JPS62272773A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS62272773A JPS62272773A JP61114915A JP11491586A JPS62272773A JP S62272773 A JPS62272773 A JP S62272773A JP 61114915 A JP61114915 A JP 61114915A JP 11491586 A JP11491586 A JP 11491586A JP S62272773 A JPS62272773 A JP S62272773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- time
- clock
- control circuit
- phiab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、固体撮像素子を用いた固体撮像装置に関する
ものである。
ものである。
更に詳述すれば、本発明は、露光時間を制御可能とした
固体撮像装置に関するものである。
固体撮像装置に関するものである。
[従来の技術]
従来から、特開昭56−138371号公報に示される
如く、CCD等の固体イメージセンサにおいてプルーミ
ングを防止するために、受光面内にオーバー・フロー・
ドレインを設ける代わりに表面再結合を利用して過剰キ
ャリアを消滅させるものが考えられている。
如く、CCD等の固体イメージセンサにおいてプルーミ
ングを防止するために、受光面内にオーバー・フロー・
ドレインを設ける代わりに表面再結合を利用して過剰キ
ャリアを消滅させるものが考えられている。
かかるイメージセンサは受光面内の開口率を犠牲にする
ことがないので、感度が高く且つ集積度を向上させるこ
とができ、その結果として、水平解像度を上げることが
できる等の利点を有している。
ことがないので、感度が高く且つ集積度を向上させるこ
とができ、その結果として、水平解像度を上げることが
できる等の利点を有している。
第3図〜第5図は、上述した表面再結合によるプルーミ
ング防止方法について説明する図である。ここで、第3
図は一般的なフレーム・トランスファー型CCDの正面
図である。本図中、1は受光部であり、感光性を有する
複数の垂直転送レジスタから成る。
ング防止方法について説明する図である。ここで、第3
図は一般的なフレーム・トランスファー型CCDの正面
図である。本図中、1は受光部であり、感光性を有する
複数の垂直転送レジスタから成る。
2は蓄積部であり、遮光された複数の垂直転送レジスタ
から成る。
から成る。
3は水平転送レジスタであって、蓄積部2の各垂直転送
レジスタ内の情報を同時に1ビツトシフトすることによ
り、この水平転送レジスタに取り込み、次いでレジスタ
3を水平転送動作させることにより出力アンプ4からビ
デオ信号を得ることができる。
レジスタ内の情報を同時に1ビツトシフトすることによ
り、この水平転送レジスタに取り込み、次いでレジスタ
3を水平転送動作させることにより出力アンプ4からビ
デオ信号を得ることができる。
一般に、受光部1の各垂直転送レジスタ内で形成された
情報は標準テレビジョン方式における垂直ブランキング
期間内に、蓄積部2に垂直転送され、次の垂直走査期間
内に水平転送レジスタ3より順次1行ずつ読み出される
。
情報は標準テレビジョン方式における垂直ブランキング
期間内に、蓄積部2に垂直転送され、次の垂直走査期間
内に水平転送レジスタ3より順次1行ずつ読み出される
。
なお、ここで受光部1.蓄積部2.水平転送レジスタ3
はそれぞれ2相駆動されるものとし、それぞれの転送電
極をPI、P2.P3.P4.P5.pHとし、その転
送りロックを(φPl+φ、2)、(φP3+φP、)
、(φP5+ φpa)とする。
はそれぞれ2相駆動されるものとし、それぞれの転送電
極をPI、P2.P3.P4.P5.pHとし、その転
送りロックを(φPl+φ、2)、(φP3+φP、)
、(φP5+ φpa)とする。
第4図はこのような転送電極P1〜P6下のポテンシャ
ル・プロフィールを示す図である。本図に示されるとお
り、P型シリコン基板6に絶縁層5を介して設けられた
各電極下には、イオン注入等により電子から見てポテン
シャルの低い部分と高い部分とが形成されている。そし
て、電極P2.P4.P6にローレベルの電圧−vlを
印加し、電極P、、P、、P5にハイレベルの電圧v2
を印加した時には、図中の実線のようなポテンシャルが
形成される。また、電極PI、P3.P5にローレベル
