JPWO2006090440A1 - 記憶装置の試験方法、および記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
3 アドレスシーケンサ
4 メモリセルアレイ
5 CAM
6 ベリファイ回路
8 セクタ制御回路
20 拡張セクタイネーブル信号出力部
21 擬似正常信号出力部
22 一致信号出力部
23 データ比較回路
AD アドレス信号
BISTHANG 冗長不可信号
BMATCH データ一致信号
BPATT データ期待値
FMATCH 強制信号
HANG 冗長救済不可信号
MAXSA 最終拡張セクタ報知信号
BIST_MODE モード信号
REP 置換情報
RSECF 不良冗長セクタ信号
LAST_SEC 最終セクタフラグ信号
RS_SEL 拡張セクタイネーブル信号
アドレスシーケンサ3から出力されたアドレス信号ADは、CAM5およびセクタ制御回路8に入力される。
CAMは格納部の一例、最終セクタフラグ信号LAST_SECは最終アドレス信号のそれぞれ一例である。
Claims (14)
- 通常メモリブロックと冗長メモリブロックとを備え、内蔵された自動試験機能に応じて試験を行なう記憶装置の試験方法であって、
前記通常メモリブロックおよびその内部を識別するアドレス信号を生成するステップと、
前記冗長メモリブロックの試験の際、試験対象を前記冗長メモリブロックとする試験対象制御信号を出力するステップと、
前記冗長メモリブロックを試験対象とするステップの後、前記アドレス信号に応じて、前記冗長メモリブロックおよびその内部を識別するステップと
を有することを特徴とする記憶装置の試験方法。 - 前記アドレス信号は、通常アクセスにおいて前記通常メモリブロックにより構成されるメモリ空間を識別する信号であることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置の試験方法。
- 前記冗長メモリブロックの試験の際、
試験結果が不良である前記冗長メモリブロックについては、前記アドレス信号に応じて識別される該冗長メモリブロックの識別情報を格納するステップ
を有することを特徴とする請求項1に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記冗長メモリブロックの試験の際、
前記冗長メモリブロックの識別情報が格納されている前記冗長メモリブロックについては、試験動作は行なわれず、擬似的に正常の試験結果を出力するステップ
を含むことを特徴とする請求項3に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験の際、
前記アドレス信号に応じて、前記通常メモリブロックおよびその内部を識別するステップ
を有することを特徴とする請求項1に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験の際、
試験結果が不良である前記通常メモリブロックについては、前記アドレス信号に応じて識別される該通常メモリブロックの識別情報を格納して前記冗長メモリブロックに置換する設定を行なうステップ
を有することを特徴とする請求項5に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記冗長メモリブロックの試験の際、
試験結果が不良である前記冗長メモリブロックについては、該冗長メモリブロックの識別情報を格納するステップを有し、
前記置換設定を行なうステップにおいて設定される前記冗長メモリブロックと、前記冗長メモリブロックの識別情報を格納するステップにおいて格納される前記識別情報の前記冗長メモリブロックとが一致する場合に、エラーを報知するステップ
を有することを特徴とする請求項6に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験に引き続き、前記冗長メモリブロックの試験が行なわれる場合、
前記アドレス信号が、前記通常メモリブロックにおける最終試験対象を識別するアドレスから遷移することに応じて、前記冗長メモリブロックを試験対象とする試験対象制御信号を出力するステップ
を有することを特徴とする請求項5に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験に先立ち、前記冗長メモリブロックの試験が行なわれる場合、
前記アドレス信号が、前記冗長メモリブロックにおける最終試験対象を識別するアドレスから遷移することに応じて、前記通常メモリブロックを試験対象とする試験対象制御信号を出力するステップ
を有することを特徴とする請求項5に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験に引き続き、前記冗長メモリブロックの試験が行なわれる場合、
前記エラー報知のステップは、
前記置換設定を行なうステップにおいて設定された前記冗長メモリブロックが、前記冗長メモリブロックの試験において不良の試験結果を得ることに応じてエラーを報知することを特徴とする請求項7に記載の記憶装置の試験方法。 - 前記通常メモリブロックの試験に先立ち、前記冗長メモリブロックの試験が行なわれる場合、
前記エラー報知のステップは、
前記冗長メモリブロックの識別情報を格納するステップにおいて格納された前記識別情報の前記冗長メモリブロックが、前記置換設定を行なうステップにおいて設定されることに応じてエラーを報知することを特徴とする請求項7に記載の記憶装置の試験方法。 - 通常メモリブロックと冗長メモリブロックとを備え、内蔵された自動試験機能に応じて試験を行なう記憶装置であって、
前記通常メモリブロックおよびその内部を識別するアドレス信号を生成するアドレスシーケンサと、
前記冗長メモリブロックの試験の際、前記アドレス信号を、前記冗長メモリブロックおよびその内部の識別に割り当てる試験対象制御信号を出力する試験対象制御部と
を備えることを特徴とする記憶装置。 - 試験結果が不良である前記冗長メモリブロックの識別情報を格納する格納部と、
前記格納部に格納されている前記識別情報に応じて、該識別情報の前記冗長メモリブロックに対して、擬似的に正常の試験結果を出力する擬似正常信号出力部と
を備えることを特徴とする請求項12に記載の記憶装置。 - 前記通常メモリブロックの試験に引き続き、前記冗長メモリブロックの試験が行なわれる場合、
前記試験対象制御部は、前記アドレスシーケンサにより、前記アドレス信号が前記通常メモリブロックにおける最終アドレス信号から遷移することに応じて、前記冗長メモリブロックを試験対象とする前記試験対象制御信号を出力することを特徴とする請求項12に記載の記憶装置。
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