JPH04116164A - 酸化物超電導薄膜製造装置 - Google Patents
酸化物超電導薄膜製造装置Info
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- JPH04116164A JPH04116164A JP23208790A JP23208790A JPH04116164A JP H04116164 A JPH04116164 A JP H04116164A JP 23208790 A JP23208790 A JP 23208790A JP 23208790 A JP23208790 A JP 23208790A JP H04116164 A JPH04116164 A JP H04116164A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物超電導薄膜製造装置に関するものであ
る。
る。
（従来の技術）
超電導薄膜は、ジョセフソン接合による量子磁気干渉素
子や、超電導ＬＳＩ配線、超電導能動素子への応用上欠
かせないものである。近年、１９８７年２月米国ヒユー
ストン大学チュー（Ｃｈｕ）らにより発見された臨界温
度９０に級のＹ系酸化物超電導体をはじめとし、金属材
料技術研究所の前出らによる臨界温度１１０に級のＢｉ
系酸化物超電導体、さらに米国アーカンサス大学のジエ
ン（Ｚ、 Ｚ、 Ｓｈｅｎｇ）らによる臨界温度１２０
に級のＴＩ系酸化物超電導体と液体窒素温度を越える臨
界温度を持つ酸化物超電導体が相次いで発見された。こ
のことより、従来液体Ｈｅを用いなければならなかった
超電導応用デバイスが液体窒素で実現できることになり
、特にこれら酸化物超電導体の薄膜化は液体窒素温度以
上で動くジョセフソン能動デバイスや超電導ＬＳＩ配線
を実現しその応用は広く利用され得る。さて、この酸化
物超電導体薄膜デバイス応用の見地から成膜後に高温熱
処理を必要としない“’１ｎ−ｓｉｔｕ合成″が重要で
ある。またデバイス応用の見地から基板上に超電導薄膜
をエピタキシャル成長させ、かつその上に連続的にバリ
ア層などもヘテロエピタキシャル成長させる必要がある
。
子や、超電導ＬＳＩ配線、超電導能動素子への応用上欠
かせないものである。近年、１９８７年２月米国ヒユー
ストン大学チュー（Ｃｈｕ）らにより発見された臨界温
度９０に級のＹ系酸化物超電導体をはじめとし、金属材
料技術研究所の前出らによる臨界温度１１０に級のＢｉ
系酸化物超電導体、さらに米国アーカンサス大学のジエ
ン（Ｚ、 Ｚ、 Ｓｈｅｎｇ）らによる臨界温度１２０
に級のＴＩ系酸化物超電導体と液体窒素温度を越える臨
界温度を持つ酸化物超電導体が相次いで発見された。こ
のことより、従来液体Ｈｅを用いなければならなかった
超電導応用デバイスが液体窒素で実現できることになり
、特にこれら酸化物超電導体の薄膜化は液体窒素温度以
上で動くジョセフソン能動デバイスや超電導ＬＳＩ配線
を実現しその応用は広く利用され得る。さて、この酸化
物超電導体薄膜デバイス応用の見地から成膜後に高温熱
処理を必要としない“’１ｎ−ｓｉｔｕ合成″が重要で
ある。またデバイス応用の見地から基板上に超電導薄膜
をエピタキシャル成長させ、かつその上に連続的にバリ
ア層などもヘテロエピタキシャル成長させる必要がある
。
従来の代表的な超電導薄膜合成の例を以下に図を参照し
ながら説明する。アプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５５．２３
５１頁に述べられているレーザーアブレイジョンによる
方法を第２図に示す。
ながら説明する。アプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５５．２３
５１頁に述べられているレーザーアブレイジョンによる
方法を第２図に示す。
第２図において、真空チャンバー内には基板ヒーター２
に装着された基板１に対向してＹ系酸化物超電導体の焼
結ターゲット３が設置されている。また酸素ガスはガス
導入ノズル７を通して基板１に吹き付けられている。タ
ーゲットには成膜チャンバーの外からエキシマレーザ−
