JPS6337781A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6337781A JPS6337781A JP61179902A JP17990286A JPS6337781A JP S6337781 A JPS6337781 A JP S6337781A JP 61179902 A JP61179902 A JP 61179902A JP 17990286 A JP17990286 A JP 17990286A JP S6337781 A JPS6337781 A JP S6337781A
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- signal
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- Granted
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
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- GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N Molindone hydrochloride Chemical compound Cl.O=C1C=2C(CC)=C(C)NC=2CCC1CN1CCOCC1 GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像装置に関するもので、例えば、光
電変換素子により形成される画素信号をMOSFET
(絶縁ゲート形電界効果トランジスタ)を介して取り出
す方式の固体撮像装置に利用して有効な技術に関するも
のである。
電変換素子により形成される画素信号をMOSFET
(絶縁ゲート形電界効果トランジスタ)を介して取り出
す方式の固体撮像装置に利用して有効な技術に関するも
のである。
従来より、ツメ・トダイオードとスイッチMO3FET
との組み合わせからなる固体撮像装置が公知である。こ
のような固体撮像装置に関しては、例えば特開昭56−
152382号公報がある。
との組み合わせからなる固体撮像装置が公知である。こ
のような固体撮像装置に関しては、例えば特開昭56−
152382号公報がある。
上記固体撮像装置を利用した監視用又は家庭用等のテレ
ビジョンカメラでは、光学レンズに自動絞り機構が設け
られている。
ビジョンカメラでは、光学レンズに自動絞り機構が設け
られている。
上記自動絞り機構部のレンズは、比較的複雑な機械部品
を必要とし、テレビジョンカメラにおけるレンズ部の大
型化及び高コスト化の原因となっている。また、上記自
動絞り機構は、比較的複雑な機械部品からなるため、機
械的機構部分の摩耗による信頼性の点で問題がある。
を必要とし、テレビジョンカメラにおけるレンズ部の大
型化及び高コスト化の原因となっている。また、上記自
動絞り機構は、比較的複雑な機械部品からなるため、機
械的機構部分の摩耗による信頼性の点で問題がある。
この発明の目的は、光電変換素子に対する実質的なNa
時間を可変にする機能を実現した固体撮像装置を堤供す
ることにある。
時間を可変にする機能を実現した固体撮像装置を堤供す
ることにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの信
号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上
記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと
独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う
第2の走査回路を設けるものである。
号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上
記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと
独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う
第2の走査回路を設けるものである。
上記した手段によれば、上記第2の走査回路によって第
1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査
を行わせることができるから、上記2つの垂直走査の時
間差に応じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが
可能となる。
1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査
を行わせることができるから、上記2つの垂直走査の時
間差に応じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが
可能となる。
第1図には、この発明をT S L (Transve
rsalSignal Line )方式のMO3型固
体撮像装置に適用した場合の一実施例の要部回路図が示
されている。同図の各回路素子は、公知の半導体集積回
路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶シ
リンコンのような1個の半導体基板上において形成され
る。同図の主要なブロックは、実際の幾何学的な配置に
合わせて描かれている。
rsalSignal Line )方式のMO3型固
体撮像装置に適用した場合の一実施例の要部回路図が示
されている。同図の各回路素子は、公知の半導体集積回
路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶シ
リンコンのような1個の半導体基板上において形成され
る。同図の主要なブロックは、実際の幾何学的な配置に
合わせて描かれている。
画素アレイPDは、4行、2列分が代表として例示的に
示されている。但し、図面が複雑化されてしまうのを防
ぐために、上記4行分のうち、2行分の画素セルに対し
てのみ回路記号が付加されている。1つの画素セルは、
フォトダイオードD1と垂直走査vAVL1にそのゲー
トが結合されたスイッチMO3FETQIと、水平走査
線HLIにそのゲートが結合されたスイッチMO5FE
TQ2の直列回路から構成される。上記フォトダイオー
ドD1及びスイッチMO3FETQ1.Q2からなる画
素セルと同じ行(水平方向)に配置される他の同様な画
素セル(D2.Q3.Q4)等の出力ノードは、同図に
おいて横方向に延長される水平信号線H3Iに結合され
る。他の行についても上記同様な画素セルが同様に結合
される。
示されている。但し、図面が複雑化されてしまうのを防
ぐために、上記4行分のうち、2行分の画素セルに対し
てのみ回路記号が付加されている。1つの画素セルは、
フォトダイオードD1と垂直走査vAVL1にそのゲー
トが結合されたスイッチMO3FETQIと、水平走査
線HLIにそのゲートが結合されたスイッチMO5FE
TQ2の直列回路から構成される。上記フォトダイオー
ドD1及びスイッチMO3FETQ1.Q2からなる画
素セルと同じ行(水平方向)に配置される他の同様な画
素セル(D2.Q3.Q4)等の出力ノードは、同図に
おいて横方向に延長される水平信号線H3Iに結合され
る。他の行についても上記同様な画素セルが同様に結合
される。
例示的に示されている水平走査線HLIは、同図におい
°ζ縦方向に延長され、同じ列に配置される画素セルの
スイッチMO3FETQ2.Q6等のゲートに共通に結
合される。他の列に配置される画素セルも上記同様に対
応する水平走査線HL2等に結合される。
°ζ縦方向に延長され、同じ列に配置される画素セルの
スイッチMO3FETQ2.Q6等のゲートに共通に結
合される。他の列に配置される画素セルも上記同様に対
応する水平走査線HL2等に結合される。
この実施例では、固体撮像装置に対して実質的な自動絞
り機能を付加するため、言い換えるならば、フォトダイ
オードに対する実質的な蓄積時間を可変にするため、上
記画素アレイを構成する水平信号線H3Iないし)13
4等の両端に、それぞれスイッチMO3FETQ8、Q
9及びQ26、Q28が設けられる。右端側に配置され
る上記スイッチMO3FETQ8、Q9は、上記水平信
号線H31,H32をそれぞれ縦方向に延長される出力
線VSに結合させる。この出力線VSは、端子Sに結合
され、この端子Sを介して外部に設けられるプリアンプ
の入力に読み出し信号が伝えられる。また、左端側に配
置される上記スイッチMO3FETQ26、Q28は、
上記水平信号線H31、H32をそれぞれ縦方向に延長
されるダミー(リセット)出力vADVSに結合させる
。この出力線DVSは、特に制限されないが、端子RV
に結合され、必要なら上記ダミー出力線DVSの信号を
外部に送出できるようにしている。
り機能を付加するため、言い換えるならば、フォトダイ
オードに対する実質的な蓄積時間を可変にするため、上
