JP2005068008A - 電子回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】モル%で、SiO2:35〜53%、B2O3:0〜10%、Al2O3:5〜18%、MgO:5〜40%、CaO:7〜40%、SrO+BaO:0〜20%、ZnO:0〜10%、TiO2+ZrO2:0〜5%、からなり、SiO2+Al2O3が59%以下、Al2O3/(MgO+CaO)のモル比が0.13以上である無鉛ガラスを用いる。
【選択図】なし
Description
SiO2 35〜53%、
B2O3 0〜10%、
Al2O3 5〜18%、
MgO 5〜40%、
CaO 7〜40%、
SrO+BaO 0〜20%、
ZnO 0〜10%、
TiO2+ZrO2 0〜5%、
からなり、SiO2+Al2O3が59%以下、Al2O3/(MgO+CaO)のモル比が0.13以上である無鉛ガラスの粉末と、
セラミックフィラーと、
から本質的になるガラスセラミックス組成物であって、当該無鉛ガラスの粉末を質量百分率表示で40%以上含有するガラスセラミックス組成物、
を焼結して得られる電子回路基板を提供する。
SiO2 35〜53%、
B2O3 0〜10%、
Al2O3 5〜18%、
MgO 5〜40%、
CaO 7〜40%、
SrO+BaO 0〜20%、
ZnO 0〜10%、
TiO2+ZrO2 0〜5%、
からなり、SiO2+Al2O3が59%以下、Al2O3/(MgO+CaO)のモル比が0.13以上である無鉛ガラスを提供する。
Claims (4)
- 下記酸化物基準のモル%表示で、本質的に、
SiO2 35〜53%、
B2O3 0〜10%、
Al2O3 5〜18%、
MgO 5〜40%、
CaO 7〜40%、
SrO+BaO 0〜20%、
ZnO 0〜10%、
TiO2+ZrO2 0〜5%、
からなり、SiO2+Al2O3が59%以下、Al2O3/(MgO+CaO)のモル比が0.13以上である無鉛ガラスの粉末と、
セラミックフィラーと、
から本質的になるガラスセラミックス組成物であって、当該無鉛ガラスの粉末を質量百分率表示で40%以上含有するガラスセラミックス組成物、
を焼結して得られる電子回路基板。 - 前記無鉛ガラス中の、SiO2が50モル%以下、かつAl2O3/(MgO+CaO)のモル比が0.14以上である請求項1に記載の電子回路基板。
- 前記無鉛ガラス中の、SiO2が45モル%未満である請求項1または2に記載の電子回路基板。
- 前記無鉛ガラスが、粉末化して900℃で焼成したときにアノーサイトおよびディオプサイドが析出する無鉛ガラスである請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子回路基板。
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