JPS5939783A - 結晶化グレ−ズ基板 - Google Patents
結晶化グレ−ズ基板Info
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- JPS5939783A JPS5939783A JP14831982A JP14831982A JPS5939783A JP S5939783 A JPS5939783 A JP S5939783A JP 14831982 A JP14831982 A JP 14831982A JP 14831982 A JP14831982 A JP 14831982A JP S5939783 A JPS5939783 A JP S5939783A
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- JP
- Japan
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- mol
- crystallized
- substrate
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- Electronic Switches (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶化グレーズ基板に関するものである。さら
に詳しくは、本発明は、表面が平滑で加工時におけるク
ラックの発生が少く耐熱性に富み、例えばファクシミリ
グレーズ基板特にサーマルヘッド用の基盤として好適な
結晶化グレーズ基板に関するものである。
に詳しくは、本発明は、表面が平滑で加工時におけるク
ラックの発生が少く耐熱性に富み、例えばファクシミリ
グレーズ基板特にサーマルヘッド用の基盤として好適な
結晶化グレーズ基板に関するものである。
サーマルヘッド用の基板と匂では高アルミナ磁器が用い
られ、この表面に、例えばクロム、タンタルのような金
属薄膜を真空蒸着等により被着した後、エツチング等を
行うものであるが、この場合、基板表面の粗度が問題と
なり、実用上、差支えない程度までに平滑性を確保りる
ため、通常表面に例えばＳｉ ０２ ：５７．２モ°ル
％、３ａＱ：４．２モル％、ΔＪｌｚＯａ ：３．２モ
ル％、Ｂ２０ａ：１６．１モル％、Ｃａｂ：５．６モル
％、ＭＯＯ：１．０モル％、ＰｂＯ：８．’１モル％、
Ｎａ ２０：３．８モル％に２０：０．８モル％のにう
な組成分からなるガラスが塗布焼成される。
られ、この表面に、例えばクロム、タンタルのような金
属薄膜を真空蒸着等により被着した後、エツチング等を
行うものであるが、この場合、基板表面の粗度が問題と
なり、実用上、差支えない程度までに平滑性を確保りる
ため、通常表面に例えばＳｉ ０２ ：５７．２モ°ル
％、３ａＱ：４．２モル％、ΔＪｌｚＯａ ：３．２モ
ル％、Ｂ２０ａ：１６．１モル％、Ｃａｂ：５．６モル
％、ＭＯＯ：１．０モル％、ＰｂＯ：８．’１モル％、
Ｎａ ２０：３．８モル％に２０：０．８モル％のにう
な組成分からなるガラスが塗布焼成される。
ところがこのガラスは本質的に耐熱性が低いために加工
時にクラックを生じ易くリード線の熱圧着の際にはがれ
てしまうという欠点がある。また、厚膜方式のサーマル
ヘッドの場合には配線を印刷したあとの焼成で表面に塗
布したガラスが軟化して配線が破壊されるなどの輝点が
あり、簿膜方式の場合には高速化に伴う高熱のためにガ
ラスがとけてしまうといつ１ｃ欠点がある。本発明はこ
のＪ、うな従来のグレーズ基板の表面に塗布焼成された
ガラスにみられる欠点を改善するべく種々検問の結果、
従来のガラスの代りにＢａ Ｏ，△１２０３２ｓ＋ ０
２を主結晶どするガラス成分おＪ、びこれに特定の核形
成分の組み合わせからなる結晶化ガラス成分あるいはそ
