JPS6386546A - 多重配線基板の製造方法 - Google Patents
多重配線基板の製造方法Info
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- JPS6386546A JPS6386546A JP23257186A JP23257186A JPS6386546A JP S6386546 A JPS6386546 A JP S6386546A JP 23257186 A JP23257186 A JP 23257186A JP 23257186 A JP23257186 A JP 23257186A JP S6386546 A JPS6386546 A JP S6386546A
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- wiring
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多重配線基板構造に関する。
一般に、多重配線基板は、第６図に示す工程により製造
されている。
されている。
即し、第６図（Ａ）に示すように、ノリコン製基板１０
の表面に酸化皮膜（Ｓｉ０２）Ｉｔを形成し、この酸化
皮膜１１の−に層にアルミニウム製の第１配線層１２を
ｊ１″／成オろ。
の表面に酸化皮膜（Ｓｉ０２）Ｉｔを形成し、この酸化
皮膜１１の−に層にアルミニウム製の第１配線層１２を
ｊ１″／成オろ。
さらに、第６図（Ｂ）に示すように、この第１配線層１
２を含む酸化皮膜１１の上層全体に絶縁層としてのノリ
ケートガラス（ＰＳＧ）層１３を形成し、続いて、エツ
チングによって第１配線層１２に至るスルーポール１４
を穿設する。
２を含む酸化皮膜１１の上層全体に絶縁層としてのノリ
ケートガラス（ＰＳＧ）層１３を形成し、続いて、エツ
チングによって第１配線層１２に至るスルーポール１４
を穿設する。
そして、第６図（Ｃ）に示すように、酸化皮膜１１の１
−層に第２配線層１５を形成し、前記スルーポール１４
を介してこの第２配線層１５の一部を第１配線層１２に
接続して多重配線がなされるようになっている１、 しかし、面記シリケートガラス層１３は第６図（Ｂ）に
４・・）−ように、第１配線層＋２０）、、１１部でオ
ーバーハングを有する山形となるため、第２配線層１５
を形成した際にはこのオーバーハングした部位で第２配
線層１５の膜厚が極端に薄くなり断線し易い状態となる
。
−層に第２配線層１５を形成し、前記スルーポール１４
を介してこの第２配線層１５の一部を第１配線層１２に
接続して多重配線がなされるようになっている１、 しかし、面記シリケートガラス層１３は第６図（Ｂ）に
４・・）−ように、第１配線層＋２０）、、１１部でオ
ーバーハングを有する山形となるため、第２配線層１５
を形成した際にはこのオーバーハングした部位で第２配
線層１５の膜厚が極端に薄くなり断線し易い状態となる
。
そこで、この点を改善するため、第６図（１））に示す
ように、前記シリケートガラス層１３の上に更に有機シ
リ化ガラス層１７を形成し、前記オーバーハングを埋め
た後、第２のシリケート１８を形成して、この上に形成
される第２配線層１５の膜厚を均一化しようとしたもの
が提案されている。
ように、前記シリケートガラス層１３の上に更に有機シ
リ化ガラス層１７を形成し、前記オーバーハングを埋め
た後、第２のシリケート１８を形成して、この上に形成
される第２配線層１５の膜厚を均一化しようとしたもの
が提案されている。
ところが、前記した従来のものにおいては、シリケート
ガラス層１３．１８と、有機シリ化カラス層１７とのエ
ツチングレート（蝕刻比率）が異なることにより問題を
生ずる。
ガラス層１３．１８と、有機シリ化カラス層１７とのエ
ツチングレート（蝕刻比率）が異なることにより問題を
生ずる。
即ち、シリケートガラス層１３．１８のエツチングレー
トをＥｌ、有機ンリ化ガラス層１７のエツチングレート
をＥ、とすると、Ｅ、＜Ｅ２である場合には第６図（Ｅ
）に示すように、中間層に位置する有機シリ化ガラス層
１７が過剰に蝕刻されてスルーホール１４か蟻溝状に蝕
刻されて、スルーホール１４の内部にオーバーハング１
