JPH09107507A - 活性ピクセルイメージセンサ装置 - Google Patents

活性ピクセルイメージセンサ装置

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JPH09107507A
JPH09107507A JP8201537A JP20153796A JPH09107507A JP H09107507 A JPH09107507 A JP H09107507A JP 8201537 A JP8201537 A JP 8201537A JP 20153796 A JP20153796 A JP 20153796A JP H09107507 A JPH09107507 A JP H09107507A
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sensing element
photogate
pixels
sensing
sensing elements
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JP8201537A
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Bryan David Ackland
デヴィッド アックランド ブライアン
Alexander George Dickinson
ジョージ ディキンソン アレキサンダー
David Andrew Inglis
アンドリュー イングリス デヴィッド
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AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトゲート製の検知要素とフォトダイオー
ド製の検知要素の両方を組み合わせた活性ピクセルを提
供する。 【解決手段】 本発明の一実施例によれば、活性ピクセ
ルイメージセンサは、第1グループと第2グループに配
置されたアレイ(列)状のピクセルを有する。この第1
グループは行を構成し、第2グループは列を構成する。
第1の共通導体が第1グループのピクセルに接続されて
制御信号を導通する。第2の共通導体が第2グループの
ピクセルに接続されて、変換中のイメージの一部に対応
する電子データ信号を出力ノードに選択的に転送する。
各ピクセルは、複数の検知要素を有し、この検知要素が
イメージ処理されるべき対象物から光エネルギの一部を
捕獲するよう構成される。この検知要素の少なくとも1
つは、他の検知要素とは別の種類のものである。例え
ば、検知要素の1つはフォトゲートであり、他の1つは
フォトダイオードである。増幅装置が複数の検知要素か
らの信号を選択的に受信するために具備され、かつ第2
の共通導体に出力信号を選択的に提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CMOS活性ピク
セルに関し、特に複数の検知要素を用いた活性ピクセル
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体イメージセンサは、現在の所様々
な形態で実現されている。CCDとMOSダイオードア
レイとは両方とも二次元のピクセル列に基づいている。
各ピクセルは、検知要素を有し、この検知要素が光学イ
メージの一部を電気信号に変換している。CCDにおい
ては、各検知要素により生成されたフォトチャージは、
電子シフトレジスタによりアレイ(列)の周辺の出力ノ
ードに転送される。そしてこのアレイの周辺には増幅器
が配置されている。MOSダイオードアレイにおいて
は、電子シフトレジスタは、それぞれ行と列に配置され
たピクセルを相互接続する共通導体で置換している。ピ
クセルの列を相互接続する各共通導体は、チャージをア
レイの周辺に配置されている個別の増幅器に転送する。
【0003】別の種類の半導体イメージセンサは、CM
OS活性ピクセルアレイである。CMOSとMOSダイ
オードアレイとは対象的に、アレイ内の個別の活性ピク
セルは、検知要素からの電気信号を共通導体に転送する
前にその信号を増幅する増幅器を有している。そしてそ
の後この信号は、出力ノードに転送される。
【0004】通常活性ピクセルアレイは、フォトダイオ
ードとフォトゲートとして知られている2種類の検知要
素の1つを用いている。カラーイメージを変換する活性
ピクセルは、スペクトルの赤色,緑色,青色を捕獲する
少なくとも3個の検知要素が必要である。公知の活性ピ
クセルにおいては、この3個の検知要素は、全てフォト
ダイオードかあるいはフォトゲートかのいずれかであ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フォ
トゲート製の検知要素とフォトダイオード製の検知要素
の両方を組み合わせた活性ピクセルを提供することであ
る。通常このフォトダイオード要素は、フォトゲート要
素よりもより大きな光感受性を有し、特に可視スペクト
ルの赤色部分に対して高い光感受性を有する。一方、フ
ォトゲート要素は、読みだしノイズ性能が通常優れてい
る。したがって、活性ピクセルの全体性能は、複数の検
知要素を組み合わせることにより各検知要素の最適の特
性を利用することによって向上させることができる。例
えば、それぞれ赤,緑,青のスペクトルを捕獲する3個
の検知要素を用いる活性ピクセルにおいては、フォトダ
イオード要素は、青のスペクトルを捕獲するために用
い、一方フォトゲート要素は、赤と緑のスペクトルを捕
獲するのに用いることができる。この様に検知要素を組
み合わせることにより青のスペクトルにおいては、活性
要素の光感受性を高め、かつ読みだしノイズを減少させ
ることができる。他の検知要素の組み合わせを用いてど
のような画像応用においても高い光感受性とノイズを減
少させることができる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、活性ピクセルイメージセンサは、第1グループと第
2グループに配置されたアレイ(列)状のピクセルを有
する。この第1グループは行を構成し、第2グループは
列を構成する。第1の共通導体が第1グループのピクセ
ルに接続されて制御信号を導通する。第2の共通導体が
第2グループのピクセルに接続されて、変換中のイメー
ジの一部に対応する電子データ信号を出力ノードに選択
的に転送する。各ピクセルは、複数の検知要素を有し、
この検知要素がイメージ処理されるべき対象物から光エ
ネルギの一部を捕獲するよう構成される。この検知要素
の少なくとも1つは、他の検知要素とは別の種類のもの
である。例えば、検知要素の1つはフォトゲートであ
り、他の1つはフォトダイオードである。増幅装置が複
数の検知要素からの信号を選択的に受信するために具備
され、かつ第2の共通導体に出力信号を選択的に提供す
る。
【0007】
【発明の実施の形態】図1において、本発明の活性ピク
セルセンサイメージシステム1は、アレイ状の活性ピク
