KR910006611B1 - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR910006611B1
KR910006611B1 KR1019870008471A KR870008471A KR910006611B1 KR 910006611 B1 KR910006611 B1 KR 910006611B1 KR 1019870008471 A KR1019870008471 A KR 1019870008471A KR 870008471 A KR870008471 A KR 870008471A KR 910006611 B1 KR910006611 B1 KR 910006611B1
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데쯔로오 이자와
도시오 미야자와
시게끼 니시자와
이와오 다께모도
고오조오 야스다
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가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
미따 가쓰시게
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Abstract

내용 없음.

Description

고체촬상장치
제1도는 본 발명에 관한 고체촬상장치의 일실시예를 도시한 주요부회로도.
제2도는 상기 고체촬상장치를 사용한 촬상장치의 일실시예를 도시한 블록선도.
제3도는 상기 고체촬상장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
PD : 화소어레이 D1 : 포토다이오드
Q1, Q2, Q8, Q26, Q27, Q30 : MOS FET
VSR : 판독용 수직시프트레지스터 ITG : 판독용 인터페이스 게이트회로
VD : 판독용 구동회로 VSRE : 감도 설정용 수직시프트레지스터
ITGE : 감도 설정용 인터레이스 게이트회로
VDE : 감도 설정용 구동회로 RV, S, SP : 단자
VS, DVS : 출력선 HL1 : 수평주사선
VL1 : 수직주사선 HSR : 수평시프트레지스터
HS1 : 수평신호선
본 발명은 촬상장치에 관한 것으로서, 예를 들면 광전변환소자에 의해서 형성되는 화소신호를 MOS FET(절연게이트형 전계효과 트랜지스터)를 개재해서 추출하고, 그 감도를 가변시키는 기능을 가지도록 고체촬상장치에 사용되는 유효한 기술에 관한 것이다.
종래로부터 포오토다이오우드와 스위치용 MOS FET의 결합으로 이루어진 고체촬상장치가 공지되어 있다. 이와 같은 고체촬상장치에 관해서는, 예를 들면 일본국 특개소 소화 56-152382호 공보가 있다. 상기 고체촬상장치를 이용한 감시용 또는 가정용 등의 텔레비전 카메라에는, 광학렌즈에 자동조리개기구가 설치되어 있다.
상기 자동조리개기구가 부착된 렌즈는, 비교적 복잡한 기계부품을 필요로 하므로, 텔레비젼카메라에 구비된 렌즈부가 대형화되는 원인이 되고 원가가 비싸지는 원인이 되고 있다. 또한, 상기 자동조리개기구는 비교적 복잡한 기계부품으로 이루어지기 때문에, 기계적기구부분의 마모에 의한 신뢰성의 면에서 문제가 되고 있다.
본 발명의 목적은 고화질을 유지하면서 감도가변기능을 가진 고체촬상장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 신규한 특징은 본 명세서의 기재 및 첨부도면으로부터 명백해질 것이다.
본원에서 기재한 발명중 대표적인 장치의 개요를 간단하게 설명하면, 하기와 같다. 즉, 2차원 형상으로 배열된 복수개의 화소셀의 신호를 시계열(times series:특별한 순간에 할당되는 계량적인 데이터의 불연속 또는 연속적인 순서적)으로 출력시키는 제1의 주사회로와, 상기 제1의 주사회로를 사용하여 수직주사방향으로 선택어드레스와 독립한 어드레스에 따라서 수직주사방향으로 선택동작을 행하는 제2의 주사회로를 배치하고, 상기 제2의 주사회로를 선행하여 동작시킴으로서 감도가변을 실현함과 동시에, 상기 2차원형상으로 배열된 화소셀을 수평주사방향으로 선택을 행하는 수평주사선에, 상기 수평주사선을 모두 강제적으로 동시에 선택상태로 하게하는 외부단자를 배치하고 있다.
상기한 수단에 의하면, 상기 제2의 주사회로와 외부단자로 보내온 동시선택신호에 의해서, 선행하는 행(行)의 화소신호를 수평귀선기간내에 리세트시킬 수 있다. 이렇게 함으로서, 선행하는 수직주사선에 대응하는 수평신호선에는 화소신호가 발생하지 않도록 할 수 있으므로, 판독화소신호에 대한 잡음결합을 실질적으로 방지할 수 있다.
제1도에는, 본 발명이 적용되는 TSL(Transversal Signal Line) 방식의 고체촬상장치의 일실시예의 주요부회로도가 도시되어 있다. 동도면의 각 회로소자는, 공지의 반도체 집적회로의 제조기술에 의해서, 특히 제한되는 것은 아니지만, 단결정실리콘과 같은 1개의 반도체기판상에서 형성된다. 동도면의 주요한 블록은, 실제의 기하학적 배치에 맞추어서 설계되어 있다.
화소어레이(PD)는, 4행, 2열분이 대표로 해서 예시적으로 도시되어 있다. 또한, 도면이 복잡화되는 것을 방지하기 위하여, 상기 4행분중, 2행분의 화소셀에 대해서만 회로기호가 부가되어 있다. 1개의 화소셀은, 포토다이오드(D1)와, 수직주사선(VL1)에 결합되어 있는 게이트를 가지는 스위치용 MOS FET(Q1)와, 수평주사선(HL1)에 결합되어 있는 게이트를 가지는 스위치용 MOS FET(Q2)이 직렬회로로 구성되어 있다. 상기 포토다이오드(D1) 및 스위치용 MOS FET(Q1)(Q2)로 이루어진 화소셀(D1,Q1,Q2)과 같은 행(수평방향)에 배치되는 나머지 화소셀(D2,Q3,Q4)등의 출력노드는 제1도에서 횡방향으로 연장되는 수평신호선(HS1)에 접속되어 있다. 나머지 행에 대해서도 상기와 동일한 화소셀이 상술한 바와 같이 접속되어 있다.
예시적으로 도시되어 있는 수평주사선(HL1)은 동도면에 있어서 종방향으로 연장되고, 같은 열에 배치되는 화소셀의 스위치용 MOS FET(Q2)(Q6) 등의 게이트에 공통으로 접속되어 있다. 다른열에 배치되는 화소셀도 상기와 마찬가지로 대응하는 수평주사선(HL2) 등에 접속되어 있다.
