JPS6337782A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPS6337782A JPS6337782A JP61179903A JP17990386A JPS6337782A JP S6337782 A JPS6337782 A JP S6337782A JP 61179903 A JP61179903 A JP 61179903A JP 17990386 A JP17990386 A JP 17990386A JP S6337782 A JPS6337782 A JP S6337782A
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- Japan
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- signal
- circuit
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- Granted
Links
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、撮像装置に関するもので、例えば、光電変
換素子により形成される画素信号をMOSFET (絶
縁ゲート形電界効果トランジスタ)を介して取り出し、
その感度が可変にされる機能を持つ固体撮像装置を用い
たものに利用して有効な技術に関するものである。
換素子により形成される画素信号をMOSFET (絶
縁ゲート形電界効果トランジスタ)を介して取り出し、
その感度が可変にされる機能を持つ固体撮像装置を用い
たものに利用して有効な技術に関するものである。
従来より、フォトダイオードとスイッチMO3FETと
の組み合わせからなる固体撮像装置が公知である。この
ような固体撮像装置に関しては、例えば特開昭56−1
52382号公報がある。
の組み合わせからなる固体撮像装置が公知である。この
ような固体撮像装置に関しては、例えば特開昭56−1
52382号公報がある。
上記固体撮像装置を利用した監視用又は家庭用等のテレ
ビジョンカメラでは、光学レンズに自動絞り機構が設け
られている。
ビジョンカメラでは、光学レンズに自動絞り機構が設け
られている。
上記自動絞り機構部のレンズは、比較的複雑な機械部品
を必要とし、テレビジョンカメラにおけるレンズ部の大
型化及び高コスト化の原因となっている。また、上記自
動絞り機構は、比較的複雑な機械部品からなるため、機
械的機構部分の摩耗による信転性の点で問題がある。
を必要とし、テレビジョンカメラにおけるレンズ部の大
型化及び高コスト化の原因となっている。また、上記自
動絞り機構は、比較的複雑な機械部品からなるため、機
械的機構部分の摩耗による信転性の点で問題がある。
この発明の目的は、電子式の自動絞り機能を持つ撮像装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
本朝において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの信
号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上
記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと
独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う
第2の走査回路が設けられた固体撮像装置の読み出し信
号を受けて、所定の絞り量に対応した基準信号を参照し
て上記第2走査回路のアドレス指定を行う感度制御回路
を付加するものである。
号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上
記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと
独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う
第2の走査回路が設けられた固体撮像装置の読み出し信
号を受けて、所定の絞り量に対応した基準信号を参照し
て上記第2走査回路のアドレス指定を行う感度制御回路
を付加するものである。
上記した手段によれば、読み出し信号のレベルと所望の
絞り量に対応した基準電圧に応じて読み出し用の垂直走
査に先行する垂直走査を行わせることにより、画像信号
の明るさに応じた自動感度(自動絞り量)設定を行うこ
とができる。
絞り量に対応した基準電圧に応じて読み出し用の垂直走
査に先行する垂直走査を行わせることにより、画像信号
の明るさに応じた自動感度(自動絞り量)設定を行うこ
とができる。
第1図には、この発明に係る撮像装置に用いられるT
S L (Transversal S ignal
L ine )方式の感度可変機能が付加された固体撮
像装置の一実施例の要部回路図が示されている。同図の
各回路素子は、公知の半導体集積回路の製造技術によっ
て、特に制限されないが、単結晶シリンコンのような1
個の半導体基板上において形成される。同図の主要なブ
ロックは、実際の幾何学的な配置に合わせて描かれてい
る。
S L (Transversal S ignal
L ine )方式の感度可変機能が付加された固体撮
像装置の一実施例の要部回路図が示されている。同図の
各回路素子は、公知の半導体集積回路の製造技術によっ
て、特に制限されないが、単結晶シリンコンのような1
個の半導体基板上において形成される。同図の主要なブ
ロックは、実際の幾何学的な配置に合わせて描かれてい
る。
画素アレイPDは、4行、2列分が代表として例示的に
示されている。但し、図面が複雑化されてしまうのを防
ぐために、上記4行分のうち、2行分の画素セルに対し
てのみ回路記号が付加されている。1つの画素セルは、
フォトダイオードD1と垂直走査線VLIにそのゲート
が結合されたスイッチMO3FETQIと、水平走査線
HLIにそのゲートが結合されたスイッチMO3FET
Q2の直列回路から構成される。上記フォトダイオード
D1及びスイッチMO3FETQI、Q2からなる画素
セルと同じ行(水平方向)に配置される他の同様な画素
セル(D2.Q3.Q4)等の出力ノードは、同図にお
いて横方向に延長される水平信号線H3Iに結合される
。他の行についても上記同様な画素セルが同様に結合さ
れる。
示されている。但し、図面が複雑化されてしまうのを防
ぐために、上記4行分のうち、2行分の画素セルに対し
てのみ回路記号が付加されている。1つの画素セルは、
フォトダイオードD1と垂直走査線VLIにそのゲート
が結合されたスイッチMO3FETQIと、水平走査線
HLIにそのゲートが結合されたスイッチMO3FET
Q2の直列回路から構成される。上記フォトダイオード
D1及びスイッチMO3FETQI、Q2からなる画素
セルと同じ行(水平方向)に配置される他の同様な画素
セル(D2.Q3.Q4)等の出力ノードは、同図にお
いて横方向に延長される水平信号線H3Iに結合される
。他の行についても上記同様な画素セルが同様に結合さ
れる。
例示的に示されている水平走査線HLIは、同図におい
て縦方向に延長され、同じ列に配置される画素セルのス
イッチMO3FETQ2.Q6等のゲートに共通に結合
される。他の列に配置される画素セルも上記同様に対応
する水平走査線HL2等に結合される。
て縦方向に延長され、同じ列に配置される画素セルのス
イッチMO3FETQ2.Q6等のゲートに共通に結合
される。他の列に配置される画素セルも上記同様に対応
する水平走査線HL2等に結合される。
この実施例では、固体撮像装置に対して実質的な自動絞
り機能を付加するため、言い換えるならば、フォトダイ
オードに対する実質的な蓄積時間を可変にするため、上
記画素アレイを構成する水平信号線H3IないしH34
等の両端に、それぞれス(フチMOS F E’T’Q
B、Q9及びQ26、Q28が設けられる。右端側に
配置される上記スイyチMOSFETQ8、Q9は、上
記水平信号XH3I、H32をそれぞれ縦方向に延長さ
れる出力線VSに結合させる。この出力線VSは、端子
Sに結合され、この端子Sを介して外部に設けられるプ
リアンプの入力に読み出し信号が伝えられる。また、左
端側に配置される上記スイッチMO3FETQ26、Q
2Bは、上記水平信号線H31,HS2をそれぞれ縦方
向に延長されるダミー(リセット)出力線DVSに結合
させる。この出力″IIADVSは、特に制限されない
が、端子RVに結合され、必要なら上記ダミー出力線D
VSの信号を外部に送出できるようにしている。
り機能を付加するため、言い換えるならば、フォトダイ
オードに対する実質的な蓄積時間を可変にするため、上
記画素アレイを構成する水平信号線H3IないしH34
等の両端に、それぞれス(フチMOS F E’T’Q
B、Q9及びQ26、Q28が設けられる。右端側に
配置される上記スイyチMOSFETQ8、Q9は、上
記水平信号XH3I、H32をそれぞれ縦方向に延長さ
れる出力線VSに結合させる。この出力線VSは、端子
Sに結合され、この端子Sを介して外部に設けられるプ
リアンプの入力に読み出し信号が伝えられる。また、左
端側に配置される上記スイッチMO3FETQ26、Q
2Bは、上記水平信号線H31,HS2をそれぞれ縦方
向に延長されるダミー(リセット)出力線DVSに結合
させる。この出力″IIADVSは、特に制限されない
が、端子RVに結合され、必要なら上記ダミー出力線D
VSの信号を外部に送出できるようにしている。
この実施例では、特に制限されないが、上記各行の水平
信号線H3IないしH34には、端子RPから水平帰線
期間において供給されるリセット信号によってオン状態
にされるスイッチMO3FETQ27、Q29等が設け
られる。これらのMO3FETQ27、Q29等のオン
状態によって、上記ダミー出力線RVから一定のバイア
ス電圧が各水平信号[H51ないしH34に与えられる
。
信号線H3IないしH34には、端子RPから水平帰線
期間において供給されるリセット信号によってオン状態
にされるスイッチMO3FETQ27、Q29等が設け
られる。これらのMO3FETQ27、Q29等のオン
状態によって、上記ダミー出力線RVから一定のバイア
ス電圧が各水平信号[H51ないしH34に与えられる
。
上記のようなリセット用MO3FETQ27、Q29等
が設けられる理由は、次の通りである。上記水平信号線
)(Stないし)(S4に結合されるスイッチMOS
F ETのドレイン等の半導体領域も感光性を持つこと
があり、このような寄生フォトダイオードにより形成さ
れる偽信号(スメア、プルーミング)が、非選択時にフ
ローティング状態にされる水平信号線に蓄積される。そ
こでこの実施例では、上述のように水平帰線期間を利用
して、全ての水平信号′IaH31ないしH34を所定
のバイアス電圧VBにリセットするものである。これに
より、選択される水平信号線に関しては、常に上記偽信
号をリセットした状態から画素信号を取り出すものであ
るため、出力される画像信号に含まれる偽信号を大幅に
低減できる。なお、上記偽信号(スメア、プルーミング
)に関しては、例えば、特開昭57−17276号公報
に詳細に述べられている。
が設けられる理由は、次の通りである。上記水平信号線
)(Stないし)(S4に結合されるスイッチMOS
F ETのドレイン等の半導体領域も感光性を持つこと
があり、このような寄生フォトダイオードにより形成さ
れる偽信号(スメア、プルーミング)が、非選択時にフ
ローティング状態にされる水平信号線に蓄積される。そ
こでこの実施例では、上述のように水平帰線期間を利用
して、全ての水平信号′IaH31ないしH34を所定
のバイアス電圧VBにリセットするものである。これに
より、選択される水平信号線に関しては、常に上記偽信
号をリセットした状態から画素信号を取り出すものであ
るため、出力される画像信号に含まれる偽信号を大幅に
低減できる。なお、上記偽信号(スメア、プルーミング
)に関しては、例えば、特開昭57−17276号公報
に詳細に述べられている。
上記水平走査線HLIないしHL2等には、水平シフト
レジスタH3Rにより形成された水平走査信号が供給さ
れる。
レジスタH3Rにより形成された水平走査信号が供給さ
れる。
上記画素アレイPDにおける垂直選択動作(水平走査動
作)を行う走査回路は、次の各回路により構成される。
作)を行う走査回路は、次の各回路により構成される。
この実施例では、上記画素アレイPDの水平信号線HS
IないしH34等の両端に、一対のスイッチMOSFE
1’Q8、Q9等及びスイッチMO3FETQ26、Q
28等が設けられることに対応して一対の走査回路が設
けられる。
IないしH34等の両端に、一対のスイッチMOSFE
1’Q8、Q9等及びスイッチMO3FETQ26、Q
28等が設けられることに対応して一対の走査回路が設
けられる。
この実施例では、産業用途にも適用可能とするため、イ
ンタレースモードの他に選択的な2行同時走査、ノンイ
ンクレースモードでの走査を可能にしている0画素アレ
イPDの右側には、次のような走査回路が設けられる。
ンタレースモードの他に選択的な2行同時走査、ノンイ
ンクレースモードでの走査を可能にしている0画素アレ
イPDの右側には、次のような走査回路が設けられる。
垂直シフトレジスタVSRは、読み出し用に用いられる
出力信号S■1、SV2等を形成する。これらの出力信
号SV1、SV2等は、インクレースゲート回路ITG
及び駆動回路VDを介して上記垂直走査線VLIないし
VL4及びスイ75− M OS F E T Q B
、 Q9等のゲートに供給される。
出力信号S■1、SV2等を形成する。これらの出力信
号SV1、SV2等は、インクレースゲート回路ITG
及び駆動回路VDを介して上記垂直走査線VLIないし
VL4及びスイ75− M OS F E T Q B
、 Q9等のゲートに供給される。
上記インクレースゲート回路ITGは、インタレースモ
ードでの垂直選択動作(水平走査動作)を行うため、第
1 (奇数)フィールドでは、垂直走査線VLIないし
VL4には、隣接する垂直走査線VLI、VL2とVL
3の組み合わせで同時選択される。すなわち、奇数フィ
ールド信号FAによって制御されるスイッチMO3FE
TQ18により、垂直シフトレジスタVSRの出力信号
SVlは、水平信号線)ISlを選択する垂直走査線V
LIに出力される。同様に、信号FAによって制御され
るスイッチMO3FETQ20とQ22によって、垂直
シフトレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号線
H32とH33を同時選択するよう垂直走査線VL2と
VL3に出力される。
ードでの垂直選択動作(水平走査動作)を行うため、第
1 (奇数)フィールドでは、垂直走査線VLIないし
VL4には、隣接する垂直走査線VLI、VL2とVL
3の組み合わせで同時選択される。すなわち、奇数フィ
ールド信号FAによって制御されるスイッチMO3FE
TQ18により、垂直シフトレジスタVSRの出力信号
SVlは、水平信号線)ISlを選択する垂直走査線V
LIに出力される。同様に、信号FAによって制御され
るスイッチMO3FETQ20とQ22によって、垂直
シフトレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号線
H32とH33を同時選択するよう垂直走査線VL2と
VL3に出力される。
以下同様な順序の組み合わせからなる一対の水平信号線
の選択信号が形成される。
の選択信号が形成される。
また、第2(偶数)フィールドでは、垂直走査線VLI
ないしVL4には、隣接する垂直走査線VLIとVL2
及びVL3とVL4(7)組み合わせで同時選択される
。すなわち、偶数フィールド信号FBによって制御され
るスイッチMOS F ETQ19とQ21により、垂
直シフトレジスタ■SRの出力信号SV1は、水平信号
線H3IとH32を選択する垂直走査線VLIとVL2
に出力される。同様に、信号FBによって制御されるス
イッチMO3FETQ23とQ25によって、垂直シフ
トレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号線HS
3とH34を同時選択するよう垂直走査1VL3とVL
4に出力される。以下同様な順序の組み合わせからなる
一対の水平信号線の選択信号が形成される。
ないしVL4には、隣接する垂直走査線VLIとVL2
及びVL3とVL4(7)組み合わせで同時選択される
。すなわち、偶数フィールド信号FBによって制御され
るスイッチMOS F ETQ19とQ21により、垂
直シフトレジスタ■SRの出力信号SV1は、水平信号
線H3IとH32を選択する垂直走査線VLIとVL2
に出力される。同様に、信号FBによって制御されるス
イッチMO3FETQ23とQ25によって、垂直シフ
トレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号線HS
3とH34を同時選択するよう垂直走査1VL3とVL
4に出力される。以下同様な順序の組み合わせからなる
