KR840001006B1 - 회로기판 피복용 자기조성물 - Google Patents

Abstract

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Description

회로기판 피복용 자기조성물

본 발명은 증가되는 온도에 있어서 변형에 대한 내성이 우수하고, 열팽창계수가 높으며, 우수한 전기적 특성을 갖는, 금속회로기판 피복용 자기조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자기는 금소긱판에 피복되어, PIC(Process Induced Coonponent)를 갖는 혼성회로와 인쇄된 회로기판과 같은 개선된 물리적 및 전기적 특성을 갖는 회로기판을 제공한다.

전자장치를 만드는데 있어서, 장치의 회로들을 구성하는 여러 전자소자들을 기판상에 세우거나 형성하는 것이 일반적이다. 유기플라스틱 라미네이트(organic plastic Laminate), 금속, 자기피복된 강철 및 세라믹 웨이퍼 등이 이러한 기판으로 사용되어 왔다.

라디오, 텔레비젼, 컴퓨터 등과 같은데 사용되는 비교적 큰 회로는 일반적으로 유기플라스틱 기판위에 구성된다. 기판은 보통 회로기판(circuit board)으로 불리어지는데, 보강된 열경화성수지로 이루어져 있다. 널리 사용되고 있는 유형의 유기플라스틱 회로기판은 종이로 보강된 페놀수지로 되어 있다. 그밖에 널리 사용되고 있는 유기플라스틱 회로기판은 유리섬유로 보강된 에폭시수지 라미네이트이다.

유기플라스틱 회로기판은 비교적 저렴하고, 매우 납작하고 매끈한 표면의 알맞은 다양한 크기로 손쉽게 제조할 수 있으며, 물리적 강도가 매우 우수하다는 등의 여러 잇점에 있다.

유기플라스틱 회로기판은 상술한 잇점이외에도 본질적인 결점이 내재되어 있어서, 실제로 사용하는 경우 제한을 받게 된다. 즉, 이런 기판은 고온, 즉 400℃이상의 온도에서 사용할 수 없기 때문에 저온의 제작공정에서만 사용가능하다. 전도용으로 필요한 금속회로 등을 금속에칭이나 전기적 혹은 화학적인 금속착용방법 등과 같은 저온의 처리공정을 이용하여 회로기판상에 형성해야 한다. 축전기, 특히 저항기 등과 같은 전자부품은 독립적인 제조방법으로 별개의 부품으로써 제조한 후, 유기플라스틱 회로기판상에 따로따로 설치해야 한다.

유기플라스틱 회로기판이 사용상 고온에서 제한받아야 한다는 사실은 심각한 문제점으로 대두되어 왔다. 이에 따라 전자부품을 적절한 회로기판상에 직접 구성하기 위한 새로운 방법이 개발되어 왔다. 소위 PIC는 가격면에서 저렴하고, 회로로 구성하거나 조립하기에 간편하며, 전반적으로 개선된 확실성과 전기적인 정확성 등 매우 바람직한 잇점을 지니고 있다. PIC형성을 위해 사용되는 재료는 보통 금속과 유리분말로 이루어진 잉크형태로 제조된다. 이 잉크를 바람직한 패턴으로 기판상에 프린트한 후, 기판을 승온된 온도에서 불에 쬐면, 잉크내의 재료가 녹아 바람직한 전자부품으로 형성된다. 이때 필요한 불의 온도는 일반적으로 600-900℃ 또는 그 이상이다. 상기 온도는 유기플라스틱 회로기판을 변형시키지 않고 노출시킬 수 있는 상한온도보다 매우 높은 온도이다.

