JPH01212249A - 絶縁性粉末 - Google Patents
絶縁性粉末Info
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- JPH01212249A JPH01212249A JP63036233A JP3623388A JPH01212249A JP H01212249 A JPH01212249 A JP H01212249A JP 63036233 A JP63036233 A JP 63036233A JP 3623388 A JP3623388 A JP 3623388A JP H01212249 A JPH01212249 A JP H01212249A
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- Glass Compositions (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC回路装置用の低熱膨張係数を持つ非酸化
物セラミックス基板、特に窒化アルミニウム基板上に抵
抗被膜を形成するのに好適な導電膜形成用絶縁性粉末に
関する。
物セラミックス基板、特に窒化アルミニウム基板上に抵
抗被膜を形成するのに好適な導電膜形成用絶縁性粉末に
関する。
近年、IC回路装置用の絶縁基板として、アルミナ基板
に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素を
用いることが提案されている。これらの中、窒化アルミ
ニウム基板に、従来のアルミナ基板に用いられている、
導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとからなる
組成物を塗布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化
アルミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質の
安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を解決する
ために、この組成物中の絶縁性粉末として、5ins、
A CaOs−B tOs、CaO1ZnO*、Ti0
1を主成分とする結晶性ガラスフリット、及びこのガラ
スフリット100重量部に対して、20重量部以下のア
ルミナ、マグネシア、ムライト、フォルステライト、ス
テアタイト、コージェライトの内の少なくとも1種を用
いることが、特開昭62−21630号公報により提案
されている。
に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素を
用いることが提案されている。これらの中、窒化アルミ
ニウム基板に、従来のアルミナ基板に用いられている、
導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとからなる
組成物を塗布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化
アルミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質の
安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を解決する
ために、この組成物中の絶縁性粉末として、5ins、
A CaOs−B tOs、CaO1ZnO*、Ti0
1を主成分とする結晶性ガラスフリット、及びこのガラ
スフリット100重量部に対して、20重量部以下のア
ルミナ、マグネシア、ムライト、フォルステライト、ス
テアタイト、コージェライトの内の少なくとも1種を用
いることが、特開昭62−21630号公報により提案
されている。
しかし、このような絶縁性粉末を用いると、焼成温度が
高くなり、焼成中に熔融してから結晶化するまでの間に
発泡しやすいという問題がある。
高くなり、焼成中に熔融してから結晶化するまでの間に
発泡しやすいという問題がある。
本発明は、このような抵抗被膜形成用組成物を比較的低
温で焼成して結晶性ガラスを形成しうるガラスフリット
からなる絶縁性粉末、及びこの中に特定のセラミック粉
末を添加して、ガラスフリットの上記組成物中への配合
量を少なくしうる絶縁性粉末を提供することにある。
温で焼成して結晶性ガラスを形成しうるガラスフリット
からなる絶縁性粉末、及びこの中に特定のセラミック粉
末を添加して、ガラスフリットの上記組成物中への配合
量を少なくしうる絶縁性粉末を提供することにある。
本発明による課題を解決するための手段は、1、 Z
n0 60〜70重量%、Stow l′9
〜25重量%、S i O* 10−16重量%、
で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末、 2、 A&tOs、B、05、BaOlPbO%Mg
O1CaO1S n Ot、NanolKtOlL i
*O等のガラス成分を10重量%以下含有する前項l
記載の導電膜形成用絶縁性粉末、 3、 ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライ
ト、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロ
ブスカイト化合物の内の少なくとも1種を52重量%以
下含有する前項l又は2に記載の導電膜形成用絶縁性粉
末、 である。
n0 60〜70重量%、Stow l′9
〜25重量%、S i O* 10−16重量%、
で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末、 2、 A&tOs、B、05、BaOlPbO%Mg
O1CaO1S n Ot、NanolKtOlL i
*O等のガラス成分を10重量%以下含有する前項l
記載の導電膜形成用絶縁性粉末、 3、 ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライ
ト、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロ
ブスカイト化合物の内の少なくとも1種を52重量%以
下含有する前項l又は2に記載の導電膜形成用絶縁性粉
末、 である。
ZnOを60〜70重量%とするのは、ZnOは結晶相
であ4ウイレマイト(ZrSiO4)を生成せしめるた
めの必須成分であって、60%未満では、ガラス中に占
める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相との2相
に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラス相中に均一に
分散せしめることが困難となるからである。また70重
量%を超えると、ガラス化に関与しなくなるからである
。
であ4ウイレマイト(ZrSiO4)を生成せしめるた
めの必須成分であって、60%未満では、ガラス中に占
める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相との2相
に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラス相中に均一に
分散せしめることが困難となるからである。また70重
量%を超えると、ガラス化に関与しなくなるからである
。
B!03はガラス化の促進成分であり、ガラス相の構成
成分であるが、19重量%未満では、ガラス相が不足し
、導電性被膜を焼成したとき、被膜の強度が不足する。
成分であるが、19重量%未満では、ガラス相が不足し
、導電性被膜を焼成したとき、被膜の強度が不足する。
25重量%をこえると、ガラスマトリックス中の結晶相
が不足するようになり窒化アルミニウム基板と反応して
発泡しやすくなる。
が不足するようになり窒化アルミニウム基板と反応して
発泡しやすくなる。
S i O*は、ZnOと同様にZrSiO4の構成成
分であるが、10重量%未満では、ガラスの軟化点が努
<なり過ぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいもの
となり、16重量−を超えると、ガラスの流動温度が高
くなりすぎ、結晶相の生成量が減少する。
分であるが、10重量%未満では、ガラスの軟化点が努
<なり過ぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいもの
となり、16重量−を超えると、ガラスの流動温度が高
くなりすぎ、結晶相の生成量が減少する。
ZnOと、B、03と、B i O、とを上記の割合と
することにより、730〜750℃で流動しはじめ、7
50〜860℃位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラ
ス相を形成出来る。
することにより、730〜750℃で流動しはじめ、7
50〜860℃位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラ
ス相を形成出来る。
このガラス用粉末はZnO1B、05、Stowの3成
分のほかに、一般にガラス成分とし用いられているAI
tos、B * Os、BaO,PbOlMgO,Ca
O1SnOtsNatO1KtO,L i t。
分のほかに、一般にガラス成分とし用いられているAI
tos、B * Os、BaO,PbOlMgO,Ca
O1SnOtsNatO1KtO,L i t。
等を約10重量%含有しても上記と同様の効果かえられ
る。
る。
本発明におけるジルコン(ZrSiO4)、β−ニーク
リ・ブタイト(L i to ・AQ*Os’ 2 S
i O3)、コージェライト(2M g 0・2AI
LOs・5SiO*)、β−スボジュメン(Li、O・
Al2IO3・4SiOt)、チタン酸鉛(PbTiO
s)等の強誘電体ペロブスカイト化合物は窒化アルミニ
ウムと熱膨張係数が近く、ガラス化しに<<、熱的に安
定であるため、結晶化ガラス中の非晶質部分を相対的に
低下できる。しかしガラス成分との合計中57重量%を
こえると、焼成された導電被膜の強度が゛不゛十分とな
るので57重量%までとする。
リ・ブタイト(L i to ・AQ*Os’ 2 S
i O3)、コージェライト(2M g 0・2AI
LOs・5SiO*)、β−スボジュメン(Li、O・
Al2IO3・4SiOt)、チタン酸鉛(PbTiO
s)等の強誘電体ペロブスカイト化合物は窒化アルミニ
ウムと熱膨張係数が近く、ガラス化しに<<、熱的に安
