JPWO2004082019A1 - プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール - Google Patents

プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2004082019A1
JPWO2004082019A1 JP2005503493A JP2005503493A JPWO2004082019A1 JP WO2004082019 A1 JPWO2004082019 A1 JP WO2004082019A1 JP 2005503493 A JP2005503493 A JP 2005503493A JP 2005503493 A JP2005503493 A JP 2005503493A JP WO2004082019 A1 JPWO2004082019 A1 JP WO2004082019A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor plate
conductor
electrode
ground
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005503493A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4514709B2 (ja
Inventor
武広 白井
武広 白井
岩瀬 正幸
正幸 岩瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of JPWO2004082019A1 publication Critical patent/JPWO2004082019A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4514709B2 publication Critical patent/JP4514709B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274Electrical aspects
    • G02B6/4277Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274Electrical aspects
    • G02B6/428Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/38Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
    • G02B6/3807Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
    • G02B6/3873Connectors using guide surfaces for aligning ferrule ends, e.g. tubes, sleeves, V-grooves, rods, pins, balls
    • G02B6/3885Multicore or multichannel optical connectors, i.e. one single ferrule containing more than one fibre, e.g. ribbon type
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4292Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12043Photo diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0219Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09509Blind vias, i.e. vias having one side closed
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09554Via connected to metal substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09754Connector integrally incorporated in the PCB or in housing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10121Optical component, e.g. opto-electronic component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0323Working metal substrate or core, e.g. by etching, deforming
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126Assembling bases
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板(10a)と、複数の導体板上及び/又は複数の導体板を跨いで形成された絶縁層(10b)と、絶縁層上に形成された複数の配線パターン(10d)とを有し、複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホール(11a)によって電気的に接続されているプリント配線基板(10)、その製造方法、プリント配線基板を用いたリードフレームパッケージおよび光モジュール。

Description

この発明は、プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュールに関するものである。
従来、半導体装置には、搭載した半導体素子と配線パターンとの間をボンディングワイヤで接続し、樹脂封止したものが知られている(例えば、特許第2528192号公報参照。)。また、フィルム本体の表面に形成された配線パターンの端部がフィルム本体から突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブにおいては、フォトレジスト層を形成して配線パターンを形成すること、配線パターンとコンタクトピンをビアホールで電気的に接続すること、ビアホールを設けるスペースを確保することが知られている(例えば、特開2001−194387号公報参照。)。
このような半導体装置のうち、例えば、第22図に示す光モジュール1は、リードフレームパッケージ5、中間部材7a及び搭載ブロック8を有し、これらの構成部品をボンディングワイヤWで接続した後、電気絶縁性の合成樹脂で封止し、光ファイバ9aを有するフェルール9と一体化して製品とされる。
このとき、リードフレームパッケージ5は、プリント配線基板(PWB:Printed Wiring Board)2とリードフレーム3とが合成樹脂4でモールドされている。一方、プリント配線基板2は、所定形状に成形された導体板2a上に絶縁層2bと導体層からなる微細な配線パターン2dとを順次形成したマイクロストリップライン構造を有し、搭載した半導体素子(電子回路素子)6と配線パターン2dとの間がボンディングワイヤWで接続されている。また、搭載ブロック8には、シリコン基板8a上に基板面に対して垂直方向に光が入出射する光半導体素子8b、例えば、プレーナ型の受発光素子(VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser),プレーナPD(Photo Diode))が設けられている。プリント配線基板2は、マイクロストリップライン構造を採用することによって、光モジュール1におけるインピーダンス整合を図り、信号伝送特性の劣化を抑えるようにしている。
ところで、光モジュール1において構成部品の間をボンディングワイヤWで接続すると、マイクロストリップライン構造のプリント配線基板2を用いているにも拘わらず、ボンディングワイヤWの長さに起因したインダクタンスの影響により高周波信号の伝送特性が劣化する上、加工工数が多くなるという問題があった。また、リードフレームパッケージ5を構成するプリント配線基板2とリードフレーム3、及びリードフレームパッケージ5と共に用いられる中間部材7aを、個々に製造してから組立てられていることから製造コストが嵩み、光モジュール1も高価になってしまうという問題があった。
また、従来の光モジュール1においては、プレーナ型の受発光素子8bが搭載ブロック8の第1の面8a1に固定され、第1の面8a1と垂直な面8a2において、中間部材7a上に固定されている。導体板7bの先端部は、搭載ブロック8の第1の面8a1との間でワイヤボンディングの作業を容易にするため、中間部材7aの端面に沿って下方に垂直に折り曲げられ、この曲げられた部分に、ボンディングワイヤWの一端がボンディングされている。このため、中間部材7aの製造コストが高くなるという問題もあった。
この発明は、上述した問題点を解消するため、ワイヤボンディングの個所を少なくしてボンディングワイヤの長さに起因した信号伝送特性の劣化を抑え、また、搭載されるプレーナ型の光半導体素子との間のワイヤボンディング作業を容易に行うことができ、かつ、安価に製造可能なプリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュールを提供することを目的とする。
本発明にかかるプリント配線基板は、外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンと、を有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されていることを特徴とする。
この発明によれば、配線部の配線パターンと,外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となるため、ボンディングワイヤの長さに起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、安価に製造可能なプリント配線基板が提供される。ここにおいて、複数の配線パターンは、複数の導体板の1つの導体板をグランドとして有するマイクロストリップラインとして形成されたものであっても、あるいは複数の導体板の1つの導体板をグランドとして有し、このグランドに接続されたグランド用配線パターンが2つの信号伝送路間に配置されたグランド付きコプレーナ型の伝送路であってもよい。
また、本発明にかかるプリント配線基板は、上記の発明において、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含むことを特徴とする。
また、本発明にかかるプリント配線基板は、上記の発明において、前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明にかかるプリント配線基板は、上記の発明において、前記リード部は、隣接する2つの信号用リードの間に少なくとも1つのグランド用リードが配置され、前記少なくとも1つのグランド用リードは、前記配線部の導体板から一体的に形成され、かつ、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、プリント配線基板は、グランド用リードの接地電位が安定化し、隣接する信号用リード間が効果的に遮蔽される。このため、プリント配線基板は、信号用リード間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかるプリント配線基板は、上記の発明において、前記プリント配線基板は、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、プリント配線基板は、配線部の配線パターンと、外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となるため、ボンディングワイヤの長さに起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、マルチチャンネル光半導体素子(例えば、アレイレーザダイオード,アレイフォトダイオード等)を使用する場合における各チャンネル毎の配線パターンを、各チャンネルに対応した電極舌片として、外部回路接続用のリードと同時に作製することができるため、安価に製造可能なプリント配線基板が提供される。ここにおいて、複数の配線パターンは、配線部の導体板をグランドとして有するマイクロストリップラインとして形成されたものであっても、あるいは配線部の導体板をグランドとして有し、このグランドに接続されたグランド用配線パターンが2つの信号伝送路間に配置されたグランド付きコプレーナ型の伝送路であってもよい。