이에 따라서 회로기판을 특히 고온으로 처리해야 하는 경우에 여러 유형의 세라믹 재료들이 회로기판으로 사용하게 되었다. 이런 목적으로 사용되는 세라믹 재료로는 알루미늄 산화물의 웨이퍼 등이 있다. 이 세라믹 물질은 고온에 대해 우수한 내성을 지니고 있으며 600-900℃의 온도에서나 심지어는 그 이상의 온도에서 여러번 불에 쬐어도 변형되지 않는다. 세라믹은 제조하는데 비교적 고가이고 깨어지기 쉽기 때문에 비교적 큰 크기로 제조하는 것이 용이하지 않다는 본질적 결함이외에는 전자회로용의 이상적인 기판이다. 물리적인 크기의 제한점은 단지 한개의 유기 플라스틱 기판이 필요한 경우 다수의 분리된 세라믹 기판을 사용해야 하는 문제점을 야기한다. 이 세라믹 기판에는 또한 별개의 전자부품을 구성하기 위해 필요한 한치구멍 등을 쉽게 뚫을 수 없다. 또 세라믹 기판은 깨어지기 쉽기 때문에 사용중인 기판을 보호하기 위한 고정물과 보호막을 사용해야 한다.

또한 종래에는 자기로 피복된 강철도 회로기판으로써 사용되어 왔다. 자기로 피복된 강철은 유기플라스틱 회로기판과 세라믹 회로기판의 바람직한 특성을 합쳐놓은 것이라 할 수 있다. 자기로 피복된 강철회로기판은 유기플라스틱 기판과 마찬가지로 큰 크기로 제조될 수 있다. 자기로 피복하기 이전에, 자기로 피복된 기판의 강철심은 용이하게 성형시킬 수 있고 또 강철기판에 구멍을 뚫을 수 있다. 자기기판은 유기플라스틱 회로기판과 마찬가지로 400℃정도의 저온에서 열변형되지 않는다. 이런점에서 자기회로기판은 세라믹 회로기판과 유사하다. 그러나, 자기로 피복된 회로기판은 세라믹 기판보다 그 강도가 커서 비교적 까다로운 회로구성에 이용할 수 있다.

자기피복된 금속기판의 사용은 1930년대초에 제안되었지만, 이제까지 알려진 자기피복된 회로기판은 만족스럽지 못하였다. 특히 PIC용 기판으로 자기피복된 기판을 사용할 때 그러하였다.

종래의 기술에 의한 자기피복된 강철판에서 제거되었던 주요문제점중의 하나는 자기에 불을 가했을 때 강철판이 균일한 두께의 층으로 융합되어지지 않는다는 것이다. 과량의 자기는 강철심 가장자리부위에 도드라진 입술 또는 용마루 형태를 생성시킨다. 또한 자기를 구워내기 위해 이용되는 조건 및 형태에 따라서, 자기는 기판의 개구주위에 요철(凹凸)모양으로 형성되기도 하고 또는 구멍의 연부를 덮는 아주 얇은 피복막을 형성하기도 한다. 종래에는 자기기판표면상의 피복막의 두께가 일정하지 않아서 기판표면상에 회로를 정확히 인쇄하는 것이 불가능하거나 대단히 어려웠다.

종래 기술에서 제거되었던 또다른 문제점은 종래 기술에 의한 자기를 500-600℃정도의 비교적 저온에서 다시 구워내게 되면 재연화되어 다시 흐르게 된다. 자기를 다시 구워내기 시작하자마자 계속 흐르기 때문에 자기를 여러번 구워야할 경우 문제점은 심각해진다. 자기피복막이 다시 흐르는 이동을 인해 기판상의 인쇄된 전자부품이 뒤틀리며 심지어는 파손돼버린다.

종래 기술에 의한 자기피복된 금속회로기판에서 제거되었던 또다른 문제점은 자기의 연화점보다 약간만 높은 온도를 다시 가열하여도 기판의 금속심으로부터 기체가 때때로 방출된다는 점이다. 이러한 기체는 자기피복막내에서 기포를 형성하게 되는데, 이 기포에 의해 금속심과 표면상의 부품사이의 단락이 야기된다.

마찬가지로 금속심에 대한 종래 기술의자기의 어설픈 부착은 특히 고온에서의 재가열 후 아주 심각한 문제점이 제기된다. 이것은 금속심과 종래 기술의 자기의 열팽창계수의 실제적인 차이에 의한다고 여겨진다.

