JPS6238678A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6238678A JPS6238678A JP60178339A JP17833985A JPS6238678A JP S6238678 A JPS6238678 A JP S6238678A JP 60178339 A JP60178339 A JP 60178339A JP 17833985 A JP17833985 A JP 17833985A JP S6238678 A JPS6238678 A JP S6238678A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 35
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、撮像用カメラに用いられる固体撮像装置に関
するものである。
するものである。
従来の技術
固体撮像装置においては、一般に、一定期間内にフォト
ダイオード等で構成される光感知部に入力する光量に比
例して発生する電荷量を時系列的に読み出すことによっ
て撮像動作を行なう。通常自然の被写体照度は、0.0
11uxから1051uスの範囲で変動し、それに応じ
て入射光量も変化するのに対し、前記の光電変換におい
て実用的に可能な許容幅は、せいぜい103の程度であ
る。このため固体撮像装置への光量調節は、いわゆるレ
ンズ絞りあるいは固定減光フィルタによって外部入力光
を調整することが不可欠となっている。光電変換素子と
くに撮像デバイスにおいては、撮像面の一部の領域にお
いて入力した光量が過大で、飽和しても、他の領域では
未飽和の状態で撮像可能な状態は、撮像素子としての動
作範囲と考えねばならない。しかるに、過大な光入力で
飽和した領域から溢れ出た電荷が、入力部外の領域に出
たり、読み出し構造にまで溢れる場合には、入射光量が
未飽和の正常領域まで流出し、撮像不能となる現象、い
わゆるブルーミング現象を呈するに至る。このため溢れ
出た電荷を排出する、いわゆるオーバーフロードレイン
構造が設けられる。
ダイオード等で構成される光感知部に入力する光量に比
例して発生する電荷量を時系列的に読み出すことによっ
て撮像動作を行なう。通常自然の被写体照度は、0.0
11uxから1051uスの範囲で変動し、それに応じ
て入射光量も変化するのに対し、前記の光電変換におい
て実用的に可能な許容幅は、せいぜい103の程度であ
る。このため固体撮像装置への光量調節は、いわゆるレ
ンズ絞りあるいは固定減光フィルタによって外部入力光
を調整することが不可欠となっている。光電変換素子と
くに撮像デバイスにおいては、撮像面の一部の領域にお
いて入力した光量が過大で、飽和しても、他の領域では
未飽和の状態で撮像可能な状態は、撮像素子としての動
作範囲と考えねばならない。しかるに、過大な光入力で
飽和した領域から溢れ出た電荷が、入力部外の領域に出
たり、読み出し構造にまで溢れる場合には、入射光量が
未飽和の正常領域まで流出し、撮像不能となる現象、い
わゆるブルーミング現象を呈するに至る。このため溢れ
出た電荷を排出する、いわゆるオーバーフロードレイン
構造が設けられる。
このような従来の固体撮像装置について、第4図〜第6
図を用いて説明する。第4図は従来の固体撮像装置の回
路図、第5図は同固体撮像装置の要部の断面図、第6図
は同固体撮像装置の要部の回路図で、 1はフォトダイオードからなる光感知部、2は垂直シフ
トレジスタ、3はオーバーフロードレイン出力端子、4
はオーバフロードレイン、5は水平CCD出力端子、6
は水平CCD注入端子、7〜9は電荷プライミング制御
端子、10は水平CCDシフトレジスタ、11はチャン
ネル阻止拡散域、12はオーバーフローコントロールゲ
ート電極、13は読み出しスイッチゲート電極、14は
信号読み出しff1.15は垂直シフトレジスタクロッ
ク入力端子、16はP型エピタキシアル層、17はP1
型型半体基板である。このような2次元型の固体撮像素
子では、過大光に対するオーバーフローレベルの設定は
、オーバーフローコントロールゲート電極12の印加電
圧によって定まる。溢れ出た電荷は、オーバーフロード
レイン4と称せられる導条に取り込まれ、排出されるこ
とになる。またこのような従来の固体撮像装置では、光
感知部1において光電変換を行なう期間は、1フレ一ム
期間1730秒、または1フイ一ルド期間1/60秒で
、厳密には、それらから光感知部1から信号電荷の読み
出し時間(1マイクロ秒から数十マイクロ秒)を引いた
ものである。
図を用いて説明する。第4図は従来の固体撮像装置の回
路図、第5図は同固体撮像装置の要部の断面図、第6図
は同固体撮像装置の要部の回路図で、 1はフォトダイオードからなる光感知部、2は垂直シフ
トレジスタ、3はオーバーフロードレイン出力端子、4
