JPWO2006134631A1 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 470
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 86
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 85
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 85
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 59
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/10—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the top-view layout
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/40—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
Description
12…FeRAMチップ領域
14…スクライブ領域
16…メモリセル領域
18…周辺回路領域
20…ロジック回路領域
22…周辺回路領域
24…ボンディングパッド
26…実動作キャパシタ部
28…ダミーキャパシタ部
30…下部電極
32…強誘電体膜
34…上部電極
36…強誘電体キャパシタ
36a…実動作キャパシタ
36b…ダミーキャパシタ
38…コンタクトホール
40…配線
42…プラグ部
44…配線
46…コンタクトホール
48…配線
50…プラグ部
52…素子分離領域
54…ウェル
54a、54b…ウェル
56…ゲート絶縁膜
58…ゲート電極
59…サイドウォール絶縁膜
60…ソース/ドレイン領域
62…トランジスタ
64…層間絶縁膜
66…層間絶縁膜
68…コンタクトホール
70…コンタクトプラグ
72…配線
74…層間絶縁膜
74a、74c…絶縁膜
74b…水素・水分拡散防止膜
76…コンタクトホール
78…コンタクトプラグ
80…コンタクトホール
82…コンタクトプラグ
84…コンタクトホール
86…コンタクトプラグ
88…フォトレジスト膜
90…フォトレジスト膜
92…フォトレジスト膜
94…フォトレジスト膜
94a…開口部
96…シリコン窒化酸化膜
98…フォトレジスト膜
98a、98b…開口部
100…積層膜
102…フォトレジスト膜
104…フォトレジスト膜
106…コンタクトプラグ
108…コンタクトプラグ
110…タングステン膜
112…シリコン酸化膜
114…シリコン窒化酸化膜
116…シリコン酸化膜
118…層間絶縁膜
120…水素・水分拡散防止膜
122…コンタクトホール
124…コンタクトプラグ
126…イリジウム膜
128…シリコン窒化酸化膜
130…水素・水分拡散防止膜
132…シリコン酸化膜
134…水素・水分拡散防止膜
136…シリコン酸化膜
138…層間絶縁膜
140…コンタクトホール
142…コンタクトプラグ
144…配線
146…シリコン酸化膜
148…水素・水分拡散防止膜
150…シリコン酸化膜
152…層間絶縁膜
154…コンタクトホール
156…コンタクトプラグ
158…配線
160…シリコン酸化膜
162…水素・水分拡散防止膜
164…シリコン酸化膜
本発明の第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図1乃至図20を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による半導体装置及び製造方法について図21乃至図23を用いて説明する。なお、第1実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第3実施形態による半導体装置及び製造方法について図24及び図25を用いて説明する。なお、第1及び第2実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第4実施形態による半導体装置について図27を用いて説明する。なお、第1乃至第3実施形態による半導体装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第5実施形態による半導体装置について図28及び図29を用いて説明する。なお、第1乃至第4実施形態による半導体装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
Claims (20)
- 半導体基板上の第1の領域に配列して形成され、第1の下部電極と、前記第1の下部電極上に形成された第1の強誘電体膜と、前記第1の強誘電体膜上に形成された第1の上部電極とを有する複数の実動作キャパシタと、
前記半導体基板上の前記第1の領域の外側に設けられた第2の領域に配列して形成され、第2の下部電極と、前記第2の下部電極上に形成された第2の強誘電体膜と、前記第2の強誘電体膜上に形成された第2の上部電極とを有する複数のダミーキャパシタと、
前記複数の実動作キャパシタ上にそれぞれ形成され、前記複数の実動作キャパシタの前記第1の上部電極にそれぞれ接続された複数の第1の配線と、
前記複数のダミーキャパシタ上にそれぞれ形成された複数の第2の配線とを有し、
前記ダミーキャパシタのピッチの前記実動作キャパシタのピッチに対する比は、0.9〜1.1の範囲にあり、
前記第2の配線のピッチの前記第1の配線のピッチに対する比は、0.9〜1.1の範囲にある
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項記載の半導体装置において、
前記第2の領域は、前記第1の領域の周囲に設けられている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項又は第2項記載の半導体装置において、
前記第1の下部電極と前記第2の下部電極とは、同一の導電膜よりなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項又は第2項記載の半導体装置において、
前記第1の下部電極と前記第2の下部電極とは、互いに別個に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ダミーキャパシタは、メモリセル領域以外の領域にも形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第5項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ダミーキャパシタの面積の前記実動作キャパシタの面積に対する比は、0.9〜1.1の範囲にある
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第6項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ダミーキャパシタの平面形状は、前記実動作キャパシタの平面形状と同一である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第7項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
第1の方向に配列された前記ダミーキャパシタの平面形状の重心は、前記実動作キャパシタの平面形状の重心を通る前記第1の方向の直線から、前記第1の方向に直交する前記第2の方向に、前記実動作キャパシタの前記第2の方向の幅の10%以下の距離に位置する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第8項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第2の配線の面積の前記第1の配線の面積に対する比は、0.9〜1.1の範囲にある
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第9項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第2の配線の平面形状は、前記第1の配線の平面形状と同一である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第10項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
第3の方向に配列された前記第2の配線の平面形状の重心は、前記第1の配線の平面形状の重心を通る前記第3の方向の直線から、前記第3の方向に直交する前記第4の方向に、前記第1の配線の前記第4の方向の幅の10%以下の距離に位置する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第11項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記複数の実動作キャパシタの前記第1の上部電極と前記複数の第1の配線との間のそれぞれに形成され、前記第1の上部電極と前記第1の配線とをそれぞれ接続する複数の第1のプラグ部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第12項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記複数のダミーキャパシタの前記第2の上部電極と前記複数の第2の配線との間のそれぞれに形成され、前記第2の上部電極と前記第2の配線とをそれぞれ接続する複数の第2のプラグ部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第13記載の半導体装置において、
前記第2のプラグ部の面積の前記第1のプラグ部の面積に対する比は、0.9〜1.1の範囲にある
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第13項又は第14項記載の半導体装置において、
前記第2のプラグ部の平面形状は、前記第1のプラグ部の平面形状と同一である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第13項乃至第15項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
第5の方向に配列された前記第2のプラグ部の平面形状の重心は、前記第1のプラグ部の平面形状の重心を通る前記第5の方向の直線から、前記第5の方向に直交する前記第6の方向に、前記第1のプラグ部の前記第6の方向の幅の10%以下の距離に位置する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第13項乃至第16項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1のプラグ部と前記第2のプラグ部とは、前記半導体基板からみて互いに同じ高さに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第17項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記実動作キャパシタと前記ダミーキャパシタとは、前記半導体基板からみて同じ高さに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求の範囲第1項乃至第18項のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、前記半導体基板からみて同じ高さに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上の第1の領域に配列して形成され、第1の下部電極と、前記第1の下部電極上に形成された第1の強誘電体膜と、前記第1の強誘電体膜上に形成された第1の上部電極とを有する複数の実動作キャパシタと、
