JP2003060281A - 発光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
発光モジュール及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性の著しい劣化を招くことなく表面
実装を可能とする小型の発光モジュール及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 発光モジュール１０は、半導体発光素子
１４と、半導体発光素子１４を収容するパッケージ１２
と、リード端子２２と、を備える。パッケージ１２は、
素子搭載面Ｓ２、素子搭載面Ｓ２の周りに設けられた側
面部接合面Ｓ３及び側面部接合面Ｓ３の周りに設けられ
たリード接合面Ｓ１を含む底面部３４と、底面部３４の
側面部接合面Ｓ３上に接合される側面部３６とを有す
る。半導体発光素子１４は、底面部３４の素子搭載面Ｓ
２上に搭載されていると共に、リード端子２２は、底面
部３４のリード接合面Ｓ１上に接合されている。
実装を可能とする小型の発光モジュール及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 発光モジュール１０は、半導体発光素子
１４と、半導体発光素子１４を収容するパッケージ１２
と、リード端子２２と、を備える。パッケージ１２は、
素子搭載面Ｓ２、素子搭載面Ｓ２の周りに設けられた側
面部接合面Ｓ３及び側面部接合面Ｓ３の周りに設けられ
たリード接合面Ｓ１を含む底面部３４と、底面部３４の
側面部接合面Ｓ３上に接合される側面部３６とを有す
る。半導体発光素子１４は、底面部３４の素子搭載面Ｓ
２上に搭載されていると共に、リード端子２２は、底面
部３４のリード接合面Ｓ１上に接合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光モジュール及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光モジュールは、一般に半導体レーザ
などの半導体発光素子と、この半導体発光素子を収容す
るハウジングとを備えている。ハウジングは、複数のリ
ード端子を有するいわゆるバタフライ型のパッケージで
あり、半導体発光素子はこれらのリード端子を介して駆
動信号を受ける。
などの半導体発光素子と、この半導体発光素子を収容す
るハウジングとを備えている。ハウジングは、複数のリ
ード端子を有するいわゆるバタフライ型のパッケージで
あり、半導体発光素子はこれらのリード端子を介して駆
動信号を受ける。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の発光モジュールは、側面部と底面部とが一体成
形された一体構造のパッケージを有し、サブアセンブリ
として組み立てられた半導体発光素子を含む光学部分
が、かかるパッケージ内に組み込まれる構造を有してい
た。従って、サブアセンブリを組み込むための治具とパ
ッケージの側面部とが干渉することを避けたり、パッケ
ージ内に組み込まれたサブアセンブリに配線を施す際に
側面部が邪魔になることを避けたりするために、パッケ
ージ内に余分なスペースが必要となり、モジュールの小
型化を図ることが困難であった。
た従来の発光モジュールは、側面部と底面部とが一体成
形された一体構造のパッケージを有し、サブアセンブリ
として組み立てられた半導体発光素子を含む光学部分
が、かかるパッケージ内に組み込まれる構造を有してい
た。従って、サブアセンブリを組み込むための治具とパ
ッケージの側面部とが干渉することを避けたり、パッケ
ージ内に組み込まれたサブアセンブリに配線を施す際に
側面部が邪魔になることを避けたりするために、パッケ
ージ内に余分なスペースが必要となり、モジュールの小
型化を図ることが困難であった。
【０００４】また、上記した従来の発光モジュールで
は、リード端子はパッケージ内に収容されている半導体
発光素子の高さと同じ高さ位置において、パッケージの
側面部に接合されていた。従って、リード端子を折り曲
げてかかる発光モジュールを実装基板に表面実装しよう
とすると、パッケージの側面部におけるリード端子の接
合位置と実装基板の表面との距離が離れている分だけ、
リード端子の長さが長くなった。このように、リード端
子の長さが長くなり、また上記したように発光モジュー
ル自体の大きさが大きくなると、高周波信号が入力する
リード端子の一端から半導体発光素子までの経路が長く
なり、その結果、発光モジュールの高周波特性が著しく
劣化するおそれがあった。
は、リード端子はパッケージ内に収容されている半導体
発光素子の高さと同じ高さ位置において、パッケージの
側面部に接合されていた。従って、リード端子を折り曲
げてかかる発光モジュールを実装基板に表面実装しよう
とすると、パッケージの側面部におけるリード端子の接
合位置と実装基板の表面との距離が離れている分だけ、
リード端子の長さが長くなった。このように、リード端
子の長さが長くなり、また上記したように発光モジュー
ル自体の大きさが大きくなると、高周波信号が入力する
リード端子の一端から半導体発光素子までの経路が長く
なり、その結果、発光モジュールの高周波特性が著しく
劣化するおそれがあった。
【０００５】そこで本発明は、高周波特性の著しい劣化
を招くことなく表面実装を可能とする小型の発光モジュ
ール及びその製造方法を提供することを目的とする。
を招くことなく表面実装を可能とする小型の発光モジュ
ール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光モジュ
ールは、半導体発光素子と、半導体発光素子を収容する
パッケージと、リード端子と、を備える。パッケージ
は、素子搭載面、素子搭載面の周りに設けられた側面部
接合面、及び側面部接合面の周りに設けられたリード接
合面を含む底面部と、底面部の側面部接合面上に接合さ
れる側面部とを有する。半導体発光素子は、底面部の素
子搭載面上に搭載されていると共に、リード端子は、底
面部のリード接合面上に接合されている。
ールは、半導体発光素子と、半導体発光素子を収容する
パッケージと、リード端子と、を備える。パッケージ
は、素子搭載面、素子搭載面の周りに設けられた側面部
接合面、及び側面部接合面の周りに設けられたリード接
合面を含む底面部と、底面部の側面部接合面上に接合さ
れる側面部とを有する。半導体発光素子は、底面部の素
子搭載面上に搭載されていると共に、リード端子は、底
面部のリード接合面上に接合されている。
【０００７】この発光モジュールでは、パッケージは底
面部と側面部とが別体で構成されているため、底面部に
半導体発光素子を搭載して必要な配線を施した後、底面
部に側面部を接合することが可能となる。従って、半導
体発光素子を搭載するときや配線を施すときに側面部が
邪魔になるおそれがないため、パッケージ内に余分なス
ペースが不要となって、モジュールの小型化を図ること
が可能となる。
面部と側面部とが別体で構成されているため、底面部に
半導体発光素子を搭載して必要な配線を施した後、底面
部に側面部を接合することが可能となる。従って、半導
体発光素子を搭載するときや配線を施すときに側面部が
邪魔になるおそれがないため、パッケージ内に余分なス
ペースが不要となって、モジュールの小型化を図ること
が可能となる。
【０００８】また、リード端子はパッケージの底面部に
接合されているため、表面実装に際し、リード端子が側
面部に接合されている場合と比べてリード端子の長さを
短くすることができると共に、上記したようにモジュー
ル自体の大きさを小さくすることができるため、高周波
信号が入力するリード端子の一端から半導体発光素子ま
での経路が短くなって、高周波特性が著しく劣化するこ
とを抑制することができる。
接合されているため、表面実装に際し、リード端子が側
面部に接合されている場合と比べてリード端子の長さを
短くすることができると共に、上記したようにモジュー
ル自体の大きさを小さくすることができるため、高周波