記画素アレイを構成する水平信号線H3Iないし)13
4等の両端に、それぞれスイッチMO3FETQ8、Q
9及びQ26、Q28が設けられる。右端側に配置され
る上記スイッチMO3FETQ8、Q9は、上記水平信
号線H31,H32をそれぞれ縦方向に延長される出力
線VSに結合させる。この出力線VSは、端子Sに結合
され、この端子Sを介して外部に設けられるプリアンプ
の入力に読み出し信号が伝えられる。また、左端側に配
置される上記スイッチMO3FETQ26、Q28は、
上記水平信号線H31、H32をそれぞれ縦方向に延長
されるダミー(リセット)出力vADVSに結合させる
。この出力線DVSは、特に制限されないが、端子RV
に結合され、必要なら上記ダミー出力線DVSの信号を
外部に送出できるようにしている。
この実施例では、特に制限されないが、上記各行の水平
信号線H3IないしH34には、端子RPから水平帰線
期間において供給されるリセット信号によってオン状態
にされるスイッチMO3FETQ27、Q29等が設け
られる。これらのMO3FETQ27、Q29等のオン
状態によって、上記ダミー出力線RVから一定のバイア
ス電圧が各水平信号IH3IないしH34に与えられる
。
信号線H3IないしH34には、端子RPから水平帰線
期間において供給されるリセット信号によってオン状態
にされるスイッチMO3FETQ27、Q29等が設け
られる。これらのMO3FETQ27、Q29等のオン
状態によって、上記ダミー出力線RVから一定のバイア
ス電圧が各水平信号IH3IないしH34に与えられる
。
上記のようなリセット用MO3FETQ27、Q29等
が設けられる理由は、次の通りである。上記水平信号線
H3IないしH34に結合されるスイッチMOS F
ETのドレイン等の半導体領域も感光性を持つことがあ
り、このような寄生フォトダイオードにより形成される
偽信号(スメア、プルーミング)が、非選択時にフロー
ティング状態にされる水平信号線に蓄積される。そこで
この実施例では、上述のように水平帰線期間を利用して
、全ての水平信号、%1IH3IないしH34を所定の
バイアス電圧VBにリセットするものである。これによ
り、選択される水平信号線に関しては、常に上記偽信号
をリセットした状態から画素信号を取り出すものである
ため、出力される画像信号に含まれる偽信号を大幅に低
減できる。なお、上記偽信号(スメア、ブルーミング)
に関しては、例えば、特開昭57−17276号公報に
詳細に述べられている。
が設けられる理由は、次の通りである。上記水平信号線
H3IないしH34に結合されるスイッチMOS F
ETのドレイン等の半導体領域も感光性を持つことがあ
り、このような寄生フォトダイオードにより形成される
偽信号(スメア、プルーミング)が、非選択時にフロー
ティング状態にされる水平信号線に蓄積される。そこで
この実施例では、上述のように水平帰線期間を利用して
、全ての水平信号、%1IH3IないしH34を所定の
バイアス電圧VBにリセットするものである。これによ
り、選択される水平信号線に関しては、常に上記偽信号
をリセットした状態から画素信号を取り出すものである
ため、出力される画像信号に含まれる偽信号を大幅に低
減できる。なお、上記偽信号(スメア、ブルーミング)
に関しては、例えば、特開昭57−17276号公報に
詳細に述べられている。
上記水平走査線HLIないしHL2等には、水平シフト
レジスタH3Rにより形成された水平走査信号が供給さ
れる。
レジスタH3Rにより形成された水平走査信号が供給さ
れる。
上記画素アレイPDにおける垂直選択動作(水平走査動
作)を行う走査回路は、次の各回路により構成される。
作)を行う走査回路は、次の各回路により構成される。
この実施例では、上記画素アレイPDの水平信号線H3
IないしH34等の両端に、一対のスイッチMO3FE
TQB、Q9等及びスイッチMO3FETQ26、Q2
8等が設けられることに対応して一対の走査回路が設け
られる。
IないしH34等の両端に、一対のスイッチMO3FE
TQB、Q9等及びスイッチMO3FETQ26、Q2
8等が設けられることに対応して一対の走査回路が設け
られる。
この実施例では、産業用途にも適用可能とするため、イ
ンタレースモードの他に選択的な2行同時走査、ノンイ
ンクレースモードでの走査を可能にしている0画素アレ
イPDの右側には、次のような走査回路が設けられる。
ンタレースモードの他に選択的な2行同時走査、ノンイ
ンクレースモードでの走査を可能にしている0画素アレ
イPDの右側には、次のような走査回路が設けられる。
垂直シフトレジスタVSRは、読み出し用に用いられる
出力信号Sv1、SV2等を形成する。これらの出力信
号SV1、SV2等は、インタレースゲート回路ITG
及び駆動回路VDを介して上記垂直走査線VLIないし
VL4及びスイ−/ + M OS F ET Q B
、 Q9等のゲートに供給される。
出力信号Sv1、SV2等を形成する。これらの出力信
号SV1、SV2等は、インタレースゲート回路ITG
及び駆動回路VDを介して上記垂直走査線VLIないし
VL4及びスイ−/ + M OS F ET Q B
、 Q9等のゲートに供給される。
上記インタレースゲート回路ITGは、インタレースモ
ードでの垂直選択動作(水平走査動作)を行うため、第
1 (奇数)フィールドでは、垂直走査線VLIないし
VL4には、隣接する垂直走査線VLI、VL2とVL
3の組み合わせで同時選択される。すなわち、奇数フィ
ールド信号FAによって制御されるスイッチMO3FE
TQI 8により、垂直シフトレジスタVSRの出力信
号S■1は、水平信号線HSIを選択する垂直走査線V
LIに出力される。同様に、信号FAによって制御され
るスイッチMOSFETQ、20とQ22によって、垂
直シフトレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号
線H32とH33を同時選択するよう垂直走査線VL2
とVL3に出力される。
ードでの垂直選択動作(水平走査動作)を行うため、第
1 (奇数)フィールドでは、垂直走査線VLIないし
VL4には、隣接する垂直走査線VLI、VL2とVL
3の組み合わせで同時選択される。すなわち、奇数フィ
ールド信号FAによって制御されるスイッチMO3FE
TQI 8により、垂直シフトレジスタVSRの出力信
号S■1は、水平信号線HSIを選択する垂直走査線V
LIに出力される。同様に、信号FAによって制御され
るスイッチMOSFETQ、20とQ22によって、垂
直シフトレジスタVSRの出力信号SV2は、水平信号
線H32とH33を同時選択するよう垂直走査線VL2
とVL3に出力される。
以下同様な順序の組み合わせからなる一対の水平信号線
の選択信号が形成される。
の選択信号が形成される。
また、第2(偶数)フィールドでは、垂直走査線VLI
ないしVL4には、隣接する垂直走査線VLIとVL2
及びVL3とVL4の組み合わせで同時選択される。す
なわち、偶数フィールド信号FBによって制御されるス
イッチMO3FETQ19とQ21により、垂直シフト
レジスタ■SRの出力信号SVIは、水平信号線H3I
とH32を選択する垂直走査線VLIとVL2に出力さ
れる。同様に、信号FBによって制御されるスイッチM
O3FETQ23とQ25によって、垂直シフトレジス
タVSRの出力信号SV2は、水平信号線H33とH3
4を同時選択するよ・)垂直走査線VL3とVL4に出
力される。以下同様な順序の組み合わせからなる一対の
水平信号線の選択信号が形成される。
ないしVL4には、隣接する垂直走査線VLIとVL2
及びVL3とVL4の組み合わせで同時選択される。す
なわち、偶数フィールド信号FBによって制御されるス
イッチMO3FETQ19とQ21により、垂直シフト
レジスタ■SRの出力信号SVIは、水平信号線H3I
とH32を選択する垂直走査線VLIとVL2に出力さ
れる。同様に、信号FBによって制御されるスイッチM
O3FETQ23とQ25によって、垂直シフトレジス
タVSRの出力信号SV2は、水平信号線H33とH3
4を同時選択するよ・)垂直走査線VL3とVL4に出
力される。以下同様な順序の組み合わせからなる一対の
水平信号線の選択信号が形成される。
上記のようなインクレースゲート回路ITGと、次の駆
動回路DVとによって、以下に説明するような複数lI
頚の水平走査動作が実現される。
動回路DVとによって、以下に説明するような複数lI
頚の水平走査動作が実現される。
上記1つの垂直走査線VLIに対応されたインクレース
ゲート回路ITGからの出力体−号は、スイフチMO3
FETQI 4とQ15のゲートに供給される。これら
のスイッチMO3FETQI 4とQ15の共通化され
たドレイン電極は、端子■3に結合される。上記スイッ
チMO3FETQI4は、端子v3から供給される信号
を上記垂直走査線VLIに供給する。また、スイッチM
O3FETQ15は、上記端子■3から供給される信号
を水平信号線H3Iを出力線VSに結合ささるスイッチ
MO3FETQ8のゲートに供給される。
