JPS59130005A - 厚膜回路絶縁層用組成物 - Google Patents
厚膜回路絶縁層用組成物Info
- Publication number
- JPS59130005A JPS59130005A JP58005286A JP528683A JPS59130005A JP S59130005 A JPS59130005 A JP S59130005A JP 58005286 A JP58005286 A JP 58005286A JP 528683 A JP528683 A JP 528683A JP S59130005 A JPS59130005 A JP S59130005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crow
- insulating layer
- glass
- composition
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜回路部品特に基板上に設けられる多層回路
において使用される絶縁層形成用の組成物に関する。
において使用される絶縁層形成用の組成物に関する。
絶縁基板上にペーストを印刷し焼成して回路全形成する
厚膜回路部品については、高密度化のため基板上に一層
の回路を形成したものから、近年絶縁層を介して複数層
に回路を形成した、いわゆる多層回路部品が要望されて
いる。
厚膜回路部品については、高密度化のため基板上に一層
の回路を形成したものから、近年絶縁層を介して複数層
に回路を形成した、いわゆる多層回路部品が要望されて
いる。
か＼る回路部品に使用される絶縁層としては、形成作業
が容易であること、それの形成により回路中の抵抗体の
抵抗値変化が少ないこと、絶縁層上に形成された導体部
に対しノ・ンダ濡れ性を悪化させないこと、回路形成時
の熱処理により下層の回路を破断じ安いよう基板と同等
かそれより若干小さい熱胎脹率であること、それの形成
が低所１度（望ましくば６５０°Ｃ以下）で行なえるこ
と等の゛特性會有するものが好ましい。
が容易であること、それの形成により回路中の抵抗体の
抵抗値変化が少ないこと、絶縁層上に形成された導体部
に対しノ・ンダ濡れ性を悪化させないこと、回路形成時
の熱処理により下層の回路を破断じ安いよう基板と同等
かそれより若干小さい熱胎脹率であること、それの形成
が低所１度（望ましくば６５０°Ｃ以下）で行なえるこ
と等の゛特性會有するものが好ましい。
更に、基板としても従来のアルミナから、熱伝導性に優
れた即ち放熱性のよいＳｉＣの使用か望外れている。こ
のＳｉＣは熱膨張率が約４０Ｘ］ ０６ ／ ℃とアル
ミナの７０Ｘ］Ｏ−６／”Ｃより小さいため、絶縁層も
それに応じて小さいものが必要と々る。
れた即ち放熱性のよいＳｉＣの使用か望外れている。こ
のＳｉＣは熱膨張率が約４０Ｘ］ ０６ ／ ℃とアル
ミナの７０Ｘ］Ｏ−６／”Ｃより小さいため、絶縁層も
それに応じて小さいものが必要と々る。
しかしなから、上記全ての的性を全て翁するカラスフリ
ットは未だ知られてぃない。
ットは未だ知られてぃない。
本発明は、かＸる点に％：みなされたもので、上記特性
を満足する絶に鳩・月給飲物の提供を目的とする。
を満足する絶に鳩・月給飲物の提供を目的とする。
則ち、本発明は、重量％表示でカラス粉末６０〜９８と
低熱詐脹性フィラー２〜４ｏとがらなり、該ガラス粉末
は止ハ％表示で ＺｎＯ４０〜６５ Ｂ２０３ ］４〜２７Ｓ
１０２ ４〜２０Ａ ］−
２０３２〜 ８ Ｓ ｎ Ｏ２０，０５〜２．０ Ｍｇ ０−１−ＣａＯ＋Ｂａ Ｏ＋Ｓ ｒｏ
Ｏ，０５〜１０Ｌ］２０＋Ｎａ２Ｏ＋に２０
０．０５〜３であることを特徴とすを厚膜回路絶縁性
ｎ１屈物本発ψ１による組成物は、６００〜６５０°Ｃ
と他・・めて低い温黒で結晶ｋｍする緻密なカラス絶縁
層か形成できるので作業性がよく、該絶皆層は安定して