前記半導体基板上の前記第1の領域の外側に設けられた第2の領域に配列して形成され、第2の下部電極と、前記第2の下部電極上に形成された第2の強誘電体膜と、前記第2の強誘電体膜上に形成された第2の上部電極とを有する複数のダミーキャパシタと、
前記複数の実動作キャパシタ上にそれぞれ形成され、前記複数の実動作キャパシタの前記第1の上部電極にそれぞれ接続された複数の第1の配線と、
前記複数のダミーキャパシタ上にそれぞれ形成された複数の第2の配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2005/010801 WO2006134631A1 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012114122A Division JP5582166B2 (ja) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006134631A1 true JPWO2006134631A1 (ja) | 2009-01-08 |
Family
ID=37532003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007521024A Pending JPWO2006134631A1 (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080087928A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2006134631A1 (ja) |
KR (1) | KR100954548B1 (ja) |
CN (1) | CN101194362B (ja) |
WO (1) | WO2006134631A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5258167B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2013-08-07 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
JP2008198885A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010157576A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置 |
JP6142710B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-06-07 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその設計方法 |
JP2014057104A (ja) * | 2013-12-16 | 2014-03-27 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016072502A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9966426B2 (en) * | 2015-09-14 | 2018-05-08 | Qualcomm Incorporated | Augmented capacitor structure for high quality (Q)-factor radio frequency (RF) applications |
KR102465968B1 (ko) * | 2015-11-24 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩과 그 제조방법, 및 그 반도체 칩을 포함한 반도체 패키지와 디스플레이 장치 |
JP6617394B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-12-11 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
KR102411071B1 (ko) | 2017-05-29 | 2022-06-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
CN110707044B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-03-29 | 联华电子股份有限公司 | 形成半导体装置布局的方法 |
CN109755181A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-14 | 苏州华太电子技术有限公司 | 基于Dummy结构的MIM电容 |
KR102698785B1 (ko) | 2019-02-21 | 2024-08-27 | 삼성전자주식회사 | Mim 커패시터 및 반도체 소자 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321248A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH11251554A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000114493A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-21 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体メモリ・デバイス |
JP2003100912A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2004047943A (ja) * | 2002-03-20 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2005129875A (ja) * | 2002-11-13 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6320214B1 (en) * | 1997-12-24 | 2001-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a ferroelectric TFT and a dummy element |
JP4051567B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2008-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置 |
KR100450669B1 (ko) * | 2002-01-30 | 2004-10-01 | 삼성전자주식회사 | 산소 침투 경로 및 캡슐화 장벽막을 구비하는 강유전체메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US6943398B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP2005229001A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-06-13 CN CN2005800500571A patent/CN101194362B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-13 JP JP2007521024A patent/JPWO2006134631A1/ja active Pending
- 2005-06-13 KR KR1020077028592A patent/KR100954548B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-13 WO PCT/JP2005/010801 patent/WO2006134631A1/ja active Application Filing
-
2007
- 2007-12-12 US US11/954,811 patent/US20080087928A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-10-04 US US14/046,164 patent/US20140091430A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321248A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH11251554A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000114493A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-21 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体メモリ・デバイス |
JP2003100912A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2004047943A (ja) * | 2002-03-20 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2005129875A (ja) * | 2002-11-13 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101194362B (zh) | 2011-11-16 |
CN101194362A (zh) | 2008-06-04 |
KR100954548B1 (ko) | 2010-04-23 |
KR20080007674A (ko) | 2008-01-22 |
WO2006134631A1 (ja) | 2006-12-21 |
US20080087928A1 (en) | 2008-04-17 |
US20140091430A1 (en) | 2014-04-03 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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