また、本発明にかかるプリント配線基板は、上記の発明において、前記搭載部は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に少なくとも一つのグランド用電極舌片が配置され、この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、プリント配線基板は、グランド用電極舌片の接地電位が安定化し、隣接する信号用電極舌片間が効果的に遮蔽される。このため、プリント配線基板は、信号用電極舌片間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、マルチチャンネル光半導体素子に、又はマルチチャンネル光半導体素子からの信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、導体板と、この導体板上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成された導体層とからなる基板を準備する第1の工程と、少なくとも前記導体層の所定部をエッチング又は/及びレーザ加工して前記複数の配線パターンを形成する第2の工程と、前記導体板をエッチングして複数の導体板に分離し、分離された前記複数の導体板を跨ぐ位置に前記絶縁層と配線パターンとを残す第3の工程と、前記複数の配線パターンの少なくとも1つを、分離された前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板とビアホールを介して電気的に接続する第4の工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、上記の発明において、前記第3の工程は、前記導体板を複数に分離することにより、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを形成することを特徴とする。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、上記の発明において、前記第3の工程は、前記リード部の導体板を、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離し、前記所定数の信号用リードを、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。
これにより、プリント配線基板の製造方法は、導体板とこの導体板上に積層された絶縁層とこの絶縁層上に形成された導体層とからなる基板から、所定の配線パターンを形成したプリント配線基板を、外部回路接続用のリードと同時に、かつ、単一の基板から形成することができる。また、リードと各配線パターンとがビアホールを介して接続されるので、これらの間のワイヤボンディングが不要となり、ボンディングワイヤの長さに起因した信号伝送特性の制限を受け難いプリント配線基板が提供される。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、上記の発明において、前記第3の工程は、隣接する2つの信号用リードの間に配置され、前記配線部の導体板から形成すると共に、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続される少なくとも1つのグランド用リードを形成する工程を含むことを特徴とする。
これにより、プリント配線基板の製造方法は、プリント配線基板に信号用リードとグランド用リードとを同時に形成することができる。また、隣接する信号用リード間に、配線部側の第2の部分からリード部側の第1の部分に連続して延びる導体板からなるグランド用リードを一体的に形成することができるため、プリント配線基板は、グランド用リードの接地電位が安定化し、隣接する信号用リード間が効果的に電磁遮蔽される。このため、本発明によって製造されたプリント配線基板は、信号用リード間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、上記の発明において、前記第3の工程は、前記リード部及び配線部と共に、分離された前記複数の導体板の更に他の1つを有し、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を形成し、該搭載部の導体板を、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離して対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片とする共に、前記信号用導体板舌片を、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンと電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。
これにより、プリント配線基板の製造方法は、マルチチャンネル光半導体素子に電気的に接続される各チャンネル毎の電極パターンを、各チャンネルに対応して分離された電極舌片上に形成し、また、この電極舌片を、外部回路接続用のリードと同時に作製することができるため、マルチチャンネル光半導体素子を使用する場合におけるプリント配線基板が安価に製造できる。
また、本発明にかかるプリント配線基板の製造方法は、上記の発明において、前記第3の工程は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に配置される少なくとも一つのグランド用電極舌片を形成する工程を含み、この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、エッチング又は/及びレーザ加工によって形成され、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、プリント配線基板の製造方法は、プリント配線基板に信号用電極舌片とグランド用電極舌片とを同時に形成することができる。また、信号用電極舌片間に、配線部側の第2の部分から搭載部側の第3の部分に連続して延びる導体板からなるグランド用電極舌片を一体的に形成することができるため、プリント配線基板は、グランド用電極舌片の接地電位が安定化し、隣接する信号用電極舌片間が効果的に電磁遮蔽される。このため、製造されたプリント配線基板は、信号用電極舌片間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、マルチチャンネル光半導体素子に、又はマルチチャンネル光半導体素子からの信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンと、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板の下面をモールドする電気絶縁性の合成樹脂と、を有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、上記の発明において、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含むことを特徴とする。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、上記の発明において、前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、リードフレームパッケージは、配線部の配線パターンと、外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となるため、ボンディングワイヤの長さのばらつき等に起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、安価に製造可能なリードフレームパッケージが提供される。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、上記の発明において、前記リード部は、隣接する2つの信号用リードの間に少なくとも1つのグランド用リードが配置され、前記少なくとも1つのグランド用リードは、前記配線部の導体板から一体的に形成され、かつ、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、リードフレームパッケージは、信号用リード間に、配線部側からリード部側に連続して延びる導体板から一体的に形成されたグランド用リードが配置されているため、リードフレームパッケージは、グランド用リードの接地電位が安定化し、隣接する信号用リード間が効果的に電磁遮蔽される。このため、リードフレームパッケージは、信号用リード間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、上記の発明において、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、リードフレームパッケージは、配線部の配線パターンと,外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となる。このため、ボンディングワイヤの長さに起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、マルチチャンネル光半導体素子(例えば、アレイレーザダイオード,アレイフォトダイオード等)を使用する場合における各チャンネル毎の配線パターンを、各チャンネルに対応した電極舌片として、外部回路接続用のリードと一体的に作製することができるので、安価に製造可能なリードフレームパッケージが提供される。
また、本発明にかかるリードフレームパッケージは、上記の発明において、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に配置される少なくとも一つのグランド用電極舌片を有し、この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、リードフレームパッケージは、信号用電極舌片間に、配線部側から搭載部側に連続して延びる導体板から一体的に形成されたグランド用電極舌片が配置されているため、リードフレームパッケージは、グランド用電極舌片の接地電位が安定化し、隣接する信号用電極舌片間が効果的に電磁遮蔽される。このため、リードフレームパッケージは、信号用電極舌片間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、マルチチャンネル光半導体素子に、又はマルチチャンネル光半導体素子からの信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかる光モジュールは、外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層及び前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンを有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されているプリント配線基板と、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板の下面を被包する電気絶縁性の合成樹脂モールドケースと、前記配線パターンに電気的に接続された光半導体素子と、前記光半導体素子に光結合した光ファイバと、を有することを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記プリント配線基板は、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含むことを特徴とする。