본 실시예에서는, 고체촬상장치에 대해서 실질적인 전자식의 자동조리개기구를 부가하기 위하여, 바꾸어 말하면 포토다이오드에 대한 실질적인 축적시간을 가변하기 위하여, 상기 화소어레이를 구성하는 수평신호선(HS1) 내지 (HS4) 등의 양단에 각각 스위치용 MOS FET(Q8)(Q9) 및 (Q26)(Q28)가 형성되어 있다. 오른쪽에 배치되는 상기 스위치용 MOS FET(Q8)(Q9)를 통하여 상기 수평신호선(HS1)(HS2)을 각각 종방향으로 연장되는 출력선(VS)에 접속시킨다. 이 출력선(VS)은, 단자(S)에 접속되어 있고, 이 단자(S)를 개재해서 외부에 설치되는 프리앰프의 입력에 판독신호가 전달된다. 또한 왼쪽에 배치되는 상기 스위치용 MOS FET(Q26)(Q28)를 통하여 상기 수평신호선(HS1)(HS2)를 각각 종방향으로 연장되는 더미(리세트) 출력선(DVS)에 접속시킨다. 이 출력선(DVS)은 특히 제한되는 것은 아니지만, 단자(RV)에 접속되어 있다. 이것에 의해서 필요하면 상기 더미출력선(DVS)의 신호를 외부단자(RV)를 통해서 전송된다.
본 실시예에서는 제한되는 것은 아니지만, 상기 각 행의 수평신호선(HS1) 내지 (HS4)에는 단자(RP)를 통해서 수평귀선 기간동안 공급되는 리세트신호에 의해서 온상태가 되는 스위치용 MOS FET(Q27)(Q29)등이 형성되어 있다. 이들 스위치용 MOS FET(Q27)(Q29) 등의 온상태에 의해서 외부단자(RV)로부터 상기더미출력선(DVS)을 개재해서 일정한 바이어스전압(도시하지 않음)이 각 수평신호선(HS1) 내지 (HS4)에 인가된다. 상기와 같은 리세트용 MOS FET(Q27)(Q29)등이 형성되어 있는 이유는, 다음과 같다. 상기 수평신호선(HS1) 내지 (HS4)에 접속되는 스위치용 MOS FET의 드레인 등의 반도체영역도 감광성을 가지는 일이 있으며, 이와 같은 기생포토다이오드에 의해서 형성되는 의사신호(스메어,부르밍)가 비선택시에 플로우팅상태가 되는 수평신호선에 축적된다. 따라서 본 실시예에서는 상술한 바와 같이 수평귀선기간을 이용해서, 모든 수평신호선(HS1) 내지 (HS4)을 상기 특정한 바이어스전압으로 리세트한다. 이것에 의해서 선택되는 수평신호선에 관해서는, 항상 상기 의사신호를 리세트한 상태로부터 화소신호를 인출하는 것이기 때문에, 출력되는 화상신호에 함유되는 의사신호를 대폭적으로 저감할 수 있다. 또한, 상기 의사신호(스메아,브루밍)에 관해서는 예를 들면 일본국 특개소 57-17276호 공보에 상세히 설명되어 있다.
상기 수평주사선(HL1) 내지 (HL2)등에는 수평시프트레지스터(HSR)에 의해서 발생되는 수평주사신호가 공급된다.
상기 화소어레이(PD)에 대한 수직선택동작(수평주사동작)을 행하는 주사회로는 다음의 각 회로에 의해서 구성된다.
본 실시예에서는 상기 화소어레이(PD)의 수평신호선(HS1) 내지 (HS4) 등의 양단에 한쌍의 스위치용 MOS FET(Q8)(Q9)등 및 스위치용 MOS FET(Q26)(Q28)등이 형성되는 것에 대응해서 한쌍의 주사회로가 형성되어 있다.
본 실시예에서는 산업용에 적용가능하게 하기 위하여, 인터레이스모우드 외에 선택적인 2행 동시주사와, 논인터레이스모우드에서의 주사를 가능하게 하고 있다. 화소어레이(PD)의 오른쪽에는, 다음과 같은 주사회로가 형성되어 있다. 수직시프트레지스터(VSR)는, 판독용으로 사용되는 출력신호(SV1)(SV2) 등을 형성한다. 이들 출력신호(SV1)(SV2)등은 인터레이스게이트회로(ITG) 및 구동회로(VD)를 개재해서 상기 수직주사선(VS1) 내지 (VL4) 및 스위치용 MOS FET(Q8)(Q9) 등의 게이트에 공급된다.
상기 인터레이스게이트회로(ITG)는 인터레이스모우드에서의 수직선택동작(수평주사동작)을 행하기 위하여, 제1(기수)피일드에서는 수직주사선(VL1) 내지 (VL4)에는 인접하는 수직주사선(VL1)(VL2) 및 (VL3)의 결합으로 동시에 선택된다. 즉 기수피일드신호(FA)에 의해서 제어되는 스위치용 MOS FET(Q18)에 의해서, 수직시프트레지스터(VSR)의 출력신호(SV1)는 수평신호선(HS1)을 선택하는 수직주사선(VL1)에 출력된다. 동시에, 신호(FA)에 의해서 제어되는 스위치용 MOS FET(Q20)(Q22)에 의해서, 수직시프트레지스터(VSR)의 출력신호(SV2)는, 수평신호선(HS2)과 수평신호선(HS3)을 동시에 선택하도록 수직주사선(VS2)과 수직주사선(VL3)에 출력된다. 이하 동일한 순서로 결합하여 이루어진 한쌍의 수평신호선을 선택하는 선택신호가 형성된다.
또, 제2(우수)피일드에서는, 수직주사선(VL1) 내지 (VL4)에는 인접하는 수직주사선 (VL1), (VL2) 및 수직주사선(VL3), (VL4)의 결합으로 동시에 선택된다. 즉 우수피일드신호(FB)에 의해서 제어되는 스위치용 MOS FET(Q19) (Q21)에 의해서, 수직시프트레지스터(VSR)의 출력신호(SV1)는, 수평신호선(HS1), (HS2)을 선택하는 수직주사선(VL1), (VL2)에 출력된다. 동시에, 신호(FB)에 의해서 제어되는 스위치용 MOS FET(Q23) (Q25)에 의해서 수직시프트레지스터(VSR)의 출력신호(SV2)는 수평신호선(HS3), (HS4)을 동시에 선택하도록 수직주사선(VL3), (VL4)에 출력된다. 이하 동일한 순서로 결합하여, 이루어진 한쌍의 수평신호선의 선택신호가 형성된다.