セル5と行デコーダ10と複数の出力増幅器18とを有
する。この活性ピクセル5は、近接して配置された活性
ピクセル35の列30と行25とからなる。個々の活性
ピクセル35は、外側ピクセル15あるいは内側ピクセ
ル16のいずれかに特徴づけることができる。図1にお
いては、活性ピクセル5は10×10個のセンサのアレ
イとして示されているが、これに限定されるものではな
い。本発明の活性ピクセルアレイは、複数の行の活性ピ
クセルセンサと複数の列の活性ピクセルセンサからな
り、多くの応用例においては、多数のピクセルのアレイ
から形成される。さらにこのピクセルは、行あるいは列
以外にグループ分けすることもできる。
【0008】各活性ピクセル35は、検知要素を有し、
この検知要素は検出した光をピクセル出力50の対応す
る電気信号に変換する。各行のピクセルは共通導体55
に接続され、この共通導体55はリセット制御ライン1
84とセレクト制御ライン186とを含む制御ラインと
して機能し、そして検知要素にフォトゲートが用いられ
る場合には、フォトゲート制御ライン180も含む制御
ラインとして機能する。このリセット制御ライン184
とセレクト制御ライン186とフォトゲート制御ライン
180とは、図2に示されている。出力信号を生成する
ピクセル出力50は、セレクトトランジスタ130と負
荷トランジスタ135との間の接続点にある。このピク
セル出力50は、共通出力ライン65に接続される。
【0009】図1に戻って、対応する列30内の各ピク
セル出力50は、出力増幅器18に対し共通出力ライン
65として機能する共通導体により接続される。行デコ
ーダ10と出力増幅器18の詳細な回路は、当業者には
公知である。
【0010】次に動作について説明する。タイミングコ
ントローラ(図示せず)が、タイミング信号を行デコー
ダ10に提供し、この行デコーダ10が制御ライン55
を介して活性ピクセル35の各行25を順次活性化し
て、光強度を検出し各フレームインターバルの間、対応
する出力電圧信号を生成する。ここで本明細書におい
て、フレームとは所定のフレーム時間の間、単一の時間
のアレイの間活性ピクセル35を活性化し、活性ピクセ
ル35からの出力を検出する1個の完全なサイクルを意
味する。このイメージシステムのタイミングを制御し
て、例えば1秒当たり30フレームのような所望のフレ
ームレートを達成する。
【0011】特定のフレームを検出すると、各行25は
活性化されてフレーム期間の大部分の間に亘って光強度
を検出する。行25がフレームの光強度を検出した後、
残りの時間各それぞれのピクセルは、同時に活性ピクセ
ル35により選択された光の量に対応する出力電圧信号
を生成する。例えば、従来のカメラレンズにより5上に
イメージが集光された場合には、各活性ピクセル35
は、活性ピクセル35上に集光されたイメージの一部に
対し、光強度に対応する出力電圧信号を生成する。この
行25により生成された出力電圧信号は、共通出力ライ
ン65を介して対応する出力増幅器18に同時に与えら
れる。
【0012】活性ピクセル35の電子伝送図を図2に示
す。この活性ピクセル35はフォトゲート検知要素10
2を有し、このフォトゲート検知要素102はフォトダ
イオードかあるいはフォトゲートのいずれかである。図
2においては、検知要素はフォトゲートである。さらに
活性ピクセル35は、リセットトランジスタ120と電
圧フォロワトランジスタ125により形成された増幅器
とセレクトトランジスタ130とを有する。適宜バイア
スされた負荷トランジスタ135のような負荷はピクセ
ルの一部として含めることができる。この負荷トランジ
スタ135は、例えば活性ピクセル37,38のような
同一の列内の他の活性ピクセルに共通のものである。こ
こに2個の活性ピクセル37と38が図示されている
が、より多くのピクセルも図1に含むことができる。
【0013】図2のフォトゲート検知要素102は半導
体基板103を有し、この半導体基板103上にフォト
ゲート101とこのフォトゲート101にチャージ結合
されたトランスファゲート108とを有する。半導体基
板103は、拡散領域110とフォトゲート101とト
ランスファゲート108との間に配置された結合拡散領
域112とを有する。この結合拡散領域112と118
とトランスファゲート108とは、一体となって転送ト
ランジスタ113として機能する。この結合拡散領域1
12は転送トランジスタ113のソースとして機能し、
拡散領域110はドレインとして機能する。本発明に用
いられるフォトゲート検知要素の一例は、U.S.特許
出願第08/344,785に開示されている。図示し
たものとは異なる構成のフォトゲート検知要素も用いる
ことができる。
【0014】フローティング拡散ノード115は、フォ
トゲート検知要素102の拡散領域110をリセットト
ランジスタ120と電圧フォロワトランジスタ125に
接続する。このリセットトランジスタ120と電圧フォ
ロワトランジスタ125とは、さらに一定電圧VDD
(例、5ボルト)に接続される。リセットトランジスタ
120はまたリセット制御ライン184にも接続され
る。このリセット制御ライン184は、図1の制御ライ
ン55の一部を構成する。この電圧フォロワトランジス
タ125は、セレクトトランジスタ130に接続され、
このセレクトトランジスタ130は負荷トランジスタ1
35に接続される。
【0015】負荷トランジスタ135は、また一定負荷
電圧VLOADと一定電圧VSS(0ボルト)に接続さ
れる。セレクトトランジスタ130は、さらに行デコー
ダ10(図1)からのセレクト制御ライン186に接続
される。このセレクト制御ライン186は、制御ライン
55(図1)の一部を構成する。負荷電圧VLOAD
は、所望の抵抗がピクセル出力50と一定電圧VSSと
の間の負荷トランジスタ135に掛かるように調整され
る。したがって、負荷トランジスタ135の変形例とし
ては、ピクセル出力50と一定電圧VSSとの間に配置
された時に所望の抵抗を提供するような他の受動的ある
いは活性素子のいずれでもよい。
【0016】この活性ピクセルは、電子が光生成チャー
ジキャリアとして機能するnチャネル素子あるいはホー
ルが光生成チャージキャリアとして機能するpチャネル
素子のいずれでもよい。以下の説明においては、この活
性ピクセルはnチャネル素子として説明する。
【0017】行デコーダ10は、制御ライン184,1
86,180上にリセット制御信号と選択制御信号と光
ゲート制御信号とを生成し、これにより活性ピクセルを
2つの状態即ち書き込みと読み出しの2つの状態で動作
させる。書き込み状態においては、生成されたチャージ
キャリアは、所定の期間(書き込み期間)フォトゲート
101下に集められる。最大の読み込み時間は、活性ピ
クセルが用いられるこれらのイメージアプリケーション
においては、フレームレート即ち言い換えるとイメージ
が更新される1秒当たりの回数により支配される。例え
ば、市販のビデオにおいては、このフレームレートは、
1秒当たり30フレームである。かくして最大の読み込