定であるため、結晶化ガラス中の非晶質部分を相対的に
低下できる。しかしガラス成分との合計中57重量%を
こえると、焼成された導電被膜の強度が゛不゛十分とな
るので57重量%までとする。
ガラス成分粉末の粒径は、結晶成長に影響するので、平
均粒径2〜5μmぐらいのものを用いるのがよい。セラ
ミック粉末は2μm以下の平均粒径のものを用いるのが
よい。
均粒径2〜5μmぐらいのものを用いるのがよい。セラ
ミック粉末は2μm以下の平均粒径のものを用いるのが
よい。
導電粉末として、平均粒径0.02〜0.03μmのR
u01、ガラス粉末として、平均粒径2μmで、Zn0
65重量%−BtOs20重量%−8i0*10重量%
−p b Os 5重量%の組成の軟化点635℃のガ
ラス粉末、平均粒径1μmのジルコン、有機質ビヒクル
としてエチルセルロースのターピネオール溶液を用い、
第1表に示す組成に混合して抵抗被膜形成用組成物を作
った。窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pd導電組
成物により、電極を形成し、この電極の間に前記の組成
物をスクリーン印刷法で塗布し、150℃で乾燥後、ピ
ーク温度850℃、ピーク時間9分、全焼成時間60分
の空気雰囲気ベルト式焼成炉で焼成して、厚さ13〜1
5μmの抵抗被膜を形成した。
u01、ガラス粉末として、平均粒径2μmで、Zn0
65重量%−BtOs20重量%−8i0*10重量%
−p b Os 5重量%の組成の軟化点635℃のガ
ラス粉末、平均粒径1μmのジルコン、有機質ビヒクル
としてエチルセルロースのターピネオール溶液を用い、
第1表に示す組成に混合して抵抗被膜形成用組成物を作
った。窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pd導電組
成物により、電極を形成し、この電極の間に前記の組成
物をスクリーン印刷法で塗布し、150℃で乾燥後、ピ
ーク温度850℃、ピーク時間9分、全焼成時間60分
の空気雰囲気ベルト式焼成炉で焼成して、厚さ13〜1
5μmの抵抗被膜を形成した。
その特性を第1表に示す。
第1表
上記の焼成された抵抗被膜は、いずれも発泡が認められ
ず、X線回折法によりウィレマイト結晶の析出が認めら
れ、又この結晶の大きさは、顕微鏡観察で粒径IO〜5
0μmで、基板に強固に固着していた。
ず、X線回折法によりウィレマイト結晶の析出が認めら
れ、又この結晶の大きさは、顕微鏡観察で粒径IO〜5
0μmで、基板に強固に固着していた。
また上記ガラス粉末中に、平均粒径1μmのSb、o、
を5重量%配合した以外は、上記と同様にして抵抗被膜
を形成したところ、ピーク温度780℃で、同様の抵抗
被膜を焼成出来た。
を5重量%配合した以外は、上記と同様にして抵抗被膜
を形成したところ、ピーク温度780℃で、同様の抵抗
被膜を焼成出来た。
本発明導電膜形成用絶縁性粉末を用いることによりいア
、ルミナ基板に導電膜を形成するに、従来用いられてい
る焼成炉を用いて、800’C前後の焼成温度゛で、発
泡がなく、安定した導電被膜を形成出来る。
、ルミナ基板に導電膜を形成するに、従来用いられてい
る焼成炉を用いて、800’C前後の焼成温度゛で、発
泡がなく、安定した導電被膜を形成出来る。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社−
手続補正書(自発)
昭和63年4月8日
特許庁長官小川邦夫 殿 −゛・\。
ノ
1、事件の表示
昭和63年特 許 願第36233号
λ発明の名称 導体被膜形成用絶縁性粉末3、 補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区新橋5丁目11番3号6、 補正
により増加する発明の数 &補正の内容 明細書全文 明 細 書 1発明の名称 導体被膜形成用絶縁性粉末2特許請求の
範囲 i ZnO60〜70重量%1 B20319〜25重量%、 5i0210〜16重量%、 で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末。
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区新橋5丁目11番3号6、 補正
により増加する発明の数 &補正の内容 明細書全文 明 細 書 1発明の名称 導体被膜形成用絶縁性粉末2特許請求の
範囲 i ZnO60〜70重量%1 B20319〜25重量%、 5i0210〜16重量%、 で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末。
;1. Aj O、B o、BadSPI)0% M
gO1OakSSn0 。
gO1OakSSn0 。
Ha20. K2O、”I+120等のガラス成分を1
0重量%以下含有する請求項1記載の導体被膜形成用絶
縁性粉末。
0重量%以下含有する請求項1記載の導体被膜形成用絶
縁性粉末。
a ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライト
、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロプ
ス力、イト化合物の内の少なくとも1種を52重量%゛
以下含有する請求項1又は=、に記載の導体被膜形成用
絶縁性粉末。
、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロプ
ス力、イト化合物の内の少なくとも1種を52重量%゛
以下含有する請求項1又は=、に記載の導体被膜形成用
絶縁性粉末。
3発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC回路装置用の低熱膨張係数を持つ非酸化
物セラミックス基板、特に窒化アルミニウム基板上に抵
抗被膜を形成するのに好適な導体被膜形成用絶縁性粉末
に関する。
物セラミックス基板、特に窒化アルミニウム基板上に抵
抗被膜を形成するのに好適な導体被膜形成用絶縁性粉末
に関する。
近年、工C回路装置用の絶縁基板として、アルミナ基板
に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素を
用いることが提案されている。これらの中、窒化アルミ
ニウム基板に、従来のアルミナ基板に用いられている、
導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとからなる
組成物を塗布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化
アルミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質の
安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を解決する
ために、この組成物中の絶縁性粉末として、SiO、A
t O、B O、Oam、ZnO5TiOを主成分とす
る結晶性ガラスフリット、及びこのガラス用粉末) 1
00重量部に対して、20重量部以下のアルミナ、マグ
ネシア、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、
ニージェライトの内の少なくとも1種を用いることが、
特開昭62−21630号公報により提案されている。
に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素を
用いることが提案されている。これらの中、窒化アルミ
ニウム基板に、従来のアルミナ基板に用いられている、
導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとからなる
組成物を塗布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化
アルミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質の
安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を解決する
ために、この組成物中の絶縁性粉末として、SiO、A
t O、B O、Oam、ZnO5TiOを主成分とす
る結晶性ガラスフリット、及びこのガラス用粉末) 1
00重量部に対して、20重量部以下のアルミナ、マグ
ネシア、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、
ニージェライトの内の少なくとも1種を用いることが、
特開昭62−21630号公報により提案されている。
しかし、このような絶縁性粉末を用いると、焼成温度が
高くなり、焼成中に熔融してから結晶化するまでの間に
発泡しやすいといり問題がある。
高くなり、焼成中に熔融してから結晶化するまでの間に
発泡しやすいといり問題がある。
本発明は、このような抵抗被膜形成用組成物を比較的低
温で焼成して結晶性ガラスを形成しうるガラスフリット
からなる絶縁性粉末、及びこの中に特定のセラミック粉
末を添加して、ガラスフリットの上記mll切物中の配
合量を少なくしうる絶縁性粉末を提供することにある。
温で焼成して結晶性ガラスを形成しうるガラスフリット
からなる絶縁性粉末、及びこの中に特定のセラミック粉
末を添加して、ガラスフリットの上記mll切物中の配
合量を少なくしうる絶縁性粉末を提供することにある。
(課題を解決するための手段〕
本発明による課題を解決するための手段1ま、1zrL
060〜70重量%、 Bo 19〜25重量%、 Si0210〜16重量%、 で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末、 ユ A40 、B O、Bad、PbO1Mg01C!
ao、Sno 5N& 0、K Os I+10等のガ
ラス成分を10重量%以下含有する前項l記載の導体被
膜形成用絶縁性粉末、 3、 ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライ
ト、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロ
ブスカイト化合物の内の少なくとも1種を52重量%以
下含有する前項l又はユに記載の導体被膜形成用絶縁性
粉末、 である。
060〜70重量%、 Bo 19〜25重量%、 Si0210〜16重量%、 で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末、 ユ A40 、B O、Bad、PbO1Mg01C!
