JPS6382350U - - Google Patents

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JPS6382350U
JPS6382350U JP17731986U JP17731986U JPS6382350U JP S6382350 U JPS6382350 U JP S6382350U JP 17731986 U JP17731986 U JP 17731986U JP 17731986 U JP17731986 U JP 17731986U JP S6382350 U JPS6382350 U JP S6382350U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
電源と負荷との間に接続された過電流保護回路に
おいて従来例の説明に供する回路図である。 １は電源、２は負荷、Ｂは過電流保護回路、３
はヒユーズ抵抗（溶断素子）、４はサイリスタ、
５はゲート電圧印加手段。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電源と負荷との間に接続され、かつ、定常
    電流の大きさをＩで表わしたときに、大きさがｎ
    Ｉ（ただし、ｎは１を越える数値で表される電流
    比）以上の過電流が流れると溶断する溶断素子と
    、 前記電源と前記溶断素子との直列回路の両端間
    にアノード・カソートが接続され、かつ、ゲート
    に対してゲート電圧が印加されることにより導通
    して前記電源からの電流を前記溶断素子に対して
    前記過電流として流すサイリスタと、 前記電源から前記負荷に対して与えられる電流
    （検出電流）の大きさを検出し、前記負荷が異常
    の場合の検出電流に応答動作して前記サイリスタ
    のゲートに対してこれを導通させるゲート電圧を
    印加するゲート電圧印加手段と を具備したことを特徴とする過電流保護回路。 (2) 前記ゲート電圧印加手段が、 前記電源と負荷との間に接続された発光素子、
    およびこの発光素子に対向配置された受光素子で
    構成されたフオトカプラ回路と、 この受光素子に接続され、かつ受光素子からの
    電流により発生する電圧を前記サイリスタのゲー
    トにゲート電圧として供給するバイアス抵抗とで
    構成されており、 前記発光素子は前記負荷が異常の場合の検出電
    流に応答動作して発光し、また前記受光素子は前
    記発光素子の発光に応答動作して導通するととも
    に、その導通電流により前記バイアス抵抗の両端
    間には前記サイリスタのゲートを導通させるゲー
    ト電圧を発生する前記実用新案登録請求の範囲第
    １項に記載の過電流保護回路。
JP17731986U 1986-11-18 1986-11-18 Pending JPS6382350U (ja)

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JPS6382350U true JPS6382350U (ja) 1988-05-30

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54127546A (en) * 1978-03-27 1979-10-03 Mitsubishi Electric Corp Circuit for protecting semiconductor device from overcurrent

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54127546A (en) * 1978-03-27 1979-10-03 Mitsubishi Electric Corp Circuit for protecting semiconductor device from overcurrent

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