み時間は、1/30秒である。このチャージキャリア
は、フォトゲート101を高電圧レベル(VDD)にク
ロックすることにより収集される。トランスファゲート
108は、書き込みと読み出しの両方に亘って一定電圧
にバイアスされている。
【0018】次に読み出し状態においては、リセットト
ランジスタ120はパルスをオンオフすることによりリ
セットされる。このパルス動作によりフローティング拡
散ノード115の電位をしきい値電圧以下のVDDに等
しいレベルにフロートさせる。次にフォトゲート101
のバイアスを約VSSに変化させチャージをフローティ
ング拡散ノード115に転送する。このチャージ転送に
よりフローティング拡散ノード115の電位をVDD即
ちリセットレベルから光により生成されたチャージによ
り支配される他の値に変化させる。この他の値とは信号
レベルである。このリセットレベルと信号レベルとの間
の差は、入射光強度に比例し、ビデオ信号を構成する。
この電圧フォロワトランジスタ125は、共通出力ライ
ン65により与えられる大きな負荷を打ち勝つのに充分
な量だけビデオ信号を増幅する。この増幅量は、出力増
幅器18の電圧が後続の処理に適切なものとなるような
ものである。負荷トランジスタ135と電圧フォロワト
ランジスタ125とは活性ピクセル35のピクセル出力
50からのフローティング拡散ノード115を拡散させ
るよう機能する。
【0019】セレクトトランジスタ130は読み出しよ
うピクセルを選択するスイッチとして用いられる。図2
において、セレクトトランジスタ130が電圧フォロワ
トランジスタ125から増幅された信号を受信し、この
信号を共通出力ライン65に選択的に提供しているが他
の構成も勿論用いることができる。例えば、上述したの
とは逆の順序で切り換えと増幅機能を起こさせるような
構成も用いることができる。即ちスイッチが、拡散ノー
ドからの信号を増幅器に選択的に転送し、そしてこの増
幅器が共通出力ライン65に増幅信号を提供するといっ
た構成である。
【0020】活性ピクセル35の上記の動作により、相
関二重サンプリング(correlated double sampling(C
DS))技術を用いることができる。この技術によれば
フローティング拡散ノード115は読み込み時間の終了
時で、読み出し用にチャージキャリアをフローティング
拡散ノード115に転送する直前にリセットされるので
リセット電圧レベル(VDD−Vth)の熱ノイズと信
号電圧レベル(VDDチャージ転送)が関係づけられ
る。リセット電圧レベルと信号電圧レベルとの間の差に
より表されるビデオ信号は、リセットあるいはKTCノ
イズとして知られる熱ノイズが存在しない。またこのビ
デオ信号は、ピクセルトランジスタのオフセットに起因
する固定パターンノイズ(fixed pattern noise(FP
N))も存在しない。
【0021】図3は、検知要素がフォトダイオード検知
要素109である活性ピクセル36を表す図である。こ
のフォトダイオード製の活性ピクセル36は、フォトゲ
ートではないので図2に示すようなフォトゲート制御ラ
イン180は必要ない。バイアスライン107が適宜の
電圧をフォトダイオード検知要素109に提供するよう
具備されている。トランスファゲートとして機能するト
ランジスタ132は、フローティング拡散ノード115
をフォトダイオード検知要素109に接続する。
【0022】このフォトダイオード製の活性ピクセル3
6は、フォトゲート製の活性ピクセル35について記載
したのと同様に書き込み状態と読み出し状態の両方で動
作する。フォトダイオード製の活性ピクセル36に対す
る書き込み状態は、リセットトランジスタ120をオン
オフにパルス動作させてフォトダイオード検知要素10
9をリセットさせることにより開始する。このリセット
動作によりフローティング拡散ノード115の電位は、
しきい電圧以下のVDDに等しいリセットレベルにフロ
ートする。フォトダイオード検知要素109は、対象物
から反射した光強度に比例するチャージ量をストアする
キャパシタンスを有する。この光により生成されたチャ
ージキャリアにより、フローティング拡散ノード115
の電位はVDDから光生成チャージにより支配される信
号電圧に減少する。リセットレベルと信号レベルとの差
は、入射光に比例しビデオ信号を構成する。図2の光ゲ
ート製の活性ピクセル35と同様に、フローティング拡
散ノード115は、ピクセル出力50から増幅器として
機能する電圧フォロワトランジスタ125と負荷トラン
ジスタ135を含むソースフォロワによりバッファされ
る。このセレクトトランジスタ130を用いて読み出し
用のピクセルを選択する。
【0023】フォトゲート製の活性ピクセル35の動作
とフォトダイオード製の活性ピクセル36の動作との違
いは、フォトゲート製の活性ピクセル35についてはフ
ローティング拡散ノード115は読み込み状態の終点
で、且つ読み出し状態の直前でリセットされ、その結果
リセット電圧レベルと信号電圧レベルが相関関係にある
点である。一方、フォトダイオード製の活性ピクセル3
6に関しては、フローティング拡散ノード115は読み
込み期間の開始時にリセットされるので、このリセット
電圧レベルと信号電圧レベルとは、完全な読み込み期間
(ビデオイメージでは約30ms)だけ時間的に分離し
ており、その結果リセット電圧レベルと信号電圧レベル
とは相関関係がない。したがって、相関状態の二重サン
プリング技術は、フォトダイオード製の活性ピクセル3
6には適応できず、その結果フォトダイオード製の活性
ピクセル36のノイズ性能は、フォトゲート製の活性ピ
クセル35のノイズ性能よりも劣ることになる。
【0024】フォトダイオード製の活性ピクセル36の
ノイズ性能は、フォトゲート製の活性ピクセル35のノ
イズ性能よりも劣るので、フォトダイオード製の活性ピ
クセル36の光感受性は、フォトゲート製の活性ピクセ
ル35のそれよりも優れており、可視スペクトルの青色
領域において特に優れている。この様な光感受性の違い
は、フォトゲート製の検知要素のフォトサイトは図2の
フォトゲート101のようなポリシリコン製のゲートに
よりカバーされており、その結果ピクセルに入射する光
子の一部は、半導体材料内のフォトサイトに到達する前
にポリシリコンにより吸収されてしまうからである。短
い波長の光子は、長い波長の光子よりも吸収され易く、
特に青い光は吸収され易い。これに対し、フォトダイオ
ード製のフォトダイオード検知要素109は、フォトゲ
ートを有さないので、そのフォトサイトはポリシリコン
でカバーされてはおらず、その結果チャージキャリアが
生成される前に吸収を最小にする。
【0025】カラーカメラ用の活性ピクセルは、赤,
緑,青のカラースペクトルを捕獲するために少なくとも
3個の検知要素を必要とする。この各検知要素は、カラ
ーフィルタ層、例えば赤,緑,青のフィルタによりカバ
ーされ、検知要素はフィルタにより透過したスペクトル
のみを受光する。従来の活性ピクセルにおいては、3個
の検知要素は、全てフォトゲート要素あるいは全てフォ