いるため次の）曹及び絶縁層を形成する際の熱処理によ
り回路中の抵抗体及び導体に影響ケ均えない。従って絶
縁層上に形成される導体のハンダ濡れ性を排なうことが
なく、寸だ回路中の抵抗体の抵抗値亥〕化も栖めて少な
い。
低熱詐脹性フィラー２〜４ｏとがらなり、該ガラス粉末
は止ハ％表示で ＺｎＯ４０〜６５ Ｂ２０３ ］４〜２７Ｓ
１０２ ４〜２０Ａ ］−
２０３２〜 ８ Ｓ ｎ Ｏ２０，０５〜２．０ Ｍｇ ０−１−ＣａＯ＋Ｂａ Ｏ＋Ｓ ｒｏ
Ｏ，０５〜１０Ｌ］２０＋Ｎａ２Ｏ＋に２０
０．０５〜３であることを特徴とすを厚膜回路絶縁性
ｎ１屈物本発ψ１による組成物は、６００〜６５０°Ｃ
と他・・めて低い温黒で結晶ｋｍする緻密なカラス絶縁
層か形成できるので作業性がよく、該絶皆層は安定して
いるため次の）曹及び絶縁層を形成する際の熱処理によ
り回路中の抵抗体及び導体に影響ケ均えない。従って絶
縁層上に形成される導体のハンダ濡れ性を排なうことが
なく、寸だ回路中の抵抗体の抵抗値亥〕化も栖めて少な
い。
９ジに、該絶縁層ｒ」、ＳｊＣの熱膨張率より若干小さ
いため、印刷焼成を繰返し行なっても熱応力によるクラ
ンクを生じることはない。
いため、印刷焼成を繰返し行なっても熱応力によるクラ
ンクを生じることはない。
本発明の糾が・物における限定理由は次の通りである。
カラス粉末〉９８％（従ってフィラーく２％）で−８ｉ
ＣＯ熱膨張率より大きくなり熱処理によりカラス層へク
ラックが生じる恐れがあり、カラス粉末＜６０％（従っ
てフィラー〉４０裂）ではガラス截５分が不足し緻密な
カラス層がイ廿られずいずれも好ましくない。カラス粉
末は上記範囲中６５％〜９５％の範囲がよシ望捷しい。
ＣＯ熱膨張率より大きくなり熱処理によりカラス層へク
ラックが生じる恐れがあり、カラス粉末＜６０％（従っ
てフィラー〉４０裂）ではガラス截５分が不足し緻密な
カラス層がイ廿られずいずれも好ましくない。カラス粉
末は上記範囲中６５％〜９５％の範囲がよシ望捷しい。
か＼るカラス粉末の組成については次の通りである。Ｚ
ｎ Ｏはガラス及び珪酸亜鉛結晶の成分である。Ｚｎ
Ｏ＜ ４０％で（社）カラスの軟化温度及び結晶化温度
が高くなり過ぎ、６５０°Ｃ以下の温度で焼成すること
ができず、寸だ、ＺｎＯ＞６５係ではカラス化領域を外
ず扛刀ラスの溶融中に失透を生成するので、いずわ、も
好捷しくない。ＺｎＯは上記範囲中４５〜６０係の範囲
がより望ましい。
ｎ Ｏはガラス及び珪酸亜鉛結晶の成分である。Ｚｎ
Ｏ＜ ４０％で（社）カラスの軟化温度及び結晶化温度
が高くなり過ぎ、６５０°Ｃ以下の温度で焼成すること
ができず、寸だ、ＺｎＯ＞６５係ではカラス化領域を外
ず扛刀ラスの溶融中に失透を生成するので、いずわ、も
好捷しくない。ＺｎＯは上記範囲中４５〜６０係の範囲
がより望ましい。
Ｂ２Ｏ３はカラスの軟化温度を下げる作用をする。Ｂ２
Ｏ３＜ １５係ではカラスの耐融中に失透が生成し、Ｂ
２Ｏ３＞’２７％ではカラス層中へ結晶が生成し２難く
々す、いずれも好捷しくない。
Ｏ３＜ １５係ではカラスの耐融中に失透が生成し、Ｂ
２Ｏ３＞’２７％ではカラス層中へ結晶が生成し２難く
々す、いずれも好捷しくない。
Ｂ２Ｏ３ば上記範囲中１６〜２５％の範囲がより望外し
い。
い。
Ｓ〕０２はカラス形成及び上記結計の成分である。Ｓｉ
Ｏ２＜４％ではカラスの溶融中に失透を生成し易くなり
、ＥｔｉＯ’２ ＞ ２０ ％ではカラスの叫゛化膚、
屡が高くなり過ぎ低洋（ルとでのカラス層の形成が卯Ｉ
−かしくなるので、いずれも好をしくない。５１０２は
上記イ（ｐ曲中５〜１７賃Ｊの胛、１ｆ０ｆＪかより望
外しい。
Ｏ２＜４％ではカラスの溶融中に失透を生成し易くなり
、ＥｔｉＯ’２ ＞ ２０ ％ではカラスの叫゛化膚、
屡が高くなり過ぎ低洋（ルとでのカラス層の形成が卯Ｉ
−かしくなるので、いずれも好をしくない。５１０２は
上記イ（ｐ曲中５〜１７賃Ｊの胛、１ｆ０ｆＪかより望