ゲート回路ITGからの出力体−号は、スイフチMO3
FETQI 4とQ15のゲートに供給される。これら
のスイッチMO3FETQI 4とQ15の共通化され
たドレイン電極は、端子■3に結合される。上記スイッ
チMO3FETQI4は、端子v3から供給される信号
を上記垂直走査線VLIに供給する。また、スイッチM
O3FETQ15は、上記端子■3から供給される信号
を水平信号線H3Iを出力線VSに結合ささるスイッチ
MO3FETQ8のゲートに供給される。
また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3FETQ
14、Q15によるしきい値電圧分だけ低下してしまう
のを防止するため、特に制限されないが、MO3FET
QI 4のゲートと、MO3FETQ15の出力側(ソ
ース側)との間にキャパシタC1が設けられる。これに
よって、インタレースゲート回路ITGからの出力信号
がハイレベルにされるとき、端子■3の電位をロウレベ
ルにしておいてキャパシタC1にプリチャージを行う。
14、Q15によるしきい値電圧分だけ低下してしまう
のを防止するため、特に制限されないが、MO3FET
QI 4のゲートと、MO3FETQ15の出力側(ソ
ース側)との間にキャパシタC1が設けられる。これに
よって、インタレースゲート回路ITGからの出力信号
がハイレベルにされるとき、端子■3の電位をロウレベ
ルにしておいてキャパシタC1にプリチャージを行う。
この後、端子v3の電位をハイレベルにすると、キャパ
シタC1によるプートストラップ作用によって上記MO
3FETQI 4及びQ15のゲート電圧を昇圧させる
ことができる。
シタC1によるプートストラップ作用によって上記MO
3FETQI 4及びQ15のゲート電圧を昇圧させる
ことができる。
上記垂直走査線■L1に隣接する垂直走査線VL2に対
応されたインタレースゲート回路ITGからの出力信号
は、スイッチMO3FETQI 6とQ17のゲートに
供給される。これらのスイッチMOSFETQ16とQ
17の共通化されたドレイン電極は、端子V4に結合さ
れる。上記スイッチMO3FETQ16は、端子v4か
ら供給される信号を上記垂直走査線VL2に供給する。
応されたインタレースゲート回路ITGからの出力信号
は、スイッチMO3FETQI 6とQ17のゲートに
供給される。これらのスイッチMOSFETQ16とQ
17の共通化されたドレイン電極は、端子V4に結合さ
れる。上記スイッチMO3FETQ16は、端子v4か
ら供給される信号を上記垂直走査線VL2に供給する。
また、スイッチMO3FETQI 7は、上記端子V4
から供給される信号を水平信号線H52を出力線■Sに
結合ささるスイッチMO3FETQ9のゲートに供給さ
れる。また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3F
ETQ16、Q17によるしきい値電圧分だけ低下して
しまうのを防止するため、特に制限されないが、MO3
FETQI 6のゲートと、MO3FETQI 7の出
力側(ソース側)との間にキャパシタC2が設けられる
。これによって、上記同様なタイミングで端子■4の電
位を変化させることによりキャパシタC2によるプート
ストラップ作用によって上記MO3FETQ16及びQ
16のゲート電圧を昇圧させることができる。
から供給される信号を水平信号線H52を出力線■Sに
結合ささるスイッチMO3FETQ9のゲートに供給さ
れる。また、出力信号のハイレベルがスイッチMO3F
ETQ16、Q17によるしきい値電圧分だけ低下して
しまうのを防止するため、特に制限されないが、MO3
FETQI 6のゲートと、MO3FETQI 7の出
力側(ソース側)との間にキャパシタC2が設けられる
。これによって、上記同様なタイミングで端子■4の電
位を変化させることによりキャパシタC2によるプート
ストラップ作用によって上記MO3FETQ16及びQ
16のゲート電圧を昇圧させることができる。
L記端子■3は、奇数番目の垂直走査線(水平信号線)
に対応した駆動用のスイッチMO3FETに対して共通
に設けられ、端子■4は偶数番目の垂直走査線(水平信
号′41A)に対して共通に設けられる。
に対応した駆動用のスイッチMO3FETに対して共通
に設けられ、端子■4は偶数番目の垂直走査線(水平信
号′41A)に対して共通に設けられる。
以上のことから理解されるように、端子■3とv4に択
一的にタイミング信号を供給すること及び上記インタレ
ースゲート回路ITGによる2行同時選択動作との組み
合わせによって、インタレースモードによる読み出し動
作が可能になる0例えば、奇数フィールドFAのとき、
端子v4をロウレベルにしておいて、端子■3に上記垂
直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査′1IIA(水平
信号yA)をVLI (H3I) 、VL3 (H33
)の順に選択することができる。また、偶数フィールド
FBのとき、端子v3をロウレベルにしておいて、端子
v4に上記垂直シフトレジスタVSRの動作と同期した
タイミング信号を供給することによって、垂直走査線(
水平信号線)をVL2(H32) 、VL4 (HS4
)(7)順に選択すルコとができる。
一的にタイミング信号を供給すること及び上記インタレ
ースゲート回路ITGによる2行同時選択動作との組み
合わせによって、インタレースモードによる読み出し動
作が可能になる0例えば、奇数フィールドFAのとき、
端子v4をロウレベルにしておいて、端子■3に上記垂
直シフトレジスタVSRの動作と同期したタイミング信
号を供給することによって、垂直走査′1IIA(水平
信号yA)をVLI (H3I) 、VL3 (H33
)の順に選択することができる。また、偶数フィールド
FBのとき、端子v3をロウレベルにしておいて、端子
v4に上記垂直シフトレジスタVSRの動作と同期した
タイミング信号を供給することによって、垂直走査線(
水平信号線)をVL2(H32) 、VL4 (HS4
)(7)順に選択すルコとができる。
一方、上記端子■3と■4を同時に上記同様にハイレベ
ルにすれば、上記インタレースゲート回路ITGからの
出力信号に応じて、2行同時走査を行うことができる。
ルにすれば、上記インタレースゲート回路ITGからの
出力信号に応じて、2行同時走査を行うことができる。
この場合、上記のように2つのフィールド信号FAとF
Bによる2つの画面毎に出力される2つの行の組み合わ
せが1行分上下にシフトされるることにより、空間的重
心の上下シフト、言い換えるならば、等価的なインタレ
ースモードが実現される。
Bによる2つの画面毎に出力される2つの行の組み合わ
せが1行分上下にシフトされるることにより、空間的重
心の上下シフト、言い換えるならば、等価的なインタレ
ースモードが実現される。
さらに、例えばFB信号のみをハイレベルにして、1つ
の垂直走査タイミングで、水平シフトレジスフH3Rを
2回動作させて、それに同期して端子v3とv4をハイ
レベルにさせることによって、VLl、VL2.VL3
.VL4の順のようにノンインタレースモードでの選択
動作を実現できる。この場合、より高画質とするために
、水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジスタV
SRに供給されるクロックが2倍の周波数にされること
が望ましい。すなわち、端子H1とH2及び端子■1と
V2から水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジ
スタVSRに供給されるクロック信号の周波数を2倍の
高い周波数にすることによって、1秒間に60枚の画像
をノンインクレース方式により読み出すことができる。
の垂直走査タイミングで、水平シフトレジスフH3Rを
2回動作させて、それに同期して端子v3とv4をハイ
レベルにさせることによって、VLl、VL2.VL3
.VL4の順のようにノンインタレースモードでの選択
動作を実現できる。この場合、より高画質とするために
、水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジスタV
SRに供給されるクロックが2倍の周波数にされること
が望ましい。すなわち、端子H1とH2及び端子■1と
V2から水平シフトレジスタH3R及び垂直シフトレジ
スタVSRに供給されるクロック信号の周波数を2倍の
高い周波数にすることによって、1秒間に60枚の画像
をノンインクレース方式により読み出すことができる。
なお、端子HIN及びVINは、1記シフトレジスタH
SR,VSRによってそれぞれシフトされる入力信号を
供給する端子であり、入力信号が供給された時点からシ
フトレジスタのシフトが開始される。
SR,VSRによってそれぞれシフトされる入力信号を
供給する端子であり、入力信号が供給された時点からシ
フトレジスタのシフトが開始される。
このため、上記インタレースゲート回路ITG及び入力
端子V3.V4に供給される入力信号の組み合わせによ
って、上記2行同時読み出し、インタレース走査、ノン
