JPS60107834A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS60107834A JPS60107834A JP58213984A JP21398483A JPS60107834A JP S60107834 A JPS60107834 A JP S60107834A JP 58213984 A JP58213984 A JP 58213984A JP 21398483 A JP21398483 A JP 21398483A JP S60107834 A JPS60107834 A JP S60107834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical path
- mask
- photo
- photomask
- transparent plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に用いられる露光装置に係り、
特に防塵対策用の被覆を施したホトマスクを用いて、高
精度な半導体素子を作成するのに好適な露光装置に関す
るものである。
特に防塵対策用の被覆を施したホトマスクを用いて、高
精度な半導体素子を作成するのに好適な露光装置に関す
るものである。
従来、特公昭５５−１８０４３号に示すような露光装置
においては、原画であるホトマスクと投影レンズとの間
に、ホトマスクの防塵用に任意の厚さの被覆板を入れる
と、露光光学系の光路長が変化してしまい、高精度なパ
ターンを描くことができない欠点があった。そのため被
覆板は数μｍという薄膜となり取籾いが極めて困難とな
っていた。
においては、原画であるホトマスクと投影レンズとの間
に、ホトマスクの防塵用に任意の厚さの被覆板を入れる
と、露光光学系の光路長が変化してしまい、高精度なパ
ターンを描くことができない欠点があった。そのため被
覆板は数μｍという薄膜となり取籾いが極めて困難とな
っていた。
また、被覆板等による光路長の変化を投影レンズとホト
マスクの距離を可変して調整する手法も考えられている
が、この場合には、投影レンズを高精度に可動するため
の機構が必要となり、装置が複雑化する欠点がある。
マスクの距離を可変して調整する手法も考えられている
が、この場合には、投影レンズを高精度に可動するため
の機構が必要となり、装置が複雑化する欠点がある。
本発明の目的は、かかる点を鑑み、防塵対策等のため被
覆されたホトマスクを装着する露光装置において、その
被覆板による投影光学系の光路長の変動を簡単に補正し
て、高精匿なパターンを投影することが可能な露光装置
を提供することにある。
覆されたホトマスクを装着する露光装置において、その
被覆板による投影光学系の光路長の変動を簡単に補正し
て、高精匿なパターンを投影することが可能な露光装置
を提供することにある。
投影光学系の光路長は、第３図に示すように。
光路中の被覆板３１等の厚さｔや屈折率ｎによシ、光路
長りだけ変化する（図中、ｉは入射角、ｒは出射角、ｎ
ａは入口側媒体の屈折率で、例えば空気の場合” ’
” １ ） ｏその関係はｈ＝ｔ （１−１／ｎ）であ
る。被覆板の厚さや屈折率がΔｔ、Δｎだけ変化した場
合にはΔｈ＝（ｔ−１−ｙｔ）（１−１／（ｎ＋Δｎ）
）−ｔ（１−１／ｎ） たけ光路長が変わる。従ってｔ
ｃ＝Δｈ／ （１−１／ｎｃ） ｋ満す補正用の透明板
を光路中に付加す扛ば光路長の補正が可能となる。
長りだけ変化する（図中、ｉは入射角、ｒは出射角、ｎ
ａは入口側媒体の屈折率で、例えば空気の場合” ’
” １ ） ｏその関係はｈ＝ｔ （１−１／ｎ）であ
る。被覆板の厚さや屈折率がΔｔ、Δｎだけ変化した場
合にはΔｈ＝（ｔ−１−ｙｔ）（１−１／（ｎ＋Δｎ）
）−ｔ（１−１／ｎ） たけ光路長が変わる。従ってｔ
ｃ＝Δｈ／ （１−１／ｎｃ） ｋ満す補正用の透明板
を光路中に付加す扛ば光路長の補正が可能となる。
但し補正用透明板の厚さｔｃ、屈折率ｎｃである。
本発明は、上記者えにおいて行なわれた。
以下、本発明の一実施例を説明する。第１図と第２図は
実施例の概略図である。露光装置は投影レンズ１、ホト
マスク２％照明系３％試料４、試料台５、光路長補正用
の透明板６とから構成されている。ホトマスク２の下面
にパターン７が描かれており装置基準面８に固定される
。透明板６は厚さｔｃ、屈折率ｎｃで光学的に平行なガ
ラス材で作られている。投影レンズ１は基準面８に対し
て、透明板による光路差ｌｉｅ ＝ｔｃ （１−１／ｎ
ｃ）ｅ考慮し、試料４上に所望の精度でパターンが描か
れるように、距離ｔの所に固定されている。従って距離
ｔは、透明板６が挿入されてない場合に比べてｈｃだけ
小さい値である。
実施例の概略図である。露光装置は投影レンズ１、ホト
マスク２％照明系３％試料４、試料台５、光路長補正用
の透明板６とから構成されている。ホトマスク２の下面
にパターン７が描かれており装置基準面８に固定される
。透明板６は厚さｔｃ、屈折率ｎｃで光学的に平行なガ
ラス材で作られている。投影レンズ１は基準面８に対し
て、透明板による光路差ｌｉｅ ＝ｔｃ （１−１／ｎ
ｃ）ｅ考慮し、試料４上に所望の精度でパターンが描か
れるように、距離ｔの所に固定されている。従って距離
ｔは、透明板６が挿入されてない場合に比べてｈｃだけ
小さい値である。
第２図はパターシ面２７に防塵用の被榎付ホトマスク２
２ｔ−装着した場合の本発明の露光装置である。防塵用
の被覆板としては厚さｔ、屈折率ｎの透明で平行な板ガ
ラスを使用している。厚さｔがｔ ＝ ｈｅ／ （１１
／ｎ） なる関係を満している場合には、光路補正用透明板６を
光路外に移動させて験〈。