外しい。
Ａｌ２Ｏ３はカラスの俗解過程における失透の生成を防
止するだめに添加埒れる。Ａｌ２Ｏ３＜ ２％でほその
効果か少なく、Ａ、１２０３＞２０％ではカラスの軟化
温度が置くなり過ぎると共にカラスｊ（ｒ、ｒ中への結
晶析出温度か高くなり過き、いず牡も好ましくない。Ａ
ｌ２Ｏ３は上記範囲中３〜６％の範囲かより望ましい。
止するだめに添加埒れる。Ａｌ２Ｏ３＜ ２％でほその
効果か少なく、Ａ、１２０３＞２０％ではカラスの軟化
温度が置くなり過ぎると共にカラスｊ（ｒ、ｒ中への結
晶析出温度か高くなり過き、いず牡も好ましくない。Ａ
ｌ２Ｏ３は上記範囲中３〜６％の範囲かより望ましい。
ＳｎＯ２はカラス層の耐水性向上のために添加する。５
ｎＯｚ ＜ ０．０５％ではその効果か充分でなく、５
ｎ０２＞ ２％ではその効果は本発明の範囲のものと変
らず原相コストが上昇するので、いずれも好捷しくない
。Ｓｎ○２は上記範囲中０１〜］５係の範囲がより望才
しい。
ｎＯｚ ＜ ０．０５％ではその効果か充分でなく、５
ｎ０２＞ ２％ではその効果は本発明の範囲のものと変
らず原相コストが上昇するので、いずれも好捷しくない
。Ｓｎ○２は上記範囲中０１〜］５係の範囲がより望才
しい。
ＭｇＯ，Ｃａｂ、 Ｂａｄ、 ＳｒＯはカラスの浴狩１
性を向上し及び鍋温における粘性を低下するた祐）少な
くとも１種添加される。ＭｇＯ十〇ａＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒ。
性を向上し及び鍋温における粘性を低下するた祐）少な
くとも１種添加される。ＭｇＯ十〇ａＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒ。
〈００５係ではその効果が少なく、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｂ
ａＯ＋ＳｒＯ＞ １０ ％ではカラスの熱膨張係数がＳ
ｊ、Ｃのそわ５よシ大きくなり過ぎ、カラス層にクラッ
クが発生する恐れがあり、いず才′しも好址しくない。
ａＯ＋ＳｒＯ＞ １０ ％ではカラスの熱膨張係数がＳ
ｊ、Ｃのそわ５よシ大きくなり過ぎ、カラス層にクラッ
クが発生する恐れがあり、いず才′しも好址しくない。
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｂａ○＋ＳｒＯは上記範［ハ」中０１
〜８係の範囲がより望丑しい。
〜８係の範囲がより望丑しい。
Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ１４力ラスノ溶４Ｍ性向上
のだめ少なくとも］、 ｆＱ添加される。ＬｉｚＯ−ｔ
−Ｎａ２０−ｊ−に２０＜０．０５係ではその効果が少
なく、また、３％を超えると膨張係数かＳｉＣのそれよ
り大きくなり、いずれも好寸しくない。Ｌｉ２Ｏ＋Ｎ
ａ、 ２０＋に２０は上記範囲中０１〜２係の範囲かよ
り望せしい。
のだめ少なくとも］、 ｆＱ添加される。ＬｉｚＯ−ｔ
−Ｎａ２０−ｊ−に２０＜０．０５係ではその効果が少
なく、また、３％を超えると膨張係数かＳｉＣのそれよ
り大きくなり、いずれも好寸しくない。Ｌｉ２Ｏ＋Ｎ
ａ、 ２０＋に２０は上記範囲中０１〜２係の範囲かよ
り望せしい。
一方、フィラーとしては、カラス層上に形ルン、される
導体のハンダ濡れ性の低下及び回路中に形成される抵抗
体の抵抗値の変化か少ないものであればよい。
導体のハンダ濡れ性の低下及び回路中に形成される抵抗
体の抵抗値の変化か少ないものであればよい。
か＼る特性會有し、価格的に比較的安い石英カラス、珪
１没カラス、コージェライト、β−ユークリプタイト、
β−スポジューメンが本発明のフィラーとじて判に遇し
ている。かＸるフィラーは、単体で又は併用でカラス粉
末に添加される。
１没カラス、コージェライト、β−ユークリプタイト、