電圧V、を印加し、電極P2. P4.P、にハイレベ
ル電圧v2を印加した場合には、図中破線のようなポテ
ンシャルが形成される。
ル・プロフィールを示す図である。本図に示されるとお
り、P型シリコン基板6に絶縁層5を介して設けられた
各電極下には、イオン注入等により電子から見てポテン
シャルの低い部分と高い部分とが形成されている。そし
て、電極P2.P4.P6にローレベルの電圧−vlを
印加し、電極P、、P、、P5にハイレベルの電圧v2
を印加した時には、図中の実線のようなポテンシャルが
形成される。また、電極PI、P3.P5にローレベル
電圧V、を印加し、電極P2. P4.P、にハイレベ
ル電圧v2を印加した場合には、図中破線のようなポテ
ンシャルが形成される。
従って、電極PI、P3.PSと電極’2+P4+P6
とに交番電圧を互いに逆位相で印加することにより、キ
ャリアは一方向(図では右方向)に順次転送されていく
。
とに交番電圧を互いに逆位相で印加することにより、キ
ャリアは一方向(図では右方向)に順次転送されていく
。
また、本図中の一点鎖線は電極に大きな正の電圧v3を
印加した場合のポテンシャルを示し、このポテンシャル
のウェルは反転状態となるため、所定量以上の過剰なキ
ャリアは多数キャリアと再結合し消滅してしまう。
印加した場合のポテンシャルを示し、このポテンシャル
のウェルは反転状態となるため、所定量以上の過剰なキ
ャリアは多数キャリアと再結合し消滅してしまう。
第5図は、このような電極電圧と内部のポテンシャルの
形状を半導体基板6の厚さ方向について示した図である
。本図から明らかなように、電極電圧v3に対してポテ
ンシャル・ウェルは浅くなり、過剰キャリアは絶縁層と
の界面において多数キャリアと再結合する第2の状態と
なる。
形状を半導体基板6の厚さ方向について示した図である
。本図から明らかなように、電極電圧v3に対してポテ
ンシャル・ウェルは浅くなり、過剰キャリアは絶縁層と
の界面において多数キャリアと再結合する第2の状態と
なる。
一方、電極電圧−vlにおいては、第1の状態としての
アキュムレーション状態となり、界面周辺に多数キャリ
アが集まり易くなる(例えば、図示しないチャネル・ス
トッパ領域からこの多数キャリアが供給される)。
アキュムレーション状態となり、界面周辺に多数キャリ
アが集まり易くなる(例えば、図示しないチャネル・ス
トッパ領域からこの多数キャリアが供給される)。
従って、例えば電極P2に電圧−vlを印加することに
よってバリアを形成した状態で、電極P1に電圧−vl
とv3とを交互に印加することにより、電極P1下に蓄
積される小数キャリアは所定量以下に制御される。
よってバリアを形成した状態で、電極P1に電圧−vl
とv3とを交互に印加することにより、電極P1下に蓄
積される小数キャリアは所定量以下に制御される。
しかし、このような電荷再結合を用いたイメージセンサ
では、再結合のためのクロック信号が出力信号に混入し
て雑音になるという不都合がある。
では、再結合のためのクロック信号が出力信号に混入し
て雑音になるという不都合がある。
そこで、かかるクロック信号ノイズを除去するために、
第6図に関して次に述べる手法が本出願人により既に提
案されている。ここでは、単相駆動方式のフレームトラ
ンスファー型ccDについて説明する。
第6図に関して次に述べる手法が本出願人により既に提
案されている。ここでは、単相駆動方式のフレームトラ
ンスファー型ccDについて説明する。
第6図は、受光部1と蓄積部2の境界領域における断面
の電極構造、および、ポテンシャルの概略を示す図であ
る。
の電極構造、および、ポテンシャルの概略を示す図であ
る。
本図中、PPIは受光部の転送りロックφ1!を印加す
る転送電極、PABは再結合クロックφ。を印加するた
めの再結合手段としての再結合制御電極、PPSは蓄積
部の転送りロックφpsを印加する転送電極、6Eはオ
ーバー・フロー・ドレインを構成するn+領領域ある。
る転送電極、PABは再結合クロックφ。を印加するた
めの再結合手段としての再結合制御電極、PPSは蓄積
部の転送りロックφpsを印加する転送電極、6Eはオ
ーバー・フロー・ドレインを構成するn+領領域ある。
φ^nは過剰電荷を表面再結合中心でホールと再結合さ
せるためのクロックである。
せるためのクロックである。
本図中に示した実線のポテンシャル状態は、φ、1.φ
psとしてローレベルの電圧を印加し、φ、としてハイ
レベルの電圧を印加した場合のものであり、破線はφP
++ φpsをハイレベル、φAnをローレベルとした
場合のものである。
