JPS63465A - スパツタ薄膜形成装置 - Google Patents
スパツタ薄膜形成装置Info
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- JPS63465A JPS63465A JP14192586A JP14192586A JPS63465A JP S63465 A JPS63465 A JP S63465A JP 14192586 A JP14192586 A JP 14192586A JP 14192586 A JP14192586 A JP 14192586A JP S63465 A JPS63465 A JP S63465A
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- sputtering
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体薄膜、磁性体薄膜など薄膜電子デバ
イスを製作するために必要な組成比を制御した多成分薄
膜を形成する際に用いるスパッタ薄膜形成装置に関する
ものである。
イスを製作するために必要な組成比を制御した多成分薄
膜を形成する際に用いるスパッタ薄膜形成装置に関する
ものである。
従来の技術
従来のこの種スパッタ薄膜形成装置は、被蒸着試料に平
行に複数個のターゲットが取り付けられていた。（例え
ば、Ａｌｏｋｅ、Ｓ、Ｂｈａｎｄｉａ、 Ｊ、Ｖａｃ。
行に複数個のターゲットが取り付けられていた。（例え
ば、Ａｌｏｋｅ、Ｓ、Ｂｈａｎｄｉａ、 Ｊ、Ｖａｃ。
Ｓｃｉ、 ＴｅｃｈｎｏＪ Ｂ２（４）、 Ｏｃｔ、−
ｔ）ｅｃ、７６６、（１９８４））すなわち、第４図に
おいて真空容器４１内の試料台４２に被蒸着試料３をセ
ットし、試料台４２を軸４４を中心として自転させ、試
料４３に平行に取り付けられた複数個、第４図の場合に
は２個のスパッタリングターゲラ）４５．４６の下方を
通過する時にスパッタ薄膜を形成する様になっている。
ｔ）ｅｃ、７６６、（１９８４））すなわち、第４図に
おいて真空容器４１内の試料台４２に被蒸着試料３をセ
ットし、試料台４２を軸４４を中心として自転させ、試
料４３に平行に取り付けられた複数個、第４図の場合に
は２個のスパッタリングターゲラ）４５．４６の下方を
通過する時にスパッタ薄膜を形成する様になっている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような構造のもので多成分薄膜を形成する
場合、被蒸着試料に形成されるスパッタ薄膜は、各スパ
ッタリングターゲット材料を成分とした薄膜が交互に積
層された多層薄膜であり、各成分が均一に混じり合った
薄膜にはならないという問題があった。これは下記の理
白釦よる。
場合、被蒸着試料に形成されるスパッタ薄膜は、各スパ
ッタリングターゲット材料を成分とした薄膜が交互に積
層された多層薄膜であり、各成分が均一に混じり合った
薄膜にはならないという問題があった。これは下記の理
白釦よる。
説明をわかりやすくするために、−例としてタングステ
ンシリサイド膜を形成する場合を考える。
ンシリサイド膜を形成する場合を考える。
この場合、スパッタリングターゲット４６ 、４６には
、タングステンターゲット、シリコンターゲットを用い
る。試料３は試料台４２にセットされ、公転しながら各
ターゲット下方の放電領域４７゜４８でタングステンお
よびシリコン薄膜が形成される。つまり、形成される膜
はタングステン薄膜。
、タングステンターゲット、シリコンターゲットを用い
る。試料３は試料台４２にセットされ、公転しながら各
ターゲット下方の放電領域４７゜４８でタングステンお
よびシリコン薄膜が形成される。つまり、形成される膜
はタングステン薄膜。
シリコン薄膜が交互に積み重なった多層薄膜であり、タ
ングステンとシリコンが深さ方向に均一に混じり合った
タングステンシリサイド膜は形成できなかった。
ングステンとシリコンが深さ方向に均一に混じり合った
タングステンシリサイド膜は形成できなかった。
そこで、本発明はスパッタ法により各成分が均一に混じ
り合った多成分薄膜を形成できるようにするものである
。
り合った多成分薄膜を形成できるようにするものである
。
問題点を解決するだめの手段
そして上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、
上記複数個のスパッタリングターゲ、／）のうち、少く
とも一つのスパッタリングターゲットを被蒸着試料に対
して傾斜して取シ付けるものである。
上記複数個のスパッタリングターゲ、／）のうち、少く
とも一つのスパッタリングターゲットを被蒸着試料に対
して傾斜して取シ付けるものである。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、少くとも一つのスパッタリングターゲットを
被蒸着試料に対して傾斜して取シ付けていることにより
、各スパッタリングターゲットを一つの電極とした複数
個の放電領域を試料上方で混合することが可能となる。
被蒸着試料に対して傾斜して取シ付けていることにより
、各スパッタリングターゲットを一つの電極とした複数
個の放電領域を試料上方で混合することが可能となる。
この結果、被蒸着試料には各スパッタリングターゲット
から飛来した成分粒子が混合して蒸着され、各成分が均
一に混じり合ったスパッタ薄膜形成が可能となる。
から飛来した成分粒子が混合して蒸着され、各成分が均
一に混じり合ったスパッタ薄膜形成が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図に示すように、排気口１とガス導入口２を備えた
真空容器３に、上下可動機構４，４′、傾斜角度可変機
構５．５′および水平方向可動機構６゜６′を有したス
パッタリングターゲント支持機構乙７′を介して、スパ
ッタリングターゲット８，８′、スパッタリングターゲ
ット印加電力源９，９′を取り付ける。被蒸着試料１ｏ
はスパッタリングターゲット８ 、８’の下方に位置し
た試料台１０にセットする。
真空容器３に、上下可動機構４，４′、傾斜角度可変機
構５．５′および水平方向可動機構６゜６′を有したス
