JPWO2004107416A1 - 露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2004107416A1 JPWO2004107416A1 JP2005506520A JP2005506520A JPWO2004107416A1 JP WO2004107416 A1 JPWO2004107416 A1 JP WO2004107416A1 JP 2005506520 A JP2005506520 A JP 2005506520A JP 2005506520 A JP2005506520 A JP 2005506520A JP WO2004107416 A1 JPWO2004107416 A1 JP WO2004107416A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- support member
- projection optical
- exposure apparatus
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
この露光装置は、マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系と、前記投影光学系を支持する第1支持部材と、前記第1支持部材を支持する支持構造体とを有し、前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置は、前記第1支持部材が前記投影光学系を支持する位置よりも上方にある。
Description
本発明は、高集積半導体回路素子の製造のためのリソグラフィ工程のうち、転写工程で用いられる露光装置に関する。
本願は、2003年5月27日に出願された特願2003−148665号、及び2004年4月14日に出願された特願2004−118861号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2003年5月27日に出願された特願2003−148665号、及び2004年4月14日に出願された特願2004−118861号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
半導体素子等を製造するリソグラフィ工程では、種々の露光装置が用いられおり、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)などの逐次移動型の投影露光装置が主流となっている。
このような露光装置においては、半導体メモリの大容量化やCPUプロセッサの高速化・大集積化の進展とともにウエハ上に形成されるレジストパターンの微細化の要求が高まっており、高い露光精度が要求されている。また、露光装置は、デバイスの量産に用いられるものであることから、高いスループットも必然的に要求される。このため、露光波長の短波長化及び投影光学系の開口数(NA:Numerical Aperture)の増大による解像力向上、並びにウエハステージ或いはレチクルステージの位置制御性の向上や高加速度化等によって、露光精度並びにスループットの向上が図られてきた。
しかしながら、投影光学系のNAを増大させると、投影光学系の形状や重量が増大し、また、レチクルステージの高加速度化は振動を増加させてしまうので、特開2002−305140号公報に開示されるように、投影光学系やステージ等を支持するフレーム類の構成や防振装置の配置等を工夫して、振動の増加を抑えていた。
しかしながら、上述した技術では、振動の発生を抑えることを目的としており、直接的にフレーム類の剛性を向上させるものではなかった。したがって、更なる投影光学系のNAの増大やステージの高加速度化に対応するためには、フレーム類を大型化して対応せざるを得ないが、露光装置の設置場所や輸送上の制約から、フレーム類の大型化には限界がある。
このため、微細パターンを形成するために、投影光学系のNAやステージの加速度を向上させると、従来に比べてフレーム類の剛性が相対的に低下するので、振動が増大して、却って、微細パターンの形成が困難になるという問題がある。
このような露光装置においては、半導体メモリの大容量化やCPUプロセッサの高速化・大集積化の進展とともにウエハ上に形成されるレジストパターンの微細化の要求が高まっており、高い露光精度が要求されている。また、露光装置は、デバイスの量産に用いられるものであることから、高いスループットも必然的に要求される。このため、露光波長の短波長化及び投影光学系の開口数(NA:Numerical Aperture)の増大による解像力向上、並びにウエハステージ或いはレチクルステージの位置制御性の向上や高加速度化等によって、露光精度並びにスループットの向上が図られてきた。
しかしながら、投影光学系のNAを増大させると、投影光学系の形状や重量が増大し、また、レチクルステージの高加速度化は振動を増加させてしまうので、特開2002−305140号公報に開示されるように、投影光学系やステージ等を支持するフレーム類の構成や防振装置の配置等を工夫して、振動の増加を抑えていた。
しかしながら、上述した技術では、振動の発生を抑えることを目的としており、直接的にフレーム類の剛性を向上させるものではなかった。したがって、更なる投影光学系のNAの増大やステージの高加速度化に対応するためには、フレーム類を大型化して対応せざるを得ないが、露光装置の設置場所や輸送上の制約から、フレーム類の大型化には限界がある。
このため、微細パターンを形成するために、投影光学系のNAやステージの加速度を向上させると、従来に比べてフレーム類の剛性が相対的に低下するので、振動が増大して、却って、微細パターンの形成が困難になるという問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、コンパクトかつ高剛性のフレーム類を備えることにより、露光装置を巨大化させることなく、更なる投影光学系のNAの増大やステージの高加速度化に対応して、微細パターンの形成することができる露光装置を提供することを目的とする。
本発明に係るステージ装置及び露光装置では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
本発明の第1の態様は、露光装置(ST)であって、マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系(30)と、投影光学系(30)を支持する第1支持部材(110)と、第1支持部材(110)を支持する支持構造体(200)とを有し、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置は、第1支持部材(110)が投影光学系(30)を支持する位置よりも上方にある。この態様によれば、第1支持部材が略逆アーチ形に形成されるので、投影光学系の振動が減少したり、第1支持部材を構成要素とする本体フレームの剛性を向上させたり、また、支持構造体を高剛性に構成することが可能となる。
また、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置は、投影光学系(30)の重心(32)の位置と略同一の高さであるものでは、第1支持部材に支持力が加わる位置と、投影光学系の重心の位置が略同一の高さになるので、支持力が加わる位置と投影光学系の重心の位置との距離を最小とすることができ、第1支持部材の変形を最小限に抑えることができる。
また、支持構造体(200)は、防振装置(150)を備え、防振装置(150)を介して第1支持部材(110)を支持しているものでは、投影光学系を重心周りに回転させる振動の発生を抑えられるので、防振装置により、容易かつ効果的に第1支持部材の振動を抑えることができる。
また、投影光学系用センサ(131)が配置されるセンサ支持体(130)を更に有し、センサ支持体(130)は、第1支持部材(110)の下面側に配置されるものでは、支持構造体として不適なセンサ支持体により大型化しつつある投影光学系を支持する必要がないので、露光装置の剛性を高めるとともに、第1支持部材をコンパクトに形成することが可能となる。
また、マスクを保持するマスクステージ(20)と、マスクステージ(20)を支持する第2支持部材(120)とを更に有し、第2支持部材(120)は、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置で第1支持部材(110)に接続されるものでは、略アーチ形に形成された第2支持部材と略逆アーチ形に形成された第1支持部材とが結合されるので、第1支持部材と第2支持部材とを結合して構成される本体フレームの剛性を向上させることができる。
また、第1支持部材(110)が、第2支持部材(120)よりも重量が大きいものでは、本体フレームとしての重心を低くすることができる。
また、第1支持部材(110)は、第2支持部材(120)よりも比重が大きい材料が用いられるものでは、より容易に第1支持部材の重量を第2支持部材の重量よりも大きくすることができる。
また、第2支持部材(120)の材料は、金属マトリックス複合材であるものでは、第2支持部材の高剛性化及び軽量化が実現できる。
また、第1支持部材(110)と第2支持部材(120)との少なくとも一方に温調部(70)が設けられるものでは、第1支持部材と第2支持部材の温度は一定に保たれ、周囲温度の影響を受けづらくなる。
また、支持構造体(200)は、基板ステージ(40)を支持する床部(212)と、第1支持部材(110)を支持する複数の支柱(213,221)と、支柱(213,221)同士をそれらの上部において連結する少なくとも1本の梁部(222)とを有し、梁部(222)と、第1支持部材(110)が投影光学系(30)を支持する位置とが、略同一の高さに配置されるものでは、支持構造体がラーメン構造に形成されるので、剛性を向上させることができる。また、梁部と投影光学系を支持する位置とが略同一の高さになるので、支持構造体の側面の開口部を大きく形成することが可能となり、基板ステージのメンテナンスを行うことができる。
また、支柱(213,221)は、高さ方向の中央部において上下に分割されるとともに、中央部において連結されているものでは、振動に伴う応力が集中しづらい部分に支柱同士の結合部を配置できるので、支持構造体の剛性を高く維持することができる。
本発明の第2の態様は、デバイスの製造方法であって、リソグラフィ工程を含み、リソグラフィ工程において第1の発明に係る露光装置(ST)を用いる。この態様によれば、振動が少なく、かつ、防振しやすいフレーム構造を備える露光装置が用いられるので、投影光学系の開口数の増大やステージの高加速度化が実現可能となり、レジストパターンの微細化を達成することができる。
本発明に係るステージ装置及び露光装置では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
本発明の第1の態様は、露光装置(ST)であって、マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系(30)と、投影光学系(30)を支持する第1支持部材(110)と、第1支持部材(110)を支持する支持構造体(200)とを有し、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置は、第1支持部材(110)が投影光学系(30)を支持する位置よりも上方にある。この態様によれば、第1支持部材が略逆アーチ形に形成されるので、投影光学系の振動が減少したり、第1支持部材を構成要素とする本体フレームの剛性を向上させたり、また、支持構造体を高剛性に構成することが可能となる。
