JPS6021829A - ガラス組成物 - Google Patents
ガラス組成物Info
- Publication number
- JPS6021829A JPS6021829A JP12735383A JP12735383A JPS6021829A JP S6021829 A JPS6021829 A JP S6021829A JP 12735383 A JP12735383 A JP 12735383A JP 12735383 A JP12735383 A JP 12735383A JP S6021829 A JPS6021829 A JP S6021829A
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- JP
- Japan
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- melting
- high temp
- sro
- cao
- compsn
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、耐熱性、電気軸性に丁ぐ扛たほうろう基板
配想板を作ること？］ｌ−ムＪ能と丁ゐ金橋：ｒ５板機
用に用いうるカラス組成物に関丁ゐｔのである。最近の
エレクトロニクスの進歩にともない、篩密度配勝化が進
み１発生丁ゐ熱の放散性や基板自体の耐熱性が益々皇安
となってきており、アルミナ等を用いたセラミックス丞
板靜の１史用が増加してきている。一方、同様の目的で
、より大型の基板が製造可能であり、又、劇荷憲性に丁
ぐｎ立体的形状も容易ｖｃ製這ＥｓＪ能なほうろう丞板
も注目され始めて＠た。しかし、従来、はうろう基板に
用いる釉薬が非晶質であ／３ために、鉄石等金塊芯のｉ
榎、焼成時に釉薬の表面張力により例えば金鳩；ｂのス
ルーホールのコーナ一部にメニスカスといわ′ｎる盛り
土が９が発生する欠点があり１回路加工時に印刷ペース
トのパターン精度があがらない等の欠点がめった。又、
印刷ペーストの焼成時、基板の柚柔か軟化丁／）ため回
路用ペーストの焼成１Ｍｉに制限がありセラミックス丞
板用に用いらｎるペーストの要用かで＠ない他基板の電
気特性を者しく低下させるほうろう層中の径が１００μ
近くあるようなボイドやピンホール＠−を完全には避け
えない等の欠点があった０ 本発明はこのような点に鑑みてなさｔ′したもので、上
記の欠点が改善さｆＬ ７ｊはうろう基板配線板の製造
を可能と丁ゐ金ｗ４芯被懐用等に用いられるカラス組成
物に関すゐもので、原料を高御で浴融後急冷したモル％
で、七Ｆ勤で、１０（Ｓｉｎ、＜２５． １５＜ＢＴＵ
ｓ＜２５． １（ＳｒＯ（１５゜４０＜ＭｇＵ＋ＣａＯ
＋Ｚｎ０（７０，０（ＢａＯ＜ＩＤ１ｒ含むことを特は
とするカラス組成物であゐ０丁なわら本発明のカラス組
成物の組成は酸化物でボテと１モル％で、１０（ＳｉＯ
＊（２５，１５＜Ｂｔｕｓ （２５，１（５ｒ（Ｊ（１
５，４０（Ｍｇ（）＋ＣａＯ十Ｚｎ０（７Ｃ１，０（Ｂ
ａＯ（１０の朝間であ６０より望ましくは、上記範囲中
、 ｓＯ＜ＭｇＯ＜６５゜２（ＢａＯ（６，２（ＢａＯ
＋ＳｒＯ＜１５であゐ０上記組成物に７Ｚゐ原料として
は、酸化物の他もＦｌｉ塩類（炭酸塩、硝酸塩等）及び
天然物等を用いることもでさる０こ扛らの原料忙沼融す
るに光分な高部で一般的には、１３００℃以上望址しく
は１５００℃前依で光分に浴融した俊急耐丁ゐことによ
り非晶質状態のガラス組成物をつくる。溶融時間は１５
００℃の動台、約１時間で％以下の童を添加物として加
えても良い。それらの代表的物質はそれぞｎ例えば′ｒ
ｉＯｔ、 Ｃｒ＊Ｏｓ。
配想板を作ること？］ｌ−ムＪ能と丁ゐ金橋：ｒ５板機
用に用いうるカラス組成物に関丁ゐｔのである。最近の
エレクトロニクスの進歩にともない、篩密度配勝化が進
み１発生丁ゐ熱の放散性や基板自体の耐熱性が益々皇安
となってきており、アルミナ等を用いたセラミックス丞