９が形成されこのオーバーハング１９部分で部分で第２
配線層１５の膜厚が極端に薄くなり断線しやすい状態と
なる。
トをＥｌ、有機ンリ化ガラス層１７のエツチングレート
をＥ、とすると、Ｅ、＜Ｅ２である場合には第６図（Ｅ
）に示すように、中間層に位置する有機シリ化ガラス層
１７が過剰に蝕刻されてスルーホール１４か蟻溝状に蝕
刻されて、スルーホール１４の内部にオーバーハング１
９が形成されこのオーバーハング１９部分で部分で第２
配線層１５の膜厚が極端に薄くなり断線しやすい状態と
なる。
一方、Ｅ、＞Ｅ、の場合には第６図（Ｆ）に示すように
、ノリケートガラス層１３が逆テーパー状に蝕刻されて
スルーポール１４の内部にオーバーハング２０が形成さ
れ、このオーバーハング２０部分で第２配線層１５の膜
厚が極端に薄くなり断線し易い状態となる。
、ノリケートガラス層１３が逆テーパー状に蝕刻されて
スルーポール１４の内部にオーバーハング２０が形成さ
れ、このオーバーハング２０部分で第２配線層１５の膜
厚が極端に薄くなり断線し易い状態となる。
本発明は前記事項に鑑みてなされたもので、スルーポー
ルの形成が容易であるのは勿論、スルーポールの精度を
向上させることができ、さらに第２配線層の膜厚が充分
に得られるようにした多重配線基板の製造方法を提供す
ることを技術的課題とする。
ルの形成が容易であるのは勿論、スルーポールの精度を
向上させることができ、さらに第２配線層の膜厚が充分
に得られるようにした多重配線基板の製造方法を提供す
ることを技術的課題とする。
本発明は前記技術的課題を解決するために、以下のよう
な構成とした。
な構成とした。
＝３−
即ち、第１配線層３を覆うシリケートガラス（ＰＳＧ）
層４の表面に絶縁層５を形成する。
層４の表面に絶縁層５を形成する。
つぎに、この絶縁層５における前記第１配線層３の上部
に位置する部位６をエツチングにより除去してシリケー
トガラス層４を露出させ、その−にに第２のシリケート
７を形成して さらに当該露出部分の上から前記第１配線層３に至るス
ルーポール８を穿設する。
に位置する部位６をエツチングにより除去してシリケー
トガラス層４を露出させ、その−にに第２のシリケート
７を形成して さらに当該露出部分の上から前記第１配線層３に至るス
ルーポール８を穿設する。
続いて、前記シリケートガラス層４」二に第２配線層９
を形成し、さらにこの第２配線層９を第１配線層３へ前
記スルーポール８を介して接続して多重配線基板を製造
する。
を形成し、さらにこの第２配線層９を第１配線層３へ前
記スルーポール８を介して接続して多重配線基板を製造
する。
絶縁層５における前記第１配線層３の」二部に位置する
部位６をエツチングにより除去してシリケートガラス層
４を露出させると、絶縁層５はシリケートガラス層４の
オーバーハング部分を埋めるように残存する。このため
、スルーホール８を作る部分の周辺は前記した工程によ
りなだらかな山形となる。
部位６をエツチングにより除去してシリケートガラス層
４を露出させると、絶縁層５はシリケートガラス層４の
オーバーハング部分を埋めるように残存する。このため
、スルーホール８を作る部分の周辺は前記した工程によ
りなだらかな山形となる。
その上にシリケートガラス層４と同じ材質の第２のシリ
ケートガラス層７を形成し、この状態において、シリケ
ートガラス層４の前記露出部分の上から前記第１配線層
３に至るスルーホール８を穿設する。
ケートガラス層７を形成し、この状態において、シリケ
ートガラス層４の前記露出部分の上から前記第１配線層
３に至るスルーホール８を穿設する。
この場合、スルーポール８はその形成過程において異な
るの材質を通過することなく、シリケートガラス層４．
７内だけを通過するため、従来のもののようにエツチン
グレートの差異による問題は生じない。
るの材質を通過することなく、シリケートガラス層４．
７内だけを通過するため、従来のもののようにエツチン
グレートの差異による問題は生じない。
続いて、前記シリケートガラス層４上に第２配線層９を
形成し、さらにこの第２配線層９の一部を第１配線層３
へ前記スルーホール８を介して接続する。
形成し、さらにこの第２配線層９の一部を第１配線層３
へ前記スルーホール８を介して接続する。
本発明の実施例を第１図ないし第５図に基づいて説明す
る。
る。
まず、シリコン製基板１の表面に酸化皮膜（Ｓｉ（１２
）２を斤′、成し、この酸化皮膜２の１４層にアルミニ
「゛７ム製の第１配線層３を珪モ］戊オろ１、さらに、
この第１配線層３を含む酸化皮膜２の一１層全体に絶縁
層と１−７でのノリケートガラス（ｐｓｃ）層４を形成
し、続いて、このノリケートガラス（ＰＳＧ）層４の１
−６面に絶縁層５を形成干ろ。
）２を斤′、成し、この酸化皮膜２の１４層にアルミニ
「゛７ム製の第１配線層３を珪モ］戊オろ１、さらに、
この第１配線層３を含む酸化皮膜２の一１層全体に絶縁
層と１−７でのノリケートガラス（ｐｓｃ）層４を形成
し、続いて、このノリケートガラス（ＰＳＧ）層４の１
−６面に絶縁層５を形成干ろ。
これらの構成及び製法は第１図に示４゛３）、−′）に
、従来のらのと同様である。
、従来のらのと同様である。
そして、第２図に示す、Ｌうに、絶縁層５にお１トろ前
記第１配線層３の１部に位置オろ部（＋’７．６をＪ−
ソチングにより除去してシリＩｒ−トガラス層４を露出
させる。
記第１配線層３の１部に位置オろ部（＋’７．６をＪ−
ソチングにより除去してシリＩｒ−トガラス層４を露出
させる。
この場合、絶縁層５におＩＹろ第１配線層３の１゜部に
位置オろ部位６のみを周知丁段に３１、り集中的にエツ
チングしてもよいか、絶縁層５仝体を通風にＪ−ソチン
グしても同等の結果が得らイ１ろ。これは絶縁層５がシ
リケートガラス層４のオーバーハング部分に深く入り込
んでいるため部位６側の絶縁層５の方が先に除去されろ
ためである。
位置オろ部位６のみを周知丁段に３１、り集中的にエツ
チングしてもよいか、絶縁層５仝体を通風にＪ−ソチン
グしても同等の結果が得らイ１ろ。これは絶縁層５がシ
リケートガラス層４のオーバーハング部分に深く入り込
んでいるため部位６側の絶縁層５の方が先に除去されろ
ためである。
このため、ノリケートガラス層４にお（する前記第１配
線層３の上部に位置する部位は露出するととらに、絶縁
層５は第２図に示すよ一部）に、ノリケ−１−ガラス層
４のオーバーハング部分を埋めろように残ｒ７計る。
線層３の上部に位置する部位は露出するととらに、絶縁
層５は第２図に示すよ一部）に、ノリケ−１−ガラス層
４のオーバーハング部分を埋めろように残ｒ７計る。
次ぎに第３図に示すように、シリケートガラス層４と同
し＋Ａ質の第２のシリケートガラス層７を形成する。。
し＋Ａ質の第２のシリケートガラス層７を形成する。。
この状態において、第４図に示すように、シリケートガ
ラス層４の前記露出部分６から前記第１配線層３に至る
スルーホール８を穿設する。
ラス層４の前記露出部分６から前記第１配線層３に至る
スルーホール８を穿設する。
この場合、スルーポール８はその形成過程において異な
る材質を通過することなく、シリケートカラス層４．７
内だけを通過するため、従来のものの３１、−′）にエ
ツチングレートの差異による問題は牛じない。
る材質を通過することなく、シリケートカラス層４．７
内だけを通過するため、従来のものの３１、−′）にエ
ツチングレートの差異による問題は牛じない。
続いて、第５図に示すように、前記第２のシリケートカ
ラス層７上に第２配線層９を形成し、さらにこの第２配
線層９の一部を第１配線層３へ前記スルーホール８を介
して接続する。
ラス層７上に第２配線層９を形成し、さらにこの第２配
線層９の一部を第１配線層３へ前記スルーホール８を介
して接続する。
このスルーホール８の周辺は前記した工程によりなたら
かな山形となっており、第２配線層９の膜厚は均一とな
る。このため、断線等を生３１−ることはなく、信頼性
が向上４゛る。
かな山形となっており、第２配線層９の膜厚は均一とな
る。このため、断線等を生３１−ることはなく、信頼性
が向上４゛る。
本発明によれば、第１配線層を覆うシリケートガラス層
の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層における前記第１
配線層の」二部に位置する部位をエツチングにより除去
してノリケートガラス層を露出させ１その−［−に同じ