また、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置は、投影光学系(30)の重心(32)の位置と略同一の高さであるものでは、第1支持部材に支持力が加わる位置と、投影光学系の重心の位置が略同一の高さになるので、支持力が加わる位置と投影光学系の重心の位置との距離を最小とすることができ、第1支持部材の変形を最小限に抑えることができる。
また、支持構造体(200)は、防振装置(150)を備え、防振装置(150)を介して第1支持部材(110)を支持しているものでは、投影光学系を重心周りに回転させる振動の発生を抑えられるので、防振装置により、容易かつ効果的に第1支持部材の振動を抑えることができる。
また、投影光学系用センサ(131)が配置されるセンサ支持体(130)を更に有し、センサ支持体(130)は、第1支持部材(110)の下面側に配置されるものでは、支持構造体として不適なセンサ支持体により大型化しつつある投影光学系を支持する必要がないので、露光装置の剛性を高めるとともに、第1支持部材をコンパクトに形成することが可能となる。
また、マスクを保持するマスクステージ(20)と、マスクステージ(20)を支持する第2支持部材(120)とを更に有し、第2支持部材(120)は、支持構造体(200)が第1支持部材(110)を支持する位置で第1支持部材(110)に接続されるものでは、略アーチ形に形成された第2支持部材と略逆アーチ形に形成された第1支持部材とが結合されるので、第1支持部材と第2支持部材とを結合して構成される本体フレームの剛性を向上させることができる。
また、第1支持部材(110)が、第2支持部材(120)よりも重量が大きいものでは、本体フレームとしての重心を低くすることができる。
また、第1支持部材(110)は、第2支持部材(120)よりも比重が大きい材料が用いられるものでは、より容易に第1支持部材の重量を第2支持部材の重量よりも大きくすることができる。
また、第2支持部材(120)の材料は、金属マトリックス複合材であるものでは、第2支持部材の高剛性化及び軽量化が実現できる。
また、第1支持部材(110)と第2支持部材(120)との少なくとも一方に温調部(70)が設けられるものでは、第1支持部材と第2支持部材の温度は一定に保たれ、周囲温度の影響を受けづらくなる。
また、支持構造体(200)は、基板ステージ(40)を支持する床部(212)と、第1支持部材(110)を支持する複数の支柱(213,221)と、支柱(213,221)同士をそれらの上部において連結する少なくとも1本の梁部(222)とを有し、梁部(222)と、第1支持部材(110)が投影光学系(30)を支持する位置とが、略同一の高さに配置されるものでは、支持構造体がラーメン構造に形成されるので、剛性を向上させることができる。また、梁部と投影光学系を支持する位置とが略同一の高さになるので、支持構造体の側面の開口部を大きく形成することが可能となり、基板ステージのメンテナンスを行うことができる。
また、支柱(213,221)は、高さ方向の中央部において上下に分割されるとともに、中央部において連結されているものでは、振動に伴う応力が集中しづらい部分に支柱同士の結合部を配置できるので、支持構造体の剛性を高く維持することができる。
本発明の第2の態様は、デバイスの製造方法であって、リソグラフィ工程を含み、リソグラフィ工程において第1の発明に係る露光装置(ST)を用いる。この態様によれば、振動が少なく、かつ、防振しやすいフレーム構造を備える露光装置が用いられるので、投影光学系の開口数の増大やステージの高加速度化が実現可能となり、レジストパターンの微細化を達成することができる。
図1は、露光装置の構成を模式的に表した図である。
図2は、露光装置の斜視図である。
図3は、露光装置の分解斜視図である。
図4は、従来の露光装置を模式的に表した図である。
図2は、露光装置の斜視図である。
図3は、露光装置の分解斜視図である。
図4は、従来の露光装置を模式的に表した図である。
以下、本発明に係るステージ装置及び露光装置の実施形態について図を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下の各実施例に限定されるものではなく、例えばこれら実施例の構成要素同士を適宜組み合わせてもよい。
図1は、露光装置STの構成を模式的に表した図である。
露光装置STは、レチクル(マスク)とウエハ(基板)とを一次元方向(ここでは、図1における紙面内左右方向であるX軸方向とする)に同期移動しつつ、レチクルに形成された回路パターンを投影光学系30を介してウエハ上の各ショット領域に転写する、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
露光装置STは、光源50からの照明光によりレチクルを照明する照明光学系10、レチクルを保持するレチクルステージ20、レチクルに形成されたレチクルアライメントマークを検出してレチクルの位置を計測するレチクルアライメント25、レチクルから射出される照明光をウエハ上に投射する投影光学系30、ウエハを保持するウエハステージ40、レチクルステージ20と投影光学系30等を保持する本体フレーム100と、本体フレーム100及びウエハステージ40を支持する基礎フレーム200等を備える。
照明光学系10は、ハウジング11と、その内部に所定の位置関係で配置されたリレーレンズ系、光路折り曲げ用ミラー、コンデンサレンズ系等から成る光学部品を備える。この照明光学系10は、本体フレーム100を構成する第2架台120の上面に固定された上下方向に伸びる照明系支持部材12によって支持される。
また、露光装置ST本体の側部(図1の右側)には、露光装置ST本体と分離されて、振動の伝達がないように設置された光源50と照明光学系分離部51が配置される。
そして、光源50から射出されたレーザビームは、照明光学系分離部51を介して照明光学系10に入射され、レーザビームの断面形状が整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光(露光光)となってレチクル上に照射される。
レチクルステージ(マスクステージ)20は、本体フレーム100を構成する第2架台120の上面に不図示の非接触ベアリング(例えば気体静圧軸受け)を介して浮上支持される。レチクルステージ20は、レチクルを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるX軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等を備える。
レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
また、第2架台120上の端部には、レーザ干渉計(不図示)が設けられており、レチクル微動ステージの2次元的な位置及び回転角、並びに微動ステージのX軸方向の位置が高精度に計測され、この計測結果に基づいて微動ステージの位置及び速度が制御される。
レチクルアライメント25は、レチクルステージ20上に保持されたレチクルを観察するアライメント光学系と撮像装置とをベース部材上に配置してなり、非走査方向であるY方向に沿ってレチクルステージ20を跨ぐようにレチクルステージ20の上方に設けられて、第2架台120上に支持される。そして、ベース部材上に配置されたアライメント光学系及び撮像装置によりレチクル上に形成されたレチクルアライメントマークを検出する。また、照明光学系10によるレーザビームの照射位置に対応するベース部材上の位置には、矩形開口が設けられており、この開口を通してレーザビームはレチクルを照射する。
なお、アライメント光学系や撮像素子等が配置されるレチクルアライメント25のベース部材は、レチクルステージ20が備えるリニアモータへの電磁気的影響を考慮して、非磁性材料、例えばオーステナイト系ステンレスで構成されている。
投影光学系30は、物体面側(レチクル側)と像面側(ウエハ側)の両方がテレセントリックであり、所定の投影倍率β(βは、例えば1/5)で縮小する縮小系が用いられる。このため、レチクルに照明光学系10から照明光(紫外パルス光)が照射されると、レチクル上に形成された回路パターン領域のうちの紫外パルス光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系30に入射し、その回路パターンの部分倒立像が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光学系30の像面側の視野中央にY軸方向に細長いスリット状又は矩形状(多角形)に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系30の結像面に配置されたウエハ上の複数のショット領域のうちの1つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
投影光学系30の外周には、投影光学系30を支持するためにフランジ31が設けられる。フランジ31は、投影光学系30の設計上の制約から、投影光学系30の重心32よりも下方に配置される。また、微細パターンの要求により、投影光学系30の開口数NAは、例えば、0.9以上に増大しつつあり、それに伴い、投影光学系30の外径、重量が大型化している。
そして、投影光学系30は、本体フレーム100を構成する第1架台110に設けられた穴部113に挿入されて、フランジ31を介して支持される。
ウエハステージ(基板ステージ)40は、基礎フレーム200の内部に配置される。ウエハステージ40は、例えばリニアモータ等によりX軸方向に連続移動するとともに、X軸方向及びY軸方向にステップ移動する。さらに、ウエハステージ40の内部には、ウエハのレベリング及びフォーカシングを行うためにウエハをZ軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、及びθy方向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動するための試料台(不図示)が組み込まれている。
また、ウエハステージ40には、ステージの駆動時に発生する反力をキャンセルするため、ステージとは反対方向に移動するカウンタマスが配設されている。
そして、ウエハの大型化(直径300mm,16インチ等)に伴い、ウエハステージ40の形状及び重量は増大傾向にある。
このような構成を備える露光装置STは、照明光のもとで、レチクルの照明領域内のパターンの像が、投影光学系30を介して投影倍率βで表面にレジストが塗布されたウエハ上のスリット状の露光領域(照明領域に共役な領域)に投影される。この状態でレチクルとウエハとを同期して所定の走査方向(X軸方向)に移動することで、ウエハ上の一つのショット領域にレチクルのパターンが転写される。
次に、本体フレーム100及び基礎フレーム200について、図1〜図4を参照して説明する。
図1は、露光装置STの構成を模式的に表した図である。図2は、露光装置STの斜視図であり、図3は、露光装置STの分解斜視図である。また、図4は、従来の露光装置を模式的に表した図である。
まず、本体フレーム100は、投影光学系30等を支持する第1架台110(第1支持部材)と、投影光学系30の上方に配置されるレチクルステージ20等を支持する第2架台120(第2支持部材)とから構成される。