信号が入力するリード端子の一端から半導体発光素子ま
での経路が短くなって、高周波特性が著しく劣化するこ
とを抑制することができる。
【０００９】本発明に係る発光モジュールでは、素子搭
載面は、リード接合面よりも上方に位置すると好まし
い。このように、素子搭載面がリード接合面より上方に
位置することで、発光モジュールの調芯作業が容易にな
ると共に、リード接合面が素子搭載面より下方に位置す
ることで、表面実装に際しリード端子の長さを短くする
ことができる。
載面は、リード接合面よりも上方に位置すると好まし
い。このように、素子搭載面がリード接合面より上方に
位置することで、発光モジュールの調芯作業が容易にな
ると共に、リード接合面が素子搭載面より下方に位置す
ることで、表面実装に際しリード端子の長さを短くする
ことができる。
【００１０】本発明に係る発光モジュールでは、側面部
接合面は、リード接合面と素子搭載面との間の高さに位
置すると好ましい。このようにすれば、パッケージ側面
部の側面部接合面への接合作業が容易になる。
接合面は、リード接合面と素子搭載面との間の高さに位
置すると好ましい。このようにすれば、パッケージ側面
部の側面部接合面への接合作業が容易になる。
【００１１】本発明に係る発光モジュールでは、底面部
は、一の主面に配線部が設けられたパッケージ基板とパ
ッケージ基板の該一の主面上に搭載される配線基板とを
含み、パッケージ基板の配線基板を搭載する側の主面は
リード接合面を含み、配線基板のパッケージ基板と対面
する側とは反対側の主面は素子搭載面を含むと好まし
い。このようにすれば、パッケージ基板と配線基板とに
よりパッケージの底面部が容易に構成される。
は、一の主面に配線部が設けられたパッケージ基板とパ
ッケージ基板の該一の主面上に搭載される配線基板とを
含み、パッケージ基板の配線基板を搭載する側の主面は
リード接合面を含み、配線基板のパッケージ基板と対面
する側とは反対側の主面は素子搭載面を含むと好まし
い。このようにすれば、パッケージ基板と配線基板とに
よりパッケージの底面部が容易に構成される。
【００１２】本発明に係る発光モジュールでは、配線基
板にはビアが設けられており、ビア内には素子搭載面と
パッケージ基板のリード接合面を含む主面とを電気的に
接続するための導電部が形成されていると好ましい。こ
のようにすれば、リード端子を通して入力された高周波
信号が伝送する経路を短くすることができ、高周波特性
の劣化を抑制することができる。
板にはビアが設けられており、ビア内には素子搭載面と
パッケージ基板のリード接合面を含む主面とを電気的に
接続するための導電部が形成されていると好ましい。こ
のようにすれば、リード端子を通して入力された高周波
信号が伝送する経路を短くすることができ、高周波特性
の劣化を抑制することができる。
【００１３】本発明に係る発光モジュールでは、パッケ
ージ基板上であって配線基板の周りには絶縁層が設けら
れており、絶縁層のパッケージ基板と対面する側とは反
対側の主面は側面部接合面を含むと好ましい。このよう
にすれば、パッケージ基板の配線部とパーケージの側面
部との間で電気的な絶縁が図られる。
ージ基板上であって配線基板の周りには絶縁層が設けら
れており、絶縁層のパッケージ基板と対面する側とは反
対側の主面は側面部接合面を含むと好ましい。このよう
にすれば、パッケージ基板の配線部とパーケージの側面
部との間で電気的な絶縁が図られる。
【００１４】本発明に係る発光モジュールでは、半導体
発光素子を駆動するための駆動素子を備え、駆動素子は
底面部の素子搭載面上に搭載されていると好ましい。こ
のようにすれば、半導体発光素子に隣接して駆動素子を
配置することが可能となり、伝送速度の向上を図ること
が可能となる。
発光素子を駆動するための駆動素子を備え、駆動素子は
底面部の素子搭載面上に搭載されていると好ましい。こ
のようにすれば、半導体発光素子に隣接して駆動素子を
配置することが可能となり、伝送速度の向上を図ること
が可能となる。
【００１５】本発明に係る発光モジュールでは、半導体
発光素子の光出射面から出射された光を集光させる集光
レンズを備え、集光レンズは底面部の素子搭載面上に搭
載されていると好ましい。表面実装型の発光モジュール
では、通常、シリコンベンチに半導体発光素子を搭載す
ると共に、シリコンベンチに設けられたＶ溝に光ファイ
バを配置するパッシブアライメント技術が用いられ、半
導体発光素子と光ファイバとが直接結合される。しかし
ながら、パッシブアライメント技術では、シリコンベン
チを用いることが必須となる。シリコンベンチは半導体
であり電気的な寄生容量を有するため、半導体発光素子
の高速変調が妨げられるおそれがある。これに対し、集
光レンズを用いて半導体発光素子と光ファイバとを光学
的に結合させると、かかるパッシブアライメント技術が
不要となるため、半導体発光素子の高速変調が妨げられ
るおそれが低減される。
発光素子の光出射面から出射された光を集光させる集光
レンズを備え、集光レンズは底面部の素子搭載面上に搭
載されていると好ましい。表面実装型の発光モジュール
では、通常、シリコンベンチに半導体発光素子を搭載す
ると共に、シリコンベンチに設けられたＶ溝に光ファイ
バを配置するパッシブアライメント技術が用いられ、半
導体発光素子と光ファイバとが直接結合される。しかし
ながら、パッシブアライメント技術では、シリコンベン
チを用いることが必須となる。シリコンベンチは半導体
であり電気的な寄生容量を有するため、半導体発光素子
の高速変調が妨げられるおそれがある。これに対し、集
光レンズを用いて半導体発光素子と光ファイバとを光学
的に結合させると、かかるパッシブアライメント技術が
不要となるため、半導体発光素子の高速変調が妨げられ
るおそれが低減される。
【００１６】本発明に係る発光モジュールでは、パッケ
ージの側面部には、半導体発光素子の光出射面から出射
された光が通る孔が設けられていると好ましい。このよ
うにすれば、半導体発光素子の光出射面から出射された
光は、パッケージの側面部に設けられた孔を通してパッ
ケージ外部に出射される。
ージの側面部には、半導体発光素子の光出射面から出射
された光が通る孔が設けられていると好ましい。このよ
うにすれば、半導体発光素子の光出射面から出射された
光は、パッケージの側面部に設けられた孔を通してパッ
ケージ外部に出射される。
【００１７】本発明に係る発光モジュールでは、側面部
の孔が設けられた部位には、光ファイバが内蔵されたフ
ェルールを保持するホルダーが接合されており、半導体
発光素子の光出射面と光ファイバの一端とは、孔を通し
て光学的に結合されていると好ましい。このようにすれ
ば、半導体発光素子の光出射面から出射された光は、パ
ッケージ側面部の孔を通って光ファイバの一端に入力さ
れ、光ファイバ内を伝搬して外部に出射される。
の孔が設けられた部位には、光ファイバが内蔵されたフ
ェルールを保持するホルダーが接合されており、半導体
発光素子の光出射面と光ファイバの一端とは、孔を通し
て光学的に結合されていると好ましい。このようにすれ
ば、半導体発光素子の光出射面から出射された光は、パ
ッケージ側面部の孔を通って光ファイバの一端に入力さ
れ、光ファイバ内を伝搬して外部に出射される。
【００１８】本発明に係る発光モジュールの製造方法
は、パッケージの底面部の素子搭載面上に半導体発光素
子を搭載し、素子搭載面上にワイヤリング配線を施した
後、底面部上にパッケージの側面部を接合すると好まし
い。
は、パッケージの底面部の素子搭載面上に半導体発光素
子を搭載し、素子搭載面上にワイヤリング配線を施した
後、底面部上にパッケージの側面部を接合すると好まし
い。
【００１９】この製造方法では、パッケージの底面部に
半導体発光素子を搭載するときや配線を施すときに、パ
ッケージの側面部が邪魔になるおそれがないため、パッ
ケージ内に余分なスペースを取る必要がなくなり、モジ
ュールの小型化を図ることが可能となる。また、上記し
たようにモジュールの小型化を図ることができるため、
高周波信号の入力部から半導体発光素子までの経路を短
くすることができ、高周波特性の劣化を抑制することが
可能となる。
半導体発光素子を搭載するときや配線を施すときに、パ
ッケージの側面部が邪魔になるおそれがないため、パッ
ケージ内に余分なスペースを取る必要がなくなり、モジ
ュールの小型化を図ることが可能となる。また、上記し
たようにモジュールの小型化を図ることができるため、
高周波信号の入力部から半導体発光素子までの経路を短
くすることができ、高周波特性の劣化を抑制することが
可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る発光モジュール及びその製造方法の実施形態につ
いて説明する。なお、図面の説明において同一の要素に
は同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
に係る発光モジュール及びその製造方法の実施形態につ
いて説明する。なお、図面の説明において同一の要素に
は同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２１】図１は、本実施形態に係る発光モジュール
を示す分解斜視図である。また図２は、本実施形態に係
る発光モジュールを示す一部破断斜視図である。図１及
び図２に示す通り、発光モジュール１０は、パッケージ
１２と、半導体発光素子１４と、駆動素子１６と、モニ
タ用受光素子１８と、集光レンズ２０と、リード端子２
２と、光ファイバ２４が内部に挿入されたフェルール２
６と、フェルール２６を収容するスリーブ２８と、スリ
ーブ２８を保持するホルダ３０と、コネクタ３２とを備
えている。
を示す分解斜視図である。また図２は、本実施形態に係
る発光モジュールを示す一部破断斜視図である。図１及
び図２に示す通り、発光モジュール１０は、パッケージ
１２と、半導体発光素子１４と、駆動素子１６と、モニ
タ用受光素子１８と、集光レンズ２０と、リード端子２
２と、光ファイバ２４が内部に挿入されたフェルール２
６と、フェルール２６を収容するスリーブ２８と、スリ
ーブ２８を保持するホルダ３０と、コネクタ３２とを備
えている。
【００２２】パッケージ１２は、それぞれ別体で構成さ
れた底面部３４と側面部３６と上面部３８とを有してい
る。このうち底面部３４は、パッケージ基板４０と、パ
ッケージ基板４０の上面に搭載された配線基板４２と、
パッケージ基板４０の上面であって配線基板４２の周り
に設けられた絶縁層４４とを有している。
れた底面部３４と側面部３６と上面部３８とを有してい
る。このうち底面部３４は、パッケージ基板４０と、パ
ッケージ基板４０の上面に搭載された配線基板４２と、
パッケージ基板４０の上面であって配線基板４２の周り
に設けられた絶縁層４４とを有している。
【００２３】パッケージ基板４０は、窒化アルミ（Ａｌ
Ｎ）から形成されている。このパッケージ基板４０は、
上下面が長方形状をなす板状の部材である。パッケージ
基板４０の上面には、リード端子２２から入力される高
周波の変調信号を伝送するための配線部４６が形成され
ている。そして、パッケージ基板４０の上面であって絶
縁層４４を取り巻く周縁部が、リード端子２２を接合す
るためのリード接合面Ｓ１として機能している。
Ｎ）から形成されている。このパッケージ基板４０は、
上下面が長方形状をなす板状の部材である。パッケージ
基板４０の上面には、リード端子２２から入力される高
周波の変調信号を伝送するための配線部４６が形成され
ている。そして、パッケージ基板４０の上面であって絶
縁層４４を取り巻く周縁部が、リード端子２２を接合す
るためのリード接合面Ｓ１として機能している。
【００２４】配線基板４２は、アルミナセラミックある
いは窒化アルミ（ＡｌＮ）からなる基板を多数積層して
なる多層配線基板である。この配線基板４２は、上下面
がパッケージ基板４０よりも一周り小さい長方形状をな
している。配線基板４２の下面は、パッケージ基板４０
の上面に直接接合されている。一方、配線基板４２の上
面は、半導体発光素子１４や駆動素子１６などの素子を
搭載する素子搭載面Ｓ２として機能している。そして、
この配線基板４２の半導体発光素子１４や駆動素子１６
などの素子を搭載する領域の近傍には、配線基板４２の
上下面を貫通するビア４８が設けられており、このビア
４８内には導電性の金属が埋め込まれて導電部５０が形
成されている。この導電部５０は、パッケージ基板４０
の上面に設けられた配線部４６と接続されている。
いは窒化アルミ（ＡｌＮ）からなる基板を多数積層して
なる多層配線基板である。この配線基板４２は、上下面
がパッケージ基板４０よりも一周り小さい長方形状をな
している。配線基板４２の下面は、パッケージ基板４０
の上面に直接接合されている。一方、配線基板４２の上
面は、半導体発光素子１４や駆動素子１６などの素子を
搭載する素子搭載面Ｓ２として機能している。そして、
この配線基板４２の半導体発光素子１４や駆動素子１６
などの素子を搭載する領域の近傍には、配線基板４２の
上下面を貫通するビア４８が設けられており、このビア
４８内には導電性の金属が埋め込まれて導電部５０が形
成されている。この導電部５０は、パッケージ基板４０
の上面に設けられた配線部４６と接続されている。
【００２５】絶縁層４４は、アルミナセラミックあるい
は窒化アルミ（ＡｌＮ）から構成されている。この絶縁
層４４は、パッケージ基板４０の上面であって配線基板
４２の周りに搭載されている。そして、絶縁層４４の上
面は、パッケージ１２の側面部３６が接合される側面部
接合面Ｓ３として機能している。なお本実施形態では、
絶縁層４４は配線基板４２と別体で構成されたものを用
いているが、この絶縁層４４は配線基板４２と一体成形
したものを用いてもよい。
は窒化アルミ（ＡｌＮ）から構成されている。この絶縁
層４４は、パッケージ基板４０の上面であって配線基板
４２の周りに搭載されている。そして、絶縁層４４の上
面は、パッケージ１２の側面部３６が接合される側面部
接合面Ｓ３として機能している。なお本実施形態では、
絶縁層４４は配線基板４２と別体で構成されたものを用
いているが、この絶縁層４４は配線基板４２と一体成形
したものを用いてもよい。
【００２６】このように、パッケージ基板４０の上面に
配線基板４２及び絶縁層４４を搭載することで、パッケ
ージ１２の底面部３４が形成されている。かかる底面部
３４では、素子搭載面Ｓ２として機能する配線基板４２
の上面は、リード接合面Ｓ１を含むパッケージ基板４０
の上面よりも上方に位置している。そして、側面部接合
面Ｓ３として機能する絶縁層４４の上面は、配線基板４
２の上面とパッケージ基板４０の上面との間の高さに位
置している。
配線基板４２及び絶縁層４４を搭載することで、パッケ
ージ１２の底面部３４が形成されている。かかる底面部
３４では、素子搭載面Ｓ２として機能する配線基板４２
の上面は、リード接合面Ｓ１を含むパッケージ基板４０
の上面よりも上方に位置している。そして、側面部接合
面Ｓ３として機能する絶縁層４４の上面は、配線基板４
２の上面とパッケージ基板４０の上面との間の高さに位
置している。
【００２７】側面部３６は、コバールといった金属から
形成されている。この側面部３６は、所定軸（図２の
Ｘ）に沿って伸びる一対の側壁３６ａと、所定軸Ｘに交
差する前壁３６ｂおよび後壁３６ｃとを含んでいる。前
壁３６ｂには、半導体発光素子１４から出射された光を
通すために、前壁３６ｂを貫通する孔５２が設けられて
いる。そして、この孔５２内には、パッケージ１２内部
を封止するためのハーメチックガラス５４が配置されて
いる。この側面部３６は、内壁面が配線基板４２の側面
と密接した状態で、下部開口端を介して絶縁層４４の上
面に接合されている。
形成されている。この側面部３６は、所定軸（図２の
Ｘ）に沿って伸びる一対の側壁３６ａと、所定軸Ｘに交
差する前壁３６ｂおよび後壁３６ｃとを含んでいる。前
壁３６ｂには、半導体発光素子１４から出射された光を