材質の第２のノリケートガラス層を形成し、さらに当該
露出部分の−１−から前記第１配線層に至るスルーポー
ルを穿設したので、第２配線層を形成すべき部位に極端
な凹凸な形成されることはない。
の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層における前記第１
配線層の」二部に位置する部位をエツチングにより除去
してノリケートガラス層を露出させ１その−［−に同じ
材質の第２のノリケートガラス層を形成し、さらに当該
露出部分の−１−から前記第１配線層に至るスルーポー
ルを穿設したので、第２配線層を形成すべき部位に極端
な凹凸な形成されることはない。
このため第２配線層の膜厚（」均一となり、断線等を未
然に防ＩＬできて信頼性が向十オろ。
然に防ＩＬできて信頼性が向十オろ。
また、スルーポールの形成が容易であり、エツチング］
′程においてこれが変ＩＦ辷４−ろこともない人二め、
精度を向上させることができろ。
′程においてこれが変ＩＦ辷４−ろこともない人二め、
精度を向上させることができろ。
第１図ないし第５図は本発明の実施例を示す断面図、第
６図は従来の多重配線基板の製造方法を示す断面図であ
る。 ｌ・・シリコン製基板、２・・酸化皮膜（Ｓｉ０２）、
３ ・第１配線層、 ４・・ノリケートガラス（Ｉ）ＳＧ）層、５ 絶縁層、 ６・・第１配線層の上部に位置する部位、７・・ノリケ
ートガラス（ＰＳＧ）層 ８・スルーホール、 ９・・第２配線層。 特許出廟人 パイオニア株式会社 パイオニアビデオ株式会社 第１図 第６図 第６図 手 続 ネ甫 〒「 川（白 光） 昭和６１１［１２月１６０ 特許ｒｙ長官 ΔｕＩ干１ ［別表１１ 殿昭和６
１年 特 許 願 第２３２５７１号２、ブで明の名称 多重配線巣板の製造方法 ３、補正をづる者 事件との関係 代表特許用１頭人 住所 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号名
称（ｂ ０１ ） ／ ’：−イＡニア”Ｆ３４＜ｘ’
Ｓ会ｒ［’４．１；に− ４、補正の対中 ■明ＩＩＩ内の「特許請求の範囲ｌの瀾（の明細内の「
北明の４剣な説明」の欄［別紙］ （１）特許請求の範囲を上記の通り補正しまづ。 記 ［第１配線層の上部を覆うシリク−１〜カラス（１）Ｓ
Ｇ）層の表面に絶縁１−を形成し、この絶縁層における
前記第１配線層の上部に位置する部イ）７を丁ッチング
により除去してシリケートガラス１〜を露出させ、その
上に第２のシリヶートニを形成しさらに当該露出部分の
上から前記第１配線層に至るスルーホールをＷ設すると
ともに、前記第２のシリケートカラス層上に第２配線層
を形成し、さらにこの第２配線層を第１配線Ｎへ前記ス
ルーホールを介して接続したことを特徴どりる多重配線
基板の製造方法。」 （２）明細内の２ペ一ジ１３行に記載の「・・・酸化皮
脇・・・」を 「・・・シリケートガラス＠１３・・・Ｊに補正しまり
。 （３）明細内の６ペ一ジ８行に記載の 「・・・貸なるの材質・・・Ｊを 「・・・異なる材質・・・」 に補正しまづ−６ 以上 特 許 出 願 人 パイオニア株式会社 他１名
６図は従来の多重配線基板の製造方法を示す断面図であ
る。 ｌ・・シリコン製基板、２・・酸化皮膜（Ｓｉ０２）、
３ ・第１配線層、 ４・・ノリケートガラス（Ｉ）ＳＧ）層、５ 絶縁層、 ６・・第１配線層の上部に位置する部位、７・・ノリケ
ートガラス（ＰＳＧ）層 ８・スルーホール、 ９・・第２配線層。 特許出廟人 パイオニア株式会社 パイオニアビデオ株式会社 第１図 第６図 第６図 手 続 ネ甫 〒「 川（白 光） 昭和６１１［１２月１６０ 特許ｒｙ長官 ΔｕＩ干１ ［別表１１ 殿昭和６
１年 特 許 願 第２３２５７１号２、ブで明の名称 多重配線巣板の製造方法 ３、補正をづる者 事件との関係 代表特許用１頭人 住所 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号名
称（ｂ ０１ ） ／ ’：−イＡニア”Ｆ３４＜ｘ’
Ｓ会ｒ［’４．１；に− ４、補正の対中 ■明ＩＩＩ内の「特許請求の範囲ｌの瀾（の明細内の「
北明の４剣な説明」の欄［別紙］ （１）特許請求の範囲を上記の通り補正しまづ。 記 ［第１配線層の上部を覆うシリク−１〜カラス（１）Ｓ
Ｇ）層の表面に絶縁１−を形成し、この絶縁層における
前記第１配線層の上部に位置する部イ）７を丁ッチング
により除去してシリケートガラス１〜を露出させ、その
上に第２のシリヶートニを形成しさらに当該露出部分の
上から前記第１配線層に至るスルーホールをＷ設すると
ともに、前記第２のシリケートカラス層上に第２配線層
を形成し、さらにこの第２配線層を第１配線Ｎへ前記ス
ルーホールを介して接続したことを特徴どりる多重配線
基板の製造方法。」 （２）明細内の２ペ一ジ１３行に記載の「・・・酸化皮
脇・・・」を 「・・・シリケートガラス＠１３・・・Ｊに補正しまり
。 （３）明細内の６ペ一ジ８行に記載の 「・・・貸なるの材質・・・Ｊを 「・・・異なる材質・・・」 に補正しまづ−６ 以上 特 許 出 願 人 パイオニア株式会社 他１名
Claims (1)
- （１）第１配線層の上部を覆うシリケートガラス（ＰＳ
Ｇ）層の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層における前
記第１配線層の上部に位置する部位をエッチングにより
除去してシリケートガラス層を露出させ、その上に第２
のシリケートを形成しさらに当該露出部分の上から前記
第１配線層に至るスルーホールを穿設するとともに、前
記第２のシリケートガラス層上に第２配線層を形成し、
さらにこの第２配線層を第１配線層へ前記スルーホール
を介して接続したことを特徴とする多重配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23257186A JPS6386546A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 多重配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23257186A JPS6386546A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 多重配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386546A true JPS6386546A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16941429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23257186A Pending JPS6386546A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 多重配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169801A (en) * | 1989-06-30 | 1992-12-08 | Nec Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295437A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
| JPS63142A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23257186A patent/JPS6386546A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295437A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
| JPS63142A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169801A (en) * | 1989-06-30 | 1992-12-08 | Nec Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
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