KR100549385B1 - Cmos 촬상소자 - Google Patents
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Abstract
Description
도 1에 있어서, 각 픽셀(50)은 소스 팔로워로 구성된 출력 FET를 구비한 포토사이트(60)를 포함한다. 소스 팔로워(53)는 CDS(Double Sampled Circuit, 55)와 같은 연속적인 신호 처리기를 구동시키기 위해 사용된다. 소스 팔로워(53)의 이득은 1 미만이다. 픽셀 사이트(50)에 위치하는 소스 팔로워가 소정의 이득을 갖는 경우에, 동일한 컬럼에 있는 다른 픽셀 및 이들 각각의 소스 팔로워는 동일한 이득을 가질 수도 혹은 안 가질 수도 있다. 이 기술은 어레이 내의 모든 FET가 동일한 임계값을 갖게 하는 웨이퍼 처리에 의존한다. 동작 중에, 선형 능동 픽셀 어레이에서 FET 임계값이 100 ㎷씩 변하는 것은 드문 경우가 아니다.
Claims (21)
- 로우축과 컬럼축으로 된 초점면 촬상 픽셀(12) 어레이가 주변부내에 형성된 촬상 소자로서, 상기 픽셀(12)의 각각은 입사 광선을 전하로 변환시키는 영역을 포함하는 것인 상기 촬상 소자에 있어서,복수개의 단일 차동 입력 증폭기(30)를 포함하며, 각 증폭기(30)는 상기 주변부내에 있는 복수개의 픽셀(12) 각각에 하나씩 위치하는 복수개의 제1 입력 트랜지스터(15)와, 상기 어레이의 주변부 외부에 위치하고 상기 제1 입력 트랜지스터(15)에 연결되어 피드백 루프를 형성하는 제2 입력 트랜지스터(24)를 구비하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭기(30)는 로우(row) 증폭기인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭기(30)는 컬럼(column) 증폭기인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 컬럼에 있는 픽셀(12)의 상기 복수개의 제1 입력 트랜지스터(15)는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 제1 입력 트랜지스터(15)는 FET인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서. 각 픽셀(12)에 있는 선택 트랜지스터와, 상기 어레이의 주변부 외부에 위치하고 상기 선택 트랜지스터에 연결되며 상기 증폭기와의 연결을 위해 상기 픽셀(12)을 선택하거나 또는 선택 해제하기 위한 제어 신호 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 제어 신호 발생기는 상기 증폭기와의 연결을 위해 컬럼내에서 2개 이상의 픽셀(12)을 동시에 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 픽셀(12) 어레이는 모노리식 반도체 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭기(30)는 피드백 루프가 폐루프 이득을 제어하고, 그 결과의 폐루프 이득이 상기 제1 입력 트랜지스터(15)의 특성 변동으로 인해 현저히 변경되지 않도록 충분히 큰 개방 루프 이득을 갖는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭기(30)는 단위 이득을 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 입력 트랜지스터(15)와 상기 제2 입력 트랜지스터(24)에 연결된 전류원(20)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 입력 트랜지스터(15)와 상기 제2 입력 트랜지스터(24)에 연결된 전류 미러(26, 28)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭기의 출력에 연결된 신호 처리기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제13항에 있어서, 상기 신호 처리기는 상관 이중 샘플러(Correlated Doubling Sampler)(55)를 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 입사 광선을 전하로 변환시키는 영역은 포토게이트(70)를 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제15항에 있어서, 상기 포토게이트(70)에 인접한 감지 노드(72)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제16항에 있어서, 상기 포토게이트(70)와 상기 감지 노드(72)는 실질적으로 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제17항에 있어서, 상기 포토게이트(70)와 상기 감지 노드(72)는 폴리실리콘 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제16항에 있어서, 전하 수집을 제어하고 전하를 감지하기 위해 감지 노드(72)에 연결된 제어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 입사 광선을 전하로 변환시키는 영역은 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
- 제20항에 있어서, 전하 수집을 제어하고 전하를 감지하기 위해 상기 포토다이오드에 연결된 제어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
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