これにより、光モジュールは、配線部の配線パターンと,外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となる。このため、ボンディングワイヤの長さのばらつき等に起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、安価に製造可能な光モジュールが提供される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、光モジュールは、信号用リード間に、配線部側からリード部側に連続して延びる導体板から一体的に形成されたグランド用リードが配置されているため、光モジュールは、グランド用リードの接地電位が安定化し、隣接する信号用リード間が効果的に電磁遮蔽される。従って、光モジュールは、信号用リード間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記配線部もしくはグランド部に少なくとも一つの電子回路素子が実装され、この電子回路素子と前記配線部もしくはグランド部がワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記配線部に少なくとも一つの電子回路素子が固定或いは接続されていることを特徴とし、前記電子回路素子は、前記配線部にフリップチップボンディングにより固定或いは接続されていることを特徴とする。
これにより、電子回路素子との間にワイヤボンディングを使用する必要がなく、信号伝送特性の劣化が抑制又は防止可能な光モジュールが提供される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記プリント配線基板は、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、前記光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、光モジュールは、配線部の配線パターンと,外部回路接続用のリードとの間のワイヤボンドが不要となるため、ボンディングワイヤの長さのばらつき等に起因した信号伝送特性の制限を受け難く、かつ、マルチチャンネル光半導体素子(例えば、アレイレーザダイオード,アレイフォトダイオード等)を使用する場合における各チャンネル毎の配線パターンを、各チャンネルに対応した電極舌片として、外部回路接続用のリードと一体的に作製することができる。このため、マルチチャンネル光半導体素子を実装するための中間部材を別途準備する必要がなくなり、安価に製造可能な光モジュールが提供される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記搭載部は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に少なくとも一つのグランド用電極舌片が配置され、この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、光モジュールは、信号用電極舌片間に、配線部側から搭載部側に連続して延びる導体板から一体的に形成されたグランド用電極舌片が配置されているため、光モジュールは、グランド用電極舌片の接地電位が安定化し、隣接する信号用電極舌片間が効果的に電磁遮蔽される。このため、光モジュールは、信号用電極舌片間の電磁干渉(クロストーク)の発生が効果的に抑制又は防止され、マルチチャンネル光半導体素子に、又はマルチチャンネル光半導体素子からの信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記マルチチャンネル光半導体素子はプレーナ型であって、搭載ブロックの第1の面に固定され、この搭載ブロックは、前記第1の面と交差する第2の面を有し、該第2の面が前記プリント配線基板に向かい合うように接合された状態で前記プリント配線基板上部に固定されており、前記マルチチャンネル光半導体素子の各チャンネルは、対応する前記電極舌片の導体板の端面に直接ボンディングされた少なくとも1本のワイヤを介して対応する前記電極舌片に電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、光モジュールは、プレーナ型のマルチチャンネル光半導体素子と配線パターンとのワイヤボンディングによる接続を容易に行うことができる光モジュールが提供される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記マルチチャンネル光半導体素子はプレーナ型であって、搭載ブロックの第1の面に固定され、この搭載ブロックは、前記第1の面と交差する第2の面及び前記第1の面と前記第2の面とに連続して形成された配線パターンを有し、該搭載ブロックの第2の面の配線パターンが、前記プリント配線基板の搭載部の配線パターンと接触した状態で前記プリント配線基板に固定されていることを特徴とする。
これにより、ワイヤボンディングの個所を少なくした光モジュールが提供される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記配線部に少なくとも一つの電子回路素子が固定或いは接続されていることを特徴とし、前記電子回路素子は、前記配線部にフリップチップボンディングにより固定或いは接続されていることを特徴とする。
これにより、光モジュールは、電子回路素子とプリント配線基板との間にワイヤボンディングを使用する必要がなく、信号伝送特性の劣化が抑制又は防止される。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記光半導体素子は、所定位置に2次元方向に複数配置されていることを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記電子回路素子と少なくとも1つの前記光半導体素子とを有し、前記電子回路素子の少なくとも1つの電極と、所定の前記配線パターンとが半田バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層及び前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンとを有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されているプリント配線基板と、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が固定され、前記複数の導体板と少なくとも電気的に接する個所が電気絶縁性を有する固定部材と、前記配線パターンに電気的に接続された光半導体素子と、前記光半導体素子に光結合した光ファイバと、を有することを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記固定部材を設置する底板を有し、前記固定部材と前記底板との間には温度制御素子が配置されることを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記光半導体素子は、所定位置に2次元方向に複数配置されていることを特徴とする。
また、本発明にかかる光モジュールは、上記の発明において、前記電子回路素子と少なくとも1つの前記光半導体素子とを有し、前記電子回路素子の少なくとも1つの電極と、所定の前記配線パターンとが半田バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
第1図は、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板を示す断面図であり、第2図は、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板の製造に使用する基板の断面図であり、第3図は、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板の製造方法を示し、基板の導体層をエッチングして配線パターンを形成した状態の断面図であり、第4図は、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板の製造方法を示し、基板の絶縁層をエッチング及び/又はレーザ加工により除去してビアホール用の凹部を形成した状態の断面図であり、第5図は、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板の製造方法を示し、基板の導体板をエッチングして配線部グランドと複数のリード及び複数の電極舌片に分離した状態の断面図であり、第6図は、本発明の第2の実施形態であるリードフレームパッケージの製造方法を示し、第1図のプリント配線基板を合成樹脂でモールドした状態の断面図であり、第7図は、合成樹脂でモールドされたプリント配線基板からリード及び導体板舌片を所望長さに切断してリードフレームパッケージとする様子を示す断面図であり、第8図は、本発明の第3の実施形態である光モジュールを示す斜視図であり、第9図は、第7図に示すリードフレームパッケージにマルチチャンネル光半導体素子及び駆動用の電子回路部品(半導体素子)を搭載した断面図であり、第10図は、電気絶縁性の合成樹脂で封止したリードフレームパッケージとフェルールとを接合して構成される光モジュールの断面図であり、第11A図は、合成樹脂で封止した第10図のリードフレームパッケージにおいて、リードを折り曲げ加工して製造した光モジュールの断面図であり、第11B図は、第11A図の光モジュールにおける幅方向に沿った断面図であり、第12A図は、第11図に示す光モジュールの使用態様を示す斜視図であり、第12B図は、光モジュールの別の態様を示す斜視図であり、第13図は、第3の実施の形態例の光モジュールにおいて、封止した合成樹脂及びめっき層を除いてプリント配線基板、電子回路部品、ボンディングワイヤ、リード及び電極舌片を示した斜視図であり、第14図は、第13図において搭載部を下面側から見た底面図であり、第15A図は、第13図のグランド電極舌片に沿った断面図、第15B図は、信号用電極舌片に沿った断面図であり、第16図は、第3の実施の形態例の光モジュールの変形例を示す斜視図であり、第17図は、配線部とリード部のみを備えたプリント配線基板における端面発光型光半導体素子の搭載例を示す断面図であり、第18A図は、光モジュールにおいてボンディングワイヤを使用しないように構成した例を示す断面図であり、第18B図は、第18A図の電子回路部品(半導体素子)における電極とビアホールとの接続状態を示す断面図であり、第18C図は、電子回路部品(半導体素子)における電極と配線パターンとなる導体層との固定位置の例を示す平面図であり、第19A図は、搭載部の他の形態を示した図であり、第19B図は、搭載部の更に他の形態を示した図であり、第20図は、第13図における搭載部PMを上方から見た拡大図であり、第21図は、本発明の第4の実施形態である光モジュールを示す断面図であり、第22図は、従来の光モジュールの構成を示す断面図である。
以下、図面を参照して、この発明に係るプリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュールの好適な実施の形態について説明する。
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態であるプリント配線基板について説明する。第1図は、プリント配線基板を示す断面図である。第2図は、プリント配線基板の製造に使用する基板の断面図である。第3図〜第5図は、プリント配線基板の製造方法を示す断面図である。
