JPS6331419B2 - - Google Patents
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- JPS6331419B2 JPS6331419B2 JP14831982A JP14831982A JPS6331419B2 JP S6331419 B2 JPS6331419 B2 JP S6331419B2 JP 14831982 A JP14831982 A JP 14831982A JP 14831982 A JP14831982 A JP 14831982A JP S6331419 B2 JPS6331419 B2 JP S6331419B2
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は結晶化グレーズ基板に関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、表面が平滑で加
工時におけるクラツクの発生が少く耐熱性に富
み、例えばフアクシミリグレーズ基板特にサーマ
ルヘツド用の基盤として好適な結晶化グレーズ基
板に関するものである。 サーマルヘツド用の基板としては高アルミナ磁
器が用いられ、この表面に、例えばクロム、タン
タルのような金属薄膜を真空蒸着等により被着し
た後、エツチング等を行うものであるが、この場
合、基板表面の粗度が問題となり、実用上、差支
えない程度までに平滑性を確保するため、通常表
面に例えばSiO2:57.2モル%、BaO:4.2モル%、
Al2O3:3.2モル%、B2O3:16.1モル%、CaO:
5.6モル%、MgO:1.0モル%、PbO:8.1モル%、
Na2O:3.8モル%、K2O:0.8モル%のような組
成分からなるガラスが塗布焼成される。ところが
このガラスは本質的に耐熱性が低いために加工時
にクラツクを生じ易くリード線の熱圧着の際には
がれてしまうという欠点がある。また、厚膜方式
のサーマルヘツドの場合には配線を印刷したあと
の焼成で表面に塗布したガラスが軟化して配線が
破壊されるなどの難点があり、薄膜方式の場合に
は高速化に伴う高熱のためにガラスがとけてしま
うといつた欠点がある。本発明はこのような従来
のグレーズ基板の表面に塗布焼成されたガラスに
みられる欠点を改善するべく種々検討の結果、従
来のガラスの代りにBaO・Al2O3・2SiO2を主結
晶とするガラス成分およびこれに特定の核形成成
分の組み合わせからなる結晶化ガラス成分あるい
はそれらの成分に更に特定の成分を加えたもの
を、例えばアルミナ磁器のようなセラミツク基板
に塗布焼成することにより、表面が平滑で表面ガ
ラスと基板との熱膨脹係数が近似しており耐熱性
に富み加工時におけるクラツクの発生の少いセラ
ミツク基板が得られるとの知見をえて本発明に至
つた。すなわち本願第1発明は、SiO2:50〜65
モル%、BaO:14〜26モル%、Al2O3:6〜16モ
ル%の成分と、Y2O3:4.5〜8モル%、La2O3:
4.5〜8モル%、ZrO2:4〜8モル%の1種また
は2種以上の核形成剤とからなる結晶化ガラス成
分をセラミツク基板に塗布し、焼成結晶化させて
なる結晶化グレーズ基板を要旨とするものであ
り、第2発明はSiO2:50〜65モル%、BaO:14
〜26モル%、Al2O3:6〜16モル%の主成分と、
Y2O3:4.5〜8モル%、La2O3:4.5〜8モル%、
ZrO2:4〜8モル%の1種または2種以上の核
形成剤と、6モル%以下のB2O3、3モル%以下
のMgO、8モル%以下のCaO、5モル%以下の
SrO、3モル%以下のP2O5の1種または2種以
上の成分とからなる結晶化ガラス成分をセラミツ
ク基板に塗布し、焼成結晶化させてなることを特
徴とする結晶化グレーズ基板を要旨とするもので
ある。 以下、本願発明を更に詳細に説明すると、第1
発明の結晶化グレーズ基板はセラミツク基板、代
表的にはアルミナ磁器よりなるセラミツク基板に
SiO2、BaO、Al2O3の成分と、Y2O3、La2O3、
ZrO2の1種または2種以上の核形成剤とを組み
会わせた結晶化ガラス成分を塗布焼成して表面を
平滑化してなるものであり、第2発明の結晶化グ
レーズ基板はセラミツク基板、代表的にはアルミ
ナ磁器よりなるセラミツク基板にSiO2、BaO、
Al2O3の成分と、B2O3、MgO、CaO、SrO、
P2O5の1種または2種以上の成分と、Y2O3、