のパルスビーム１８が照射されターゲット材料を蒸発さ
せている。この合成法によりＹ系酸化物超電導薄膜が１
ｎ−ｓｉｔｕ合成されているが、合成中の酸素分圧が１
００〜４００ｍ Ｔｏｒｒと高く反射電子線回折（ＲＨ
ＥＥＤ）等による結晶成長の直接モニターリングを行い
ながらの薄膜合成制御は困難である。
に装着された基板１に対向してＹ系酸化物超電導体の焼
結ターゲット３が設置されている。また酸素ガスはガス
導入ノズル７を通して基板１に吹き付けられている。タ
ーゲットには成膜チャンバーの外からエキシマレーザ−
のパルスビーム１８が照射されターゲット材料を蒸発さ
せている。この合成法によりＹ系酸化物超電導薄膜が１
ｎ−ｓｉｔｕ合成されているが、合成中の酸素分圧が１
００〜４００ｍ Ｔｏｒｒと高く反射電子線回折（ＲＨ
ＥＥＤ）等による結晶成長の直接モニターリングを行い
ながらの薄膜合成制御は困難である。
またアプライド・フィジソクスルターズ（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）巻５３．２６８３頁に述べら
れている反応性蒸着による方法を第３図に示す。第３図
において、真空チャンバー９の中に基板ヒーター２に装
着されたチタン酸ストロンチウム基板１、蒸着ソース１
９、酸素導入ノズル７が配置されている。また真空チャ
ンバーにはＲＨＥＥＤ用の電子銃５とＲＨＥＥＤスクリ
ーン６が設置されていて成膜中の結晶成長状態が観測で
きるようになっている。さらに成膜中の酸素分圧が低い
ことによる酸素不足を補うためにマイクロ波により酸素
ガスを励起し活性酸素を導入する工夫をしている。この
方法においてはＲＨＥＥＤによりＹ系酸化物超電導薄膜
のエピタキシャル成長をモニターしながら薄膜合成が可
能であるが、さらに強い酸化力の必要なりｉ系酸化物超
電導体薄膜の合成では酸素ガス分圧の増加に伴い蒸着ソ
ースが安定に動作しなくなり困難が生じる。
れている反応性蒸着による方法を第３図に示す。第３図
において、真空チャンバー９の中に基板ヒーター２に装
着されたチタン酸ストロンチウム基板１、蒸着ソース１
９、酸素導入ノズル７が配置されている。また真空チャ
ンバーにはＲＨＥＥＤ用の電子銃５とＲＨＥＥＤスクリ
ーン６が設置されていて成膜中の結晶成長状態が観測で
きるようになっている。さらに成膜中の酸素分圧が低い
ことによる酸素不足を補うためにマイクロ波により酸素
ガスを励起し活性酸素を導入する工夫をしている。この
方法においてはＲＨＥＥＤによりＹ系酸化物超電導薄膜
のエピタキシャル成長をモニターしながら薄膜合成が可
能であるが、さらに強い酸化力の必要なりｉ系酸化物超
電導体薄膜の合成では酸素ガス分圧の増加に伴い蒸着ソ
ースが安定に動作しなくなり困難が生じる。
（発明が解決しようとする課題）
酸化物高温超電導体においては１ｎ−ｓｉｔｕ合成法に
おいても一度大気中に取り出すことにより膜表面に数十
穴程度の酸素欠損層や表面変質が起こる事が知られてお
り連続的に超電導層・バリア層・超電導層のＳＩＳ構造
をつるく必要がある。また酸化物高温超電導体の超電導
電子コヒーレンス長は数Ａ程度と短く、このような表面
変質層はデバイス接合製造において致命的である。さら
にコヒーレンス長の制約からＳＩＳもしくは５ＩＮＳ整
合における絶縁層の厚さは原子層レベルで制御されなけ
ればならない。
おいても一度大気中に取り出すことにより膜表面に数十
穴程度の酸素欠損層や表面変質が起こる事が知られてお
り連続的に超電導層・バリア層・超電導層のＳＩＳ構造
をつるく必要がある。また酸化物高温超電導体の超電導
電子コヒーレンス長は数Ａ程度と短く、このような表面
変質層はデバイス接合製造において致命的である。さら
にコヒーレンス長の制約からＳＩＳもしくは５ＩＮＳ整
合における絶縁層の厚さは原子層レベルで制御されなけ
ればならない。
本発明の目的は、反射電子線回折による結晶成長過程ｔ
モニターしながらＹ系及びＢｉ系酸化物超電導薄膜を制
御性良く容易に製造し、さらにデバイス製造に必要なバ
リア層、保護層等をも１ｎ−ｓｉｔｕその場で結晶成長
方位を直接観察しながら制御性よく連続合成する装置を
提供することにある。