psとしてローレベルの電圧を印加し、φ、としてハイ
レベルの電圧を印加した場合のものであり、破線はφP
++ φpsをハイレベル、φAnをローレベルとした
場合のものである。
なお、基板6内にはイオン注入により図示のようなポテ
ンシャルの階段が形成されている。
ンシャルの階段が形成されている。
また、電極PPI +PPS+PABによって覆われて
いない絶縁層の下部、すなわち絶縁層と半導体基板との
境界部分には図示はしていないが、仮想電極(Virt
ual electrode)を構成するための例えば
P型置転相が形成されている。
いない絶縁層の下部、すなわち絶縁層と半導体基板との
境界部分には図示はしていないが、仮想電極(Virt
ual electrode)を構成するための例えば
P型置転相が形成されている。
従って、電極に覆われていない半導体領域内のポテンシ
ャルは、各電極へのバイアスによって変化しないように
なっている。
ャルは、各電極へのバイアスによって変化しないように
なっている。
第7図は、第6図示の領域における電極パターンの一例
を示す図である。本図中に示すC5はチャネルストップ
であって、水平方向の電荷の移動を阻止する。
を示す図である。本図中に示すC5はチャネルストップ
であって、水平方向の電荷の移動を阻止する。
第6図および第7図示の構成によれば、電荷再結合のた
めの電極PA6の幅を転送電極P、□の幅よりも充分小
さくできるので、過剰電荷を除去する場合に除去効率を
高くすることかできる。
めの電極PA6の幅を転送電極P、□の幅よりも充分小
さくできるので、過剰電荷を除去する場合に除去効率を
高くすることかできる。
また、−相駆動方式のCCDイメージセンサにおいて、
電荷の再結合動作を転送動作と独立して行うことができ
る。
電荷の再結合動作を転送動作と独立して行うことができ
る。
しかも、上述した撮像素子の再結合制御用構造は、チャ
ネルストップと同一プロセスで製造可能な電極用のポリ
シリコンゲート形成ステップおよび内部ポテンシャルの
階段を形成するためのイオン注入ステップで形成するこ
とができる。
ネルストップと同一プロセスで製造可能な電極用のポリ
シリコンゲート形成ステップおよび内部ポテンシャルの
階段を形成するためのイオン注入ステップで形成するこ
とができる。
このような構成をとることにより、撮像画面中に輝度レ
ベルの著しい被写体が存在したとしても、ブルーミング
等の悪影響を防止することかできる。
ベルの著しい被写体が存在したとしても、ブルーミング
等の悪影響を防止することかできる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、アンチブルーミングパルスをI最像素子
に供給することにより、素子自身の消費電力が増加して
しまい、その結果、余分な熱が発生に すること/なる。
に供給することにより、素子自身の消費電力が増加して
しまい、その結果、余分な熱が発生に すること/なる。
よって、放熱対策が十分でない素子はこれが原因して暗
電流分が増加し、特に低輝度部でS/Nが悪くなってし
まうという不都合が生じる。
電流分が増加し、特に低輝度部でS/Nが悪くなってし
まうという不都合が生じる。
かかる不都合を避けるため、再結合パルスの周波数を低
くすることも考えられるが、この場合には、露光時間が
短いときブルーミング除去が不完全になってしまうとい
う欠点が生じる。
くすることも考えられるが、この場合には、露光時間が
短いときブルーミング除去が不完全になってしまうとい
う欠点が生じる。
よって、本発明の目的は、上述の点に鑑み、長時間露光
時・短時間露光時に拘りなく、ブルーミングや暗電流な
どを有効に除去するよう構成した固体撮像装置を提供す
ることにある。
時・短時間露光時に拘りなく、ブルーミングや暗電流な
どを有効に除去するよう構成した固体撮像装置を提供す
ることにある。
[問題点を解決するための手段]
かかる目的を達成するために、本発明では表面電荷再結
合により、余剰電荷を除去する手段を備えた固体撮像装
置において、前記再結合を行うための動作周波数を、露
光時間に応じて変化させるよう構成する。
合により、余剰電荷を除去する手段を備えた固体撮像装
置において、前記再結合を行うための動作周波数を、露
光時間に応じて変化させるよう構成する。
[作 用]
露光時間の長短に応じて、表面電荷再結合を行うための
動作周波数を変化させ、これにより、ブルーミングや不
要な暗電流が生じるのを防止する。
動作周波数を変化させ、これにより、ブルーミングや不