La2O3、ZrO2の1種または2種以上の核形成剤と
を組み合わせた結晶化ガラス成分を塗布の焼成し
て表面を平滑化してなるものである。 上記結晶化ガラスを構成する各成分の組成割合
について説明すると次のとおりである。 SiO2は50〜65モル%の範囲とする。この範囲
よりも少ないと表面失透傾向が強く焼成結晶化後
も、気密体とならず、気孔が存在し、平滑なグレ
ーズ面が得られず、逆にこの範囲よりも多くなる
と結晶化が進みにくい。BaOは14〜26モル%の
範囲とする。この範囲よりも少いと結晶化が進み
にくい。逆にこの範囲よりも多くなると結晶化が
均一に行われず、平滑なグレーズ面が得られな
い。Al2O3は6〜16モル%の範囲とする。この範
囲より少ないと均一な結晶化が行われず、また
BaO・Al2O3・2SiO2の結晶すなわち、重土長石
が均一に折出しない。またこの範囲以上では溶融
が難しく焼成時におけるセラミツク基板への融着
が困難となる。 又、第2発明において、第1発明同一成分に添
加される成分については次の通りである。 B2O3は6モル%以下の範囲とする。この範囲
までは溶融を助長するが、この範囲以上では溶融
は容易となつても結晶化が困難となる。 MgOは3モル%以下、CaOは8モル%以下、
SrOは5モル%以下、P2O5は3モル%以下、と
する。この範囲内であるとガラスの溶融を助長
し、焼成時に正ずる泡を抜け易くする効果があ
る。しかし、この範囲以上となると重土長石の均
一な析出が困難となり、残存ガラス相が多くな
り、耐熱温度が低下するとともに、一般のグレー
ズと同様に、クラツクが発生とやすい傾向があ
る。 次に、本発明の特徴である加工時におけるクラ
ツクが少なく耐熱性に優れた結晶化グレーズ基板
を形成するために加えられる核形成成分について
説明する。 Y2O3とLa2O3とはいずれも4.5〜8モル%とす
る。この範囲では核形成剤として、結晶化の促進
に極めて有効である。しかし、この範囲より少な
い含有量であると、結晶化に対する効果が少な
く、均一な結晶化が得られない。逆に、この範囲
以上添加しても効果は変らず、却つてコスト的に
不経済であり、又、溶融が困難となる。 ZrO2は4〜8モル%の範囲とする。この範囲
よりも少ないと結晶化が困難となる。逆にこの範
囲以上では、溶融が困難となる。 第1発明の結晶化グレーズ基板は例えば次のよ
うにして製作することができる。即ち、原料とし
てSiO2、Al(OH)3、BaCO3、Y2O3、La2O3、
ZnO2を用い、これらを所定量秤量し、混合、溶
融して得たガラスを細粉し既製のセラミツク基板
に塗布し、該基板と共に焼成して結晶化グレーズ
表面を形成させる。 第2発明は上記第1発明の原料であるSiO2、
Al(OH)3、BaCO3、Y2O3、La2O3、ZrO2に更に
H3BO3、CaCO3、SrCO3、MgCO3、H3PO4を原
料として用い第1発明と同様の方法により製作す
ることができる。 本発明は、以上述べた、一定割合の特定の成分
と特定の核形成成分とを組み合わせてなる結晶化
ガラス成分をセラミツク基板の表面に塗布焼成し
てなる結晶グレーズ基板であり、表面が平滑で耐
熱性に優れ、加工時におけるクラツクの発生が起
り難いといつた長所を有し、しかもセラミツク基
板と表面の結晶化グレーズ面のガラス層との熱膨
張係数が極めて近似しているので、フアクシミリ
のグレーズ基板、厚膜基板、部分グレーズ基板、
あるいはプリンタヘツド基板、特にサーマルヘツ
ド用の基板として好適である。 実施例 原料として、SiO2、Al(OH)3、BaCO3、
H3BO3、CaCO3、SrCO3、MgCO3、H3PO4、
Y2O3、La2O3、ZrO2を用い、モル%で次の第1
表の組成となるよう秤量して、公知のらいかい機
に入れて混合して粉砕した。これをアルミナ質る
つぼ、または、白金るつぼに入れ、1400〜1500℃
に加熱溶融後、融液を水中に投入し、急冷して固
化し、ガラスを得た。このガラスをアルミナ製の
ボールミルにて細かく粉砕し、ガラス末(フリツ
ト)とし、アルミナ含有量97%、寸法が50mm×50
mm×1.0mmのアルミナ基板表面に塗布し、1時間
当り、100℃の昇温スピードで加熱炉内にて加熱
し1000〜1200℃で焼成結晶化させて、結晶化グレ
ーズ基板を得た。なお、第1表の成分組成から明
らかなようにNo.1ないしNo.4は本願第2発明の実
験例を示し、No.5は本願第1発明の実験例を示し
ている。得られた結晶化グレーズ基板につき、熱