モニターしながらＹ系及びＢｉ系酸化物超電導薄膜を制
御性良く容易に製造し、さらにデバイス製造に必要なバ
リア層、保護層等をも１ｎ−ｓｉｔｕその場で結晶成長
方位を直接観察しながら制御性よく連続合成する装置を
提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は真空チャンバー内に複数のイオンビーム源、タ
ーゲットを備える酸化物超電導薄膜製造装置において、
イオンビームに対向して設置されたターゲットからのス
パッタ粒子を４５〜６５度の入射角で基板に受けるよう
にシャッターと基板ホルダーを配置することを特徴とす
る酸化物超電導薄膜製造装置であり、真空チャバ−はタ
ーゲットスパッタ室と薄膜成長室の２室に仕切り板を介
して分離され、ターゲットスパッタ室と薄膜成長室それ
ぞれに真空排気部が設置され、また薄膜成長室にはコン
ダクタンス調整バルブが設置されている構造を備えてい
ることを特徴とする酸化物超電導薄膜製造装置であり、
また薄膜成長室内のシャッター、基板ホルダー近傍の活
性酸素導入ノズル、及び基板面を囲い、かつ基板面との
間に電子線が通過できる程度に隙間をあけるように構成
した酸化物超電導薄膜製造装置である。
ーゲットを備える酸化物超電導薄膜製造装置において、
イオンビームに対向して設置されたターゲットからのス
パッタ粒子を４５〜６５度の入射角で基板に受けるよう
にシャッターと基板ホルダーを配置することを特徴とす
る酸化物超電導薄膜製造装置であり、真空チャバ−はタ
ーゲットスパッタ室と薄膜成長室の２室に仕切り板を介
して分離され、ターゲットスパッタ室と薄膜成長室それ
ぞれに真空排気部が設置され、また薄膜成長室にはコン
ダクタンス調整バルブが設置されている構造を備えてい
ることを特徴とする酸化物超電導薄膜製造装置であり、
また薄膜成長室内のシャッター、基板ホルダー近傍の活
性酸素導入ノズル、及び基板面を囲い、かつ基板面との
間に電子線が通過できる程度に隙間をあけるように構成
した酸化物超電導薄膜製造装置である。
（実施例）
第１図に本発明の実施例を示す。真空チャンバー９には
、複数のイオン源４、ターゲット３、高速電子線回折（
ＲＨＥＥＤ）用電子銃５、ＲＨＥＥＤスクリーン６、基
板加熱ホルダー２と基板１、活性酸素源８と活性酸素導
入ノズル７が配置されている。この真空チャンバーは高
透磁率材の仕切り板１０により基本的に膜成長室１６と
スパッタ室１７の２室に分離されている。
、複数のイオン源４、ターゲット３、高速電子線回折（
ＲＨＥＥＤ）用電子銃５、ＲＨＥＥＤスクリーン６、基
板加熱ホルダー２と基板１、活性酸素源８と活性酸素導
入ノズル７が配置されている。この真空チャンバーは高
透磁率材の仕切り板１０により基本的に膜成長室１６と
スパッタ室１７の２室に分離されている。
またこの仕切り板にはシャッターボートと膜圧センサー
用ポートがあけられており各ターゲットにたいしてシャ
ッター１２と膜圧センサー１３とがそれぞれ１組ずつ対
応して設置されている。
用ポートがあけられており各ターゲットにたいしてシャ
ッター１２と膜圧センサー１３とがそれぞれ１組ずつ対
応して設置されている。
複合酸化物をターゲットとして用いるスパッタ成膜にお
いては選択スパッタ現象が起きる。このために膜組成は
スパッタ粒子の飛散方向に大きく依存するようになる。
いては選択スパッタ現象が起きる。このために膜組成は
スパッタ粒子の飛散方向に大きく依存するようになる。
またターゲットがらのスパッタガス（Ａｒ）の反射及び
酸素負イオンが発生し成膜においてはこれらの基板に対
する影響がなるべく少なくなるジオメトリを選ぶ必要が
ある。第１図に示したように、ターゲットをイオンソー
スの鉛直下方に配置しそこから約４５〜６５度の入射角
でスパッタ粒子を受ける位置に基板を配置することによ
り、ターゲットからのスパッタガスの反射及び酸素負イ
オンの影響や膜の組成ズレを少なくすることができ、多
元イオンビームスパッタ装置のイオンソース配置方式と
して最適である。
酸素負イオンが発生し成膜においてはこれらの基板に対
する影響がなるべく少なくなるジオメトリを選ぶ必要が