なお、第1図〜第5図では、プリント配線基板の1単位の断面が図示されている。実際にプリント配線基板が製造される場合には、これらの図に示された1単位が、複数単位に亘って平面的に繰り返されたもの(図では左右及び/又は表裏方向に連なったもの)について、下記で説明する処理が一括して行われる。
プリント配線基板10は、第1図に示すように、導体板10aの上面に絶縁層10bを介して導体層からなるマイクロストリップライン構造の複数の配線パターン10dが形成された配線部PW、リード部PL及び搭載部PMを備えている。プリント配線基板10は、導体板10a上に絶縁層10bを介して導体層10cが一体に形成された第2図に示す基板Bをエッチング及び/又はレーザにより加工して製造され、導体板10aは、エッチング及び/又はレーザ加工によって配線部グランド10eと複数のリード10f及び導体板舌片10hとに分離されている。一方、複数の配線パターン10dには、所望の配線パターン10dに形成しためっき層11によってリード10f及び導体板舌片10hと接続されるビアホール11aが形成されている。このとき、ビアホール11aに代えてスルーホールを用い、例えば、リード10fと導体板舌片10hとを電気的に接続してもよい。
ここで、基板Bは、銅,銅合金あるいは42アロイ等の鉄−ニッケル合金からなる導体板10aと、弾性体や固体又はこれらの複合体等からなる絶縁体、例えば、ポリイミドシートからなる絶縁層10bと、導体、例えば、銅箔からなる導体層10cとを接着剤を使用することなくプレスによって圧着したもので、それぞれ導体板10aは厚さ約0.2mm、絶縁層10bは厚さ30μm、及び導体層10cは厚さ20μmである。但し、導体板10a,絶縁層10b及び導体層10cの各厚さは、所望の特性インピーダンスや絶縁層10bの誘電率等を考慮して適宜変更される。
本発明のプリント配線基板10の製造に際しては、先ず、導体板10aの下面および側面の全体と、後に配線パターン10dとなる導体層10cの表面に、フォトレジストマスクを形成し、露出部分の導体層10cをエッチング溶液でエッチングする。これにより、基板Bは、第3図に示す配線パターン10dが形成されると共に、部分的に絶縁層10bが露出する。次に、露出した絶縁層10bに、ビアホールを形成する部分を除いてフォトレジストマスクを形成し、絶縁層10bをヒドラジンを用いたエッチングもしくはレーザアブレーションにより除去する。これにより、基板Bは、第4図に示すように、絶縁層10bに導体板10aに至る凹部10gが形成される。なお、エッチング溶液は、対象とする金属種、エッチング処理温度や時間等により任意に選択するものである。例えば、金属が、銅や銅合金の場合には、塩化第二鉄溶液等が挙げられる。また、エッチング溶液は、数種類を使い分けて基板Bの所定部をエッチングしてもよい。ここで、エッチングは、ドライエッチングでもよい。
次いで、導体板10aの配線パターン10dを形成した上面全体及び下面の適宜個所をフォトレジストでマスクし、エッチング溶液で導体板10aの下面をエッチングする。これにより、第5図に示すように、導体板10aは、リード部PL側の第1の部分と、配線部PW側の第2の部分と、搭載部PM側の第3の部分とに分離される。このとき、リード部PL側の第1の部分では、隣接するリード10f間も同時にエッチング除去されて複数のリード10fが形成され、また、搭載部PM側の第3の部分でも、複数の導体板舌片10hが形成される。この後、基板Bの所望の配線パターン10d及び凹部10gに銅のめっき層11を形成し、配線パターン10dとリード10f、又は配線パターン(電極パターン)10dと導体板舌片10hとを電気的に接続するビアホール11aを形成する。このようにして第1図に示すプリント配線基板10が製造される。
このように、本発明のプリント配線基板10は、導体板10a上に絶縁層10bを介して導体層10cが一体に形成された基板Bをエッチング又はレーザ加工して製造され、複数のリード10fが形成されたリード部PLと、マイクロストリップラインからなる複数の配線パターン10dを有する配線部PWと、導体板舌片10h及びこの上部の絶縁層10bと配線パターン(電極パターン)10dとからなる複数の電極舌片10iを有する搭載部PMとを含み、リード10fとこれに対応する配線パターン(電極パターン)10d及び導体板舌片10hとこれに対応する配線パターン(電極パターン)10dとがビアホール11aによって電気的に接続されている。このため、プリント配線基板10は、リード10fと配線パターン10d又は導体板舌片10hと配線パターン(電極パターン)10dとの間のワイヤボンディングが不要となることから、ボンディングワイヤの長さのばらつき等に起因した信号伝送特性の制限を受けず、かつ、配線部PWとリード部PL、搭載部PMとを、単一の基板から同時に形成することができるので、安価である。
なお、上記第1の実施の形態例に係るプリント配線基板10においては、複数の配線パターン10dは、配線部グランド(第2の部分)10eを有するマイクロストリップラインとして形成されたものであるが、複数の配線パターン10dを、配線部グランド10eを有し、配線部グランド10eに接続されたグランド用配線パターンが2つの信号伝送路間に配置されてなるグランド付コプレーナ型の伝送路として形成してもよい。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態であるリードフレームパッケージについて説明する。第6図は、本発明の第2の実施形態であるリードフレームパッケージの製造方法を示し、プリント配線基板10を合成樹脂でモールドした状態の断面図である。第7図は、合成樹脂でモールドされたプリント配線基板10からリード10f及び導体板舌片10hを所望長さに切断してリードフレームパッケージとする様子を示す断面図である。
本発明の第2の実施形態であるリードフレームパッケージ20は、第1の実施形態で示したリード部PL及び搭載部PMを有するプリント配線基板10から製造される。先ず、電気絶縁性及び熱可塑性を有するポリフェニレンスルフィド(PPS)樹脂やポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂あるいは電気絶縁性及び熱硬化性を有するエポキシ樹脂等の合成樹脂21によって、第6図に示すように、プリント配線基板10の導体板10a下面及び搭載部PMをインサートモールドによって被包する。このとき、合成樹脂21によってプリント配線基板10の搭載部PM上部に後述の搭載ブロックを搭載する段部21aを形成する。
そして、第7図に点線で示すように、合成樹脂21から延出した複数のリード10f及び導体板舌片10hを所望長さに切断した後、これらの切断端面を研磨すると共にAuめっきをして、リードフレームパッケージ20とする。
このように、リードフレームパッケージ20は、第1の実施形態のプリント配線基板10を合成樹脂21でモールドし、リード10f及び導体板舌片10hを所望長さに切断して切断端面を研磨,めっき処理して製造される。このため、リードフレームパッケージ20は、加工が容易で、安価に製造することができるうえ、ワイヤボンディング個所が少なくできるので、インピーダンス特性も安定している。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第8図は、この発明の第3の実施形態を示す光モジュール30の斜視図である。第9図は、第7図に示すリードフレームパッケージ20にマルチチャンネルの光半導体素子32及び駆動用の電子回路部品(半導体素子)33を搭載した断面図である。第10図は、電気絶縁性の合成樹脂で封止したリードフレームパッケージ20とフェルール35とを接合して構成される光モジュール30の断面図である。
光モジュール30は、横一列に配置される光半導体素子32を4個有しており、第8図に示すように、合成樹脂ケース34aで封止されたリードフレームパッケージ20とフェルール35とが接合され、側方へ延出した複数のリード10fが曲げ加工されている。フェルール35は、本体35aにガイドピン35bと、横一列に4つ配置された光半導体素子32に対応して4本の光ファイバ35cが横一列に設けられている。
光半導体素子32としては、その基板面に対して垂直方向に光が入射あるいは出射するプレーナ型の受発光素子アレイ(VCSEL,PD)等が用いられる。光モジュール30の製造に際しては、先ず、第9図に示すように、リードフレームパッケージ20の段部21aに設置する搭載ブロック(シリコン基板)31の第1の面31aに、光半導体素子32を横一列に4個固定し、この面と垂直な第2の面31bと段部21aとを対向させて固定する。これにより、各光半導体素子32の基板面は、導体板10aの上面と垂直となる。また、配線部PWのめっき層11上に、IC等の駆動用電子回路部品33を設ける。そして、搭載ブロック31と各光半導体素子32との間、搭載ブロック31と導体板舌片10hとの間、電子回路部品33と2箇所のめっき層11との間を、それぞれボンディングワイヤWで接続する。
なお、図示されていないが、搭載ブロック31の第1の面31aには、光半導体素子32との電気的接続を行うために必要な配線パターンが形成されており、各光半導体素子32と導体板舌片10hとの電気的接続は、この配線パターンを介して行われる。そして、搭載ブロック31の第1の面31a上の配線パターンと導体板舌片10hとを接続するボンディングワイヤは、導体板舌片10h側においては、搭載ブロック31の第1の面31aと略平行な端面10jに接続されている。
次に、第10図に示すように、リードフレームパッケージ20上に固定された光半導体素子32及び電子回路部品33を合成樹脂ケース34aで囲繞し、4個の光半導体素子32の各チャンネルに対応した複数の光ファイバ35cを固定したフェルール35を、各光ファイバ35cが4個の光半導体素子32の各チャンネル光結合するように合成樹脂ケース34aと接合する。このとき、リードフレームパッケージ20のリード部PLの複数のリード10fは、合成樹脂ケース34aから所定長さ延出される。そして、合成樹脂ケース34aとリードフレームパッケージ20とで囲まれる内部の空間に合成樹脂34bが充填される。なお、フェルール35は、多芯コネクタ42(第12A図参照)との位置合わせのための2本のガイドピン35bを本体35aに有している。
次いで、第10図の長手方向に沿った断面である第11A図及び幅方向に沿った断面である第11B図に示すように、合成樹脂ケース34aから延出しているリード10fを予め設定された位置で折り曲げ加工して光モジュール30の製造が完了する。このようにして製造された光モジュール30は、第12A図に示すように、所定の回路が形成された回路基板40に搭載され、各リード10fを介して所定の回路と電気的に接続され、また、ガイドピン35bを利用して多芯コネクタ42と接続される。これにより、光モジュール30は、4個の光半導体素子32とリボン型光ファイバ43の対応する光ファイバとが光学的に接続される。
また、光モジュールの別の態様は、第12B図に示す光モジュール30のように、リード10fを折り曲げ加工した形状が略L字状であって、回路基板40の所定位置に設けられたスルーホールに挿通固定され、各リード10fを介して所定の回路と電気的に接続されるものである。また、第12B図に示す光モジュール30は、所定位置の平面内に複数の光半導体素子32が2次元方向に配置されている。即ち、第12B図に示す光モジュール30は、横一列に4個配置される光半導体素子32を上下に2列有している。このため、フェルール35は、上下2列の光半導体素子32に対応して、第12B図に示すように、本体35aに、4本の光ファイバ35cが横一列に上下2列設けられている。
また、複数の光半導体素子32は、例えば、縦方向に2個、横方向に6個の合計12個、縦方向に3個、横方向に3個の合計9個、或いはそれ以上の個数が、それぞれ2次元方向に配置されたものであってもよい。
なお、リード10fは、折り曲げ加工せず、回路基板40の板面と平行なものであってもよい。例えば、光モジュールを収容可能な孔を回路基板40の所定位置に設け、リード10fと回路基板40の配線とを電気的に接続可能な位置まで光モジュールを移動させれば、リード10fは折り曲げ加工しなくともよい。また、回路基板40の所定位置にリード10fと回路基板40の配線とを電気的に接続可能な位置まで配線する、例えば、配線台を設けることにより、リード10fは折り曲げ加工しなくともよい。このように、リード10fの形状は任意に設計可能である。
これにより、光モジュール30は、例えば、光半導体素子32がVCSELである場合には、第11A図に示すように、回路基板40側から入力された駆動電流が、右端のリード10f→ビアホール11a→ボンディングワイヤW→電子回路部品33→ボンディングワイヤW→ビアホール11a→導体板舌片10h→ボンディングワイヤW→搭載ブロック31→ボンディングワイヤW→光半導体素子32と流れ、光半導体素子32から出射された光が多芯コネクタ42に取り付けたリボン型光ファイバ43によって伝送されてゆく。
また、光半導体素子32がプレーナPDである場合には、上記とは逆の経路を辿って、光半導体素子32で生じた光信号電流が外部回路に導かれる。
このように、光モジュール30は、導体板10a上に絶縁層10bを介して導体層10cが一体に形成された基板Bをエッチング及び/又はレーザ加工して配線部PWとリード部PL及び/又は搭載部PMとが同時に形成され、これら各部がビアホール11aによって電気的に接続される。このため、光モジュール30は、従来の光モジュールに比べてワイヤボンディングの個所が少なくなるので、ボンディングワイヤWの長さのばらつき等に起因したインダクタンスのばらつき影響が減少し、また、配線パターン10dを高精度にばらつきなく形成することができるので、インピーダンス特性も安定し、信号伝送特性の劣化が抑えられる。また、光モジュール30は、加工が容易であることから安価に製造することができるという利点がある。
また、プレーナ型の光半導体素子32は、搭載ブロック31の第1の面31aに固定され、この面に垂直な第2の面31bにおいて段部21aに接合されることにより、その基板面が導体板10aの上面と垂直となる。このため、光ファイバ35cへの光の入出射方向とプレーナ型の光半導体素子32の光の入出射方向が合わせられる。そして、同時に、プレーナ型の光半導体素子32と、導体板舌片10hとを電気的に接続するボンディングワイヤWの両端が、搭載ブロック31の第1の面31aと、これに略平行な導体板舌片10hの端面10jにボンディングされているので、ワイヤボンディングの作業を効率よく行うことができる。
ここで、第13図は、光モジュール30において、プリント配線基板10、電子回路部品33並びにボンディングワイヤWを示したもので、リード部PLの複数のリード10fが曲げ加工されている。但し、第13図においては、めっき層11の図示は省略されている。また、第14図は、第13図の搭載部PMを下面側から見た図、第15A図は、第13図に示す複数の電極舌片におけるグランド用電極舌片10i(G)に沿った断面図、第15B図は、信号用電極舌片10i(S)に沿った断面図である。
第14図,第15A図,第15B図に示すように、搭載部PMの隣接する信号用電極舌片10i(S)の間には、配線部PWの導体板10a(配線部グランド10e)から搭載部PMに向かって連続して延びるグランド用導体板舌片10h(G)と、このグランド用導体板舌片10h(G)上で搭載部PMと配線部PWとに跨って積層された絶縁層10bと、この絶縁層10b上に形成された配線パターン(グランド用電極パターン)10dとからなるグランド用電極舌片10i(G)が配設されている。このようにして、各信号用電極舌片10i(S)がグランド用電極舌片10i(G)に挟まれて交互に配列され、複数の電極舌片10iが構成されている。なお、図では簡単のため信号用電極舌片10i(S)は2本だけ示した。
そして、グランド用電極舌片10i(G)のグランド用導体板舌片10h(G)は、第15A図に示すように、ビアホール11aを介して、配線部PWに繋がる配線パターン(グランド用電極パターン)10dと電気的に接続される。また、信号用電極舌片10i(S)の信号用導体板舌片10h(S)は、第15B図に示すように、ビアホール11aを介して、配線部PWに繋がる配線パターン(信号用電極パターン)10dと電気的に接続される。これにより、グランド用電極舌片10i(G)においては、グランド用導体板舌片10h(G)とこの上に形成される配線パターン(グランド用電極パターン)10dがともに配線部グランド10eに電気的に接続される。一方、信号用電極舌片10i(S)においては、信号用導体板舌片10h(S)とこの上に形成される配線パターン(信号用電極パターン)10dは、配線部グランド10eに電気的に接続されることなく、配線部PWの配線パターン10dにつながることとなる。
このようにして、プリント配線基板10では、第13図〜第15図に示したように、グランド用電極舌片10i(G)が、配線部グランド10eと連続して一体に形成されたグランド用導体板舌片10h(G)を有するので、その接地電位が安定する。したがって、グランド用電極舌片10i(G)の間に信号用電極舌片10i(S)が配置されることにより、複数の信号用電極舌片10i(S)間が効果的に電磁遮蔽される。このため、プリント配線基板10を用いた光モジュール30では、信号用電極舌片10i(S)間の電磁干渉が効果的に抑制されるので、チャンネル間のクロストークが効果的に抑えられ、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
このようなグランド用電極舌片10i(G)は、プリント配線基板10を作製する際に、信号用電極舌片10i(S)と同時に形成することができる。すなわち、搭載部PMを、導体板10aのエッチングによって複数の電極舌片に10iに分離するに際し、グランド用導体板舌片10h(G)となる部分が、配線部PWの導体板10a(配線部グランド10e)から分離しないように、即ち、配線部PW側にある第2の部分と搭載部PM側にある第3の部分とに分離しないようにエッチングマスクを形成すればよい。このように、グランド用電極舌片10i(G)は、非常に簡易な方法によって形成することができる。
なお、上記においては、搭載部PMにおける電極舌片10iにグランド用電極舌片10i(G)を形成することについて説明したが、同様にして、リード部PLにおけるリード10fについても、信号用リード10f(S)間に配線部グランド10eと連続して一体的に形成されたグランド用リード10f(G)を配設することができる。このような構成によれば、光モジュール30は、グランド用リード10f(G)の接地電位が安定となり、隣接する信号用リード10f(S)間をグランド用リード10f(G)で効果的に電磁遮蔽することができる。従って、光モジュール30は、第12A図に示す回路基板40から伝送される信号が、リード部PLにて電磁干渉を起こすことが効果的に抑制又は防止されるので、チャンネル間のクロストークが抑えられ、信号伝送特性、例えば、S/N比の劣化が抑制又は防止される。
この場合、グランド用リード10f(G)は、グランド用電極舌片10i(G)と同様、配線部PWの導体板10a(配線部グランド10e)からリード部PLに向かって連続して延びる導体板10aによって構成され、プリント配線基板10を作製する際に、信号用リード10f(S)と同時に形成することができる。即ち、搭載部PMを、導体板10aのエッチングによって複数のリード10fに分離するに際し、グランド用リード10f(G)となる部分が、配線部PWの導体板10a(配線部グランド10e)から分離しないように、配線部PW側にある第2の部分と、リード部PL側にある第1の部分とに分離しないようにエッチングマスクを形成すればよい。
ここで、第20図は、第13図における搭載部PMの一例を上方から見た拡大図である。第20図に示されるように、搭載部PMの複数の電極舌片10iにおいては、配線パターン10dと導体板舌片10hとを電気的に接続するビアホール11aは、隣接する電極舌片10i間で、電極舌片10iの長手方向の位置が異なるように形成されている。配線パターン10dと導体板舌片10hとの電気的接続を確実にするためには、ビアホール11aにはある程度の大きさが必要となり、その直径は配線パターン10d及び導体板舌片10hの幅よりも大きくなる。このため、このように大径のビアホールを電極舌片10iの長手方向において同一の位置に並べると、各電極舌片10i間のピッチが大きくなり、通常採用される光ファイバアレイのピッチ(例えば、250μm)に合わせて作製されるマルチチャンネルの光半導体素子におけるチャンネル間ピッチと整合しなくなる。そこで、隣接する電極舌片10i間でビアホール11aの位置をずらすことによって、かかる問題を回避し、電極舌片10i間のピッチを狭くすることを可能としたものである。これにより、本発明のプリント配線基板10を用いて、小型の光モジュール30を作製することを可能としたものである。なお、光ファイバアレイのピッチは、光ファイバの種類、例えば、太さや形状(断面形状、また光ケーブルやリボン状等の多心型)等によって任意のピッチに設計することができる。
なお、光モジュール30は、幅方向両側並びにガイドピン35bを設けた前部に対して背面側となる後部の三方に複数のリード10fが延出する構成であったが、用途や設計によっては、第16図に示すように、幅方向両側のみに複数のリード10fが延出する構成であってもよい。また、リード10fは、幅方向片側のみ、あるいは光モジュール30の下面からのみ延出するものでもよい。
また、第18A図に示すように、光モジュール30では、光半導体素子32を固定した搭載ブロック31の第1の面31aと、これに垂直な第2の面31bとに連続して光半導体素子32と配線パターン10dとの間を接続する配線パターン31cを形成し、搭載ブロック31の第2の面31bの配線パターン31cが、プリント配線基板10の搭載部PMの配線パターン10d(めっき層11)に接触した状態で、搭載ブロック31をプリント配線基板10上に固定してもよい。
なお、電子回路部品33が、平面上に配置される複数の電極を介して配線パターン10dとなる導電層10cと平面内で接続されるとき、第18B図に示すように、電極に対応する半田バンプ36を介して導電層10cと接続する。
このとき、第18C図に示すように、複数の電極と複数の導電層10cとのそれぞれの接続位置L11〜L33が、縦3つ×横3つ、あるいはそれ以上あるときには、それぞれの接続位置L11〜L33に導電層10cが存在することになる。このため、周囲を他の接続位置L11〜L33によって囲まれている接続位置L22は、スペース上の制約によって導電層10cを設けることが困難になる。従って、電子回路部品33が、他の接続位置L11〜L33によって囲まれた接続位置L22を有するとき、接続位置L22においては、第18B図に示すように、ビアホール37を介して導体層10kと接続する。これにより、電子回路部品33においては、接続位置L22にある電極が、半田バンプ36,ビアホール37,導体層10kを介して配線パターン10d(導電層10c)と接続される。
このとき、ビアホール37に代えてスルーホールを用いて接続してもよいし、半田バンプ36と導体層10kとを直接接続してもよい。このようにすると、電子回路部品33は、電極の数が増え、周囲を他の接続位置によって囲まれている接続位置が生じても、導体層との接続が可能となる。また、導電層10kは、それ自身が配線パターン10dのように所望の配線を可能に配線パターンを形成していてもよいし、ビアホール11a等、所定の配線パターンと電気的に接続されていてもよい。
