JPS638898Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本考案は、表面にニトロセルローズその他の透
明超薄膜を貼着した固定枠を、マスクパターン面
を囲設する如くフオトマスク表面に配設し、半導
体パターンのウエハ焼き付け工程に於ける塵埃の
転写防止を図つたフオトマスク保護装置の改良に
関する。

「従来の技術」 例えば第２Ａ図に示す如く、フオトマスク１表
面に形成されたマスクパターン２をウエハー３に
焼付ける際の焼付工程時における塵埃付着防止を
図る為に、数mmの高さを有する円筒リング状の固
定枠４に、約0.8〜1.0μｍの膜厚を有するニトロ
セルローズその他の透明超薄膜６を同図点線で示
すように貼着し、かかる固定枠４をフオトマスク
１表面に、マスクパターン２を囲設する如く密着
配置したフオトマスク保護装置Ａは既に公知であ
る。

かかる保護装置Ａによれば前記薄膜６によりマ
スクパターン２面に直接塵埃５が付着するのを防
止し得ると共に、前記薄膜６が固定枠４によりマ
スク面の結像面から数mm離して配置されている為
に、薄膜６面に付着した塵埃５等がウエハー３面
に結像することなく、この結果塵埃５に影響され
ない半導体パターンをウエハー３面に形成させる
ことが出来る。

即ち第２Ｂ図に示す如く本保護装置Ａを用いな
い構成ではマスクパターン２面に塵埃５が付着す
ると、これをそのままウエハー３面に結像してし
まうが、本装置のように結像面から離して薄膜６
を配置することにより塵埃５付着による悪影響を
排除することが出来る。

「考案が解決しようとする問題点」 かかる装置によれば、該装置内に塵埃５その他
の侵入を防ぐ為に前記固定枠４を気密性の高い材
料、例えば金属材料や樹脂材料等で形成するのが
一般的であるが、固定枠４を気密性の高い材料で
形成すると、焼付け工程時における温度上昇等に
より、本装置内の密閉空気圧が大になり、第２Ａ
図実線で示すように前記薄膜６が膨張してしまう
場合がある。

そしてこのような薄膜６の膨張は焼き付け工程
時の自動化の妨げになるのみならず、マスクパタ
ーン２面と薄膜６面の平行関係がくずれる為に、
レンズの入射−出射光線が前記薄膜６面で屈折し
てしまい、ウエハー３面に正しく結像しないとい
う状況が生じてしまう。

「問題点を解決しようとする手段」 本考案はかかる技術的課題を達成する為に、前
記固定枠の一部又は全部を焼結体で形成したフオ
トマスク保護装置を提案する。

焼結体の材質は鉄系材料、銅系材料、その他の
合金系材料のいずれを用いてもよいが、発錆によ
る悪影響を避ける為に、焼結ステンレス、焼結黄
銅、等の防錆性金属を用いるのがよい。

又、焼結体は各粒子間の空隙間隔が1μｍ以下、
好ましくは略0.1μｍ程度になるように焼結する。

更に焼結の方法としては、低温長時間焼結、再
加圧再焼結、及び液相存在化での焼結等が考えら
れ、これらの焼結方法により焼結体の緻密化を図
るのがよい。

「作 用」 かかる技術手段によれば、固定枠４に焼結体を
用いた為に通気性をもたすことが出来、この結
果、焼付け工程時における温度上昇その他によ
り、本装置内の密閉空気圧が大になつても、該空
気圧が前記焼結体より外部へ逃げ、薄膜６が膨張
することはない。

而も前記焼結体は各粒子間の空隙間隔が1μｍ
以下、好ましくは略0.1μｍ程度になるように焼結
されている為に、前記装置内に塵埃５等が実質的
に侵入することはなく、半導体パターン焼付工程
時におけるマスクパターン２面の塵埃５付着防止
効果が低減することはない。

尚、本技術手段によれば略0.1μｍ以下の微小塵
埃５が前記焼結体を通して侵入する恐れがある
が、このような微小塵埃５がマスクパターン２面
に付着しても半導体パターン焼付の際に何等影響
を及ぼすことなく実用上無視し得る。

「実施例」 以下、図面を参照して本考案の好適な実施例を
例示的に詳しく説明する。ただしこの実施例に記
載されている構成部品の寸法、材質、形状、その
相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、
この考案の範囲をそれのみに限定する趣旨ではな
く、単なる説明例に過ぎない。

第１Ａ図乃至第１Ｂ図はミラープロジエクシヨ
ンを用いて半導体パターン焼付を行う場合に使用
されるフオトマスク保護装置を示し、１０は前記
マスクパターン１１を囲設可能な直径を有する円
筒リング状の固定枠で、後記ニトロセルローズ膜
１１に付着した塵埃の結像位置をずらす為に、２
〜３mmの高さを有す。

該固定枠１０は円周上の適宜位置に所定幅を有
する焼結体１２ａ……を配し、該焼結体１２ａ…
…間を30％のガラス繊維を含有したプラスチツク
体１３ａ……で支持固設して形成されている。そ
して前記焼結体１２ａ……は防錆性を有する例え
ば黄銅焼結金属で形成すると共に、その焼結の際
緻密化を図り、各粒子間の空隙間隔が略0.1μｍと
なるよう設定してある。

又固定枠１０上面には、約0.8〜1.0μｍの膜厚
を有する透明ニトロセルローズ膜１１を貼着す
る。ニトロセルローズ膜１１は使用波長350〜
450nmで光透過率が92％以上、、吸収及び散乱率
が0.3％に形成してある。

かかる構成の固定枠１０を前記フオトマスク１
表面に、マスクパターン２を囲設する如く密着配
置することにより前述した作用が達成し得る。

尚、本実施例はミラープロジエクシヨンを用い
て半導体パターン焼付を行う場合に使用されるも
のである為、フオトマスク１片側表面にのみ固定
枠１０を配置した構成を示したが、ステツパーを
用いて半導体パターン焼付を行う場合はフオトマ
スク１表裏両面に固定枠１０を配置する構成を採
ればよい。

「考案の効果」 かかる構成によればウエハー面への半導体パタ
ーン形成に悪影響を及ぼす塵埃の侵入を防ぎなが
ら、焼付け工程時における固定枠上に貼着した薄
膜の膨張を完全に防ぐことが出来、焼き付け工程
時の自動化の円滑な達成と、レンズの入射−出射
光線の前記薄膜面での屈折を防止し、ウエハー面
への鮮明な結像を可能にする。等の著効を有す。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図乃至第１Ｂ図は本考案の実施例を示
し、第１Ａ図は斜視図、第１Ｂ図は正面断面図で
ある。第２Ａ図は従来技術の構成を示す正面断面
図、第２Ｂ図は前記従来技術の作用を説明する説
明図である。 １……フオトマスク、２……マスクパターン、
４，１０…………固定枠、６，１１……薄膜、１
２ａ……焼結体。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ マスクパターンを囲設可能に形成した固定枠
   表面に透明超薄膜を貼着して形成したフオトマ
   スク保護装置において前記固定枠の一部又は全
   部を焼結体で形成した事を特徴とするフオトマ
   スク保護装置。 ２ 各粒子間空隙間隔が1μｍ以下に緻密化され
   た焼結体を用いた実用新案登録請求の範囲第１
   項記載のフオトマスク保護装置。