要な暗電流が生じるのを防止する。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明を適用した一実施例の全体構成図である
。本図中、先に述べた第3図〜第5図と同じ符号のもの
は、同じ要素を示す。
。本図中、先に述べた第3図〜第5図と同じ符号のもの
は、同じ要素を示す。
SHOはシャッタユニット、DP口は絞りユニットであ
り、制御回路MSにより制御される。0Ftlは受光部
1の蓄積部2に対して反対側に設けられた過剰電荷排出
用のオーバー・フロー・ドレインであって、一定の正電
圧V。0によりバイアスされている。
り、制御回路MSにより制御される。0Ftlは受光部
1の蓄積部2に対して反対側に設けられた過剰電荷排出
用のオーバー・フロー・ドレインであって、一定の正電
圧V。0によりバイアスされている。
また、蓄積部2および水平転送レジスタ3にはそれぞれ
転送用のクロックφPl!+ φ3が印加されている。
転送用のクロックφPl!+ φ3が印加されている。
また、受光部1のみ光入射が可能となっており、蓄積部
2.レジスタ3.アンプ4等は遮光されている。
2.レジスタ3.アンプ4等は遮光されている。
CKDはこれらのクロックパルスφPI+ φ。。
φPS+ φ8等を撮像素子に供給するための制御手段
として作用するクロックトライバ、CKGはこれらのパ
ルスを形成するためのタイミング信号を発生するクロッ
クジェネレータ、PAPは出力撮像信号から各色信号を
生成するためのプロセス回路である。ECDはエンコー
ダであって、プロセス回路PAPから送出されたビデオ
信号はこのエンコーダによって例えばNTSC信号のよ
うな標準テレビジョン方式の信号に変換される。
として作用するクロックトライバ、CKGはこれらのパ
ルスを形成するためのタイミング信号を発生するクロッ
クジェネレータ、PAPは出力撮像信号から各色信号を
生成するためのプロセス回路である。ECDはエンコー
ダであって、プロセス回路PAPから送出されたビデオ
信号はこのエンコーダによって例えばNTSC信号のよ
うな標準テレビジョン方式の信号に変換される。
RCCは記録装置であり、ゲートAGの開閉に従って1
画面分を記録するものである。
画面分を記録するものである。
MSはクロックトライバCHDによる各種パルスの出力
状態を切換えるための制御回路であり、再結合用クロッ
クφ^Bの周波数を切換え得る。この制御回路MSはレ
リーズ入力端子からのRL侶信号第1および第2のレリ
ーズ出力)に応じて、アナログゲートAGの開閉を制御
する。
状態を切換えるための制御回路であり、再結合用クロッ
クφ^Bの周波数を切換え得る。この制御回路MSはレ
リーズ入力端子からのRL侶信号第1および第2のレリ
ーズ出力)に応じて、アナログゲートAGの開閉を制御
する。
また、制御回路MSには、露光時間設定回路ESの出力
信号T(露光時間を表す)が供給され、この出力に応じ
てクロックトライバから出力されるφ。のクロック周波
数F (T)を可変制御するものである。ここで露光時
間設定回路ESは、絞り優先へEモードならば設定絞り
値により、またプログラムモードならば外部の測光素子
等により得られた被写体輝度レベルに応じて、所定値に
設定される。
信号T(露光時間を表す)が供給され、この出力に応じ
てクロックトライバから出力されるφ。のクロック周波
数F (T)を可変制御するものである。ここで露光時
間設定回路ESは、絞り優先へEモードならば設定絞り
値により、またプログラムモードならば外部の測光素子
等により得られた被写体輝度レベルに応じて、所定値に
設定される。
第2図は、本実施例の制御手順を示すフローチャートで
ある。
ある。
まず、図示しないレリーズスイッチを押下することによ
りレリーズ入力端子から第1のレリーズ出力が導入され
ると(ステップSt) 、露光時間設定回路ESから得
られる露光時間信号Tを読み取り(ステップS2)、被
写体輝度・絞り値から適正露出が得られるか否かを判断
する(ステップS3)。
りレリーズ入力端子から第1のレリーズ出力が導入され
ると(ステップSt) 、露光時間設定回路ESから得
られる露光時間信号Tを読み取り(ステップS2)、被
写体輝度・絞り値から適正露出が得られるか否かを判断
する(ステップS3)。
ステップS3において適正露出が得られないと判断され
た場合は、現在設定されている露光時間に基づいて適正
な絞り値に補正を行うことができるか否かが判断される
(ステップS4)。その結果、補正が可能ならばその絞
り値に補正する(ステラプS5)。ステップS4におい
て補正が不可能であると判断されたときには、その旨を
