JPS61144020A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS61144020A
JPS61144020A JP59265267A JP26526784A JPS61144020A JP S61144020 A JPS61144020 A JP S61144020A JP 59265267 A JP59265267 A JP 59265267A JP 26526784 A JP26526784 A JP 26526784A JP S61144020 A JPS61144020 A JP S61144020A
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JP
Japan
Prior art keywords
mask
optical
wafer
optical system
projection system
Prior art date
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Pending
Application number
JP59265267A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Ito
博之 伊藤
Junji Isohata
磯端　純二
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59265267A priority Critical patent/JPS61144020A/ja
Publication of JPS61144020A publication Critical patent/JPS61144020A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70891—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マスクやレチクルの如き原版上のパターン像
を半導体ウェハの如き感光基板に高精度で転写する露光
装置に関する。
［従来技術の説明］ 従来、この種の露光装置例えば半導体露光装置の投影光
学系は、空気中に配置されるのが通常であった。このた
め、周囲の環境あるいは照明光の熱により投影系の光路
にあたるところの空間に温度分布層や対流等が生じ、こ
の場合、空気の屈折率が場所によって異なることから、
光路が歪んでマスクのパターンが正しくウェハ上に転写
されないという欠点があった。特に、ミラーを用いた反
射型投影系においては、レンズを用いた投影系に比べ、
光路長が長いため、光路が上記温度分布層や対流等の影
響をより受は易いという不都合があった。
［発明の目的Ｊ 本発明は、上記従来例における問題点に鑑みてなされた
もので、半導体露光装置等の露光装置において、投影系
全体もしくは一部を真空状態にするという構想に基づき
、投影系の光路であるところの空間における温度分布層
の発生または空気の対流の発生を防いで光路を安定なも
のとし、もって原版上のパターン像の感光基板への転写
性能を向上させることを目的とする。また、投影光学系
を周囲環境から遮閉させることにより、投影光学系内へ
の空気もしくはゴミの流出入を防ぐことをさらなる目的
とする。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構成
を示す。同図において、１は投影光学系、２は台形ミラ
ー、３は凸面ミラー、４は凹面ミラー、５は排気装置、
６は光路、７はマスク、８はウェハである。
投影光学系１は、反射型投影光学系で、垂直配置された
凹面ミラー４と凸面ミラー３との２枚の球面反射鏡を含
み、マスク７とウェハ８は台形ミラー２をはさんで上下
に対面配置され、マスク７とウェハ８とが図示しないキ
ャリッジによりエアベアリングガイド等のガイド機構（
図示せず）に沿って球面１１３．４の光軸方向に一体的
に直線走査移動されるようになっている。台形ミラー２
の両反射面２ａ、２ｂは照明光束６をマスク７を介して
受けてそれ、を直角に凹面鏡４へ反射させ、また凹面鏡
４からの光束を直角にウェハ８へ向けて反射させるもの
である。照明系はマスク７の上方に配置されており、例
えば超高圧水銀ランプ等からの光束を幅方向（第１図で
紙面の表裏方向）に延びるスリット光束にしてマスク７
を照射するようになっている。従ってスリット状の照明
光束６をマスク７に照射した状態で光学系を固定してマ
スク７とウェハ８とを上記キャリッジにより上記球面鏡
３，４の光軸方向に等速移動させることにより、マスク
７のパターンをウェハ８の全面に転写することができる
。
ところで、従来の露光装置においては、投影光学系１の
光路６すなわちマスク７から台形ミラー２の反射面２ａ
、凹面ミラー４、凸面ミラー３、凹面ミラー４および台
形ミラー２の反射面２ｂを経てウェハ８に至る光路６が
空気中に在るため、光路６が周囲の空気の温度分布層や
対流の影響を受けてウェハ８上に転写されるマスク７の
パターン像が歪んだり、解像度が低下する等の不都合が
あった。
そこで、第１図の装置においては、投影光学系１を外部
より速量し、排気装置５で投影光学系１の中を真空にし
た状態で露光を行なう。したがつて、マスク７を通った
光が光路６の軌跡を辿ってウェハ８にマスク７のパター
ンを転写する際、光路６にあたるところの空間には温度
分布層や空気の対流は存在せず、投影光学系１の中では
屈折率が場所によらず一定であるため安定した光路６が
得られる。
［実施例の変形例］ なお、上述の実施例においては、投影光学系１の全体を
外部より速量して排気するようにしているが、特に温度
分布層や空気の対流の影響を受は易い部分、例えば光路
長の長い台形ミラー２の反射面２ａと凹面ミラー４との
間または凹面ミラー４と台形ミラー２の反射面２ｂとの
間の部分等、一部のみを遮蔽し、真空化するようにして
もよい。
［発明の効果］ 以上のように本発明によると、半導体露光装置における
投影光学系の全体あるいは一部を真空状態に保つように
しているため、周囲環境または照明光などにより光路で
あるところの空間に温度分布層または空気の対流が発生
するのを防いで光路を安定なものとし、マスクパターン
のウェハへの転写性能を向上させる効果がある。また、
周囲環境と投影光学系内を遮断することで投影光学系内
への空気、湿気またはゴミの流出入を防ぐ効果がある。
　　　　　　”
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の投影
光学系部分の構造図である。 １：投影光学系、２：台形ミラー、３：凸面ミラー、４
：凹面ミラー、５：排気装置、６：光路、７：マスク、
８：ウェハ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、原版上のパターン像を感光基板に転写する露光装置
    において、該露光装置の投影光学系の全体もしくは一部
    を真空状態にする手段を設けたことを特徴とする露光装
    置。 ２、前記投影光学系が、反射型投影光学系である特許請
    求の範囲第１項記載の露光装置。
JP59265267A 1984-12-18 1984-12-18 露光装置 Pending JPS61144020A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265267A JPS61144020A (ja) 1984-12-18 1984-12-18 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265267A JPS61144020A (ja) 1984-12-18 1984-12-18 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61144020A true JPS61144020A (ja) 1986-07-01

Family

ID=17414853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59265267A Pending JPS61144020A (ja) 1984-12-18 1984-12-18 露光装置

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JP (1) JPS61144020A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013250541A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2014157892A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Canon Inc 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013250541A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
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