ある。第１図に示したように、ターゲットをイオンソー
スの鉛直下方に配置しそこから約４５〜６５度の入射角
でスパッタ粒子を受ける位置に基板を配置することによ
り、ターゲットからのスパッタガスの反射及び酸素負イ
オンの影響や膜の組成ズレを少なくすることができ、多
元イオンビームスパッタ装置のイオンソース配置方式と
して最適である。
酸素ガスは石英製導入パイプ７を通して膜成長室の基板
ホルダ直下に導入されるが、途中マイクロ波キャビティ
を通る所でプラズマ励起され原子状活性酸素が生成され
る。さらに基板と仕切り板との間にはＲＨＥＥＤ電子線
パスを基板との間に残す程度に囲い１１が設置され、導
入された活性酸素ガスの基板付近の分圧を高めている。
ホルダ直下に導入されるが、途中マイクロ波キャビティ
を通る所でプラズマ励起され原子状活性酸素が生成され
る。さらに基板と仕切り板との間にはＲＨＥＥＤ電子線
パスを基板との間に残す程度に囲い１１が設置され、導
入された活性酸素ガスの基板付近の分圧を高めている。
この囲いは同時に熱反射板としても機能し基板加熱ヒー
ターの効率を高めている。
ターの効率を高めている。
これら仕切り板１０と囲い１１が設置されることにより
、基板面上での酸素分圧はスパッタ室の酸素分圧に対し
て、シャターが閉じた状態で約１桁半程度またシャター
が１つ開いた状態で約１桁の差圧をつける事ができる。
、基板面上での酸素分圧はスパッタ室の酸素分圧に対し
て、シャターが閉じた状態で約１桁半程度またシャター
が１つ開いた状態で約１桁の差圧をつける事ができる。
通常のカウフマン型イオンソースでは安定に動作する真
空度は約２ Ｘ １Ｏ−４ｔｏｒｒ程度であり、この真
空度にスパッタ室を保ちながら膜成長室の基板面上の酸
素分圧を約マイナス２〜３乗ｔｏｒｒに設定できるよう
になり酸化物超電導薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合成を可能と
している。また高速反射電子線回折像を安定して得るた
めに電子線パスの途中なオリフィスを入れると共に電子
銃部分を作動排気している。
空度は約２ Ｘ １Ｏ−４ｔｏｒｒ程度であり、この真
空度にスパッタ室を保ちながら膜成長室の基板面上の酸
素分圧を約マイナス２〜３乗ｔｏｒｒに設定できるよう
になり酸化物超電導薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合成を可能と
している。また高速反射電子線回折像を安定して得るた
めに電子線パスの途中なオリフィスを入れると共に電子
銃部分を作動排気している。
さらに、膜成長室とスパッタ室とは、それぞれ可変コン
ダクタンスバルブを介して真空ポンプに接続されており
膜成長室の成膜中の真空度を任意に調整できるようにな
っている。
ダクタンスバルブを介して真空ポンプに接続されており
膜成長室の成膜中の真空度を任意に調整できるようにな
っている。
成膜中の１ｎ−ｓｉｔｕでの高速電子線回折（ＲＨＨＥ
Ｄ）による結晶成長の観察は単結晶合成条件を精密に制
御する上で極めて重要な機能である。イオンビームスパ
ッタ法では、イオンガスに磁石を用いているのでここか
ら漏洩磁場が発生する。このため膜成長室内の磁場を極
力抑えなくてはならないが、仕切り板に高透磁率の材料
を用いる事で膜成長室内のイオンガンからの漏洩磁場を
低く抑える事ができ、基板付近の磁場は約４ガウス程度
になっている。本実施例では５ＵＳ４３０を用いたがこ
の他パーマロイなどを用いても良い。
Ｄ）による結晶成長の観察は単結晶合成条件を精密に制
御する上で極めて重要な機能である。イオンビームスパ
ッタ法では、イオンガスに磁石を用いているのでここか
ら漏洩磁場が発生する。このため膜成長室内の磁場を極
力抑えなくてはならないが、仕切り板に高透磁率の材料
を用いる事で膜成長室内のイオンガンからの漏洩磁場を
低く抑える事ができ、基板付近の磁場は約４ガウス程度
になっている。本実施例では５ＵＳ４３０を用いたがこ
の他パーマロイなどを用いても良い。
次に、本装置を用いたヘテロエピタキシャル膜成長の実
施例を示す。まずＹ系薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕエピタキシ
ャル膜合成について述べる。ターゲットとして、イツト
リウム・バリウム・銅酸化物（ＹＢａ２Ｃｕ３０ｘ）、
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いた。
施例を示す。まずＹ系薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕエピタキシ
ャル膜合成について述べる。ターゲットとして、イツト
リウム・バリウム・銅酸化物（ＹＢａ２Ｃｕ３０ｘ）、
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いた。
基板としてＭｇ０（００１）簡単結晶を用い基板温度６
００〜６５０°Ｃとした。酸素ガス流量を３０ｓｅｃｍ
とじマイクロ波パワーを５０Ｗかけて活性酸素を発生さ
せた時、水晶振動子を用いた銀薄膜の酸化量測定から評
価すると基板付近の活性酸素到達量は約３ Ｘ １０１
４個１ｃｍ２以上と見積もられる。このような基板温度
と酸化条件のもとで、膜成長室のコンダクタンスバルブ
を調整し基板付近の酸素分圧を約２刈０−３ｔｏｒｒに
設定しＹ系超電導薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合成を行った。
００〜６５０°Ｃとした。酸素ガス流量を３０ｓｅｃｍ
とじマイクロ波パワーを５０Ｗかけて活性酸素を発生さ
せた時、水晶振動子を用いた銀薄膜の酸化量測定から評
価すると基板付近の活性酸素到達量は約３ Ｘ １０１
４個１ｃｍ２以上と見積もられる。このような基板温度
と酸化条件のもとで、膜成長室のコンダクタンスバルブ
を調整し基板付近の酸素分圧を約２刈０−３ｔｏｒｒに
設定しＹ系超電導薄膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合成を行った。
膜はＲＨＥＥＤ観察よりＭｇＯ（１００） ／／ＹＢａ
ＣｕＯ（１００）の方位関係でＣ軸配向しかつ膜表面の
平坦性がきわめて良くエピタキシャル成長する事が確認
された。このようなＹ系超電導膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合或
はチタン酸ストロンチウム基板上においても同様である
。次にＹ系膜の合成後に同じ酸素雰囲気の中で基板温度
を約３００°Ｃまで冷却し、その後酸素流量を変えて基
板付近の酸素分圧を１Ｏ−５ｔｏｒｒに設定し直しな後
ＭｇＯをヘテロエピタキシャル成長させることができた
。
ＣｕＯ（１００）の方位関係でＣ軸配向しかつ膜表面の
平坦性がきわめて良くエピタキシャル成長する事が確認
された。このようなＹ系超電導膜の１ｎ−ｓｉｔｕ合或
はチタン酸ストロンチウム基板上においても同様である
。次にＹ系膜の合成後に同じ酸素雰囲気の中で基板温度
を約３００°Ｃまで冷却し、その後酸素流量を変えて基
板付近の酸素分圧を１Ｏ−５ｔｏｒｒに設定し直しな後
ＭｇＯをヘテロエピタキシャル成長させることができた
。
Ｂｉ系超電導薄膜の合成においては、ターゲットとして
、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）、ストロンチウム・カル
シウム・銅・酸化物（Ｓｒ２ＣａＣｕ２０ｘ）を用いた
。基板とＬ テＭｇ０（００１）簡単結晶を用い基板温
度６３０−６７０°Ｃとした。酸素ガス流量を５０ｓｅ
ｃｍとしマイクロ波パワーを５０Ｗかけて活性酸素を発
生させた時、基板付近の活性酸素到達量は約７ Ｘ １
０１４個１ｃｍ２以上と見積もられる。膜成長室のコン
ダクタンスバルブを調整して、基板付近の酸素分圧を約
３ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒに設定しＢｉ系超電導薄膜の
１ｎ−ｓｉｔｕ合成を行った。膜はＲＨＥＥＤｌｔＮ察
よりＭｇＯ（１００）／／Ｂ１５ｒＣａＣｕ００ （１
００）の方位関係でＣ軸配向しかつ膜表面の平坦性がき
わめて良くエピタキシャル成長する事が確認され、Ｙ系
超電導薄膜合成の場合と同様にＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜
上にＭｇＯを連続成膜ができた。
、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）、ストロンチウム・カル
シウム・銅・酸化物（Ｓｒ２ＣａＣｕ２０ｘ）を用いた
。基板とＬ テＭｇ０（００１）簡単結晶を用い基板温
度６３０−６７０°Ｃとした。酸素ガス流量を５０ｓｅ
ｃｍとしマイクロ波パワーを５０Ｗかけて活性酸素を発
生させた時、基板付近の活性酸素到達量は約７ Ｘ １
０１４個１ｃｍ２以上と見積もられる。膜成長室のコン
ダクタンスバルブを調整して、基板付近の酸素分圧を約
３ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒに設定しＢｉ系超電導薄膜の
１ｎ−ｓｉｔｕ合成を行った。膜はＲＨＥＥＤｌｔＮ察
よりＭｇＯ（１００）／／Ｂ１５ｒＣａＣｕ００ （１
００）の方位関係でＣ軸配向しかつ膜表面の平坦性がき
わめて良くエピタキシャル成長する事が確認され、Ｙ系
超電導薄膜合成の場合と同様にＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜
上にＭｇＯを連続成膜ができた。
（発明の効果）
以上のように本発明を適応する事によりＹ系及びＢｉ系
のエピタキシャル超電導膜を容易に１ｎ−ｓｉｔｕ合成
し、さらにデバイス構造に必要なバリア層、保護層等を
もその場で結晶成長方位を直接観察しながら制御性よく
連続合成することができる。また本装置の基本構造は、
イオンビームスパッタ装置に限らず、真空蒸着装置にお
いても酸化物超電導薄膜合成に有効である。
のエピタキシャル超電導膜を容易に１ｎ−ｓｉｔｕ合成
し、さらにデバイス構造に必要なバリア層、保護層等を
もその場で結晶成長方位を直接観察しながら制御性よく
連続合成することができる。また本装置の基本構造は、
イオンビームスパッタ装置に限らず、真空蒸着装置にお
いても酸化物超電導薄膜合成に有効である。
第１図は、本発明を実施したイオンビームスパッタ装置
の構造概略図である。第２図はレーザーアブレイジョン
装置の構造概略図であり、第３図は真空蒸着装置の構造
概略図である。 図において、１は基板、２は基板ヒーター、３は焼結タ
ーゲット、イオン源４．５は高速電子線回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）用電子銃、６はＲＨＥＥＤ用スクリーン、７は活性
酸素導入ノズル、８は活性酸素源、９は真空チャンバー
、１０は仕切り板、１１は囲い、１２はシャッター、１
３は膜圧センサー、１４は真空ポンプ、１５はバルブ、
１６は膜成長室、１７はスパッタ室、１８はエキシマレ
ーザ−のパルスビーム、１９は蒸着ソースである。 第１図
の構造概略図である。第２図はレーザーアブレイジョン
装置の構造概略図であり、第３図は真空蒸着装置の構造
概略図である。 図において、１は基板、２は基板ヒーター、３は焼結タ
ーゲット、イオン源４．５は高速電子線回折（ＲＨＥＥ
Ｄ）用電子銃、６はＲＨＥＥＤ用スクリーン、７は活性
酸素導入ノズル、８は活性酸素源、９は真空チャンバー
、１０は仕切り板、１１は囲い、１２はシャッター、１
３は膜圧センサー、１４は真空ポンプ、１５はバルブ、
１６は膜成長室、１７はスパッタ室、１８はエキシマレ
ーザ−のパルスビーム、１９は蒸着ソースである。 第１図
Claims (5)
- （１） 真空チャンバー内に複数のイオンビーム源、タ
ーゲットを備える酸化物超電導薄膜製造装置において、
イオンビームに対向して設置されたターゲットからのス
パッタ粒子を４５〜６５度の入射角で基板に受けるよう
にシャッターと基板ホルダーを設置することを特徴とす
る酸化物超電導薄膜製造装置。 - （２） 真空チャンバーはターゲットスパッタ室と薄膜
成長室の２室に仕切り板を介して分離され、ターゲット
スパッタ室と薄膜成長室それぞれに真空排気部が設置さ
れ、また薄膜成長室にはコンダクタンス調整バルブが設
置されている構造を備えていることを特徴とする酸化物
超電導薄膜製造装置。 - （３） 真空チャンバー分離用の仕切り板が高透磁率材
で構成されている請求項第１項又は第２項記載の酸化物
超電導薄膜製造装置。 - （４） 活性酸素導入ノズルを基板ホルダー近傍に設置
する請求項第１項、第２項又は第３項記載の酸化物超電
導薄膜製造装置。 - （５） 薄膜成長室内のシャッター、活性酸素導入ノズ
ル、及び基板面を囲い、かつ基板面との間に電子線が通
過できる程度に隙間をあけるように囲いを設置すること
を特徴とする請求項第１項、第２項、第３項又は第４項
記載の酸化物超電導薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23208790A JPH04116164A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23208790A JPH04116164A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116164A true JPH04116164A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16933798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23208790A Pending JPH04116164A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461484B2 (en) | 2000-09-13 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Sputtering device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110673A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Hitachi Ltd | 反応性スパツタリング装置 |
| JPS63465A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ薄膜形成装置 |
| JPS6353265A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ムスパツタリング装置 |
| JPH01156465A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Nippon Kentetsu Co Ltd | スパッター装置 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23208790A patent/JPH04116164A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110673A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Hitachi Ltd | 反応性スパツタリング装置 |
| JPS63465A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ薄膜形成装置 |
| JPS6353265A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ムスパツタリング装置 |
| JPH01156465A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Nippon Kentetsu Co Ltd | スパッター装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461484B2 (en) | 2000-09-13 | 2002-10-08 | Anelva Corporation | Sputtering device |
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