상술한 바와 같은 인터레이스게이트회로(ITG)와 후술하는 바와 같은 구동회로(VD)에 의해서 이하에 설명하는 바와 같이 복수종류의 수평주사동작이 실현된다.
상기 하나의 주식주사선(VL1)에 대응된 인터레이스게이트회로(ITG)로부터 나오는 출력신호는 스위치용 MOS FET(Q14) (Q15)의 게이트에 공급된다. 이들 스위치용 MOS FET(Q14) (Q15)의 공통으로 접속된 드레인전극은 단자(V3)에 결합된다. 상기 스위치용 MOS FET(Q14)는 단자(V3)로부터 공급되는 신호를 상기 수직주사선(VL1)에 공급한다. 또, 스위치용 MOS FET(Q15)는 상기 단자(V3)로부터 공급되는 신호를 수평신호선(HS1)을 출력선(VS)에 접속시키는 스위치용 MOS FET(Q8)의 게이트에 공급된다. 또한 출력 신호의 하이레벨이 스위치용 MOS FET(Q14)(Q15)의 임계전압이하로 저하하는 것을 방지하기 위하여, 특히 제한하는 것은 아니지만, MOS FET(Q14)의 게이트와, MOS FET(Q15)의 출력축(소오스측)사이에 커패시터(C1)가 형성되어 있다. 이것에 의해서 인터레이스게이트회로(ITG)로부터 나오는 출력신호가 하이레벨이 될 때, 단자(V3)의 전위를 로우레벨로 해놓고, 커패시터(C1)에 프리차아지(prechagrge)를 행한다. 이후, 단자(V3)의 전위를 하이레벨로 하면, 커패시터(C1)에 의한 부트스트랩작용에 의해서 상기 MOS FET(Q14) 및 (Q15)의 게이트전압을 승압시킬 수 있다.
상기 수직주사선(VL1)에 인접하는 수직주사선(VL2)에 대응된 인터레이스게이트회로(ITG)로부터 나오는 출력신호는, 스위치용 MOS FET(Q16) (Q17)의 게이트에 공급된다. 이들 스위치용 MOS FET(Q16) (Q17)의 공통으로 접속된 드레인전극은, 단자(V4)에 접속되어 있다 상기 스위치용 MOS FET(Q16) 는 단자(V4)로부터 공급되는 신호를 상기 수직주사선(VL2)에 공급한다. 또한 스위치용 MOS FET(Q17)는, 상기 단자(V4)로부터 공급되는 신호를, 수평신호선(HS2)을 출력선(VS)에 접속시키는 스위치용 MOS FET(Q9)의 게이트에 공급한다. 또한, 출력신호의 하이레벨이 스위치용 MOS FET(Q16) (Q17)의 임계전압이하로 저하되는 것을 방지하기 위하여, 특히 제한하는 것은 아니지만, 스위치용 MOS FET(Q16)의 게이트와 스위치용 MOS FET(Q17)의 출력측(소오스측)사이에 커패시터(C2)가 형성되어 있다. 따라서 상기와 같은 타이밍에서 단자(V4)의 전위를 변화시킴으로서, 커패시터(C2)에 의한 부트스트랩작용에 의해서 상기 스위치용 MOS FET(Q16) 및 (Q17)의 게이트전압을 승압시킬 수 있다.
상기 단자(V3)는 기수번째 수직주사선(수평신호선)에 대응하여 구동할 수 있도록 스위치용 MOS FET에 대해서 공통으로 형성되어 있고, 단자(V4)는 우수번째의 수직주사선(수평신호선)에 대해서 공통으로 형성되어 있다.
이상의 설명으로부터 알수 있는 바와 같이, 단자(V3)와 (V4)에 택일적으로 타이밍신호를 공급하고 상기 인터레이스게이트회로(ITG)에 의한 2행 동시선택동작과의 결합함으로써, 인터레이스모우드에 의한 판독동작이 가능하게 된다. 예를 들면, 기수피일드(FA)일 때, 단자(V4)를 로우레벨로 설정한 상태에서, 단자(V3)에 상기 수직시프트레지스터(VSR)의 동작과 동기한 타이밍신호를 공급함으로서, 수직주사선(수평신호선)을 [VL1(HS1)], [VL3(HS)]의 순서로 선택할 수 있다. 또, 우수피일드(FB)일 때, 단자(V3)를 로우레벨로 설정한 상태에서, 단자(V4)에 상기 수직시프트레지스터(VSR)의 동작과 동기한 타이밍신호를 공급함으로서, 수직주사선(수평신호선)을 [VL2(HS2)], [VL4(HS4)]로 선택할 수 있다.
한편, 상기 단자(V3)와 (V4)를 동시에, 상기와 마찬가지로 하이레벨로 설정하면, 상기 인터레이스게이트회로(ITG)로부터 나오는 출력신호에 따라서, 2행 동시주사를 행할 수 있다. 이 경우, 상기와 같이 2개의 피일드신호(FA) 및 (FB)에 의한 2개의 화면마다 출력되는 2개의 행의 결합이 1행분 상하에 시프트됨으로서, 공간적중심의 상하시프트, 바꾸어 말하면, 등가적인 인터레이스모우드가 실현된다.
또한, 예를 들면(FB)신호만을 하이레벨로 설정한 다음, 1개의 수직주사타이밍에서 수평시프트레지스터(HSR)를 2회 동작시키고, 그것에 동기해서 단자(V3)와 (V4)를 하이레벨로 설정함으로써, (VL1)(VL2)(VL3)(VL4)의 순서와 같이 논인터레이스모우드에서의 선택동작을 실현할 수 있다. 이 경우보다 더 고화질로 하기 위하여, 수평시프트레지스터(HSR) 와 수직시프트레지스터(VSR)에 공급되는 클록신호의 주파수가 2배로 되는 것이 바람직하다. 즉 단자(H1)(H2) 및 단자(V1)(V2)로부터 수평시프트레지스터(HSR), 수직시프트레지스터(VSR)에 공급되는 클록신호의 주파수를 2배의 높은 주파수로 함으로써, 1초당 60매의 화상을 논인터레이스방식에 의해서 판독할 수 있다. 또한, 단자(HIN), (VIN)는, 상기 시프트레지스터(HSR),(VSR)에 의해서 각각 시프트되는 입력신호를 공급하는 단자이며, 입력신호가 공급된 시점으로부터 시프트동작이 개시된다. 이 때문에 상기 인터레이스게이트회로(ITG) 및 입력단자(V3),(V4)에 공급되는 입력신호의 결합에 의해서, 상기 2행을 동시 판독하여, 인터레이스주사, 논인터레이스주사 등을 행할 경우에는 출력신호의 수직방향의 상하관계가 역전되지 않도록 상기 주식시프트레지스터(VSR)에 입력신호의 공급시 타이밍적인 배려가 필요하다.