第1架台110は、円筒状の投影光学系30の外径よりもやや大きく形成された穴部113を備える鏡筒支持盤111と、鏡筒支持盤111の外周部に鏡筒支持盤111よりも上方に形成されて、基礎フレーム200や第2架台120と接続する第1架台接続部112とから構成される。第1架台接続部112は、第1架台110の安定性を考慮すると3箇所であることが望ましいが、これに限るのもではない。また、鏡筒支持盤111と第1架台接続部112とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
そして、鏡筒支持盤111の穴部113には、投影光学系30が挿入されて、投影光学系のフランジ31が鏡筒支持盤111の上面に支持される。したがって、第1架台110は、露光装置STの側方(図1の紙面方向)から見ると、逆アーチ形に形成されて、投影光学系30を支持する。
また、第1架台110は、構造物として高い剛性が必要であるとともに、本体フレーム100の全体としての重心を低くするため、第2架台120よりも重量が大きいことが望ましい。そこで、本実施形態においては、第1架台110は鋳鉄の一種であるFCD450で構成され、第2架台120よりも大きな重量を有している。FCD450はヤング率168GPaという第1架台110に適する剛性を有する。また、FCD450の比重は7.1であり、これよりも比重の小さな構造材料は多種存在するので、第2架台120の材料としてFCD450よりも比重の小さな材料を選択することができる。これにより、第1架台110の重量を第2架台120よりも容易に大きくすることができる。(第2架台120の詳細は後述する。)
ところで、上述したように、投影光学系30に設けられるフランジ31は、投影光学系30の設計上の制約から、投影光学系30の重心よりも下方に配置される。したがって、従来のように(図4参照)、平板形の第1架台510により投影光学系30を支持すると、投影光学系30の重心32の位置が第1架台510よりも上方に位置することになる。
このため、第1架台110に横方向の力が加わった場合に第1架台110及び投影光学系30に変形が生じやすい。また、外部から横振動が加わると、投影光学系30が略重心32周りに回転してしまう振動が発生し、本体フレーム500の振動が複雑化してしまう。
すなわち、第1架台510の横方向の振動が、投影光学系30を回転振動させてしまう、いわゆる連成振動となる。更に、第1架台110及び投影光学系30が振動した場合、振動周波数によって回転中心の位置が異なる。すなわち低い周波数の振動の回転中心は、投影光学系30の重心近傍にあるのに対し、高い周波数の振動の回転中心は、第1架台110の支持位置近傍にある。そのため、振動周波数毎に異なる回転中心を想定した防振制御を基礎フレーム200と本体フレーム100との間に配置された防振ユニット(防振装置)150(150A〜150C、図3参照)によって行う必要があるが、これは非常に困難である。
そこで、第1架台110を逆アーチ形に形成することによって、投影光学系30の重心32の位置と、第1架台110に横振動が加わる位置(基礎フレーム200が第1架台110を支持する位置)とが略同一の高さに配置されるので、第1架台110及び投影光学系30の変形を抑えることができる。また、第1架台110の横振動に起因する投影光学系30の重心32周りの回転振動が抑えられ、第1架台110の横方向の振動と投影光学系30の回転振動とを非連成にすることが可能となる。
更に、投影光学系30の重心32の高さと第1架台110の支持位置の高さとを略同一の高さに配置しているので、振動周波数毎の振動回転中心の位置が略一致する。これにより、防振対策が容易となり、露光装置STの振動を効果的に抑えることが可能となる。上述したように、投影光学系30の回転振動が低減されているので、防振ユニット150は並進方向と上下方向の振動を除振すればよく、除振(防振)が容易となる。
第2架台120は、レチクルステージ20を戴置する支持盤121と、支持盤121の外周部の下面から下方に伸びて、第1架台110と連結される第2架台接続部122とから構成される。第2架台接続部122は、第2架台120の安定性を考慮すると3箇所であることが望ましいが、これに限るものではない。また、支持盤121と第2架台接続部122とは、締結手段等で連結する構造ではなく、一体に形成される。したがって、第2架台120は、第1架台110とは対称的にアーチ形に形成される。
また、第2架台接続部122は、第1架台110の第1架台接続部112とボルト等を用いて締結される。なお、第2架台接続部と第1架台接続部とは、第1架台110に支持される投影光学系30と第2架台120に支持されるレチクルステージ20とが所定の位置関係となるように調整されて締結される。
また、第2架台120は、構造物として高い剛性が必要であるとともに、本体フレーム100の重心を低くするため第1架台110よりも軽量でありことが望ましい。そのため、本実施形態の第2架台120は、剛性と重量とに鑑みて金属マトリックス複合材(Metal Matrix Composite、以下MMC材という)で構成される。MMC材は、金属基材に、例えばセラミックスを強化材として複合した複合材料であり、金属基の性質と強化材の性質とを併せ持つ材料である。具体的には、第2架台120はアルミニウム(Al)70%とシリコンカーバイト(SiC)30%とを複合したMMC材を使用する。このMMC材は、ヤング率125GPa、比重2.8という物性を有し、これにより第2架台120の高剛性化及び軽量化が実現される。
このように、本体フレーム100を、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成することにより、従来の本体フレーム500に比べて、本体フレーム100の剛性を向上させることができる。
すなわち、従来の本体フレーム500(図4参照)では、平板形の第1架台510と第2架台520とを複数の支柱522で連結する構造であるため、振動に伴う応力が集中しやすい部分(すなわち、支柱522の両端部分)に各架台510,520と支柱522とを連結する連結部が配置されてしまう。この連結部は、ボルト等によって連結されるため、連続した構造体に比べて、剛性が低くなる。したがって、本体フレーム500の剛性は、剛性の低い連結部に依存することになる。
一方、本体フレーム100では、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成するため、振動に伴う応力が集中しやすい部分には連続した構造体が配置され、剛性の低い連結部分は応力が集中しづらい位置に配置される。このようにして、本体フレーム100の剛性を、従来の本体フレーム500に比べて、向上させることができる。
また、第1架台110の重量を第2架台120の重量よりも大きくしているので、本体フレーム100としての重心を低くすることができ、本体フレーム100を安定的に支持することができる。特に、第1架台110を構成する材料として比重7.1のFCD450を用い、第2架台120を構成する材料として比重2.8のMMC材を用いているため、第1架台110の材料の比重が第2架台120の材料の比重よりも大きく、より容易に第1架台110の重量を第2架台120の重量よりも大きくすることができる。
更に、本体フレーム100を、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成することにより、従来に比べて、メンテナンスを容易に行うことが可能となる。
例えば、露光装置ST,ST2から投影光学系30を取り外す場合には、第1架台110,510と第2架台120,520との接合を解除して、第2架台120,520を投影光学系30の上方にリフトアップする必要がある。
この際、従来の本体フレーム500では、第2架台520の支柱522が長いため、第2架台520を支柱522の長さ以上に高く上昇させる必要がある。
一方、本体フレーム100では、第2架台120の高さ方向の距離が短いので、従来に比べて第2架台120を上昇させる距離が低くて済むようになる。このため、露光装置ST,ST2が設置されるクリーンルーム等のように、天井までの高さが十分に確保できない場所においても、露光装置STから投影光学系30を取り外すことが可能となる。これにより、メンテナンスの時間短縮や費用節減が可能となり、露光装置STの稼働率を向上させて、生産効率を高めることが可能となる。
ところで、第1架台110と第2架台120とで構成される本体フレーム100は、投影光学系30とレチクルステージ20に戴置されたレチクルとの距離を主に規定するものであるため、周辺温度が変化しても投影光学系30とレチクルとの距離が変化せず安定している必要がある。しかしながら、本実施形態においては、上述の通り、構造物としての剛性と重量バランスとの観点から、第1架台100の材料として鋳鉄(FCD450:熱膨張係数11.6×10−6/K)を採用し、第2架台120の材料としてMMC材(Al(70%)+SiC(30%):熱膨張係数14.4×10−6/K)を採用している。これらの材料は、従来使用していた低熱膨張合金(いわゆるインバー(Invariable alloy):熱膨張係数1×10−6/K)と比較して熱膨張係数が大きいため、周囲の温度が変化すると投影光学系30とレチクルとの距離が変化して、結像位置がずれるおそれがある。また、第1架台110と第2架台120との熱膨張係数が異なっているため、バイメタル効果が生じ、周囲の温度変化によって本体フレーム100に歪みが生じるおそれもある。
そこで、本実施形態では、周囲の温度が変化しても第1架台110及び第2架台120を熱的に安定させるため、温調装置70を設けている。温調装置70は、第1架台110及び第2架台120の所定位置(詳細は後述)に配置されたヒートシンク71と温調流体供給部72とからなる。温調流体供給部72は、温調流体の温度を高精度に調整し、ヒートシンク71に供給する。ヒートシンク71は、内部に温調流体が流れる流路が形成された部材であり、第1架台110及び第2架台120に当接している。そして、ヒートシンク71を通過した温調流体は、温調流体供給部72に還流し、再び温調調節される。これにより、第1架台110及び第2架台120の温度は一定に保たれ、周囲温度の影響を受けることはない。
ヒートシンク71は、第1架台110及び第2架台120の中で温度変化を抑制したい場所、すなわち当該部分が温度変化することにより、投影光学系30とレチクルとの距離に与える影響が大きい場所に配置される。具体的には、図1に示すように、第1架台110においては鏡筒支持盤111と第1架台接続部112とを連結している部分に、第2架台120おいては支持盤121と第2架台接続部122とを連結している部分に、それぞれヒートシンク71が配置される。
なお、ヒートシンク71が配置される場所は、上記に限られるものではなく、これ以外の場所に配置しても構わない。例えば、第1架台110の変形の影響が投影光学系30に及ぶのを防止すると同時に、投影光学系30を熱的に安定させるため、鏡筒支持盤111上の投影光学系30の支持部近傍にヒートシンク71を設けてもよい。
また、本実施形態においては、ヒートシンク71を第1架台110及び第2架台120とは別部材で構成したが、第1架台110及び第2架台120の内部に流路を形成し、この流路に温調流体供給部72から温調流体を供給する構成とすることもできる。
また、本実施形態においては、温調流体としてフッ素系不活性流体であるHFE(ハイドロフルオロエーテル)を用いているが、これに限らず、例えば、フロリナート(登録商標)や水を用いても構わない。
ところで、第1架台110には、図1に示すように、投影光学系用センサ(例えば、オートフォーカスセンサ)131を配置するためのセンサ支持体130が支持される。
センサ支持体130は、投影光学系用センサ131の計測に悪影響を与えないようにインバーにより形成される。インバーは、ニッケル(Ni)を36%程度含有する鉄鋼材料であって、上述した通り線膨張係数が1×10−6/K以下であり、代表的なステンレス鋼(SUS304)の1/10程度と、極めて小さいため、周囲温度の変化により投影光学系用センサ131の計測位置が変化したり計測値が真値からずれたりする不具合を最小限に抑えることができる。
そして、従来は、図4に示すように、平板状の第1架台510に設けられる穴部511は、投影光学系30の外形よりも十分に大きく形成され、その穴部113には、フランジを備えた円管形のセンサ支持体530が挿入され、更にセンサ支持体530の内側に投影光学系30が挿入されることにより、第1架台510が投影光学系30を間接的に支持していた。このように、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持する理由は、投影光学系用センサ131を配置したセンサ支持体530と投影光学系30とを一体として組み立てて、予め投影光学系用センサ131の調整を行うことにより、露光装置ST2の組み立て後に投影光学系用センサ131の調整を行う手間を減少させるためである。
しかしながら、インバーの縦弾性係数は、115Gpa程度であって、一般的な鉄鋼材料の縦弾性係数(160〜200Gpa程度)に比べて低い。したがって、重量物を支持する構造体材料としては不向きである。また、上述したように、投影光学系30の開口数NAの増大に伴い、投影光学系30の外径及び重量は増大傾向にある。このため、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持するために、センサ支持体530を大型化させるとともに、センサ支持体530が挿入される穴部511を大径化させる必要がある。
これに伴い、第1架台510が大型化してしまうが、露光装置ST,ST2の大きさや重量は、設置場所や輸送等の制約から、必ずしも無制限に大きくできるわけではない。したがって、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持する構造は、益々、不利になってきている。
そこで、第1架台110においては、投影光学系30の重量を受け持つ部分と、投影光学系用センサ131の計測の安定性を受け持つ部分とを分離する。具体的には、第1架台110により、直接的に投影光学系30を支持するとともに、第1架台110の下面にセンサ支持体130を設置する。これにより、第1架台110に形成される穴部113の径は必要最小限に抑えることができるので、第1架台110の大型化を抑えることができる。
なお、投影光学系30と第1架台110の間にキネマティックマウントを設け、投影光学系30のあおり角を調整可能にする。また、投影光学系30への熱伝達を防止するために、上述の通り、第1架台110にヒートシンク71を配置してもよく、或いは第1架台110内にフッ素系不活性液体を循環させて冷却又は温調してもよい。
次に、基礎フレーム(支持構造体)200について説明する。
基礎フレーム200は、クリーンルームの床面F上に足部211を介して略水平に載置される。基礎フレーム200は、下部フレーム210と上部フレーム220とから構成される。
下部フレーム210は、ウエハステージ40を戴置する床部212と、床部212の上面から上下方向に所定の長さで伸びる支柱213とを備える。床部212と支柱213とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
上部フレーム220は、支柱213と同数の支柱221と、その支柱221同士をそれらの上部において連結する梁部222とを備える。支柱221と梁部222とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
そして、支柱213と支柱221とが、ボルト等により締結される。これにより、基礎フレーム200は、いわゆるラーメン構造(図3参照)となり、床部601と床部601の上面から上下方向に伸びる支柱602のみから構成される従来の基礎フレーム600に比べて、剛性を向上させることができる。
また、支柱213,221は、略同一長さに形成されて、締結されるので、露光装置STの振動に伴う応力が集中しやすい部分(各支柱213,221の根元部分)には連続した構造体が配置され、剛性の低い連結部分は応力が集中しづらい位置に配置される。このようにして、基礎フレーム200の剛性を、従来の基礎フレーム200に比べて、向上させることができる。
したがって、従来と略同程度の剛性を維持するのであれば、各支柱213,221を従来の支柱602に比べて細くしたり、或いは、円形や角形であった支柱を板形或いはL字形にしたりすることが可能となる。
なお、基礎フレーム200を、下部フレーム210と上部フレーム220とに上下二分割に形成するのは、基礎フレーム200の加工上の制約からであり、上下二分割にすることにより、下部フレーム210、上部フレーム220の加工(特に内面側の加工)が容易となるからである。また、下部フレーム210と上部フレーム220とを一体として形成(鋳造等)した後に上下二分割に切断してもよく、また、それぞれを別々に形成してもよい。
ところで、従来の基礎フレーム600が支柱602同士を連結する梁部を設けていないのは、支柱602の長さ(高さ)が短く、梁部を設けると、露光装置ST2の組み立て後に基礎フレーム600内に配置されるウエハステージ40のメンテナンスを行う開口が小さくなるという不都合があったからである。
一方、基礎フレーム200においては、第1架台110が逆アーチ形に形成されているので、本体フレーム100を支持する位置(防振ユニット150を設置する位置)が従来よりも、高い位置に配置され、これにより支柱213,221が長くなり、梁部222を設けても、ウエハステージ40のメンテナンスを行う開口部を十分に確保することが可能となる。また、梁部222と第1架台110の鏡筒支持盤111とが略同一の高さに位置するように配置(図1、図2参照)することにより、開口部を十分に大きく確保することが可能となる。
また、露光装置STの前方(図1の左側)に、レチクルローダ61、ウエハローダ62、制御系(不図示)等が配置され、更にその前方(左側)にコータディベロッパ70が配置される場合には、基礎フレーム200の側面方向(図1の紙面方向)に設けた開口部、及び本体フレーム100に形成された開口部を介してメンテナンス等を行うことが可能となるので、基礎フレーム200及び本体フレーム100の形状を有効に利用することができる。
また、上述したように、ウエハの大型化に伴い、ウエハステージ40の形状及び重量は増大傾向にある。このため、従来の本体フレーム500では、支柱602をウエハステージ40の外側に配置する必要があり、支柱602間の距離が長くなるとともに、第1架台510が大型化するので、第1架台510の剛性が低下するとともに、露光装置ST2の重量も増大してしまう。
一方、基礎フレーム200では、支柱213,221の形状が従来に比べて細く、或いは、板形或いはL字形に形成することができるので、支柱213,221を従来よりも自由に配置することが可能となる。したがって、基礎フレーム200の大型化を最小限に抑えることができる。また、梁部222上に防振ユニット150を配置することにより、第1架台110を大型化させることなく、支持することが可能である。したがって、露光装置STの重量増大を最小限に抑えることができる。
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
レチクルステージとしては、本実施形態のように、1枚のレチクルを用いるシングルホルダ方式のレチクルステージに限らず、1つの可動ステージ上で2枚のレチクルを保持するダブルホルダ方式のレチクルステージや、2枚のレチクルを互いに独立の可動ステージ上に載置するダブル・レチクルステージとしても良い。
また、本発明が適用される露光装置として、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置を用いてもよい。
また、本発明が適用される露光装置として、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置を用いてもよい。
また、露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
また、本発明が適用される露光装置の光源は、g線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合、マスクを用いる構成としてもよいし、マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成としてもよい。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。
また、投影光学系としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし(このとき、レチクルも反射型タイプのものを用いる)、また、電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は真空状態にすることはいうまでもない。
また、ウエハステージやレチクルステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。さらに、ステージの駆動装置として平面モータを用いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
ウエハステージの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査工程等を経て製造される。
産業上の利用の可能性
本発明は、露光装置であって、マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系と、前記投影光学系を支持する第1支持部材と、前記第1支持部材を支持する支持構造体とを有し、前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置は、前記第1支持部材が前記投影光学系を支持する位置よりも上方にあるので、第1支持部材が略逆アーチ形に形成され、投影光学系の振動が減少したり、第1支持部材を構成要素とする本体フレームの剛性を向上させたり、また、支持構造体を高剛性に構成することが可能となる。
図1は、露光装置STの構成を模式的に表した図である。
露光装置STは、レチクル(マスク)とウエハ(基板)とを一次元方向(ここでは、図1における紙面内左右方向であるX軸方向とする)に同期移動しつつ、レチクルに形成された回路パターンを投影光学系30を介してウエハ上の各ショット領域に転写する、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
露光装置STは、光源50からの照明光によりレチクルを照明する照明光学系10、レチクルを保持するレチクルステージ20、レチクルに形成されたレチクルアライメントマークを検出してレチクルの位置を計測するレチクルアライメント25、レチクルから射出される照明光をウエハ上に投射する投影光学系30、ウエハを保持するウエハステージ40、レチクルステージ20と投影光学系30等を保持する本体フレーム100と、本体フレーム100及びウエハステージ40を支持する基礎フレーム200等を備える。