インクレース走査等を行う場合には、出力信号の垂直方
向の上下関係が逆転せぬよう、上記シフトレジスタVS
Rの入力信号の供給の際にタイミング的な配慮が必要で
ある。
端子V3.V4に供給される入力信号の組み合わせによ
って、上記2行同時読み出し、インタレース走査、ノン
インクレース走査等を行う場合には、出力信号の垂直方
向の上下関係が逆転せぬよう、上記シフトレジスタVS
Rの入力信号の供給の際にタイミング的な配慮が必要で
ある。
また、上記各垂直走査線VLI及びそれに対応したスイ
ッチMO3FETQ8のゲートと回路の接地電位点との
間には、リセット用MO3FETQIOとQllが設け
られる。これらのリセット用MO3FETQIOとQl
lは、他の垂直走査線及びスイッチMO3FETに対応
して設けられるリセット用MOS F ETと共通に端
子■2から供給されるクロック信号を受けて、上記選択
状態の垂直走査線及びスイッチMOS F ETのゲー
ト電位を高速にロウレベルに引き抜くものである。
ッチMO3FETQ8のゲートと回路の接地電位点との
間には、リセット用MO3FETQIOとQllが設け
られる。これらのリセット用MO3FETQIOとQl
lは、他の垂直走査線及びスイッチMO3FETに対応
して設けられるリセット用MOS F ETと共通に端
子■2から供給されるクロック信号を受けて、上記選択
状態の垂直走査線及びスイッチMOS F ETのゲー
ト電位を高速にロウレベルに引き抜くものである。
この実施例では、前述のように感度可変機能を付加する
ために、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、イ
ンクレースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEが設
けられる。これらの感度制御用の各回路は、特に制限さ
れないが、上記画素アレイPDに対して、左側に配置さ
れる。これらの垂直シフトレジスタVSRE、インタレ
ースゲート回路ITG及び駆動回路DVEは、上記読み
出し用の垂直シフトレジスタVSR,インタレースゲー
ト回路ITG及び駆動回路DVと同様な回路により構成
される。端子VIHないしV4B及びVINE並びにF
AE、ABEからそれぞれ上記同様なタイミング信号が
供給される。この場合、上記読み出し用の垂直シフトレ
ジスタVSRと上記感度可変用の垂直シフトレジスタV
SREとを同期したタイミングでのシフト動作を行わせ
るため、特に制限されないが、端子VIEと■1及びV
2Eと■2には、同じクロック信号が供給される。した
がって、上記端子VIEとvt及びv2Eとv2とは、
内部回路により共通化するものであってもよい、上記の
ように独自の端子VIE及びV2Eを設けた理由は、こ
の固体撮像装置を手動絞りや従来の機械的絞り機能を持
つテレビジョンカメラに適用可能にするためのものであ
る。このように感度可変動作を行わない場合、上記端子
■IE及びV2Eを回路の接地電位のようなロウレベル
にすること等によって、上記垂直シフトレジスタVSR
Eの無駄な消費電力の発生をおさえるよう配慮されてい
る。
ために、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、イ
ンクレースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEが設
けられる。これらの感度制御用の各回路は、特に制限さ
れないが、上記画素アレイPDに対して、左側に配置さ
れる。これらの垂直シフトレジスタVSRE、インタレ
ースゲート回路ITG及び駆動回路DVEは、上記読み
出し用の垂直シフトレジスタVSR,インタレースゲー
ト回路ITG及び駆動回路DVと同様な回路により構成
される。端子VIHないしV4B及びVINE並びにF
AE、ABEからそれぞれ上記同様なタイミング信号が
供給される。この場合、上記読み出し用の垂直シフトレ
ジスタVSRと上記感度可変用の垂直シフトレジスタV
SREとを同期したタイミングでのシフト動作を行わせ
るため、特に制限されないが、端子VIEと■1及びV
2Eと■2には、同じクロック信号が供給される。した
がって、上記端子VIEとvt及びv2Eとv2とは、
内部回路により共通化するものであってもよい、上記の
ように独自の端子VIE及びV2Eを設けた理由は、こ
の固体撮像装置を手動絞りや従来の機械的絞り機能を持
つテレビジョンカメラに適用可能にするためのものであ
る。このように感度可変動作を行わない場合、上記端子
■IE及びV2Eを回路の接地電位のようなロウレベル
にすること等によって、上記垂直シフトレジスタVSR
Eの無駄な消費電力の発生をおさえるよう配慮されてい
る。
次に、この実施例の固体撮像装置における感度制御動作
を説明する。
を説明する。
説明を簡単にするために、上記ノンインタレースモード
による垂直走査動作を例にして、以下説明する0例えば
、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、インクレ
ースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEによって、
読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,インクレース
ゲート回路ITG及び駆動回路DVによる第1行目(垂
直走査線VL L水平信号線H31)の読み出しに並行
して、第4行目(垂直走査線VL4、水平信号線H34
)の選択動作を行わせる。これによって、水平シフトレ
ジスタH3Rにより形成される水平走査線HL1.HL
2等の選択動作に同期して、出力信号vAvsには第1
行目におけるフォトダイオードD1、D2等に蓄積され
た光信号が時系列的に読み出される。この読み出し動作
は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号に対応した
電流の供給によって行われ、読み出し動作と同時にプリ
チャージ(リセット)動作が行われる。同様な動作が、
第4行目におけるフォトダイオードにおいても行われる
。この場合、上記のような感度可変用の走査回路(VS
RE、ITGE、DVE)によって、第4行目の読み出
し動作は、ダミー出力線DVSに対して行われる。感度
制御動作のみを行う場合、端子RVには端子Sと同じバ
イアス電圧が与えられている。これによって、第4行目
の各画素セルに既に蓄積された光信号の掃き出し、言い
換えるならば、リセット動作が行われる。
による垂直走査動作を例にして、以下説明する0例えば
、感度制御用の垂直シフトレジスタVSRE、インクレ
ースゲート回路ITGE及び駆動回路DVEによって、
読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,インクレース
ゲート回路ITG及び駆動回路DVによる第1行目(垂
直走査線VL L水平信号線H31)の読み出しに並行
して、第4行目(垂直走査線VL4、水平信号線H34
)の選択動作を行わせる。これによって、水平シフトレ
ジスタH3Rにより形成される水平走査線HL1.HL
2等の選択動作に同期して、出力信号vAvsには第1
行目におけるフォトダイオードD1、D2等に蓄積され
た光信号が時系列的に読み出される。この読み出し動作
は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信号に対応した
電流の供給によって行われ、読み出し動作と同時にプリ
チャージ(リセット)動作が行われる。同様な動作が、
第4行目におけるフォトダイオードにおいても行われる
。この場合、上記のような感度可変用の走査回路(VS
RE、ITGE、DVE)によって、第4行目の読み出
し動作は、ダミー出力線DVSに対して行われる。感度
制御動作のみを行う場合、端子RVには端子Sと同じバ
イアス電圧が与えられている。これによって、第4行目
の各画素セルに既に蓄積された光信号の掃き出し、言い
換えるならば、リセット動作が行われる。
したがって、上記垂直走査動作によって、読み出し用の
垂直シフトレジスタVSR、インクレースゲート回路r
TG及び駆動回路DVによる第4行目(垂直走査)、1
VL4、水平信号線H54)の読み出し動作は、上記第
1行ないし第3行の読み出し動作の後に行われるから、
第4行目に配置される画素セルのフォトダイオードの蓄
積時間は、3行分の画素セルの読み出し時間となる。
垂直シフトレジスタVSR、インクレースゲート回路r
TG及び駆動回路DVによる第4行目(垂直走査)、1
VL4、水平信号線H54)の読み出し動作は、上記第
1行ないし第3行の読み出し動作の後に行われるから、
第4行目に配置される画素セルのフォトダイオードの蓄
積時間は、3行分の画素セルの読み出し時間となる。
上記に代えて、感度制御用の垂直シフトレジスタVSR
E、インクレースゲート回路TTGE及び駆動回路DV
Eによって、読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,
インクレースゲート回路ITG及び駆動回路DVによる
第1行目(垂直走査線VLl、水平信号vAH31)の
読み出しに並行して、第2行目(垂直走査線VL2、水
平信号線H32)の選択動作を行わせる。これによって
、水平シフトレジスタH3Rにより形成される水平走査
線HL1.HL2等の選択動作に同期して、出力信号線
vSには第1行目におけるフォトダイオードD1、D2
等に蓄積された光信号が時系列的に読み出される。この
読み出し動作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信
号に対応した電流の供給によって行われ、読み出し動作
と同時にプリチャージ(リセット)動作が行われる。同
様な動作が、第2行目におけるフォトダイオードD3、
D4等においても行われる。これによって、上記第1行
目の読み出し動作と並行して第2行目の各画素セルに既
に蓄積された光信号の掃き出し動作が行われる。したが
って、上記垂直走査動作によって、読み出し用の垂直シ
フトレジスタVSR、インクレースゲート回路ITG及
び駆動回路DVによる第2行目(垂直走査線VL2、水
平信号線H32)の読み出し動作は、上記第1行の読み
出し動作の後に行われるから、第2行目に配置される画
素セルのフォトダイオードの蓄積時間は、1行分の画素
セルの読み出し時間となる。これによって、上記の場合
に比べて、フォトダイオードの実質的な蓄積時間を1/
3に減少させること、言い換えるならば、感度を1/3
に低くできる。
E、インクレースゲート回路TTGE及び駆動回路DV
Eによって、読み出し用の垂直シフトレジスタVSR,
インクレースゲート回路ITG及び駆動回路DVによる
第1行目(垂直走査線VLl、水平信号vAH31)の
読み出しに並行して、第2行目(垂直走査線VL2、水
平信号線H32)の選択動作を行わせる。これによって
、水平シフトレジスタH3Rにより形成される水平走査
線HL1.HL2等の選択動作に同期して、出力信号線
vSには第1行目におけるフォトダイオードD1、D2
等に蓄積された光信号が時系列的に読み出される。この
読み出し動作は、端子Sから負荷抵抗を介した上記光信
号に対応した電流の供給によって行われ、読み出し動作
と同時にプリチャージ(リセット)動作が行われる。同
様な動作が、第2行目におけるフォトダイオードD3、
D4等においても行われる。これによって、上記第1行
目の読み出し動作と並行して第2行目の各画素セルに既
に蓄積された光信号の掃き出し動作が行われる。したが
って、上記垂直走査動作によって、読み出し用の垂直シ
フトレジスタVSR、インクレースゲート回路ITG及
び駆動回路DVによる第2行目(垂直走査線VL2、水
平信号線H32)の読み出し動作は、上記第1行の読み
出し動作の後に行われるから、第2行目に配置される画
素セルのフォトダイオードの蓄積時間は、1行分の画素
セルの読み出し時間となる。これによって、上記の場合
に比べて、フォトダイオードの実質的な蓄積時間を1/
3に減少させること、言い換えるならば、感度を1/3
に低くできる。
上述のように、感度制御用の走査回路によって行われる
先行する垂直走査動作によってその行の画素セルがリセ
ットされるから、そのリセット動作から上記読み出し用
の走査回路による実際な読み出しが行われるまでの時間
が、フォトダイオードに対する蓄積時間とされる。した
がって、525行からなる画素アレイにあっては、上記
両垂直走査回路による異なるアドレス指定と共通の水平
走査回路による画素セルの選択動作によって、1行分の
読み出し時間を単位(最小)として最大525までの多
段階にわたる蓄積時間、言い換えるならば、525段階
にわたる感度の設定を行うことができる。ただし、受光
面照度の変化が、上記1画面を構成する走査時間に対し
て無視でき、実質的に一定の光がフォトダイオードに入
射しているものとする。なお、最大感度(525)は、
上記感度制御用の走査回路は非動作状態のときに得られ
る。
先行する垂直走査動作によってその行の画素セルがリセ
ットされるから、そのリセット動作から上記読み出し用
の走査回路による実際な読み出しが行われるまでの時間
が、フォトダイオードに対する蓄積時間とされる。した
がって、525行からなる画素アレイにあっては、上記
両垂直走査回路による異なるアドレス指定と共通の水平
走査回路による画素セルの選択動作によって、1行分の
読み出し時間を単位(最小)として最大525までの多
段階にわたる蓄積時間、言い換えるならば、525段階
にわたる感度の設定を行うことができる。ただし、受光
面照度の変化が、上記1画面を構成する走査時間に対し
て無視でき、実質的に一定の光がフォトダイオードに入
射しているものとする。なお、最大感度(525)は、
上記感度制御用の走査回路は非動作状態のときに得られ
る。
第2図には、上記固体撮像装置を用いた、自動絞り機能
を持つ撮像装置の一実施例のブロック図が示されている
。
を持つ撮像装置の一実施例のブロック図が示されている
。
固体撮像装置M I Dは、上記第1図に示したような
感度可変機能を持つものである。この固体撮像装置MI
Dから出力される読み出し信号は、プリアンプによって
増幅される。この増幅信号Voutは、一方において図
示しない信号処理回路に供給され、例えばテレビジョン
用の画像信号とされる。上記増幅信号Voutは、他方
において自動絞り制御用に利用される。すなわち、上記
増幅信号Voutは、ロウパスフィルタLPFに供給さ
れ、その平均的な信号レベルに変換される。この信号は
、特に制限されないが、検波回路DETに供給され、こ
こで直流信号化される。感度制御回路は、上記検波回路
DETの出力信号を受けて、所望の絞り量とを比較して
、最適絞り量に対応した制御信号を形成する。すなわち
、感度制御回路は、固体撮像装置MIDに前述のような
走査タイミングを制御するクロック信号を供給する駆動
回路からの信号VIN、及びVl等を受けて、固体撮像
装置MIDの読み出しタイミングを参照して、それに実
質的に先行する信号VINEを形成する。すなわち、上
記タイミング信号VINを基準にして、必要な絞り!(
感度)に対応した先行するタイミング信号VINEを形
成するものであるため、実際には上記タイミング信号V
I Nに遅れて信号■INEが形成される。しかしな
がら、繰り返し走査が行われるため、上記信号VINB
からみると、次の画面の走査では信号VINが遅れるも
のとされる。すなわち、タイミング信号VINに対して
1行分遅れてタイミング信号VINBを発生すると、次
の走査画面では、タイミング信号VINBは、タイミン
グ信号VINに対して524行分光行するタイミング信
号とみなされる。上記タイミング信号VIN及びVIN
Eによって、各垂直シフトレジスタVSR及びVSRE
のシフト動作が開始されるから、前述のような感度可変
動作が行われる。
感度可変機能を持つものである。この固体撮像装置MI
Dから出力される読み出し信号は、プリアンプによって
増幅される。この増幅信号Voutは、一方において図
示しない信号処理回路に供給され、例えばテレビジョン
用の画像信号とされる。上記増幅信号Voutは、他方
において自動絞り制御用に利用される。すなわち、上記
増幅信号Voutは、ロウパスフィルタLPFに供給さ
れ、その平均的な信号レベルに変換される。この信号は
、特に制限されないが、検波回路DETに供給され、こ
こで直流信号化される。感度制御回路は、上記検波回路
DETの出力信号を受けて、所望の絞り量とを比較して
、最適絞り量に対応した制御信号を形成する。すなわち
、感度制御回路は、固体撮像装置MIDに前述のような
走査タイミングを制御するクロック信号を供給する駆動
回路からの信号VIN、及びVl等を受けて、固体撮像
装置MIDの読み出しタイミングを参照して、それに実
質的に先行する信号VINEを形成する。すなわち、上
記タイミング信号VINを基準にして、必要な絞り!(
感度)に対応した先行するタイミング信号VINEを形
成するものであるため、実際には上記タイミング信号V
I Nに遅れて信号■INEが形成される。しかしな
がら、繰り返し走査が行われるため、上記信号VINB
からみると、次の画面の走査では信号VINが遅れるも
のとされる。すなわち、タイミング信号VINに対して
1行分遅れてタイミング信号VINBを発生すると、次
の走査画面では、タイミング信号VINBは、タイミン
グ信号VINに対して524行分光行するタイミング信
号とみなされる。上記タイミング信号VIN及びVIN
Eによって、各垂直シフトレジスタVSR及びVSRE
のシフト動作が開始されるから、前述のような感度可変
動作が行われる。
感度制御回路は、例えば電圧比較回路によって所望の絞
り量に相当する基準電圧と、上記検波回路DETからの
出力電圧とを比較して、その大小に応じて、1段階づつ
絞り蓋を変化させる。または、応答性を高くするために
、上記525段階の絞り量を2(a比信号に対応させて
おいて、その最上位ビットから上記電圧比較回路の出力
信号に応じて決定する9例えば、約1/2の絞り量(感
度256)を基準にして、検波回路DETの信号が基準
電圧より大きいときには1/4(感度128)に、小さ
いときには3/4(感度384)とし、以下、それぞれ
の半分づつの絞り量を決定する。これによって、感度5
25段階の中から1つの最適絞り量を10回の設定動作
によって得ることができる。上記絞り量の設定動作、言
い換えるならば、感度制御用の垂直シフトレジスタVS
REの初期設定動作(VINB)を垂直帰線期間におい
て行うものとすると、10枚分の画面からの読み出し信
号動作に応じて最適絞り量の設定を行うことができる。
り量に相当する基準電圧と、上記検波回路DETからの
出力電圧とを比較して、その大小に応じて、1段階づつ
絞り蓋を変化させる。または、応答性を高くするために
、上記525段階の絞り量を2(a比信号に対応させて
おいて、その最上位ビットから上記電圧比較回路の出力
信号に応じて決定する9例えば、約1/2の絞り量(感
度256)を基準にして、検波回路DETの信号が基準
電圧より大きいときには1/4(感度128)に、小さ
いときには3/4(感度384)とし、以下、それぞれ
の半分づつの絞り量を決定する。これによって、感度5
25段階の中から1つの最適絞り量を10回の設定動作
によって得ることができる。上記絞り量の設定動作、言
い換えるならば、感度制御用の垂直シフトレジスタVS
REの初期設定動作(VINB)を垂直帰線期間におい
て行うものとすると、10枚分の画面からの読み出し信
号動作に応じて最適絞り量の設定を行うことができる。
この実施例の撮像装置では、感度可変機能が固体撮像装
置MIDに内蔵されていること、及びその読み出し出力
信号のレベルを判定して、電気的に上記感度を制御する
ものであるため、上記感度制御回路も半導体集積回路等
により構成できるから、装置の小型軽憤化及び高耐久性
を図ることができる。
置MIDに内蔵されていること、及びその読み出し出力
信号のレベルを判定して、電気的に上記感度を制御する
ものであるため、上記感度制御回路も半導体集積回路等
により構成できるから、装置の小型軽憤化及び高耐久性
を図ることができる。
第3図には、上記感度制御回路に設けられる感度制御用
の信号発生回路の一実施例のブロック図が示されている
。
の信号発生回路の一実施例のブロック図が示されている
。
上記のように525段階の感度f4?l]Iを行うため
には、信号VANに対してlないし524行分にわたっ
て位相が異なるように設定できる信号VINEを形成す
ることが必要とされる。そして、上記のようにインクレ
ースモードにおける奇数フィールドと偶数フィールドに
対応して、それぞれ上記1ないし524行分にわたって
位相が異なるように設定できる信号VINEを形成する
ことが必要とされる。このため、lOビットのバイナリ
−カウンタ回路が2つ必要になってしまう。
には、信号VANに対してlないし524行分にわたっ
て位相が異なるように設定できる信号VINEを形成す
ることが必要とされる。そして、上記のようにインクレ
ースモードにおける奇数フィールドと偶数フィールドに
対応して、それぞれ上記1ないし524行分にわたって
位相が異なるように設定できる信号VINEを形成する
ことが必要とされる。このため、lOビットのバイナリ
−カウンタ回路が2つ必要になってしまう。
この実施例では、上記感度設定用のカウンタ回路を簡素
化するために、次の各回路が設けられる。
化するために、次の各回路が設けられる。
感度制御データDATAは、演算回路ALJに供給され
る。この演算回路AUは、上記指定された感度Xから2
63を減算する。この減算結果が負(X−263<Q)
なら制iil信号Cをロウレベルにするとともに上記感
度Xをそのまま出力する。
る。この演算回路AUは、上記指定された感度Xから2
63を減算する。この減算結果が負(X−263<Q)
なら制iil信号Cをロウレベルにするとともに上記感
度Xをそのまま出力する。
また、このときには、感度制御用の奇数フィールド信号
FAEをハイレベルにする。一方、減算結果が正(X−
263≧0)なら、上記制御信号Cをハイレベルにする
ともとに、その減算結果(X−263)を出力する。ま
た、このときには感度制御用の偶数フィールド信号FB
Eをハイレベルにする。ダウンカウンタ回路DWCTは
、上記出力信号X又はX−263が初期値として入力さ
れる。このダウンカウンタ回路DWCTは、9ビツトの
カウンタ回路からなり、上記初期値に応じた計数動作を
行う。
FAEをハイレベルにする。一方、減算結果が正(X−
263≧0)なら、上記制御信号Cをハイレベルにする
ともとに、その減算結果(X−263)を出力する。ま
た、このときには感度制御用の偶数フィールド信号FB
Eをハイレベルにする。ダウンカウンタ回路DWCTは
、上記出力信号X又はX−263が初期値として入力さ
れる。このダウンカウンタ回路DWCTは、9ビツトの
カウンタ回路からなり、上記初期値に応じた計数動作を
行う。
上記制御信号Cはアンド(AND)ゲート回路Glに供
給される。このアンドゲート回路G1の他方の入力には
、読み出し用の奇数フィールド信号FAが供給される。
給される。このアンドゲート回路G1の他方の入力には
、読み出し用の奇数フィールド信号FAが供給される。
そして、このゲート回路G1の出力信号は、スイッチS
Wの切り換えを指示する。すなわち、スイッチSWは、
奇数フィールドFAのとき、上記減算結果が正なら同図
に示すように接点す側に接続させる。これに応じて、信
号VINを受ける遅延回路DLによって形成される1行
分遅れた信号VIN”が上記ダウンカウンタ回路DWC
Tに入力される。また、スイッチSWは、上記制御信号
Cがロウレベルか、又は偶数フィールドなら接点a側に
切り換える。これに応じて、信号VINが上記ダウンカ
ウンタ回路DWCTに供給される。ダウンカウンタ回路
DWCTは、上記スイッチSWを通した信号VIN’又
はVINを受けて、垂直シフトレジスタVSRに供給さ
れるクロック信号■1の計数動作を開始する。
Wの切り換えを指示する。すなわち、スイッチSWは、
奇数フィールドFAのとき、上記減算結果が正なら同図
に示すように接点す側に接続させる。これに応じて、信
号VINを受ける遅延回路DLによって形成される1行
分遅れた信号VIN”が上記ダウンカウンタ回路DWC
Tに入力される。また、スイッチSWは、上記制御信号
Cがロウレベルか、又は偶数フィールドなら接点a側に
切り換える。これに応じて、信号VINが上記ダウンカ
ウンタ回路DWCTに供給される。ダウンカウンタ回路
DWCTは、上記スイッチSWを通した信号VIN’又
はVINを受けて、垂直シフトレジスタVSRに供給さ
れるクロック信号■1の計数動作を開始する。
このダウンカウンタ回路DWCTの出力が零にされたタ
イミングで、上記感度制御用の信号VINEが発生され
る。これによって、10ビツトからなるダウンカウンタ
回路DWCTにより、奇数及び偶数フィールドに対応し
た感度制御用のタイミング信号VINEを形成すること
ができる。
イミングで、上記感度制御用の信号VINEが発生され
る。これによって、10ビツトからなるダウンカウンタ
回路DWCTにより、奇数及び偶数フィールドに対応し
た感度制御用のタイミング信号VINEを形成すること
ができる。
次に、第4図に示したタイミング図を参照して、上記第
3図に示したブロック図の感度設定動作を説明する。
3図に示したブロック図の感度設定動作を説明する。
例えば、感度Xを264に設定するとき、演算回路AU
は、264−263の減算結果(1)をダウンカンウタ
回路DWCTにプリセットする。また、偶数フィールド
FBEをハイレベルにして偶数フィールドに対応した感
度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信
号VINEの設定であることを指示する。すなわち、読
み出し用の奇数フィールド用の入力信号VINを用いて
偶数フィールドの感度設定を行うことを指示する。
は、264−263の減算結果(1)をダウンカンウタ
回路DWCTにプリセットする。また、偶数フィールド
FBEをハイレベルにして偶数フィールドに対応した感
度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信
号VINEの設定であることを指示する。すなわち、読
み出し用の奇数フィールド用の入力信号VINを用いて
偶数フィールドの感度設定を行うことを指示する。
上記読み出し用の奇数フィールドFAの信号によっでス
イッチSWは接点す側に接続される。それ故、入力信号
VINを遅延回路DLによって1行分遅れた信号VIN
’が供給されたとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、
その計数動作を開始する。したがって、出力信号VIN
Eは上記計数値1のダウン計数後、言い換えるならば、
入力信号VINに対して2行分遅れた発生される。この
信号VINBは、上記のように偶数フィールドFBEに
対応したものであるので、それを基準にすると、読み出
し用の偶数フィールドFBの入力信号VINに対して2
63−2=261 (行)先行して感度制御用垂直シ
フトレジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。
イッチSWは接点す側に接続される。それ故、入力信号
VINを遅延回路DLによって1行分遅れた信号VIN
’が供給されたとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、
その計数動作を開始する。したがって、出力信号VIN
Eは上記計数値1のダウン計数後、言い換えるならば、
入力信号VINに対して2行分遅れた発生される。この
信号VINBは、上記のように偶数フィールドFBEに
対応したものであるので、それを基準にすると、読み出
し用の偶数フィールドFBの入力信号VINに対して2
63−2=261 (行)先行して感度制御用垂直シ
フトレジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。
これによって、最初の1フレームにおける偶数フィール
ドの読み出し動作に対して261 (525−264
)行分の走査時間に対応した蓄積時間(感度)の設定が
行われる。
ドの読み出し動作に対して261 (525−264
)行分の走査時間に対応した蓄積時間(感度)の設定が
行われる。
また、次のフレームにおける奇数フィールドに対応して
演算回路AUは、264−263の減算結果(1)をダ
ウンカンウタ回路DWCTにプリセットする。偶数フィ
ールドでは信号FAのロウレベルによってスイッチSW
は接点a側に切り換えられる。それ故、ダウンカウンタ
回路DWCTは、入力信号VINがそのまま供給された
とき、その計数動作を開始する。したがって、出力信号
VINEは入力信号VINを基準にして上記計数値1の
ダウン計数後、言い換えるならば、偶数フィールドに対
応した入力信号VINに対して1行分遅れて発生される
。この信号VINEを基準にすると、次のフレームにお
ける奇数フィールドFAの入力信号VINに対して26
2−1−261(行)先行して感度制御用垂直シフトレ
ジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわ
ち、上記同様に奇数フィールドの読み出し動作に対して
261 (525−264)行分の走査時間に対応し
た蓄積時間(感度)の設定が行われる。
演算回路AUは、264−263の減算結果(1)をダ
ウンカンウタ回路DWCTにプリセットする。偶数フィ
ールドでは信号FAのロウレベルによってスイッチSW
は接点a側に切り換えられる。それ故、ダウンカウンタ
回路DWCTは、入力信号VINがそのまま供給された
とき、その計数動作を開始する。したがって、出力信号
VINEは入力信号VINを基準にして上記計数値1の
ダウン計数後、言い換えるならば、偶数フィールドに対
応した入力信号VINに対して1行分遅れて発生される
。この信号VINEを基準にすると、次のフレームにお
ける奇数フィールドFAの入力信号VINに対して26
2−1−261(行)先行して感度制御用垂直シフトレ
ジスタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわ
ち、上記同様に奇数フィールドの読み出し動作に対して
261 (525−264)行分の走査時間に対応し
た蓄積時間(感度)の設定が行われる。
これに対して、例えば感度Xを260に設定するとき、
演算回路AUは260−263の減算結果(−3)が負
であることに応じて、上記感度260をそのままダウン
カンウタ回路DWCTにプリセットする。また、奇数フ
ィールドFAEをハイレベルにして奇数フィールドに対
応した感度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対す
る入力信号VINEの設定であることを指示する。すな
わち、読み出し用の奇数フィールド用の入力信号VIN
を用いて次のフレームにおける奇数フィールドの感度設
定を行うことを指示する。さらに、上記制御信号Cがロ
ウレベルにされる。これによって、スイッチSWは接点
a側に接続される。それ故、入力信号VINが供給され
たとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、その計数動作
を開始する。したがって、出力信号VINEは上記計数
値260のダウン計数後、言い換えるならば、入力信号
VINに対して260行分遅れた発生される。
演算回路AUは260−263の減算結果(−3)が負
であることに応じて、上記感度260をそのままダウン
カンウタ回路DWCTにプリセットする。また、奇数フ
ィールドFAEをハイレベルにして奇数フィールドに対
応した感度設定用の垂直シフトレジスタVSREに対す
る入力信号VINEの設定であることを指示する。すな
わち、読み出し用の奇数フィールド用の入力信号VIN
を用いて次のフレームにおける奇数フィールドの感度設
定を行うことを指示する。さらに、上記制御信号Cがロ
ウレベルにされる。これによって、スイッチSWは接点
a側に接続される。それ故、入力信号VINが供給され
たとき、ダウンカウンタ回路DWCTは、その計数動作
を開始する。したがって、出力信号VINEは上記計数
値260のダウン計数後、言い換えるならば、入力信号
VINに対して260行分遅れた発生される。
この信号VINEを基準にして、次のフレームでの奇数
フィールドFAの入力信号VINに対して525−26
0=265 (行)先行して感度制御用垂直シフトレジ
スタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわち
、次のフレームにおける奇数フィールドの読み出し動作
に対して265行分の走査時間に対応した蓄積時間(感
度)の設定が行われる。
フィールドFAの入力信号VINに対して525−26
0=265 (行)先行して感度制御用垂直シフトレジ
スタVSREがシフト動作を行うものとなる。すなわち
、次のフレームにおける奇数フィールドの読み出し動作
に対して265行分の走査時間に対応した蓄積時間(感
度)の設定が行われる。
また、偶数フィールドに対応して演算回i?3AUは、
上記同様に感度260をそのままダウンカウン回路DW
CTにプリセットする。また、偶数フィールドFBEを
ハイレベルにして偶数フィールドに対応した感度設定用
の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信号VIN
Eの設定であることを指示する。すなわち、読み出し用
の偶数フィールド用の入力信号VINを用いて次のフレ
ームにおける偶数フィールドの感度設定を行うことを指
示する。以下の動作は、上記奇数フィールドでの感度設
定と同様であるので、その説明を省略する。
上記同様に感度260をそのままダウンカウン回路DW
CTにプリセットする。また、偶数フィールドFBEを
ハイレベルにして偶数フィールドに対応した感度設定用
の垂直シフトレジスタVSREに対する入力信号VIN
Eの設定であることを指示する。すなわち、読み出し用
の偶数フィールド用の入力信号VINを用いて次のフレ
ームにおける偶数フィールドの感度設定を行うことを指
示する。以下の動作は、上記奇数フィールドでの感度設
定と同様であるので、その説明を省略する。
このように、上記設定感度Xと、実際の固体撮像装置M
IDの感度Yとは補数(Y−525−X)の関係にある
。
IDの感度Yとは補数(Y−525−X)の関係にある
。
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。
る。
(1)二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を
時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上記第
1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立
したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2
の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって第1の
走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査を行
わせることによって、上記2つの垂直走査の時間差に応
じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可能とな
るという効果が得られる。
時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、上記第
1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立
したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2
の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって第1の
走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走査を行
わせることによって、上記2つの垂直走査の時間差に応
じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可能とな
るという効果が得られる。
(2)上記(11により、レンズに機械的な絞り機構を
用いることなく、電子回路による自動絞り機構を設ける
ことができる。これによって、テレビジョンカメラの小
型軽量化を図ることができるという効果が得られる。
用いることなく、電子回路による自動絞り機構を設ける
ことができる。これによって、テレビジョンカメラの小
型軽量化を図ることができるという効果が得られる。
(3)上記(2)により、自動絞り機能を電子回路化で
きるから高信輔性を実現することができるという効果が
得られる。
きるから高信輔性を実現することができるという効果が
得られる。
(4)固体撮像装置の垂直方向の行数分に相当する多段
階にわたる感度側’+TJ (絞り制?ij)が可能に
なるため、高品質の画像信号を得ることができるという
効果が得られる。
階にわたる感度側’+TJ (絞り制?ij)が可能に
なるため、高品質の画像信号を得ることができるという
効果が得られる。
(5)感度動作を画面の1枚毎に高速に変化させること
ができるから、応答性の高い自動絞り制御が可能になる
という効果が得られる。
ができるから、応答性の高い自動絞り制御が可能になる
という効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、第1図の実施例
回路において、インタレースゲート回路や駆動回路は、
その走査方式に応じて種々の実施形態を採ることができ
る。また、水平期間期間を利用して、感度設定用の中間
走査動作を行うようにするものであってもよい。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、第1図の実施例
回路において、インタレースゲート回路や駆動回路は、
その走査方式に応じて種々の実施形態を採ることができ
る。また、水平期間期間を利用して、感度設定用の中間
走査動作を行うようにするものであってもよい。
この発明は、上記MO3型固体撮像装置の他、例えばC
CD (電荷移送素子)を用いたものにも適用できる。
CD (電荷移送素子)を用いたものにも適用できる。
すなわち、読み出しが行われる行に対して先行する行に
おけるフォトダイオードの電荷を掃き出させるリセット
回路を付加し、このリセット回路を感度設定用の走査回
路により動作状態にすればよい、このように、この発明
は固体撮像装置に広く利用できるものである。
おけるフォトダイオードの電荷を掃き出させるリセット
回路を付加し、このリセット回路を感度設定用の走査回
路により動作状態にすればよい、このように、この発明
は固体撮像装置に広く利用できるものである。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの
信号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、
上記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレス
と独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行
う第2の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって
第1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走
査を行わせることによって、上記2つの垂直走査の時間
差に応じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可
能となる。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、二次元状に配列された複数個の画素セルの
信号を時系列的に出力させる第1の走査回路に加えて、
上記第1の走査回路による垂直走査方向の選択アドレス
と独立したアドレスにより垂直走査方向の選択動作を行
う第2の走査回路を設け、上記第2の走査回路によって
第1の走査回路による垂直走査に対して先行する垂直走
査を行わせることによって、上記2つの垂直走査の時間
差に応じて光電変換素子の蓄積時間を制御することが可
能となる。
第1図は、この発明の一実施例を示す固体撮像装置の要
因回路図、 第2図は、上記第1図の固体撮像装置を利用した自動絞
り機能を持つ撮像装置の一実施例を示すブロック図、 第3図は、その感度制御回路に用いられる感度設定用の
信号発生回路の一実施例を示すブロック図、 第4図は、その動作の一例を説明するためのタイミング
図である。
因回路図、 第2図は、上記第1図の固体撮像装置を利用した自動絞
り機能を持つ撮像装置の一実施例を示すブロック図、 第3図は、その感度制御回路に用いられる感度設定用の
信号発生回路の一実施例を示すブロック図、 第4図は、その動作の一例を説明するためのタイミング
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、二次元状に配列された複数個の画素セルの信号を時
系列的に出力させる第1の走査回路と、上記第1の走査
回路による垂直走査方向の選択アドレスと独立したアド
レスにより垂直走査方向の選択動作を行う第2の走査回
路とを含むことを特徴とする固体撮像装置。 2、上記二次元状に配置される画素セルは、光電変換素
子と垂直走査線にその制御端子が結合されるスイッチ素
子及び水平走査線にその制御端子が結合されるスイッチ
素子からなり、同じ行に配置された画素セルの出力ノー
ドが共通に結合される水平信号線と、上記垂直走査線に
その制御端子が結合され、上記水平信号線を一対の出力
信号線に結合させる一対のスイッチ素子からなり、上記
第1の走査回路を構成する垂直シフトレジスタと上記第
2の走査回路を構成する垂直シフトレジスタは、上記垂
直走査線の両端に上記一対のスイッチ素子に対応してそ
れぞれ配置されるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179902A JPH0815323B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 固体撮像装置 |
US07/079,526 US4870493A (en) | 1986-08-01 | 1987-07-30 | Solid-state matrix array imaging device controlled by vertical scanning registers for read-out and for photo-sensitivity control |
KR1019870008471A KR910006611B1 (ko) | 1986-08-01 | 1987-08-01 | 고체촬상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179902A JPH0815323B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6337781A true JPS6337781A (ja) | 1988-02-18 |
JPH0815323B2 JPH0815323B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16073899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61179902A Expired - Fee Related JPH0815323B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0815323B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295654A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | ドライバ回路及び固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61179902A patent/JPH0815323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295654A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | ドライバ回路及び固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0815323B2 (ja) | 1996-02-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |