる。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には正極性パルスが印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２の抵抗状態は変化しない。
このように、メモリセルＭＣ２１１の抵抗状態だけが「低抵抗状態」に変化するので、メモリセルＭＣ２１１に「１」を示す１ビットデータが書き込まれたことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１への書き込みが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述の記憶モードにおける動作が繰り返される。
〔再生モード〕
次に、再生モードにおける動作について説明する。
制御部２０３は、「再生電圧印加」を指示する制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「再生電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１に再生電圧ＶＲＥＡＤを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「０．５Ｖ」である電圧（測定電圧）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値に応じた電流値を有する電流がメモリセルＭＣ２１１に流れ、その電流がビット線Ｂ１に流出する。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には測定電圧が印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には電流が流れない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、プレート線Ｐ１を流れる電流の電流値を測定し、その測定値を示す信号ＩＲＥＡＤを制御部２０３に出力する。次に、制御部２０３は、その信号ＩＲＥＡＤに示された電流値に応じた出力データＤｏｕｔを外部に出力する。例えば、低抵抗状態のときに流れる電流の電流値であるならば、制御部２０３は、「１」を示す出力データＤｏｕｔを出力する。
このように、メモリセルＭＣ２１１にのみ電流が流れ、その電流がプレート線Ｐ１に流出するので、メモリセルＭＣ２１１から１ビットデータを読み出したことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１からの読み出しが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述の再生モードにおける動作が繰り返される。
〔リセットモード〕
次に、リセットモードにおける動作について説明する。
まず、制御部２０３は、再生モードにおける処理を行うことによってメモリセルＭＣ２１１の記憶状態を調べる。
次に、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１が「１」を示すビットデータを記憶していると判断すると（メモリセルＭＣ２１１が低抵抗状態であると判断すると）、「リセット電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴをビット線／プレート線ドライバ２０７に出力する。また、制御部２０３は、メモリセルＭＣ２１１が「０」を示すビットデータを記憶している場合（メモリセルＭＣ２１１が高抵抗状態である場合）には、制御信号ＣＯＮＴを出力しない。
次に、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、制御部２０３から「リセット電圧印加」を示す制御信号ＣＯＮＴを受けると、列デコーダ２０６によって選択されたビット線Ｂ１にリセット電圧ＶＲＥＳＥＴを印加する。また、ビット線／プレート線ドライバ２０７は、列デコーダ２０６によって選択されたプレート線Ｐ１をグランドに落とす。
一方、ワード線ドライバ２０５は、行デコーダ２０４によって選択されたワード線Ｗ１に活性化電圧を印加する。
メモリセルＭＣ２１１では、電圧値が「−２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である電気的パルス（負極性パルス）が印加されたことになるので、メモリセルＭＣ２１１の抵抗値は高抵抗状態になる。
メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２には負極性パルスが印加されないので、メモリセルＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２の抵抗状態は変化しない。
このように、メモリセルＭＣ２１１の抵抗状態だけが「高抵抗状態」に変化するので、メモリセルＭＣ２１１に記憶された１ビットデータをリセットしたことになる。
次に、メモリセルＭＣ２１１のリセットが完了すると、アドレスバッファ２０２に新たなアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳが入力されて、上述のリセットモードにおける動作が繰り返される。
＜効果＞
以上のように、電気素子をメモリアレイとして利用することができる。また、メモリを構成する可変抵抗薄膜の材料は、アモルファスではなく微結晶構造を有する。したがって、従来よりも長時間使用してもメモリアレイとしての信頼性を維持することができる。
なお、図１２では、メモリセルが４つしか存在しないがこれに限らず、５つ以上のメモリセルをマトリックス状に配置することも可能である。
（第３の実施形態）
＜構成＞