トダイオード要素のいずれかである。この3個の検知要
素は、図2,3に示されるようなゲートトランジスタの
共通の組を全て共有している、そしてこのゲートトラン
ジスタの組が素子を活性化し、出力を増幅するためにリ
セット信号と出力信号とを規定する。
【0026】本発明によれば、各活性ピクセルにはフォ
トゲート検知要素とフォトダイオード検知要素の両方の
組み合わせを具備している。この検知要素の組み合わせ
は、活性ピクセルの全体性能を向上するよう選択され
る。例えば、フォトダイオード製の要素の青色感受性
は、フォトゲート要素の青色感受性よりも優れているの
で各活性要素は、フォトダイオード製の検知要素を用い
てスペクトルの青色部分を捕獲する。一方、フォトゲー
ト検知要素の読み出しノイズ性能は、フォトダイオード
製の検知要素の読み出し耐ノイズ性能よりも優れている
ので、フォトゲート製の検知要素を用いてスペクトルの
赤色と緑色部分を捕獲する。
【0027】図4は、本発明による代表的な活性ピクセ
ル38を示し、この活性ピクセル38は、2個のフォト
ゲート検知要素102aと102bと1個のフォトダイ
オード検知要素109とを有する。この活性ピクセル3
8の動作は、上記の活性ピクセル35,36の動作と類
似する。ある動作モードにおいては、フォトゲート検知
要素102a,102b,フォトダイオード検知要素1
09は、フォトダイオード102cから開始して順次読
み出す。書き込み状態は、リセットトランジスタ120
をオンオフにパルスを加え、一定電圧VSSをフォトダ
イオード検知要素109にバイアスライン107を介し
て印加することにより開始する。書き込み動作の間、フ
ォトダイオード検知要素109内の光生成チャージキャ
リアによりフローティング拡散ノード115の電位は、
そのリセット電位から信号電位に減少する。このリセッ
ト電位と信号電位との差が、フォトダイオード検知要素
109からのビデオ信号を生成する。フォトダイオード
検知要素109の読み出しは、図2,3に説明したよう
に行われる。チャージキャリアは、読み込み動作の間、
フォトゲート102aと102b内で生成される。フォ
トダイオード109を読み出した後、リセットトランジ
スタ120は、再びオンオフのパルスが掛けられ、フロ
ーティング拡散ノード115はそのリセット電位に戻
る。フォトゲート102aとトランスファゲート108
aとは、高電圧にバイアスされ、フォトゲート102a
からのチャージ転移を開始する。このチャージ転移とフ
ォトゲート102aからの読み出しは、図2,3に説明
したのと同様に行われる。フォトゲート102aが読み
出された後、フローティング拡散ノード115はそのリ
セット電位に復帰し、その結果フォトゲート検知要素1
02bが読み出される。次にフォトゲート102bが読
み出される。フォトゲート102aと102bの読み出
し順序は、上記とは逆でもよい。
【0028】
【発明の効果】本発明の活性ピクセルは、赤,緑,青の
フィルタを用いた装置以外の装置にも拡張できる。一般
的に光強度が問題の時には、フォトダイオード製の検知
要素が用いられる。そして、読み出し耐ノイズ性能が問
題の時には、フォトゲート検知要素が用いられる。本発
明は、画像処理されるべき対象物からの光エネルギを捕
獲するのに、複数の検知要素を用いるどのような活性要
素にも適応できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による活性ピクセルイメージ
センサを表す図
【図2】公知のフォトゲート活性ピクセルセンサを表す
【図3】公知のフォトダイオード活性ピクセルセンサを
表す図
【図4】本発明によるフォトダイオードとフォトゲート
の両方を用いた活性ピクセルセンサを表す図
【符号の説明】
1 活性ピクセルセンサイメージシステム 5 活性ピクセル 10,20 行デコーダ 15 外側ピクセル 16 内側ピクセル 18 出力増幅器 25 行 30 列 31,35,36,37,38 活性ピクセル 50 ピクセル出力 55 共通導体 制御ライン 65 共通出力ライン 101 フォトゲート 102 フォトゲート検知要素 103 半導体基板 107 バイアスライン 108 トランスファゲート 109 フォトダイオード検知要素 110 拡散領域 112 結合拡散領域 113 転送トランジスタ 115 フローティング拡散ノード 120 リセットトランジスタ 125 電圧フォロワトランジスタ 130 セレクトトランジスタ 132 トランジスタ 135 負荷トランジスタ 180 フォトゲート制御ライン 184 リセット制御ライン 186 セレクト制御ライン 190 信号タイミングコントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アレキサンダー ジョージ ディキンソン アメリカ合衆国,07753 ニュージャージ ー,ネプチューン,サード アヴェニュー 17 (72)発明者 デヴィッド アンドリュー イングリス アメリカ合衆国,07733 ニュージャージ ー,ホルムデル,カーディナル ロード 12

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)第1グループと第2グループに配
    置されたピクセルのアレイ(列)と、 (B)前記第1グループのピクセルに接続され、制御信
    号を導通する第1共通導体と、 (C)前記第2グループのピクセルに接続され、制御信
    号を処理用電子回路に選択的に送信する第2共通導体
    と、 からなり、前記(A)ピクセルは、 (A1)複数の検知要素と、 前記各検知要素は、画像処理されるべき対象物からの光
    エネルギの一部を捕獲し、前記検知要素の少なくとも1
    つは、他のものとは別の種類のものであり、 (A2)複数の検知要素からの信号を選択的に受信し、
    出力信号を第2共通導体に選択的に与える増幅装置とか
    らなることを特徴とする活性ピクセルイメージセンサ装
    置。
  2. 【請求項2】 前記検知要素の少なくとも1つは、フォ
    トダイオード製検知要素で、他の1つはフォトゲート製
    検知要素であることを特徴とする請求項1の装置。
  3. 【請求項3】 前記フォトダイオード製検知要素は、光
    エネルギの第1部分を捕獲するよう構成され、 前記フォトゲート製検知要素は、前記第1部分とは別の
    第2部分を捕獲するよう構成されることを特徴とする請
    求項2の装置。
  4. 【請求項4】 前記第1部分は、青色光に対応すること
    を特徴とする請求項3の装置。
  5. 【請求項5】 前記第2フォトゲート製検知要素をさら
    に含むことを特徴とする請求項3の装置。
  6. 【請求項6】 第2フォトゲート製検知要素をさらに含
    むことを特徴とする請求項4の装置。
  7. 【請求項7】 前記複数の検知要素は、第1と第2と第
    3の検知要素を有し、 前記第1の検知要素は赤色光を、第2の検知要素は緑色
    光を、第3の検知要素は青色光に対応する光エネルギの