膨張係数、ならびに、結晶化温度を測定し、第1
表のような結果を得た。
る。さらに詳しくは、本発明は、表面が平滑で加
工時におけるクラツクの発生が少く耐熱性に富
み、例えばフアクシミリグレーズ基板特にサーマ
ルヘツド用の基盤として好適な結晶化グレーズ基
板に関するものである。 サーマルヘツド用の基板としては高アルミナ磁
器が用いられ、この表面に、例えばクロム、タン
タルのような金属薄膜を真空蒸着等により被着し
た後、エツチング等を行うものであるが、この場
合、基板表面の粗度が問題となり、実用上、差支
えない程度までに平滑性を確保するため、通常表
面に例えばSiO2:57.2モル%、BaO:4.2モル%、
Al2O3:3.2モル%、B2O3:16.1モル%、CaO:
5.6モル%、MgO:1.0モル%、PbO:8.1モル%、
Na2O:3.8モル%、K2O:0.8モル%のような組
成分からなるガラスが塗布焼成される。ところが
このガラスは本質的に耐熱性が低いために加工時
にクラツクを生じ易くリード線の熱圧着の際には
がれてしまうという欠点がある。また、厚膜方式
のサーマルヘツドの場合には配線を印刷したあと
の焼成で表面に塗布したガラスが軟化して配線が
破壊されるなどの難点があり、薄膜方式の場合に
は高速化に伴う高熱のためにガラスがとけてしま
うといつた欠点がある。本発明はこのような従来
のグレーズ基板の表面に塗布焼成されたガラスに
みられる欠点を改善するべく種々検討の結果、従
来のガラスの代りにBaO・Al2O3・2SiO2を主結
晶とするガラス成分およびこれに特定の核形成成
分の組み合わせからなる結晶化ガラス成分あるい
はそれらの成分に更に特定の成分を加えたもの
を、例えばアルミナ磁器のようなセラミツク基板
に塗布焼成することにより、表面が平滑で表面ガ
ラスと基板との熱膨脹係数が近似しており耐熱性
に富み加工時におけるクラツクの発生の少いセラ
ミツク基板が得られるとの知見をえて本発明に至
つた。すなわち本願第1発明は、SiO2:50〜65
モル%、BaO:14〜26モル%、Al2O3:6〜16モ
ル%の成分と、Y2O3:4.5〜8モル%、La2O3:
4.5〜8モル%、ZrO2:4〜8モル%の1種また
は2種以上の核形成剤とからなる結晶化ガラス成
分をセラミツク基板に塗布し、焼成結晶化させて
なる結晶化グレーズ基板を要旨とするものであ
り、第2発明はSiO2:50〜65モル%、BaO:14
〜26モル%、Al2O3:6〜16モル%の主成分と、
Y2O3:4.5〜8モル%、La2O3:4.5〜8モル%、
ZrO2:4〜8モル%の1種または2種以上の核
形成剤と、6モル%以下のB2O3、3モル%以下
のMgO、8モル%以下のCaO、5モル%以下の
SrO、3モル%以下のP2O5の1種または2種以
上の成分とからなる結晶化ガラス成分をセラミツ
ク基板に塗布し、焼成結晶化させてなることを特
徴とする結晶化グレーズ基板を要旨とするもので
ある。 以下、本願発明を更に詳細に説明すると、第1
発明の結晶化グレーズ基板はセラミツク基板、代
表的にはアルミナ磁器よりなるセラミツク基板に
SiO2、BaO、Al2O3の成分と、Y2O3、La2O3、
ZrO2の1種または2種以上の核形成剤とを組み
会わせた結晶化ガラス成分を塗布焼成して表面を
平滑化してなるものであり、第2発明の結晶化グ
レーズ基板はセラミツク基板、代表的にはアルミ
ナ磁器よりなるセラミツク基板にSiO2、BaO、
Al2O3の成分と、B2O3、MgO、CaO、SrO、
P2O5の1種または2種以上の成分と、Y2O3、
La2O3、ZrO2の1種または2種以上の核形成剤と
を組み合わせた結晶化ガラス成分を塗布の焼成し
て表面を平滑化してなるものである。 上記結晶化ガラスを構成する各成分の組成割合
について説明すると次のとおりである。 SiO2は50〜65モル%の範囲とする。この範囲
よりも少ないと表面失透傾向が強く焼成結晶化後
も、気密体とならず、気孔が存在し、平滑なグレ
ーズ面が得られず、逆にこの範囲よりも多くなる
と結晶化が進みにくい。BaOは14〜26モル%の
範囲とする。この範囲よりも少いと結晶化が進み
にくい。逆にこの範囲よりも多くなると結晶化が
均一に行われず、平滑なグレーズ面が得られな
い。Al2O3は6〜16モル%の範囲とする。この範
囲より少ないと均一な結晶化が行われず、また
BaO・Al2O3・2SiO2の結晶すなわち、重土長石
が均一に折出しない。またこの範囲以上では溶融