종래 기술의 자기기판에서 야기된 가장 심각한 문제점은 갈색 오점으로 알려져 왔다. 종래 기술에 의한 자기기판의 이러한 상태는 기판상의 도체와 기판의 금속심간의 전기접촉이 불량할때 나타난다. 시간이 경과함에 따라 기판의 기능이 불향해지므로 자기의 유전에 대한 전기적 효능이 떨어진다.

이러한 문제점으로 인하여 자기피복된 금속기판은 제한되어서 사용되어 왔다. 종래 기술에 의한 자기피복된 금속회로기판이 상승한 바와 같은 문제점이 없이 종래 기술에 의한 자기피복된 금속회로기판이 유기회로기판의 잇점과 세라믹 회로기판의 잇점을 모두 갖춘다면 매우 유용할 것이다.

산화마그네슘(MgO)과 산화바륨(BaO), 삼산화붕소(B₂O₃), 이산화실리콘(SiO₂)으로 구성된 자기로 적절한 강철심을 피복시키면 개선된 자기피복된 금속기판이 제조된다는 것이 알려졌다. 본 발명에 따라서 자기조성물을 금속성에다 가한 후 구워내면 금속심에 부분적인 자기피복막이 제조된다. 이 피복막의 점성은 그 초기 융점에서 대단히 낮고 그후 거의 동시에 유리질 제거에 의하여 높은 점성을 얻을 수 있다. 혼성회로요으로 적합하게끔 구워낸 피복막의 변형온도는 최소한 700℃였고 최소한 약 110×10-7/℃의 열팽창계수를 갖는다.

본 발명의 자기조성물은 4가지 주요산화물로 구성되어 있다. 그 4가지 성분은 본 조성물의 약 6내지 25몰 퍼센트를 차지하는 산화바륨(BaO), 본 조성물의 약 30 내지 60몰 퍼센트를 차지하는 산화마그네슘(MgO), 본 조성물의 약 13 내지 35몰 퍼센트를 차지하는 삼산화붕소(B₂O₃)와, 본 조성물의 약 10 내지 25몰 퍼센트를 차지하는 이산화실리콘(SiO₂)이다.

본 발명의 조성물의 주요성분은 산화마그네슘이며 이후부터 MO로써 인용된다. 그러나, 산화아연 혹은 산화칼슘과 같은 산화물을 첨가하면 변형온도를 증가시킴과 동시에 열팽창계수가 다소 감소된다. 이러한 융용예에서 산화마그네슘의 조성은 최소한 50몰 퍼센트이어야 하는데 양호하기로는 75몰 퍼센트 또는 그 이상이어야 하며, 성분 MO의 나머지는 산화아연 혹은 산화칼슘에서 선택된다.

적용되는 자기의 선택성을 변경시키거나 개선시키기 위해 본 발명의 자기조성물에 여러가지 다른 산화물과 첨가물을 첨가할 수도 있다. 코발트, 망간 또는 크롬의 산화물과 같은 착색제가 첨가되기도 한다. 산화알루미늄(Al₂O₃), 오산화인(P₂O₅), 산화지르코늄(ZrO₂)과 산화주석(SNO₂)과 같은 결정조절 촉매를 결정체의 크기나 비율을 조정하기 위해 첨가시킬 수 있다. 상술한 유형의 첨가물은 조성물의 약 3몰퍼센트 정도까지 본 발명의 조성물에 함유시킬 수 있다.

본 발명의 최대한의 잇점을 얻기 위해서는 알칼리성 물질은 자기의 유전성에 명백한 역효과를 미치기 때문에 알칼리성 산화물의 양, 특히 산화나트륨의 양을 최소로 하는 것이 중요하다. 그 이유는 알칼리 이온이 자기의 표면으로 이동하기 때문이라고 믿어진다. 그런, 일정한 양의 알카리성 산화물을 다른 성분과 함께 수소의 불순물로서 첨가되기도 한다.

본 발명에 따라서 자기를 제조하는 첫번째 단계는 바람직한 조성물을 지닌 유리혼합물(glassfrit)을 제조하는 것이다.

유리혼합물을 제조하기 위해 사용되는 원료의 짙은 상업상 유리만드는 것과 같다. 이 원료에는 최종적인 자기의 질에 역효과를 미치는 어떠한 불순물도 없어야 한다. 원료에 알칼리성 불순물이 함유되어 있을 경우 그 양에 각별한 주의가 요청된다.

이 원료는, 유리제조공정에 이용되는 용해온도(1400 내지 1500℃)로 가열시 바람직한 산화물이 변환되는 특정한 산화물이거나 산화물로 변환될 수 있어야 한다. 나중에 설명한 물질의 예로는 탄산마그네슘과 탄산바륨 등이 있다. 원료는 그들의 산화물 함유량에 기초해서 무게를 측정해야 하고 성분들은 함께 섞여진다. 균일한 혼합물을 유리용해공정에 사용하기 위해, 이때에 혼합된 성분을 펠릿트(pellet)화 하는 것이 바람직하다. 추가적인 처리단계를 용이하게 하기 위해서는 습기가 철저히 제거되도록 재료의 혼합물을 열처리하여야 한다. 그후 종래의 유리용해기법을 이용해서 이 혼합물을 용해하고, 이 원료를 약 1400-1500℃까지 점차적으로 열을 가한 후, 균일한 용융물이 생성될 때까지 생성된 융해덩어리를 이 온도로 유지한다. 사용된 재료의 양과 장비에 따라서 결정되지만, 보통 1시간정도의 융해시간이면 충분하였다.

이 처리공정의 다음단계는 용해된 유리덩어리를 유리혼합물로 변환시키는 것이다. 본 공정에서는 공지된 여러가지 방법이 사용된다. 일정하게 격리되어 역순환하는 물로 냉각된 한조의 로울러(roller)에다 용해된 유리를 부어서 얇은 리본형의 고체화된 유리를 제조하는 것이 바람직하다고 알려졌 있다. 응고된 유리리본을 부분서 생긴 입자를 보올제본기에 놓고 입자의 크기가 거의 균일한 크기로 될때까지 분쇄하여 건조시킨다.

그후 건식 제본된 유리입자로 2차로 제분하는데, 이번에는 3-10개의 탄소원자를 지니고 유리입자와 슬러리를 형성하기에 충분한 양의 저급지방족알콜(이소프로필알콜이 양호)을 보올제분기에 첨가한다. 알콜에는 물이 거의 없게하여서 이 처리과정동안 유리입자의 불필요한 수화작용을 막아야 한다. 이 슬러리액은 유리입자긔 크기가 3 내지 5미크론정도로 줄어들 때까지 8 내지 12시간동안 보올제분기로 분쇄하였다. 그후 슬러리를 보올제분기에서 꺼낸뒤 알코올을 추가적으로 첨가하여 유리혼합물이 10내지 50중량퍼센트가 되도록 한다. 이 현탁액은 계속적인 자기화 단계에 이용되는 염료용액이다.

본 발명의 유리혼합물은 여러유형의 금속구조물상에 본 발명의 피층막을 형성하는데 매우 유용하다. 본 발명의 자기는 특히 불리한 조건하에서 높은 정도의 성능과 신빙도를 요구하는 전기장치용 피복막으로서 유용하다.

본 발명의 자기는 특히 고온하에 놓이게 될 회로기판의 제조에 유용하다.

자기로 피복된 금속입자를 형성시키기 위해서, 금속심 또는 기판을 자기화시킬 수 있게 준비해야 한다. 금속심으로써 사용되는 금속은 여러가지 금속과 금속합금으로 구성되어 있거나 합성금속구조물일 수 있는데, 이합성금속구조물은(예를들어) 자기를 가하는 제2 금속의 표면상에 도금된 제1 금속의 금속체를 지닌다. 이들은(예를들어) 구리, 스테인레스 스틸인데 가장 바람직한 상태의 탄소를 함유한 강철심을 포함한다. 최적의 도한 최고도로 균일한 전기적 특성을 얻기 위해서는 금속의 결정상태구조가 가능한 한 미세한 금속성 재료를 선택하는 것이 좋다.