パッタリングターゲント支持機構乙７′を介して、スパ
ッタリングターゲット８，８′、スパッタリングターゲ
ット印加電力源９，９′を取り付ける。被蒸着試料１ｏ
はスパッタリングターゲット８ 、８’の下方に位置し
た試料台１０にセットする。
次に本実施例による作用について説明する。
スパッタリング用ガスとして例えばアルゴンガスをガス
導入口２より導入し、真空容器内を適切な真空度（例え
ば１０ ’ Ｔｏｒｒ 〜１Ｔｏｒｒ ）に設定し、ス
パッタリングターゲット８，８′に、印加電力源９，９
′を用いて独立に電力を印加する。各スパッタリング電
極は、それぞれ放電を開始し、被蒸着試料１０の上方に
各スパッタリング電極による放電混合領域１２が形成さ
れる。っこの放電混合領域１２には、スパッタリングタ
ーゲット８，８′からスパッタされた成分粒子が均一に
混合されている。したがって、被蒸着試料１Ｑ上に各成
分元素が深さ方向にも均一に混じり合った薄膜を形成す
ることが可能である。さらにスパッタリングターゲット
８ 、８’に印加する電力をそれぞれ独立に変化させる
ことにより、各ターゲットにおいてスパッタする成分粒
子の数を変化させ、被蒸着試料１０上に形成する薄膜の
成分比すなわち組成比を自由に制御することが可能とな
る。また、上下方向可動機構４，４′、傾斜角度可変機
構６，５′、および水平方向可動機構６，６′によりス
パノタリングターゲノ） ８ 、８’と被蒸着試料１０
との空間的位置関係を任意に変化させることにより、被
蒸着試料１０上の放電混合領域１２内に含まれる各ター
ゲットからスパッタされた成分粒子の数を変化させ、被
蒸着試料１０上に形成する薄膜の組成比を自由に制御す
ることも可能である。
導入口２より導入し、真空容器内を適切な真空度（例え
ば１０ ’ Ｔｏｒｒ 〜１Ｔｏｒｒ ）に設定し、ス
パッタリングターゲット８，８′に、印加電力源９，９
′を用いて独立に電力を印加する。各スパッタリング電
極は、それぞれ放電を開始し、被蒸着試料１０の上方に
各スパッタリング電極による放電混合領域１２が形成さ
れる。っこの放電混合領域１２には、スパッタリングタ
ーゲット８，８′からスパッタされた成分粒子が均一に
混合されている。したがって、被蒸着試料１Ｑ上に各成
分元素が深さ方向にも均一に混じり合った薄膜を形成す
ることが可能である。さらにスパッタリングターゲット
８ 、８’に印加する電力をそれぞれ独立に変化させる
ことにより、各ターゲットにおいてスパッタする成分粒
子の数を変化させ、被蒸着試料１０上に形成する薄膜の
成分比すなわち組成比を自由に制御することが可能とな
る。また、上下方向可動機構４，４′、傾斜角度可変機
構６，５′、および水平方向可動機構６，６′によりス
パノタリングターゲノ） ８ 、８’と被蒸着試料１０
との空間的位置関係を任意に変化させることにより、被
蒸着試料１０上の放電混合領域１２内に含まれる各ター
ゲットからスパッタされた成分粒子の数を変化させ、被
蒸着試料１０上に形成する薄膜の組成比を自由に制御す
ることも可能である。
第２図は上記実施例において、上下方向可動機構４ 、
４’、’傾斜角度可変機構６，５′、水平方向可動機構
６，６′を調整することによりスパッタリングターゲラ
） ８ 、 ｓ／の中心の被蒸着試料１ｏからの高さ６
ｃｍ、スパッタリングターゲラ） ８ 、８’の中心と
被蒸着試料１０の中心を結ぶ直線に対する傾斜角度〆、
スパッタリングターゲット８，８′の中心の被蒸着試料
１０の中心からの水平距離６ｃｍとし、スパッタリング
ターゲット８としてシリコンターゲット、スパッタリン
グターゲット８′としてタングステンターゲットを用い
、アルゴンガス圧（真空度） １０ｍＴｏｒｒ、 シリ
：＝ｒｙ（Ｓｉ）及びタングステン（Ｗ）ターゲットへ
の印加高周波電力をそれぞれ２００Ｗ 、３００Ｗとし
た場合に、シリコン酸化膜で被覆された被蒸着試料１０
上に形成されたタングステンシリサイド膜の深さ方向の
元素分布をオージェ電子分光法で調べた結果である。第
２図より本方法により形成されたタングステンシリサイ
ド膜はタングステン薄膜とシリコン薄膜とが交互に積層
された多層薄膜でなく、各成分、すなわちタングステン
元素とシリコン元素とが深さ方向に均一に混じり合った
薄膜であることが明らかである。
４’、’傾斜角度可変機構６，５′、水平方向可動機構
６，６′を調整することによりスパッタリングターゲラ
） ８ 、 ｓ／の中心の被蒸着試料１ｏからの高さ６
ｃｍ、スパッタリングターゲラ） ８ 、８’の中心と
被蒸着試料１０の中心を結ぶ直線に対する傾斜角度〆、
スパッタリングターゲット８，８′の中心の被蒸着試料
１０の中心からの水平距離６ｃｍとし、スパッタリング
ターゲット８としてシリコンターゲット、スパッタリン
グターゲット８′としてタングステンターゲットを用い
、アルゴンガス圧（真空度） １０ｍＴｏｒｒ、 シリ
：＝ｒｙ（Ｓｉ）及びタングステン（Ｗ）ターゲットへ
の印加高周波電力をそれぞれ２００Ｗ 、３００Ｗとし
た場合に、シリコン酸化膜で被覆された被蒸着試料１０
上に形成されたタングステンシリサイド膜の深さ方向の
元素分布をオージェ電子分光法で調べた結果である。第
２図より本方法により形成されたタングステンシリサイ
ド膜はタングステン薄膜とシリコン薄膜とが交互に積層
された多層薄膜でなく、各成分、すなわちタングステン
元素とシリコン元素とが深さ方向に均一に混じり合った
薄膜であることが明らかである。
第３図に前記と同様の実施例で、シリコンターゲットと
タングステンターゲットへの印加高周波電力比を変化さ
せた場合に形成されるタングステンシリサイド膜の組成
比を示したものである。この図から本方法により、タン
グステンシリサイド膜の組成比を変化させて形成できる
ことが明らかである。なお、本実施例では各ターゲット
への印加高周波電力電力比を変化させて組成比を制御で
きることを示したが、各ターゲットの上下方向移動、傾
斜角度変化、水平方向移動によシ、組成比を制御するこ
とも可能である。定性的には他の条件を一定とした場合
、被蒸着試料１ｏからのターゲットの高さが高い程、水
平距離が遠い程、傾斜角度が大きい程、形成されるスパ
ッタ薄膜に含まれるこのターゲット元素の成分比は小さ
くなる。
タングステンターゲットへの印加高周波電力比を変化さ
せた場合に形成されるタングステンシリサイド膜の組成
比を示したものである。この図から本方法により、タン
グステンシリサイド膜の組成比を変化させて形成できる
ことが明らかである。なお、本実施例では各ターゲット
への印加高周波電力電力比を変化させて組成比を制御で
きることを示したが、各ターゲットの上下方向移動、傾
斜角度変化、水平方向移動によシ、組成比を制御するこ
とも可能である。定性的には他の条件を一定とした場合
、被蒸着試料１ｏからのターゲットの高さが高い程、水
平距離が遠い程、傾斜角度が大きい程、形成されるスパ
ッタ薄膜に含まれるこのターゲット元素の成分比は小さ
くなる。
なお、以上の実施例ではスパッタリングターゲット、上
下方向可動機構、傾斜角度可変機構、スパッタリングタ
ーゲット支持機構を２つずつとしたが、それぞれ３つ以
上としてもよい。
下方向可動機構、傾斜角度可変機構、スパッタリングタ
ーゲット支持機構を２つずつとしたが、それぞれ３つ以
上としてもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、複数個のスパッタ
リングターゲットへの印加高周波電力比を変化させるこ
と、上下方向可動機構、傾斜角度可変機構、水平方向可
動機構によりスノ（ツタリングターゲットと被蒸着試料
との空間的位置関係を変化させることによシ、形成され
るスノくツタ薄膜の組成比を自由に変化させることがで
き、その実用的効果は大きい。
リングターゲットへの印加高周波電力比を変化させるこ
と、上下方向可動機構、傾斜角度可変機構、水平方向可
動機構によりスノ（ツタリングターゲットと被蒸着試料
との空間的位置関係を変化させることによシ、形成され
るスノくツタ薄膜の組成比を自由に変化させることがで
き、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明における一実施例のスノくツタ薄膜形成
装置の概略図、第２図は本発明により形成シタタングス
テンシリサイド膜のタングステン及びシリコン元素の深
さ方向分布を示した図、第３夕薄膜形成装置の概略図で
ある。 ４．４′・・・・・・上下方向可動機構、６，５′・・
・・・・傾斜角度可変機構、６．６′・・・・・・水平
方向可動機構、７゜７′・・・・・・スパッタリングタ
ーゲット支持機構、８゜８′・・・・・・スパッタリン
グターゲット、９，９′・・・・・・スパッタリングタ
ーゲット印加電力源、１０・・・・・・被蒸着試料、１
２・・・・・・複数のスパッタリング電極に −よる
放電混合領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−一排気口 ２−一一ガス尊入口 ３−真空容器 ４．４’−−一上下方自可動棧橋 ５、５’−、＠％簀良度可変機 構、 ｇ’−一一水乎方向町釦截構 ７、７’−一−スパッタリングターゲソド支持機講１０
−一一提着鵡 プ１−−−試辛十台 第２図 ＡＩ％ＥＲ５ＰＵＴ丁ＥＲＰＲＯＦＩＬＥＳＰＬｆｆＴ
ＥＲＩＮ（ｔ ＴＩＭＥ （）／ＩＩＮ）第３図 正加灼収碇力比（”／ｗ ） ４１− 真空容器 ４２− 試料台 ４３− 披粂着弐料 ４４−−一珀 ４５−一−スパッタリングダーゲット ４６−−−スクＶツタリングターゲット第、□
４７−幻Ｉ域 ４８−六放電頌域
装置の概略図、第２図は本発明により形成シタタングス
テンシリサイド膜のタングステン及びシリコン元素の深
さ方向分布を示した図、第３夕薄膜形成装置の概略図で
ある。 ４．４′・・・・・・上下方向可動機構、６，５′・・
・・・・傾斜角度可変機構、６．６′・・・・・・水平
方向可動機構、７゜７′・・・・・・スパッタリングタ
ーゲット支持機構、８゜８′・・・・・・スパッタリン
グターゲット、９，９′・・・・・・スパッタリングタ
ーゲット印加電力源、１０・・・・・・被蒸着試料、１
２・・・・・・複数のスパッタリング電極に −よる
放電混合領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−一排気口 ２−一一ガス尊入口 ３−真空容器 ４．４’−−一上下方自可動棧橋 ５、５’−、＠％簀良度可変機 構、 ｇ’−一一水乎方向町釦截構 ７、７’−一−スパッタリングターゲソド支持機講１０
−一一提着鵡 プ１−−−試辛十台 第２図 ＡＩ％ＥＲ５ＰＵＴ丁ＥＲＰＲＯＦＩＬＥＳＰＬｆｆＴ
ＥＲＩＮ（ｔ ＴＩＭＥ （）／ＩＩＮ）第３図 正加灼収碇力比（”／ｗ ） ４１− 真空容器 ４２− 試料台 ４３− 披粂着弐料 ４４−−一珀 ４５−一−スパッタリングダーゲット ４６−−−スクＶツタリングターゲット第、□
４７−幻Ｉ域 ４８−六放電頌域
Claims (4)
- （１）真空容器内に複数個のスパッタリングターゲット
を有し、少くとも一つのスパッタリングターゲットが被
蒸着試料に対して傾斜して取り付けられており、それぞ
れのスパッタリングターゲットに電力を独立に印加でき
ることを特徴とするスパッタ薄膜形成装置。 - （２）それぞれのスパッタリングターゲットの被蒸着試
料に対する取り付け角度を各々任意に変化できることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタ薄膜形
成装置。 - （３）それぞれのスパッタリングターゲットの被蒸着試
料からの取り付け高さを、各々任意に変化できることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタ薄膜形
成装置。 - （４）それぞれのスパッタリングターゲットの被蒸着試
料からの水平距離を、各々任意に変化できることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタ薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192586A JPS63465A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192586A JPS63465A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63465A true JPS63465A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15303344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14192586A Pending JPS63465A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63465A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319671A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-25 | Toshiba Corp | 多元スパッタリング装置 |
| JPH02141568A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | 複合酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH02232367A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Canon Inc | 真空成膜装置 |
| JPH04116164A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-16 | Nec Corp | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
| JP2002088471A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Anelva Corp | スパッタ装置 |
| JP2005320601A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| JP2006274389A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Utec:Kk | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| JP2008223140A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Jds Uniphase Corp | 複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システム |
| US20100018855A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Seagate Technology Llc | Inline co-sputter apparatus |
| US20110256408A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Guardian Industries Corp., | Method of making coated article having anti-bacterial and/or anti-fungal coating and resulting product |
| JP2011214067A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法及びターゲット |
| JP2011249847A (ja) * | 2011-08-31 | 2011-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| US20130309599A1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| US20150075620A1 (en) * | 2009-09-24 | 2015-03-19 | Jesse A. Frantz | Copper indium gallium selenide (cigs) thin films with composition controlled by co-sputtering |
| EP2707519A4 (en) * | 2011-05-09 | 2015-07-08 | Intermolecular Inc | TOOL AND METHOD FOR CATHODIC SPRAY DEPOSITION ON A COMBINATORY SUBSTRATE AND ENTIRE |
| US20170067143A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing piezoelectric element |
| JP2019218594A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク用材料膜の製造装置、マスクブランク用材料膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法 |
| US10995400B2 (en) | 2010-04-16 | 2021-05-04 | Guardian Glass, LLC | Method of making coated article having antibacterial and/or antifungal coating and resulting product |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14192586A patent/JPS63465A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319671A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-25 | Toshiba Corp | 多元スパッタリング装置 |
| JPH02141568A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | 複合酸化物超電導薄膜の製造方法 |
| JPH02232367A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Canon Inc | 真空成膜装置 |
| JPH04116164A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-16 | Nec Corp | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
| JP2002088471A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Anelva Corp | スパッタ装置 |
| US6461484B2 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Sputtering device |
| JP4617101B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2011-01-19 | 株式会社昭和真空 | スパッタ装置 |
| JP2005320601A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk | スパッタ装置 |
| JP2006274389A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Utec:Kk | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| JP2008223140A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Jds Uniphase Corp | 複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システム |
| US20100018855A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Seagate Technology Llc | Inline co-sputter apparatus |
| US9881774B2 (en) * | 2009-09-24 | 2018-01-30 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Copper indium gallium selenide (CIGS) thin films with composition controlled by co-sputtering |
| US20150075620A1 (en) * | 2009-09-24 | 2015-03-19 | Jesse A. Frantz | Copper indium gallium selenide (cigs) thin films with composition controlled by co-sputtering |
| JP2011214067A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法及びターゲット |
| US20110256408A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Guardian Industries Corp., | Method of making coated article having anti-bacterial and/or anti-fungal coating and resulting product |
| EP2557932B1 (en) * | 2010-04-16 | 2018-03-21 | Guardian Glass, LLC | Method of making coated article having anti-bacterial and/or anti-microbial coating |
| US10995400B2 (en) | 2010-04-16 | 2021-05-04 | Guardian Glass, LLC | Method of making coated article having antibacterial and/or antifungal coating and resulting product |
| EP2707519A4 (en) * | 2011-05-09 | 2015-07-08 | Intermolecular Inc | TOOL AND METHOD FOR CATHODIC SPRAY DEPOSITION ON A COMBINATORY SUBSTRATE AND ENTIRE |
| JP2011249847A (ja) * | 2011-08-31 | 2011-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| US20130309599A1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| US9689066B2 (en) * | 2012-05-16 | 2017-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| US20170067143A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing piezoelectric element |
| JP2019218594A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク用材料膜の製造装置、マスクブランク用材料膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法 |
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