β−スポジューメンが本発明のフィラーとじて判に遇し
ている。かＸるフィラーは、単体で又は併用でカラス粉
末に添加される。
本発明における組成物は、例えは次のようにして製造さ
れる。
れる。
常法により目標組成となるように各原料を秤館し、そわ
２らを充分に混合する。次いでこれを加熱溶融しロール
アウト法等によりカラス板を成形する。次いでこのカラ
ス板ｒ粉砕し粉末カラスを製造する。次いでこのカラス
粉末に粉末状のフィシ〜を添加することによシ本発明の
組成物か製造される。
２らを充分に混合する。次いでこれを加熱溶融しロール
アウト法等によりカラス板を成形する。次いでこのカラ
ス板ｒ粉砕し粉末カラスを製造する。次いでこのカラス
粉末に粉末状のフィシ〜を添加することによシ本発明の
組成物か製造される。
か＼る組ル・５物を使用しカラスの絶縁層全形成する際
は、該組成物に適当なビヒクルを添加しペースト状にし
て使用される。
は、該組成物に適当なビヒクルを添加しペースト状にし
て使用される。
実施例
狡１に示しだ組成になるよう各原料治′・秤粥し混合し
た後、１３００〜１４５０°Ｃで］〜２時間攪拌しつつ
加熱し溶解した。次いで得られフｔガラスケ水砕し、平
均粒径２μｍ、最大１１１径４５μｍのカラス粉末を得
た。
た後、１３００〜１４５０°Ｃで］〜２時間攪拌しつつ
加熱し溶解した。次いで得られフｔガラスケ水砕し、平
均粒径２μｍ、最大１１１径４５μｍのカラス粉末を得
た。
このカラス粉末に平均粒径２μｍのフィラーを添加しく
同着にフィシ−の種類及びその添加外として組成物中の
フィラーの軍′ｊｊｌ係ケ記載した）混合した。次いで
α−テルピネオール９５％及びエチルセルロース５％か
らなるビヒクルｘ−１記混合物１００２に３５２添加し
混練してペースト印刷成した。次いで予めアルミナ基板
」−に印刷焼成により形成された第１のＡ ｇ −Ｐ
ｄ導体及び該導体間に形成されたＲｕＯ２伍抗体全抗体
ように上記ペースト印刷した。次いでこれを６００〜６
５０°Ｃの温度で１０分間焼成し、導体及び抵抗体上に
厚さ約４０μｍの絶縁層としてのカラス層を形成した。
同着にフィシ−の種類及びその添加外として組成物中の
フィラーの軍′ｊｊｌ係ケ記載した）混合した。次いで
α−テルピネオール９５％及びエチルセルロース５％か
らなるビヒクルｘ−１記混合物１００２に３５２添加し
混練してペースト印刷成した。次いで予めアルミナ基板
」−に印刷焼成により形成された第１のＡ ｇ −Ｐ
ｄ導体及び該導体間に形成されたＲｕＯ２伍抗体全抗体
ように上記ペースト印刷した。次いでこれを６００〜６
５０°Ｃの温度で１０分間焼成し、導体及び抵抗体上に
厚さ約４０μｍの絶縁層としてのカラス層を形成した。
次いで常法によりカラス層上に第２のＡ ｇ −Ｐ ｄ
４．体を形成した。
４．体を形成した。
かくして形成したものについて、カラス層の絶縁抵抗値
、誘電圧−１−２二及びｈ電率並ひ（ｒｒ−第２のＡｇ
−Ｐａ導体即ち上部導体のハンタ濡れ性、抵抗体の抵抗
（ｆｉ変化率を測定（−だ結果奮較１に併記した。寸だ
一同衣のカラス転移点、軟化魚屋及び結晶ピーク点にそ
れぞれのツノラスについて示差熱分析計により遡］定し
た結果であり、膨張係数（θ男ＩＪ 、’不Ｊ二言己ペ
ースト？６００〜６５０℃でＪＯ分間焼ｍ４したカラス
（忙ついて測定した５０〜３５０℃１１：ｆ、ｌにおけ
る平均沁膨張係数でａりる。
、誘電圧−１−２二及びｈ電率並ひ（ｒｒ−第２のＡｇ
−Ｐａ導体即ち上部導体のハンタ濡れ性、抵抗体の抵抗
（ｆｉ変化率を測定（−だ結果奮較１に併記した。寸だ
一同衣のカラス転移点、軟化魚屋及び結晶ピーク点にそ
れぞれのツノラスについて示差熱分析計により遡］定し
た結果であり、膨張係数（θ男ＩＪ 、’不Ｊ二言己ペ
ースト？６００〜６５０℃でＪＯ分間焼ｍ４したカラス
（忙ついて測定した５０〜３５０℃１１：ｆ、ｌにおけ
る平均沁膨張係数でａりる。