또한, 상기 각 수직주사선(VL1) 및 그것에 대응한 스위치용 MOS FET(Q8)의 게이트와 회로의 접지전위점 사이에는, 리세트용 MOS FET(Q10) (Q11)가 형성되어 있다. 이들 리세트용 MOS FET(Q10) (Q11)는 다른 수직주사선 및 스위치용 MOS FET에 대응해서 형성되는 리세트용 MOS FET와 공통으로 단자(V2)로부터 공급되는 클록신호를 받아서, 상기 선택상태의 수직주사선 및 스위치용 MOS FET의 게이트전위를 고속으로 로우레벨로 설정된다.
본 실시예에서는 상술한 바와 같이 감도가변기능을 부가하기 위하여 감도설정용 수직시프트레지스터(VSRE), 감도설정용 인터레이스게이트회로(ITGE) 및 감도설정용 구동회로(DVE)가 형성되어 있다. 이들 감도설정용 각 회로는 특히 제한하는 것은 아니지만, 상기 화소어레이(PD)에 대해서 왼쪽에 배치된다. 이들 수직시프트레지스터(VSRE), 인터레이스게이트회로(ITG) 및 구동회로(DVE)는, 상기 판독용 수직주사시프트레지스터(VSR), 인터레이스게이트회로(ITG) 및 구동회로(DV)와 동일한 회로로 구성된다. 단자(V1E) 내지 (V4E), (VINE) 및 (FAE), (ABE)로부터 각각 상기와 마찬가지의 타이밍신호가 각각 공급된다. 이 경우, 상기 판독용 수직시프트레지스터(VSR)와 상기 감도가변용 수직시프트레지스터(VSRE)를 동기한 타이밍으로 시프트동작을 행하게 하기 위하여, 특히 제한하는 것은 아니지만, 단자(V1E), (V1) 및 단자(V2E), (V2)에는 동일한 클록신호가 공급된다. 따라서, 상기 단자(V1E), (V1) 및 단자(V2E), (V2)는 내부회로에 의해서 공통으로 접속하여 배치되어 있다. 상술한 바와 같이 각각의 단자(V1E), (V2E)를 배치한 이유는, 이 고체촬상장치를 수동조리개나 종래의 기계적조리개기능을 가진 텔레비젼카메라에 적용가능하게 하기 위한 것이다. 이와 같이 감도가변동작을 행하지 않을 경우, 상기 단자(V1E), (V2E)를 회로의 접지전위와 같은 로우레벨로 설정함으로써 상기 수직주사시프트레지스터(VSRE)의 쓸데없는 소비전력의 발생을 억제할 수 있다.
다음에, 본 실시예에 따른 고체촬상장치의 감도제어동작을 설명한다.
설명을 간단하게 하기 위하여, 상기 논인터레이스모우드에 의한 수직주사동작을 예로해서 이하 설명한다. 예를 들면, 감도설정용 수직시프트레지스트(VSRE), 감도설정용 인터레이스게이트회로(ITGE) 및 감도설정용 구동회로(VDE)에 의해서, 판독용 수직시프트레지스터(VSR), 판독제어용 인터레이스게이트회로(ITG) 및 판독제어용 구동회로(VD)에 의한 제1행째[수직주사선(VL1),수평신호선(HS1)]의 판독을 병행해서, 제4행째[수직주사선(VL4),수평신호선(HS4)]의 선택동작을 행하게 한다. 이렇게 함으로서, 수평시프트레지스터(HSR)에 의해서 형성되는 수평주사선(HL1)(HL2) 등의 선택동작에 동기해서 출력신호선(VS)에는 제1행째에 있는 포토다이오드(D1)(D2) 등에 축적된 광신호가 시계열적으로 판독된다. 이 판독동작은 단자(S)로부터 부하저항을 개재하여 상기 광신호에 대응한 전류를 공급함으로써 행해지고, 판독동작도 동시에 프리차이지(리세트)동작에 행해진다. 마찬가지의 동작이, 제4행째에 있는 포토다이오드에서도 행해진다. 이 경우, 상기와 같은 감도가변용 주사회로(VSRE, ITGE, VDE)에 의해서, 제4행째의 판독동작은 더미출력선(DVS)에 대해서 행새진다. 감도제어동작만을 행할 경우, 단자(RV)에는 단자(S)와 같은 바이어스전압이 인가되고 있다. 이것에 의해서, 제4행째의 각 화소셀에 이미 축적된 광신호의 소거, 바꾸어 말하면, 리세트 동작이 행해진다.
따라서, 상기 수직주사동작에 의해서 판독용 수직시프트레지스터(VSR), 판독용인터레이스게이트회로(ITE) 및 판독용구동회로(VD)에 의한 제4행째[수직주사선(VL4), 수평신호선(HS4)]의 판독동작은, 상기 제1행 내지 제3행의 판독동작 후에, 행해지므로, 제4행째에 배치되는 화소셀의 포토다이오드의 축적시간은 3행분의 화소셀의 판독시간이 된다.
상기 동작대신에, 감도설정용 수직시프트레지스터(VSRE), 감도설정용 인터레이스게이트회로(ITGE) 및 감도설정용 구동회로(VDE)에 의해서, 판독용 수직시프트레지스터(VSR), 판독용 인터레이스게이트회로(ITE) 및 판독용 구동회로(VD)에 의한 제1행째[수직주사선(VL1), 수평신호선(HS1)]의 판독에 병행해서, 제2행째[수직주사선(VL2), 수평신호선(HS2)]의 선택동작을 행하게 한다. 이것에 의해서 수평시프트레지스터(HSR)에 의해서 형성되는 수평주사선(HL1)(HL2) 등의 선택동작에 동기해서, 출력신호선(VS)에는 제1행째에 있는 포토다이오드(D1)(D2) 등에 축적된 광신호가 시계열적으로 판독된다. 이 판독동작은 단자(S)로부터 부하저항을 개재해서 상기 광신호에 대응한 전류의 공급에 의해서 행해지고, 판독동작과 동시에 프리차아지(리세트)동작이 행해진다. 마찬가지의 동작이, 제2행째에 있는 포토다이오드(D3)(D4)등에서도 행해진다. 이것에 의해서, 상기 제1행째의 판독동작과 병행해서 제2행째의 각 화소셀에 이미 축적된 광신호의 소거동작이 행해진다. 따라서, 상기 수직주사동작에 의해서, 판독용 수직시프트레지스터(VSR), 인터레이스게이트회로(ITE) 및 구동회로(VD)에 의한 제2행째[수직주사선(VL2), 수평신호선(HS2)]의 판독동작은, 상기 제1행째의 판독동작 후에, 행해지므로, 제2행째에 배치되는 화소셀의 포토다이오드의 축적시간은, 1행분의 화소셀의 판독시간과 동일하게 된다. 이것에 의해서 상기 경우와 비교해서, 포토다이오드의 실질적인 축적시간은 1/3로 감소시킬 수 있다. 바꾸어 말하면 감도를 1/3로 낮출 수 있다.