板靜の１史用が増加してきている。一方、同様の目的で
、より大型の基板が製造可能であり、又、劇荷憲性に丁
ぐｎ立体的形状も容易ｖｃ製這ＥｓＪ能なほうろう丞板
も注目され始めて＠た。しかし、従来、はうろう基板に
用いる釉薬が非晶質であ／３ために、鉄石等金塊芯のｉ
榎、焼成時に釉薬の表面張力により例えば金鳩；ｂのス
ルーホールのコーナ一部にメニスカスといわ′ｎる盛り
土が９が発生する欠点があり１回路加工時に印刷ペース
トのパターン精度があがらない等の欠点がめった。又、
印刷ペーストの焼成時、基板の柚柔か軟化丁／）ため回
路用ペーストの焼成１Ｍｉに制限がありセラミックス丞
板用に用いらｎるペーストの要用かで＠ない他基板の電
気特性を者しく低下させるほうろう層中の径が１００μ
近くあるようなボイドやピンホール＠−を完全には避け
えない等の欠点があった０ 本発明はこのような点に鑑みてなさｔ′したもので、上
記の欠点が改善さｆＬ ７ｊはうろう基板配線板の製造
を可能と丁ゐ金ｗ４芯被懐用等に用いられるカラス組成
物に関すゐもので、原料を高御で浴融後急冷したモル％
で、七Ｆ勤で、１０（Ｓｉｎ、＜２５． １５＜ＢＴＵ
ｓ＜２５． １（ＳｒＯ（１５゜４０＜ＭｇＵ＋ＣａＯ
＋Ｚｎ０（７０，０（ＢａＯ＜ＩＤ１ｒ含むことを特は
とするカラス組成物であゐ０丁なわら本発明のカラス組
成物の組成は酸化物でボテと１モル％で、１０（ＳｉＯ
＊（２５，１５＜Ｂｔｕｓ （２５，１（５ｒ（Ｊ（１
５，４０（Ｍｇ（）＋ＣａＯ十Ｚｎ０（７Ｃ１，０（Ｂ
ａＯ（１０の朝間であ６０より望ましくは、上記範囲中
、 ｓＯ＜ＭｇＯ＜６５゜２（ＢａＯ（６，２（ＢａＯ
＋ＳｒＯ＜１５であゐ０上記組成物に７Ｚゐ原料として
は、酸化物の他もＦｌｉ塩類（炭酸塩、硝酸塩等）及び
天然物等を用いることもでさる０こ扛らの原料忙沼融す
るに光分な高部で一般的には、１３００℃以上望址しく
は１５００℃前依で光分に浴融した俊急耐丁ゐことによ
り非晶質状態のガラス組成物をつくる。溶融時間は１５
００℃の動台、約１時間で％以下の童を添加物として加
えても良い。それらの代表的物質はそれぞｎ例えば′ｒ
ｉＯｔ、 Ｃｒ＊Ｏｓ。
以上説明したように、本発明のカラス組成物となる原料
を筒部で浴融後急冷粉砕し非晶質の粉体全つくる。こｎ
ｋ全公知方法で鉄寺の金執芯表面に被覆する０その後７
００℃以上の温度でよ＃）望ましくは８００℃〜１００
０℃の範囲の渦層で６分以上焼ｒＪ！ｊ、を行ない釉薬
を浴融する。
を筒部で浴融後急冷粉砕し非晶質の粉体全つくる。こｎ
ｋ全公知方法で鉄寺の金執芯表面に被覆する０その後７
００℃以上の温度でよ＃）望ましくは８００℃〜１００
０℃の範囲の渦層で６分以上焼ｒＪ！ｊ、を行ない釉薬
を浴融する。
この焼成中に本発明を用いた釉薬は、短時間で浴融した
後急速に結晶化し、固化する。
後急速に結晶化し、固化する。
よって流動する液体状の時間が極めて短刀・いために、
表面張力によるメニスカス勿抑制でき、又、最初にあっ
た粒子間の間隙中の空気やその他の原因からなるボイド
も成長せず、微細な状態でとどまるため、電気的な特性
の低下が抑えられる。
表面張力によるメニスカス勿抑制でき、又、最初にあっ
た粒子間の間隙中の空気やその他の原因からなるボイド
も成長せず、微細な状態でとどまるため、電気的な特性
の低下が抑えられる。
本発明のガラス組成物で、９００℃以下で全成分の５０
〜１００．ｊ！Ｕ量％が結晶仕丁６ものが。
〜１００．ｊ！Ｕ量％が結晶仕丁６ものが。
この目的のためＴｌｃは好ましい。
本発明を用いた釉薬では、結晶化し′ＩＣ俊の再軟化御
度が惚めて高（，８００℃以上でも軟化しないため、印
刷ペーストの種類の制限が減り、セラミックス基板用ペ
ーストカ月史える寺ペーストの選択範囲が広がるという
効果もある。細条の焼成時の粘度調整のために本発明を
用いた釉薬粉砕物で被覆する時に従来の非晶質ａ系粉砕
物を０〜４０崖蓋％程度本発明ケ用いた柚楽粉砕物とｍ