この発明の第３の実施形態による半導体集積回路（Embedded-RAM）３００の構成を図１３に示す。この回路３００は、図１２に示したメモリ装置２００と、論理回路３０１とを備え、１つの半導体チップ上に形成される。メモリ装置２００は、データＲＡＭとして使用される。論理回路３０１は、所定の演算（例えば、音声データ・画像データの符号化／復号化）を行う回路であり、その演算の際に、メモリ装置２００を利用する。論理回路３０１は、メモリ装置２００にアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳおよびモード選択信号ＭＯＤＥを制御して、メモリ装置２００へのデータの書き込み／読み出しを行う。
＜動作＞
次に、図１３に示した半導体集積回路（Embedded-RAM）３００による動作について説明する。この回路３００による動作には、メモリ装置２００に所定のデータ（ビットデータ）を書き込む書込処理と、メモリ装置２００に書き込んだデータを読み出す読出処理と、メモリ装置２００に書き込んだデータをリセットするリセット処理とが存在する。
〔書込処理〕
まず、書込処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に所定のデータ（例えば、符号化動画像データ等）を書き込むために、「記憶モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、その所定のデータを書き込むメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、論理回路３０１は、その所定のデータを１ビットずつ１ビットデータＤｉｎとしてメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の記憶モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００にその所定のデータが１ビットずつ書き込まれる。
〔読出処理〕
次に、読出処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に書き込んだデータを読み出すために、「再生モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、書き込まれたデータを読み出すメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の再生モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたデータが１ビットずつ出力データＤｏｕｔとして読み出される。
〔リセット処理〕
次に、リセット処理について説明する。
論理回路３０１は、メモリ装置２００に記憶されたデータをリセットすために、「リセットモード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、論理回路３０１は、メモリ装置２００に記憶されたデータをリセットするメモリセルを選択するために、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態のリセットモードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたデータが１ビットずつリセットされる。
＜効果＞
以上のように、メモリ装置に大量の情報を高速に記憶することが可能となる。
（第４の実施形態）
＜構成＞
この発明の第４の実施形態による半導体集積回路（reconfigurable ＬＳＩ）４００の構成を図１４に示す。この回路４００は、図１２に示したメモリ装置２００と、プロセッサ４０１と、インターフェイス４０２を備え、１つの半導体チップ上に形成される。メモリ装置２００は、プログラムＲＯＭとして使用され、プロセッサ４０１の動作に必要なプログラムを記憶する。プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラムに従って動作し、メモリ装置２００およびインターフェイス４０２を制御する。インターフェイス４０２は、外部から入力されたプログラムをメモリ装置２００に順次出力する。
＜動作＞
次に、図１４に示した半導体集積回路（reconfigurable ＬＳＩ）４００による動作について説明する。この回路４００による動作には、記憶されたプログラムに従って動作するプログラム実行処理と、メモリ装置２００に記憶されたプログラムを別の新たなプログラムに書き換えるプログラム書換処理とが存在する。
〔プログラム実行処理〕
まず、プログラム実行処理について説明する。
プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラムを読み出すために、「再生モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、その必要なプログラムが書き込まれたメモリセルを示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態の再生モードと同様の動作が行われる。これにより、メモリ装置２００に記憶されたプログラムが出力データＤｏｕｔとして１ビットずつ読み出される。
次に、プロセッサ４０１は、読み出したプログラムに従って、所定の演算を行う。
〔プログラム書換処理〕
次に、プログラム書換処理について説明する。
プロセッサ４０１は、メモリ装置２００に記憶されたプログラム（書換対象となるプログラム）を消去するために、「リセットモード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、書換対象となるプログラムを記憶するメモリセルの位置を示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、メモリ装置２００では、第２の実施形態のリセットモードと同様の動作が行われる。これにより、メモリセルに記憶されたプログラムが１ビットずつリセットされる。
