CH698612B1

CH698612B1 - Elektronische Schaltungsanordnung mit wenigstens einem elektronischen Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Schaltungsanordnung.

Info

Publication number: CH698612B1
Application number: CH02080/06A
Authority: CH
Inventors: Peter Straub
Original assignee: Microdul Ag
Priority date: 2006-12-21
Filing date: 2006-12-21
Publication date: 2009-09-15

Abstract

Bei einer elektronische Schaltungsanordnung (10) mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (15, 16, 18), welches auf einem Leiterbahnen (23) tragenden Schaltungsträger angeordnet und verschaltet ist, wird ein gutes thermisches Verhalten und eine mechanische Robustheit bei gleichzeitig guter dreidimensionaler Verformbarkeit dadurch erreicht, dass der Schaltungsträger (21) ein Trägersubstrat (11) aus einem Stahl umfasst, welches zumindest auf einer Seite zumindest teilweise mit einer Isolations-Dickschicht (12) bedeckt ist, auf welcher zur Bildung von Leiterbahnen Leiter-Dickschichten (13) aufgebracht sind.

Description

Technisches Gebiet

[0001] Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Technik elektronischer Schaltungen. Sie betrifft eine elektronische Schaltungsanordnung mit wenigstens einem elektronischen Bauelement gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Schaltungsanordnung.

Stand der Technik

[0002] Dickschichtpasten werden seit langer Zeit auf Keramiksubstrate aus AI2O3 oder AIN mittels Siebdruck aufgebracht. Die Schichten werden danach getrocknet und bei hohen Temperaturen, z.B. 850[deg.]C, eingebrannt. Alternativ können auch andere Substrate verwendet werden, welche den Einbrennprozess bei 850[deg.]C überstehen, wie beispielsweise Stahl oder Kupfer. Auch die Dickschicht-auf-Stahl-Technologie (TFS Thick Film on Steel) ist ausgereift und wird seit längerer Zeit für Heizelemente eingesetzt (Teekocher usw.).

[0003] Aus der EP-A2-1 598 591 ist eine LED-Schaltungsanordnung bekannt, bei der ein mit einer Isolationsschicht bedecktes Metallsubstrat aus Aluminium oder Magnesium oder einer Legierung dieser Metalle eingesetzt wird. Auf das isolierte Metallsubstrat werden dabei Leiterbahnen in Dünnschicht- oder Dickschichttechnologie aufgebracht. Die Wärme der Leistungs-LEDs wird über das Substrat abgeführt und auf der Rückseite über Kühlrippen an die Umgebung abgegeben.

[0004] Aus der WO-A1-2004/107 443 ist ein isoliertes Metallsubstrat (Insulated Metal Substrate IMS) mit einer Leistungs-LED bekannt, das aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung oder Kupfer besteht und mit einer als Reflektor wirkenden Vertiefung versehen ist, innerhalb derer die LED montiert ist. Auf das Substrat ist eine Isolierschicht und auf die Isolierschicht sind Leiterbahnen aufgebracht.

[0005] Nachteilig ist bei den bekannten Schaltungsanordnungen, dass sie entweder vergleichsweise aufwändig in der Herstellung und teuer sind, oder nicht flexibel genug an den jeweiligen Anwendungsfall (z.B. bei Leistungs-LEDs als Fahrzeugbeleuchtung) angepasst werden können. Schwierigkeiten ergeben sich zudem bei der Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Substrats und der darauf angeordneten Halbleiterbauelemente, die beispielsweise eine Chip-on-Board-Montage nicht zulassen.

Darstellung der Erfindung

[0006] Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesondere für Leistungs-LEDs, zu schaffen, die einfach und kostengünstig und auch in Grossserie herzustellen ist, flexibel an den jeweiligen Anwendungsfall angepasst werden kann, und sich durch gute thermische Eigenschaften und die Eignung für die unterschiedlichsten Arten der Bauelement-Montage auszeichnet. Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Schaltungsanordnung anzugeben.