台して１史用することも９症でルゐ０本発明のその他の
使用法としては多胎印籐３時の中間絶縁層用の誘電体ペ
ーストとしての使用等ｔムＴ「ヒである。
度が惚めて高（，８００℃以上でも軟化しないため、印
刷ペーストの種類の制限が減り、セラミックス基板用ペ
ーストカ月史える寺ペーストの選択範囲が広がるという
効果もある。細条の焼成時の粘度調整のために本発明を
用いた釉薬粉砕物で被覆する時に従来の非晶質ａ系粉砕
物を０〜４０崖蓋％程度本発明ケ用いた柚楽粉砕物とｍ
台して１史用することも９症でルゐ０本発明のその他の
使用法としては多胎印籐３時の中間絶縁層用の誘電体ペ
ーストとしての使用等ｔムＴ「ヒである。
以上説明したようＶＣ従従来非晶貴稍楽を用いたはうろ
う基板では前記したメニスカスや細糸の軟化及びボイド
の問題などの改善に限界がめったが、本発明のガラス組
成物では金鳥芯上への被覆焼成＃Ｉ＃に釉薬がガラス状
態がら結晶状態に相変化奮起こさせること奮利用し、使
米の問題点の）＋ｌＩＰ決をはかることゲ可能とする〇
夾施例 ＭｇＬ） ５８−Ｔ−／Ｌ、％ｅ ＢａＣＯ５
５モル’；”ｏ ｅ ５ｒｃＵｓ２ ％ル％ 、 Ｓｉ
ｎ、１５モルフｏ ＊ ＢＴＵｓ ２０モに’；’ｏ’
を自省ルツボ中で１５００℃で約１時間浴融した後、耐
却ロールで急冷粉砕子＾０倚ら２’した透明ｌカラス組
成物ｔボールミルで約２０ Ｈ：ｊ間粉砕した俊鉄板上
ｖｃ塗布した。こ７’Ｌケ８５０ ℃の焼成炉中で５分
間焼成したがｆ乳陶色のはうろう基板娑傅た。鉄心、基
板衣面間の１１１Ｌ圧は２ｋＶ以上あハ断向観際したθ
「約５μ〜１０ｐ程度の多数のボイドが見らｎたが、そ
ｔＬが成長した５０μ以上の大きなボイドは見ら２Ｌな
がった。メニスカスも従来非晶賀釉に比較して子分以下
の３０μ程展であり印駒性も良好であった０父、電子顯
倣鏡では９ろう訳向葡親県しに所はとんどｒ面ｔカバー
丁／）長路５〜１０μ程度の多数の針状結晶が観餅さ才
また。
う基板では前記したメニスカスや細糸の軟化及びボイド
の問題などの改善に限界がめったが、本発明のガラス組
成物では金鳥芯上への被覆焼成＃Ｉ＃に釉薬がガラス状
態がら結晶状態に相変化奮起こさせること奮利用し、使
米の問題点の）＋ｌＩＰ決をはかることゲ可能とする〇
夾施例 ＭｇＬ） ５８−Ｔ−／Ｌ、％ｅ ＢａＣＯ５
５モル’；”ｏ ｅ ５ｒｃＵｓ２ ％ル％ 、 Ｓｉ
ｎ、１５モルフｏ ＊ ＢＴＵｓ ２０モに’；’ｏ’
を自省ルツボ中で１５００℃で約１時間浴融した後、耐
却ロールで急冷粉砕子＾０倚ら２’した透明ｌカラス組
成物ｔボールミルで約２０ Ｈ：ｊ間粉砕した俊鉄板上
ｖｃ塗布した。こ７’Ｌケ８５０ ℃の焼成炉中で５分
間焼成したがｆ乳陶色のはうろう基板娑傅た。鉄心、基
板衣面間の１１１Ｌ圧は２ｋＶ以上あハ断向観際したθ
「約５μ〜１０ｐ程度の多数のボイドが見らｎたが、そ
ｔＬが成長した５０μ以上の大きなボイドは見ら２Ｌな
がった。メニスカスも従来非晶賀釉に比較して子分以下
の３０μ程展であり印駒性も良好であった０父、電子顯
倣鏡では９ろう訳向葡親県しに所はとんどｒ面ｔカバー
丁／）長路５〜１０μ程度の多数の針状結晶が観餅さ才
また。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ａ科を鍋温で溶融故意？にしたモル％で、１０＜
ＳｉＣ）ｍ ＜ ２５９．１５ ＜ Ｂｔｕｓ ＜ ２
５ ｐ １ ＜ ＳｒＯ＜１５、 ４０（ＭｇＵ＋Ｃａ
Ｏ＋Ｚｎ０（７０，０，（ＢａＯ〈１０勿含むカラス組
成物。 ２．９００℃以下で全成分の５０〜１ｏｏｉ賞％が結晶
化する特許請求の範囲第１項記載のガラス組成１勿０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12735383A JPS6021829A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12735383A JPS6021829A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | ガラス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021829A true JPS6021829A (ja) | 1985-02-04 |
| JPH0148210B2 JPH0148210B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=14957829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12735383A Granted JPS6021829A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | ガラス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230085A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日立化成工業株式会社 | ほうろう配線板の製造法 |
| JPH0240990A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板 |
| JPH05253320A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-05 | Taiei Shoko Kk | 缶潰し機能を有する用機具並びに缶潰しシステム |
| JPH0593686U (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-21 | 株式会社泰成工業所 | 空缶潰し機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140336A (en) * | 1979-11-05 | 1982-08-30 | Rca Corp | Devitrifiable glass frit |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12735383A patent/JPS6021829A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140336A (en) * | 1979-11-05 | 1982-08-30 | Rca Corp | Devitrifiable glass frit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230085A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日立化成工業株式会社 | ほうろう配線板の製造法 |
| JPH0240990A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板 |
| JPH05253320A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-05 | Taiei Shoko Kk | 缶潰し機能を有する用機具並びに缶潰しシステム |
| JPH0593686U (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-21 | 株式会社泰成工業所 | 空缶潰し機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148210B2 (ja) | 1989-10-18 |
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