れらの成分に更に特定の成分を加えたものを、例えばア
ルミナ磁器のようなセラミック基板に塗イＩ＋焼成する
ことにより、表面が平滑で表面ガラスと基板との熱膨服
係数が近似しており耐熱性に富み加工時におけるクラン
クの発生の少いセラミック基板が得られるとの知見をえ
て本発明に至った。すなわち本願第１発明は、５ｉ０２
：５０〜６５モル％、３ａ○：１４〜２６モル％、Ａｌ
ｚｏａ ：５〜１６モル％からなる主成分と、Ｙ２０
ｓ ： ４．５〜８モル％、Ｌａ２Ｏ３：４．５〜８モ
ル％、Ｚｒ０ｚ：４〜８モル％の１種または２種以上の
核形成剤とを含む結晶化ガラス成分をセラミック基板に
塗布し、焼成結晶化させてなる結晶化グレーズ基板を要
旨とするものであり、第２発明はＳｉ ０２ ：５０〜
６５モル％、Ｂａ Ｏ： １４〜２６モル％、Ａ、１２
０ａ ：６〜１６モル％からなる主成分と、Ｙ２Ｏ３：
４゜５〜８モル％、Ｌａｚ○３：４．５〜８モル％、Ｚ
ｒＯ２：４〜８モル％の１種または２種以上の核形成剤
と、３モル％以下のＭｇＯ１８モル％以下のＣａＯ１５
モル％以下のＳｒ ０，３モル％以下のＰ２Ｏ５の１種
または２種以上の成分とを含む結晶化カラス成分をセラ
ミック基板に塗布し、焼成結晶化させてなることを特徴
とづる結晶化グレーズ基板を要旨と１６ものである。
時にクラックを生じ易くリード線の熱圧着の際にはがれ
てしまうという欠点がある。また、厚膜方式のサーマル
ヘッドの場合には配線を印刷したあとの焼成で表面に塗
布したガラスが軟化して配線が破壊されるなどの輝点が
あり、簿膜方式の場合には高速化に伴う高熱のためにガ
ラスがとけてしまうといつ１ｃ欠点がある。本発明はこ
のＪ、うな従来のグレーズ基板の表面に塗布焼成された
ガラスにみられる欠点を改善するべく種々検問の結果、
従来のガラスの代りにＢａ Ｏ，△１２０３２ｓ＋ ０
２を主結晶どするガラス成分おＪ、びこれに特定の核形
成分の組み合わせからなる結晶化ガラス成分あるいはそ
れらの成分に更に特定の成分を加えたものを、例えばア
ルミナ磁器のようなセラミック基板に塗イＩ＋焼成する
ことにより、表面が平滑で表面ガラスと基板との熱膨服
係数が近似しており耐熱性に富み加工時におけるクラン
クの発生の少いセラミック基板が得られるとの知見をえ
て本発明に至った。すなわち本願第１発明は、５ｉ０２
：５０〜６５モル％、３ａ○：１４〜２６モル％、Ａｌ
ｚｏａ ：５〜１６モル％からなる主成分と、Ｙ２０
ｓ ： ４．５〜８モル％、Ｌａ２Ｏ３：４．５〜８モ
ル％、Ｚｒ０ｚ：４〜８モル％の１種または２種以上の
核形成剤とを含む結晶化ガラス成分をセラミック基板に
塗布し、焼成結晶化させてなる結晶化グレーズ基板を要
旨とするものであり、第２発明はＳｉ ０２ ：５０〜
６５モル％、Ｂａ Ｏ： １４〜２６モル％、Ａ、１２
０ａ ：６〜１６モル％からなる主成分と、Ｙ２Ｏ３：
４゜５〜８モル％、Ｌａｚ○３：４．５〜８モル％、Ｚ
ｒＯ２：４〜８モル％の１種または２種以上の核形成剤
と、３モル％以下のＭｇＯ１８モル％以下のＣａＯ１５
モル％以下のＳｒ ０，３モル％以下のＰ２Ｏ５の１種
または２種以上の成分とを含む結晶化カラス成分をセラ
ミック基板に塗布し、焼成結晶化させてなることを特徴
とづる結晶化グレーズ基板を要旨と１６ものである。
以下、木ＦＡ発明を更に詳細に説明すると、第１発明の
結晶化グレーズ基板はセラミック基板、代表的にはアル
ミナ磁器よりなるセラミック基板に必須成分どしＴＳｉ
０２ 、Ｂａ Ｏ１△ｌ ２０ｓを含む主成分と、核
形成剤としてＹｚＯａ、Ｉ−Ｂ２０３、又はＺｒ０ｚを
組み会ゎ［ｌこ結晶化ガラス成分を塗布焼成して表面を
平滑化してなるものであり、第２発明の結晶化グレーズ
基板はセラミック基板、代表的にはアルミナ磁器よりな
るレラミック旦板に必須成分とし゛て５ｉ０２．１３ａ
Ｏ１Δ立２０３を含み、更ニコれに、Ｂ２０ａ、Ｍ（１