ao、Sno 5N& 0、K Os I+10等のガ
ラス成分を10重量%以下含有する前項l記載の導体被
膜形成用絶縁性粉末、 3、 ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライ
ト、β−スボジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロ
ブスカイト化合物の内の少なくとも1種を52重量%以
下含有する前項l又はユに記載の導体被膜形成用絶縁性
粉末、 である。
ZnOを60〜70重量%とするのは、znOは結晶相
であるウイレマイト(ZII!2SiO4)を生成せし
める為の必須成分であって、60%未満ではガラス中に
占める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相との2
相に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラス相中に均一
に分散せしめることが困難となるからである。又、70
重量%を超えるとガラス化に関与しなくなるからである
。
であるウイレマイト(ZII!2SiO4)を生成せし
める為の必須成分であって、60%未満ではガラス中に
占める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相との2
相に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラス相中に均一
に分散せしめることが困難となるからである。又、70
重量%を超えるとガラス化に関与しなくなるからである
。
BOはガラス化の促進成分であり、ガラス相の構成成分
であるが、19重量%未満ではガラス相が不足し、導電
性被膜を焼成したとき被膜の強度が不足する。25重量
%を超えるとガラスマトリックス中の結晶相が不足する
ようになり、窒化アルミニウム基板と反応して発泡しや
すくなる。
であるが、19重量%未満ではガラス相が不足し、導電
性被膜を焼成したとき被膜の強度が不足する。25重量
%を超えるとガラスマトリックス中の結晶相が不足する
ようになり、窒化アルミニウム基板と反応して発泡しや
すくなる。
SiOは、znOと同様にZn SiOの構成成分であ
るが、10重量%未満ではガラスの軟化点が低くなりす
ぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいものとなり、
16重量%を超えるとガラスの流、動温度が高くなりす
ぎ結晶相の生成量が減少する。
るが、10重量%未満ではガラスの軟化点が低くなりす
ぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいものとなり、
16重量%を超えるとガラスの流、動温度が高くなりす
ぎ結晶相の生成量が減少する。
ZnOと、BOと、S10 とを上記の割合とするこ
とにより、730〜750Cで流動し始め、750〜8
60 C位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラス相を
形成できる。
とにより、730〜750Cで流動し始め、750〜8
60 C位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラス相を
形成できる。
このガラス用粉末はZnO1B O、SiOの三成分の
ほかに、一般にガラス成分として用いられているkl
O% E O、B&O1PbOSMgO1OaC1、S
nO% NaAO1ffi32g
22K
01Li O等を約10重量%含有しても上記と同様の
効果が得られる。
ほかに、一般にガラス成分として用いられているkl
O% E O、B&O1PbOSMgO1OaC1、S
nO% NaAO1ffi32g
22K
01Li O等を約10重量%含有しても上記と同様の
効果が得られる。
本発明におけるジルコン(ZrSiO) 、β−ユーク
→ リプタイト(LiO・Aj 0・2SiO)、コージェ
ライト(2Mg0・2AI0・5SiO) 、β−スボ
ジュメン(Llo・AIO−4SiO) 、チタン酸鉛
(PbTiO)等の強誘電体ペロブスカイト化合物は窒
化アルミニウムと熱膨張係数が近く、ガラス化しに<<
、熱的に安定である為、結晶化ガラス中の非晶質部分を
相対的に低下できる。しかしガラス成分との合計中57
重量%を超えると、焼成された導電被膜の強度が不十分
となるので57重量%までとする。
→ リプタイト(LiO・Aj 0・2SiO)、コージェ
ライト(2Mg0・2AI0・5SiO) 、β−スボ
ジュメン(Llo・AIO−4SiO) 、チタン酸鉛
(PbTiO)等の強誘電体ペロブスカイト化合物は窒
化アルミニウムと熱膨張係数が近く、ガラス化しに<<
、熱的に安定である為、結晶化ガラス中の非晶質部分を
相対的に低下できる。しかしガラス成分との合計中57
重量%を超えると、焼成された導電被膜の強度が不十分
となるので57重量%までとする。
ガラス成分粉末の粒径は、結晶成長に影響するので、平
均粒径2〜5μm位のものを用いるのが良い。セラミッ
ク粉末は2μm以下の平均粒径のものを用いるのが良い
。
均粒径2〜5μm位のものを用いるのが良い。セラミッ
ク粉末は2μm以下の平均粒径のものを用いるのが良い
。
導電粉末として、平均粒径0.02〜0.03μmのR
uO、ガラス粉末として平均粒径2μmで、zn065
重量%−E020重量%−3iO10重量%−p’bo
。
uO、ガラス粉末として平均粒径2μmで、zn065
重量%−E020重量%−3iO10重量%−p’bo
。
5重量%の組成の軟化点635Cのガラス粉末、平均粒
径1μmのジルコン、有機質ビヒクルとしてエチルセル
ロースのターピネオール溶液な用い、第1表に示す組成
に混合して抵抗被膜形成用組成物を作った。
径1μmのジルコン、有機質ビヒクルとしてエチルセル
ロースのターピネオール溶液な用い、第1表に示す組成
に混合して抵抗被膜形成用組成物を作った。
窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pd導電組成物に
より電極を形成し、この電極の間に前記の組成物をスク
リーン印刷法で塗布し、150Cで乾燥後、ピーク温度
850Csピーク時間9分、全焼成時間60分の空気雰
囲気ベルト式焼成炉で焼成して、厚さ13〜15μmの
抵抗被膜を形成した。
より電極を形成し、この電極の間に前記の組成物をスク
リーン印刷法で塗布し、150Cで乾燥後、ピーク温度
850Csピーク時間9分、全焼成時間60分の空気雰
囲気ベルト式焼成炉で焼成して、厚さ13〜15μmの
抵抗被膜を形成した。
その特性を第1表に示す。
第 1 表
上記の焼成された抵抗被膜は、いずれも発泡が 。
認められず、X線回折法によりウイレマイト結晶の析出
が認められ、又この結晶の大きさは顕微鏡観察で粒径1
0〜50μmで、基板に強固に固着していた。
が認められ、又この結晶の大きさは顕微鏡観察で粒径1
0〜50μmで、基板に強固に固着していた。
又、上記ガラス粉末中に平均粒径1μmの5b203を
5重量%配合した以外は、上記と同様にして抵抗被膜を
形成したところ、ピーク温度780Cで同様の抵抗被膜
を焼成できた。
5重量%配合した以外は、上記と同様にして抵抗被膜を
形成したところ、ピーク温度780Cで同様の抵抗被膜
を焼成できた。
本発明導体被膜形成用絶縁性粉末な用いることにより、
アルミナ基板に導電膜を形成するとき従来用いられてい
る焼成炉を用いて、800C前後の焼成温度で、発泡が
なく安定した導電被膜を形成できる。
アルミナ基板に導電膜を形成するとき従来用いられてい
る焼成炉を用いて、800C前後の焼成温度で、発泡が
なく安定した導電被膜を形成できる。
出願人 住友金属鉱山株式会社
、−一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ZnO60〜70重量%、 B_2O_319〜25重量%、 SiO_210〜16重量%、 で、合計100重量%からなる導体被膜形成用絶縁性粉
末。 2、Al_2O_3、B_2O_3、BaO、PbO、
MgO、CaO、SnO_2、Na_2O、K_2O、
Li_2O等のガラス成分を10重量%以下含有する請
求項1記載の導電膜形成用絶縁性粉末。 3、ジルコン、β−ユークリプタイト、コージェライト
、β−スポジュメン及びチタン酸鉛等の強誘電体ペロブ
スカイト化合物の、内の少なくとも1種を52重量%以
下含有する請求項1又は2に記載の導電膜形成用絶縁性
粉末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63036233A JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63036233A JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01212249A true JPH01212249A (ja) | 1989-08-25 |
JPH0563418B2 JPH0563418B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12464055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63036233A Granted JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01212249A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153150A (en) * | 1990-09-07 | 1992-10-06 | Ferro Corporation | Partially crystallizing enamel containing Zn2 SiO4 to be used for automobile side and rear lights |
US5208191A (en) * | 1990-09-07 | 1993-05-04 | Ferro Corporation | Crystallizing enamel composition and method of making and using the same |
US5286270A (en) * | 1990-09-07 | 1994-02-15 | Ferro Corporation | Method of forming glass having a Znz SiO4 enamel layer thereon |
CN110642519A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-01-03 | 湖南利德电子浆料股份有限公司 | 一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63036233A patent/JPH01212249A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153150A (en) * | 1990-09-07 | 1992-10-06 | Ferro Corporation | Partially crystallizing enamel containing Zn2 SiO4 to be used for automobile side and rear lights |
US5208191A (en) * | 1990-09-07 | 1993-05-04 | Ferro Corporation | Crystallizing enamel composition and method of making and using the same |
US5286270A (en) * | 1990-09-07 | 1994-02-15 | Ferro Corporation | Method of forming glass having a Znz SiO4 enamel layer thereon |
CN110642519A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-01-03 | 湖南利德电子浆料股份有限公司 | 一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0563418B2 (ja) | 1993-09-10 |
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