通すために、前壁３６ｂを貫通する孔５２が設けられて
いる。そして、この孔５２内には、パッケージ１２内部
を封止するためのハーメチックガラス５４が配置されて
いる。この側面部３６は、内壁面が配線基板４２の側面
と密接した状態で、下部開口端を介して絶縁層４４の上
面に接合されている。
【００２８】上面部３８は、コバールといった金属から
形成されている。この上面部３８は、側面部３６の上部
開口端を塞いでいる。
形成されている。この上面部３８は、側面部３６の上部
開口端を塞いでいる。
【００２９】半導体発光素子１４は、サブマウント５６
を介して配線基板４２の上面に搭載されている。この半
導体発光素子１４は、互いに対向する光出射面１４ａと
光反射面１４ｂとを有し、駆動素子１６から提供された
変調信号に基づいて変調された光を、光出射面１４ａか
ら出射する。半導体発光素子１４としては、例えば半導
体レーザ素子を用いることができる。駆動素子１６は、
半導体発光素子１４の光反射面１４ｂ側において、半導
体発光素子１４と隣接するように配線基板４２の上面に
直接搭載されている。この駆動素子１６は、リード端子
２２を介して入力された変調信号を受ける。変調信号
は、半導体発光素子１４を変調するための信号である。
駆動素子１６は、変調信号を増幅して駆動信号を生成す
る。駆動信号は、半導体発光素子１４へ提供される。
を介して配線基板４２の上面に搭載されている。この半
導体発光素子１４は、互いに対向する光出射面１４ａと
光反射面１４ｂとを有し、駆動素子１６から提供された
変調信号に基づいて変調された光を、光出射面１４ａか
ら出射する。半導体発光素子１４としては、例えば半導
体レーザ素子を用いることができる。駆動素子１６は、
半導体発光素子１４の光反射面１４ｂ側において、半導
体発光素子１４と隣接するように配線基板４２の上面に
直接搭載されている。この駆動素子１６は、リード端子
２２を介して入力された変調信号を受ける。変調信号
は、半導体発光素子１４を変調するための信号である。
駆動素子１６は、変調信号を増幅して駆動信号を生成す
る。駆動信号は、半導体発光素子１４へ提供される。
【００３０】モニタ用受光素子１８は、ホルダ５８の側
面に固定されており、このホルダ５８が配線基板４２の
上面に搭載されている。より詳細には、モニタ用受光素
子１８が固定されたホルダ５８は、半導体発光素子１４
との間で駆動素子１６を挟むように、半導体発光素子１
４の光反射面１４ｂ側において配線基板４２の上面に搭
載されている。そして、モニタ用受光素子１８の受光面
は、半導体発光素子１４の光反射面１４ｂと光学的に結
合されている。このモニタ用受光素子１８は、半導体発
光素子１４の発光状態をモニタする。モニタ用受光素子
１８としては、光を電流に変換することができる素子、
例えばフォトダイオードを用いることができる。
面に固定されており、このホルダ５８が配線基板４２の
上面に搭載されている。より詳細には、モニタ用受光素
子１８が固定されたホルダ５８は、半導体発光素子１４
との間で駆動素子１６を挟むように、半導体発光素子１
４の光反射面１４ｂ側において配線基板４２の上面に搭
載されている。そして、モニタ用受光素子１８の受光面
は、半導体発光素子１４の光反射面１４ｂと光学的に結
合されている。このモニタ用受光素子１８は、半導体発
光素子１４の発光状態をモニタする。モニタ用受光素子
１８としては、光を電流に変換することができる素子、
例えばフォトダイオードを用いることができる。
【００３１】集光レンズ２０は、配線基板４２の上面に
搭載されている。より詳細には、集光レンズ２０は、駆
動素子１６との間で半導体発光素子１４を挟むように、
半導体発光素子１４の光出射面１４ａ側において配線基
板４２の上面に直接搭載されている。この集光レンズ２
０は、上下面が互いに平行になるように、ボールレンズ
に平坦加工を施したものである。このように、集光レン
ズ２０は下面が平坦であるため、配線基板４２の上面に
直接搭載することができる。この集光レンズ２０は、上
面が吸着された状態で位置合わせされ、配線基板４２の
上面に搭載される。このとき、集光レンズ２０の上面が
球面であると、集光レンズ２０の下面と配線基板４２の
上面とを平行に保ちながら位置合わせを行うことが難し
く、配線基板４２に集光レンズ２０を固定する際に位置
がずれるおそれがある。これに対し、集光レンズ２０の
上面を下面と平行になるように平坦に加工しておけば、
集光レンズ２０の下面と配線基板４２の上面とを平行に
保ちながら集光レンズ２０の上面を吸着することがで
き、上記した集光レンズ２０の位置ずれの問題の発生を
抑制することが可能となる。
搭載されている。より詳細には、集光レンズ２０は、駆
動素子１６との間で半導体発光素子１４を挟むように、
半導体発光素子１４の光出射面１４ａ側において配線基
板４２の上面に直接搭載されている。この集光レンズ２
０は、上下面が互いに平行になるように、ボールレンズ
に平坦加工を施したものである。このように、集光レン
ズ２０は下面が平坦であるため、配線基板４２の上面に
直接搭載することができる。この集光レンズ２０は、上
面が吸着された状態で位置合わせされ、配線基板４２の
上面に搭載される。このとき、集光レンズ２０の上面が
球面であると、集光レンズ２０の下面と配線基板４２の
上面とを平行に保ちながら位置合わせを行うことが難し
く、配線基板４２に集光レンズ２０を固定する際に位置
がずれるおそれがある。これに対し、集光レンズ２０の
上面を下面と平行になるように平坦に加工しておけば、
集光レンズ２０の下面と配線基板４２の上面とを平行に
保ちながら集光レンズ２０の上面を吸着することがで
き、上記した集光レンズ２０の位置ずれの問題の発生を
抑制することが可能となる。
【００３２】フェルール２６は、ジルコニアなどのセラ
ミックで形成される円柱形状のスタブを、金属から形成
される円筒に圧入してなる。フェルール２６の内部に
は、光ファイバ２４が挿入されている。このフェルール
２６は、円筒状のスリーブ２８に収容されている。スリ
ーブ２８は、ホルダ３０に保持されている。そしてこの
ホルダ３０は、パッケージ１２の側面部３６の前壁３６
ｂの外面であって、孔５２が形成された部位に接合され
ている。これらフェルール２６、スリーブ２８、及びホ
ルダ３０を介して、光ファイバ２４と集光レンズ２０と
が位置合わせされている。これにより、集光レンズ２０
を介して半導体発光素子１４の光出射面１４ａと光ファ
イバ２４の一端２４ａとが光学的に結合されている。
ミックで形成される円柱形状のスタブを、金属から形成
される円筒に圧入してなる。フェルール２６の内部に
は、光ファイバ２４が挿入されている。このフェルール
２６は、円筒状のスリーブ２８に収容されている。スリ
ーブ２８は、ホルダ３０に保持されている。そしてこの
ホルダ３０は、パッケージ１２の側面部３６の前壁３６
ｂの外面であって、孔５２が形成された部位に接合され
ている。これらフェルール２６、スリーブ２８、及びホ
ルダ３０を介して、光ファイバ２４と集光レンズ２０と
が位置合わせされている。これにより、集光レンズ２０
を介して半導体発光素子１４の光出射面１４ａと光ファ
イバ２４の一端２４ａとが光学的に結合されている。
【００３３】図２に示すように、上記した光ファイバ２
４、孔５２、ハーメチックガラス５４、集光レンズ２
０、半導体発光素子１４、駆動素子１６、及びモニタ用
受光素子１８は、所定軸Ｘに沿ってこの順に配列されて
いる。このうち、半導体発光素子１４、駆動素子１６、
集光レンズ２０、およびモニタ用受光素子１８は、パッ
ケージ１２内に収容されて気密封止され、光ファイバ２
４は、フェルール２６、スリーブ２８、及びホルダ３０
を介してパッケージ１２外に固定されている。
４、孔５２、ハーメチックガラス５４、集光レンズ２
０、半導体発光素子１４、駆動素子１６、及びモニタ用
受光素子１８は、所定軸Ｘに沿ってこの順に配列されて
いる。このうち、半導体発光素子１４、駆動素子１６、
集光レンズ２０、およびモニタ用受光素子１８は、パッ
ケージ１２内に収容されて気密封止され、光ファイバ２
４は、フェルール２６、スリーブ２８、及びホルダ３０
を介してパッケージ１２外に固定されている。
【００３４】コネクタ３２は、フェルール２６、スリー
ブ２８、及びホルダ３０を覆っている。発光モジュール
１０は、このコネクタ３２を介して他の光学部品と連結
される。
ブ２８、及びホルダ３０を覆っている。発光モジュール
１０は、このコネクタ３２を介して他の光学部品と連結
される。
【００３５】リード端子２２は、パッケージ基板４０の
上面であって絶縁層４４を取り巻く周縁部、すなわちリ
ード接合面Ｓ１に接合されている。より詳細には、リー
ド端子２２は、リード接合面Ｓ１上であって配線部４６
の端部に設けられたボンディングパッド４６ａ上に接合
されている。そして、これらリード端子２２は、図示し
ない実装基板に表面実装可能とするために、ステップ状
に屈曲されている。これにより、実装基板からの高周波
の変調信号は、リード端子２２、配線部４６、ビア４８
内に設けられた導電部５０、及びボンディングワイヤ６
０を介して駆動素子１６に伝達される。伝達された変調
信号は駆動素子１６において増幅され、半導体発光素子
１４を駆動する駆動信号とされる。そして、この駆動信
号が半導体発光素子１４へ提供され、提供された駆動信
号に基づいて変調された光が、光出射面１４ａから出射
される。出射された光は、集光レンズ２０により集光さ
れ、ハーメチックガラス５４を透過し、パッケージ１２
の側面部３６の孔５２を通って光ファイバ２４の一端２
４ａから光ファイバ２４内に入射される。
上面であって絶縁層４４を取り巻く周縁部、すなわちリ
ード接合面Ｓ１に接合されている。より詳細には、リー
ド端子２２は、リード接合面Ｓ１上であって配線部４６
の端部に設けられたボンディングパッド４６ａ上に接合
されている。そして、これらリード端子２２は、図示し
ない実装基板に表面実装可能とするために、ステップ状
に屈曲されている。これにより、実装基板からの高周波
の変調信号は、リード端子２２、配線部４６、ビア４８
内に設けられた導電部５０、及びボンディングワイヤ６
０を介して駆動素子１６に伝達される。伝達された変調
信号は駆動素子１６において増幅され、半導体発光素子
１４を駆動する駆動信号とされる。そして、この駆動信
号が半導体発光素子１４へ提供され、提供された駆動信
号に基づいて変調された光が、光出射面１４ａから出射
される。出射された光は、集光レンズ２０により集光さ
れ、ハーメチックガラス５４を透過し、パッケージ１２
の側面部３６の孔５２を通って光ファイバ２４の一端２
４ａから光ファイバ２４内に入射される。
【００３６】次に、上記した本実施形態に係る発光モジ
ュール１０の製造方法について説明する。
ュール１０の製造方法について説明する。
【００３７】まず、パッケージ基板４０の上面に、配線
基板４２を搭載する。このとき、パッケージ基板４０の
上面に設けられた配線部４６と、配線基板４２に設けら
れたビア４８内の導電部５０とが接続されるように、位
置合わせを行う。次に、パッケージ基板４０上であって
配線基板４２の周りに、絶縁層４４を搭載する。なお、
絶縁層４４が一体成形された配線基板４２を用いれば、
パッケージ基板４０の上面に配線基板４２を搭載するこ
とで、配線基板４２と絶縁層４４の搭載を同時に行うこ
とができ、製造作業の簡略化を図ることが可能となる。
基板４２を搭載する。このとき、パッケージ基板４０の
上面に設けられた配線部４６と、配線基板４２に設けら
れたビア４８内の導電部５０とが接続されるように、位
置合わせを行う。次に、パッケージ基板４０上であって
配線基板４２の周りに、絶縁層４４を搭載する。なお、
絶縁層４４が一体成形された配線基板４２を用いれば、
パッケージ基板４０の上面に配線基板４２を搭載するこ
とで、配線基板４２と絶縁層４４の搭載を同時に行うこ
とができ、製造作業の簡略化を図ることが可能となる。
【００３８】次に、ステップ状に屈曲されたリード端子
２２を、パッケージ基板４０のリード接合面Ｓ１上のボ
ンディングパッド４６ａに接合する。なお、リード端子
２２は、パッケージ基板４０に配線基板４２を組み付け
る直前に接合してもよい。このように、リード端子２２
を組み立ての早い段階で接合しておくことで、後に半導
体発光素子１４を実際に駆動させ、光ファイバとの間で
位置合わせを行うのに好適である。
２２を、パッケージ基板４０のリード接合面Ｓ１上のボ
ンディングパッド４６ａに接合する。なお、リード端子
２２は、パッケージ基板４０に配線基板４２を組み付け
る直前に接合してもよい。このように、リード端子２２
を組み立ての早い段階で接合しておくことで、後に半導
体発光素子１４を実際に駆動させ、光ファイバとの間で
位置合わせを行うのに好適である。
【００３９】次に、配線基板４２の上面の所定領域に、
モニタ用受光素子１８、駆動素子１６、半導体発光素子
１４、及び集光レンズ２０などの素子を搭載する。半導
体発光素子１４は、サブマウント５６を介して配線基板
４２の上面に搭載する。モニタ用受光素子１８は、ホル
ダ５８の側面に固定し、かかるホルダ５８を介して配線
基板４２の上面に搭載する。このとき、モニタ用受光素
子１８、駆動素子１６、半導体発光素子１４、及び集光
レンズ２０は、この順で所定軸Ｘに沿って配置されるよ
うに位置合わせを行う。
モニタ用受光素子１８、駆動素子１６、半導体発光素子
１４、及び集光レンズ２０などの素子を搭載する。半導
体発光素子１４は、サブマウント５６を介して配線基板
４２の上面に搭載する。モニタ用受光素子１８は、ホル
ダ５８の側面に固定し、かかるホルダ５８を介して配線
基板４２の上面に搭載する。このとき、モニタ用受光素
子１８、駆動素子１６、半導体発光素子１４、及び集光
レンズ２０は、この順で所定軸Ｘに沿って配置されるよ
うに位置合わせを行う。
【００４０】次に、配線基板４２のビア４８内に設けら
れた導電部５０と駆動素子１６との間、駆動素子１６と
半導体発光素子１４との間など、配線基板４２の上面に
ワイヤリング配線を施す。
れた導電部５０と駆動素子１６との間、駆動素子１６と
半導体発光素子１４との間など、配線基板４２の上面に
ワイヤリング配線を施す。
【００４１】次に、絶縁層４４の上面、すなわち側面部
接合面Ｓ３上にパッケージ１２の側面部３６を接合す
る。そして、光ファイバ２４が挿入されたフェルール２
６をスリーブ２８を介して保持するホルダ３０を、側面
部３６の孔５２が形成された部位に接合する。このと
き、半導体発光素子１４の光出射面１４ａと光ファイバ
２４の一端２４ａとが、集光レンズ２０を介して光学的
に結合されるように、ホルダ３０の位置合わせを行う。
位置合わせにおいては、リード端子２２を介して半導体
発光素子１４に駆動信号を送り、半導体発光素子１４を
駆動させ光出射面１４ａから出射された光を光ファイバ
２４の一端２４ａに入力させ、光ファイバ２４の他端か
ら出射される光をモニタして、得られる光の強度が最大
になるようにする。そして、ホルダ３０の固定を行った
後、ホルダ３０、スリーブ２８及びフェルール２６の上
からコネクタ３２を被せる。
接合面Ｓ３上にパッケージ１２の側面部３６を接合す
る。そして、光ファイバ２４が挿入されたフェルール２
６をスリーブ２８を介して保持するホルダ３０を、側面
部３６の孔５２が形成された部位に接合する。このと
き、半導体発光素子１４の光出射面１４ａと光ファイバ
２４の一端２４ａとが、集光レンズ２０を介して光学的
に結合されるように、ホルダ３０の位置合わせを行う。
位置合わせにおいては、リード端子２２を介して半導体
発光素子１４に駆動信号を送り、半導体発光素子１４を
駆動させ光出射面１４ａから出射された光を光ファイバ
２４の一端２４ａに入力させ、光ファイバ２４の他端か
ら出射される光をモニタして、得られる光の強度が最大
になるようにする。そして、ホルダ３０の固定を行った
後、ホルダ３０、スリーブ２８及びフェルール２６の上
からコネクタ３２を被せる。
【００４２】次に、パッケージ１２の側面部３６の上部
開口端をパッケージ１２の上面部３８で塞ぎ、パッケー
ジ１２内部を気密封止する。
開口端をパッケージ１２の上面部３８で塞ぎ、パッケー
ジ１２内部を気密封止する。
【００４３】次に、本実施形態に係る発光モジュール及
びその製造方法の作用及び効果について説明する。
びその製造方法の作用及び効果について説明する。
【００４４】本実施形態に係る発光モジュール１０で
は、パッケージ１２は底面部３４と側面部３６とが別体
で構成されている。従って、底面部３４の素子搭載面Ｓ
２上に半導体発光素子１４等の素子を搭載して必要なワ
イヤリング配線を施した後、底面部３４に側面部３６を
接合することが可能となる。その結果、底面部３４の素
子搭載面Ｓ１上に半導体発光素子１４等の素子を搭載す
るときや、素子搭載面Ｓ２上でワイヤリング配線を施す
ときに、パッケージ１２の側面部３６が邪魔になるおそ
れがないため、パッケージ１２内に余分なスペースが不
要となって、発光モジュール１０の小型化を図ることが
可能となる。
は、パッケージ１２は底面部３４と側面部３６とが別体
で構成されている。従って、底面部３４の素子搭載面Ｓ
２上に半導体発光素子１４等の素子を搭載して必要なワ
イヤリング配線を施した後、底面部３４に側面部３６を
接合することが可能となる。その結果、底面部３４の素
子搭載面Ｓ１上に半導体発光素子１４等の素子を搭載す
るときや、素子搭載面Ｓ２上でワイヤリング配線を施す
ときに、パッケージ１２の側面部３６が邪魔になるおそ
れがないため、パッケージ１２内に余分なスペースが不
要となって、発光モジュール１０の小型化を図ることが
可能となる。
【００４５】また、リード端子２２はパッケージ１２の
底面部３４のリード接合面Ｓ１上に接合されている。従
って、表面実装に際し、リード端子２２が側面部３６に
接合されている従来の発光モジュール１０と比べて、リ
ード端子２２の長さを短くすることができる。その結
果、上記したようにモジュール１０自体の大きさを小さ
くすることができることと相俟って、高周波の変調信号
が入力されるリード端子２２の一端から半導体発光素子
１４までの経路を短くすることができ、発光モジュール
１０の高周波特性が著しく劣化することを抑制すること
が可能となる。
底面部３４のリード接合面Ｓ１上に接合されている。従
って、表面実装に際し、リード端子２２が側面部３６に
接合されている従来の発光モジュール１０と比べて、リ
ード端子２２の長さを短くすることができる。その結
果、上記したようにモジュール１０自体の大きさを小さ
くすることができることと相俟って、高周波の変調信号
が入力されるリード端子２２の一端から半導体発光素子
１４までの経路を短くすることができ、発光モジュール
１０の高周波特性が著しく劣化することを抑制すること
が可能となる。
【００４６】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、パッケージ１２の底面部３４の素子搭載面Ｓ２
が、リード接合面Ｓ１より上方に位置しているため、発
光モジュール１０の調芯作業を容易に行うことができる
ると共に、リード接合面Ｓ１が素子搭載面Ｓ２より下方
に位置しているため、表面実装に際し、リード端子２２
の長さを短くすることが可能となり、発光モジュール１
０の高周波特性の劣化を抑制することが可能となる。
では、パッケージ１２の底面部３４の素子搭載面Ｓ２
が、リード接合面Ｓ１より上方に位置しているため、発
光モジュール１０の調芯作業を容易に行うことができる
ると共に、リード接合面Ｓ１が素子搭載面Ｓ２より下方
に位置しているため、表面実装に際し、リード端子２２
の長さを短くすることが可能となり、発光モジュール１
０の高周波特性の劣化を抑制することが可能となる。
【００４７】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、パッケージ１２の底面部３４の側面部接合面Ｓ３
は、リード接合面Ｓ１と素子搭載面Ｓ２との間の高さに
位置するため、パッケージ１２の側面部３６の側面部接
合面Ｓ３への接合作業を容易に行うことが可能となる。
では、パッケージ１２の底面部３４の側面部接合面Ｓ３
は、リード接合面Ｓ１と素子搭載面Ｓ２との間の高さに
位置するため、パッケージ１２の側面部３６の側面部接
合面Ｓ３への接合作業を容易に行うことが可能となる。
【００４８】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、パッケージ基板４０に配線基板４２及び絶縁層４
４を搭載することで、素子搭載面Ｓ２、側面部接合面Ｓ
３、及びリード接合面Ｓ１がステップ状に形成されたパ
ッケージ１２の底面部３４を容易に形成することが可能
となる。
では、パッケージ基板４０に配線基板４２及び絶縁層４
４を搭載することで、素子搭載面Ｓ２、側面部接合面Ｓ
３、及びリード接合面Ｓ１がステップ状に形成されたパ
ッケージ１２の底面部３４を容易に形成することが可能
となる。
【００４９】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、配線基板４２にはビア４８が設けられており、ビ
ア４８内には素子搭載面Ｓ２とパッケージ基板４０の配
線部４６とを電気的に接続するための導電部５０が形成
されている。従って、リード端子２２を通して入力され
た高周波の変調信号が伝送する経路を短くすることがで
き、高周波特性の劣化を抑制することができる。
では、配線基板４２にはビア４８が設けられており、ビ
ア４８内には素子搭載面Ｓ２とパッケージ基板４０の配
線部４６とを電気的に接続するための導電部５０が形成
されている。従って、リード端子２２を通して入力され
た高周波の変調信号が伝送する経路を短くすることがで
き、高周波特性の劣化を抑制することができる。
【００５０】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、パッケージ基板４０上であって配線基板４２の周
りには絶縁層４４が設けられており、絶縁層４４の上面
が側面部接合面Ｓ３として機能している。従って、パッ
ケージ基板４０の上面に形成された配線部４６とパーケ
ージ１２の側面部３６との間で電気的な絶縁を図ること
が可能となる。
では、パッケージ基板４０上であって配線基板４２の周
りには絶縁層４４が設けられており、絶縁層４４の上面
が側面部接合面Ｓ３として機能している。従って、パッ
ケージ基板４０の上面に形成された配線部４６とパーケ
ージ１２の側面部３６との間で電気的な絶縁を図ること
が可能となる。
【００５１】また本実施形態に係る発光モジュール１０
は、半導体発光素子１４を駆動するための駆動素子１６
を備え、駆動素子１６は底面部３４の素子搭載面Ｓ２上
に搭載されている。従って、半導体発光素子１４に隣接
して駆動素子１６を配置することが可能となり、伝送速
度の向上を図ることが可能となる。
は、半導体発光素子１４を駆動するための駆動素子１６
を備え、駆動素子１６は底面部３４の素子搭載面Ｓ２上
に搭載されている。従って、半導体発光素子１４に隣接
して駆動素子１６を配置することが可能となり、伝送速
度の向上を図ることが可能となる。
【００５２】また本実施形態に係る発光モジュール１０
では、半導体発光素子１４の光出射面１４ａから出射さ
れた光を集光させる集光レンズ２０を備え、集光レンズ
２０は底面部３４の素子搭載面Ｓ２上に搭載されてい
る。表面実装型の発光モジュールでは、通常、シリコン
ベンチに半導体発光素子を搭載すると共に、シリコンベ
ンチに設けられたＶ溝に光ファイバを配置するパッシブ
アライメント技術が用いられ、半導体発光素子と光ファ
イバとが直接結合される。しかしながら、パッシブアラ
イメント技術では、シリコンベンチを用いることが必須
となる。シリコンベンチは半導体であり電気的な寄生容
量を有するため、半導体発光素子の高速変調が妨げられ
るおそれがある。これに対し、本実施形態では集光レン
ズ２０を用いて半導体発光素子１４と光ファイバ２４と
を光学的に結合させているため、かかるパッシブアライ
メント技術が不要となり、半導体発光素子１４の高速変
調が妨げられるおそれを低減することが可能となる。
では、半導体発光素子１４の光出射面１４ａから出射さ
れた光を集光させる集光レンズ２０を備え、集光レンズ
２０は底面部３４の素子搭載面Ｓ２上に搭載されてい
る。表面実装型の発光モジュールでは、通常、シリコン
ベンチに半導体発光素子を搭載すると共に、シリコンベ
ンチに設けられたＶ溝に光ファイバを配置するパッシブ
アライメント技術が用いられ、半導体発光素子と光ファ
イバとが直接結合される。しかしながら、パッシブアラ
イメント技術では、シリコンベンチを用いることが必須
となる。シリコンベンチは半導体であり電気的な寄生容
量を有するため、半導体発光素子の高速変調が妨げられ
るおそれがある。これに対し、本実施形態では集光レン
ズ２０を用いて半導体発光素子１４と光ファイバ２４と
を光学的に結合させているため、かかるパッシブアライ
メント技術が不要となり、半導体発光素子１４の高速変
調が妨げられるおそれを低減することが可能となる。
【００５３】本実施形態に係る発光モジュール１０の製
造方法では、パッケージ１２の底面部３４の素子搭載面
Ｓ２上に半導体発光素子１４等の素子を搭載し、素子搭
載面Ｓ２上にワイヤリング配線を施した後、底面部３４
の側面部接合面Ｓ３にパッケージ１２の側面部３６を接
合している。従って、素子搭載面Ｓ２上に半導体発光素
子１４等の素子を搭載するときや、素子搭載面Ｓ２上に
ワイヤリング配線を施すときに、パッケージ１２の側面
部３６が邪魔になるおそれがないため、パッケージ１２
内に余分なスペースを取る必要がなくなり、発光モジュ
ール１０の小型化を図ることが可能となる。また、発光
モジュール１０の小型化を図ることができるため、高周
波信号が入力するリード端子２２の一端から半導体発光
素子１４までの経路を短くすることができ、高周波特性
の劣化を抑制することが可能となる。
造方法では、パッケージ１２の底面部３４の素子搭載面
Ｓ２上に半導体発光素子１４等の素子を搭載し、素子搭
載面Ｓ２上にワイヤリング配線を施した後、底面部３４
の側面部接合面Ｓ３にパッケージ１２の側面部３６を接
合している。従って、素子搭載面Ｓ２上に半導体発光素
子１４等の素子を搭載するときや、素子搭載面Ｓ２上に
ワイヤリング配線を施すときに、パッケージ１２の側面
部３６が邪魔になるおそれがないため、パッケージ１２
内に余分なスペースを取る必要がなくなり、発光モジュ
ール１０の小型化を図ることが可能となる。また、発光
モジュール１０の小型化を図ることができるため、高周
波信号が入力するリード端子２２の一端から半導体発光
素子１４までの経路を短くすることができ、高周波特性
の劣化を抑制することが可能となる。
【００５４】なお、本発明は上記した実施形態にかかわ
らず、種々の変更が可能である。
らず、種々の変更が可能である。
【００５５】例えば、リード端子２２の数やパッケージ
基板４０上の配線部４６の構造、配線基板４２を貫通す
るビア４８の数や位置などは、必要に応じて変更するこ
とができる。
基板４０上の配線部４６の構造、配線基板４２を貫通す
るビア４８の数や位置などは、必要に応じて変更するこ
とができる。
【００５６】以上の本発明の説明から、本発明を様々に
変形しうることは明らかである。そのような変形は、本
発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めること
はできず、すべての当業者にとって自明である改良は、
本発明の範囲に含まれるものである。
変形しうることは明らかである。そのような変形は、本
発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めること
はできず、すべての当業者にとって自明である改良は、
本発明の範囲に含まれるものである。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、高周波特性の著しい劣
化を招くことなく表面実装を可能とする小型の発光モジ
ュール及びその製造方法が提供される。
化を招くことなく表面実装を可能とする小型の発光モジ
ュール及びその製造方法が提供される。
【図１】本実施形態に係る発光モジュールを示す分解斜
視図である。
視図である。
【図２】本実施形態に係る発光モジュールを示す一部破
断斜視図である。
断斜視図である。
１０…発光モジュール、１２…パッケージ、１４…半導
体発光素子、１４ａ…光出射面、１６…駆動素子、２０
…集光レンズ、２２…リード端子、２４…光ファイバ、
２６…フェルール、３０…ホルダ、３４…底面部、３６
…側面部、４０…パッケージ基板、４２…配線基板、４
４…絶縁層、４６…配線部、４８…ビア、５０…導電
部、５２…孔、Ｓ１…リード接合面、Ｓ２…素子搭載
面、Ｓ３…側面部接合面、Ｘ…所定軸。
体発光素子、１４ａ…光出射面、１６…駆動素子、２０
…集光レンズ、２２…リード端子、２４…光ファイバ、
２６…フェルール、３０…ホルダ、３４…底面部、３６
…側面部、４０…パッケージ基板、４２…配線基板、４
４…絶縁層、４６…配線部、４８…ビア、５０…導電
部、５２…孔、Ｓ１…リード接合面、Ｓ２…素子搭載
面、Ｓ３…側面部接合面、Ｘ…所定軸。
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、該半導体発光素子を
収容するパッケージと、リード端子と、を備え、 前記パッケージは、素子搭載面、該素子搭載面の周りに
設けられた側面部接合面及び該側面部接合面の周りに設
けられたリード接合面を含む底面部と、該底面部の該側
面部接合面上に接合される側面部とを有し、 前記半導体発光素子は、前記底面部の前記素子搭載面上
に搭載されていると共に、前記リード端子は、該底面部
の前記リード接合面上に接合されている発光モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記素子搭載面は、前記リード接合面よ
りも上方に位置する請求項１に記載の発光モジュール。 - 【請求項３】 前記側面部接合面は、前記リード接合面
と前記素子搭載面との間の高さに位置する請求項２に記
載の発光モジュール。 - 【請求項４】 前記底面部は、一の主面に配線部が設け
られたパッケージ基板と該パッケージ基板の該一の主面
上に搭載される配線基板とを含み、 前記パッケージ基板の前記配線基板を搭載する側の主面
は前記リード接合面を含み、前記配線基板の前記パッケ
ージ基板と対面する側とは反対側の主面は前記素子搭載
面を含む請求項１に記載の発光モジュール。 - 【請求項５】 前記配線基板にはビアが設けられてお
り、該ビア内には前記素子搭載面と前記パッケージ基板
の前記リード接合面を含む主面とを電気的に接続するた
めの導電部が形成されている請求項４に記載の発光モジ
ュール。 - 【請求項６】 前記パッケージ基板上であって前記配線
基板の周りには絶縁層が設けられており、該絶縁層の該
パッケージ基板と対面する側とは反対側の主面は前記側
面部接合面を含む請求項４に記載の発光モジュール。 - 【請求項７】 前記半導体発光素子を駆動するための駆
動素子を備え、該駆動素子は前記底面部の前記素子搭載
面上に搭載されている請求項１に記載の発光モジュー
ル。 - 【請求項８】 前記半導体発光素子の光出射面から出射
された光を集光する集光レンズを備え、該集光レンズは
前記底面部の前記素子搭載面上に搭載されている請求項
１に記載の発光モジュール。 - 【請求項９】 前記パッケージの前記側面部には、前記
半導体発光素子の光出射面から出射された光が通る孔が
設けられている請求項１に記載の発光モジュール。 - 【請求項１０】 前記側面部の前記孔が設けられた部位
には、光ファイバが内蔵されたフェルールを保持するホ
ルダーが接合されており、 前記半導体発光素子の前記光出射面と前記光ファイバの
一端とは、前記孔を通して光学的に結合されている請求
項９に記載の発光モジュール。 - 【請求項１１】 パッケージの底面部の素子搭載面上に