照明光学系10は、ハウジング11と、その内部に所定の位置関係で配置されたリレーレンズ系、光路折り曲げ用ミラー、コンデンサレンズ系等から成る光学部品を備える。この照明光学系10は、本体フレーム100を構成する第2架台120の上面に固定された上下方向に伸びる照明系支持部材12によって支持される。
また、露光装置ST本体の側部(図1の右側)には、露光装置ST本体と分離されて、振動の伝達がないように設置された光源50と照明光学系分離部51が配置される。
そして、光源50から射出されたレーザビームは、照明光学系分離部51を介して照明光学系10に入射され、レーザビームの断面形状が整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光(露光光)となってレチクル上に照射される。
レチクルステージ(マスクステージ)20は、本体フレーム100を構成する第2架台120の上面に不図示の非接触ベアリング(例えば気体静圧軸受け)を介して浮上支持される。レチクルステージ20は、レチクルを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるX軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等を備える。
レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
また、第2架台120上の端部には、レーザ干渉計(不図示)が設けられており、レチクル微動ステージの2次元的な位置及び回転角、並びに微動ステージのX軸方向の位置が高精度に計測され、この計測結果に基づいて微動ステージの位置及び速度が制御される。
レチクルアライメント25は、レチクルステージ20上に保持されたレチクルを観察するアライメント光学系と撮像装置とをベース部材上に配置してなり、非走査方向であるY方向に沿ってレチクルステージ20を跨ぐようにレチクルステージ20の上方に設けられて、第2架台120上に支持される。そして、ベース部材上に配置されたアライメント光学系及び撮像装置によりレチクル上に形成されたレチクルアライメントマークを検出する。また、照明光学系10によるレーザビームの照射位置に対応するベース部材上の位置には、矩形開口が設けられており、この開口を通してレーザビームはレチクルを照射する。
なお、アライメント光学系や撮像素子等が配置されるレチクルアライメント25のベース部材は、レチクルステージ20が備えるリニアモータへの電磁気的影響を考慮して、非磁性材料、例えばオーステナイト系ステンレスで構成されている。
投影光学系30は、物体面側(レチクル側)と像面側(ウエハ側)の両方がテレセントリックであり、所定の投影倍率β(βは、例えば1/5)で縮小する縮小系が用いられる。このため、レチクルに照明光学系10から照明光(紫外パルス光)が照射されると、レチクル上に形成された回路パターン領域のうちの紫外パルス光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系30に入射し、その回路パターンの部分倒立像が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光学系30の像面側の視野中央にY軸方向に細長いスリット状又は矩形状(多角形)に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系30の結像面に配置されたウエハ上の複数のショット領域のうちの1つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
投影光学系30の外周には、投影光学系30を支持するためにフランジ31が設けられる。フランジ31は、投影光学系30の設計上の制約から、投影光学系30の重心32よりも下方に配置される。また、微細パターンの要求により、投影光学系30の開口数NAは、例えば、0.9以上に増大しつつあり、それに伴い、投影光学系30の外径、重量が大型化している。
そして、投影光学系30は、本体フレーム100を構成する第1架台110に設けられた穴部113に挿入されて、フランジ31を介して支持される。
ウエハステージ(基板ステージ)40は、基礎フレーム200の内部に配置される。ウエハステージ40は、例えばリニアモータ等によりX軸方向に連続移動するとともに、X軸方向及びY軸方向にステップ移動する。さらに、ウエハステージ40の内部には、ウエハのレベリング及びフォーカシングを行うためにウエハをZ軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、及びθy方向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動するための試料台(不図示)が組み込まれている。
また、ウエハステージ40には、ステージの駆動時に発生する反力をキャンセルするため、ステージとは反対方向に移動するカウンタマスが配設されている。
そして、ウエハの大型化(直径300mm,16インチ等)に伴い、ウエハステージ40の形状及び重量は増大傾向にある。
このような構成を備える露光装置STは、照明光のもとで、レチクルの照明領域内のパターンの像が、投影光学系30を介して投影倍率βで表面にレジストが塗布されたウエハ上のスリット状の露光領域(照明領域に共役な領域)に投影される。この状態でレチクルとウエハとを同期して所定の走査方向(X軸方向)に移動することで、ウエハ上の一つのショット領域にレチクルのパターンが転写される。
次に、本体フレーム100及び基礎フレーム200について、図1〜図4を参照して説明する。
図1は、露光装置STの構成を模式的に表した図である。図2は、露光装置STの斜視図であり、図3は、露光装置STの分解斜視図である。また、図4は、従来の露光装置を模式的に表した図である。
まず、本体フレーム100は、投影光学系30等を支持する第1架台110(第1支持部材)と、投影光学系30の上方に配置されるレチクルステージ20等を支持する第2架台120(第2支持部材)とから構成される。
第1架台110は、円筒状の投影光学系30の外径よりもやや大きく形成された穴部113を備える鏡筒支持盤111と、鏡筒支持盤111の外周部に鏡筒支持盤111よりも上方に形成されて、基礎フレーム200や第2架台120と接続する第1架台接続部112とから構成される。第1架台接続部112は、第1架台110の安定性を考慮すると3箇所であることが望ましいが、これに限るのもではない。また、鏡筒支持盤111と第1架台接続部112とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
そして、鏡筒支持盤111の穴部113には、投影光学系30が挿入されて、投影光学系のフランジ31が鏡筒支持盤111の上面に支持される。したがって、第1架台110は、露光装置STの側方(図1の紙面方向)から見ると、逆アーチ形に形成されて、投影光学系30を支持する。
また、第1架台110は、構造物として高い剛性が必要であるとともに、本体フレーム100の全体としての重心を低くするため、第2架台120よりも重量が大きいことが望ましい。そこで、本実施形態においては、第1架台110は鋳鉄の一種であるFCD450で構成され、第2架台120よりも大きな重量を有している。FCD450はヤング率168GPaという第1架台110に適する剛性を有する。また、FCD450の比重は7.1であり、これよりも比重の小さな構造材料は多種存在するので、第2架台120の材料としてFCD450よりも比重の小さな材料を選択することができる。これにより、第1架台110の重量を第2架台120よりも容易に大きくすることができる。(第2架台120の詳細は後述する。)
ところで、上述したように、投影光学系30に設けられるフランジ31は、投影光学系30の設計上の制約から、投影光学系30の重心よりも下方に配置される。したがって、従来のように(図4参照)、平板形の第1架台510により投影光学系30を支持すると、投影光学系30の重心32の位置が第1架台510よりも上方に位置することになる。
このため、第1架台110に横方向の力が加わった場合に第1架台110及び投影光学系30に変形が生じやすい。また、外部から横振動が加わると、投影光学系30が略重心32周りに回転してしまう振動が発生し、本体フレーム500の振動が複雑化してしまう。
すなわち、第1架台510の横方向の振動が、投影光学系30を回転振動させてしまう、いわゆる連成振動となる。更に、第1架台110及び投影光学系30が振動した場合、振動周波数によって回転中心の位置が異なる。すなわち低い周波数の振動の回転中心は、投影光学系30の重心近傍にあるのに対し、高い周波数の振動の回転中心は、第1架台110の支持位置近傍にある。そのため、振動周波数毎に異なる回転中心を想定した防振制御を基礎フレーム200と本体フレーム100との間に配置された防振ユニット(防振装置)150(150A〜150C、図3参照)によって行う必要があるが、これは非常に困難である。
そこで、第1架台110を逆アーチ形に形成することによって、投影光学系30の重心32の位置と、第1架台110に横振動が加わる位置(基礎フレーム200が第1架台110を支持する位置)とが略同一の高さに配置されるので、第1架台110及び投影光学系30の変形を抑えることができる。また、第1架台110の横振動に起因する投影光学系30の重心32周りの回転振動が抑えられ、第1架台110の横方向の振動と投影光学系30の回転振動とを非連成にすることが可能となる。
更に、投影光学系30の重心32の高さと第1架台110の支持位置の高さとを略同一の高さに配置しているので、振動周波数毎の振動回転中心の位置が略一致する。これにより、防振対策が容易となり、露光装置STの振動を効果的に抑えることが可能となる。上述したように、投影光学系30の回転振動が低減されているので、防振ユニット150は並進方向と上下方向の振動を除振すればよく、除振(防振)が容易となる。
第2架台120は、レチクルステージ20を戴置する支持盤121と、支持盤121の外周部の下面から下方に伸びて、第1架台110と連結される第2架台接続部122とから構成される。第2架台接続部122は、第2架台120の安定性を考慮すると3箇所であることが望ましいが、これに限るものではない。また、支持盤121と第2架台接続部122とは、締結手段等で連結する構造ではなく、一体に形成される。したがって、第2架台120は、第1架台110とは対称的にアーチ形に形成される。
また、第2架台接続部122は、第1架台110の第1架台接続部112とボルト等を用いて締結される。なお、第2架台接続部と第1架台接続部とは、第1架台110に支持される投影光学系30と第2架台120に支持されるレチクルステージ20とが所定の位置関係となるように調整されて締結される。
また、第2架台120は、構造物として高い剛性が必要であるとともに、本体フレーム100の重心を低くするため第1架台110よりも軽量でありことが望ましい。そのため、本実施形態の第2架台120は、剛性と重量とに鑑みて金属マトリックス複合材(Metal Matrix Composite、以下MMC材という)で構成される。MMC材は、金属基材に、例えばセラミックスを強化材として複合した複合材料であり、金属基の性質と強化材の性質とを併せ持つ材料である。具体的には、第2架台120はアルミニウム(Al)70%とシリコンカーバイト(SiC)30%とを複合したMMC材を使用する。このMMC材は、ヤング率125GPa、比重2.8という物性を有し、これにより第2架台120の高剛性化及び軽量化が実現される。
このように、本体フレーム100を、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成することにより、従来の本体フレーム500に比べて、本体フレーム100の剛性を向上させることができる。
すなわち、従来の本体フレーム500(図4参照)では、平板形の第1架台510と第2架台520とを複数の支柱522で連結する構造であるため、振動に伴う応力が集中しやすい部分(すなわち、支柱522の両端部分)に各架台510,520と支柱522とを連結する連結部が配置されてしまう。この連結部は、ボルト等によって連結されるため、連続した構造体に比べて、剛性が低くなる。したがって、本体フレーム500の剛性は、剛性の低い連結部に依存することになる。
一方、本体フレーム100では、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成するため、振動に伴う応力が集中しやすい部分には連続した構造体が配置され、剛性の低い連結部分は応力が集中しづらい位置に配置される。このようにして、本体フレーム100の剛性を、従来の本体フレーム500に比べて、向上させることができる。
また、第1架台110の重量を第2架台120の重量よりも大きくしているので、本体フレーム100としての重心を低くすることができ、本体フレーム100を安定的に支持することができる。特に、第1架台110を構成する材料として比重7.1のFCD450を用い、第2架台120を構成する材料として比重2.8のMMC材を用いているため、第1架台110の材料の比重が第2架台120の材料の比重よりも大きく、より容易に第1架台110の重量を第2架台120の重量よりも大きくすることができる。
更に、本体フレーム100を、逆アーチ形に形成された第1架台110とアーチ形に形成された第2架台120とを連結して構成することにより、従来に比べて、メンテナンスを容易に行うことが可能となる。
例えば、露光装置ST,ST2から投影光学系30を取り外す場合には、第1架台110,510と第2架台120,520との接合を解除して、第2架台120,520を投影光学系30の上方にリフトアップする必要がある。
この際、従来の本体フレーム500では、第2架台520の支柱522が長いため、第2架台520を支柱522の長さ以上に高く上昇させる必要がある。
一方、本体フレーム100では、第2架台120の高さ方向の距離が短いので、従来に比べて第2架台120を上昇させる距離が低くて済むようになる。このため、露光装置ST,ST2が設置されるクリーンルーム等のように、天井までの高さが十分に確保できない場所においても、露光装置STから投影光学系30を取り外すことが可能となる。これにより、メンテナンスの時間短縮や費用節減が可能となり、露光装置STの稼働率を向上させて、生産効率を高めることが可能となる。
ところで、第1架台110と第2架台120とで構成される本体フレーム100は、投影光学系30とレチクルステージ20に戴置されたレチクルとの距離を主に規定するものであるため、周辺温度が変化しても投影光学系30とレチクルとの距離が変化せず安定している必要がある。しかしながら、本実施形態においては、上述の通り、構造物としての剛性と重量バランスとの観点から、第1架台100の材料として鋳鉄(FCD450:熱膨張係数11.6×10−6/K)を採用し、第2架台120の材料としてMMC材(Al(70%)+SiC(30%):熱膨張係数14.4×10−6/K)を採用している。これらの材料は、従来使用していた低熱膨張合金(いわゆるインバー(Invariable alloy):熱膨張係数1×10−6/K)と比較して熱膨張係数が大きいため、周囲の温度が変化すると投影光学系30とレチクルとの距離が変化して、結像位置がずれるおそれがある。また、第1架台110と第2架台120との熱膨張係数が異なっているため、バイメタル効果が生じ、周囲の温度変化によって本体フレーム100に歪みが生じるおそれもある。
そこで、本実施形態では、周囲の温度が変化しても第1架台110及び第2架台120を熱的に安定させるため、温調装置70を設けている。温調装置70は、第1架台110及び第2架台120の所定位置(詳細は後述)に配置されたヒートシンク71と温調流体供給部72とからなる。温調流体供給部72は、温調流体の温度を高精度に調整し、ヒートシンク71に供給する。ヒートシンク71は、内部に温調流体が流れる流路が形成された部材であり、第1架台110及び第2架台120に当接している。そして、ヒートシンク71を通過した温調流体は、温調流体供給部72に還流し、再び温調調節される。これにより、第1架台110及び第2架台120の温度は一定に保たれ、周囲温度の影響を受けることはない。
ヒートシンク71は、第1架台110及び第2架台120の中で温度変化を抑制したい場所、すなわち当該部分が温度変化することにより、投影光学系30とレチクルとの距離に与える影響が大きい場所に配置される。具体的には、図1に示すように、第1架台110においては鏡筒支持盤111と第1架台接続部112とを連結している部分に、第2架台120おいては支持盤121と第2架台接続部122とを連結している部分に、それぞれヒートシンク71が配置される。
なお、ヒートシンク71が配置される場所は、上記に限られるものではなく、これ以外の場所に配置しても構わない。例えば、第1架台110の変形の影響が投影光学系30に及ぶのを防止すると同時に、投影光学系30を熱的に安定させるため、鏡筒支持盤111上の投影光学系30の支持部近傍にヒートシンク71を設けてもよい。
また、本実施形態においては、ヒートシンク71を第1架台110及び第2架台120とは別部材で構成したが、第1架台110及び第2架台120の内部に流路を形成し、この流路に温調流体供給部72から温調流体を供給する構成とすることもできる。
また、本実施形態においては、温調流体としてフッ素系不活性流体であるHFE(ハイドロフルオロエーテル)を用いているが、これに限らず、例えば、フロリナート(登録商標)や水を用いても構わない。
ところで、第1架台110には、図1に示すように、投影光学系用センサ(例えば、オートフォーカスセンサ)131を配置するためのセンサ支持体130が支持される。
センサ支持体130は、投影光学系用センサ131の計測に悪影響を与えないようにインバーにより形成される。インバーは、ニッケル(Ni)を36%程度含有する鉄鋼材料であって、上述した通り線膨張係数が1×10−6/K以下であり、代表的なステンレス鋼(SUS304)の1/10程度と、極めて小さいため、周囲温度の変化により投影光学系用センサ131の計測位置が変化したり計測値が真値からずれたりする不具合を最小限に抑えることができる。
そして、従来は、図4に示すように、平板状の第1架台510に設けられる穴部511は、投影光学系30の外形よりも十分に大きく形成され、その穴部113には、フランジを備えた円管形のセンサ支持体530が挿入され、更にセンサ支持体530の内側に投影光学系30が挿入されることにより、第1架台510が投影光学系30を間接的に支持していた。このように、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持する理由は、投影光学系用センサ131を配置したセンサ支持体530と投影光学系30とを一体として組み立てて、予め投影光学系用センサ131の調整を行うことにより、露光装置ST2の組み立て後に投影光学系用センサ131の調整を行う手間を減少させるためである。
しかしながら、インバーの縦弾性係数は、115Gpa程度であって、一般的な鉄鋼材料の縦弾性係数(160〜200Gpa程度)に比べて低い。したがって、重量物を支持する構造体材料としては不向きである。また、上述したように、投影光学系30の開口数NAの増大に伴い、投影光学系30の外径及び重量は増大傾向にある。このため、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持するために、センサ支持体530を大型化させるとともに、センサ支持体530が挿入される穴部511を大径化させる必要がある。
これに伴い、第1架台510が大型化してしまうが、露光装置ST,ST2の大きさや重量は、設置場所や輸送等の制約から、必ずしも無制限に大きくできるわけではない。したがって、センサ支持体530を介して投影光学系30を支持する構造は、益々、不利になってきている。
そこで、第1架台110においては、投影光学系30の重量を受け持つ部分と、投影光学系用センサ131の計測の安定性を受け持つ部分とを分離する。具体的には、第1架台110により、直接的に投影光学系30を支持するとともに、第1架台110の下面にセンサ支持体130を設置する。これにより、第1架台110に形成される穴部113の径は必要最小限に抑えることができるので、第1架台110の大型化を抑えることができる。
なお、投影光学系30と第1架台110の間にキネマティックマウントを設け、投影光学系30のあおり角を調整可能にする。また、投影光学系30への熱伝達を防止するために、上述の通り、第1架台110にヒートシンク71を配置してもよく、或いは第1架台110内にフッ素系不活性液体を循環させて冷却又は温調してもよい。
次に、基礎フレーム(支持構造体)200について説明する。
基礎フレーム200は、クリーンルームの床面F上に足部211を介して略水平に載置される。基礎フレーム200は、下部フレーム210と上部フレーム220とから構成される。
下部フレーム210は、ウエハステージ40を戴置する床部212と、床部212の上面から上下方向に所定の長さで伸びる支柱213とを備える。床部212と支柱213とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
上部フレーム220は、支柱213と同数の支柱221と、その支柱221同士をそれらの上部において連結する梁部222とを備える。支柱221と梁部222とは、締結手段等で連結される構造ではなく、一体に形成される。
そして、支柱213と支柱221とが、ボルト等により締結される。これにより、基礎フレーム200は、いわゆるラーメン構造(図3参照)となり、床部601と床部601の上面から上下方向に伸びる支柱602のみから構成される従来の基礎フレーム600に比べて、剛性を向上させることができる。
また、支柱213,221は、略同一長さに形成されて、締結されるので、露光装置STの振動に伴う応力が集中しやすい部分(各支柱213,221の根元部分)には連続した構造体が配置され、剛性の低い連結部分は応力が集中しづらい位置に配置される。このようにして、基礎フレーム200の剛性を、従来の基礎フレーム200に比べて、向上させることができる。
したがって、従来と略同程度の剛性を維持するのであれば、各支柱213,221を従来の支柱602に比べて細くしたり、或いは、円形や角形であった支柱を板形或いはL字形にしたりすることが可能となる。
なお、基礎フレーム200を、下部フレーム210と上部フレーム220とに上下二分割に形成するのは、基礎フレーム200の加工上の制約からであり、上下二分割にすることにより、下部フレーム210、上部フレーム220の加工(特に内面側の加工)が容易となるからである。また、下部フレーム210と上部フレーム220とを一体として形成(鋳造等)した後に上下二分割に切断してもよく、また、それぞれを別々に形成してもよい。
ところで、従来の基礎フレーム600が支柱602同士を連結する梁部を設けていないのは、支柱602の長さ(高さ)が短く、梁部を設けると、露光装置ST2の組み立て後に基礎フレーム600内に配置されるウエハステージ40のメンテナンスを行う開口が小さくなるという不都合があったからである。
一方、基礎フレーム200においては、第1架台110が逆アーチ形に形成されているので、本体フレーム100を支持する位置(防振ユニット150を設置する位置)が従来よりも、高い位置に配置され、これにより支柱213,221が長くなり、梁部222を設けても、ウエハステージ40のメンテナンスを行う開口部を十分に確保することが可能となる。また、梁部222と第1架台110の鏡筒支持盤111とが略同一の高さに位置するように配置(図1、図2参照)することにより、開口部を十分に大きく確保することが可能となる。
また、露光装置STの前方(図1の左側)に、レチクルローダ61、ウエハローダ62、制御系(不図示)等が配置され、更にその前方(左側)にコータディベロッパ70が配置される場合には、基礎フレーム200の側面方向(図1の紙面方向)に設けた開口部、及び本体フレーム100に形成された開口部を介してメンテナンス等を行うことが可能となるので、基礎フレーム200及び本体フレーム100の形状を有効に利用することができる。
また、上述したように、ウエハの大型化に伴い、ウエハステージ40の形状及び重量は増大傾向にある。このため、従来の本体フレーム500では、支柱602をウエハステージ40の外側に配置する必要があり、支柱602間の距離が長くなるとともに、第1架台510が大型化するので、第1架台510の剛性が低下するとともに、露光装置ST2の重量も増大してしまう。
一方、基礎フレーム200では、支柱213,221の形状が従来に比べて細く、或いは、板形或いはL字形に形成することができるので、支柱213,221を従来よりも自由に配置することが可能となる。したがって、基礎フレーム200の大型化を最小限に抑えることができる。また、梁部222上に防振ユニット150を配置することにより、第1架台110を大型化させることなく、支持することが可能である。したがって、露光装置STの重量増大を最小限に抑えることができる。
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
レチクルステージとしては、本実施形態のように、1枚のレチクルを用いるシングルホルダ方式のレチクルステージに限らず、1つの可動ステージ上で2枚のレチクルを保持するダブルホルダ方式のレチクルステージや、2枚のレチクルを互いに独立の可動ステージ上に載置するダブル・レチクルステージとしても良い。
また、本発明が適用される露光装置として、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置を用いてもよい。
また、本発明が適用される露光装置として、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置を用いてもよい。
また、露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
また、本発明が適用される露光装置の光源は、g線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合、マスクを用いる構成としてもよいし、マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成としてもよい。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。
また、投影光学系としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし(このとき、レチクルも反射型タイプのものを用いる)、また、電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は真空状態にすることはいうまでもない。
また、ウエハステージやレチクルステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。さらに、ステージの駆動装置として平面モータを用いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
ウエハステージの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査工程等を経て製造される。
産業上の利用の可能性
本発明は、露光装置であって、マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系と、前記投影光学系を支持する第1支持部材と、前記第1支持部材を支持する支持構造体とを有し、前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置は、前記第1支持部材が前記投影光学系を支持する位置よりも上方にあるので、第1支持部材が略逆アーチ形に形成され、投影光学系の振動が減少したり、第1支持部材を構成要素とする本体フレームの剛性を向上させたり、また、支持構造体を高剛性に構成することが可能となる。
Claims (12)
- マスクから射出された露光光を基板上に照射する投影光学系と、
前記投影光学系を支持する第1支持部材と、
前記第1支持部材を支持する支持構造体とを有し、
前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置は、前記第1支持部材が前記投影光学系を支持する位置よりも上方にあることを特徴とする露光装置。 - 前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置は、前記投影光学系の重心の位置と略同一の高さであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記支持構造体は、防振装置を備え、前記防振装置を介して前記第1支持部材を支持することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 投影光学系用センサが配置されるセンサ支持体を更に有し、
前記センサ支持体は、前記第1支持部材の下面側に配置されることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - マスクを保持するマスクステージと、
前記マスクステージを支持する第2支持部材とを更に有し、
前記第2支持部材は、前記支持構造体が前記第1支持部材を支持する位置で前記第1支持部材に接続されることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記第1支持部材は、前記第2支持部材よりも重量が大きいことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記第1支持部材は、前記第2支持部材よりも比重が大きい材料が用いられることを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記第2支持部材の材料は、金属マトリックス複合材であることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記第1支持部材と前記第2支持部材との少なくとも一方に、温調部が設けられることを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記支持構造体は、基板ステージを支持する床部と、前記第1支持部材を支持する複数の支柱と、前記支柱同士をそれらの上部において連結する少なくとも1本の梁部とを有し、
前記梁部と、前記第1支持部材が前記投影光学系を支持する位置とは、略同一の高さに配置されるように構成されることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記支柱は、高さ方向の中央部において上下に分割されるとともに、前記中央部において連結されている請求項10に記載の露光装置。
- リソグラフィ工程を有し、
前記リソグラフィ工程において、請求項1記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003148665 | 2003-05-27 | ||
JP2003148665 | 2003-05-27 | ||
JP2004118861 | 2004-04-14 | ||
JP2004118861 | 2004-04-14 | ||
PCT/JP2004/007445 WO2004107416A1 (ja) | 2003-05-27 | 2004-05-25 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004107416A1 true JPWO2004107416A1 (ja) | 2006-07-20 |
Family
ID=33492417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506520A Withdrawn JPWO2004107416A1 (ja) | 2003-05-27 | 2004-05-25 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7397534B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2004107416A1 (ja) |
KR (1) | KR20060009957A (ja) |
WO (1) | WO2004107416A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100514193C (zh) * | 2005-03-29 | 2009-07-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光装置的制造方法以及微元件的制造方法 |
GB2445573B (en) * | 2007-01-10 | 2009-08-26 | Vistec Lithography Ltd | Apparatus support structure |
JP5061013B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2012-10-31 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 装置構造及びその構造を備えた走査型プローブ顕微鏡 |
NL2002888A1 (nl) * | 2008-06-12 | 2009-12-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, composite material and manufacturing method. |
JP5420601B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2014-02-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子装置 |
CN104345573B (zh) * | 2013-08-02 | 2017-03-01 | 上海微电子装备有限公司 | 一种曝光装置的内部框架结构 |
JP6697563B2 (ja) * | 2016-01-07 | 2020-05-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
EP3280127B1 (de) * | 2016-08-05 | 2020-07-22 | Hexagon Technology Center GmbH | Kamerasystem |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01284793A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
JP2769897B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1998-06-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
NL9100407A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Philips Nv | Optisch lithografische inrichting met een krachtgecompenseerd machinegestel. |
US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US6246204B1 (en) | 1994-06-27 | 2001-06-12 | Nikon Corporation | Electromagnetic alignment and scanning apparatus |
US5559329A (en) * | 1994-08-31 | 1996-09-24 | Touchstone Research Laboratory, Ltd. | Scanning electron microscope fiber push-out apparatus and method |
JPH08111371A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-30 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP3894509B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2007-03-22 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP3221823B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2001-10-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびこれを用いた露光方法ならびに半導体製造方法 |
US6330052B1 (en) * | 1997-06-13 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
JP4298002B2 (ja) * | 1998-04-16 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
JPH11189332A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JPH11315883A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Canon Inc | 除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
US6333775B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-12-25 | Euv Llc | Extreme-UV lithography vacuum chamber zone seal |
JP2000269118A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
KR100323678B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2002-02-07 | 구자홍 | 화면비 변환 장치 |
US6774981B1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-08-10 | Nikon Corporation | Modular exposure apparatus with removable optical device and improved isolation of the optical device |
US20020080339A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus |
JPWO2002054460A1 (ja) * | 2000-12-27 | 2004-05-13 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6646719B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Support assembly for an exposure apparatus |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US6529260B2 (en) * | 2001-05-03 | 2003-03-04 | Nikon Corporation | Lifting support assembly for an exposure apparatus |
CN1484850A (zh) * | 2001-08-08 | 2004-03-24 | 尼康株式会社 | 载台系统及曝光装置,以及元件制造方法 |
JP2003068623A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Nikon Corp | ステージ装置およびステージ駆動方法並びに露光装置 |
JP2003120747A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Canon Inc | 除振装置及び露光装置 |
US6791644B2 (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-14 | Kohji Toda | Reflective liquid-crystal display |
-
2004
- 2004-05-25 KR KR1020057022482A patent/KR20060009957A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-05-25 WO PCT/JP2004/007445 patent/WO2004107416A1/ja active Application Filing
- 2004-05-25 JP JP2005506520A patent/JPWO2004107416A1/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-11-23 US US11/285,604 patent/US7397534B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7397534B2 (en) | 2008-07-08 |
WO2004107416A1 (ja) | 2004-12-09 |
US20060077368A1 (en) | 2006-04-13 |
KR20060009957A (ko) | 2006-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8767172B2 (en) | Projection optical device and exposure apparatus | |
EP2053461B1 (en) | Lithographic apparatus having a damping subassembly. | |
US7417711B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7557529B2 (en) | Stage unit and exposure apparatus | |
US7397534B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
WO2006009254A1 (ja) | 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP2001148341A (ja) | 露光装置 | |
US7167234B2 (en) | Actuator assembly and lithographic apparatus comprising such an actuator assembly | |
JPWO2003063212A1 (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
JP2004193425A (ja) | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
US7259832B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20050105069A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2006040927A (ja) | 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP2002217082A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
JP4200894B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法、及び保守方法 | |
JP5434498B2 (ja) | 光学素子の保持装置、光学系、及び露光装置 | |
US8102505B2 (en) | Lithographic apparatus comprising a vibration isolation support device | |
JP2009065043A (ja) | 物体吊り下げ装置、露光装置及び吊り下げ支持方法 | |
JP2005217303A (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2011100947A (ja) | 防振装置とその制御方法及びステージ装置並びに露光装置 | |
JP2005167063A (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2006066687A (ja) | 温調方法、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
EP1380899A2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2004235461A (ja) | 露光システム | |
JP2003068623A (ja) | ステージ装置およびステージ駆動方法並びに露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080804 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |