JPS6389435A - 琺瑯組成物及び該組成物で被覆した基質 - Google Patents
琺瑯組成物及び該組成物で被覆した基質Info
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- JPS6389435A JPS6389435A JP62242852A JP24285287A JPS6389435A JP S6389435 A JPS6389435 A JP S6389435A JP 62242852 A JP62242852 A JP 62242852A JP 24285287 A JP24285287 A JP 24285287A JP S6389435 A JPS6389435 A JP S6389435A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属基質を被覆するのに有用な琺瑯組成物、被
覆された該金属基質及び該被覆された基質の製造法に関
する。
覆された該金属基質及び該被覆された基質の製造法に関
する。
基質の表面に直接配置される電子部品の製造においては
、金属粉末及びガラス粉末からつくられれな伝導性及び
抵抗性をもったインクを、絶縁材料で被覆された基質の
上に所望のパターンを描くように被覆する１次にこのよ
うにプリントされた部品を先ず高温で焼成してインク中
の材料を融合させ、所望の電子部品をつくる。必要な焼
成温度は一般に６００〜９００℃である。
、金属粉末及びガラス粉末からつくられれな伝導性及び
抵抗性をもったインクを、絶縁材料で被覆された基質の
上に所望のパターンを描くように被覆する１次にこのよ
うにプリントされた部品を先ず高温で焼成してインク中
の材料を融合させ、所望の電子部品をつくる。必要な焼
成温度は一般に６００〜９００℃である。
被覆された基質にかける温度については、電子部品の製
造に適した基質は物理的な変化を起すことなくこの高温
に耐えることができなければならない、使用される基質
は一般に鋼、銅またはアルミニウムのような金属である
。これらに基質に被覆する組成物は一般に琺瑯であるが
、これらエナメルの特定の組成は非常に多様である。
造に適した基質は物理的な変化を起すことなくこの高温
に耐えることができなければならない、使用される基質
は一般に鋼、銅またはアルミニウムのような金属である
。これらに基質に被覆する組成物は一般に琺瑯であるが
、これらエナメルの特定の組成は非常に多様である。
成る琺瑯被膜は焼成すると、琺瑯材料が均一な厚さに融
合−しないために不満足な結果を与えることが見出ださ
れている。このように均一性が欠けていると、被膜表面
に正確なプリント回路をつくることが困難になる。
合−しないために不満足な結果を与えることが見出ださ
れている。このように均一性が欠けていると、被膜表面
に正確なプリント回路をつくることが困難になる。
他の琺瑯は再焼成を行うと、再び軟化して流動し、その
結果プリント回路が歪んだりまた破壊されることもある
。
結果プリント回路が歪んだりまた破壊されることもある
。
琺瑯材料を被覆した金属基質において遭遇する他の主な
問題は、接着性が悪いことである。この接着性の問題は
主として金属基質と琺瑯被膜の熱膨張係数に者しい差が
存在することに起因している。
問題は、接着性が悪いことである。この接着性の問題は
主として金属基質と琺瑯被膜の熱膨張係数に者しい差が
存在することに起因している。
これらの問題を解決しようとする試みは未だ完全には成
功していない。
功していない。
特定の公知被覆組成物の例は米国特許第３，９０４゜４
２３号及び同第４ 、２５６ 、７％号に記載されてい
る。
２３号及び同第４ 、２５６ 、７％号に記載されてい
る。
本発明の目的は電子部品またはプリント回路板のｖｌ造
に有用な新規琺瑯組成物を提供することである。
に有用な新規琺瑯組成物を提供することである。
また本発明の目的は融合−して均一な厚さの層になり、
再焼成の際に再び軟化することなく、また熱膨張係数が
被覆すべき金属の芯部材に近い琺瑯組成物を提供するこ
とである。
再焼成の際に再び軟化することなく、また熱膨張係数が
被覆すべき金属の芯部材に近い琺瑯組成物を提供するこ
とである。
本発明のさらに他の目的は均一な表面と良好な＊ｉｇ・
琺瑯間接理性を有する琺瑯で被覆された金属基質並びに
該被覆された基質の製造法を提供することである。
琺瑯間接理性を有する琺瑯で被覆された金属基質並びに
該被覆された基質の製造法を提供することである。
上記目的及び当業界の専門家には明白な他の目的は、特
定の範囲内の量で存在する特定の酸化物を含むガラスを
熔融し、均一な熔融混合物をつくることによって達成さ
れる。この熔融混合物を急冷し、生成した７リツトを水
中で摩砕して細かい粒径にし琺瑯泥漿をつくる。この泥
漿で金属基質を被覆し、これを焼成するゆ 本発明の部分的に失透した琺瑯組成物は少なくとも３種
の必要な酸化物からつくられる。これらの必須酸化物は
（１）全組成物の２０〜５０重景％、重量しくは２５〜
４５重景％の重量バリウム、（２）全組酸物の３０〜６
０瓜蛋％、好ましくは３５〜５０重量％のシリカ、及び
（３）全組成物の２〜２０重量％、好ましくは４〜２０
重景％重量酸化チタンである。酸化バリウム、シリカ及
び二酸化チタンは本発明の部分的に失透した琺瑯組成物
の結晶相をつくる。これら酸化物の特定の量は結晶部分
の量、７リツトの融点、熱膨張係数及び所望の結晶成長
速度に依存して必要な範囲内で選ばれる。
定の範囲内の量で存在する特定の酸化物を含むガラスを
熔融し、均一な熔融混合物をつくることによって達成さ
れる。この熔融混合物を急冷し、生成した７リツトを水
中で摩砕して細かい粒径にし琺瑯泥漿をつくる。この泥
漿で金属基質を被覆し、これを焼成するゆ 本発明の部分的に失透した琺瑯組成物は少なくとも３種
の必要な酸化物からつくられる。これらの必須酸化物は
（１）全組成物の２０〜５０重景％、重量しくは２５〜
４５重景％の重量バリウム、（２）全組酸物の３０〜６
０瓜蛋％、好ましくは３５〜５０重量％のシリカ、及び
（３）全組成物の２〜２０重量％、好ましくは４〜２０
重景％重量酸化チタンである。酸化バリウム、シリカ及
び二酸化チタンは本発明の部分的に失透した琺瑯組成物
の結晶相をつくる。これら酸化物の特定の量は結晶部分
の量、７リツトの融点、熱膨張係数及び所望の結晶成長
速度に依存して必要な範囲内で選ばれる。
随時次の酸化物を含ませることが好適である。
（４）全組成物の０〜１６重量％、好ましくは０〜１２
重量％の酸化カリウム、（５）全組成物の０〜７重量％
、好ましくは０〜５重量％の酸化亜鉛、（６）全組成物
の０〜４重量％の酸化リチウム、（７）全組成物の０〜
１０重量％、好ましくは２〜８重量％のアルミナ、（８
）全ｍ放物の０〜１０重量％、好ましくは０〜５重量％
の酸化マグネシウム、（９）全Ｊｆｌ酸物の０〜１０重
量％、好ましくは０〜５重景重量酸化カルシウム、（１
０）全組成物の０〜１０重量％、好ましくは０〜５重景
重量酸化ストロンチウム、（１１）全組成物の０〜１０
重量％、好ましくは０〜５重量％の酸化ゾルコニウム、
及び（１２）全１且戒物の０〜４重量％の酸化ナトリウ
ム。
重量％の酸化カリウム、（５）全組成物の０〜７重量％
、好ましくは０〜５重量％の酸化亜鉛、（６）全組成物
の０〜４重量％の酸化リチウム、（７）全組成物の０〜
１０重量％、好ましくは２〜８重量％のアルミナ、（８
）全ｍ放物の０〜１０重量％、好ましくは０〜５重量％
の酸化マグネシウム、（９）全Ｊｆｌ酸物の０〜１０重
量％、好ましくは０〜５重景重量酸化カルシウム、（１
０）全組成物の０〜１０重量％、好ましくは０〜５重景
重量酸化ストロンチウム、（１１）全組成物の０〜１０
重量％、好ましくは０〜５重量％の酸化ゾルコニウム、
及び（１２）全１且戒物の０〜４重量％の酸化ナトリウ
ム。
組成物の失透性、焼成した表面、酸化状態または熱的特
性を変性するために含ませることができる他の酸化物と
しては次のものがあるａＡｓ２０ｓ、ｎ２ｏ、、Ｃｅ
Ｏ２、Ｆ２、Ｎ２０６、ＰｂＯ１Ｐｂ２０ｓ、５ｂ２ｏ
、、ＳｎＯ□及びＭ ｏ Ｏ＊。しかしこれらの酸化物
はいずれも全組成物の３重量％より多く存在してはいけ
ない。
性を変性するために含ませることができる他の酸化物と
しては次のものがあるａＡｓ２０ｓ、ｎ２ｏ、、Ｃｅ
Ｏ２、Ｆ２、Ｎ２０６、ＰｂＯ１Ｐｂ２０ｓ、５ｂ２ｏ
、、ＳｎＯ□及びＭ ｏ Ｏ＊。しかしこれらの酸化物
はいずれも全組成物の３重量％より多く存在してはいけ
ない。
酸化リチウム、酸化ナトリウム及び／又は酸化カリウム
は７リツトをつくるのに用いられる酸化物混合物の融点
を調節することができる。これらの酸化物はまた成程度
本発明の琺瑯の熱膨張係数を左右する。これらの酸化物
を組み合わせると、これらの酸化物のどれか１種だけを
含む組成物に比べて電気特性が良好になる。
は７リツトをつくるのに用いられる酸化物混合物の融点
を調節することができる。これらの酸化物はまた成程度
本発明の琺瑯の熱膨張係数を左右する。これらの酸化物
を組み合わせると、これらの酸化物のどれか１種だけを
含む組成物に比べて電気特性が良好になる。
上記の他の酸化物は結晶性、融点、ガラス粘度及び電気
的特性に影響を与えるのに十分な世で公知方法で使用す
ることができる。
的特性に影響を与えるのに十分な世で公知方法で使用す
ることができる。
上記酸化物、または加熱すると熔融して酸化物を生じる
他の材料（例えば炭酸マグネシウム、炭酸パリ９ム）は
、混合物の全重量％が１００重量％になるような量で混
合される。この混合物を均一化する技術及び存在する水
分を除去する方法は当業界に公知であり、本発明の組成
物の製造の際有利に使用することができる。
他の材料（例えば炭酸マグネシウム、炭酸パリ９ム）は
、混合物の全重量％が１００重量％になるような量で混
合される。この混合物を均一化する技術及び存在する水
分を除去する方法は当業界に公知であり、本発明の組成
物の製造の際有利に使用することができる。
酸化物及び／又はこれらの酸化物を生成する材料は通常
のガラス熔融法を使用して熔融する。該混合物を徐々に
１３００〜１５００°Ｃ１好ましくは１３７０〜１４７
０℃に加熱し、得られた熔融材料を均一な熔融物が得ら
れるまでこの温度に保つ。適切な熔融時間は使用する装
置、熔融する材料の量及び特定の７リツト組成物に依存
して２０分〜数時間に互っている。
のガラス熔融法を使用して熔融する。該混合物を徐々に
１３００〜１５００°Ｃ１好ましくは１３７０〜１４７
０℃に加熱し、得られた熔融材料を均一な熔融物が得ら
れるまでこの温度に保つ。適切な熔融時間は使用する装
置、熔融する材料の量及び特定の７リツト組成物に依存
して２０分〜数時間に互っている。
この均一化した熔融物を次に急冷してガラスのフリット
に変える。このような熔融物を急冷する方法は当業界に
公知である。その一つの方法においては、熔融したガラ
ス流を一組の間隔を置いて配置された反対方向に回転す
る水冷のローラの上に注ぎ、固化したガラスの薄いリボ
ンをつくる。
に変える。このような熔融物を急冷する方法は当業界に
公知である。その一つの方法においては、熔融したガラ
ス流を一組の間隔を置いて配置された反対方向に回転す
る水冷のローラの上に注ぎ、固化したガラスの薄いリボ
ンをつくる。
得られたガラスを破砕し、破砕されたガラス即ち７リツ
トを次に水、懸濁剤及び随時混練添加剤と共にボール・
ミルに加え、ガラスまたはフリッＦを摩砕して均一な粒
径にする。５〜５０、好ましくは５〜２５μ鶴の粒径が
特に適している。適切な懸濁剤及び混線添加剤は当業界
の専門家には公知である。
トを次に水、懸濁剤及び随時混練添加剤と共にボール・
ミルに加え、ガラスまたはフリッＦを摩砕して均一な粒
径にする。５〜５０、好ましくは５〜２５μ鶴の粒径が
特に適している。適切な懸濁剤及び混線添加剤は当業界
の専門家には公知である。
ボール・ミルから取り出した際、琺瑯の泥漿にさらに水
を加えることができる。泥漿を比重が１゜５０〜１．８
０になるまで稀釈することが好ましい。金属基質を被覆
するのに用いるのはこの泥漿または稀釈した泥漿である
。
を加えることができる。泥漿を比重が１゜５０〜１．８
０になるまで稀釈することが好ましい。金属基質を被覆
するのに用いるのはこの泥漿または稀釈した泥漿である
。
多くの種類の’ｋＪＡ及び合金を琺瑯で被覆することが
できる。しかし低炭素鋼が最も頻繁に使用される基質で
ある。ステンレス鋼合金は特殊な用途に対して被覆する
ことができる。アルミニウムまたはアルミニウムをベー
スにした材料を被覆する場合には、被覆材料は低い融点
（！１０ち５５０〜６５０’Ｃ）をもっていなければな
らない。
できる。しかし低炭素鋼が最も頻繁に使用される基質で
ある。ステンレス鋼合金は特殊な用途に対して被覆する
ことができる。アルミニウムまたはアルミニウムをベー
スにした材料を被覆する場合には、被覆材料は低い融点
（！１０ち５５０〜６５０’Ｃ）をもっていなければな
らない。
低炭素鋼はいくつかの理由により本発明において最も頻
繁に使用される基質である。例えば−回の被覆で鋼に直
接に琺瑯のカバーを被覆する場合、超低炭素鋼（即ち炭
素含量が０．００３重量％以下）は琺瑯被膜の欠陥（例
えば気泡または細孔）の原因になるガス状の二酸化炭素
を放出しない。低炭素鋼は典型的には熱膨張係数が約１
４Ｘ１０〜’／’Ｃであって、これは本発明の琺瑯組Ｉ
＆物の熱膨張係数とほぼ等しい。熱膨張係数が低炭素鋼
と実質的に異る他の種類の合金は、その特定の合金とほ
ぼ等しい熱膨張係数をもつ異った琺瑯被膜を必要とする
。
繁に使用される基質である。例えば−回の被覆で鋼に直
接に琺瑯のカバーを被覆する場合、超低炭素鋼（即ち炭
素含量が０．００３重量％以下）は琺瑯被膜の欠陥（例
えば気泡または細孔）の原因になるガス状の二酸化炭素
を放出しない。低炭素鋼は典型的には熱膨張係数が約１
４Ｘ１０〜’／’Ｃであって、これは本発明の琺瑯組Ｉ
＆物の熱膨張係数とほぼ等しい。熱膨張係数が低炭素鋼
と実質的に異る他の種類の合金は、その特定の合金とほ
ぼ等しい熱膨張係数をもつ異った琺瑯被膜を必要とする
。
琺瑯の泥漿で被覆する前に、適当な金属基質を切断し、
所望の形状に成形する。
所望の形状に成形する。
基質に被覆する多（の方法が当業界に公知であるが、電
着が好適な方法である。この方法では琺瑯の泥漿を適当
な電解槽に入れる。陽極にはニッケルまたはステンレス
鋼の板を用い、被覆すべき金属基質を陰極の位置に置く
６通常の方法で琺瑯の泥漿に電流を流す、懸濁液中のガ
ラスの粒子は金属基質の表面に沈着する。被膜の厚さは
琺瑯泥漿中の粒子の濃度、電流密度及び電着時間に依存
する。−に属基貿上に所望の厚さの被膜が沈着したら、
被覆された基質を琺瑯の泥漿から取り出し、水切りをし
、短時間水洗し、高温（約１００’Ｃ）で乾燥する。被
覆された基質は全表面に亙り均一な被膜を有している。
着が好適な方法である。この方法では琺瑯の泥漿を適当
な電解槽に入れる。陽極にはニッケルまたはステンレス
鋼の板を用い、被覆すべき金属基質を陰極の位置に置く
６通常の方法で琺瑯の泥漿に電流を流す、懸濁液中のガ
ラスの粒子は金属基質の表面に沈着する。被膜の厚さは
琺瑯泥漿中の粒子の濃度、電流密度及び電着時間に依存
する。−に属基貿上に所望の厚さの被膜が沈着したら、
被覆された基質を琺瑯の泥漿から取り出し、水切りをし
、短時間水洗し、高温（約１００’Ｃ）で乾燥する。被
覆された基質は全表面に亙り均一な被膜を有している。
次に被覆した基質を８００〜９００’Ｃ，好ましくは約
９００℃の温度に保った炉の中に直接入れる。焼成の初
期温度は十分に高く、被膜が熔融しほとんど同時に失透
が起らなければならない。一般に約８００°Ｃの温度で
十分であるが、約９００°Ｃの場合の方が失透が迅速に
起る。失透が実質的に完了するまで、被膜を焼成条件下
に置く。焼成時間は焼成温度及び特定の被膜の組成に依
存する。
９００℃の温度に保った炉の中に直接入れる。焼成の初
期温度は十分に高く、被膜が熔融しほとんど同時に失透
が起らなければならない。一般に約８００°Ｃの温度で
十分であるが、約９００°Ｃの場合の方が失透が迅速に
起る。失透が実質的に完了するまで、被膜を焼成条件下
に置く。焼成時間は焼成温度及び特定の被膜の組成に依
存する。
被膜は焼成されると迅速に変化する。７リツトが熔融す
ると、再結晶が始まり、熔融物の粘度が急速に増加する
。焼成中失透が迅速に起り、次いで停止する。再焼成中
これ以上失透は起らない。
ると、再結晶が始まり、熔融物の粘度が急速に増加する
。焼成中失透が迅速に起り、次いで停止する。再焼成中
これ以上失透は起らない。
被膜は連続であって、滑らかな表面の外観を有し、はと
んど直ちに平らなマット状の外観を呈する。
んど直ちに平らなマット状の外観を呈する。
焼成して仕上げられた被覆基質は全表面に亙り均一な被
膜を有している。
膜を有している。
焼成した琺瑯は融点が９００°Ｃより高く、２ＢａＯ２
・ＴｉＯ□・２ＳｉＯ□の結晶相を含んでいる。焼成さ
れた被膜は結晶性材料及びプラス質の両方を含んでいる
。結晶性材料対プラス質の割合は特定の７リツ）及び焼
成条件の両方に依存する。
・ＴｉＯ□・２ＳｉＯ□の結晶相を含んでいる。焼成さ
れた被膜は結晶性材料及びプラス質の両方を含んでいる
。結晶性材料対プラス質の割合は特定の７リツ）及び焼
成条件の両方に依存する。
焼成された琺瑯は高い熱膨張係数（即ち９〜１５Ｘ １
０〜’／ ’Ｃ）を有し、これによって熱膨張係数を琺
瑯被覆された基質に普通使用されるすべての鋼と同等に
することができる。この熱膨張係数の同等性によって、
繰返し焼成した際に被覆された基質が破断する傾向を除
去するかまたは実質的に減少させることができる。
０〜’／ ’Ｃ）を有し、これによって熱膨張係数を琺
瑯被覆された基質に普通使用されるすべての鋼と同等に
することができる。この熱膨張係数の同等性によって、
繰返し焼成した際に被覆された基質が破断する傾向を除
去するかまたは実質的に減少させることができる。
本発明の被覆された基質は回路の部品の製造に特に有用
である。これらの被覆された基Ｔｉ（即ち回路板）は平
らな表面を有し、そのため容易に且つ正確にプリントす
ることができる。プリント後温度６００〜９５０℃、好
ましくは約９００℃の温度で回路板を繰返し焼成し、プ
リント部分を融合して所望の操作に必要な電子部品にす
る。特定の焼成温度は使用する厚いフィルムになるイン
クの種類に依存する。当業界に普通使用される大部分の
インクは８００〜８５０℃の温度において焼成される。
である。これらの被覆された基Ｔｉ（即ち回路板）は平
らな表面を有し、そのため容易に且つ正確にプリントす
ることができる。プリント後温度６００〜９５０℃、好
ましくは約９００℃の温度で回路板を繰返し焼成し、プ
リント部分を融合して所望の操作に必要な電子部品にす
る。特定の焼成温度は使用する厚いフィルムになるイン
クの種類に依存する。当業界に普通使用される大部分の
インクは８００〜８５０℃の温度において焼成される。
しかし或様の銅インクは９００〜９５０℃の温度を必要
とする。
とする。
被覆された基質の池の利点ｉこは、高い電気抵抗、低い
誘電損失及び水に対する低い溶解度が含まれる。
誘電損失及び水に対する低い溶解度が含まれる。
下記の実施例により本発明を例示するが、本発明の範囲
を限定するものではない。これらの実施例において特記
しない限りすべての割合は重量による。
を限定するものではない。これらの実施例において特記
しない限りすべての割合は重量による。
実施例１
下記酸化物の混合物からつくられた均一の熔融物を水で
急冷してガラス・７リントをつくった。
急冷してガラス・７リントをつくった。
Ｋ、０ １３重重量
Ｂａ０ ３３重重量
５ｉ０２３７．６重量％
Ｎａ２Ｏ３，３重景％
＾１２０． ６．０重量％
ＴｉＯ７７，０重量％
＾ｓ２０り ０．１ 重量
１％Ｎ２Ｏ５１，２５重量％ 水及び粘土（懸濁剤）を存在させ、７リツトを摩砕して
平均粒径を２５μ鋤にし、ガラス・７リツト組成物を約
６６％含む琺瑯の泥漿をつくる。さらに水を加えてこの
泥漿を稀釈する。次に泥漿を予めきれいにした超低炭素
ｅ４（炭素含量的０．００３重景重量に被覆し、硫酸で
エツチングし、ニッケルを７ラツシングする。犬に被覆
した基質を温度９００℃で１５分間焼成する。焼成した
基質は厚さ５〜８ミルの均一な被膜を有する。この被膜
は２ＢａＯ□・ＴｉＯ＋・２ＳｉＯ□の結晶相を実質的
な量で含んでおり、熱膨張係数は１２，８Ｘ １０〜６
７ ’Ｃ（５０〜４５０℃）であり、軟化点は９２５℃
より高い。
１％Ｎ２Ｏ５１，２５重量％ 水及び粘土（懸濁剤）を存在させ、７リツトを摩砕して
平均粒径を２５μ鋤にし、ガラス・７リツト組成物を約
６６％含む琺瑯の泥漿をつくる。さらに水を加えてこの
泥漿を稀釈する。次に泥漿を予めきれいにした超低炭素
ｅ４（炭素含量的０．００３重景重量に被覆し、硫酸で
エツチングし、ニッケルを７ラツシングする。犬に被覆
した基質を温度９００℃で１５分間焼成する。焼成した
基質は厚さ５〜８ミルの均一な被膜を有する。この被膜
は２ＢａＯ□・ＴｉＯ＋・２ＳｉＯ□の結晶相を実質的
な量で含んでおり、熱膨張係数は１２，８Ｘ １０〜６
７ ’Ｃ（５０〜４５０℃）であり、軟化点は９２５℃
より高い。
実施例２〜３６
第１表記載の酸化物混合物を使用して実施例１の方法を
繰返した。酸化物の使用量は重量部で示されている。被
膜の性質及Ｖ第１表にまとめられた酸化物混合物からつ
くられた各７リツトでつくった被覆基質を第２表に掲げ
る。
繰返した。酸化物の使用量は重量部で示されている。被
膜の性質及Ｖ第１表にまとめられた酸化物混合物からつ
くられた各７リツトでつくった被覆基質を第２表に掲げ
る。
細かさは３２５メツシユの篩上で測定した細かさである
かまたは平均粒径である。測定された比重により粘度及
び泥漿中の粒子の沈降度が決定される。ｐＨ及び伝導度
（μモー）を測定し、最良の電気泳動による沈着が得ら
れるように調節した。不透明度は結晶化の目安である。
かまたは平均粒径である。測定された比重により粘度及
び泥漿中の粒子の沈降度が決定される。ｐＨ及び伝導度
（μモー）を測定し、最良の電気泳動による沈着が得ら
れるように調節した。不透明度は結晶化の目安である。
膨張は観察によって決定した。パネルの縁における被膜
の裂けまたは欠けは被膜の膨張が小さ過ぎることを示し
、被膜のひび割れは膨張が大き過ぎることを意味する。
の裂けまたは欠けは被膜の膨張が小さ過ぎることを示し
、被膜のひび割れは膨張が大き過ぎることを意味する。
軟化点はｎ察により決定した。
実施例番号 Ｓｉｇｈ ＢａＯＴｉ１ｔ Ｋｔ
ＯＬＩＩＯＮａ２ＯＮ１ ３７．６ ３３．０
７．０ １３，０ ３．３ Ｌ２
３８．０ ３８，８ １６．２ １，５
３．３ １゜３ ４６．４ ３３．０
８．６ ９，０ ３．０ １゜４
３６．０ ３０．０ ７．０ １１．０
３．０ １゜５ ３６．０ ３３，０
７．０ １３．０ ３．３ １゜６
４Ｑ、０ ３４．８ １８，２ １．５
３．３ １゜７ ３８．９ ３３．
０ ７．０ １６．０ １゜８
４３．９ ３３，０ ７，０ １６．０
１゜９ ３８．９ ３３．０
７．０ １５．０ １゜１０
４２．４ ３２．０ ７，０ １６．０
１゜１１ ３７．０ ５０．
０ １０．９ ２．０１２ ４２．０
４８．２ ９．７ 、 ２．０１．３
４９．０ ４０．１ ８．８ ２．
０１４ ４３．０ ４２．９ ９．０
２．０１５３７゜０ ４６，２ ９．７
２．０１６ ４４．０ ４２．９ １１
．０ ２．０＋７ ４６．０ ４１．
１ １０．８ ２．０１８ ４１．０
４１．１ １０．８ ２．０第１表 、０５ Ａｓ２Ｏ，Ａｌ２ｂｉ ＭｇＯＺｎＯＺ
ｒ０２Ｂ、０． Ｐ２Ｏ，Ｍｏｂ。
ＯＬＩＩＯＮａ２ＯＮ１ ３７．６ ３３．０
７．０ １３，０ ３．３ Ｌ２
３８．０ ３８，８ １６．２ １，５
３．３ １゜３ ４６．４ ３３．０
８．６ ９，０ ３．０ １゜４
３６．０ ３０．０ ７．０ １１．０
３．０ １゜５ ３６．０ ３３，０
７．０ １３．０ ３．３ １゜６
４Ｑ、０ ３４．８ １８，２ １．５
３．３ １゜７ ３８．９ ３３．
０ ７．０ １６．０ １゜８
４３．９ ３３，０ ７，０ １６．０
１゜９ ３８．９ ３３．０
７．０ １５．０ １゜１０
４２．４ ３２．０ ７，０ １６．０
１゜１１ ３７．０ ５０．
０ １０．９ ２．０１２ ４２．０
４８．２ ９．７ 、 ２．０１．３
４９．０ ４０．１ ８．８ ２．
０１４ ４３．０ ４２．９ ９．０
２．０１５３７゜０ ４６，２ ９．７
２．０１６ ４４．０ ４２．９ １１
．０ ２．０＋７ ４６．０ ４１．
１ １０．８ ２．０１８ ４１．０
４１．１ １０．８ ２．０第１表 、０５ Ａｓ２Ｏ，Ａｌ２ｂｉ ＭｇＯＺｎＯＺ
ｒ０２Ｂ、０． Ｐ２Ｏ，Ｍｏｂ。
２５ ０．１ ６．０
２５
２．２２５ ８．０
５，０２５ ０．１ ７．６ ２５
２．２２５ ０．１ ５．０ ２５ ０．１ ２５ ０．１ ５．０
１．０２５ ０．１ ２．５ ０．１ ０．１ ０．１ ０・１３．０ Ｏ，１５，０ ０，１ ０，１ ０、１５，０ １９ ４５．５ ４２．５ ８．９
３．０２０ ４７．０ ２４．９ ７
．０ １６．０２１ ４３．９ ３０．０
６，０ １６，０２２ ４４．４ ３３，０
８，５ １４．０２３ ４４．４ ３０
．０ Ｂ、５ １４．０２４ ４０．０
２３．９ １５．０ １６．０２５ ４３．
０ ３３．９ １５，０ １，０ ２．０２
６ ４４．２ ４１．２ Ｂ、５ ３
．０ ３．０２７ ４５．０ ２８．９ １
０，０ １６．０２８ ４４．０ １７
，９ ７．０ １６．０２９ ４２．０
３２＋０ ６．９ １２．０ １．０３０
４１．７ ３２．０ ８．９ １２．０
１．０３１ ４３．４ ４０．５ ８
．３ ４．７ ３．０３２ ４０．０ ３
３．０ ６．９ １５．０３３ ４１．５
３３．０ ６．９ ＋１．５ ２．０３４
４０．５ ３２．０ ５．９ １１＋５
２．０３５ ４１．０ ３３．０ ６．
９ １１，５ Ｚ、０３６ ４３．０ ３
３，０ Ｂ、９ １０，０ ２，０寒と轟１
１ひ ０．１ １．２５ ０．１ ５．０ １．２５ ０，１ ４．０ １．２５ ０．１ １．２５ ０，１ ３．０ １．２５ ０．１ ５．０ １．１５ ０．１ ５．０ ０．１ １．２５ ０．１ １．２５ ０．１ ５．０１．２５
０．１ ２．７ ３．０１．２５
０．１ ２．７ ３，０
０．３０．１ １．２５ ０．１ ２，５ ２．５１．２
５・ ０，１ ２，５ ２．５１．２５
０．１ ２．５ ２，５ ３．０１．２５
０．１ ２，５ ２，５
０．５１．２５ ０．
１ ５．０１ ０．６％／３２５ １
．７０６ １２．３／４８５０ ＣＬ−ＥＬＣ３０／
４０ ３０’／９００℃２ １．０％／３２５ １．
７０８ １１．７／２３５０ Ｐ−ＰＣ２０／４０
３０’／８９０℃３ １．０％／３２５ １．６９７
１１．８／２５５０ Ｐ−ＥＬＣ３０／３０ ３０
’／９００℃４ １．５％／３２５ １，６８５ １
１．８／２７００ Ｐ−ＰＣ２５／４０ ３０’／９
００℃５ １．２％／３２５ −１．７００ １２．０
／２９７０ Ｐ−１’Ｃ３０／４０ ３０’／９００
℃６ １．２％／３２５ １．８８３ １２．２／３
１００ Ｐ−ＰＣ４０／４０ ３０’／８９０℃７
４．２％７３２５ 〜１．７００ １２．０／２７００
１”ｌ’Ｃ２５／４０ １５’／９００℃８ −
噴霧のみ ＥＬＣ−１５’／９００℃９
１．８％／３２５ １．６８０ １１．７／２７０
０ １”ＰＣ２０／４０ １５’／９００°Ｃ１〇−噴
霧のみ ＥＬＣ−１５’／９００℃中程度
高 ７．７ ０Ｋ 中
程度滑らか 高 ７−８
低 高光沢 高 ８−
３０Ｋ 低粗い 高 ７．
０ 低 中程度粗い 高
７．０ ０Ｋ 中程度粗い
高 ５．５ 低
高粗い 高 ９．０ＯＫ
中程度−低 ＯＫ 粗い／裂け 高 ７ ０Ｋ
高−低 ＯＫ 高 高車高
高車高
高車高
高車高
高車高
高本１９ １２
μｍ １．６９０ １１．８／２４８０
Ｐ−ＥＬＣ２０／４０２１− 噴ｎ（
１’）ｈ ＥＬＣ２２−噴霧のみ
ＥＬＣ ２３−噴霧のみ ＥＬＣ ２４１２μｍ １．６１５ １２．１／３
１７０ Ｐ−ＥＬＣ３０／４０２９１２μｍ
１．６９２ １２．Ｏ／２１６０ Ｐ−ＰＣ２０１
５０３００，８％／３２５ １．７５２ １２．０／
２１００ Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２５１５０３１４％／３２
５ １．７１７ １１．４／２３８０ Ｐ−ＰＣ
２０／４０３２ １２μ鶴 １．６１９
１２．１／３７８０ Ｐ−ＰＣ２０／４０３３
０．８％／３２５ １．６６４ １１．９／２０１０
Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２０〆５０３４ １％／３２５
１．６８０ １２．３／３１４０ Ｐ−ＥＬＣ２
０／６５第２表（１＆さ） 高 高車高
高木１
５’／９００℃ 粗い／！ｌｉ！け 高
６−７ 僅かに低 高木寧 １５’／９００℃ 中程度
０Ｋ１５’／９００℃
低 低１５’／９０
０’Ｃ中程度 低１５’／９００’Ｃ
滑らか 中程度 ６．２ 低
中程度高 低
車高 低 本低 低 １５’ ７９００℃ 光沢／凹凸あり 高
６ 高 中程度１０’／９００℃
中程度〜良好 高 ６ 高
中程度５／９００℃ 光沢／粗い 中程
度 ５．６ 低 中程度１０’７９
００℃ 滑らか／裂け 高 ６−７
０Ｋ 中程度１０’／９００℃ 欠陥
高 ７ ０Ｋ
中程度１５’／９００℃ 滑らか 中程度
６．５ ０Ｋ 高３５ １．
６％／３２５ １．６９３ １２．０／２１９０
Ｐ−ＰＣ２０／４０３６ ０．７％／３２５ 測定
せず１１．９／２１００ Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２０１５０
ａ） ｂ）Ｐ
＝酸洗い 低−〜８
２５−８７５ＣＯ＝きれいにしただけ
中程度−８７５−〜９２５ＣＨ＝化学的混疎
高−〉９２５°ＣＰＣ＝プリ
ント回路 １：Ｌｃ＝超低炭′Ａ鋼 気１衣１０σ １５’ ７９００℃ 凹凸あり 、％ｉ
７−８ ０Ｋ 中程度１５’
７９００℃ 欠陥／粗い 高 ６−８
（氏 中程度Ｃ本 融点は非常に高い ′Ｃ林完全には熔融しない組成物 以上本発明を例示のために詳細に説明したが、このよう
な詳細点は単に例示のためであり、特許請求の範囲記載
の事項以外、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく
種々の変形を行い得ることは明らかである。
２．２２５ ８．０
５，０２５ ０．１ ７．６ ２５
２．２２５ ０．１ ５．０ ２５ ０．１ ２５ ０．１ ５．０
１．０２５ ０．１ ２．５ ０．１ ０．１ ０．１ ０・１３．０ Ｏ，１５，０ ０，１ ０，１ ０、１５，０ １９ ４５．５ ４２．５ ８．９
３．０２０ ４７．０ ２４．９ ７
．０ １６．０２１ ４３．９ ３０．０
６，０ １６，０２２ ４４．４ ３３，０
８，５ １４．０２３ ４４．４ ３０
．０ Ｂ、５ １４．０２４ ４０．０
２３．９ １５．０ １６．０２５ ４３．
０ ３３．９ １５，０ １，０ ２．０２
６ ４４．２ ４１．２ Ｂ、５ ３
．０ ３．０２７ ４５．０ ２８．９ １
０，０ １６．０２８ ４４．０ １７
，９ ７．０ １６．０２９ ４２．０
３２＋０ ６．９ １２．０ １．０３０
４１．７ ３２．０ ８．９ １２．０
１．０３１ ４３．４ ４０．５ ８
．３ ４．７ ３．０３２ ４０．０ ３
３．０ ６．９ １５．０３３ ４１．５
３３．０ ６．９ ＋１．５ ２．０３４
４０．５ ３２．０ ５．９ １１＋５
２．０３５ ４１．０ ３３．０ ６．
９ １１，５ Ｚ、０３６ ４３．０ ３
３，０ Ｂ、９ １０，０ ２，０寒と轟１
１ひ ０．１ １．２５ ０．１ ５．０ １．２５ ０，１ ４．０ １．２５ ０．１ １．２５ ０，１ ３．０ １．２５ ０．１ ５．０ １．１５ ０．１ ５．０ ０．１ １．２５ ０．１ １．２５ ０．１ ５．０１．２５
０．１ ２．７ ３．０１．２５
０．１ ２．７ ３，０
０．３０．１ １．２５ ０．１ ２，５ ２．５１．２
５・ ０，１ ２，５ ２．５１．２５
０．１ ２．５ ２，５ ３．０１．２５
０．１ ２，５ ２，５
０．５１．２５ ０．
１ ５．０１ ０．６％／３２５ １
．７０６ １２．３／４８５０ ＣＬ−ＥＬＣ３０／
４０ ３０’／９００℃２ １．０％／３２５ １．
７０８ １１．７／２３５０ Ｐ−ＰＣ２０／４０
３０’／８９０℃３ １．０％／３２５ １．６９７
１１．８／２５５０ Ｐ−ＥＬＣ３０／３０ ３０
’／９００℃４ １．５％／３２５ １，６８５ １
１．８／２７００ Ｐ−ＰＣ２５／４０ ３０’／９
００℃５ １．２％／３２５ −１．７００ １２．０
／２９７０ Ｐ−１’Ｃ３０／４０ ３０’／９００
℃６ １．２％／３２５ １．８８３ １２．２／３
１００ Ｐ−ＰＣ４０／４０ ３０’／８９０℃７
４．２％７３２５ 〜１．７００ １２．０／２７００
１”ｌ’Ｃ２５／４０ １５’／９００℃８ −
噴霧のみ ＥＬＣ−１５’／９００℃９
１．８％／３２５ １．６８０ １１．７／２７０
０ １”ＰＣ２０／４０ １５’／９００°Ｃ１〇−噴
霧のみ ＥＬＣ−１５’／９００℃中程度
高 ７．７ ０Ｋ 中
程度滑らか 高 ７−８
低 高光沢 高 ８−
３０Ｋ 低粗い 高 ７．
０ 低 中程度粗い 高
７．０ ０Ｋ 中程度粗い
高 ５．５ 低
高粗い 高 ９．０ＯＫ
中程度−低 ＯＫ 粗い／裂け 高 ７ ０Ｋ
高−低 ＯＫ 高 高車高
高車高
高車高
高車高
高車高
高本１９ １２
μｍ １．６９０ １１．８／２４８０
Ｐ−ＥＬＣ２０／４０２１− 噴ｎ（
１’）ｈ ＥＬＣ２２−噴霧のみ
ＥＬＣ ２３−噴霧のみ ＥＬＣ ２４１２μｍ １．６１５ １２．１／３
１７０ Ｐ−ＥＬＣ３０／４０２９１２μｍ
１．６９２ １２．Ｏ／２１６０ Ｐ−ＰＣ２０１
５０３００，８％／３２５ １．７５２ １２．０／
２１００ Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２５１５０３１４％／３２
５ １．７１７ １１．４／２３８０ Ｐ−ＰＣ
２０／４０３２ １２μ鶴 １．６１９
１２．１／３７８０ Ｐ−ＰＣ２０／４０３３
０．８％／３２５ １．６６４ １１．９／２０１０
Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２０〆５０３４ １％／３２５
１．６８０ １２．３／３１４０ Ｐ−ＥＬＣ２
０／６５第２表（１＆さ） 高 高車高
高木１
５’／９００℃ 粗い／！ｌｉ！け 高
６−７ 僅かに低 高木寧 １５’／９００℃ 中程度
０Ｋ１５’／９００℃
低 低１５’／９０
０’Ｃ中程度 低１５’／９００’Ｃ
滑らか 中程度 ６．２ 低
中程度高 低
車高 低 本低 低 １５’ ７９００℃ 光沢／凹凸あり 高
６ 高 中程度１０’／９００℃
中程度〜良好 高 ６ 高
中程度５／９００℃ 光沢／粗い 中程
度 ５．６ 低 中程度１０’７９
００℃ 滑らか／裂け 高 ６−７
０Ｋ 中程度１０’／９００℃ 欠陥
高 ７ ０Ｋ
中程度１５’／９００℃ 滑らか 中程度
６．５ ０Ｋ 高３５ １．
６％／３２５ １．６９３ １２．０／２１９０
Ｐ−ＰＣ２０／４０３６ ０．７％／３２５ 測定
せず１１．９／２１００ Ｐ−ＣＭ−ＰＣ２０１５０
ａ） ｂ）Ｐ
＝酸洗い 低−〜８
２５−８７５ＣＯ＝きれいにしただけ
中程度−８７５−〜９２５ＣＨ＝化学的混疎
高−〉９２５°ＣＰＣ＝プリ
ント回路 １：Ｌｃ＝超低炭′Ａ鋼 気１衣１０σ １５’ ７９００℃ 凹凸あり 、％ｉ
７−８ ０Ｋ 中程度１５’
７９００℃ 欠陥／粗い 高 ６−８
（氏 中程度Ｃ本 融点は非常に高い ′Ｃ林完全には熔融しない組成物 以上本発明を例示のために詳細に説明したが、このよう
な詳細点は単に例示のためであり、特許請求の範囲記載
の事項以外、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく
種々の変形を行い得ることは明らかである。
特許量１ｆｆ人 モベイ・コーポレーション−＼。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熔融すると実質的に （ａ）ＢａＯ２０〜５０重量％ （ｂ）ＢｉＯ＿２３０〜６０重量％ （ｃ）ＴｉＯ＿２２〜２０重量％ （ｄ）Ｋ＿２Ｏ０〜１６重量％ （ｅ）Ｎａ＿２Ｏ０〜４重量％ （ｆ）Ｌｉ＿２Ｏ０〜４重量％ （ｇ）Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１０重量％ （ｈ）Ｂ＿２Ｏ＿３０〜３重量％ （ｉ）Ａｓ＿２Ｏ＿３０〜３重量％ （ｊ）ＣａＯ０〜１０重量％ （ｋ）ＣｅＯ＿２０〜３重量％ （ｌ）ＭｇＯ０〜１０重量％ （ｍ）Ｆ＿２０〜３重量％ （ｎ）Ｎ＿２Ｏ＿５０〜３重量％ （ｏ）ＰｂＯ０〜３重量％ （ｐ）Ｐ＿２Ｏ＿５０〜３重量％ （ｑ）Ｓｂ＿２Ｏ＿３０〜３重量％ （ｒ）ＳｎＯ＿２０〜３重量％ （ｓ）ＳｒＯ０〜１０重量％ （ｔ）ＺｎＯ０〜１０重量％ （ｕ）ＺｒＯ＿２０〜１０重量％及び （ｖ）ＮｏＯ＿３０〜３重量％ から成り、全部でほぼ１００重量％になる酸化物混合物
を生じる材料の混合物を熔融して均一な熔融物をつくり
、該熔融物を急冷してフリットをつくり、該フリットを
焼成してつくられることを特徴とする部分的に失透した
琺瑯組成物。 ２、熔融混合物は （ａ）ＢａＯ２５〜４５重量％ （ｂ）ＳｉＯ＿２３５〜５０重量％ （ｃ）ＴｉＯ＿２４〜１０重量％ を含む特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３、熔融混合物はさらに （ｄ）にＫ＿２Ｏ０〜１２重量％ （ｇ）Ａｌ＿２Ｏ＿３２〜８重量％ （ｊ）ＣａＯ０〜５重量％ （ｌ）ＭｇＯ０〜５重量％ （ｓ）ＳｒＯ０〜５重量％ （ｔ）ＺｎＯ０〜５重量％及び （ｗ）ＺｒＯ＿２０〜５重量％ を含む特許請求の範囲第２項記載の組成物。 ４、Ｌｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ及びＫ＿２Ｏから成る群か
ら選ばれた酸化物の少なくとも２種が熔融物中に存在す
る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ５、熔融混合物は （ａ）ＢａＯ３３重量％ （ｂ）ＳｉＯ＿２３７．６重量％ （ｃ）ＴｉＯ＿２７．０重量％ （ｄ）Ｋ＿２Ｏ１３重量％ （ｅ）Ｎａ＿２Ｏ３．３重量％ （ｇ）Ａｌ＿２Ｏ＿３６．０重量％ （ｉ）Ａｓ＿２Ｏ＿３０．１重量％及び （ｎ）Ｎ＿２Ｏ＿５１．２５重量％ を含む特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ６、特許請求の範囲第１〜５項記載の部分的に脱ガラス
化された琺瑯のいずれかが金属基質に被覆されている電
子回路製造に適した被覆基質。
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