半導体発光素子を搭載し、該素子搭載面上にワイヤリン
グ配線を施した後、該底面部上に該パッケージの側面部
を接合する発光モジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246182A JP2003060281A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 発光モジュール及びその製造方法 |
| US10/217,344 US6646291B2 (en) | 2001-08-14 | 2002-08-13 | Advanced optical module which enables a surface mount configuration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246182A JP2003060281A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 発光モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060281A true JP2003060281A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19075792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001246182A Pending JP2003060281A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 発光モジュール及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6646291B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003060281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019192832A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 株式会社デンソー | 光学装置およびその製造方法 |
| CN115047698A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-13 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种光学投影设备 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3750649B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2006-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 光通信装置 |
| US7090412B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module |
| EP1603158B1 (en) * | 2003-03-11 | 2021-06-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module, comprising printed wiring board, lead frame and multi-channel optical semiconductor element and method for manufacturing same |
| JP2005116583A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Pentax Corp | 光半導体装置 |
| US7081667B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
| US8787766B1 (en) * | 2009-12-17 | 2014-07-22 | Teledyne Technologies Incorporated | Chip scale fiber optic transmitter, receiver, transceiver |
| US8803269B2 (en) * | 2011-05-05 | 2014-08-12 | Cisco Technology, Inc. | Wafer scale packaging platform for transceivers |
| US20150323749A1 (en) * | 2014-05-11 | 2015-11-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface mount device (smd) optical port |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196175A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | サブキャリア及び半導体装置 |
| US6227724B1 (en) | 1999-01-11 | 2001-05-08 | Lightlogic, Inc. | Method for constructing an optoelectronic assembly |
| US6207950B1 (en) | 1999-01-11 | 2001-03-27 | Lightlogic, Inc. | Optical electronic assembly having a flexure for maintaining alignment between optical elements |
| US6331992B1 (en) * | 2000-04-07 | 2001-12-18 | Stratos Lightwave, Inc. | Small format optical subassembly |
-
2001
- 2001-08-14 JP JP2001246182A patent/JP2003060281A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-13 US US10/217,344 patent/US6646291B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019192832A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 株式会社デンソー | 光学装置およびその製造方法 |
| JP7052532B2 (ja) | 2018-04-26 | 2022-04-12 | 株式会社デンソー | 光学装置およびその製造方法 |
| CN115047698A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-13 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种光学投影设备 |
| CN115047698B (zh) * | 2022-05-30 | 2024-04-26 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种光学投影设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6646291B2 (en) | 2003-11-11 |
| US20030034498A1 (en) | 2003-02-20 |
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