０゜ｃａ ｏ、３ｒ ｏ、Ｐ２Ｏ５の１梗または２種以
」−を含む主成分と、核形成剤としてＹ２Ｏ３、［−Ｂ
２０３、又はＺｒ ０２を組み合わせた結晶化ガラス成
分を塗布の焼成して表面を平滑化してなるものである。
結晶化グレーズ基板はセラミック基板、代表的にはアル
ミナ磁器よりなるセラミック基板に必須成分どしＴＳｉ
０２ 、Ｂａ Ｏ１△ｌ ２０ｓを含む主成分と、核
形成剤としてＹｚＯａ、Ｉ−Ｂ２０３、又はＺｒ０ｚを
組み会ゎ［ｌこ結晶化ガラス成分を塗布焼成して表面を
平滑化してなるものであり、第２発明の結晶化グレーズ
基板はセラミック基板、代表的にはアルミナ磁器よりな
るレラミック旦板に必須成分とし゛て５ｉ０２．１３ａ
Ｏ１Δ立２０３を含み、更ニコれに、Ｂ２０ａ、Ｍ（１
０゜ｃａ ｏ、３ｒ ｏ、Ｐ２Ｏ５の１梗または２種以
」−を含む主成分と、核形成剤としてＹ２Ｏ３、［−Ｂ
２０３、又はＺｒ ０２を組み合わせた結晶化ガラス成
分を塗布の焼成して表面を平滑化してなるものである。
上記結晶化ガラスを構成する各成分の組成割合について
説明すると次のとおりである。
説明すると次のとおりである。
Ｓｉ ０２は５０〜６５モル％の範囲とづる。この範囲
よりも少ないと表面失透傾向が強く焼成結晶化後も、気
密体とならず、気孔が存在し、平滑なグレーズ面が得ら
れず、逆にこの範囲よりも多くなると結晶化が進みにく
い。ＢａＯは１４〜２６モル％の範囲とする。この範囲
よりも少いと結晶化が進みにくい。逆にこの範囲よりも
多くなると結晶化が均一に行われず、平滑なグレーズ面
が得られない。ＡＩ ２０３は６〜１６モル％の範囲と
する。この範囲より少ないと均一な結晶化が行われず、
また［３ａ ０−ＡＩ ２０：ｌ ・２Ｓｉ ０２の結
晶すなわち、重上長石が均一に析出しない。またこの範
囲以上では溶融が難しく焼成時におけるセラミック基板
への融着が困難となる。
よりも少ないと表面失透傾向が強く焼成結晶化後も、気
密体とならず、気孔が存在し、平滑なグレーズ面が得ら
れず、逆にこの範囲よりも多くなると結晶化が進みにく
い。ＢａＯは１４〜２６モル％の範囲とする。この範囲
よりも少いと結晶化が進みにくい。逆にこの範囲よりも
多くなると結晶化が均一に行われず、平滑なグレーズ面
が得られない。ＡＩ ２０３は６〜１６モル％の範囲と
する。この範囲より少ないと均一な結晶化が行われず、
また［３ａ ０−ＡＩ ２０：ｌ ・２Ｓｉ ０２の結
晶すなわち、重上長石が均一に析出しない。またこの範
囲以上では溶融が難しく焼成時におけるセラミック基板
への融着が困難となる。
又、第２発明において、第１発明同一成分に添加される
成分については次の通りである。
成分については次の通りである。
Ｂ２０：ｌは６モル％以下の範囲とする。この範囲まで
は溶融を助長Ｊるが、この範囲以上では溶ａｌｔは容易
とイヱっでも結晶化が困難となる。
は溶融を助長Ｊるが、この範囲以上では溶ａｌｔは容易
とイヱっでも結晶化が困難となる。
Ｍ（ＩＱは３モル％以下、ＣａＯは８モル％以下、Ｓｒ
Ｏは５モル％以）、Ｐ２Ｏ；は３モル％以下、と刀る。
Ｏは５モル％以）、Ｐ２Ｏ；は３モル％以下、と刀る。
この範囲内であるとガラスの溶融を助長し、焼成時に正
する泡を抜（）易くする効果がある。
する泡を抜（）易くする効果がある。
しかし、この範囲以上となると型土長石の均一な析出が
困難となり、残存ガラス相が多くなり、耐熱温度が低下
づるとともに、一般のグレーズと同様に、クラックが発
生とやすい傾向がある。
困難となり、残存ガラス相が多くなり、耐熱温度が低下
づるとともに、一般のグレーズと同様に、クラックが発
生とやすい傾向がある。
次に、本発明の特徴である加工時におけるクラックが少
なく耐熱性に優れた結晶化グレーズ基板を形成するｌ〔
め、両発明にＪ５いてユｌ二成分に加えられる核形成成
分を説明づる。
なく耐熱性に優れた結晶化グレーズ基板を形成するｌ〔
め、両発明にＪ５いてユｌ二成分に加えられる核形成成
分を説明づる。
Ｙ ２０ ａと１ａ２０ａとはいり”れら４．５〜８モ
、ル％とする。この範囲では核形成剤として、結晶化の
Ｖ進に極めて自効である。しかし、この範囲より少ない
含有量であると、結晶化に対する効果が少なく、均一な
結晶化が冑られない。逆に、この範囲以上添加しても効
果は変らず、却ってコスト的に不経済であり、又、溶融
が困難となる。
、ル％とする。この範囲では核形成剤として、結晶化の
Ｖ進に極めて自効である。しかし、この範囲より少ない
含有量であると、結晶化に対する効果が少なく、均一な
結晶化が冑られない。逆に、この範囲以上添加しても効
果は変らず、却ってコスト的に不経済であり、又、溶融
が困難となる。
ＺｒＯ２は４〜８モル％の範囲とする。この範囲よりも
少ないと結晶化が困難となる。逆にこの範囲以上では、
溶融が困難となる。
少ないと結晶化が困難となる。逆にこの範囲以上では、
溶融が困難となる。
第１発明の結晶化グレーズ基板は例えば次のようにして
製作することができる。即ち、原料として Ｓｉ
０２ 、 Ａｉ （ＯＨ） ａ 、
３ａ ＣＯａ 、 Ｙ２Ｏ２、ｌａ ２０ａ、
Ｚｎ ０２を用い、これらを所定量秤量し、混合、溶融
して得たガラスを細粉し既製のセラミック基板に塗布し
、該基板と共に焼成して結晶化グレーズ表面を形成させ
る。
製作することができる。即ち、原料として Ｓｉ
０２ 、 Ａｉ （ＯＨ） ａ 、
３ａ ＣＯａ 、 Ｙ２Ｏ２、ｌａ ２０ａ、
Ｚｎ ０２を用い、これらを所定量秤量し、混合、溶融
して得たガラスを細粉し既製のセラミック基板に塗布し
、該基板と共に焼成して結晶化グレーズ表面を形成させ
る。
第２発明は上記第１発明の存料であるＳｉ ０２、ＡＡ
（ＯＨ）ａ、３ａ ＣＯａ、Ｙ２Ｏ：ｌ、Ｌａ ｚＯ
Ｃ１、Ｚ ｒ Ｏ２に更にＨａＢＯａ、Ｃａ ＣＯａ、
ＳｒＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ト１ａＰＯａを原料として用
い第１発明と同様の方法により製作することができる。
（ＯＨ）ａ、３ａ ＣＯａ、Ｙ２Ｏ：ｌ、Ｌａ ｚＯ
Ｃ１、Ｚ ｒ Ｏ２に更にＨａＢＯａ、Ｃａ ＣＯａ、
ＳｒＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ト１ａＰＯａを原料として用
い第１発明と同様の方法により製作することができる。
本発明は、以上述べた、一定割合の特定主成分と特定の
核形成成分とを組み合わせてなる結晶化ガラス成分をセ
ラミック基板の表面に塗布焼成してなる結晶グレーズ塞
板であり、表面が平滑で耐熱性に優れ、加工時にお【ノ
るクラックの発生が起り知いといった長所を有し、しか
もヒラミック基板と表面の結晶化グレーズ面のガラス層
との熱膨張係数が極めて近似しているので、フ）Ｉクシ
ミリのグレーズ基板、厚膜基板、部分グレーズ基板、あ
るいはプリンタヘッド基板、特に４ノーマルヘツド用の
基板として好適である。
核形成成分とを組み合わせてなる結晶化ガラス成分をセ
ラミック基板の表面に塗布焼成してなる結晶グレーズ塞
板であり、表面が平滑で耐熱性に優れ、加工時にお【ノ
るクラックの発生が起り知いといった長所を有し、しか
もヒラミック基板と表面の結晶化グレーズ面のガラス層
との熱膨張係数が極めて近似しているので、フ）Ｉクシ
ミリのグレーズ基板、厚膜基板、部分グレーズ基板、あ
るいはプリンタヘッド基板、特に４ノーマルヘツド用の
基板として好適である。
実施例
原ｒ１として、Ｓｉ ０２ 、Ａｉ （Ｏｆ−Ｉ） ３
、［３ａＣＯａ、ＨａＢＯａ、Ｃａ ＣＯａ、３ｒ Ｃ
Ｏａ、ＭＱ ＣＯｓ、ＨａＰＯａ、Ｙ２Ｏ３、ｌａ ２
０３．７＋’０２を用い、モル％で次の第１表の組成と
なるＪ：う秤量して、公知のらいかい機に入れて混合し
て粉砕した。これをアルミナ質るつは、または、白金る
つぼに入れ、１４００〜１５００℃に加熱溶融後、融液
を水中に投入し、急冷して固化し、ガラスを得た。この
ガラスをアルミナ製のボールミ”ルにて細かく粉砕し、
ガラス末（フリット）とし、アルミナ含有量９７％、寸
法が５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ１．Ｏｍｍのアルミナ基板表
面に塗布し、１時間当り、１００℃の昇温スピードで加
熱炉内にて加熱し１０００〜１２００℃で焼成結晶化さ
せて、結晶化グレーズ基板を得た。得られた結晶化グレ
ーズ基板につき、熱膨張係数、ならびに、結晶化温度を
測定し、第１表のような結果を得た。
、［３ａＣＯａ、ＨａＢＯａ、Ｃａ ＣＯａ、３ｒ Ｃ
Ｏａ、ＭＱ ＣＯｓ、ＨａＰＯａ、Ｙ２Ｏ３、ｌａ ２
０３．７＋’０２を用い、モル％で次の第１表の組成と
なるＪ：う秤量して、公知のらいかい機に入れて混合し
て粉砕した。これをアルミナ質るつは、または、白金る
つぼに入れ、１４００〜１５００℃に加熱溶融後、融液
を水中に投入し、急冷して固化し、ガラスを得た。この
ガラスをアルミナ製のボールミ”ルにて細かく粉砕し、
ガラス末（フリット）とし、アルミナ含有量９７％、寸
法が５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ１．Ｏｍｍのアルミナ基板表
面に塗布し、１時間当り、１００℃の昇温スピードで加
熱炉内にて加熱し１０００〜１２００℃で焼成結晶化さ
せて、結晶化グレーズ基板を得た。得られた結晶化グレ
ーズ基板につき、熱膨張係数、ならびに、結晶化温度を
測定し、第１表のような結果を得た。
＊ 判定は肉眼で行なった。ガラス相が多いと透明がか
って見え、結晶相が多いと白く見える。
って見え、結晶相が多いと白く見える。
また、結晶化が不均一におこると、気孔が存在しくしま
う傾向がある。
う傾向がある。
以上の一結果から明らかなとおり、本発明の結晶化グレ
ーズ基板は、範囲外の結晶化グレーズ基板に較べて結晶
化温度が高くしかも熱膨張係数が小さいことが判った。
ーズ基板は、範囲外の結晶化グレーズ基板に較べて結晶
化温度が高くしかも熱膨張係数が小さいことが判った。
なお、Ｎｏ、６の試料は結晶化はするが熱膨張係数が大
ぎく実用に共し得ない。
ぎく実用に共し得ない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＳｉＯ２：５０〜６５モル％、Ｂａ Ｏ： １４〜
２６モル％、ＡＪ１２０ａ：６・〜１６モル％から４す
る主成分と、Ｙ２Ｏ：１ ：４．５〜８モル％、１−ａ
２０ ａ ： ４． ５〜８モル％、ＺｒＯ２：４〜
８モル％の１種または２種以上の核形成剤どを含む結晶
化ガラス成分をセラミック基板に塗布し、焼成結晶化さ
「てなることを特徴と覆る結晶化グレーズ基板。 ２ 結晶化ガラス成分がＢａＯ・△１２０３・２Ｓｉ
０２を主結晶とＪるものである特許請求の範囲第１項に
記載する結晶化グレーズ基板。 ３ セラミック基板がアルミノ−セラミック基板である
特許請求の範囲第１項あるいは第２１ｒｉに記載する結
晶化ブレース基板。 ４ Ｓ−ｆ Ｏｚ ： ｂ Ｏ〜６５ Ｔ：）Ｌｔ％
、１３ａＯ：１４〜２６モル％、ＡＩ ２０３ ：５〜
゛１６モル％からなる主°成分と、Ｙ２Ｏ３：４．５〜
８モル％、ｌａ ｚｏａ ：４．５〜８モル％、ＺｒＯ
２：４〜８モル％の１種または２種以上の核形成剤と、
３モル％以下のＭＱ ０，８モル％以下のＣａ Ｏ，５
モル％以下のＳｒ ０，３モル％以下のＰ２Ｏ５の１種
または２種以上の成分とを含む結晶化ガラス成分をセラ
ミック基板に塗布し、焼成結晶化させてなることを特徴
とする結晶化グレーズ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831982A JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831982A JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939783A true JPS5939783A (ja) | 1984-03-05 |
| JPS6331419B2 JPS6331419B2 (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=15450122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14831982A Granted JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939783A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183639A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-08-09 | Ishizuka Glass Co Ltd | セラミックス基板用グレーズ組成物 |
| JPH04149039A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グレーズ組成物 |
| JP2002362937A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-18 | Kyocera Corp | ガラス組成物、ガラス焼結体およびそれを用いた配線基板 |
| CN1294096C (zh) * | 2000-07-07 | 2007-01-10 | 株式会社小原 | 低膨胀率的透明玻璃陶瓷,玻璃陶瓷基片和光波导元件 |
| US7189668B2 (en) * | 2000-08-23 | 2007-03-13 | Norsk Hydro Asa | Barium lanthanum silicate glass-ceramics |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14831982A patent/JPS5939783A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183639A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-08-09 | Ishizuka Glass Co Ltd | セラミックス基板用グレーズ組成物 |
| JPH04149039A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グレーズ組成物 |
| CN1294096C (zh) * | 2000-07-07 | 2007-01-10 | 株式会社小原 | 低膨胀率的透明玻璃陶瓷,玻璃陶瓷基片和光波导元件 |
| US7189668B2 (en) * | 2000-08-23 | 2007-03-13 | Norsk Hydro Asa | Barium lanthanum silicate glass-ceramics |
| JP2002362937A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-18 | Kyocera Corp | ガラス組成物、ガラス焼結体およびそれを用いた配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331419B2 (ja) | 1988-06-23 |
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