    一部を捕獲し、 前記第3の検知要素は、フォトダイオード製検知要素で
    あることを特徴とする請求項1の装置。
  8. 【請求項8】 前記活性ピクセルは、Nチャネル素子で
    あることを特徴とする請求項1の装置。
  9. 【請求項9】 前記増幅装置は、セレクトトランジスタ
    に接続された電圧フォロワトランジスタを有し、 前記電圧フォロワトランジスタは、複数の検知要素に接
    続されることを特徴とする請求項1の装置。
  10. 【請求項10】 前記複数の検知要素と前記第1共通導
    体に接続されるリセットトランジスタをさらに有するこ
    とを特徴とする請求項9の装置。
  11. 【請求項11】 前記電圧フォロワトランジスタにソー
    スフォロワ構成で接続される負荷トランジスタをさらに
    有することを特徴とする請求項10の装置。
  12. 【請求項12】 前記増幅装置は、CMOSであること
    を特徴とする請求項1の装置。
  13. 【請求項13】 前記増幅装置は、CMOSであること
    を特徴とする請求項9の装置。
  14. 【請求項14】 前記第1グループは行を構成し、前記
    第2グループは列を構成することを特徴とする請求項1
    の装置。
  15. 【請求項15】 前記第1グループは行を構成し、前記
    第2グループは列を構成することを特徴とする請求項3
    の装置。
  16. 【請求項16】 複数のピクセルを有する複数の行と複
    数の列をさらに含むことを特徴とする請求項14の装
    置。
  17. 【請求項17】 複数のピクセルを有する複数の行と複
    数の列をさらに含むことを特徴とする請求項15の装
    置。
  18. 【請求項18】 前記増幅装置は、増幅器とこの増幅器
    からの出力を第2共通導体に選択的に転送するスイッチ
    とを含むことを特徴とする請求項1の装置。
  19. 【請求項19】 前記増幅装置は、増幅器とこの増幅器
    からの出力を第2共通導体に選択的に転送するスイッチ
    とを含むことを特徴とする請求項15の装置。
  20. 【請求項20】 活性ピクセルイメージセンサ装置にお
    いて、 イメージの一部を電気信号に変換する複数のピクセルを
    有し、 前記複数のピクセルは、外側ピクセルと内側ピクセルと
    からなり、 前記ピクセルは、 複数の検知要素と、 前記各検知要素は、画像処理されるべき対象物からの光
    エネルギの一部を捕獲し、前記検知要素の少なくとも1
    つは、他のものとは別の種類のものであり、 複数の検知要素からの信号を選択的に受信し、出力信号
    を提供する増幅装置とからなることを特徴とする活性ピ
    クセルイメージセンサ装置。
  21. 【請求項21】 前記検知要素の少なくとも1つは、フ
    ォトダイオード製検知要素で、他の1つはフォトゲート
    製検知要素であることを特徴とする請求項20の装置。
  22. 【請求項22】 前記フォトダイオード製検知要素は、
    光エネルギの第1部分を捕獲するよう構成され、 前記フォトゲート製検知要素は、前記第1部分とは別の
    第2部分を捕獲するよう構成されることを特徴とする請
    求項21の装置。
  23. 【請求項23】 前記第1部分は、青色光に対応するこ
    とを特徴とする請求項22の装置。
  24. 【請求項24】 前記第2フォトゲート製検知要素をさ
    らに含むことを特徴とする請求項22の装置。
  25. 【請求項25】 第2フォトゲート製検知要素をさらに
    含むことを特徴とする請求項23の装置。
  26. 【請求項26】 前記複数の検知要素は、第1と第2と
    第3の検知要素を有し、 前記第1の検知要素は赤色光を、第2の検知要素は緑色
    光を、第3の検知要素は青色光に対応する光エネルギの
    一部を捕獲し、 前記第3の検知要素は、フォトダイオード製検知要素で
    あることを特徴とする請求項20の装置。
  27. 【請求項27】 前記活性ピクセルは、Nチャネル素子
    であることを特徴とする請求項20の装置。
  28. 【請求項28】 前記増幅装置は、セレクトトランジス
    タに接続された電圧フォロワトランジスタを有し、 前記電圧フォロワトランジスタは、複数の検知要素に接
    続されることを特徴とする請求項20の装置。
JP8201537A 1995-08-01 1996-07-31 活性ピクセルイメージセンサ装置 Pending JPH09107507A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028137B1 (ko) * 2003-04-30 2011-04-08 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 씨모스 이미지 센서의 단위화소

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US6570617B2 (en) 1994-01-28 2003-05-27 California Institute Of Technology CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip
USRE42918E1 (en) 1994-01-28 2011-11-15 California Institute Of Technology Single substrate camera device with CMOS image sensor
JPH10108081A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Sony Corp 固体撮像装置およびその信号処理方法並びにカメラ
US5939742A (en) * 1997-02-10 1999-08-17 Lucent Technologies Inc. Field-effect photo-transistor
US5892253A (en) * 1997-03-26 1999-04-06 Foveonics, Inc. Active pixel sensor cell with balanced blue response and reduced noise
US5920345A (en) * 1997-06-02 1999-07-06 Sarnoff Corporation CMOS image sensor with improved fill factor
US5969758A (en) * 1997-06-02 1999-10-19 Sarnoff Corporation DC offset and gain correction for CMOS image sensor
US6320616B1 (en) * 1997-06-02 2001-11-20 Sarnoff Corporation CMOS image sensor with reduced fixed pattern noise
US6141050A (en) * 1997-06-20 2000-10-31 Lucent Technologies Inc. MOS image sensor
US5962844A (en) * 1997-09-03 1999-10-05 Foveon, Inc. Active pixel image cell with embedded memory and pixel level signal processing capability
US6046466A (en) * 1997-09-12 2000-04-04 Nikon Corporation Solid-state imaging device
US6233013B1 (en) 1997-10-23 2001-05-15 Xerox Corporation Color readout system for an active pixel image sensor
US6369853B1 (en) 1997-11-13 2002-04-09 Foveon, Inc. Intra-pixel frame storage element, array, and electronic shutter method suitable for electronic still camera applications
US5909041A (en) * 1997-11-21 1999-06-01 Xerox Corporation Photogate sensor with improved responsivity
US6365886B1 (en) 1998-02-18 2002-04-02 Photobit Corporation Smart column controls for high speed multi-resolution sensors
US6388241B1 (en) 1998-02-19 2002-05-14 Photobit Corporation Active pixel color linear sensor with line—packed pixel readout
US6452633B1 (en) 1998-02-26 2002-09-17 Foveon, Inc. Exposure control in electronic cameras by detecting overflow from active pixels
JPH11274454A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Canon Inc 固体撮像装置及びその形成方法
JPH11274466A (ja) 1998-03-20 1999-10-08 Nikon Corp 固体撮像装置及びこれを備えたカメラ
US6847399B1 (en) 1998-03-23 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Increasing readout speed in CMOS APS sensors through block readout
US6069376A (en) * 1998-03-26 2000-05-30 Foveonics, Inc. Intra-pixel frame storage element, array, and electronic shutter method including speed switch suitable for electronic still camera applications
US6160282A (en) * 1998-04-21 2000-12-12 Foveon, Inc. CMOS image sensor employing silicide exclusion mask to reduce leakage and improve performance
US5965875A (en) * 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
US6606120B1 (en) * 1998-04-24 2003-08-12 Foveon, Inc. Multiple storage node full color active pixel sensors
KR19990084630A (ko) * 1998-05-08 1999-12-06 김영환 씨모스 이미지 센서 및 그 구동 방법
TW396645B (en) * 1998-06-16 2000-07-01 United Microelectronics Corp Manufacturing method of CMOS sensor devices
US6410899B1 (en) 1998-06-17 2002-06-25 Foveon, Inc. Active pixel sensor with bootstrap amplification and reduced leakage during readout
US6512544B1 (en) 1998-06-17 2003-01-28 Foveon, Inc. Storage pixel sensor and array with compression
US6054704A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Foveon, Inc. Driven capacitor storage pixel sensor and array
US6512858B2 (en) 1998-07-21 2003-01-28 Foveon, Inc. Image scanning circuitry with row and column addressing for use in electronic cameras
US6239456B1 (en) 1998-08-19 2001-05-29 Photobit Corporation Lock in pinned photodiode photodetector
US6246043B1 (en) 1998-09-22 2001-06-12 Foveon, Inc. Method and apparatus for biasing a CMOS active pixel sensor above the nominal voltage maximums for an IC process
US6380572B1 (en) 1998-10-07 2002-04-30 California Institute Of Technology Silicon-on-insulator (SOI) active pixel sensors with the photosite implemented in the substrate