さらに、プレーナ型の光半導体素子32の表面における反射光の影響を抑制するため、第19A図に示されるように、段部21aを導体板10aの上面に対して3°〜10°、好ましくは6°〜9°程度の傾角を持った斜面に形成することによって、搭載ブロック31の第1の面31aに固定されたプレーナ型の光半導体素子32の基板面が導体板10aの上面に対して非垂直となるようにしてもよい。また、第19B図に示されるように、搭載ブロック31の第1の面31aと第2の面31bとが直角ではない角度で交差するように搭載ブロック31を構成し、第2の面31bを導体板10aの上面に対して平行に形成された段部21aに固定することによって、プレーナ型の光半導体素子32に関する基板面が導体板10aの上面に対して非垂直となるようにしてもよい。さらに、図示しないが、搭載ブロック31を導体板10aの上面に垂直な軸の周りに3°〜10°、好ましくは6°〜9°程度回転させた位置で段部21aに固定したり、または光ファイバ35cの入出射端面を斜めに加工してもよい。上記のような構成によれば、光モジュール30は、プレーナ型の光半導体素子32の入出射面(基板面に平行)と光ファイバ35cの入出射端面とが非平行となるため、反射光による悪影響が抑制又は防止される。
さらに、光モジュール30では、配線部PWに、光半導体素子32の駆動用のIC等の電子回路部品33をフリップチップボンディングによって固定してもよい。このような構成によれば、電子回路部品33とプリント配線基板10の配線部PWの配線パターン10dとを接続するボンディングワイヤを更に少なくすることができるので、光モジュール30は、信号伝送特性の低下を一層抑えることができる。
なお、本発明の光モジュール30においては、電子回路部品33はなくてもよく、リード部PLのリード10fと搭載部PMに搭載される光半導体素子32とが、電子回路部品33を介することなく接続されていてもよい。また、プリント配線基板10において、搭載部PMは必須ではなく、配線部PWとリード部PLのみを備えていてもよい。この場合には、第17図に示すように、配線部PWのめっき層11上に、端面出射型の半導体レーザダイオードや導波路型(端面受光型)フォトダイオード等の光半導体素子32を固定し、配線パターン10dとの間をボンディングワイヤWで接続すればよい。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。第21図は、この発明の第4の実施形態を示す光モジュール50の断面図である。第3の実施形態の光モジュール30は、光半導体素子32及び駆動用の電子回路部品(半導体素子)33を搭載したリードフレームパッケージ20を電気絶縁性の合成樹脂で封止した。これに対し、光モジュール50は、光半導体素子32及び駆動用の電子回路部品33を搭載したリードフレームパッケージ20が、蓋51、側壁52、底板54及びフェルール55によって封止されている。光モジュール50の内部は、例えば、窒素ガス(N)等や水分量等が管理された気体によって封止されていることが望ましい。
光モジュール50は、図21に示すように、導体板10e,10f,10hを上方に固定した固定部材53が、底板54に固定され、導体板10fが絶縁体56を介して側壁52から外部へ延出している。このとき、光モジュール50は、横一列に複数個配列された光半導体素子32を有している。また、電子回路部品33は、複数のリード33aと導電層10cとが半田によって接合されている。このため、フェルール55は、光半導体素子32の数に対応した複数の光ファイバ55cを有し、各光ファイバ55cは各光半導体素子32のチャンネルと光結合されている。光モジュール50は、フェルール55の本体55aに設けたガイドピン55bを利用して多芯コネクタ(図示せず)と接続され、光半導体素子32が光ファイバ55cを介して前記多芯コネクタの光ファイバと光学的に接続される。
このとき、固定部材53は、少なくとも導体板10e,10f,10hと接する部分が電気絶縁性と熱伝導性を有することが望ましい。固定部材53が熱伝導性を有すると、光モジュール50は、底板54を介して放熱や加熱が可能となる。また、固定部材53は、少なくとも導体板10e,10f,10hと接する部分に電気絶縁層を形成した金属や、熱伝導性の合成樹脂,アルミナ(Al),窒化アルミニウム(AlN)等の非金属を使用する。一方、底板54は、銅,銅合金等の金属、熱伝導性の合成樹脂,アルミナ(Al),窒化アルミニウム(AlN)等の非金属を使用することができる。
また、光モジュール50は、固定部材53と底板54との間に温度制御素子を入れ、外部から、例えば、温度変化に伴い光半導体素子32や電子回路部品33を所望の温度に制御することができる。更に、光モジュール50内部の所定位置に温度検知センサを設けると、より正確に温度を制御することができる。
尚、本発明の光モジュールは、フェルールが有する光ファイバによって光半導体素子の各チャンネルと光結合され、前記フェルールによって外部の光コネクタ等の光部品と結合される。しかし、本発明の光モジュールにおいては、例えば、フェルールが有する光ファイバを長尺なものとし、この光ファイバが光半導体素子の各チャンネルと光結合されると共に、外部へ導出されるものであってもよい。このとき、外部へ導出された光ファイバは、端部に設けた光コネクタによって他の光ファイバと光結合されるか、或いは他の光ファイバと融着接続によって光結合される。
更に、発光素子と受光素子を備えた光モジュールの場合には、発光素子を発光させる電気の発光信号の大きさ比べ、受光素子が受光して電気に変換された受光信号が小さいことから、発光信号と受光信号との間で電磁干渉(クロストーク)が発生することがある。このため、このような光モジュールにおいては、例えば、発光素子のグランドと受光素子のグランドとが分離されるように、複数の導体板を構成してもよい。
以上のように、本発明にかかるプリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュールは、ワイヤボンディングの個所を少なくしてボンディングワイヤの長さのばらつき等に起因した信号伝送特性の劣化を抑え、また、搭載されるプレーナ型の光半導体素子との間のワイヤボンディング作業を容易に行うことができ、かつ、安価に製造するのに有用である。

Claims (35)

  1. 外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、
    前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層と、
    前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンと、
    を有し、
    前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されている
    ことを特徴とするプリント配線基板。
  2. 前記プリント配線基板は、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含む
    ことを特徴とする請求の範囲第1項に記載のプリント配線基板。
  3. 前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、
    前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第2項に記載のプリント配線基板。
  4. 前記リード部は、隣接する2つの信号用リードの間に少なくとも1つのグランド用リードが配置され、
    前記少なくとも1つのグランド用リードは、前記配線部の導体板から一体的に形成され、かつ、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第2項又は第3項に記載のプリント配線基板。
  5. 前記プリント配線基板は、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、
    該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、
    前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第2項乃至第4項のいずれか一つに記載のプリント配腺基板。
  6. 前記搭載部は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に少なくとも一つのグランド用電極舌片が配置され、
    この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第5項に記載のプリント配線基板。
  7. 導体板と、この導体板上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成された導体層とからなる基板を準備する第1の工程と、
    少なくとも前記導体層の所定部をエッチング又は/及びレーザ加工して前記複数の配線パターンを形成する第2の工程と、
    前記導体板をエッチング又は/及びレーザ加工して複数の導体板に分離し、分離された前記複数の導体板を跨ぐ位置に前記絶縁層と配線パターンとを残す第3の工程と、
    前記複数の配線パターンの少なくとも1つを、分離された前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板とビアホールを介して電気的に接続する第4の工程と、
    を有することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
  8. 前記第3の工程は、前記導体板を複数に分離することにより、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを形成する
    ことを特徴とする請求の範囲第7項に記載のプリント配線基板の製造方法。
  9. 前記第3の工程は、前記リード部の導体板を、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離し、
    前記所定数の信号用リードを、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続する工程を含む
    ことを特徴とする請求の範囲第8項に記載のプリント配線基板の製造方法。
  10. 前記第3の工程は、隣接する2つの信号用リードの間に配置され、前記配線部の導体板から形成すると共に、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続される少なくとも1つのグランド用リードを形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求の範囲第9項に記載のプリント配線基板の製造方法。
  11. 前記第3の工程は、前記リード部及び配線部と共に、分離された前記複数の導体板の更に他の1つを有し、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を形成し、
    該搭載部の導体板を、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離して対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片とする共に、
    前記信号用導体板舌片を、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンと電気的に接続する工程を含む
    ことを特徴とする請求の範囲第8項乃至第10項のいずれか一つに記載のプリント配線基板の製造方法。
  12. 前記第3の工程は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に配置される少なくとも一つのグランド用電極舌片を形成する工程を含み、
    この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、エッチング又は/及びレーザ加工によって形成され、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第7項乃至第11項のいずれか一つに記載のプリント配線基板の製造方法。
  13. 外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、
    前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層と、
    前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンと、
    前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板の下面をモールドする電気絶縁性の合成樹脂と、
    を有し、
    前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されている
    ことを特徴とするリードフレームパッケージ。
  14. 前記リードフレームパッケージは、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含む
    ことを特徴とする請求の範囲第13項に記載のリードフレームパッケージ。
  15. 前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、
    前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第14項に記載のリードフレームパッケージ。
  16. 前記リード部は、隣接する2つの信号用リードの間に少なくとも1つのグランド用リードが配置され、
    前記少なくとも1つのグランド用リードは、前記配線部の導体板から一体的に形成され、かつ、ビアホールを介して、前記複数の配線パターンの対応する配線パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第14項又は第15項に記載のリードフレームパッケージ。
  17. 前記リードフレームパッケージは、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、
    該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、
    前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第14項乃至第16項のいずれか一つに記載のリードフレームパッケージ。
  18. 前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に配置される少なくとも一つのグランド用電極舌片を有し、
    この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第17項に記載のリードフレームパッケージ。
  19. 外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層及び前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンとを有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されているプリント配線基板と、
    前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板の下面を被包する電気絶縁性の合成樹脂モールドケースと、
    前記配線パターンに電気的に接続された光半導体素子と、
    前記光半導体素子に光結合した光ファイバと、
    を有することを特徴とする光モジュール。
  20. 前記プリント配線基板は、分離された前記複数の導体板の1つを有するリード部と、分離された前記複数の導体板の他の1つを有し、前記リード部と電気的に接続される配線部とを含む
    ことを特徴とする請求の範囲第19項に記載の光モジュール。
  21. 前記リード部の導体板は、前記複数の配線パターンに対応した所定数の信号用リードにさらに分離され、
    前記所定数の信号用リードは、ビアホールによって、それぞれ対応する前記配線パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第20項に記載の光モジュール。
  22. 前記配線部に少なくとも一つの電子回路素子が固定或いは接続されていることを特徴とする請求の範囲第20項又は第21項に記載の光モジュール。
  23. 前記電子回路素子は、前記配線部にフリップチップボンディングにより固定或いは接続されていることを特徴とする請求の範囲第22項に記載の光モジュール。
  24. 前記プリント配線基板は、前記リード部と所定の前記配線パターンとが電気的に接続され、前記光半導体素子を複数有するマルチチャンネル光半導体素子との電気的接続のための複数の信号用電極舌片を有し、各信号用電極舌片に電極パターンが形成された搭載部を更に含み、
    該搭載部の導体板は、前記マルチチャンネル光半導体素子のチャンネルに対応した所定数の信号用導体板舌片にさらに分離されて対応する電極パターンと共に前記複数の信号用電極舌片として構成され、
    前記信号用導体板舌片は、ビアホールによってそれぞれ対応する前記電極パターンに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第20項乃至第23項のいずれか一つに記載の光モジュール。
  25. 前記搭載部は、前記複数の信号用電極舌片のうちの隣接する2つの信号用電極舌片の間に少なくとも一つのグランド用電極舌片が配置され、
    この少なくとも一つのグランド用電極舌片は、前記配線部側から前記搭載部側に向かって連続して延びる前記導体板からなるグランド用導体板舌片と、このグランド用導体板舌片上に積層された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグランド用電極パターンとを有してなり、前記グランド用導体板舌片は、ビアホールを介して、前記グランド用電極パターンと電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第24項に記載の光モジュール。
  26. 前記マルチチャンネル光半導体素子はプレーナ型であって、搭載ブロックの第1の面に固定され、
    この搭載ブロックは、前記第1の面と交差する第2の面を有し、該第2の面が前記プリント配線基板に向かい合うように接合された状態で前記プリント配線基板上部に固定されており、
    前記マルチチャンネル光半導体素子の各チャンネルは、対応する前記電極舌片の導体板の端面に直接ボンディングされた少なくとも1本のワイヤを介して対応する前記電極舌片に電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求の範囲第24項又は第25項に記載の光モジュール。
  27. 前記マルチチャンネル光半導体素子はプレーナ型であって、搭載ブロックの第1の面に固定され、
    この搭載ブロックは、前記第1の面と交差する第2の面及び前記第1の面と前記第2の面とに連続して形成された配線パターンを有し、
    該搭載ブロックの第2の面の配線パターンが、前記プリント配線基板の搭載部の配線パターンと接触した状態で前記プリント配線基板に固定されている
    ことを特徴とする請求の範囲第24項又は第25項に記載の光モジュール。
  28. 前記配線部に少なくとも一つの電子回路素子が固定或いは接続されていることを特徴とする請求の範囲第24項乃至第27項のいずれか一つに記載の光モジュール。
  29. 前記電子回路素子は、前記配線部にフリップチップボンディングにより固定或いは接続されていることを特徴とする請求の範囲第28項に記載の光モジュール。
  30. 前記光半導体素子は、所定位置に2次元方向に複数配置されていることを特徴とする請求の範囲第19項乃至第29項のいずれか一つに記載の光モジュール。
  31. 前記電子回路素子と少なくとも1つの前記光半導体素子とを有し、
    前記電子回路素子の少なくとも1つの電極と、所定の前記配線パターンとが半田バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求の範囲第30項に記載の光モジュール。
  32. 外部回路との電気的接続のためのリードとして用いられる少なくとも1つの導体板を含み、互いに空間的に分離された複数の導体板と、前記複数の導体板上及び/又は前記複数の導体板を跨いで形成された絶縁層及び前記絶縁層上に形成された複数の配線パターンとを有し、前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が、前記複数の配線パターンの少なくとも1つとビアホールによって電気的に接続されているプリント配線基板と、
    前記複数の導体板の少なくとも1つの導体板が固定され、前記複数の導体板と少なくとも電気的に接する個所が電気絶縁性を有する固定部材と、
    前記配線パターンに電気的に接続された光半導体素子と、
    前記光半導体素子に光結合した光ファイバと、
    を有することを特徴とする光モジュール。
  33. 前記固定部材を設置する底板を有し、前記固定部材と前記底板との間には温度制御素子が配置されることを特徴とする請求の範囲第32項に記載の光モジュール。
  34. 前記光半導体素子は、所定位置に2次元方向に複数配置されていることを特徴とする請求の範囲第32項又は第33項に記載の光モジュール。
  35. 前記電子回路素子と少なくとも1つの前記光半導体素子とを有し、
    前記電子回路素子の少なくとも1つの電極と、所定の前記配線パターンとが半田バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求の範囲第32項乃至第34項のいずれか一つに記載の光モジュール。
JP2005503493A 2003-03-11 2004-03-04 プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール Expired - Fee Related JP4514709B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003065475 2003-03-11
JP2003065475 2003-03-11
PCT/JP2004/002722 WO2004082019A1 (ja) 2003-03-11 2004-03-04 プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2004082019A1 true JPWO2004082019A1 (ja) 2006-06-15
JP4514709B2 JP4514709B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=32984496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005503493A Expired - Fee Related JP4514709B2 (ja) 2003-03-11 2004-03-04 プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7355862B2 (ja)
EP (1) EP1603158B1 (ja)
JP (1) JP4514709B2 (ja)
CN (1) CN100440500C (ja)
WO (1) WO2004082019A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
JP5197156B2 (ja) * 2007-06-19 2013-05-15 キヤノン株式会社 配線基板
KR101580925B1 (ko) * 2009-04-28 2015-12-30 삼성전자주식회사 칩온 보드 타입의 패키지
CN102263086B (zh) * 2010-05-28 2013-04-17 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装结构