はオーバフロードレイン、5は水平CCD出力端子、6
は水平CCD注入端子、7〜9は電荷プライミング制御
端子、10は水平CCDシフトレジスタ、11はチャン
ネル阻止拡散域、12はオーバーフローコントロールゲ
ート電極、13は読み出しスイッチゲート電極、14は
信号読み出しff1.15は垂直シフトレジスタクロッ
ク入力端子、16はP型エピタキシアル層、17はP1
型型半体基板である。このような2次元型の固体撮像素
子では、過大光に対するオーバーフローレベルの設定は
、オーバーフローコントロールゲート電極12の印加電
圧によって定まる。溢れ出た電荷は、オーバーフロード
レイン4と称せられる導条に取り込まれ、排出されるこ
とになる。またこのような従来の固体撮像装置では、光
感知部1において光電変換を行なう期間は、1フレ一ム
期間1730秒、または1フイ一ルド期間1/60秒で
、厳密には、それらから光感知部1から信号電荷の読み
出し時間(1マイクロ秒から数十マイクロ秒)を引いた
ものである。
このような2次元型の固体撮像装置の他に、P−ウェル
型として知られる3次元型の固体撮像装置もある。これ
については、例えば、テレビジョン学会誌、1983年
10月号、第37巻、No、10.第783頁「小型C
CD固体撮像素子の検討」堀居他、参照。
型として知られる3次元型の固体撮像装置もある。これ
については、例えば、テレビジョン学会誌、1983年
10月号、第37巻、No、10.第783頁「小型C
CD固体撮像素子の検討」堀居他、参照。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成では、オーバーフローレ
ベルは単に信号の飽和量を定めるのみで。
ベルは単に信号の飽和量を定めるのみで。
光入力が最大のために、飽和に達する時間を制御するも
のでなく、単位時間にとり込まれる信号電荷量の制御は
、専らレンズ絞りによって行なわれる。したがって、受
容できる光量の範囲は、レンズ絞りの可変比と、光電変
換素子のダイナミックレンジとによってきまっている。
のでなく、単位時間にとり込まれる信号電荷量の制御は
、専らレンズ絞りによって行なわれる。したがって、受
容できる光量の範囲は、レンズ絞りの可変比と、光電変
換素子のダイナミックレンジとによってきまっている。
このため、絞り数の範囲F1.2〜F16では1 :
256の程度であり、不足であるという問題があった。
256の程度であり、不足であるという問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので。
入力光量許容範囲を飛躍的に拡大し、過大な光入力があ
るときに生ずる問題を解決できる固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
るときに生ずる問題を解決できる固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の固体撮像装置は、
行列状に多数配置された光感知部と、これら光感知部の
一方の端子のそれぞれに入力端子が共通接続された第1
および第2のスイッチングトランジスタと、前記第1の
スイッチングトランジスタのゲートが各行ごとに共通に
接続された第1のシフトレジスタと、前記第2のスイッ
チングトランジスタのゲートが各行ごとに共通に接続さ
れた第2のシフトレジスタとを備え、前記第1および第
2のスイッチングトランジスタの出力端子をそれぞれ各
列ごとに共通接続したものである6作用 上記構成によれば、入射光量に関する感度を、蓄積時間
t≦tllの可変比だけ変え得ることになる。
行列状に多数配置された光感知部と、これら光感知部の
一方の端子のそれぞれに入力端子が共通接続された第1
および第2のスイッチングトランジスタと、前記第1の
スイッチングトランジスタのゲートが各行ごとに共通に
接続された第1のシフトレジスタと、前記第2のスイッ
チングトランジスタのゲートが各行ごとに共通に接続さ
れた第2のシフトレジスタとを備え、前記第1および第
2のスイッチングトランジスタの出力端子をそれぞれ各
列ごとに共通接続したものである6作用 上記構成によれば、入射光量に関する感度を、蓄積時間
t≦tllの可変比だけ変え得ることになる。
すなわち、twigの最大値のとき最大感度を示すこと
になり、そのときは従来装置と同様の駆動方法となる。
になり、そのときは従来装置と同様の駆動方法となる。
したがって、光量レベルが強いときは、蓄積時間を制御
するという光量調整は光学的レンズ絞りの作用に等価で
ある。光学系は、最大感度に合わせておくが、被写体側
からの入射光量条件の最大または最小条件に、それぞれ
tr、tlIの最小または最大条件を合わせておくと、
入力光量の変化は、光学的絞りを変えなくても、 tg
tllの制御によって調整し得ることになる。
するという光量調整は光学的レンズ絞りの作用に等価で