US6563540B2 (en) * 1999-02-26 2003-05-13 Intel Corporation Light sensor with increased dynamic range
US6177293B1 (en) 1999-05-20 2001-01-23 Tower Semiconductor Ltd. Method and structure for minimizing white spots in CMOS image sensors
US6727521B2 (en) 2000-09-25 2004-04-27 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
US6731397B1 (en) 1999-05-21 2004-05-04 Foveon, Inc. Method for storing and retrieving digital image data from an imaging array
US6617174B2 (en) 1999-06-08 2003-09-09 Tower Semiconductor Ltd. Fieldless CMOS image sensor
US6657178B2 (en) 1999-07-20 2003-12-02 Intevac, Inc. Electron bombarded passive pixel sensor imaging
US6285018B1 (en) 1999-07-20 2001-09-04 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor
US6307586B1 (en) 1999-07-20 2001-10-23 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor camera incorporating gain control
US6693670B1 (en) * 1999-07-29 2004-02-17 Vision - Sciences, Inc. Multi-photodetector unit cell
US6697114B1 (en) 1999-08-13 2004-02-24 Foveon, Inc. Triple slope pixel sensor and arry
US6630701B1 (en) 1999-08-16 2003-10-07 Micron Technology, Inc. Buried channel CMOS imager and method of forming same
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
US6750912B1 (en) * 1999-09-30 2004-06-15 Ess Technology, Inc. Active-passive imager pixel array with small groups of pixels having short common bus lines
US6809768B1 (en) 2000-02-14 2004-10-26 Foveon, Inc. Double slope pixel sensor and array
US6882367B1 (en) 2000-02-29 2005-04-19 Foveon, Inc. High-sensitivity storage pixel sensor having auto-exposure detection
US6882361B1 (en) * 2000-04-19 2005-04-19 Pixelworks, Inc. Imager linked with image processing station
JP2004507910A (ja) * 2000-07-05 2004-03-11 ビジョン−サイエンシズ・インコーポレーテッド ダイナミック・レンジ圧縮方法
WO2002027763A2 (en) 2000-09-25 2002-04-04 Foveon, Inc. Active pixel sensor with noise cancellation
WO2002043113A2 (en) * 2000-11-27 2002-05-30 Vision Sciences Inc. Noise floor reduction in image sensors
JP2004534217A (ja) 2001-04-27 2004-11-11 アトルア テクノロジーズ インコーポレイテッド 改善されたキャパシタンス測定感度を持つ容量性のセンサシステム
AU2002310087A1 (en) * 2001-05-22 2002-12-03 Atrua Technologies, Inc. Improved connection assembly for integrated circuit sensors
US7259573B2 (en) * 2001-05-22 2007-08-21 Atrua Technologies, Inc. Surface capacitance sensor system using buried stimulus electrode
FR2825219B1 (fr) * 2001-05-28 2003-09-05 St Microelectronics Sa Pixel actif cmos a bruit reduit
US6960757B2 (en) * 2001-06-18 2005-11-01 Foveon, Inc. Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors
US6930336B1 (en) 2001-06-18 2005-08-16 Foveon, Inc. Vertical-color-filter detector group with trench isolation
US6864557B2 (en) * 2001-06-18 2005-03-08 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
US7088394B2 (en) 2001-07-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Charge mode active pixel sensor read-out circuit
US20030101348A1 (en) 2001-07-12 2003-05-29 Russo Anthony P. Method and system for determining confidence in a digital transaction
US6998660B2 (en) * 2002-03-20 2006-02-14 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group array that emulates a pattern of single-layer sensors with efficient use of each sensor group's sensors
US7164444B1 (en) 2002-05-17 2007-01-16 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group with highlight detector
KR100493025B1 (ko) * 2002-08-07 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 제조 방법
US7375748B2 (en) * 2002-08-29 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Differential readout from pixels in CMOS sensor
US6903670B1 (en) 2002-10-04 2005-06-07 Smal Camera Technologies Circuit and method for cancellation of column pattern noise in CMOS imagers
US7453129B2 (en) 2002-12-18 2008-11-18 Noble Peak Vision Corp. Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry
US7339216B1 (en) 2003-01-31 2008-03-04 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group array with full-resolution top layer and lower-resolution lower layer
JP4207659B2 (ja) * 2003-05-16 2009-01-14 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、ならびにカメラ装置
US20050128327A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Bencuya Selim S. Device and method for image sensing
JP4086798B2 (ja) * 2004-02-25 2008-05-14 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
KR100787938B1 (ko) * 2005-07-15 2007-12-24 삼성전자주식회사 공유 능동 화소 센서 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그구동 방법
KR100760142B1 (ko) * 2005-07-27 2007-09-18 매그나칩 반도체 유한회사 고해상도 cmos 이미지 센서를 위한 스택형 픽셀
KR100815243B1 (ko) * 2006-08-04 2008-03-19 한국과학기술원 Cmos 이미지 센서의 단위 픽셀
JP4599258B2 (ja) * 2005-09-16 2010-12-15 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US20070131992A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Dialog Semiconductor Gmbh Multiple photosensor pixel image sensor
US20080136933A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Digital Imaging Systems Gmbh Apparatus for controlling operation of a multiple photosensor pixel image sensor
US7944020B1 (en) 2006-12-22 2011-05-17 Cypress Semiconductor Corporation Reverse MIM capacitor
US7602430B1 (en) * 2007-04-18 2009-10-13 Foveon, Inc. High-gain multicolor pixel sensor with reset noise cancellation
US7737390B2 (en) * 2008-01-14 2010-06-15 Tower Semiconductor, Ltd. Horizontal row drivers for CMOS image sensor with tiling on three edges
US7745773B1 (en) 2008-04-11 2010-06-29 Foveon, Inc. Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines
DE102012206089B4 (de) * 2012-03-15 2017-02-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterstruktur, verfahren zum betreiben derselben und herstellungsverfahren

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5408113A (en) * 1992-06-30 1995-04-18 Ricoh Company, Ltd. High sensitivity improved photoelectric imaging device with a high signal to noise ratio
US5576763A (en) * 1994-11-22 1996-11-19 Lucent Technologies Inc. Single-polysilicon CMOS active pixel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028137B1 (ko) * 2003-04-30 2011-04-08 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 씨모스 이미지 센서의 단위화소

Also Published As

Publication number Publication date
CA2180389A1 (en) 1997-02-02
US5739562A (en) 1998-04-14
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