が難しく焼成時におけるセラミツク基板への融着
が困難となる。 又、第2発明において、第1発明同一成分に添
加される成分については次の通りである。 B2O3は6モル%以下の範囲とする。この範囲
までは溶融を助長するが、この範囲以上では溶融
は容易となつても結晶化が困難となる。 MgOは3モル%以下、CaOは8モル%以下、
SrOは5モル%以下、P2O5は3モル%以下、と
する。この範囲内であるとガラスの溶融を助長
し、焼成時に正ずる泡を抜け易くする効果があ
る。しかし、この範囲以上となると重土長石の均
一な析出が困難となり、残存ガラス相が多くな
り、耐熱温度が低下するとともに、一般のグレー
ズと同様に、クラツクが発生とやすい傾向があ
る。 次に、本発明の特徴である加工時におけるクラ
ツクが少なく耐熱性に優れた結晶化グレーズ基板
を形成するために加えられる核形成成分について
説明する。 Y2O3とLa2O3とはいずれも4.5〜8モル%とす
る。この範囲では核形成剤として、結晶化の促進
に極めて有効である。しかし、この範囲より少な
い含有量であると、結晶化に対する効果が少な
く、均一な結晶化が得られない。逆に、この範囲
以上添加しても効果は変らず、却つてコスト的に
不経済であり、又、溶融が困難となる。 ZrO2は4〜8モル%の範囲とする。この範囲
よりも少ないと結晶化が困難となる。逆にこの範
囲以上では、溶融が困難となる。 第1発明の結晶化グレーズ基板は例えば次のよ
うにして製作することができる。即ち、原料とし
てSiO2、Al(OH)3、BaCO3、Y2O3、La2O3、
ZnO2を用い、これらを所定量秤量し、混合、溶
融して得たガラスを細粉し既製のセラミツク基板
に塗布し、該基板と共に焼成して結晶化グレーズ
表面を形成させる。 第2発明は上記第1発明の原料であるSiO2、
Al(OH)3、BaCO3、Y2O3、La2O3、ZrO2に更に
H3BO3、CaCO3、SrCO3、MgCO3、H3PO4を原
料として用い第1発明と同様の方法により製作す
ることができる。 本発明は、以上述べた、一定割合の特定の成分
と特定の核形成成分とを組み合わせてなる結晶化
ガラス成分をセラミツク基板の表面に塗布焼成し
てなる結晶グレーズ基板であり、表面が平滑で耐
熱性に優れ、加工時におけるクラツクの発生が起
り難いといつた長所を有し、しかもセラミツク基
板と表面の結晶化グレーズ面のガラス層との熱膨
張係数が極めて近似しているので、フアクシミリ
のグレーズ基板、厚膜基板、部分グレーズ基板、
あるいはプリンタヘツド基板、特にサーマルヘツ
ド用の基板として好適である。 実施例 原料として、SiO2、Al(OH)3、BaCO3、
H3BO3、CaCO3、SrCO3、MgCO3、H3PO4、
Y2O3、La2O3、ZrO2を用い、モル%で次の第1
表の組成となるよう秤量して、公知のらいかい機
に入れて混合して粉砕した。これをアルミナ質る
つぼ、または、白金るつぼに入れ、1400〜1500℃
に加熱溶融後、融液を水中に投入し、急冷して固
化し、ガラスを得た。このガラスをアルミナ製の
ボールミルにて細かく粉砕し、ガラス末(フリツ
ト)とし、アルミナ含有量97%、寸法が50mm×50
mm×1.0mmのアルミナ基板表面に塗布し、1時間
当り、100℃の昇温スピードで加熱炉内にて加熱
し1000〜1200℃で焼成結晶化させて、結晶化グレ
ーズ基板を得た。なお、第1表の成分組成から明
らかなようにNo.1ないしNo.4は本願第2発明の実
験例を示し、No.5は本願第1発明の実験例を示し
ている。得られた結晶化グレーズ基板につき、熱
膨張係数、ならびに、結晶化温度を測定し、第1
表のような結果を得た。
【表】
【表】
(注)
* 判定は肉眼で行なつた。ガラス相が多いと透明が
かえつて見え、結晶相が多いと白く見える。
また、結晶化が不均一におこると、気孔が存在し
てしまう傾向がある。
以上の結果から明らかなとおり、本発明の結晶
化グレーズ基板は、範囲外の結晶化グレーズ基板
に較べて結晶化温度が高くしかも熱膨張係数が小
さいことが判つた。なお、No.6の試料は結晶化は
するが熱膨張係数が大きく実用に共し得ない。
* 判定は肉眼で行なつた。ガラス相が多いと透明が
かえつて見え、結晶相が多いと白く見える。
また、結晶化が不均一におこると、気孔が存在し
てしまう傾向がある。
以上の結果から明らかなとおり、本発明の結晶
化グレーズ基板は、範囲外の結晶化グレーズ基板
に較べて結晶化温度が高くしかも熱膨張係数が小
さいことが判つた。なお、No.6の試料は結晶化は
するが熱膨張係数が大きく実用に共し得ない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 SiO2:50〜65モル%、BaO:14〜26モル%、
Al2O3:6〜16モル%の成分と、Y2O3:4.5〜8
モル%、La2O3:4.5〜8モル%、ZrO2:4〜8
モル%の1種または2種以上の核形成剤とからな
る結晶化ガラス成分をセラミツク基板に塗布し、
焼成結晶化させてなることを特徴とする結晶化グ
レーズ基板。 2 結晶化ガラス成分がBaO・Al2O3・2SiO2を
主結晶とするものである特許請求の範囲第1項に
記載する結晶化グレーズ基板。 3 セラミツク基板がアルミセラミツク基板であ
る特許請求の範囲第1項あるいは第2項に記載す
る結晶化グレーズ基板。 4 SiO2:50〜65モル%、BaO:14〜26モル%、
Al2O3:6〜16モル%の成分と、Y2O3:4.5〜8
モル%、La2O3:4.5〜8モル%、ZrO2:4〜8
モル%の1種または2種以上の核形成剤と、6モ
ル%以下のB2O3、3モル%以下のMgO、8モル
%以下のCaO、5モル%以下のSrO、3モル%以
下のP2O5の1種または2種以上の成分とからな
る結晶化ガラス成分をセラミツク基板に塗布し、
焼成結晶化させてなることを特徴とする結晶化グ
レーズ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14831982A JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14831982A JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5939783A JPS5939783A (ja) | 1984-03-05 |
JPS6331419B2 true JPS6331419B2 (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=15450122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14831982A Granted JPS5939783A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 結晶化グレ−ズ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5939783A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0649590B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1994-06-29 | 石塚硝子株式会社 | セラミックス基板用グレーズ組成物 |
JP2724514B2 (ja) * | 1990-10-08 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | グレーズ組成物 |
JP4704585B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2011-06-15 | 株式会社オハラ | 低膨張透明結晶化ガラス、結晶化ガラス基板及び光導波路素子 |
NO314897B1 (no) * | 2000-08-23 | 2003-06-10 | Norsk Hydro As | Barium-lantan-silikat baserte glasskeramer og deres anvendelse |
JP4859288B2 (ja) * | 2001-06-04 | 2012-01-25 | 京セラ株式会社 | ガラス組成物、ガラス焼結体およびそれを用いた配線基板 |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14831982A patent/JPS5939783A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5939783A (ja) | 1984-03-05 |
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