なコ・、比較例としで従米のものを資料茄７に併記した
。同ネ、においで、十部努体・・ンタ濡れ（４ｒ。
。同ネ、においで、十部努体・・ンタ濡れ（４ｒ。
について−一、Ａｇ ２カ含弔するＰｂ−８ｎ共晶・・
ンタケ２２０°Ｃ±］０°Ｃ浴糾しておき、この中に５
秒間面面した後引上幻、上部机体の面かか８０楚以上ハ
ンダに濡れでいるものである（）・ンダの關れか８０係
未満に１、否としプて）。一方、抵抗体の抵抗値の袈化
１／（ｉついてＣ］、カラス族・不・形成する前の抵抗
＋ｉ、：：、 Ｒｏとしカラス層を形成した後の抵抗値
Ｒ０どし抵抗値変化率としでＲ，−Ｒｏ／ＲｏＸ ］
Ｏｃ）の値を示しだ。カラス層の絶縁抵抗については、
没−１２の壷体（−に部導体）ど第１の導体の田ＪにＤ
Ｃ］００Ｖ４印加したどきの系温における抵抗値でりる
。訪電正ノ・及び窮；、、、率についでに、１ ＫＨｚ
にお−ける値て゛ある。
ンタケ２２０°Ｃ±］０°Ｃ浴糾しておき、この中に５
秒間面面した後引上幻、上部机体の面かか８０楚以上ハ
ンダに濡れでいるものである（）・ンダの關れか８０係
未満に１、否としプて）。一方、抵抗体の抵抗値の袈化
１／（ｉついてＣ］、カラス族・不・形成する前の抵抗
＋ｉ、：：、 Ｒｏとしカラス層を形成した後の抵抗値
Ｒ０どし抵抗値変化率としでＲ，−Ｒｏ／ＲｏＸ ］
Ｏｃ）の値を示しだ。カラス層の絶縁抵抗については、
没−１２の壷体（−に部導体）ど第１の導体の田ＪにＤ
Ｃ］００Ｖ４印加したどきの系温における抵抗値でりる
。訪電正ノ・及び窮；、、、率についでに、１ ＫＨｚ
にお−ける値て゛ある。
冴１表から明ら刀・かように不うｂ明によるカシスは６
゛００〜６５０°Ｃと４．！ｌＩめで低温でカラスの絶
縁廟が形成でき該カラス層は絶縁性に飯扛、膨張係数が
４５〜６５ Ｘ １０ ’／ ”Ｃ程度と通常のアルミ
ナ基板のそれより若干小塾い。捷だ、上部導体のハンダ
濡れ性に優れ、抵抗体の抵抗値変化率も小さいんどの優
扛だ特性な綱する。
゛００〜６５０°Ｃと４．！ｌＩめで低温でカラスの絶
縁廟が形成でき該カラス層は絶縁性に飯扛、膨張係数が
４５〜６５ Ｘ １０ ’／ ”Ｃ程度と通常のアルミ
ナ基板のそれより若干小塾い。捷だ、上部導体のハンダ
濡れ性に優れ、抵抗体の抵抗値変化率も小さいんどの優
扛だ特性な綱する。
Claims (2)
- （１） ｐ、 ｐ％光表示、カラス粉末６０〜９８と
、低熱紛脹性フィラー２〜４０とからなり、該カラス粉
末はまたチ表示で Ｚｎ０ ４０〜６５Ｂ２０
３ １４〜２７ＳｉＯ２
４〜２゜ Ａ １２０３２〜８ ＳｎＯ２００５〜２０ Ｍｇ０＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋’ＳｒＯＯ，０５−１０Ｌｉ
２０＋ＮａｚＯ＋に２０ ０．０５〜３であることを
特徴とする厚膜回路絶縁層組成物。 - （２） ＠：ｆ記低ＩＩｅ脹性フィラーは、石英カラ
ス、高ケイ耐カラス、コージェライト、β−ユークリプ
タイト又はβ−スポジューメンでめる特許請求の範囲気
１項記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005286A JPS59130005A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005286A JPS59130005A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59130005A true JPS59130005A (ja) | 1984-07-26 |