次に、プロセッサ４０１は、メモリセルのリセットが完了すると、新たなプログラムを書き込むために、「記憶モード」を示すモード選択信号ＭＯＤＥをメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。
次に、プロセッサ４０１は、新たなプログラムを記憶すべきメモリセルの位置を示すアドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳをメモリ装置２００のアドレスバッファ２０２に順次出力する。これにより、メモリ装置２００では、アドレス信号ＡＤＤＲＥＳＳに応じたメモリセルが順次選択される。
次に、プロセッサ４０１は、外部からインターフェイス４０２を介して１ビットずつメモリ装置２００の制御部２０３に出力する。メモリ装置２００では、第２の実施形態の記憶モードと同様の処理が行われる。これにより、新たなプログラムがメモリ装置２００に１ビットずつ記憶される。
このように、メモリ装置２００は書き換え可能な不揮発性メモリであるため、記憶するプログラムの内容を書き換えることが可能である。つまり、プロセッサ５０１において実現される機能を代えることができる。また、複数のプログラムをメモリ装置２００に記憶しておき、読み出すプログラムに応じてプロセッサ４０１で実現される機能を代えることもできる。
＜効果＞
以上のように、１つのＬＳＩで異なる機能を実現することが可能（いわゆるre-configurable）となる。
以上の説明において、この電気素子の抵抗状態を変化させるためには、印加する電気的パルスが所定の条件を満たせば良い。よって、記憶時／リセット時にその条件を満たす電気的パルスが電気素子に印加されるようにし、再生時にはその条件を満たさない電圧が電気素子に印加されるようにすれば、同様の効果を得ることができる。つまり、電圧値が「＋２．５Ｖ」でありパルス幅が「１００nsec」である正極性パルスを印加すると電気素子の抵抗状態が「高抵抗状態」から「低抵抗状態」に変化する例について説明したが、この電気的パルスの電圧値およびパルス幅が他の数値であっても同様の効果を得ることは可能である。また、電気素子の初期化にあたるフォーミングの方法によっては、負極性パルスを印加することによって電気素子の抵抗状態が「高抵抗状態」から「低抵抗状態」に変化することもある。
また、以上の実施形態では、本発明の電気素子を「記憶素子」として利用する例について説明しているが、利用の用途はこれに限らない。例えば、本発明の電気素子を、複数の信号の切替を決定するスイッチング素子、周波数を切り替えるために用いられる可変抵抗素子（図１５Ａ参照）、複数の信号の混合比率を決定する可変抵抗素子（図１５Ｂ参照），コンデンサーとの組み合わせで時定数を決定する時定数変化素子等として利用することも可能である。例えば、図１５Ａ，図１５Ｂにおいて、電気素子１０２の抵抗値を変化させる場合、スイッチＳＷａ，ＳＷｂを切り替えて電気素子１０２と電源５とを電気的に接続する。次に、電源５によって所定の電気的パルスが電気素子１０２に印加される。これにより、電気素子１０２の抵抗値が変化する。次に、スイッチＳＷａ，ＳＷｂを元の接続状態に戻す。このように、電気素子１０２を可変抵抗素子として使用することで、周波数可変回路（図１５Ａ）、混合比率を変えるミキシング回路（図１５Ｂ）を実現することができる。
本発明の電気素子は、抵抗変化が安定しているので、不揮発性メモリ，その他可変抵抗素子等として有用である。
図１は、電気素子の基本構成を示す図である。 図２は、薄膜（Ａ）の回析パターンを示すグラフである。 図３は、薄膜（Ｂ）の回析パターンを示すグラフである。 図４は、薄膜（Ｃ）の回析パターンを示すグラフである。 図５は、薄膜（Ａ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 図６は、薄膜（Ｂ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 図７は、薄膜（Ｃ）を備える電気素子の抵抗変化を示すグラフである。 図８は、可変抵抗薄膜の結晶粒径と抵抗変化率との関係を示すグラフである。 図９は、本発明の電気素子の回路記号を示す図である。 図１０は、図９に示した電気素子の抵抗変化について説明するための図である。 図１１は、図９に示した電気素子の出力電流について説明するための図である。 図１２は、この発明の第２の実施形態によるメモリ装置の全体構成を示す図である。 図１３は、この発明の第３の実施形態による半導体集積回路の全体構成を示す図である。 図１４は、この発明の第４の実施形態による半導体集積回路の全体構成を示す図である。 図１５Ａは、電気素子の用途の一例を示す図である。図１５Ｂは、電気素子の用途の別の一例を示す図である。
符号の説明
１ 上部電極
２ 可変抵抗薄膜
３ 下部電極
４ 基板
５ 電源
１０１−１，１０１−２ 端子
１０２ 電気素子
２００ メモリ装置
２０１ メモリアレイ
２０２ アドレスバッファ
２０３ 制御部
２０４ 行デコーダ
２０５ ワード線ドライバ
２０６ 列デコーダ
２０７ ビット線／プレート線ドライバ
ＭＣ２１１，ＭＣ２１２，ＭＣ２２１，ＭＣ２２２ メモリセル
Ｗ１，Ｗ２ ワード線
Ｂ１，Ｂ２ ビット線
Ｐ１，Ｐ２ プレート線
３００ 半導体集積回路
３０１ 論理回路
４００ 半導体集積回路
４０１ プロセッサ
４０２ インターフェイス

Claims (12)

  1. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを備え、
    前記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である
    電気素子。
  2. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを備え、
    前記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である