ある。光学系は、最大感度に合わせておくが、被写体側
からの入射光量条件の最大または最小条件に、それぞれ
tr、tlIの最小または最大条件を合わせておくと、
入力光量の変化は、光学的絞りを変えなくても、 tg
tllの制御によって調整し得ることになる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図に基づいて説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例における固体撮像装置の回路
図で、21はフォトダイオードからなる光感頬部、22
.23は垂直シフトレジスタ、24はオーバーフロード
レイン出力端子、25はオーバフロードレイン、26は
水平CCD出力端子、27は水平CCD注入端子、28
〜30は電荷プライミング制御端子、31は水平CCD
シフトレジスタ、32はオーバフローコントロールゲー
ト電極、33は読み出しスイッチゲート電極、34は垂
直シフトレジスタクロック入力端子、(FET□)(F
ET2)はスイッチング用の電界効果トランジスタであ
る。
図で、21はフォトダイオードからなる光感頬部、22
.23は垂直シフトレジスタ、24はオーバーフロード
レイン出力端子、25はオーバフロードレイン、26は
水平CCD出力端子、27は水平CCD注入端子、28
〜30は電荷プライミング制御端子、31は水平CCD
シフトレジスタ、32はオーバフローコントロールゲー
ト電極、33は読み出しスイッチゲート電極、34は垂
直シフトレジスタクロック入力端子、(FET□)(F
ET2)はスイッチング用の電界効果トランジスタであ
る。
この固体撮像装置は、蓄積時間を光入力に応じて可変と
し、信号出力に応じて制御するものであり、動作タイミ
ングを第2図に示す。垂直の段数は10段で、第2図の
i工l 12・・・は第1段、第2段。
し、信号出力に応じて制御するものであり、動作タイミ
ングを第2図に示す。垂直の段数は10段で、第2図の
i工l 12・・・は第1段、第2段。
・・に対する読み出しパルスを示している。各光感頬部
21の蓄積時間は、2水平期間で、S、〜S xaはオ
ーバーフローコントロールゲート電極32に印加される
クロックパルスであり、ローレベルの期間が蓄積期間で
ある。Sい〜S□。のローレベルの期間が零のとき、従
来装置と同様の駆動法となる。
21の蓄積時間は、2水平期間で、S、〜S xaはオ
ーバーフローコントロールゲート電極32に印加される
クロックパルスであり、ローレベルの期間が蓄積期間で
ある。Sい〜S□。のローレベルの期間が零のとき、従
来装置と同様の駆動法となる。
81〜S1゜のローレベルの期間は、1水平期間の数分
の1程度にまで変化させることが可能で、垂直段を25
0段とし、蓄積時間tswの最小値をIH期間の171
0とすると、蓄積時間の可変比は、最大2500となる
。S□〜S 10の蓄積時間外のハイレベルの期間では
、発生した信号電荷はオーバーフロードレイン出力端子
24に排出され、濡出出力信号となる。
の1程度にまで変化させることが可能で、垂直段を25
0段とし、蓄積時間tswの最小値をIH期間の171
0とすると、蓄積時間の可変比は、最大2500となる
。S□〜S 10の蓄積時間外のハイレベルの期間では
、発生した信号電荷はオーバーフロードレイン出力端子
24に排出され、濡出出力信号となる。
第3図は、上記固体撮像装置を用いて、外部入力光に対
する感度変化を自動的に行なわしめるための制御回路を
備えた撮像システムの回路ブロック図で、35は光学レ
ンズ、36は固定光学フィルタ、37は固体撮像装置、
38はプロセスおよび出力回路、39は蓄積時間制御回
路、40は固体撮像装置駆動回路、41は同期信号発生
回路、42は出力増幅器である。
する感度変化を自動的に行なわしめるための制御回路を
備えた撮像システムの回路ブロック図で、35は光学レ
ンズ、36は固定光学フィルタ、37は固体撮像装置、
38はプロセスおよび出力回路、39は蓄積時間制御回
路、40は固体撮像装置駆動回路、41は同期信号発生
回路、42は出力増幅器である。
輝度信号Yの大きさと信号飽和量最大値との比較によっ
て、蓄積時間tGtllを、蓄積時間制御回路39で制
御する。なお、撮像の全面に均等に光入射される状態か
らはずれた、強い局部光の受光領域からのオーバーフロ
ー電流を、第1図のオーバーフロードレイン出力端子2
4より検出しても、蓄積時間の制御が可能であり、従来
の自動光学絞りと等価な撮像動作が可能となる。
て、蓄積時間tGtllを、蓄積時間制御回路39で制
御する。なお、撮像の全面に均等に光入射される状態か
らはずれた、強い局部光の受光領域からのオーバーフロ
ー電流を、第1図のオーバーフロードレイン出力端子2
4より検出しても、蓄積時間の制御が可能であり、従来