| JPH0452561B2 JPH0452561B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=11606992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005286A Granted JPS59130005A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130005A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61274399A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 多層セラミック基板用組成物および多層セラミック基板の製造方法 |
| JPS6232695A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス回路基板 |
| JPS6247198A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | 松下電工株式会社 | 多層配線基板 |
| JPH02102147A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-13 | Asahi Glass Co Ltd | 装飾用ガラス組成物 |
| JP2003040647A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | シリコン被覆用ガラス組成物およびそれを用いたシリコンと接触する絶縁皮膜並びにシリコンデバイス |
| JP2008297162A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 石英ガラス体接合用ガラス組成物、石英ガラス体接合用ガラスペーストおよび石英ガラス体の接合方法 |
| US20130323009A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Mark Kevin Bowen | Methods and apparatus for cooling rotary components within a steam turbine |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113641A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-02 | Asahi Glass Co Ltd | Insulating glass composition |
-
1983
- 1983-01-18 JP JP58005286A patent/JPS59130005A/ja active Granted
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| JPH0467800B2 (ja) * | 1985-05-29 | 1992-10-29 | Noritake Co Ltd | |
| JPS6232695A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | 株式会社日立製作所 | セラミツクス回路基板 |
| JPS6247198A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | 松下電工株式会社 | 多層配線基板 |
| JPH0250638B2 (ja) * | 1985-08-27 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | |
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| JPH0452561B2 (ja) | 1992-08-24 |
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