    電気素子。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記可変抵抗薄膜の膜厚は、２００ｎｍ以下である
    電気素子。
  4. 請求項１または請求項２において、
    前記第１の電極および前記第２の電極のうち少なくとも１つは、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２のうちいずれかを用いて構成された電極である
    電気素子。
  5. 請求項１または請求項２において、
    前記電気素子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電気的パルスが印加されて抵抗値が変化することによって、１ビットあるいは多ビットの情報を記憶する
    電気素子。
  6. 請求項１または請求項２において、
    前記電気素子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電圧が印加されて当該電気素子の抵抗値に応じた電流が流れることによって、１ビットあるいは多ビットの情報を読み出す
    電気素子。
  7. 複数のワード線と、
    複数のビット線と、
    前記複数のビット線に一対一で対応する複数のプレート線と、
    複数のトランジスタと、
    前記複数のトランジスタに一対一で対応する複数の電気素子と、
    前記複数のワード線を駆動するワード線駆動部と、
    前記複数のビット線と前記複数のプレート線とを駆動するビット線／プレート線駆動部とを備え、
    前記複数のトランジスタの各々と当該トランジスタに対応する電気素子とは、前記複数のビット線のうちいずれか１本と当該ビット線に対応するプレート線との間に直列に接続され、
    前記複数のトランジスタの各々は、当該トランジスタに対応するビット線と当該トランジスタに対応する電気素子との間に接続され、ゲートが前記複数のワード線のうちいずれか１本に接続され、
    前記複数の電気素子の各々は、当該電気素子に対応するトランジスタに接続される第１の電極と、当該電気素子に対応するプレート線に接続される第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを含み、
    前記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４を構成元素として含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である
    メモリ装置。
  8. 複数のワード線と、
    複数のビット線と、
    前記複数のビット線に一対一で対応する複数のプレート線と、
    複数のトランジスタと、
    前記複数のトランジスタに一対一で対応する複数の電気素子と、
    前記複数のワード線を駆動するワード線駆動部と、
    前記複数のビット線と前記複数のプレート線とを駆動するビット線／プレート線駆動部とを備え、
    前記複数のトランジスタの各々と当該トランジスタに対応する電気素子とは、前記複数のビット線のうちいずれか１本と当該ビット線に対応するプレート線との間に直列に接続され、
    前記複数のトランジスタの各々は、当該トランジスタに対応するビット線と当該トランジスタに対応する電気素子との間に接続され、ゲートが前記複数のワード線のうちいずれか１本に接続され、
    前記複数の電気素子の各々は、当該電気素子に対応するトランジスタに接続される第１の電極と、当該電気素子に対応するプレート線に接続される第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを含み、
    前記可変抵抗薄膜は、Ｆｅ３Ｏ４結晶相とＦｅ２Ｏ３結晶相とを含み、且つ、結晶粒径が５ｎｍ以上であり１５０ｎｍ以下である
    メモリ装置。
  9. 請求項７または請求項８において、
    前記複数の電気素子のうちいずれか１つに情報を記憶するときには、
    前記ワード線駆動部は、前記複数のワード線のうち前記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加し、
    前記ビット線／プレート線駆動部は、前記複数のビット線のうち前記情報を記憶しようとする電気素子が接続されたビット線に第１の電気的パルスを印加するとともに、当該ビット線に対応するプレート線に第２の電気的パルスを印加する
    メモリ装置。
  10. 請求項７または請求項８において、
    前記複数の電気素子のうちいずれか１つに記憶された情報を再生するときには、
    前記ワード線駆動部は、前記複数のワード線のうち前記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたワード線に活性化電圧を印加し、
    前記ビット線／プレート線駆動部は、前記複数のビット線のうち前記情報を読み出そうとする電気素子が接続されたビット線に第１の再生電圧を印加するとともに、当該ビット線に対応するプレート線に第２の再生電圧を印加する
    メモリ装置。
  11. 請求項７または請求項８に記載のメモリ装置と、
    ビットデータを前記メモリ装置に記憶する記憶モードと、前記メモリ装置に記憶されたビットデータを読み出す再生モードとを有する論理回路とを備える
    半導体集積回路。
  12. 請求項７または請求項８に記載のメモリ装置と、
    前記メモリ装置に記憶されたプログラムに従って動作するプログラム実行モードと、前記メモリ装置に記憶されたプログラムを外部から入力した別の新たなプログラムに書き換えるプログラム書換モードとを有するプロセッサとを備える
    半導体集積回路。
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