이 금속성은 사용용도에 필요한 형태로 절단하거나 성형할 수 있다. 필요한 어떤 개구부나 설치용 구멍등을 종래의 금속세공기법에 의하여 금속심에 형성될 수 있다. 이때에 후에 자기피복을 용이하게 행하기 위해 거칠게 깍은 자리나 날카로운 모서리 등을 제거시키는 편이 좋다.

그후 금속심을 세척하고 구리스 등을 없애매 금속의 표면에서 모든 이물질을 제거한다. 그 다음에 금속을 제2철 이온용액으로 부식시켜 닉켈이나 코발트 등의 금속과 같이 광이나게 함으로서 금속에 자기가 잘 부착되도록 만든다.

상술한 과정이 끝나면, 이 금속심을 유리혼합물의 현탁액으로 피복시키게 되는데, 본 발명에 의한 양호한 피복방법은 전기영동침전(elecrophoretic deposition)에 의한 것이다. 이 처리공정에 있어서, 상술한 바와 같이 제조된 알콜현탁액을 적절한 전기영동용 탱크에 놓는다. 닉켈이나 스테인레스 스틸막대를 양극으로서 사용하고, 피복될 금속부분은 음극위치에 놓고 종래의 방법에 의하여 탕에 전기를 흐르게 한다. 현탁액속에 유리입자는 금속부분의 표면에 용착된다. 금속심상의 피복의 두께는 슬러리액의 용착효율과 응착시간에 의해 결정된다. 알맞은 양의 유리입자가 금속심에 유착되면, 유리혼합물 전해조에서 금속심을 꺼내 피복물에서 알코올이 빠지게 한다. 그후 피복물을 가속공기 오븐(oven)에 놓고 건조할 때까지 약 100°로 유지시킨다. 피복물을 오븐에서 꺼내진 표면에는 유리혼합물의 일정한 두께의 피복막이 형성되어 있을 것이다. 기판연부 또는 기판의 개구부에서의 피복막의 두께는 일정할 것이다.

상술한 공정이 끝난 후 유리혼합물이 피복된 물건을 구워내야 한다. 구워내는 절차는 바람직한 자기의 형태를 얻기위해 중요하다. 최소한 750℃의 온도(가장 바람직한 온도는 800 내지 850℃)를 유지하는 화실(firing chamber)에 유리혼합물로 피복된 물건을 직접 놓는다. 구워내기 공정의 초기온도는 충분히 높아서 소결작용(sintering)이 바르고 실질적으로 거의 동시에 유리질 제거작용이 있어야 한다. 이 목적을 위해서는 750℃의 온도가 일반적으로 충분하다. 그러나, 800℃ 내지 850℃의 보다 높은 온도에서 유리질 제거작용이 보다 빠르게 일어나서 일반ㅈ거으로 보다 나은 품질의 자기를 얻게 된다. 구워진 견본을 화실에 그대로 놓아서 유리질 제거반응이 실제적으로 완료되게 한다. 이때 소요되는 시간은 구워내는 온도에 따라 결정된다. 보다 낮은 온도(예를 들어 750℃)에서는 구워내는 시간이 보다 길고(보통 15-30분), 보다 높은 온도(예를 들어 840℃)에서는 5분미만의 시간에 만족할만한 결과를 얻을 수 있다. 800℃ 내지 850℃를 초과하는 온도는 자기를 구워내는데 일반적으로 필요하지 않을 뿐더러 금속심에 역효과를 미칠 수 있다. 800℃ 내지 850℃를 초과하는 승온된 온도에 노출되는 시간이 길어지면 어떤 금속, 특히 탄소함유량이 낮은 강철은 변형을 일으켜서 미세한 결정구조가 거칠은 결정구조로 되기 쉽다. 이러한 변형은 완제품의 물리적 강도 및 전기적 특성에 역효과를 미치게 된다.

유리혼합물 피복막은 구워지는동안 빠른 변화를 한다. 유리혼합물의 유리입자는 소결되어 낮은 점성의 용융물로 되거나 또한 그와 동시에 유리질이 제거되어 높은 점성을 갖게 된다. 초벌구이를 하는동안 피복막은 연속적으로 그 외부가 매끄러우며 거의 동시에 평평하고 매트(mat)같은 형상을 얻게되는 것이 시각적으로 쉽게 관찰될 수 있다. 비교적으로, 종래의 전기적 응용에 제시되어온 여느 자기혼합물은 광택이 있고 유리같은 상태로 변환되어 그 상태를 유지하게 된다.

초기에는 표면을 평평하게 하기위해 충분한 유동상태로 있지만, 그 상태가 표면상에서 길게 지속되지 않는다. 점성이 빠르게 증가하기 때문에 금속심의 피복막의 두께의 균일성에는 실제적인 변화가 없다. 구워서 완성된 자기의 표면상 또는 구멍주위의 두께층은 유리혼합물 피복막과 마찬가지로 비교적 균일하다.

구워낸 자기의 약 50 내지 90부피퍼센트는 결정물질이고, 이 조성물의 나머지는 유리질로 구성되어 있다. 결정물질 및 유리질의 비율은 사용한 유리혼합물의 조성에 의해 결정되며 그리고 어느 정도까지는 활용한 구워내기 조건에 의한다.

자기의 결정체 부분은 2형태의 결정물질로 구성되어 있다. 1차적인 결정체 위상의 화학식은 BaO. 2MO. 2SiO₂이고 2차적인 결정체 재료의 화학식은 2MO. B₂O₃인데, MO의 정의는 상술한 바와 같다. 유리혼합물을 형성하기 위해 아주 양호한 원료를 사용했을 때, 즉 MO가 산화마그네슘일 때, 결정체 위상은 각기 BaO. 2MgO₂, 2MgO. B₂O₃가 된다. 유리질 재료는 무정형 조성물인데, 이 비결정 조성물은 상기 출발구조물에 포함된 물질의 나머지로 구성되어 있다.

본 발명의 최종적으로 완성된 자기는 하중변형온도가 최소한 700℃인 것이 특징이다. 이 변형테스트는 구워낸 견본위에 약 10kg/㎠의 정적하중을 유지하고 오븐에 넣어 점차적으로 가열함으로써 수행되었다. 하중하에서 견본의 피복막이 변형을 일으키는 온도가 변형온도이다. 자기의 표면에다 하중을 걸지 않으면 자기에 아무런 변형이 생기지 않게 하면서보다 높은온도에서 자기를 다시 구워내는 일이 가능하다.

본 발명의 자기피복막의 특징은 열팽창계수가 높다는 데서도 찾아볼 수 있다. 보통 이 조성물의 열팽창 계수는 일정한 자기의 약 0℃에서 대략적인 변형온도까지의 범위에서 취했을 때 110×10-7/℃였다. 열팽창계수가 높다는 사실은 본 발명의 자기가 지닌 중요한 특징이다. 본 발명의 자기의 열팽창계수는 사용된 금속심과 거의 동일한 수준에까지도 올릴 수 있다. 자기와 금속심의 열팽창계수가 실질적으로 동일할 경우, 특히 반복해서 다시 구워낸 경우에서도 금속심상의 자기의 균열이 줄어드는 경향이 생긴다.

본 발명에 의해 만든 자기피복회로기판은 혼성회로에 사용되는 PIC를 제조하는데 특히 유용하다.

본 발명의 자기피복된 회로기판은 표면이 평평하므로 용이하게 또한 정확하게 인쇄될 수 있다. 그후 이 회로기판을, 바람직한 전기적 PIC가 되도록 인쇄된 표시를 용해시키는데 필요한 만큼, 보통 800℃ 내지 850℃ 또는 1000℃까지 구워내고 또 반복적으로 다시 구워낼 수 있다. PIC의 접착상태는 극히 우수한 것으로 판명되었는데, 특히 반복적으로 구워낸 후에 그러하다.

본 발명에 의한 자기에서 기대하지도 않았던 잇점은 갈색오점에 영향을 받지 않는다는 것이다. 회로를 기판의 표면에 구성하고 표면의 부품과 금속심간에 접촉이 이루어질때, 갈색오점이 생기지 않았다.

또한 본 발명에 의한 자기에서 기대하지도 않았던 잇점은 갈색오점에 영향을 받지 않는다는 것이다. 회로를 기판의 표면에 구성하고 표면의 부품과 금속심간에 접촉이 이루어질때, 갈색오점이 생기지 않았다.

또한 본 발명에 의한 자기는 개량된 전기적 특성이 갖는데, 종래 기술의 알칼리함유 자기에서 발견되엇던 것과 유사한 자기내의 이온의 이동이 본질적으로 없음이 발견되었다. 따라서 본 발명에 의한 자기는 전기적 특성이 긴 범위의 온도에 걸쳐서 극히 안정된 결과를 가져온다.

본 발명에 의한 자기에서 찾아볼 수 있는 또다른 잇점이란 종래 기술에서 이제까지 사용했던 자기보다도 브레이크다운전압(break down voltage)이 실제적으로 보다 높다는 것이다. 본 발명에 의한 자기의 브레이크다운 전압은 종래의 자기에 비해서 고온, 고전압에서 월등히 높다.

하기 실시예에서의 조성물은 다른말이 없으면 몰퍼센트로 주어진다.

[실시예 1-34]

산화물을 다양하게 조합하여 일련의 자기를 만들었는데, 이 실시예의 산화물은 각기 초기에는 유리혼합물로써 형성되었다. 유리혼합물을 탄소함유량이 낮은 강기철판에 가해서, 그 견본을 아래 차트에 표시한바와 같이 구워냈다. 그 조성물과 결과는 아래의 도표에 설명되었다.

상기 실시예에 따라 만든 자기는 상기 언급한 여러 유형의 회로에 사용할 수 있는데, 변형온도가 700℃ 또는 그보다 높은 자기도 굽는 온도가 높아야 하는 PIC로 구성된 회로를 제조하는데에 있어서 특히 유용하다. 변형온도가 다소 낮은 자기는 종래 인쇄회로용 기판으로서 또한 불연속제인 전자부품을 설치하는 기판으로서 양호하게 사용된다.

[실시예 35]

최종완성된 자기의 특성에 대한 구워내는 시간의 영향을 측정하기 위해서, 동일한 조성물이지만 구워내는 시간이 다른 2개의 견본을 제조하였다.

이때 사용된 유리혼합물은 42몰퍼센트의 산화마그네슘과, 20.0몰퍼센트의 산화바륨과, 18.0몰퍼센트의 삼산화붕소와, 20.0몰퍼센트의 이산화규소로 구성하였다.

이에 따라 다음의 결과를 얻게 되었다.

[실시예 36]

본 발명에 의한 자기와 시장에서 판매되고 있는 2종류의 자기로 피복된 기판의 유전성, 특히 유전체 브레이크다운 전압이 측정되어졌다.

본 실험에서, 전압을 일정하게 유지시키는 반면 온도를 올림으로써 자기에 대한 온도의 효과가 측정되었는데, 다음의 결과를 얻었다.

[실시예 37]

온도를 일정하게 유지하고, 전압을 브레이크다운 수준에까지 올리는 것을 제외하고는 실시예 36의 실험을 반복하였는데, 그 결과는 다음과 같다.

Claims (1)

1. 약 6-약 25몰퍼센트의 산화바륨, 약 30-약 60몰퍼센트의 MO(최소한 50몰퍼센트이상은 산화마그네슘, 그 나머지는 산화아연, 산화칼슘으로부터 선택됨) 약 13-35몰퍼센트의 삼산화붕소, 약 10-약 25몰퍼센트의 이산화실리콘으로 구성된 회로기판 피복용 자기조성물.