２ｔ−装着した場合の本発明の露光装置である。防塵用
の被覆板としては厚さｔ、屈折率ｎの透明で平行な板ガ
ラスを使用している。厚さｔがｔ ＝ ｈｅ／ （１１
／ｎ） なる関係を満している場合には、光路補正用透明板６を
光路外に移動させて験〈。
また、Δｈ＝ｈｃ−ｔ （１−１／ｎ ）＼０の時には
、ｔｌ ＝Ｊｈ／ （１−１／ｎｔ ）なる関係を満す
、厚さ”１ｍｍ屈折率ｎ型１透明板を光路中に設置させ
て露光する。
、ｔｌ ＝Ｊｈ／ （１−１／ｎｔ ）なる関係を満す
、厚さ”１ｍｍ屈折率ｎ型１透明板を光路中に設置させ
て露光する。
防塵対策用の被覆のなされたホトマスクの厚さｔ、屈折
率ｎ ｆ ｈｃ ＝ ｔ （１−１／ｒｌ ）の関係を
満すように標準化しておくことにより、上述したΔｈの
配慮は不要となる。
率ｎ ｆ ｈｃ ＝ ｔ （１−１／ｒｌ ）の関係を
満すように標準化しておくことにより、上述したΔｈの
配慮は不要となる。
以上述べたように１本発明による露光装置を用いると、
防塵対策用の被覆（光路差長ｈｃＪ付ホトマスクを用い
る際には、透明板６を光路外に置いて露光を行なう。ま
た、防塵対策用の被覆がないホトマスクを使用する場合
には、補正用透明板６を光路中に置いて露光を行なう。
防塵対策用の被覆（光路差長ｈｃＪ付ホトマスクを用い
る際には、透明板６を光路外に置いて露光を行なう。ま
た、防塵対策用の被覆がないホトマスクを使用する場合
には、補正用透明板６を光路中に置いて露光を行なう。
従って常に試料上には露光光学系に乱れを与えずに１ｗ
度の良いパターンが投影されることになる。
度の良いパターンが投影されることになる。
補正用透明板６は、 ｈｃ＝ｔｃ （１−１／ｎ（）ｋ
満す、平行な光学ガラスであれば良く、その出し入れの
みで切シ換えが行なわれるので、機構は複雑にならない
。
満す、平行な光学ガラスであれば良く、その出し入れの
みで切シ換えが行なわれるので、機構は複雑にならない
。
以上述べたように、本発明によれば、防塵対策用の被覆
板を有したホトマスクあるいは、被覆板のない従来のホ
トマスクのいずれもが一台の露光装置で簡単に使用でき
ることになジ、従来の淘膜仕様の防塵ホトマスクを利用
していた露光装置に比べて、ホトマスクの取扱が極わめ
て容易となり、量産上の省力化の効果が大きい。
板を有したホトマスクあるいは、被覆板のない従来のホ
トマスクのいずれもが一台の露光装置で簡単に使用でき
ることになジ、従来の淘膜仕様の防塵ホトマスクを利用
していた露光装置に比べて、ホトマスクの取扱が極わめ
て容易となり、量産上の省力化の効果が大きい。
第１図と第２図は本発明の詳細な説明する概略図、第３
図は透明平行板により光路長が変化することを示しｆｃ
＃理図である。 １・・・レンズ、２・・・ホトマスク、３・・・照明系
＆４・・・試料、５・・・試料台、６・・・光路長補正
用の透明板、第１頁の続き ０発 明 者 寺 澤 恒 男 国分寺市東恋ケ窪１“
央研究所内 丁目２８幡地 株式会社日立製作所中
図は透明平行板により光路長が変化することを示しｆｃ
＃理図である。 １・・・レンズ、２・・・ホトマスク、３・・・照明系
＆４・・・試料、５・・・試料台、６・・・光路長補正
用の透明板、第１頁の続き ０発 明 者 寺 澤 恒 男 国分寺市東恋ケ窪１“
央研究所内 丁目２８幡地 株式会社日立製作所中
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学的に透明で平行な部材の被覆付ホトマスクと、
被覆なしホトマスクの共用を可能とするために、原画で
ろるホトマスクのパターン位置と投影レンズとの間の露
光光路中に、上記被覆付ホトマスクの被榎材と光学的に
光路長が等しい透明で平行な透明板を設置可能として、
上記被覆なしホトマスクを用いる際に、上記透明板を上
記露光光路中に設置すること全特徴とする露光装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の露光装置において、被
覆付ホトマスクの被榎材の厚さや屈折率の偏差から生じ
る光学的な光路長の偏差に相等する値を減じた光路長を
有する透明板全露光光路中に設置することを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58213984A JPS60107834A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58213984A JPS60107834A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107834A true JPS60107834A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16648317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58213984A Pending JPS60107834A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050558A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP58213984A patent/JPS60107834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050558A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
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