상술한 바와 같이, 감도제어용 주사회로에 의해서 행해지는 선행수직주사동작에 의해서 그 행의 화소셀이 리세트되므로, 이 리세트 동작으로부터 상기 판독용 주사회로에 의한 실제적인 판독이 행해질 때까지 걸리는 시간이, 포토다이오드에 대한 축적시간으로 간주된다. 따라서, 525행으로 이루어진 화소어레이에 있어서는, 상기 양 수직주사회로에 의한 다른 어드레스지정과, 공통의 수평주사회로에 의한 화소셀의 선택동작에 의해서 1행분의 판독시간을 단위(최소)로 해서 최대 525까지의 다단계에 걸친 축적시간, 바꾸어 말하면, 525단계에 걸친 감도를 설정할 수 있다. 또한, 수광면조도의 변화가 상기 1화면을 구성하는 주사시간에 대해서 무시할 수 있으므로, 실제적으로는 일정한 광이 포토다이오드에 입사되고 있는 것으로 한다. 또한, 최대감도(525)는 상기 감도제어용 주사회로는 비동작상태일 때에 얻어진다.
상기와 같은 감도제어동작에 있어서는, 화소신호의 판독과, 선행하는 수직주사동작에 의한 리세트동작에 병행해서 행해진다. 이 때문에, 리세트동작을 위한 화소신호가, 기판 등을 개재한 용량결합에 의해서 판독신호에 혼합되는 경우가 발생한다. 이와 같은 용량결합이 발생하면, 판독화소신호에는 텔레비젼수상기에 나타나는 고스트와 같은 노이즈가 발생해서 화질을 열화시킨다.
따라서, 본 실시예에서는 상기 수평주사선(HL1)(HL2)등에 대새서, 다이오드 상태의 MOS FET(Q30) (Q31)등을 개재해서 외부단자(SP)로부터 강제적으로 모든 수평주사선을 선택상태가 되게하는 기능을 부가한다. 즉, 상기 단자(SP)를 하이레벨로 설정하면, 수평시프트레지스터(HSR)의 동작에 관계없이, 다이오드상태의 MOS FET (Q30) (Q31)등이 모두 온상태가 되어서 모든 수평주사선(HL1)(HL2) 등에 하이레벨을 공급해서 선택상태가 되게 할 수 있다. 또한, 상기 다이오드상태의 MOS FET(Q30) (Q31)등과 같은 1방향성 소자를 개재해서 상기 선택레벨을 공급하므로, 상기 단자(SP)를 로우레벨로 설정하면, 상기 MOS FET(Q30) (Q31)등은 오프상태를 유지한다. 이것에 의해서 상기와 같은 강제적인 동시 선택회로를 형성해도, 수평시프트레지스터(HSR)의 시프트 동작에 따른 수평주사선(HL1)(HL2)등이 시계열적으로 선택레벨이 설정되는 동작을 방해하지 않는다. 또한, 수평시프트레지스터(HSR)가, 다이내믹형 회로에 의해서 구성되므로, 상기와 같은 강제적인 수평주사선(HL1)(HL2) 등의 선택레벨에 의해서 그 시프트동작에 악영향이 발생하면, 상기 선택레벨이 수평시프트레지스터(HSR)의 내부에 전달되지 않도록 스위치회로등이 부가되어 있다.
상기 수평주사선(HL1)(HL2) 등의 동시 선택동작을 후술하는 바와 같은 수평귀선 기간동안 행해짐과 동시에, 상기 선행하는 수직주사를 개시한다. 이것에 의해서, 상기 리세트시켜야 할 행의 모든 화소신호를 미리 강제적으로 리세트 시킬 수 있다. 따라서, 상기 수평시프트레지스터(HSR)에 의한 수평주사선의 선택동작에 따른 화소신호를 판독하는 동안, 선행하는 행으로부터는 실질적으로 화소신호가 출력되지 않는다. 이것에 의해서, 상기 기판 등을 개재한 용량결합이 존재하여도 판독신호에는 상술한 바와 같은 노이즈가 나타나지 않는다.
제2도에는, 상기 고체촬상장치를 사용한 자동조리개기능을 가진 촬상장치의 일실시예의 블록도가 도시되어 있다.
고체촬상장치(MID)는, 상기 제1도에 도시한 바와 같은 감도가변기능을 가지고 있다. 이 고체촬상장치(MID)로부터 출력되는 판독신호는 프리앰프에 의해서 증폭된다. 이 증폭신호(Vout)는 도시하지 않은 신호 처리회로에 공급되어, 예를 들면 텔레비젼용 화상신호가 ehls다. 또한 상기 증폭신호(Vout)는, 자동조리개제어용으로 이용된다. 즉 상기 증폭신호(Vout), 저역통과필터(LPF)에 공급되고, 그 평균적인 신호레벨로 변환된다. 이 신호는 특히 제한되는 것은 아니지만, 검파회로(DET)에 공급되고, 여기에서 직류신호화된다. 감도제어회로는 상기 검파회로(DET)의 출력신호를 받아서 소정의 콘트랙션양(감도)과 비교해서 최적한 콘트랙션양에 대응한 제어신호를 형성한다. 즉, 감도제어회로는 상술한 바와 같이, 주사타이밍을 제어하는 클록신호를 고체촬상장치(MID)에 공급하는 구동회로로부터 보내온 신호(VIN) 및 (V1)를 받아서, 고체촬상장치(MID)의 판독타이밍을 참조해서, 그것에 실질적으로 선행하는 신호(VINE)를 형성한다. 즉, 상기 타이밍신호(VIN)를 기준으로 해서, 필요한 콘트랙션양(감도)에 대응하여 선행하는 타이밍신호(VINE)를 형성하는 것이기 때문에, 실제에는 상기 타이밍신호(VIN)보다 지연되어서 신호(VINE)가 형성된다. 그러나, 주사가 반복해서 행해지기 때문에, 상기 신호(VINE)에서 보면, 다음 화면의 주사에서는 신호(VIN)가 지연되는 것이 된다. 즉 타이밍신호(VIN)로부터 1행만큼 지연되어서 타이밍신호(VINE)를 발생하면, 다음 주사화면에서는, 타이밍신호(VINE)가 타이밍신호(VIN)에 대해서 524행만큼 선행하는 타이밍신호라고 간주된다. 상기 타이밍신호(VIN) 및 (VINE)에 의해서, 각 수직시프트레지스터(VSR) 및 (VSER)의 시프트동작이 개시되므로, 상술한 바와 같은 감도가변동작이 행해진다.
감도제어회로는, 예를 들면 전압비교회로에 의해서 소정의 콘트랙션량에 상당하는 기준전압과, 상기 검파회로(DET)로부터 나오는 출력전압을 비교해서 그 대소에 따라서, 1단계씩 콘트렉션양을 변화시킨다. 또는 응답성을 높이기 위하여, 상기 525단계의 콘트렉션량을 2진화신호에 대응시켜 놓고, 그 최상위 비트로부터 상기 전압비교회로의 출력신호에 따라서 결정한다. 예를 들면, 약 1/2의콘트렉션양(감도256)을 기준으로 해서, 콘트렉션양을, 검파회로(DET)의 신호가 기준전압보다 클때에는 1/4(감도128)로 설정하고, 작을때에는 3/4(감도384)으로 설정한 다음, 각각의 반분만큼씩 콘트렉션양을 결정한다. 이것에 의해서, 감도 525단계를 가지고 있는 감도로부터, 1개의 최적콘트랙션양을 10회의 설정동작에 의해서 얻을 수 있다. 상기 콘트렉션양의 설정동작, 바꾸어 말하면, 감도제어용 수직시프트레지스터(VSRE)의 초기설정동작(VINE)을 수직귀선 기간동안 행하는 것으로 가정하면, 10매분의 화면으로부터 판독신호동작에 따라서 최적콘트랙션양의 설정을 행할 수 있다.
또, 특히 제한하는 것은 아니지만 감도제어회로는 수평귀선기간동안 상기 강제적인 리세트 동작을 위한 신호(SP)를 발생한다. 상기 신호(SP)에 따라서 감도제어회로는, 수평귀선기간에 들어가면 선행하는 행의 수직선택신호를 발생한다.
이 실시예의 촬상장치에서는, 감도가변기능이 고체촬상장치(MID)에 내장되어 있으며, 그 판독출력신호레벨을 판정해서 전기적으로 상기 감도를 제어하므로, 상기 감도제어회로는 반도체집적회로 등에 의해서 구성할 수 있으므로, 장치의 소형경량화 및 고내구성을 도모할 수 있다.
제3도에는, 상기 고체촬상장치의 판독동작의 일실시예에 따른 타이밍도를 나타내고 있다.
예를 들면, 수직주사선(VL1)이 하이레벨일 때, 제1행째의 판독동작은, 수평주사선(HL1) 내지 (HLm)을 시계열적으로 순차적으로 하이레벨로 설정함으로써 행해진다. 즉, 이와 같이 해서 순차로 선택되는 화소셀의 포오토다이오드에 축적된 광신호에 대응한 전류가 흐름으로서, 그 화소셀로부터의 판독동작과 다음의 판독 동작을 위한 리세트(프리차아지)동작이 동시에 행해진다. 상기 광전류를 부하저항에 흐를 때 형성되는 전압신호는, 제2도에 나타낸 프리앰프에 의해 증폭된 다음 출력된다. 상기와 마찬가지로, 선행하는 수직주사선(VLn)이 하이레벨일 때, 제n행째의 리세트동작이 상기 수평주사선(HL1) 내지 (HLm)의 시계열적인 선택동작에 따라서 행해진다.
상기 한쌍의 행(1,n)에 대한 판독 및 리세트동작이 종료하면, 수평귀선기간이 시작된다. 이 수평귀선기간동안 상기 수직주사선(VL1)과 (VLn)은 하이레벨로부터 로우레벨이 되어 비선택상태로 절환된다. 그리고, 단자(RP)가 하이레벨이 설정되고 제1도의 각 리세트용 MOS FET(Q27) (Q29) 등을 온상태로 설정된다. 이것에 의해서, 비선택상태의 수평신호선(HS2)에 발생된 상술한 바와 같은 의사신호를 리세트 한다. 또, 단자(SP)가 하이레벨로 설정되고, 모든 수평주사선(HL1)∼(HLm)은 강제적으로 선택레벨이 된다. 이때, 감도제어를 위하여 선행하는 다음의 행에 대응한 수직주사선(VLn+1)도 하이레벨의 선택상태도 설정된다. 따라서 상기 감도설정을 위한 수직주사선(VLn+1)에 대응한 1행분의 모든 화소의 판독(리세트)이 행해진다.
이것에 의해서, 상기 수평귀선기간이 종료해서 다음의 제2행째의 판독동작을 시작하면, 수평주사선(HL1) 내지 (HLm)이 시계열적으로 순차적으로 하이레벨로 설정되어 수평신호선(HS2)에는 상기와 같은 판독신호가 얻어진다. 이때, 선행하는 제n+1행째의 수평신호선(HSn+1)에는 상기한 강제리세트의 직후이므로 신호를 얻을수 없다. 가령 얻을 수 있다고 해도 매우 미세한 신호이기 때문에 무시할 수 있다. 따라서, 상기 양수평신호선(HS1, HSn+1)사이에 기판 등을 개재한 용량결합이 존재하여도, 상기 리세트동작에 의해 발생된 소거신호가 상기 판독신호쪽으로 누설하지 않는다. 따라서, 상기와 같은 수평귀선 기간동안 강제적인 리세트동작에 의해서 고화질의 판독신호를 얻울 수 있다.
상기의 실시예로부터 얻어지는 작용효과는 하기와 같다.
[1] 2차원형상으로 배열된 복수개의 화소셀의 신호를 시계열적으로 출력시키는 제1의 주사회로와, 상기 제1의 주사회로를 사용하여 수직주사방향으로 선택어드레스와 독립한 어드레스에 따라서 수직주사방향으로 선택동작을 행하는 제2의 주사회로를 배치하고, 상기 제2의 주사회로를 선행하여 동작시킴으로서 감도가 변을 실현함과 동시에, 상기 2차원형상으로 배열된 화소셀을 수평주사방향으로 선택을 행하는 수평주사선에, 상기 수평주사선을 모두 강제적으로 동시에 선택상태가 되게하는 외부단자를 배치하고, 상기 제2의 주사회로와 외부단자로 보내온 동시 선택신호에 의해서, 선행하는 행의 모든 화소신호를 수평귀선기간내에 리세트(소거시킴)시킬 수 있다. 이렇게 함으로써 선행하는 수직주사선에 대응하는 수평신호선에는 실질적인 화소신호가 발생하지 않도록 할 수 있으므로, 판독화소신호에 대한 잡음 결합을 방지할 수 있는 효과가 얻어진다.
[2] 2차원형상으로 배열된 복수개의 화소셀의 신호를 시계열적으로 출력시키는 제1의 주사회로에 부가해서, 상기 제1의 주사회로를 사용하여 수직주사방향으로 선택어드레스와 독립된 어드레스에 따라서 수직주사방향으로 선택동작을 행하는 제2의 주사회로를 배치하고, 상기 제2의 주사회로에 의해서, 제1의 주사회로에 의한 수직주사에 대해서 선행하는 수직주사를 행하게 함으로서, 상기 2개의 수직주사의 시간차에 따라서 광전변환소자의 축적시간을 제어할 수 있다는 효과가 얻어진다.
[3] 상기 [1] 및 [2]에 의해서, 고화질을 유지하면서 감도가변기능을 가진 고체촬상장치를 얻을 수 있다는 효과가 얻어진다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시예에 의거하여 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경가능한 것을 말할 것도 없다. 예를 들면, 제1도의 실시예에 따른 회로에 있어서 인터레이스게이트회로나 구동회로는 그 주사방향에 따라서 여러 가지의 실시형태를 채용할 수 있다. 또한. 선행하는 행의 수직주사선은, 수평귀선기간동안만 선택상태로 설정할 수 있는 것이어도 된다. 이 경우에는, 판독을 행하여야 할 행에 대응한 수평신호외에 판독신호가 출력되지 않으므로, 상기와 같은 용량결합에 의한 잡음이 발생을 완전히 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 고체촬상장치는 움직이는 화면이나 정지화면의 촬영에 널리 이용할 수 있다.
본 말명에서 기재된 발명중 대표적인 장치에 의해서 얻어지는 효과를 간단하게 설명하면, 하기와 같다. 즉, 2차원형상으로 배열된 복수개의 화소셀의 신호를 시계열적으로 출력시키는 제1의 주사회로와, 상기 제1의 주사회로를 사용하여 수직주사방향으로 선택어드레스와 독립한 어드레스에 따라서 수직주사방향으로 선택동작을 행하는 제2의 주사회로를 배치함으로써, 감도가변을 실현함과 동시에, 상기 2차원형상으로 배열된 화소셀을 수평주사방향으로 선택을 행하는 수평주사선에, 상기 수평주사선을 모두 강제적으로 동시에 선택상태가 되게하는 외부단자를 배치하고, 상기 상기 제2의 주사회로와 외부단자로 보내온 동시 선택신호에 의해서, 선행하는 행의 모든 화소신호를 수평귀선기간내에 리세트(소거)시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 선행하는 수직주사선에 대응하는 수평신호선에는 실질적인 화소신호가 발생하지 않도록 할 수 있으므로, 판독화소신호에 대한 잡음결합을 방지할 수 있다.

Claims (15)

  1. 광전변환소자(D1)와, 상기 광전변환소자와 한쌍을 이루는 한개이상의 전계효과트랜지스터(Q1),(Q2)로 각각 형성되어 있는 복수개의 화소셀(D1,Q1,Q2)과, 제1의 단자(RV),(DVS) 및 분리되어 있는 제2의 단자(S)(VS)와, 제1의 타이밍주기동안 상기 변환소자중에서 선택된 한 개의 변환소자를, 상기 복수개의 화소셀트랜지스터중에서 상기에 대응하는 한 개의 화소셀트렌지스터의 소스-드레인전류통로를 통하여 상기 제1의 단자에 접속되도록, 상기 복수개의 화소셀트랜지스터의 게이트를 구동하여 상기 변환소자를 선택적으로 액세스하는 제1의 주사레지스터(VSRE), (ITGE), (VDE)와, 제1의 타이밍주기와 다른 제2의 타이밍주기동안, 상기 선택된 변환소자를, 대응하는 트랜지스터의 전류통로를 통하여 제2의 단자에 접속되도록, 상기 복수개의 화소셀트랜지스터의 게이트를 구동하여 상기 변환소자를 선택적으로 액세스하는 제2의 주사레지스터(VSR), (ITG), (VD)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 단자로부터, 상기 변환소자를 리세트하는 바이어스전압(DVS)을 상기 변환소자에 공급하고, 상기 제2의 단자는 신호출력단자(S)로 되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  3. 제2항에 있어서, 제1의 레지스터 및 제2의 레지스터간에 주사타이밍의 차이를 설정하는 수단(제2도의 감도제어회로)을 부가하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1의 레지스터 및 제2의 레지스터간에 주사타이밍의 차이를 설정하는 수단(제2도의 감도제어회로)을 부가하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 선택된 변환소자는, 대응하는 MOS FET(Q1)(Q2)의 소스-드레인채널을 통하여 상기 제2의 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 화소셀 각각은, 포토다이오드(D1), 대응하는 수평주사선(HL1) 및 수직주사선(VL1)에 각각 결합된 게이트전극을 가지고 있으며, 수평주사펄스와 상기 제1 및 제2의 타이밍 주기동안 각각 상기 제1 및 제2의 주사레지스터로부터 받은 주사펄스에 대응하는 수직주사펄스에 따라서 활성화되는, 한쌍의 직렬로 접속되어 있는 MOS FET(Q1)(Q2)로 이루어져 있고, 포토다이오드(D1)와 MOS FET(Q1)(Q2)로 이루어진 상기 복수개의 화소셀 각각은, 기준접지선과 수평신호선 사이에 직력배열로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 선택된 변환소자는, 이에 대응하는 MOS FET(Q1)(Q2)의 소스-드레인전류 채널통로를 통하여 상기 제2의 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  8. 복수개의 수직주사선(HL1)과 복수개의 수평주사선(VL1)을 조합하여 2차원의 어레이로서 배열되어 있으며, 광전변환소자(D1)와 직렬로 되어 있는 제1 및 제2의 트랜지스터(Q1)(Q2)를 각각 형성하고 있으며, 제1의 트렌지스터(Q1)는 수직주사선에 접속되는 제어전극을 가지며, 제2의 트렌지스터(Q2)는 수평주사선에 접속되어 제어전극을 가지며, 제2의 트렌지스터(Q2)는 수평주사선에 접속되는 제어전극을 가지는 복수개의 화소셀(D1,Q1,Q2)과, 상기 수평주사선을 선택적으로 활성화시키는 수평주사회로(HSR)와, 상기 수직주사선을 선택적으로 활성화시키는 상기 수직주사선의 한쪽단부에 접속되어 있는 제1의 수직주사회로(VSRE), (ITGE), (VDE), (Q26)와, 상기 수직주사선을 선택적으로 활성화시키는 상기 수직주사선의 다른쪽 단부에 접속되어 있는 제2의 수직주사회로(VSR), (ITG), (VD), (Q8)와, 제1의 단자(RV) 및 제2의 단자(S)와, 상기 제1 및 제2의 트랜지스터중에서 대응하는 트렌지스터를 통하여 상기 변환소자를 상기 제1의 단계에 선택적으로 결합시키는 상기 제1의 수직주사회로에 의하여 구동되는 제1의 절환회로(Q26)와, 상기 제1 및 제2의 트랜지스터중에서 대응하는 트랜지스터를 통하여 상기 변환소자를 상기 제2의 단자에 선택적으로 접속시키기 위하여 상기 제2의 수직주사회로에 의하여 구동되는 제2의 절환회로(Q8)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 수직주사회로는, 상기 화소셀어레이의 단부측에 대향하여 수직으로 배치되어 있고, 상기 수직주사선은, 상기 제1 및 제2의 수직주사회로사이에 상기 화소셀어레이를 가로질러서 수평으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 복수개의 수직주사선(VL1), 복수개의 수평주사선(HL1) 및 복수개의 신호선(HS1)을 열 및 행의 어레이로서 배열되어 있으며, 광전변환소자(D1), 제1 및 제2의 트렌지스터(Q1)(Q2)의 배열을 각각 구비하고 있으며, 상기 제1의 트랜지스터는, 상기 열에 대해서 평행한 방향으로 연장되어 있는 상기 복수개의 수직주사선중에서 한개의 수직주사선에 접속되는 제어전극을 가지고 있으며, 상기 제2의 트렌지스터는, 상기 행에 대해서 평행한 방향으로 연장되어 있는 복수개의 수평주사선중에서 한개의 수평주사선에 접속되어 있으며, 각각의 화소셀로 이루어져 있는 상기 제1 및 제2의 트랜지스터는 모두, 대응하는 수평주사신호 및 수직주사신호에 응답하므로서 상기 열에 대해서 평행한 방향으로 연장되어 있는 상기 복수개의 신호선과 상기 변환소자간에 전류통로가 형성되도록 이루어져 있는 복수개의 화소셀(D1,Q1,Q2)과, 상기 수평주사선을 선택적으로 활성화시키는 수평주사신호를 형성하는 수평주사회로(HSR)와, 상기 수직주사선을 선택적으로 활성화시키는 수직주사신호를 형성하는 수직주사회로(VSR)와, 신호출력단자(S)와, 상기 수직주사회로의 동작에 대응하여 상기 복수개의 신호선을 상기 출력단자에 선택적으로 접속시키는 절환회로(Q8)와, 각각의 수직블랭킹기간동안 상기 신호선을 리세트하는 수평리세트회로(Q27)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 수평리세트회로는, 각각의 수평귀선기간동안 리세트신호에 대응하여 상기 신호선을 리세트전압단자(RV)에 선택적으로 접속하는 복수개의 리세트용 MOS FET(Q27)을 구성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 수직주사선을 선택적으로 활성화하는 수직주사회로(VSRE)와, 기준단자(RV)와, 상기 수직주사회로의 작동에 대응하여 상기 신호선을 상기 기준단자에 선택적으로 접속하는 절환회로(Q26)을 부가하여 구성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 수평리세트회로의 동작과 관련하여 상기 신호선에 대한 리세트 전압을 상기 기준단자로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  14. 열 및 행의 어레이로서 배열되어 있으며, 복수개의 수직주사선(VL1), 복수개의 수평주사선(HL1) 및 복수개의 신호선(HS1)을 형성하고 있으며, 광전변환소자(D1), 제1 및 제2의 트렌지스터(Q1),(Q2)의 조합으로 각각 형성하고 있으며, 상기 제1의 트랜지스터는, 상기 열에 대해서 평행한 방향으로 연장되어 있는 상기 복수개의 수직주사선중에서 한개의 수직주사선에 접속된 제어전극을 가지고 있으며, 상기 제2의 트랜지스터는, 상기 행에 대해서 평행한 방향으로 연장되어 있는 상기 복수개의 수평주사선중에서 한 개의 수직주사선에 접속된 제어전극을 가지고 있으며, 각각의 화소셀을 가지는 제1 및 제2의 트랜지스터는 모두, 대응하는 수직 및 수평주사신호에 응답하므로서, 상기 열에 평행한 방향으로 연장되어 있는 상기 복수개의 신호중에서 한개의 신호선과 상기 변환소자간에 전류통로를 형성하도록 이루어져 있는 복수개의 화소셀(D1,Q1,Q2)과, 상기 수평주사선을 선택적으로 활성화시키는 상기 수평주사신호를 형성하는 수평주사회로(HSR)와, 상기 수직주사선을 선택적으로 활성화하는 상기 수직주사회로를 형성하는 수직주사회로(VSR)와, 신호출력단자(S)와, 상기 수직주사회로의 동작에 대응하여 상기 신호선을 상기 출력단자에 선택적으로 접속시키는 절환회로(Q8)와, 상기 수평주사회로의 동작에 관계없이 상기 수평주사선을 동시에 활성화시키는 수단(Q30)(SP)으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 수평주사선을 동시에 활성화시키는 상기 수단(Q30)(SP)은, 상기 어레이의 외부에 선택적으로 인가된 신호를 상기 복수개의 수평주사선에 접속시키기 위하여 복수개의 다이오드 접속형태의 MOS FET(Q30)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
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