の自動光学絞りと等価な撮像動作が可能となる。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、光学的なレンズ絞り
の働きよりも、より広い光量範囲にねたって光量調節を
行なうことができる。また信号出力からの輝度信号成分
を蓄積時間に帰還動作させることにより、光量自動調節
機能を有する撮像装置と等価となる。更に、通常の監視
システムでは、光学的レンズ絞りを要しない撮像システ
ムが可能となり、経済性および信頼性の両面で非常に優
れでいる。
の働きよりも、より広い光量範囲にねたって光量調節を
行なうことができる。また信号出力からの輝度信号成分
を蓄積時間に帰還動作させることにより、光量自動調節
機能を有する撮像装置と等価となる。更に、通常の監視
システムでは、光学的レンズ絞りを要しない撮像システ
ムが可能となり、経済性および信頼性の両面で非常に優
れでいる。
第1図は本発明の一実施例における固体撮像袋置の回路
図、第2図は第1に示す回路のタイミンへ 冬 グチヤード、第3図はβ明の一実施例における固体撮像
装置を用いた撮像システムの概略構成図、第4図は従来
の固体撮像装置の回路図、第5図は同固体撮像装置の要
部の断面図、第6図は同固体撮像装置の要部の回路図で
ある。 21・・・光感頬部、22.23・・・垂直シストレジ
スタ、25・・・オーバーフロードレイン、(FET、
)(FET2)・・・電界効果トランジスタ 代理人 森 本 義 弘 第 /ロ ザ1 2/−−4九検知をす 2s″−1−ノぐ一フロードレイン FETびE丁4−−−1も拳りカ犀、トヲノジ久り之
V5ぢ司 遇556いり り 均一で=) 第S図 第2図
図、第2図は第1に示す回路のタイミンへ 冬 グチヤード、第3図はβ明の一実施例における固体撮像
装置を用いた撮像システムの概略構成図、第4図は従来
の固体撮像装置の回路図、第5図は同固体撮像装置の要
部の断面図、第6図は同固体撮像装置の要部の回路図で
ある。 21・・・光感頬部、22.23・・・垂直シストレジ
スタ、25・・・オーバーフロードレイン、(FET、
)(FET2)・・・電界効果トランジスタ 代理人 森 本 義 弘 第 /ロ ザ1 2/−−4九検知をす 2s″−1−ノぐ一フロードレイン FETびE丁4−−−1も拳りカ犀、トヲノジ久り之
V5ぢ司 遇556いり り 均一で=) 第S図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、行列状に多数配置された光感知部と、これら光感知
部の一方の端子のそれぞれに入力端子が共通接続された
第1および第2のスイッチングトランジスタと、前記第
1のスイッチングトランジスタのゲートが各行ごとに共
通に接続された第1のシフトレジスタと、前記第2のス
イッチングトランジスタのゲートが各行ごとに共通に接
続された第2のシフトレジスタとを備え、前記第1およ
び第2のスイッチングトランジスタの出力端子をそれぞ
れ各列ごとに共通接続した固体撮像装置。 2、信号出力または電荷溢出出力の少なくとも一方を蓄
積時間制御信号として帰還動作させる構成とした特許請
求の範囲第1項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60178339A JPS6238678A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60178339A JPS6238678A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6238678A true JPS6238678A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16046758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60178339A Pending JPS6238678A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6238678A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337782A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 撮像装置 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60178339A patent/JPS6238678A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337782A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 撮像装置 |
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