[0007] Die Aufgabe wird durch die Gesamtheit der Merkmale der Ansprüche 1 und 14 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, bei einer mit elektronischen Bauelementen bestückten Schaltungsanordnung ein Trägersubstrat aus einem Stahl vorzusehen, welches zumindest auf einer Seite zumindest teilweise mit einer Isolations-Dickschicht bedeckt ist, auf welcher zur Bildung von Leiterbahnen Leiter-Dickschichten aufgebracht sind.

[0008] Gemäss einer besonders einfachen Ausgestaltung der Erfindung ist das Trägersubstrat ein Stahlblech. Insbesondere weist das Trägersubstrat eine Dicke zwischen 20 [micro]m und 6 mm, vorzugsweise zwischen 0,5 mm und 1 mm, auf.

[0009] Es hat sich dabei als besonders günstig erwiesen, dass das Trägersubstrat aus einem Stahl mit der Werkstoffnummer 1.4016 oder 1.4301 nach EN 10088-1: 2005-09 besteht.

[0010] Eine andere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Isolations-Dickschicht aus einer dielektrischen Paste besteht, die unter hoher Temperatur, insbesondere 850 [deg.]C, eingebrannt ist. Insbesondere kann diese Paste, z.B. bei optischen Anwendungen (LEDs etc.) aus Gründen der Reflektion, weiss sein.

[0011] Entsprechend besteht die Leiter-Dickschicht aus einer Leiter-Paste, insbesondere auf Silberbasis, die unter hoher Temperatur, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt ist.

[0012] Die Dicke der Isolations-Dickschicht bzw. der Leiter-Dickschicht beträgt vorzugsweise zwischen 20 [micro]m und 120 [micro]m.

[0013] Gemäss einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist das wenigstens eine elektronische Bauelement ein SMD-Bauelement.

[0014] Vorzugsweise ist das wenigstens eine elektronische Bauelement eine LED.

[0015] Aufgrund der angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist es insbesondere möglich, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement ein direkt auf dem Schaltungsträger montierter Halbleiterchip ist.

[0016] Der Verbund aus Stahl und darauf aufgebrachten Dickschichten ermöglicht es auf einfache Weise, dass der Schaltungsträger eine von der ebenen Form abweichende dreidimensionale Form aufweist. Die dreidimensionale Form kann insbesondere Biegungen des Schaltungsträgers umfassen.

[0017] Eine Ausgestaltung des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Pastenschicht und/oder die Leiter-Pastenschicht mittels Siebdruck auf das Trägersubstrat aufgebracht werden.

[0018] Zur Anpassung an spezielle Anwendungen kann der Schaltungsträger nach dem Aufbringen der Schichten dreidimensional verformt werden.

Kurze Erläuterung der Figuren

[0019] Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen
<tb>Fig. 1<sep>in einer Schnittdarstellung eine elektronische Schaltungsanordnung gemäss einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; und

<tb>Fig. 2<sep>in einer perspektivischen Darstellung eine dreidimensional verformte Schaltungsanordnung gemäss einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Wege zur Ausführung der Erfindung

[0020] Fig. 1 zeigt den Schnitt durch eine Schaltungsanordnung gemäss einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Schaltungsanordnung 10 ist auf einem Trägersubstrat 11 aus Stahl aufgebaut. Vorzugsweise wird als Trägersubstrat 11 ein Stahlblech vom Stahltyp 1.4016 (thermischer Ausdehnungskoeffizient von 10,5 ppm/K; Wärmeleitfähigkeit von 25 W/mK) oder vom Stahltyp 1.4301 (thermischer Ausdehnungskoeffizient von 18 ppm/K; Wärmeleitfähigkeit von 16,3 W/mK) eingesetzt. Grundsätzlich kann die Dicke des Trägersubstrats 11 bzw. des Stahlblechs zwischen 20 [micro]m und 6 mm betragen. Vorzugsweise werden Stahlbleche mit einer Dicke zwischen 0,5 mm und 1 mm verwendet, die eine gute mechanische Stabilität mit einer guten Verformbarkeit kombinieren.

[0021] Auf dem Trägersubstrat 11 ist - vorzugsweise gross - oder sogar ganzflächig - eine Isolations-Dickschicht 12 aufgebracht, welche die darauf angeordneten Schaltungsteile vom Trägersubstrat 11 elektrisch isoliert, ohne die notwendige thermische Kopplung zum Trägersubstrat 11 unnötig zu schwächen. Zur Bildung der Isolations-Dickschicht 12 wird eine geeignete dielektrische Paste durch eine entsprechende Auftragstechnik, z.B. mittels Siebdruck, auf die Oberfläche des Trägersubstrats 11 aufgetragen, anschliessend getrocknet und dann bei hohen Temperaturen eingebrannt. Als dielektrische Pasten eignen sich insbesondere solche für Chromstahl, die von der Firma W.C. Heraeus unter der Typenbezeichnung SD 1000 und SD 2000 im Handel angeboten werden.

Diese Pasten werden nach dem Aufdrucken für 10 Minuten bei 150[deg.]C getrocknet und für ca. 12 Minuten bei Temperaturen von 850[deg.]C eingebrannt. Eine Vorbehandlung des Trägersubstrats 11 ist dabei nicht notwendig.

[0022] Auf die Isolations-Dickschicht 12 wird - ebenfalls mittels Siebdruck - eine strukturierte Leiter-Dickschicht 13 aufgebracht, welche für die elektrischen Verbindungen und den Anschluss der elektronischen Bauelemente der Schaltungsanordnung 10 zuständig ist. Zur Bildung der Leiter-Dickschicht 13 werden vorzugsweise Leiter-Pasten auf Silber-Basis eingesetzt, die ebenfalls von der Firma W. C. Heraeus unter der Typenbezeichnung C 1057 bzw. C 8717B(H) bzw. C1076SD im Handel erhältlich sind. Auch diese Pasten werden nach dem Aufdrucken getrocknet und anschliessend eingebrannt. Die Zeit- und Temperaturparameter sind dabei weitgehend dieselben wie für die oben genannten Pasten SD 1000 und SD 2000. Ein gemeinsames Einbrennen sowohl der Isolations-Dickschicht 12 als auch der Leiter-Dickschicht 13 in einem Prozess ist dabei möglich.

[0023] Nach dem Aufbringen und thermischen Behandeln der Dickschichten 12 und 13 kann das Trägersubstrat 11 mit den Schichten zusammen dreidimensional verformt werden, wie dies beispielhaft in Fig. 2 für einen treppenartig mit mehreren Biegungen 22 verformten Schaltungsträger 21 gezeigt ist.

[0024] Auf dem mit den beiden Dickschichten 12 und 13 versehenen Trägersubstrat 11, der auch den Schaltungsträger 21 in Fig. 2 bildet, können nun auf unterschiedlichste Weise elektronische Bauelemente montiert und angeschlossen werden, wie dies in Fig. 1 an mehreren Beispielen gezeigt wird. Eine Möglichkeit besteht darin, SMD-Bauelemente (SMD Surface Mounted Devices) auf die Leiter-Dickschicht 13 zu löten, wie dies in Fig. 1 anhand des SMD-Bauelements 15 verdeutlicht wird. Eine andere Möglichkeit besteht darin, einen Halbleiterchip 16 direkt (durch Kleben oder Löten) auf der Leiter-Dickschicht 13 zu montieren und über Bonddrähte 17 an die Leiterbahnen der Leiter-Dickschicht 13 anzuschliessen.

Es ist aber auch denkbar, einen Halbleiterchip 18 in der Flip-Chip-Technik anzuschliessen, bei welcher der Kontakt zwischen den Anschlüssen des Chips und den Leiterbahnen durch Bumps (Lotkügelchen) 19 vermittelt wird. Ein wichtiger Vorteil des Trägersubstrats 11 aus Stahl ist, dass sein thermischer Ausdehnungskoeffizient dem von Silizium besser angepasst ist als der von Aluminium.

[0025] Zur Passivierung der Schaltungsanordnung 10 kann die Leiter-Dickschicht 13 zusätzlich mit einer Schutzschicht 14 abgedeckt werden, die beispielsweise aus einem Glas besteht.

[0026] Besonders vorteilhaft ist die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung für mehrere Leistungs-LEDs umfassende Beleuchtungsvorrichtungen, die in rauer Umgebung, insbesondere im Automobilbereich, eingesetzt werden sollen. Hierbei ist einerseits die gute mechanische Stabilität und Formbarkeit des beschichteten Stahl-Trägersubstrats von Vorteil, und andererseits die guten thermischen Eigenschaften, die eine gute Wärmeabfuhr und Beständigkeit gegenüber thermischen Zyklen bewirken. Eine beispielhafte Schaltungsanordnung 20 dieser Art ist in Fig. 2 wiedergegeben. Der Schaltungsträger 21 der Schaltungsanordnung 20 aus Fig. 2 hat den in Fig. 1 gezeigten Aufbau mit dem Trägersubstrat 11 aus Stahlblech und den darauf angeordneten, aus entsprechenden Pasten gebildeten Isolations- und Leiter-Dickschichten 12 bzw. 13.

Die Leiter-Dickschicht ist in Form von Leiterbahnen 23 strukturiert, die ihren Ausgang von zwei Anschlüssen (Pads) 25 nehmen. Durch die Leiterbahnen 23 wird eine Mehrzahl von Leistungs-LEDs 24 in SMD-Technik verbunden und angeschlossen. Die von den Leistungs-LEDs 24 erzeugte Wärme wird grösstenteils an den darunterliegenden Schaltungsträger 21 abgegeben. In der Schaltung können weitere Bauelemente wie z.B. SMD-Widerstände oder ein für die Steuerung vorgesehenes Schaltungselement 26 angeordnet sein. Anstelle der SMD-Widerstände können auch in Dickschicht-Technik ausgeführte, gedruckte Widerstände vorgesehen werden.

[0027] Eine derartige Schaltungsanordnung kann in weiten Grenzen dreidimensional verformt werden, um dem jeweiligen Einsatzzweck (im Autoscheinwerfer oder dgl.) angepasst zu werden. In Fig. 2 ist dies beispielhaft durch die treppenartige Form mit den mehreren Biegungen 22 symbolisiert. Zur Befestigung der Schaltungsanordnung 20 am Einsatzort können an ausgewählten Stellen des Schaltungsträgers 21 beispielsweise Befestigungslöcher 28 o.Ä. vorgesehen werden.

[0028] Die erfindungsgemässe Lösung zeichnet sich insgesamt durch die folgenden Charakteristika und Vorteile aus:

Kostenvorteile:

- Material:

[0029] - Stahlsubstrate sind erheblich kostengünstiger als die bekannten IMS-Substrate (Insulated Metal Substrate).
- Dielektrische Pasten wie die vom Typ SD 2000 (Heraeus) sind erheblich kostengünstiger als vergleichbare Dickschichtpasten.
- Die Cu-Leiter-Paste C7257 und die Silber-Paste C1075 sind kostengünstige Pasten, die sich als Leiter sehr gut eignen.

- Herstellung:

[0029] - Kostenersparnis durch die Verarbeitung von grossen Substraten (bis 600 mm Breite) anstelle von 4-Keramiken.
- Mehrere Pasten-Lagen können in einem Durchgang gemeinsam eingebrannt werden.
- Es ist keine Vorbehandlung auf dem Stahl notwendig.

- Performance-Vorteile:

[0029] - Stahlsubstrate können direkt als Montageplattform verwendet werden (zuverlässige und vielseitige Befestigungsmöglichkeiten, SD-Formgebung usw.)
- Hohe Designfreiheit in der Formgebung und in der mech. Bearbeitung
- Gute EMV-Abschirmung (Stahl als magnetischer Werkstoff)
- Hohe mechanische und chemische Festigkeit des Stahls Nr. 1.4016
- Vibrationsfeste Konstruktion (Automobil-Bereich)
- Gute Wärmeableitung (Wärmeleitfähigkeit: Stahl: 25 W/mK;

Isolationsschicht: 4 W/mK)
- Starke Haftung der Isolations-Dickschicht auf dem Stahl (nachträgliches Biegen ist möglich)
- Stark reduzierte Durchbiegung des Substrates im Fertigungsprozess
- Extrem dichte Isolation (Isolation >1500 VAC bei 70 [micro]m Dicke, Pinhole-frei)
- Hochauflösende Strukturen sind möglich (die Stahloberfläche ist sehr fein)
- Hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit der Cu-Leiter-Pasten
- Dampfsterilisation ist problemlos möglich (135[deg.]C, 2,5 bar)
- Einfachere Konstruktionen für die Powerelektronik

Zusätzliche Vorteile:

[0029] - Stahl besitzt eine hygienische, korrosionsfeste und dekorative Oberfläche
- Stahlsubstrate mit Kupfer- oder Silber-Dickschicht-Technologie sind extrem attraktiv für Applikationen, in denen hohe Temperaturwechsel (-50 bis +150[deg.]C), grosse mechanische Belastungen (Vibrationen, Beschleunigung) und hohe Ströme auftreten. Das Substrat selbst kann zusätzlich als funktioneller Teil genutzt werden (Gehäuse, Befestigung, Stabilität, "thermal management")
- Die Konstruktion eignet sich sowohl für die SMD- als auch für die COB(Chip On Board)-Technik.

Das System ist ROHS-konform.
- Die Festigkeit und Temperaturbeständigkeit der Dickschicht-auf-Stahl-Konstruktion ermöglicht auch eine direkte Integration mit Kunststoff-Fertigungsmethoden wie beispielsweise dem Spritzguss.
- Mittels sehr dünner Stahlbänder können flexible und robuste Konstruktionen gebildet werden für die Lichttechnik.
- In Kombination mit Stahlfolien, die sehr beständig und günstig sind, lassen sich neu Aufbautechniken realisieren.
- Im Sensorbereich und bei EMV-Anwendungen lassen sich die magnetischen Eigenschaften des Stahls zusätzlich ausnutzen.
- Die dielektrischen Pasten eignen sich zusätzlich auch für Hochfrequenzanwendungen.
- Dickschicht-auf-Stahl-Substrate können DCB-Applikationen (Direct Copper Bonding) teilweise ersetzen.

Anwendung besonders für LEDs (Light Emitting Diodes):

[0029] - Dickschicht-auf-Stahl-Substrate können für die Montage, die elektrische Verbindung und die Wärmeableitung von Leistungs-LEDs verwendet werden,
- Die Konstruktion ist einfach und robust
- Die Technologie kann insbesondere in Automobilen (Beleuchtung, Sensorik, Visualisierung usw.) eingesetzt werden
- Die Dickschicht-auf-Stahl-Technologie ist eine geeignete Plattform in der Aufbau- und Verbindungstechnik moderner LED-Anwendungen
- Typische Eigenschaften der in dieser Technologie einsetzbaren LEDs:
- Typische Dimension eines LED-Chips: 0,3 * 0,3 * 0,1 mm (in Zukunft eher grösser)
- Die Lebensdauer bei 150 Lumen/W beträgt ca. 30 Jahre (Betriebsdauer von 8 h/Tag, bei < 80[deg.]C)
- In nächster Zeit wird die Leuchtkraft auf über 400 Lumen/W ansteigen und neue Anwendungen ermöglichen (Xenon- Scheinwerfer haben z.B. 1000-3000 Lumen)
- Die grosse Herausforderung:

Montage und Wärmeableitung von Power-LEDs; die Verlustleistung auf einem vollen 4 Substrat kann über 100 W betragen
- Die Lebensdauer der LEDs nimmt mit zunehmender Temperatur ab
- Die Leuchtkraft der LEDs nimmt mit steigender Temperatur ab
- Das Farbspektrum der LEDs ist temperaturabhängig
- Typische Dickschicht-auf-Stahl-Montage: Al-Wire-Bonding

Bezugszeichenliste

[0029]
<tb>10, 20<sep>Schaltungsanordnung

<tb>11<sep>Trägersubstrat (aus Stahl)

<tb>12<sep>Isolations-Dickschicht

<tb>13<sep>Leiter-Dickschicht

<tb>14<sep>Schutzschicht

<tb>15<sep>SMD-Bauelement

<tb>16, 18<sep>Halbleiterchip

<tb>17<sep>Bonddraht

<tb>19<sep>Bump

<tb>21<sep>Schaltungsträger

<tb>22<sep>Biegung

<tb>23<sep>Leiterbahn

<tb>24<sep>Leistungs-LED

<tb>25<sep>Anschluss (Pad)

<tb>26<sep>Schaltungselement

<tb>27<sep>SMD-Widerstand

<tb>28<sep>Befestigungsloch

Claims

1. Elektronische Schaltungsanordnung (10, 20) mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (15, 16, 18, 24, 26), welches auf einem Leiterbahnen (23) tragenden Schaltungsträger (21) angeordnet und verschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (21) ein Trägersubstrat (11) aus einem Stahl umfasst, welches zumindest auf einer Seite zumindest teilweise mit einer Isolations-Dickschicht (12) bedeckt ist, auf welcher zur Bildung von Leiterbahnen (23) Leiter-Dickschichten (13) aufgebracht sind.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (11) ein Stahlblech ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (11) eine Dicke zwischen 20 [micro]m und 6 mm, vorzugsweise zwischen 0,5 mm und 1 mm, aufweist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (11) aus einem Stahl mit der Werkstoffnummer 1.4016 oder 1.4301 nach EN 10088-1:2005-09 besteht.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolations-Dickschicht (12) aus einer dielektrischen Paste besteht, die unter hoher Temperatur, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt ist.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiter-Dickschicht (13) aus einer Leiter-Paste, insbesondere auf Silberbasis, besteht, die unter hoher Temperatur, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Isolations-Dickschicht (12) bzw. der Leiter-Dickschicht (13) zwischen 20 [micro]m und 120 [micro]m beträgt.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement ein SMD-Bauelement (15, 24, 27) ist.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement eine LED (24) ist.

10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement ein direkt auf dem Schaltungsträger (21) montierter Halbleiterchip (16) ist.

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (21) eine von der ebenen Form abweichende dreidimensionale Form (20) aufweist.

12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (21) Biegungen (22) aufweist.

13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Isolations-Dickschicht (12) aus einer weissen dielektrischen Paste besteht, die unter hoher Temperatur, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt ist.

14. Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung nach Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt auf das Trägersubstrat (11) aus Stahl eine dielektrische Paste aufgebracht wird, dass in einem zweiten Schritt die auf dem Trägersubstrat (11) aufgebrachte dielektrische Pastenschicht zur Ausbildung der Isolations-Dickschicht (12) bei hohen Temperaturen, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt wird, dass in einem dritten Schritt auf die Isolations-Dickschicht (12) in strukturierter Form eine Leiter-Paste aufgebracht wird, dass in einem vierten Schritt die aufgebrachte Leiter-Pastenschicht zur Ausbildung der Leiter-Dickschicht (13) bei hohen Temperaturen, insbesondere 850[deg.]C, eingebrannt wird, und dass in einem fünften Schritt das wenigstens eine elektronische Bauelement (15, 16, 18, 24, 26) auf dem entstandenen Schaltungsträger (21)

montiert und angeschlossen wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Pastenschicht und/oder die Leiter-Pastenschicht mittels Siebdruck auf das Trägersubstrat (11) aufgebracht werden.

16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (21) nach dem Aufbringen der Schichten (12, 13) dreidimensional (22) verformt wird.