US20120074131A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Seagate Technology Llc Integrated resistive heaters for microelectronic devices and methods utilizing the same
KR101434395B1 (ko) * 2011-09-21 2014-09-02 한국전자통신연구원 양방향 광 송수신 장치
US8491315B1 (en) * 2011-11-29 2013-07-23 Plastronics Socket Partners, Ltd. Micro via adapter socket
JP6005362B2 (ja) * 2012-01-19 2016-10-12 日本航空電子工業株式会社 光モジュール及び光伝送モジュール
JP2013225595A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及び半導体パッケージ並びにそれらの製造方法
DE102012215449A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe
JP6136545B2 (ja) * 2013-05-07 2017-05-31 日立金属株式会社 光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュール
JP6790372B2 (ja) * 2016-02-05 2020-11-25 富士電機株式会社 半導体装置
JP6412900B2 (ja) * 2016-06-23 2018-10-24 株式会社東芝 高周波半導体用パッケージ
WO2018110513A1 (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 株式会社村田製作所 能動素子、高周波モジュールおよび通信装置
CN107548244B (zh) * 2017-08-30 2020-02-28 景旺电子科技(龙川)有限公司 一种双面夹芯铜基板内部铜基之间绝缘的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697318A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 半導体装置用配線基板

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845313A (en) * 1985-07-22 1989-07-04 Tokyo Communication Equipment Co., Ltd. Metallic core wiring substrate
JPH01199497A (ja) * 1987-11-10 1989-08-10 Ibiden Co Ltd 電子部品塔載用基板
JP2528192B2 (ja) 1990-01-12 1996-08-28 株式会社三井ハイテック 半導体装置
US5434750A (en) * 1992-02-07 1995-07-18 Lsi Logic Corporation Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes
US5483100A (en) * 1992-06-02 1996-01-09 Amkor Electronics, Inc. Integrated circuit package with via interconnections formed in a substrate
US5661086A (en) * 1995-03-28 1997-08-26 Mitsui High-Tec, Inc. Process for manufacturing a plurality of strip lead frame semiconductor devices
JP2917868B2 (ja) * 1995-07-31 1999-07-12 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100203934B1 (ko) * 1996-02-17 1999-06-15 윤종용 패턴닝된 리드프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
JPH09260560A (ja) 1996-03-21 1997-10-03 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム及びその製造方法
US5869898A (en) * 1997-04-25 1999-02-09 Nec Corporation Lead-frame having interdigitated signal and ground leads with high frequency leads positioned adjacent a corner and shielded by ground leads on either side thereof
JP3171172B2 (ja) * 1998-09-25 2001-05-28 日本電気株式会社 混成集積回路
JP3434473B2 (ja) * 1999-07-23 2003-08-11 古河電気工業株式会社 光モジュール用シリコンプラットフォーム
JP4190111B2 (ja) 1999-10-29 2008-12-03 富士通株式会社 高周波モジュール
JP2001194387A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Mitsubishi Materials Corp コンタクトプローブおよびその製造方法
JP3650001B2 (ja) * 2000-07-05 2005-05-18 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP1387367B1 (en) * 2001-01-29 2007-01-10 JSR Corporation Composite particle for dielectrics, ultramicroparticulate composite resin particle, composition for forming dielectrics and use thereof
JP2002333552A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Fujitsu Ltd 光装置
JP2003007916A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
JP2003031755A (ja) 2001-07-18 2003-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 積層リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法
JP2003060281A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697318A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 半導体装置用配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
US7832092B2 (en) 2010-11-16
EP1603158B1 (en) 2021-06-09
CN100440500C (zh) 2008-12-03
US7355862B2 (en) 2008-04-08
US20080172871A1 (en) 2008-07-24
US20050208789A1 (en) 2005-09-22
EP1603158A1 (en) 2005-12-07
JP4514709B2 (ja) 2010-07-28
EP1603158A4 (en) 2009-07-15
WO2004082019A1 (ja) 2004-09-23
CN1757111A (zh) 2006-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7355862B2 (en) Printed wiring board, method of manufacturing the printed wiring board, lead frame package, and optical module
US9477038B2 (en) Photoelectric composite wiring module
US7406229B2 (en) Optical module
US7306377B2 (en) Integrated optical sub-assembly having epoxy chip package
US20020118924A1 (en) Optical module and method of manufacturing the same, and optical transmission device
US8111954B2 (en) Module substrate including optical transmission mechanism and method of producing the same
CN106058634B (zh) 光学器件封装体和光学器件装置
EP1477832A1 (en) Optical module comprising an optoelectronic component mounted in a hole of a substrate
JP5376617B2 (ja) 光電変換モジュール
US6959125B2 (en) Printed board unit for optical transmission and mounting method
US6693304B2 (en) Laminated lead frame, and optical communication module and method of manufacturing the same
JP2004093606A (ja) 光モジュール及び光伝送装置
CN107658691B (zh) 光半导体装置
US6492698B2 (en) Flexible circuit with two stiffeners for optical module packaging
CN112188731A (zh) 内埋式元件结构及其制造方法
JP5302177B2 (ja) 光導波路基板および光電気混載装置
JP7300625B2 (ja) 半導体装置の実装構造、光モジュール、及び半導体装置の実装構造の製造方法
JP4053453B2 (ja) 光モジュール
JP7113325B2 (ja) 光モジュール構造体
JP2000100496A (ja) 同軸接続子およびそれを用いた半導体実装装置
JP2900900B2 (ja) 光導波路型デバイス
JP2001174657A (ja) 光配線層、光・電気配線基板及び実装基板
JP2004347811A (ja) 光結合構造及び光結合方法、光結合素子、光配線基板
JP2004221482A (ja) 半導体素子組立体およびフレキシブルプリント基板部品
JP2003347561A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100511

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4514709

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees