JPWO2006095655A1 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
LSIレイアウトパターンの平坦化処理において、ダミーパターンを配置する場合に、信号配線パターン2が配置される配線層には、信号配線パターン2に対して略45度の傾斜角を持たせた複数のダミーパターン1が配置される。これ等のダミーパターン1は、上又は下に隣接する他の配線層に形成された信号配線パターン3に対しても略45度の傾斜角を持って交差する。前記信号配線パターン3の配線層には、この信号配線パターン3対して略45度の傾斜角を持たせた複数のダミーパターン13が配置される。前記隣接する2つの配線層のダミーパターン1、13は略90度の角度で交差する。従って、配線容量変動が低減されると共に、配線容量変動量が可能な限り均一化される。
Description
本発明は、半導体回路設計において、自動配置配線時に生じる寄生素子を抽出する寄生素子抽出に係わり、特にCMP(Chemical Mechanical Polishing)において、回路がレイアウトされた半導体基板を完全に平坦化処理できるように、LSIレイアウト時にダミーパターンが配置された半導体集積回路に関するものである。
近年の半導体装置の高密度化や高集積化の要望に伴い、半導体回路の製造工程において、より微細なパターンの形成が求められている。一般的に、高密度化や高集積化された半導体装置は、基板上に絶縁膜で分離した配線層を複数設けた多層配線構造を有していることが多い。このような半導体装置を構成する配線層は上記製造工程における露光工程において各々が微細にパターニングされる必要がある。このとき、パターンマスクを設置する基板表面に凹凸があって平坦度が低いと、露光工程の解像度が落ちて微細なパターンが形成できないという不具合が生じる。CMPにおいても、ある配線層で配線混雑度に大きな差が生じると、完全に基板表面を平坦化処理することが困難である。即ち、ドライエッチングプロセスの際にウエハ上の各チップにおけるエッチング処理の状態を常に一定にするために、配線混雑度が低い配線領域にダミー配線と称するダミーパターン(又は、ダミーメタルと呼ぶ)を配置して各チップの面積率(開口率)を一定にしなければならない。
一方、配線間隔の広いところでは、ダミーパターンを挿入することになるが、そのパターンの存在によって周辺の配線に対して付加的な容量が発生し、結果として信号配線パターンの容量変動に起因する動作不良やノイズ発生等が原因となり、回路特性に影響を与えることになる。現在の高性能な半導体集積回路では、レイアウト設計時に配線間の容量を低減することは重要な課題である。また、ダミーパターン挿入によって付加的な容量が生じる場合でも可能な限り低減すること、又は付加容量を均一化することは、タイミング収束の観点において非常に重要な課題の1つといえる。
ダミーパターンの存在に起因して生じる付加的な容量を低減するには、配線パターンとの距離をできるだけ離すことで解決できる。しかしながら、もともと配線が行われている隙間にダミーパターンを配置することが目的であるため、配線パターンとの間に設けることができる距離にも制限がある。また、任意の配線パターンに対して一律に一定距離を離した場合には、付加的な容量の大きさは配線パターンの大きさに依存する関係上、付加的容量は不均一になる。そこで、従来のダミーパターン挿入技術として、特許文献3には、信号配線パターンの幅に応じてその信号配線パターンとダミーパターンとの間の距離を設定し、この設定距離未満となる場合にはダミーパターンを配置しないように制限する記載がある。この方法によれば、局所的なダミーメタル占有率(開口率)の低下を防止できるだけでなく、ダミーパターンの挿入に起因する既存配線パターンでの信号の性能の劣化を防止することができる。また、特許文献2のように、異層間にあるダミーパターンの位置がお互いに重ならないよう配置することにより、付加容量を低減する技術もある。通常、大きな容量が付加される状況は、パターン同士が上下層で重なる場合又は同層で左右に隣り合っている場合である。逆に、異なる配線層同士で上下層で重ならない対角方向にパターンが配置されている場合には、それら両パターンの間には容量が殆ど発生しない。この物理現象を利用したものが特許文献2である。
一方、付加容量を均一化するためには、配線パターンに対してダミーパターンが隣り合っている位置関係を常に同じ状態に保つことが一つの解決策となる。従来のダミーパターン挿入技術として、特許文献1には、ダミーパターン自体を十字形状にし、この十字形状の突き出し部分の長さは任意に変化できるものとする記載がある。この技術によれば、これ等の十字形状のダミーパターンに対して、その上層又は下層の配線層に形成された既存配線パターンが何処にあっても、その既存配線パターンに生じる付加容量をほぼ均一化することができる。また、既存配線パターンが配線格子にのらない場合であっても、十字形状の突き出し部分の長さを任意に変化させることにより、ダミーパターンと配線パターンとの配線間隔を自在に所定値に設定して、その各配線間隔を均一化することが可能である。
特開平6−61230号公報(第3ページ、第1図) 特開2002−231815号公報(第5ページ、第1図) 特開2003−282569号公報(第9ページ、第1図)
しかしながら、特許文献1の技術では、ダミーパターンの存在に起因して上層又は下層の配線層の既存配線パターンに生じる付加容量をほぼ均一化できるものの、ダミーパターンが十字形状に形成されるため、データ量が大きくなる。例えば、4頂点で形成することができる矩形ダミーパターンに対して、十字形状を頂点座標で表現すると12頂点になる。ダミーパターンは通常信号配線パターンよりも多い関係上、矩形ダミーパターンに比べて十字形状のダミーパターンは、データ量が2倍以上に増えることになる。データサイズが大きくなると、コンピュータ処理でも扱い難くなるため、少ないデータであることが望ましい。更に、特許文献1の技術では、十字形状のダミーパターンは、これと同一配線層の信号配線パターンと平行に配置されているため、ダミーパターンの存在に起因してその信号配線パターンに生じる付加容量が大きくなってしまう問題がある。
また、特許文献2では、上下に隣接する2つの配線層に各々形成するダミーパターンを相互に上下に重ならないように配置しているので、これ等のダミーパターンに付加的に発生する容量は大きくない。しかしながら、ダミーパターンを配置できる領域は制限されるために、信号配線パターン数が少ない場合であっても、異層間で配線パターン同士が互い違いに配置されていると、ダミーパターンを配置できず、開口率を満足な値にできない場合が起きるという問題がある。
更に、特許文献3では、信号配線パターンの種類に応じてダミーパターンとの間の離隔距離を制限しているが、この方法は、同一配線層間について制限しているものの、上下に隣接する2つの配線層に配置された配線パターンとダミーパターンとの間の付加容量については考慮しておらず、異層間に生じる付加容量が問題となる。
本発明の目的は、ダミーパターンが同一配線層の配線パターンに生じさせる付加容量を低減しながら、そのダミーパターンがその配線層の上層又は下層に隣接する配線層の配線パターンに生じさせる付加容量の変動を、少ないデータサイズで、均一化することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、信号配線パターン等の配線パターンの配線方向に対して複数のダミーパターンの配線方向を45度などに傾斜させて配置する。
すなわち、本発明の半導体集積回路は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して45度の角度をなす方向で配置されることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンのうち、前記複数の配線パターンの何れか1つに隣接する複数のダミーパターンは、その隣接する配線パターンから等しい距離離れて配置されていることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、各々、矩形であることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、互いに異なる大きさの複数の矩形を含むことを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記複数の配線層のうち、上下に隣接する2つの配線層の各々に配置された複数のダミーパターン同士は、90度の角度で交差することを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記ダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、前記電位固定ダミーパターンのうち一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されていることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記フローティングダミーパターンは、前記複数のダミーパターンの数の50%以上を占めることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、前記フローティングダミーパターンの一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されており、前記配線パターンに隣り合って配置されたフローティングダミーパターンに隣り合うダミーパターンが、前記電位固定ダミーパターンであることを特徴とする。
本発明は、前記半導体集積回路において、前記固定電位は、電源電位又はグラウンド電位であることを特徴とする。
本発明の半導体集積回路は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、前記複数の配線層のうち第1の配線層に含まれる前記複数の傾斜ダミーパターンは、前記第1の配線層と異なる第2の配線層に含まれる前記複数の配線パターンとの間でも、平面から見て交差していることを特徴とする。
本発明の半導体集積回路は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、前記複数の傾斜ダミーパターンの一部の複数の傾斜ダミーパターンは、同一配線層の1つの配線パターンから等しい距離離れて配置されていることを特徴とする。
以上により、本発明では、1つの任意の配線パターンの方向として定めた基準方向に対して、例えば45度の角度だけ傾斜させた複数のダミーパターンを備えており、これ等のダミーパターンは相互に平行に延びている。この状態において、これ等の45度等の傾斜ダミーパターンの配線層の上層又は下層の隣接配線層に配線パターンが形成されている場合に、この配線パターンと前記45度等の傾斜ダミーパターンとが交差する面積は、その配線パターンがその隣接配線層のどの位置に形成されていても、同一交差面積となる。従って、45度等の傾斜ダミーパターンがその隣接配線層の配線パターンに対して生じさせる容量増加分は、その配線パターンの位置に関わらず均一になる。しかも、それ等の45度などの傾斜ダミーパターンは、従来のような十字形状にする必要がなく、その十字形状の12頂点未満の少ない頂点数の例えば4頂点の矩形に形成できるので、必要とするデータ量が少なくなる。更に、ダミーパターンが45度などの角度に傾斜しているので、これ等の傾斜ダミーパターンが同一配線層の配線パターンの近傍に位置している場合には、従来のようにダミーパターンが配線パターンに対して平行又は直交して配置される場合と比較して、これ等の傾斜ダミーパターンが配線パターンに近接する部分の面積が少なくなって、これ等の傾斜ダミーパターンが配線パターンに生じさせる付加容量は小さくなる。加えて、複数の傾斜ダミーパターンの配置によって開口率を所望値にすることが可能である。
特に、本発明では、複数のダミーパターンは配線パターンから等しい距離に離れて配置されているので、配線パターンと同一の配線層に配置されたダミーパターンがその配線パターンに及ぼす単位長さ当りの付加容量は均一化される。
また、本発明では、45度等の傾斜ダミーパターンは、異なる配線層のダミーパターンとの関係では、90度の角度をなすように配置されるので、上下に隣接する2つの配線層間で交差するダミーパターン同士の交差面積が一定となって、異なる配線層のダミーパターン同士により生じる付加容量を均一化することができる。
更に、本発明では、配線パターンに隣り合うダミーパターンを固定電位に接続するので、他の配線パターンからの結合容量による影響をシールドすることができる。また、配線パターンに隣り合って配置されるダミーパターン以外にフローティングのダミーパターンを備えるので、レイアウト修正時に伴って引き剥がさなければならないダミーパターンを少なく抑えることができる。
加えて、本発明では、配線パターンに隣り合って配置されるダミーパターンにフローティングダミーパターンを用いるので、レイアウト修正時に伴って引き剥がさなければならないダミーパターンを少なく抑えることができる。また、前記フローティングダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと配線パターンとの間に介在するので、電位固定ダミーパターンが配線パターンから離れ且つ付加容量が直列接続されることになって、電位固定ダミーパターンが配線パターンに与える付加容量を低減することができる。
以上説明したように、本発明の半導体集積回路によれば、同一配線層に形成された配線パターンとダミーパターンとの間に生じる付加容量を低減できると共に、そのダミーパターンとその配線層と隣接する配線層の配線パターンとの間に生じる付加容量を均一化できて、寄生容量抽出の計算精度の向上を図ることができる。
特に、本発明によれば、同一配線層において、複数のダミーパターンの位置を配線パターンから等距離離れる位置としたので、それ等ダミーパターンが配線パターンに及ぼす単位長当りの付加容量を均一化することが可能である。
また、本発明によれば、上下に隣接する2つの配線層のダミーパターン同士の交差面積を、何れの2つの配線層間でも同一面積としたので、それ等ダミーパターン間に付加容量を均一化して、寄生容量抽出の計算精度の向上を図ることができる。
また、本発明によれば、配線パターンに隣り合う固定電位のダミーパターンによりシールド効果を得て、クロストークの影響を低減できると共に、配線引き剥がしが容易なフローティングダミーパターンを備えて、再配線を容易化することができる。
更に、本発明によれば、配線パターンにフローティングダミーパターンを挟んで電位固定ダミーパターンを配置したので、電位固定ダミーパターンが配線パターンに与える付加容量を低減できて、寄生容量抽出の計算精度を高くすることができる。
1 ダミーパターン(傾斜ダミーパターン)
2 信号配線パターン(配線パターン)
3 隣接配線層の信号配線パターン
5 接続パターン
11 電位固定ダミーパターン
12 小片化ダミーパターン(フローティングダミーパターン)
13 上層のダミーパターン
2 信号配線パターン(配線パターン)
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11 電位固定ダミーパターン
12 小片化ダミーパターン(フローティングダミーパターン)
13 上層のダミーパターン
(第1の実施の形態)
以下、本発明の実施の形態について、図1と図2とを参照して説明する。図1で、矩形のダミーパターン1は半導体集積回路を構成する複数の配線パターン群(実パターン群)のうちの2本の信号配線パターン2と同じ配線層において、この信号配線パターン2が配置されない空き領域に配置され、且つ信号配線パターン2に対してそれぞれ略45度に傾斜して平行且つ等間隔に配置された幅が同じで長さが異なる矩形の複数のダミーパターン、また、信号配線パターン3はダミーパターン1や信号配線パターン2の配線層に隣接する配線層、例えば直ぐ上の配線層に位置する配線層に形成された配線であって、半導体集積回路の一部を構成する。図2において、ダミーパターン12は、前記図1のダミーパターン1を小片に分割して配置したダミーパターンである。図1及び図2において、信号配線パターン2に隣接する複数のダミーパターン1やダミーパターン12は、各々、信号配線パターン2から設定距離S1だけ離間して配置されている。
以下、本発明の実施の形態について、図1と図2とを参照して説明する。図1で、矩形のダミーパターン1は半導体集積回路を構成する複数の配線パターン群(実パターン群)のうちの2本の信号配線パターン2と同じ配線層において、この信号配線パターン2が配置されない空き領域に配置され、且つ信号配線パターン2に対してそれぞれ略45度に傾斜して平行且つ等間隔に配置された幅が同じで長さが異なる矩形の複数のダミーパターン、また、信号配線パターン3はダミーパターン1や信号配線パターン2の配線層に隣接する配線層、例えば直ぐ上の配線層に位置する配線層に形成された配線であって、半導体集積回路の一部を構成する。図2において、ダミーパターン12は、前記図1のダミーパターン1を小片に分割して配置したダミーパターンである。図1及び図2において、信号配線パターン2に隣接する複数のダミーパターン1やダミーパターン12は、各々、信号配線パターン2から設定距離S1だけ離間して配置されている。
このように、図1又は図2に示した2つの信号配線パターン2の間に、信号配線パターン2(配線パターン)の方向(基準方向)に対して略45度の角度をなす方向でダミーパターン1又は12を配置する。図1では、ダミーパターン1の配置される配線層(第1の配線層)と異なる配線層(第2の配線層)に配線される信号配線パターン3(第2の信号配線パターン)に対しても略45度にダミーパターン1が配置されるので、信号配線パターン3と交差するダミーパターン1の部分は、信号配線パターン3に沿って規則的に並び、これにより、ダミーパターン1が信号配線パターン3に及ぼす付加容量は、信号配線パターン3がどの位置にあっても、信号配線パターン3の単位長さに対して一定の大きさになる。また、図1に示す信号配線パターン3は水平方向であるが、ダミーパターン1が信号配線パターン2に対して略45度に配置されることから、信号配線パターン3が垂直方向であっても同様に、付加容量の単位長さ当たりの増分量を均一にできる。また、信号配線パターン2についても、隣接する複数のダミーパターン1又は12が設定距離S1という同一距離だけ離間して配置されているので、ダミーパターン1又は12による付加容量の単位長さ当りの増分量を均一にできる。
尚、本実施の形態においては、信号配線パターン2及び3に対してダミーパターン1を略45度に傾けて配置する構成を示したが、これは、図示しないが、少なくとも2本のダミーパターン1と1本の信号配線パターン3とが交差する程度にダミーパターン1が信号配線パターン2に対して所定の角度をなしていれば、その2本のダミーパターン1(複数の傾斜ダミーパターン)に対しては、1本の信号配線パターン3(第2の信号配線パターン)は、その位置によらず2本のダミーパターン1と1本の信号配線パターン3とは同一形状にて交差するため、傾斜角が略45度の場合と同様に、単位長さ当たりの付加容量の増分量が均一にできる。ただし、この場合は、信号配線パターン3の方向が水平方向と垂直方向とでは単位長さ当たりの付加容量の増分量は異なる。
また、図1では、ダミーパターン1は同層内の信号配線パターン2と略45度の角度で隣り合って配置されているので、ダミーパターン1が信号配線パターン2と直交又は平行な方向にて配置される場合に比べて少し離れる。すなわち、直交又は平行に配置されていれば信号配線パターン2の近傍では、ダミーパターン1の2つの頂点が信号配線パターン2と等距離にあるが、このダミーパターン1を略45度傾けることにより、一方の頂点を残して他方の頂点が信号配線パターン2から離れるため、この分だけダミーパターン1が少し離れたことになる。これにより、信号配線パターン2に発生する付加容量を少なくできる。従って、同じ面積の空き領域にダミーパターンを敷き詰めたとき、略45度で配置した方がより容量増分量を抑えることができるメリットがある。尚、本実施の形態では、信号配線パターン2とダミーパターン1とが略45度の角度をなして配置される場合を示したが、他の変形例、例えば、直交又は平行以外の関係になるように、ダミーパターン1を信号配線パターン2に対して、上述したダミーパターン1の2つの頂点のうち一方を他方よりも信号配線−パターン2から遠ざけるような所定の角度だけ傾斜させることにより、同様に、信号配線パターン2の付加容量を低減する効果を得ることができる。
図2では、ダミーパターン1を小片に分割したダミーパターン12を配置している。これにより、ダミーパターン12を同層の信号配線パターン2に隣合わせて配置したときの付加的な容量はダミーパターンの大きさに依存するので、図2は図1に比べて、信号配線パターン2に対する付加容量を減らすことが可能である。しかしながら、データ量が増えることになるので小片化は最小限に抑えることが望ましい。
また、図3は、信号配線パターン3が形成された配線層において、その下層の配線層に形成された傾斜ダミーパターン1と略90度の角度で交差するように複数の傾斜ダミーパターン13を配置した構成を示している。即ち、この上層の複数のダミーパターン13は、信号配線パターン2の配線方向を基準方向として、下層の複数のダミーパターン1の傾斜方向とは逆方向に略45度の傾斜を持たせて配置されている。
図3では、隣接する2つの配線層での複数のダミーパターン1、13のレイアウト関係を示したが、他の配線層についても、上下に隣接する2つの配線層間では、傾斜ダミーパターン同士は略90度の角度で交差するように、各ダミーパターンが配置される。従って、上下に隣接する2つの配線層間では、1つの配線層に形成した複数のダミーパターン1とその配線層に隣接する他の配線に形成した複数のダミーパターン13とが相互に重なり合う面積は、一定となる。その結果、上下に隣接する配線層のダミーパターン間に生じる付加容量は、どの2つの配線層間でも同一となって、均一化する。よって、寄生素子の抽出制度を高くすることが可能である。
尚、図3では、長く延びるダミーパターン1、13について説明したが、図2のように小片のダミーパターン12についても、上下に隣接する2つの配線層間でその傾斜ダミーパターンの交差角度を略90度に設定しても良いのは勿論である。
以上、前記図1、図2及び図3において、ダミーパターン1、12、13の形状を矩形としたが、本発明は矩形に限られない。ダミーパターンの形状が矩形でない場合であっても、その矩形でない複数のダミーパターンを信号配線パターンに対して略45度に傾斜して規則的に配置すれば、それ等のダミーパターンと、そのダミーパターンの配線層に隣接する他の配線層に形成した信号配線パターンとの交差面積は、その信号配線パターンがどの位置にあっても同一面積となるので、隣接配線層の信号配線パターンに対してダミーパターンが与える容量増分量はその信号配線パターンの隣接配線層内の位置に関わらず均一にできる。
また、図3に示したように、複数のダミーパターン13を形成した配線層では、同一配線層の信号配線パターン3に対して、隣接する複数のダミーパターン13が各々等しい設定距離S1だけ離間するように配置すれば、これ等のダミーパターン13の存在に起因する同一配線層の信号配線パターン3に対する付加容量の単位長さ当りの増分量を均一にできる。但し、ダミーパターン13の形状が複雑になると、傾斜ダミーパターン13のデータ量が大きくなる。
(第2の実施の形態)
以下、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。同図で、ダミーパターン11は電源又はグラウンド等の固定電位に接続したダミーパターン、ダミーパターン12は信号配線パターン2を含む半導体集積回路上の複数の配線パターンの何れにも電気的に接続されないフローティングのパターン、接続パターン5はダミーパターン11をつなぐ配線パターンであり、これらダミーパターン11及び12は、面積率の調整のために信号配線パターン2の配置されない領域に配置される。
以下、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。同図で、ダミーパターン11は電源又はグラウンド等の固定電位に接続したダミーパターン、ダミーパターン12は信号配線パターン2を含む半導体集積回路上の複数の配線パターンの何れにも電気的に接続されないフローティングのパターン、接続パターン5はダミーパターン11をつなぐ配線パターンであり、これらダミーパターン11及び12は、面積率の調整のために信号配線パターン2の配置されない領域に配置される。
図2に対して図4では、電源又はグラウンドに接続するダミーパターン11が、信号配線パターン2に隣り合って配置される。このようにすると、2つの信号配線パターン2の間において、ダミーパターン12を介して発生する容量結合が殆どなくなる。いわゆるシールディング効果が働き、クロストーク現象を抑えることができる。ここで、信号配線パターン2に隣合って配置されるダミーパターン11は、全てが固定電位に接続されている必要はなく、少なくとも1つが固定電位に接続されていれば(図示せず)、少なくとも、その1つのダミーパターン11については、本発明のシールディング効果を得ることができる。
また、ダミーパターン12は、全てがフローティングダミーパターンである様子を示している。これにより、レイアウト修正が発生した場合においても、引き剥がすダミーパターンは、レイアウトが必要な箇所のみに抑えることができる。しかし、本実施の形態に示したように、ダミーパターン12の全てがフローティングである必要はなく、ダミーパターン12の一部がフローティングの状態であれば、このフローティングダミーパターン12の近傍のレイアウト修正に対して、本発明の効果を得ることができる。しかし、レイアウト修正が発生した場合は、引き剥がさなければならないダミーパターン12をできるだけ少なく抑えた方が再配線は容易であるので、ダミーパターン12の50%以上はフローティングダミーパターンであることが望ましい。
また、図示しないが、ダミーパターン12を電源又はグラウンド等の固定電位へ接続し、ダミーパターン11をフローティングダミーパターンにするというように、図4の状態と入れ替えると、シールディング効果は図4の配置と同様に得られ、信号配線パターン2に生じる付加的な容量値は図4の状態よりも小さくすることが可能となる。その理由は、信号配線パターン2に対して、電源又はグラウンドに接続されたダミーパターン12が離れることにより付加容量が小さくなることと、電源又はグラウンドに電位を固定されたダミーパターン12と信号配線パターン12との間にフローティングのダミーパターン11が介在することにより、キャパシタンスが直列接続になって、更に付加容量の低減が可能となるからである。この場合、信号配線パターン2に隣り合って配置されるフローティングのダミーパターン11は、全てがフローティングである必要はなく、少なくとも一部がフローティングであれば、その一部のフローティングダミーパターン11に関して、本発明の効果を得ることができる。
本発明にかかるダミーパターン配置では、実パターンである配線パターンに対してダミーパターンを略45度などに傾斜させた状態で配置したので、配線パターンに生じさせる付加容量を小さくすることができると共に、隣接する配線層間のダミーパターンを直交させたので、隣接配線層間で発生する付加容量を均一化できて、タイミング収束性が向上させることができ、タイミング制約の厳しいLSI設計における半導体集積回路等に有用である。
本発明は、半導体回路設計において、自動配置配線時に生じる寄生素子を抽出する寄生素子抽出に係わり、特にCMP(Chemical Mechanical Polishing)において、回路がレイアウトされた半導体基板を完全に平坦化処理できるように、LSIレイアウト時にダミーパターンが配置された半導体集積回路に関するものである。
近年の半導体装置の高密度化や高集積化の要望に伴い、半導体回路の製造工程において、より微細なパターンの形成が求められている。一般的に、高密度化や高集積化された半導体装置は、基板上に絶縁膜で分離した配線層を複数設けた多層配線構造を有していることが多い。このような半導体装置を構成する配線層は上記製造工程における露光工程において各々が微細にパターニングされる必要がある。このとき、パターンマスクを設置する基板表面に凹凸があって平坦度が低いと、露光工程の解像度が落ちて微細なパターンが形成できないという不具合が生じる。CMPにおいても、ある配線層で配線混雑度に大きな差が生じると、完全に基板表面を平坦化処理することが困難である。即ち、ドライエッチングプロセスの際にウエハ上の各チップにおけるエッチング処理の状態を常に一定にするために、配線混雑度が低い配線領域にダミー配線と称するダミーパターン(又は、ダミーメタルと呼ぶ)を配置して各チップの面積率(開口率)を一定にしなければならない。
一方、配線間隔の広いところでは、ダミーパターンを挿入することになるが、そのパターンの存在によって周辺の配線に対して付加的な容量が発生し、結果として信号配線パターンの容量変動に起因する動作不良やノイズ発生等が原因となり、回路特性に影響を与えることになる。現在の高性能な半導体集積回路では、レイアウト設計時に配線間の容量を低減することは重要な課題である。また、ダミーパターン挿入によって付加的な容量が生じる場合でも可能な限り低減すること、又は付加容量を均一化することは、タイミング収束の観点において非常に重要な課題の1つといえる。
ダミーパターンの存在に起因して生じる付加的な容量を低減するには、配線パターンとの距離をできるだけ離すことで解決できる。しかしながら、もともと配線が行われている隙間にダミーパターンを配置することが目的であるため、配線パターンとの間に設けることができる距離にも制限がある。また、任意の配線パターンに対して一律に一定距離を離した場合には、付加的な容量の大きさは配線パターンの大きさに依存する関係上、付加的容量は不均一になる。そこで、従来のダミーパターン挿入技術として、特許文献3には、信号配線パターンの幅に応じてその信号配線パターンとダミーパターンとの間の距離を設定し、この設定距離未満となる場合にはダミーパターンを配置しないように制限する記載がある。この方法によれば、局所的なダミーメタル占有率(開口率)の低下を防止できるだけでなく、ダミーパターンの挿入に起因する既存配線パターンでの信号の性能の劣化を防止することができる。また、特許文献2のように、異層間にあるダミーパターンの位置がお互いに重ならないよう配置することにより、付加容量を低減する技術もある。通常、大きな容量が付加される状況は、パターン同士が上下層で重なる場合又は同層で左右に隣り合っている場合である。逆に、異なる配線層同士で上下層で重ならない対角方向にパターンが配置されている場合には、それら両パターンの間には容量が殆ど発生しない。この物理現象を利用したものが特許文献2である。
一方、付加容量を均一化するためには、配線パターンに対してダミーパターンが隣り合っている位置関係を常に同じ状態に保つことが一つの解決策となる。従来のダミーパターン挿入技術として、特許文献1には、ダミーパターン自体を十字形状にし、この十字形状の突き出し部分の長さは任意に変化できるものとする記載がある。この技術によれば、これ等の十字形状のダミーパターンに対して、その上層又は下層の配線層に形成された既存配線パターンが何処にあっても、その既存配線パターンに生じる付加容量をほぼ均一化することができる。また、既存配線パターンが配線格子にのらない場合であっても、十字形状の突き出し部分の長さを任意に変化させることにより、ダミーパターンと配線パターンとの配線間隔を自在に所定値に設定して、その各配線間隔を均一化することが可能である。
特開平6−61230号公報(第3ページ、第1図)
特開2002−231815号公報(第5ページ、第1図)
特開2003−282569号公報(第9ページ、第1図)
しかしながら、特許文献1の技術では、ダミーパターンの存在に起因して上層又は下層の配線層の既存配線パターンに生じる付加容量をほぼ均一化できるものの、ダミーパターンが十字形状に形成されるため、データ量が大きくなる。例えば、4頂点で形成することができる矩形ダミーパターンに対して、十字形状を頂点座標で表現すると12頂点になる。ダミーパターンは通常信号配線パターンよりも多い関係上、矩形ダミーパターンに比べて十字形状のダミーパターンは、データ量が2倍以上に増えることになる。データサイズが大きくなると、コンピュータ処理でも扱い難くなるため、少ないデータであることが望ましい。更に、特許文献1の技術では、十字形状のダミーパターンは、これと同一配線層の信号配線パターンと平行に配置されているため、ダミーパターンの存在に起因してその信号配線パターンに生じる付加容量が大きくなってしまう問題がある。
また、特許文献2では、上下に隣接する2つの配線層に各々形成するダミーパターンを相互に上下に重ならないように配置しているので、これ等のダミーパターンに付加的に発生する容量は大きくない。しかしながら、ダミーパターンを配置できる領域は制限されるために、信号配線パターン数が少ない場合であっても、異層間で配線パターン同士が互い違いに配置されていると、ダミーパターンを配置できず、開口率を満足な値にできない場合が起きるという問題がある。
更に、特許文献3では、信号配線パターンの種類に応じてダミーパターンとの間の離隔距離を制限しているが、この方法は、同一配線層間について制限しているものの、上下に隣接する2つの配線層に配置された配線パターンとダミーパターンとの間の付加容量については考慮しておらず、異層間に生じる付加容量が問題となる。
本発明の目的は、ダミーパターンが同一配線層の配線パターンに生じさせる付加容量を低減しながら、そのダミーパターンがその配線層の上層又は下層に隣接する配線層の配線パターンに生じさせる付加容量の変動を、少ないデータサイズで、均一化することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、信号配線パターン等の配線パターンの配線方向に対して複数のダミーパターンの配線方向を45度などに傾斜させて配置する。
すなわち、請求項1記載の発明の半導体集積回路は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して45度の角度をなす方向で配置されることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、前記請求項1記載の半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンのうち、前記複数の配線パターンの何れか1つに隣接する複数のダミーパターンは、その隣接する配線パターンから等しい距離離れて配置されていることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、前記請求項1又は2記載の半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、各々、矩形であることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、前記請求項3記載の半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、互いに異なる大きさの複数の矩形を含むことを特徴とする。
請求項5記載の発明は、前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、前記複数の配線層のうち、上下に隣接する2つの配線層の各々に配置された複数のダミーパターン同士は、90度の角度で交差することを特徴とする。
請求項6記載の発明は、前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、前記ダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、前記電位固定ダミーパターンのうち一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されていることを特徴とする。
請求項7記載の発明は、前記請求項6記載の半導体集積回路において、前記フローティングダミーパターンは、前記複数のダミーパターンの数の50%以上を占めることを特徴とする。
請求項8記載の発明は、前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、前記フローティングダミーパターンの一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されており、前記配線パターンに隣り合って配置されたフローティングダミーパターンに隣り合うダミーパターンが、前記電位固定ダミーパターンであることを特徴とする。
請求項9記載の発明は、前記請求項6〜8の何れか1項に記載の半導体集積回路において、前記固定電位は、電源電位又はグラウンド電位であることを特徴とする。
請求項10記載の発明の半導体集積回路は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、前記複数の配線層のうち第1の配線層に含まれる前記複数の傾斜ダミーパターンは、前記第1の配線層と異なる第2の配線層に含まれる前記複数の配線パターンとの間でも、平面から見て交差していることを特徴とする。
請求項11記載の発明は、複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、前記複数のダミーパターンは、前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、前記複数の傾斜ダミーパターンの一部の複数の傾斜ダミーパターンは、同一配線層の1つの配線パターンから等しい距離離れて配置されていることを特徴とする。
以上により、請求項1〜11記載の発明では、1つの任意の配線パターンの方向として定めた基準方向に対して、例えば45度の角度だけ傾斜させた複数のダミーパターンを備えており、これ等のダミーパターンは相互に平行に延びている。この状態において、これ等の45度等の傾斜ダミーパターンの配線層の上層又は下層の隣接配線層に配線パターンが形成されている場合に、この配線パターンと前記45度等の傾斜ダミーパターンとが交差する面積は、その配線パターンがその隣接配線層のどの位置に形成されていても、同一交差面積となる。従って、45度等の傾斜ダミーパターンがその隣接配線層の配線パターンに対して生じさせる容量増加分は、その配線パターンの位置に関わらず均一になる。しかも、それ等の45度などの傾斜ダミーパターンは、従来のような十字形状にする必要がなく、その十字形状の12頂点未満の少ない頂点数の例えば4頂点の矩形に形成できるので、必要とするデータ量が少なくなる。更に、ダミーパターンが45度などの角度に傾斜しているので、これ等の傾斜ダミーパターンが同一配線層の配線パターンの近傍に位置している場合には、従来のようにダミーパターンが配線パターンに対して平行又は直交して配置される場合と比較して、これ等の傾斜ダミーパターンが配線パターンに近接する部分の面積が少なくなって、これ等の傾斜ダミーパターンが配線パターンに生じさせる付加容量は小さくなる。加えて、複数の傾斜ダミーパターンの配置によって開口率を所望値にすることが可能である。
特に、請求項2記載の発明では、複数のダミーパターンは配線パターンから等しい距離に離れて配置されているので、配線パターンと同一の配線層に配置されたダミーパターンがその配線パターンに及ぼす単位長さ当りの付加容量は均一化される。
また、請求項5記載の発明では、45度等の傾斜ダミーパターンは、異なる配線層のダミーパターンとの関係では、90度の角度をなすように配置されるので、上下に隣接する2つの配線層間で交差するダミーパターン同士の交差面積が一定となって、異なる配線層のダミーパターン同士により生じる付加容量を均一化することができる。
更に、請求項6、7及び9に記載の発明では、配線パターンに隣り合うダミーパターンを固定電位に接続するので、他の配線パターンからの結合容量による影響をシールドすることができる。また、配線パターンに隣り合って配置されるダミーパターン以外にフローティングのダミーパターンを備えるので、レイアウト修正時に伴って引き剥がさなければならないダミーパターンを少なく抑えることができる。
加えて、請求項8に記載の発明では、配線パターンに隣り合って配置されるダミーパターンにフローティングダミーパターンを用いるので、レイアウト修正時に伴って引き剥がさなければならないダミーパターンを少なく抑えることができる。また、前記フローティングダミーパターンは、固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと配線パターンとの間に介在するので、電位固定ダミーパターンが配線パターンから離れ且つ付加容量が直列接続されることになって、電位固定ダミーパターンが配線パターンに与える付加容量を低減することができる。
以上説明したように、請求項1〜11記載の発明の半導体集積回路によれば、同一配線層に形成された配線パターンとダミーパターンとの間に生じる付加容量を低減できると共に、そのダミーパターンとその配線層と隣接する配線層の配線パターンとの間に生じる付加容量を均一化できて、寄生容量抽出の計算精度の向上を図ることができる。
特に、請求項2記載の発明によれば、同一配線層において、複数のダミーパターンの位置を配線パターンから等距離離れる位置としたので、それ等ダミーパターンが配線パターンに及ぼす単位長当りの付加容量を均一化することが可能である。
また、請求項5記載の発明によれば、上下に隣接する2つの配線層のダミーパターン同士の交差面積を、何れの2つの配線層間でも同一面積としたので、それ等ダミーパターン間に付加容量を均一化して、寄生容量抽出の計算精度の向上を図ることができる。
また、請求項6、7及び9に記載の発明によれば、配線パターンに隣り合う固定電位のダミーパターンによりシールド効果を得て、クロストークの影響を低減できると共に、配線引き剥がしが容易なフローティングダミーパターンを備えて、再配線を容易化することができる。
更に、請求項8に記載の発明によれば、配線パターンにフローティングダミーパターンを挟んで電位固定ダミーパターンを配置したので、電位固定ダミーパターンが配線パターンに与える付加容量を低減できて、寄生容量抽出の計算精度を高くすることができる。
(第1の実施の形態)
以下、本発明の実施の形態について、図1と図2とを参照して説明する。図1で、矩形のダミーパターン1は半導体集積回路を構成する複数の配線パターン群(実パターン群)のうちの2本の信号配線パターン2と同じ配線層において、この信号配線パターン2が配置されない空き領域に配置され、且つ信号配線パターン2に対してそれぞれ略45度に傾斜して平行且つ等間隔に配置された幅が同じで長さが異なる矩形の複数のダミーパターン、また、信号配線パターン3はダミーパターン1や信号配線パターン2の配線層に隣接する配線層、例えば直ぐ上の配線層に位置する配線層に形成された配線であって、半導体集積回路の一部を構成する。図2において、ダミーパターン12は、前記図1のダミーパターン1を小片に分割して配置したダミーパターンである。図1及び図2において、信号配線パターン2に隣接する複数のダミーパターン1やダミーパターン12は、各々、信号配線パターン2から設定距離S1だけ離間して配置されている。
以下、本発明の実施の形態について、図1と図2とを参照して説明する。図1で、矩形のダミーパターン1は半導体集積回路を構成する複数の配線パターン群(実パターン群)のうちの2本の信号配線パターン2と同じ配線層において、この信号配線パターン2が配置されない空き領域に配置され、且つ信号配線パターン2に対してそれぞれ略45度に傾斜して平行且つ等間隔に配置された幅が同じで長さが異なる矩形の複数のダミーパターン、また、信号配線パターン3はダミーパターン1や信号配線パターン2の配線層に隣接する配線層、例えば直ぐ上の配線層に位置する配線層に形成された配線であって、半導体集積回路の一部を構成する。図2において、ダミーパターン12は、前記図1のダミーパターン1を小片に分割して配置したダミーパターンである。図1及び図2において、信号配線パターン2に隣接する複数のダミーパターン1やダミーパターン12は、各々、信号配線パターン2から設定距離S1だけ離間して配置されている。
このように、図1又は図2に示した2つの信号配線パターン2の間に、信号配線パターン2(配線パターン)の方向(基準方向)に対して略45度の角度をなす方向でダミーパターン1又は12を配置する。図1では、ダミーパターン1の配置される配線層(第1の配線層)と異なる配線層(第2の配線層)に配線される信号配線パターン3(第2の信号配線パターン)に対しても略45度にダミーパターン1が配置されるので、信号配線パターン3と交差するダミーパターン1の部分は、信号配線パターン3に沿って規則的に並び、これにより、ダミーパターン1が信号配線パターン3に及ぼす付加容量は、信号配線パターン3がどの位置にあっても、信号配線パターン3の単位長さに対して一定の大きさになる。また、図1に示す信号配線パターン3は水平方向であるが、ダミーパターン1が信号配線パターン2に対して略45度に配置されることから、信号配線パターン3が垂直方向であっても同様に、付加容量の単位長さ当たりの増分量を均一にできる。また、信号配線パターン2についても、隣接する複数のダミーパターン1又は12が設定距離S1という同一距離だけ離間して配置されているので、ダミーパターン1又は12による付加容量の単位長さ当りの増分量を均一にできる。
尚、本実施の形態においては、信号配線パターン2及び3に対してダミーパターン1を略45度に傾けて配置する構成を示したが、これは、図示しないが、少なくとも2本のダミーパターン1と1本の信号配線パターン3とが交差する程度にダミーパターン1が信号配線パターン2に対して所定の角度をなしていれば、その2本のダミーパターン1(複数の傾斜ダミーパターン)に対しては、1本の信号配線パターン3(第2の信号配線パターン)は、その位置によらず2本のダミーパターン1と1本の信号配線パターン3とは同一形状にて交差するため、傾斜角が略45度の場合と同様に、単位長さ当たりの付加容量の増分量が均一にできる。ただし、この場合は、信号配線パターン3の方向が水平方向と垂直方向とでは単位長さ当たりの付加容量の増分量は異なる。
また、図1では、ダミーパターン1は同層内の信号配線パターン2と略45度の角度で隣り合って配置されているので、ダミーパターン1が信号配線パターン2と直交又は平行な方向にて配置される場合に比べて少し離れる。すなわち、直交又は平行に配置されていれば信号配線パターン2の近傍では、ダミーパターン1の2つの頂点が信号配線パターン2と等距離にあるが、このダミーパターン1を略45度傾けることにより、一方の頂点を残して他方の頂点が信号配線パターン2から離れるため、この分だけダミーパターン1が少し離れたことになる。これにより、信号配線パターン2に発生する付加容量を少なくできる。従って、同じ面積の空き領域にダミーパターンを敷き詰めたとき、略45度で配置した方がより容量増分量を抑えることができるメリットがある。尚、本実施の形態では、信号配線パターン2とダミーパターン1とが略45度の角度をなして配置される場合を示したが、他の変形例、例えば、直交又は平行以外の関係になるように、ダミーパターン1を信号配線パターン2に対して、上述したダミーパターン1の2つの頂点のうち一方を他方よりも信号配線−パターン2から遠ざけるような所定の角度だけ傾斜させることにより、同様に、信号配線パターン2の付加容量を低減する効果を得ることができる。
図2では、ダミーパターン1を小片に分割したダミーパターン12を配置している。これにより、ダミーパターン12を同層の信号配線パターン2に隣合わせて配置したときの付加的な容量はダミーパターンの大きさに依存するので、図2は図1に比べて、信号配線パターン2に対する付加容量を減らすことが可能である。しかしながら、データ量が増えることになるので小片化は最小限に抑えることが望ましい。
また、図3は、信号配線パターン3が形成された配線層において、その下層の配線層に形成された傾斜ダミーパターン1と略90度の角度で交差するように複数の傾斜ダミーパターン13を配置した構成を示している。即ち、この上層の複数のダミーパターン13は、信号配線パターン2の配線方向を基準方向として、下層の複数のダミーパターン1の傾斜方向とは逆方向に略45度の傾斜を持たせて配置されている。
図3では、隣接する2つの配線層での複数のダミーパターン1、13のレイアウト関係を示したが、他の配線層についても、上下に隣接する2つの配線層間では、傾斜ダミーパターン同士は略90度の角度で交差するように、各ダミーパターンが配置される。従って、上下に隣接する2つの配線層間では、1つの配線層に形成した複数のダミーパターン1とその配線層に隣接する他の配線に形成した複数のダミーパターン13とが相互に重なり合う面積は、一定となる。その結果、上下に隣接する配線層のダミーパターン間に生じる付加容量は、どの2つの配線層間でも同一となって、均一化する。よって、寄生素子の抽出制度を高くすることが可能である。
尚、図3では、長く延びるダミーパターン1、13について説明したが、図2のように小片のダミーパターン12についても、上下に隣接する2つの配線層間でその傾斜ダミーパターンの交差角度を略90度に設定しても良いのは勿論である。
以上、前記図1、図2及び図3において、ダミーパターン1、12、13の形状を矩形としたが、本発明は矩形に限られない。ダミーパターンの形状が矩形でない場合であっても、その矩形でない複数のダミーパターンを信号配線パターンに対して略45度に傾斜して規則的に配置すれば、それ等のダミーパターンと、そのダミーパターンの配線層に隣接する他の配線層に形成した信号配線パターンとの交差面積は、その信号配線パターンがどの位置にあっても同一面積となるので、隣接配線層の信号配線パターンに対してダミーパターンが与える容量増分量はその信号配線パターンの隣接配線層内の位置に関わらず均一にできる。
また、図3に示したように、複数のダミーパターン13を形成した配線層では、同一配線層の信号配線パターン3に対して、隣接する複数のダミーパターン13が各々等しい設定距離S1だけ離間するように配置すれば、これ等のダミーパターン13の存在に起因する同一配線層の信号配線パターン3に対する付加容量の単位長さ当りの増分量を均一にできる。但し、ダミーパターン13の形状が複雑になると、傾斜ダミーパターン13のデータ量が大きくなる。
(第2の実施の形態)
以下、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。同図で、ダミーパターン11は電源又はグラウンド等の固定電位に接続したダミーパターン、ダミーパターン12は信号配線パターン2を含む半導体集積回路上の複数の配線パターンの何れにも電気的に接続されないフローティングのパターン、接続パターン5はダミーパターン11をつなぐ配線パターンであり、これらダミーパターン11及び12は、面積率の調整のために信号配線パターン2の配置されない領域に配置される。
以下、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。同図で、ダミーパターン11は電源又はグラウンド等の固定電位に接続したダミーパターン、ダミーパターン12は信号配線パターン2を含む半導体集積回路上の複数の配線パターンの何れにも電気的に接続されないフローティングのパターン、接続パターン5はダミーパターン11をつなぐ配線パターンであり、これらダミーパターン11及び12は、面積率の調整のために信号配線パターン2の配置されない領域に配置される。
図2に対して図4では、電源又はグラウンドに接続するダミーパターン11が、信号配線パターン2に隣り合って配置される。このようにすると、2つの信号配線パターン2の間において、ダミーパターン12を介して発生する容量結合が殆どなくなる。いわゆるシールディング効果が働き、クロストーク現象を抑えることができる。ここで、信号配線パターン2に隣合って配置されるダミーパターン11は、全てが固定電位に接続されている必要はなく、少なくとも1つが固定電位に接続されていれば(図示せず)、少なくとも、その1つのダミーパターン11については、本発明のシールディング効果を得ることができる。
また、ダミーパターン12は、全てがフローティングダミーパターンである様子を示している。これにより、レイアウト修正が発生した場合においても、引き剥がすダミーパターンは、レイアウトが必要な箇所のみに抑えることができる。しかし、本実施の形態に示したように、ダミーパターン12の全てがフローティングである必要はなく、ダミーパターン12の一部がフローティングの状態であれば、このフローティングダミーパターン12の近傍のレイアウト修正に対して、本発明の効果を得ることができる。しかし、レイアウト修正が発生した場合は、引き剥がさなければならないダミーパターン12をできるだけ少なく抑えた方が再配線は容易であるので、ダミーパターン12の50%以上はフローティングダミーパターンであることが望ましい。
また、図示しないが、ダミーパターン12を電源又はグラウンド等の固定電位へ接続し、ダミーパターン11をフローティングダミーパターンにするというように、図4の状態と入れ替えると、シールディング効果は図4の配置と同様に得られ、信号配線パターン2に生じる付加的な容量値は図4の状態よりも小さくすることが可能となる。その理由は、信号配線パターン2に対して、電源又はグラウンドに接続されたダミーパターン12が離れることにより付加容量が小さくなることと、電源又はグラウンドに電位を固定されたダミーパターン12と信号配線パターン12との間にフローティングのダミーパターン11が介在することにより、キャパシタンスが直列接続になって、更に付加容量の低減が可能となるからである。この場合、信号配線パターン2に隣り合って配置されるフローティングのダミーパターン11は、全てがフローティングである必要はなく、少なくとも一部がフローティングであれば、その一部のフローティングダミーパターン11に関して、本発明の効果を得ることができる。
本発明にかかるダミーパターン配置では、実パターンである配線パターンに対してダミーパターンを略45度などに傾斜させた状態で配置したので、配線パターンに生じさせる付加容量を小さくすることができると共に、隣接する配線層間のダミーパターンを直交させたので、隣接配線層間で発生する付加容量を均一化できて、タイミング収束性が向上させることができ、タイミング制約の厳しいLSI設計における半導体集積回路等に有用である。
1 ダミーパターン(傾斜ダミーパターン)
2 信号配線パターン(配線パターン)
3 隣接配線層の信号配線パターン
5 接続パターン
11 電位固定ダミーパターン
12 小片化ダミーパターン(フローティングダミーパターン)
13 上層のダミーパターン
2 信号配線パターン(配線パターン)
3 隣接配線層の信号配線パターン
5 接続パターン
11 電位固定ダミーパターン
12 小片化ダミーパターン(フローティングダミーパターン)
13 上層のダミーパターン
Claims (11)
- 複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、
前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して45度の角度をなす方向で配置される
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項1記載の半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンのうち、前記複数の配線パターンの何れか1つに隣接する複数のダミーパターンは、その隣接する配線パターンから等しい距離離れて配置されている
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項1又は2記載の半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、各々、矩形である
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項3記載の半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、互いに異なる大きさの複数の矩形を含む
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、
前記複数の配線層のうち、上下に隣接する2つの配線層の各々に配置された複数のダミーパターン同士は、90度の角度で交差する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、
前記ダミーパターンは、
固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、
固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、
前記電位固定ダミーパターンのうち一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されている
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項6記載の半導体集積回路において、
前記フローティングダミーパターンは、前記複数のダミーパターンの数の50%以上を占める
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、
固定電位に接続された電位固定ダミーパターンと、
固定電位に接続されないフローティングダミーパターンとを備え、
前記フローティングダミーパターンの一部は、前記配線パターンに隣り合って配置されており、
前記配線パターンに隣り合って配置されたフローティングダミーパターンに隣り合うダミーパターンが、前記電位固定ダミーパターンである
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記請求項6〜8の何れか1項に記載の半導体集積回路において、
前記固定電位は、電源電位又はグラウンド電位である
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、
前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、
前記複数の配線層のうち第1の配線層に含まれる前記複数の傾斜ダミーパターンは、
前記第1の配線層と異なる第2の配線層に含まれる前記複数の配線パターンとの間でも、平面から見て交差している
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 複数の配線層の各配線層に、回路及び素子を接続するための複数の配線パターンからなる実パターン群が配置され、前記実パターン群が配置されない領域に複数のダミーパターンが配置された半導体集積回路において、
前記複数のダミーパターンは、
前記複数の配線パターンに含まれる一の配線パターンの方向を基準方向としたとき、前記基準方向に対して所定の角度をなす方向に傾斜する複数の傾斜ダミーパターンであり、
前記複数の傾斜ダミーパターンの一部の複数の傾斜ダミーパターンは、同一配線層の1つの配線パターンから等しい距離離れて配置されている
ことを特徴とする半導体集積回路。
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