一対の水平信号線の選択信号が形成される。
上記のようなインタレースゲート回路ITGと、次の駆
動回路DVとによって、以下に説明するような複数種類
の水平走査動作が実現される。
動回路DVとによって、以下に説明するような複数種類
の水平走査動作が実現される。
上記1つの垂直走査4iVL1に対応されたインクレー
スゲート回路ITGからの出力信号は、スイッチMO3
FETQ14とQ15のゲートに供給される。これらの
スイッチMO3FE’l”Q14とQ15の共通化され
たドレイン電極は、端子V3に結合される。上記スイッ
チMOS F ETQ 14は、端子V3から供給され
る信号を上記垂直走査線VLIに供給する。また、スイ
ッチMO3FETQ15は、上記端子v3から供給され
る信号を水平信号!H3Iを出力線VSに結合ささるス
イッチMO3FETQ8のゲートに供給される。
スゲート回路ITGからの出力信号は、スイッチMO3
FETQ14とQ15のゲートに供給される。これらの
スイッチMO3FE’l”Q14とQ15の共通化され
たドレイン電極は、端子V3に結合される。上記スイッ
チMOS F ETQ 14は、端子V3から供給され
る信号を上記垂直走査線VLIに供給する。また、スイ
ッチMO3FETQ15は、上記端子v3から供給され
る信号を水平信号!H3Iを出力線VSに結合ささるス
イッチMO3FETQ8のゲートに供給される。
また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3FETQ
14、Q15によるしきい値電圧分だけ低下してしまう
のを防止するため、特に制限されないが、MO3FET
Q14のゲートと、MO3FETQ15の出力側(ソー
ス側)との間にキャパシタC1が設けられる。これによ
って、インタレースゲート回路ITGからの出力信号が
ハイレベルにされるとき、端子v3の電位をロウレベル
にしておいてキャパシタC1にプリチャージを行う。
14、Q15によるしきい値電圧分だけ低下してしまう
のを防止するため、特に制限されないが、MO3FET
Q14のゲートと、MO3FETQ15の出力側(ソー
ス側)との間にキャパシタC1が設けられる。これによ
って、インタレースゲート回路ITGからの出力信号が
ハイレベルにされるとき、端子v3の電位をロウレベル
にしておいてキャパシタC1にプリチャージを行う。
この後、端子v3の電位をハイレベルにすると、キャパ
シタCIによるプートストランプ作用によッテ上記MO
3FETQI 4及びQ15のゲート電圧を昇圧させる
ことができる。
シタCIによるプートストランプ作用によッテ上記MO
3FETQI 4及びQ15のゲート電圧を昇圧させる
ことができる。
上記垂直走査線VLIに隣接する垂直走査線■L2に対
応されたインクレースゲート回路ITGからの出力信号
は、スイッチMO3FETQI 6とQ17のゲートに
供給される。これらのスイッチMO3FETQI 6と
Q17の共通化されたドレイン電極は、端子■4に結合
される。上記スイッチMO3FETQI 6は、端子v
4から供給される信号を上記垂直走査線VL2に供給す
る。また、スイッチMO3FETQ17は、上記端子■
4から供給される信号を水平信号線H32を出力線■S
に結合ささるスイッチMO3FETQ9のゲートに供給
される。また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3
FETQ16、Q17によるしきい値電圧分だけ低下し
てしまうのを防止するため、特に制限されないが、MO
3FETQ16のゲートと、MO3FETQI 7の出
力側(ソース側)との間にキャパシタC2が設けられる
。これによって、上記同様なタイミングで端子v4の電
位を変化させることによりキャパシタC2によるブート
ストラップ作用によって上記MO5FETQ16及びQ
16のゲート電圧を昇圧させることができる。
応されたインクレースゲート回路ITGからの出力信号
は、スイッチMO3FETQI 6とQ17のゲートに
供給される。これらのスイッチMO3FETQI 6と
Q17の共通化されたドレイン電極は、端子■4に結合
される。上記スイッチMO3FETQI 6は、端子v
4から供給される信号を上記垂直走査線VL2に供給す
る。また、スイッチMO3FETQ17は、上記端子■
4から供給される信号を水平信号線H32を出力線■S
に結合ささるスイッチMO3FETQ9のゲートに供給
される。また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3
FETQ16、Q17によるしきい値電圧分だけ低下し
てしまうのを防止するため、特に制限されないが、MO
3FETQ16のゲートと、MO3FETQI 7の出
力側(ソース側)との間にキャパシタC2が設けられる
。これによって、上記同様なタイミングで端子v4の電
位を変化させることによりキャパシタC2によるブート
ストラップ作用によって上記MO5FETQ16及びQ
16のゲート電圧を昇圧させることができる。
上記端子■3は、奇数番目の垂直走査線(水平信号線)
に対応した駆動用のスイッチMOSFETに対して共通
に設けられ、端子■4は偶数番目の垂直走査線(水平信
号線)に対して共通に設けられる。
に対応した駆動用のスイッチMOSFETに対して共通
に設けられ、端子■4は偶数番目の垂直走査線(水平信
号線)に対して共通に設けられる。
以上のことから理解されるように、端子v3とv4に択
一的にタイミング信号を供給すること及び上記インタレ
ースゲート回路ITGによる2行同時選択動作との組み
合わせによって、インタレースモードによる読み出し動
作が可能になる0例えば、奇数フィールドFAのとき、
端子v4をロウレベルにしておいて、端子v3に上記垂
直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査線(水平信号線)
をVLI (H3I) 、VL3 (H33)の順に選
択することができる。また、偶数フィールドFBのとき
、端子■3をロウレベルにしておいて、端子v4に上記
垂直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング
信号を供給することによって、垂直走査線(水平信号線
)をVL2(H32) 、VL4 (H34)の順に選
択することができる。
一的にタイミング信号を供給すること及び上記インタレ
ースゲート回路ITGによる2行同時選択動作との組み
合わせによって、インタレースモードによる読み出し動
作が可能になる0例えば、奇数フィールドFAのとき、
端子v4をロウレベルにしておいて、端子v3に上記垂
直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査線(水平信号線)
をVLI (H3I) 、VL3 (H33)の順に選
択することができる。また、偶数フィールドFBのとき
、端子■3をロウレベルにしておいて、端子v4に上記
垂直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング
信号を供給することによって、垂直走査線(水平信号線
)をVL2(H32) 、VL4 (H34)の順に選
択することができる。
一方、上記端子■3と■4を同時に上記同様にハイレベ
ルにすれば、上記インタレースゲート回路ITGからの
出力信号に応じて、2行同時走査を行うことができる。
ルにすれば、上記インタレースゲート回路ITGからの
出力信号に応じて、2行同時走査を行うことができる。
この場合、上記のように2つのフィールド信号FAとF
Bによる2つの画面毎に出力される2つの行の組み合わ
せが1行分上下にシフトされるることにより、空間的重
心の上下シフト、言い換えるならば、等価的なインタレ
ースモードが実現される。
Bによる2つの画面毎に出力される2つの行の組み合わ
せが1行分上下にシフトされるることにより、空間的重
心の上下シフト、言い換えるならば、等価的なインタレ
ースモードが実現される。
さらに、例えばFB信号のみをハイレベルにして、1つ
の垂直走査タイミングで、水平シフトレジスタH3Rを
2回動作させて、それに同期して端子v3とV4をハイ
レベルにさせることによって、VLl、VL2.VL3
.VL4の順のようにノンインタレースモードでの選択
動作を実現できる。この場合、より高画質とするために
、水平シフトレジスタH5R及び垂直シフトレジスタ■
SRに供給されるクロックが2倍の周波数にされること
が望ましい、すなわち、端子H1とH2及び端子V1と
■2から水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジ
スタVSRに供給されるクロック信号の周波数を2倍の
高い周波数にすることによって、1秒間に60枚の画像
をノンインタレース方式により読み出すことができる。
の垂直走査タイミングで、水平シフトレジスタH3Rを
2回動作させて、それに同期して端子v3とV4をハイ
レベルにさせることによって、VLl、VL2.VL3
.VL4の順のようにノンインタレースモードでの選択
動作を実現できる。この場合、より高画質とするために
、水平シフトレジスタH5R及び垂直シフトレジスタ■
SRに供給されるクロックが2倍の周波数にされること
が望ましい、すなわち、端子H1とH2及び端子V1と
■2から水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジ
スタVSRに供給されるクロック信号の周波数を2倍の
高い周波数にすることによって、1秒間に60枚の画像
をノンインタレース方式により読み出すことができる。
なお、端子HIN及びVINは、上記シフトレジスタH
3R,VSRによってそれぞれシフトされる入力信号を
供給する端子であり、人力信号が供給された時点からシ
フト動作が開始される。このため、上記インクレースゲ
ート回路ITG及び入力端子■3、■4に供給される入
力信号の組み合わせによって、上記2行同時読み出し、
インクレース走査、ノンインタレース走査等を行う場合
には、出力信号の垂直方向の上下関係が逆転せぬよう、
上記シフトレジスタVSRの入力信号の供給の際に、タ
イミング的な配慮が必要である。
3R,VSRによってそれぞれシフトされる入力信号を
供給する端子であり、人力信号が供給された時点からシ
フト動作が開始される。このため、上記インクレースゲ
ート回路ITG及び入力端子■3、■4に供給される入
力信号の組み合わせによって、上記2行同時読み出し、
インクレース走査、ノンインタレース走査等を行う場合
には、出力信号の垂直方向の上下関係が逆転せぬよう、
上記シフトレジスタVSRの入力信号の供給の際に、タ
イミング的な配慮が必要である。
また、上記各垂直走査線VLI及びそれに対応したスイ
ッチMO3FETQ8のゲートと回路の接地電位点との
間には、リセット用MOS F ETQIOとQllが
設けられる。これらのリセット用MO3FETQI O
とQllは、他の垂直走査線及びスイッチMO3FET
に対応して設けられるリセット用MOS F ETと共
通に端子v2から供給されるクロック信号を受けて、上
記選択状態の垂直走査線及びスイッチMO3FETのゲ
ート電位を高速にロウレベルに引き抜くものである。
ッチMO3FETQ8のゲートと回路の接地電位点との
間には、リセット用MOS F ETQIOとQllが
設けられる。これらのリセット用MO3FETQI O
とQllは、他の垂直走査線及びスイッチMO3FET
に対応して設けられるリセット用MOS F ETと共
通に端子v2から供給されるクロック信号を受けて、上
記選択状態の垂直走査線及びスイッチMO3FETのゲ
ート電位を高速にロウレベルに引き抜くものである。
この実施例では、前述のように感度可変機能を付加する
ために、感度制御用の垂直シフトレジスタV S RE
、インクレースゲート回路ITGE及び駆動回路DVE
が設けられる。これらの感度制御用の各回路は、特に制
限されないが、上記画素アレイPDに対して、左側に配
置される。これらの垂直シフトレジスタV S RE、
インクレースゲート回路ITG及び駆動回路DVEは、
上記読み出し用の垂直シフトレジスタVSR、インタレ
ースゲート回路ITG及び駆動回路DVと同様な回路に
より構成される。端子VIEないしV4E及びVINE
並びにFAE、ABEからそれぞれ上記同様なタイミン
グ信号が供給される。この場合、上記読み出し用の垂直
シフトレジスタVSRと上記感度可変用の垂直シフトレ
ジスタVSREとを同期したタイミングでのシフト動作
を行わせるため、特に制限されないが、端子VIEとv
l及びV2Eとv2には、同じクロック信号が供給され
る。したがって、上記端子VIEと■1及びv2Eと■
2とは、内部回路により共通化するものであってもよい
、上記のように独自の端子VIE及びV2Eを設けた理
由は、この固体撮像装置を手動絞りや従来の機械的絞り
機能を持つテレビジョンカメラに適用可能にするための
ものである。このように感度可変動作を行わない場合、
上記端子VIB及びV2Eを回路の接地電位のようなロ
ウレベルにすること等によって、上記垂直シフトレジス
タVSREの無駄な消費電力の発生をおされるよう配慮
されている。
ために、感度制御用の垂直シフトレジスタV S RE
、インクレースゲート回路ITGE及び駆動回路DVE
が設けられる。これらの感度制御用の各回路は、特に制
限されないが、上記画素アレイPDに対して、左側に配
置される。これらの垂直シフトレジスタV S RE、
インクレースゲート回路ITG及び駆動回路DVEは、
上記読み出し用の垂直シフトレジスタVSR、インタレ
ースゲート回路ITG及び駆動回路DVと同様な回路に
より構成される。端子VIEないしV4E及びVINE
並びにFAE、ABEからそれぞれ上記同様なタイミン
グ信号が供給される。この場合、上記読み出し用の垂直
シフトレジスタVSRと上記感度可変用の垂直シフトレ
ジスタVSREとを同期したタイミングでのシフト動作
を行わせるため、特に制限されないが、端子VIEとv
l及びV2Eとv2には、同じクロック信号が供給され
る。したがって、上記端子VIEと■1及びv2Eと■
2とは、内部回路により共通化するものであってもよい
、上記のように独自の端子VIE及びV2Eを設けた理
由は、この固体撮像装置を手動絞りや従来の機械的絞り
機能を持つテレビジョンカメラに適用可能にするための
ものである。このように感度可変動作を行わない場合、
上記端子VIB及びV2Eを回路の接地電位のようなロ
ウレベルにすること等によって、上記垂直シフトレジス
タVSREの無駄な消費電力の発生をおされるよう配慮
されている。
次に、この実施例の固体撮像装置における感度制御動作
を説明する。
を説明する。
説明を階単にするために、上記ノンインタレースモード
による垂直走査動作を例にして、以下説明する0例えば
、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、インクレ
ースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEによって、
読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,インタレース
ゲート回路lTG及び駆動回路DVによる第1行目(垂
直走査!%*VL1.水平信号線H3I)の読み出しに
並行して、第4行目(垂直走査線VL4、水平信号線H
S4)の選択動作を行わせる。これによって、水平シフ
トレジスタH3Rにより形成される水平走査線HL1.
HL2等の選択動作に同期して、出力信号線■Sには第
1行目におけるフォトダイオードD1、D2等に蓄積さ
れた光信号が時系列的に読み出される。この読み出し動
作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号に対応し
た電流の供給によって行われ、読み出し動作と同時にプ
リチャージ(リセット)動作が行われる。同様な動作が
、第4行目におけるフォトダイオードにおいても行われ
る。この場合、上記のような感度可変用の走査回路(V
SRE、ITGE、DVE)によって、第4行目の読み
出し動作は、ダミー出力線DVSに対して行われる。感
度制御動作のみを行う場合、端子RVには端子Sと同じ
バイアス電圧が与えられている。これによって、第4行
目の各画素セルに既に蓄積された光信号の掃き出し、言
い換えるならば、リセット動作が行われる。
による垂直走査動作を例にして、以下説明する0例えば
、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、インクレ
ースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEによって、
読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,インタレース
ゲート回路lTG及び駆動回路DVによる第1行目(垂
直走査!%*VL1.水平信号線H3I)の読み出しに
並行して、第4行目(垂直走査線VL4、水平信号線H
S4)の選択動作を行わせる。これによって、水平シフ
トレジスタH3Rにより形成される水平走査線HL1.
HL2等の選択動作に同期して、出力信号線■Sには第
1行目におけるフォトダイオードD1、D2等に蓄積さ
れた光信号が時系列的に読み出される。この読み出し動
作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号に対応し
た電流の供給によって行われ、読み出し動作と同時にプ
リチャージ(リセット)動作が行われる。同様な動作が
、第4行目におけるフォトダイオードにおいても行われ
る。この場合、上記のような感度可変用の走査回路(V
SRE、ITGE、DVE)によって、第4行目の読み
出し動作は、ダミー出力線DVSに対して行われる。感
度制御動作のみを行う場合、端子RVには端子Sと同じ
バイアス電圧が与えられている。これによって、第4行
目の各画素セルに既に蓄積された光信号の掃き出し、言
い換えるならば、リセット動作が行われる。
したがって、上記垂直走査動作によって、読み出し用の
垂直シフトレジスタVSR,インタレースゲート回路I
TG及び駆動回路DVによる第4行目(垂直走査線VL
4、水平信号線HS4)の読み出し動作は、上記第1行
ないし第3行の読み出し動作の後に行われるから、第4
行目に配置される画素セルのフォトダイオードの蓄積時
間は、3行分の画素セルの読み出し時間となる。
垂直シフトレジスタVSR,インタレースゲート回路I
TG及び駆動回路DVによる第4行目(垂直走査線VL
4、水平信号線HS4)の読み出し動作は、上記第1行
ないし第3行の読み出し動作の後に行われるから、第4
行目に配置される画素セルのフォトダイオードの蓄積時
間は、3行分の画素セルの読み出し時間となる。
上記に代えて、感度制御用の垂直シフトレジスタVSR
E、インタレースゲート回路ITGE及び駆動回路DY
Eによって、読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,
インタレースゲート回路ITG及び駆動回路DVによる
第1行目(垂直走査線vL1、水平信号線H31)の読
み出しに並行して、第2行目(垂直走査線VL2、水平
信号線H32)の選択動作を行わせる。これによって、
水平シフトレジスタH3Rにより形成される水平走査線
HLI、HL2等の選択動作に同期して、出力信号線■
Sには第1行目におけるフォトダイオードDI、D2等
に蓄積された光信号が時系列的に読み出される。この読
み出し動作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号
に対応した電流の供給によって行われ、読み出し動作と
同時にプリチャージ(リセット)動作が行われる。同様
な動作が、第2行目におけるフォトダイオードD3、D
4等においても行われる。これによって、上記第1行目
の読み出し動作と並行して第2行目の各画素セルに既に
蓄積された光信号の掃き出し動作が行われる。したがっ
て、上記垂直走査動作によって、読み出し用の垂直シフ
トレジスタVSR。
E、インタレースゲート回路ITGE及び駆動回路DY
Eによって、読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,
インタレースゲート回路ITG及び駆動回路DVによる
第1行目(垂直走査線vL1、水平信号線H31)の読
み出しに並行して、第2行目(垂直走査線VL2、水平
信号線H32)の選択動作を行わせる。これによって、
水平シフトレジスタH3Rにより形成される水平走査線
HLI、HL2等の選択動作に同期して、出力信号線■
Sには第1行目におけるフォトダイオードDI、D2等
に蓄積された光信号が時系列的に読み出される。この読
み出し動作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号
に対応した電流の供給によって行われ、読み出し動作と
同時にプリチャージ(リセット)動作が行われる。同様
な動作が、第2行目におけるフォトダイオードD3、D
4等においても行われる。これによって、上記第1行目
の読み出し動作と並行して第2行目の各画素セルに既に
蓄積された光信号の掃き出し動作が行われる。したがっ
て、上記垂直走査動作によって、読み出し用の垂直シフ
トレジスタVSR。
インタレースゲート回路ITG及び駆動回路DVによる
第2行目(垂直走査vAV L 2、水平信号線H32
)の読み出し動作は、上記第1行の読み出し動作の後に
行われるから、第2行目に配置される画素セルのフォト
ダイオードの蓄積時間は、1行分の画素セルの読み出し
時間となる。これによって、上記の場合に比べて、フォ
トダイオードの実質的な蓄積時間を1/3に減少させる
こと、言い換えるならば、感度を1/3に低くできる。
第2行目(垂直走査vAV L 2、水平信号線H32
)の読み出し動作は、上記第1行の読み出し動作の後に
行われるから、第2行目に配置される画素セルのフォト
ダイオードの蓄積時間は、1行分の画素セルの読み出し
時間となる。これによって、上記の場合に比べて、フォ
トダイオードの実質的な蓄積時間を1/3に減少させる
こと、言い換えるならば、感度を1/3に低くできる。
上述のように、感度制御用の走査回路によって行われる
先行する垂直走査動作によってその行の画素セルがリセ
ットされるから、そのリセット動作から上記技み出し用
の走査回路による実際な読み出しが行われるまでの時間
が、フォトダイオードに対する蓄積時間とされる。した
がって、525行からなる画素アレイにあっては、上記
両垂直走査回路による異なるアドレス指定と共通の水平
走査回路による画素セルの選択動作によって、1行分の
読み出し時間を単位(Mk小)として最大525までの
多段階にわたる蓄積時間、言い換えるならば、525段
階にわたる感度の設定を行うことができる。ただし、受
光面照度の変化が、上記1画面を構成する走査時間に対
して無視でき、実質的に一定の光がフォトダイオードに
入射しているものとする。なお、最大感度(525)は
、上記感度制御用の走査回路は非動作状態のときに得ら
れる。
先行する垂直走査動作によってその行の画素セルがリセ
ットされるから、そのリセット動作から上記技み出し用
の走査回路による実際な読み出しが行われるまでの時間
が、フォトダイオードに対する蓄積時間とされる。した
がって、525行からなる画素アレイにあっては、上記
両垂直走査回路による異なるアドレス指定と共通の水平
走査回路による画素セルの選択動作によって、1行分の
読み出し時間を単位(Mk小)として最大525までの
多段階にわたる蓄積時間、言い換えるならば、525段
階にわたる感度の設定を行うことができる。ただし、受
光面照度の変化が、上記1画面を構成する走査時間に対
して無視でき、実質的に一定の光がフォトダイオードに
入射しているものとする。なお、最大感度(525)は
、上記感度制御用の走査回路は非動作状態のときに得ら
れる。
第2図には、上記固体撮像装置を用いた、自動絞り機能
を持つ撮像装置の一実施例のブロック図が示されている
。
を持つ撮像装置の一実施例のブロック図が示されている
。
固体邊像装置MIDは、上記第1図に示したような感度
可変機能を持つものである。この固体損傷装置1M I
Dから出力される読み出し信号は、プリアンプによっ
て増幅される。この増幅信号Voutは、一方において
図示しない信号処理回路に供給され、例えばテレビジョ
ン用の画像信号とされる。上記増幅信号Voutは、他
方において自動絞り制御用に利用される。すなわら、上
記増幅信号Voutは、ロウパスフィルタLPFに供給
され、その平均的な信号レベルに変換される。この信号
は、特に制限されないが、検波回路DETに供給され、
ここで直流信号化される。感度制御回路は、上記検波回
路DETの出力信号を受けて、所望の絞り量とを比較し
て、量適絞り量に対応した制御信号を形成する。すなわ
ち、感度制御回路は、固体過像装置M I Dに前述の
ような走査タイミングを制御するクロック信号を供給す
る駆動回路からの信号VIN、及び■1等を受けて、固
体逼像装置MIDの読み出しタイミングを参照して、そ
れに実質的に先行する信号VINEを形成する。すなわ
ち、上記タイミング信号VINを基準にして、必要な絞
り11(感度)に対応した先行するタイミング信号VI
NEを形成するものであるため、実際には上記タイミン
グ信号VINに遅れて信号VINEが形成される。しか
しながら、操り返し走査が行われるため、上記信号VI
NEからみると、次の画面の走査では信号VINが遅れ
るものとされる。すなわち、タイミング信号VINに対
して1行分遅れてタイミング信号VINEを発生すると
、次の走査画面では、タイミング信号VINEは、タイ
ミング信号VINに対して524行分先行するタイミン
グ信号とみなされる。上記タイミング信号VIN及びV
INEによって、各垂直シフトレジスタVSR及びVS
REのシフト動作が開始されるから、前述のような感度
可変動作が行われる。
可変機能を持つものである。この固体損傷装置1M I
Dから出力される読み出し信号は、プリアンプによっ
て増幅される。この増幅信号Voutは、一方において
図示しない信号処理回路に供給され、例えばテレビジョ
ン用の画像信号とされる。上記増幅信号Voutは、他
方において自動絞り制御用に利用される。すなわら、上
記増幅信号Voutは、ロウパスフィルタLPFに供給
され、その平均的な信号レベルに変換される。この信号
は、特に制限されないが、検波回路DETに供給され、
ここで直流信号化される。感度制御回路は、上記検波回
路DETの出力信号を受けて、所望の絞り量とを比較し
て、量適絞り量に対応した制御信号を形成する。すなわ
ち、感度制御回路は、固体過像装置M I Dに前述の
ような走査タイミングを制御するクロック信号を供給す
る駆動回路からの信号VIN、及び■1等を受けて、固
体逼像装置MIDの読み出しタイミングを参照して、そ
れに実質的に先行する信号VINEを形成する。すなわ
ち、上記タイミング信号VINを基準にして、必要な絞
り11(感度)に対応した先行するタイミング信号VI
NEを形成するものであるため、実際には上記タイミン
グ信号VINに遅れて信号VINEが形成される。しか
しながら、操り返し走査が行われるため、上記信号VI
NEからみると、次の画面の走査では信号VINが遅れ
るものとされる。すなわち、タイミング信号VINに対
して1行分遅れてタイミング信号VINEを発生すると
、次の走査画面では、タイミング信号VINEは、タイ
ミング信号VINに対して524行分先行するタイミン
グ信号とみなされる。上記タイミング信号VIN及びV
INEによって、各垂直シフトレジスタVSR及びVS
REのシフト動作が開始されるから、前述のような感度
可変動作が行われる。
感度制御回路は、例えば電圧比較回路によって所望の絞
り量に相当する基準電圧と、上記検波回路DETからの
出力電圧とを比較して、その大小に応じて、1段階づつ
絞り量を変化させる。または、応答性を高くするために
、上記525段階の絞り量を2値化信号に対応させてお
いて、その最上位ビットから上記電圧比較回路の出力信
号に応じて決定する0例えば、約1/2の絞り量(感度
256)を基準にして、検波回路DETの信号が基¥、
を圧より大きいときにはL/4(感度128)に、小さ
いときには3/4(感度384)とし、以下、それぞれ
の半分づつの絞り量を決定する。これによって、感度5
25段階の中から1つの最適絞り量を10回の設定動作
によって得ることができる。上記絞り¥の設定動作、言
い換えるならば、感度制御用の垂直シフトレジスタVS
REの初期設定動作(VINE)を垂直帰線期間におい
て行うものとすると、10枚分の画面からの読み出し信
号動作に応じて最適絞り量の設定を行うことができる。
り量に相当する基準電圧と、上記検波回路DETからの
出力電圧とを比較して、その大小に応じて、1段階づつ
絞り量を変化させる。または、応答性を高くするために
、上記525段階の絞り量を2値化信号に対応させてお
いて、その最上位ビットから上記電圧比較回路の出力信
号に応じて決定する0例えば、約1/2の絞り量(感度
256)を基準にして、検波回路DETの信号が基¥、
を圧より大きいときにはL/4(感度128)に、小さ
いときには3/4(感度384)とし、以下、それぞれ
の半分づつの絞り量を決定する。これによって、感度5
25段階の中から1つの最適絞り量を10回の設定動作
によって得ることができる。上記絞り¥の設定動作、言
い換えるならば、感度制御用の垂直シフトレジスタVS
REの初期設定動作(VINE)を垂直帰線期間におい
て行うものとすると、10枚分の画面からの読み出し信
号動作に応じて最適絞り量の設定を行うことができる。
この実施例の撮像装置では、感度可変機能が固体撮像装
gM I Dに内戯されていること、及びその読み出し
出力信号のレベルを判定して、電気的に上記感度を制御
するものであるため、上記感度制御回路も半導体集積回
路等により構成できるから、装コの小型軽量化及び高耐
久性を図ることができる。
gM I Dに内戯されていること、及びその読み出し
出力信号のレベルを判定して、電気的に上記感度を制御
するものであるため、上記感度制御回路も半導体集積回
路等により構成できるから、装コの小型軽量化及び高耐
久性を図ることができる。
第3回には、上記感度制御回路に設けられる感度制御用
の信号発生回路の一実施例のブロック図が示されている
。
の信号発生回路の一実施例のブロック図が示されている
。
上記のように525段階の感度制御を行うためには、信
号VINに対して1ないし524行分にわたって位相が
異なるように設定できる信号VINEを形成することが
必要とされる。そして、上記のようにインタレースモー
ドにおける奇数フィールドと偶数フィールドに対応して
、それぞれ上記1ないし524行分にわたって位相が異
なるように設定できる信号VINBを形成することが必
要とされる。このため、10ビツトのバイナリ−カウン
タ回路が2つ必要になってし、すう。
号VINに対して1ないし524行分にわたって位相が
異なるように設定できる信号VINEを形成することが
必要とされる。そして、上記のようにインタレースモー
ドにおける奇数フィールドと偶数フィールドに対応して
、それぞれ上記1ないし524行分にわたって位相が異
なるように設定できる信号VINBを形成することが必
要とされる。このため、10ビツトのバイナリ−カウン
タ回路が2つ必要になってし、すう。
この実施例では、上記感度設定用のカウンタ回路を簡素
化するために、次の各回路が設けられる。
化するために、次の各回路が設けられる。
感度制御データDATAは、演算回路AUに供給される
。この演算回路AUは、上記指定された感度Xから26
3を減算する。この減算結果が負(X−263<0)な
ら制御信号Cをロウレベルにするとともに上記感度Xを
そのまま出力する。
。この演算回路AUは、上記指定された感度Xから26
3を減算する。この減算結果が負(X−263<0)な
ら制御信号Cをロウレベルにするとともに上記感度Xを
そのまま出力する。
また、このときには、感度制御用の奇数フィールド信号
FAEをハイレベルにする。一方、減算結果が正(X−
263≧0)なら、上記制御信号Cをハイレベルにする
ともとに、その減算結果(X−263)を出力する。ま
た、このときには感度制御用の偶数フィールド信号FB
Eをハイレベルにする。ダウンカウンタ回gDwct’
は、上記出力信号X又はX−263が初期値として入力
される。このダウンカウンタ回路D W CTは、9ビ
ツトのカウンタ回路からなり、上記初期値に応じた計数
動作を行う。
FAEをハイレベルにする。一方、減算結果が正(X−
263≧0)なら、上記制御信号Cをハイレベルにする
ともとに、その減算結果(X−263)を出力する。ま
た、このときには感度制御用の偶数フィールド信号FB
Eをハイレベルにする。ダウンカウンタ回gDwct’
は、上記出力信号X又はX−263が初期値として入力
される。このダウンカウンタ回路D W CTは、9ビ
ツトのカウンタ回路からなり、上記初期値に応じた計数
動作を行う。
上記制御信号Cはアンド(A N D )ゲート回路G
1に供給される。このアンドゲート回路G1の他方の入
力には、読み出し用の奇数フィールド信号FAが供給さ
れる。そして、このゲート回路Glの出力信号は、スイ
ッチSWの切り換えを指示する。すなわち、スイッチS
Wは、奇数フィールドFAのとき、上記減算結果が正な
ら同図に示すように接点す側に接続させる。これに応じ
て、信号VINを受ける遅延回路DLによって形成され
る1行分遅れた信号V I N’が上記ダウンカウンタ
回路DWCTに入力される。また、スイッチSWは、上
記制御信号Cがロウレベルか、又は偶数フィールドなら
接点a側に切り攪える。これに応じて、信号VINが上
記ダウンカウンタ回路DWCTに供給される。ダウンカ
ウンタ回路DWCTは、上記スイッチSWを通した信号
V I N’又はVINを受けて、垂直シフトレジスタ
VSRに供給されるクロック信号v1の計数動作を開始
する。
1に供給される。このアンドゲート回路G1の他方の入
力には、読み出し用の奇数フィールド信号FAが供給さ
れる。そして、このゲート回路Glの出力信号は、スイ
ッチSWの切り換えを指示する。すなわち、スイッチS
Wは、奇数フィールドFAのとき、上記減算結果が正な
ら同図に示すように接点す側に接続させる。これに応じ
て、信号VINを受ける遅延回路DLによって形成され
る1行分遅れた信号V I N’が上記ダウンカウンタ
回路DWCTに入力される。また、スイッチSWは、上
記制御信号Cがロウレベルか、又は偶数フィールドなら
接点a側に切り攪える。これに応じて、信号VINが上
記ダウンカウンタ回路DWCTに供給される。ダウンカ
ウンタ回路DWCTは、上記スイッチSWを通した信号
V I N’又はVINを受けて、垂直シフトレジスタ
VSRに供給されるクロック信号v1の計数動作を開始
する。
このダウンカウンタ回路DWCTの出力が零にされたタ
イミングで、上記感度制御用の信号VINEが発生され
る。これによって、10ピントからなるダウンカウンタ
回路DWCTにより、奇数及び偶数フィールドに対応し
た感度制御用のタイミング信号V T N Eを形成す
ることができる。
イミングで、上記感度制御用の信号VINEが発生され
る。これによって、10ピントからなるダウンカウンタ
回路DWCTにより、奇数及び偶数フィールドに対応し
た感度制御用のタイミング信号V T N Eを形成す
ることができる。
次に、第4図に示したタイミング図を参照して、上記第
3図に示したブロック図の感度設定動作を説明する。
3図に示したブロック図の感度設定動作を説明する。
例えば、感度Xを264に設定するとき、演算回路AU
は、264−263の減算結果(1)をダウンカンウタ
回路DWCTにプリセットする。また、偶数フィールド
FBEをハイレベルにして偶数フィールドに対応した感
度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信
号VINHの設定であることを指示する。すなわち、読
み出し用の奇数フィールド用の入力信号VINを用いて
偶数フィールドの感度設定を行うことを指示する。
は、264−263の減算結果(1)をダウンカンウタ
回路DWCTにプリセットする。また、偶数フィールド
FBEをハイレベルにして偶数フィールドに対応した感
度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信
号VINHの設定であることを指示する。すなわち、読
み出し用の奇数フィールド用の入力信号VINを用いて
偶数フィールドの感度設定を行うことを指示する。
上記読み出し用の奇数フィールドFAの信号によってス
イッチSWは接点す側に接続される。それ故、入力信号
VINを遅延回路DLによって1行分遅れた信号V I
N’が供給されたとき、ダウンカウンタ回路DWCT
は、その計数動作を開始する。したがって、出力信号V
INEは上記計数値1のダウン計数後、言い換えるなら
ば、人力信号VINに対して2行分遅れた発生される。
イッチSWは接点す側に接続される。それ故、入力信号
VINを遅延回路DLによって1行分遅れた信号V I
N’が供給されたとき、ダウンカウンタ回路DWCT
は、その計数動作を開始する。したがって、出力信号V
INEは上記計数値1のダウン計数後、言い換えるなら
ば、人力信号VINに対して2行分遅れた発生される。
この信号VINBは、上記のように偶数フィールドFB
已に対応したものであるので、それを基準にすると、読
み出し用の偶数フィールドFBの入力信号VINに対し
て263−2−261 (行)先行して感度I11御
用垂直シフトレジスタVSREがシフト動作を行うもの
となる。これによって、最初の1フレームにおける偶数
フィールドの読み出し動作に対して261 (525
−264)行分の走査時間に対応した蓄積時間(感度)
の設定が行われる。
已に対応したものであるので、それを基準にすると、読
み出し用の偶数フィールドFBの入力信号VINに対し
て263−2−261 (行)先行して感度I11御
用垂直シフトレジスタVSREがシフト動作を行うもの
となる。これによって、最初の1フレームにおける偶数
フィールドの読み出し動作に対して261 (525
−264)行分の走査時間に対応した蓄積時間(感度)
の設定が行われる。
また、次のフレームにおける奇数フィールドに対応して
演算回路AUは、2G4−263の減算結果(1)をダ
ウンカンウタ回路DWCTにプリセットする。偶数フィ
ールドでは信号FAのロウレベルによってスイッチSW
は接点a側に切り換えられる。それ故、ダウンカウンタ
回路DWCTは、入力信号VTNがそのまま供給された
とき、その計数動作を開始する。したがって、出力信号
VINBは入力信号VINを基準にして上記計数値1の
ダウン計数後、言い換えるならば、偶数フイールドに対
応した入力信号VINに対して1行分遅れて発生される
。この信号VINEを基準にすると、次のフレームにお
ける奇数フィールドFAの入力信号VINに対して26
2−1−261(行)先行して感度制御用垂直シフトレ
ジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわ
ち、上記同様に奇数フィールドの読み出し動作に対して
261 (525−264)行分の走査時間に対応し
た蓄積時間(感度)の設定が行われる。
演算回路AUは、2G4−263の減算結果(1)をダ
ウンカンウタ回路DWCTにプリセットする。偶数フィ
ールドでは信号FAのロウレベルによってスイッチSW
は接点a側に切り換えられる。それ故、ダウンカウンタ
回路DWCTは、入力信号VTNがそのまま供給された
とき、その計数動作を開始する。したがって、出力信号
VINBは入力信号VINを基準にして上記計数値1の
ダウン計数後、言い換えるならば、偶数フイールドに対
応した入力信号VINに対して1行分遅れて発生される
。この信号VINEを基準にすると、次のフレームにお
ける奇数フィールドFAの入力信号VINに対して26
2−1−261(行)先行して感度制御用垂直シフトレ
ジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわ
ち、上記同様に奇数フィールドの読み出し動作に対して
261 (525−264)行分の走査時間に対応し
た蓄積時間(感度)の設定が行われる。
これに対して、例えば感度Xを260に設定するとき、
演算回路AUは260−263の減算結果(−3)が負
であることに応じて、上記感度260をそのままダウン
カンウタ回路DWCTにプリセットする。また、奇数フ
ィールドFAEをハイレベルにして奇数フィールドに対
応した感度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対す
る入力信号VINBの設定であることを指示する。すな
わち、読み出し用の奇数フィールド用の入力信号VIN
を用いて次のフレームにおける奇数フィールドの感度設
定を行うことを指示する。さらに、上記制御信号Cがロ
ウレベルにされる。これによって、スイッチSWは接点
a側に接続される。それ故、入力信号VINが供給され
たとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、その計数動作
を開始する。したがって、出力信号VINEは上記計数
値260のダウン計数後、言い換えるならば、入力信号
VINに対して260行分遅れた発生される。
演算回路AUは260−263の減算結果(−3)が負
であることに応じて、上記感度260をそのままダウン
カンウタ回路DWCTにプリセットする。また、奇数フ
ィールドFAEをハイレベルにして奇数フィールドに対
応した感度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対す
る入力信号VINBの設定であることを指示する。すな
わち、読み出し用の奇数フィールド用の入力信号VIN
を用いて次のフレームにおける奇数フィールドの感度設
定を行うことを指示する。さらに、上記制御信号Cがロ
ウレベルにされる。これによって、スイッチSWは接点
a側に接続される。それ故、入力信号VINが供給され
たとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、その計数動作
を開始する。したがって、出力信号VINEは上記計数
値260のダウン計数後、言い換えるならば、入力信号
VINに対して260行分遅れた発生される。
この信号VINEを基準にして、次のフレームでの奇数
フィールドFAの入力信号VINに対して525−26
0−265 (行)先行して感度制御用垂直シフトレジ
スタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわち
、次のフレームにおける奇数フィールドの読み出し動作
に対して265行分の走査時間に対応した蓄積時間(感
度)の設定が行われる。
フィールドFAの入力信号VINに対して525−26
0−265 (行)先行して感度制御用垂直シフトレジ
スタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわち
、次のフレームにおける奇数フィールドの読み出し動作
に対して265行分の走査時間に対応した蓄積時間(感
度)の設定が行われる。
また、偶数フィールドに対応して演算回路AUは、上記
同様に感度260をそのままダウンカンウタ回路DWC
Tにプリセットする。また、偶数フィールドFBEをハ
イレベルにして偶数フィールドに対応した感度設定用の
垂直シフトレジスタVSREに対する入力信号VINE
の設定であることを指示する。すなわち、読み出し用の
偶数フィールド用の入力信号VINを用いて次のフレー
ムにおける偶数フィールドの感度設定を行うことを指示
する。以下の動作は、上記奇数フィールドでの感度設定
と同様であるので、その説明を省略する。
同様に感度260をそのままダウンカンウタ回路DWC
Tにプリセットする。また、偶数フィールドFBEをハ
イレベルにして偶数フィールドに対応した感度設定用の
垂直シフトレジスタVSREに対する入力信号VINE
の設定であることを指示する。すなわち、読み出し用の
偶数フィールド用の入力信号VINを用いて次のフレー
ムにおける偶数フィールドの感度設定を行うことを指示
する。以下の動作は、上記奇数フィールドでの感度設定
と同様であるので、その説明を省略する。
このように、上記設定感度Xと、実際の固体逼像装置M
IDの感度Yとは補数(Y−525−X)の関係にある
。
IDの感度Yとは補数(Y−525−X)の関係にある
。
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。
る。
(1)二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を
時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上記第
1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立
したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2
の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって第1の
走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査を行
わせることによって、上記2つの垂直走査の時間差に応
じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可能とな
るという効果が得られる。
時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上記第
1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立
したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2
の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって第1の
走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査を行
わせることによって、上記2つの垂直走査の時間差に応
じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可能とな
るという効果が得られる。
(2)上記+1)の固体連像装置の読み出し信号を平均
化して、所望の絞り量に相当する基準電圧との比較によ
り、上記感度可変用のタイミング信号を形成することに
よって、完全電子式の自動絞り機能を持つ描像装置を得
ることができるという効果が得られる。
化して、所望の絞り量に相当する基準電圧との比較によ
り、上記感度可変用のタイミング信号を形成することに
よって、完全電子式の自動絞り機能を持つ描像装置を得
ることができるという効果が得られる。
(3)上記(2)により、レンズに機械的な絞り機構を
用いることなく、電子回路による自動絞り機構を設ける
ことができる。これによって、自動絞り機能を持つテレ
ビジョンカメラの小型軽量化を図ることができるという
効果が得られる。
用いることなく、電子回路による自動絞り機構を設ける
ことができる。これによって、自動絞り機能を持つテレ
ビジョンカメラの小型軽量化を図ることができるという
効果が得られる。
(4)固体盪像装置の垂直方向の行数分に相当する多段
階にわたる感度制御(絞り制御)が可能になるため、自
動絞りの高品質の画像信号を得ることができるという効
果が得られる。
階にわたる感度制御(絞り制御)が可能になるため、自
動絞りの高品質の画像信号を得ることができるという効
果が得られる。
(5)感度動作を画面の1枚毎に高速に変化させること
ができるから、応答性の高い自動絞り制御が可能になる
という効果が得られる。
ができるから、応答性の高い自動絞り制御が可能になる
という効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、第1図の実施例
回路において、インタレースゲート回路や駆動回路は、
その走査方式に応じて種々の実施形態を採ることができ
る。また、水平期間期間を利用して、感度設定用の中間
走査動作を行うようにするものであってもよい。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、第1図の実施例
回路において、インタレースゲート回路や駆動回路は、
その走査方式に応じて種々の実施形態を採ることができ
る。また、水平期間期間を利用して、感度設定用の中間
走査動作を行うようにするものであってもよい。
また、自動絞り量を設定するため、読み出し信号を処理
するアナログ回路の構成は、上記単純に平均値を求める
ものの他、ピーク値を求めてそれとの混合によって絞り
量を設定する等積々の変形を採ることができる。
するアナログ回路の構成は、上記単純に平均値を求める
ものの他、ピーク値を求めてそれとの混合によって絞り
量を設定する等積々の変形を採ることができる。
この発明に係る撮像装置に用いられる固体撮像装置は、
上記MO3型固体撮像装置の他、例えばCOD (電荷
移送素子)を用いたものにも適用できる。すなわち、読
み出しが行われる行に対して先行する行におけるフォト
ダイオードの電荷を掃き出させるリセット回路を付加し
、このリセット回路を感度設定用の走査回路により動作
状態にして感度可変機能が付加されるものであってもよ
い。
上記MO3型固体撮像装置の他、例えばCOD (電荷
移送素子)を用いたものにも適用できる。すなわち、読
み出しが行われる行に対して先行する行におけるフォト
ダイオードの電荷を掃き出させるリセット回路を付加し
、このリセット回路を感度設定用の走査回路により動作
状態にして感度可変機能が付加されるものであってもよ
い。
この発明は、上記のように感度可変にされる固体撮像装
置を用いた撮像装置に広く利用できる。
置を用いた撮像装置に広く利用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの
信号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、
上記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレス
と独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行
う第2の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって
第1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走
査を行わせることによって、感度可変にされる固体撮像
装置の読み出し信号を平均化して、所望の絞り量に相当
する基準電圧との比較により、上記感度可変用のタイミ
ング信号を形成することによって、完全電子式の自動絞
り機能を持つ撮像装置を得ることができる。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの
信号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、
上記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレス
と独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行
う第2の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって
第1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走
査を行わせることによって、感度可変にされる固体撮像
装置の読み出し信号を平均化して、所望の絞り量に相当
する基準電圧との比較により、上記感度可変用のタイミ
ング信号を形成することによって、完全電子式の自動絞
り機能を持つ撮像装置を得ることができる。
第1図は、この発明に用いられる固体撮像装置の一実施
例を示す要因回路図、 第2図は、この発明に係る自動絞り機能を持っ撮像装置
の一実施例を示すブロック図、第3図は、その感度制御
回路に用いられる感度設定用の信号発生回路の一実施例
を示すブロック図、 第4図は、その動作の一例を説明するためのタイミング
図である。 PD・・画素アレイ、VSR・・読み出し用垂直シフト
レジスタ、ITG・・読み出し用インクレースゲート回
路、DV・・読み出し用駆動回路、VSRI!、・・感
度設定用垂直シフトレジスタ、ITGE・・感度設定用
インタレースゲート回路、DVE・・感度設定用駆動回
路、HS R・・水平シフトレジスタ、MID・・固体
撮像装置、LPF・・ロウパスフィルタ、DET・・検
波回路、AU・・演算回路、DWCT・・ダウンカウン
タ第 2 図 第3図
例を示す要因回路図、 第2図は、この発明に係る自動絞り機能を持っ撮像装置
の一実施例を示すブロック図、第3図は、その感度制御
回路に用いられる感度設定用の信号発生回路の一実施例
を示すブロック図、 第4図は、その動作の一例を説明するためのタイミング
図である。 PD・・画素アレイ、VSR・・読み出し用垂直シフト
レジスタ、ITG・・読み出し用インクレースゲート回
路、DV・・読み出し用駆動回路、VSRI!、・・感
度設定用垂直シフトレジスタ、ITGE・・感度設定用
インタレースゲート回路、DVE・・感度設定用駆動回
路、HS R・・水平シフトレジスタ、MID・・固体
撮像装置、LPF・・ロウパスフィルタ、DET・・検
波回路、AU・・演算回路、DWCT・・ダウンカウン
タ第 2 図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を時
系列的に出力さ甘る第1の走査回路と、上記第1の走査
回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立したアド
レスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2の走査回
路とを含む固体撮像装置と、上記固体撮像装置の読み出
し信号を受けて、所定の絞り量に対応した基準信号を参
照して上記第2走査回路のアドレス指定を行う感度制御
回路とを具備することを特徴とする撮像装置。 2、上記読み出し信号は、ロウパスフィルタと検波回路
を介して上記感度制御回路に供給されるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の撮像装置。 3、上記固体撮像装置を構成する上記二次元状に配置さ
れる画素セルは、光電変換素子と垂直走査線にその制御
端子が結合されるスイッチ素子及び水平走査線にその制
御端子が結合されるスイッチ素子からなり、同じ行に配
置された画素セルの出力ノードが共通に結合される水平
信号線と、上記垂直走査線にその制御端子が結合され、
上記水平信号線を一対の出力信号線に結合させる一対の
スイッチ素子からなり、上記第1の走査回路を構成する
垂直シフトレジスタと上記第2の走査回路を構成する垂
直シフトレジスタは、上記垂直走査線の両端に上記一対
のスイッチ素子に対応してそれぞれ配置されるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1又は第2項記載
の撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179903A JP2515749B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179903A JP2515749B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6337782A true JPS6337782A (ja) | 1988-02-18 |
JP2515749B2 JP2515749B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=16073918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61179903A Expired - Lifetime JP2515749B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2515749B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01231485A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01268271A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像素子の駆動方法 |
JPH0250684A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH04172880A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US7324146B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Image processing device, image processing method and solid-state image-pickup device |
US7474346B2 (en) | 2003-01-22 | 2009-01-06 | Seiko Epson Corporation | Image processing device and method for reading image signal from a matrix type solid state image-pickup element |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55145481A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-13 | Canon Inc | Mos image sensor |
JPS5930376A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-17 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS61108268A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS6238678A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61179903A patent/JP2515749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61108268A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS6238678A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
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JPH01268271A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像素子の駆動方法 |
JPH0250684A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH04172880A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US7324146B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Image processing device, image processing method and solid-state image-pickup device |
US7474346B2 (en) | 2003-01-22 | 2009-01-06 | Seiko Epson Corporation | Image processing device and method for reading image signal from a matrix type solid state image-pickup element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2515749B2 (ja) | 1996-07-10 |
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