オペレータに警告しくステップS6)、再びステップS
1に戻る。
た場合は、現在設定されている露光時間に基づいて適正
な絞り値に補正を行うことができるか否かが判断される
(ステップS4)。その結果、補正が可能ならばその絞
り値に補正する(ステラプS5)。ステップS4におい
て補正が不可能であると判断されたときには、その旨を
オペレータに警告しくステップS6)、再びステップS
1に戻る。
撮影条件が制御回路MSのメモリ内で設定されると、露
光時間信号Tの表す露光時間に応じて、アンチブルーミ
ング用クロックパルスφ、の動作周波数F (T)を設
定する(ステップS7)。すなわち、露光時間が長くな
るとF (T)を小さく、また露光時間が短くなるとF
(T)を大きく設定する。
光時間信号Tの表す露光時間に応じて、アンチブルーミ
ング用クロックパルスφ、の動作周波数F (T)を設
定する(ステップS7)。すなわち、露光時間が長くな
るとF (T)を小さく、また露光時間が短くなるとF
(T)を大きく設定する。
上述した動作周波数F (T)の設定が制御回路のメモ
リ内で完了すると、図示しないレリーズスイッチから第
2のレリーズ出力が得られたか否かを判断しくステップ
S8)、第2のレリーズ出力が得られないときにはステ
ップStに戻る。ステップS8において第2のレリーズ
出力が検出された場合には、ステップS81で絞りを設
定値(補正があれば1智含む。)に絞り込み、シャッタ
を開成する。
リ内で完了すると、図示しないレリーズスイッチから第
2のレリーズ出力が得られたか否かを判断しくステップ
S8)、第2のレリーズ出力が得られないときにはステ
ップStに戻る。ステップS8において第2のレリーズ
出力が検出された場合には、ステップS81で絞りを設
定値(補正があれば1智含む。)に絞り込み、シャッタ
を開成する。
次いでφ^BをF (T)の周波数で供給する (ステ
ップ58 へ更にステップS83で時間Tが経過したか
否かを見て、経過したら、ステップS84でシャッタを
閉成し、絞りをステップ585で開放にしてから、ステ
ップ586でCCDからの読み出しを開始したうえでゲ
ート回路へGを開き、1画面分の映像信号を記録装置R
CCに供給する(ステップS9)。
ップ58 へ更にステップS83で時間Tが経過したか
否かを見て、経過したら、ステップS84でシャッタを
閉成し、絞りをステップ585で開放にしてから、ステ
ップ586でCCDからの読み出しを開始したうえでゲ
ート回路へGを開き、1画面分の映像信号を記録装置R
CCに供給する(ステップS9)。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、露光時間に応じて
表面電荷再結合を行うための動作周波数を変化させる構
成としであるので、撮像素子の露光時間に拘りなく、ブ
ルーミングや不要な暗電流などを有効に除去することが
可能となり、もって、高S/Nの映像信号を得ることが
できる。
表面電荷再結合を行うための動作周波数を変化させる構
成としであるので、撮像素子の露光時間に拘りなく、ブ
ルーミングや不要な暗電流などを有効に除去することが
可能となり、もって、高S/Nの映像信号を得ることが
できる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック構成図、
第2図は本発明の制御手順を示すフローチャート、
第3図〜第7図はそれぞれ従来から知られているアンチ
ブルーミング処理動作を説明する図である。 OFD・・・オーバー・フロー・ドレイン、1・・・受
光部、 2・・・蓄積部、 3・・・水平転送レジスタ、 Cに0・・・クロックトライバ、 CKG・・・クロックジェネレータ、 PAP・・・プロセス回路、 ECD・・・エンコーダ、 八G・・・ゲート、 MS・・・制御回路、 RCC・・・記録装置、 ES・・・露光時間設定回路。 第4図 第5図
ブルーミング処理動作を説明する図である。 OFD・・・オーバー・フロー・ドレイン、1・・・受
光部、 2・・・蓄積部、 3・・・水平転送レジスタ、 Cに0・・・クロックトライバ、 CKG・・・クロックジェネレータ、 PAP・・・プロセス回路、 ECD・・・エンコーダ、 八G・・・ゲート、 MS・・・制御回路、 RCC・・・記録装置、 ES・・・露光時間設定回路。 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面電荷再結合により、余剰電荷を除去する手段を備え
た固体撮像装置において、 前記再結合を行うための動作周波数を、露光時間に応じ
て変化させるようにしたことを特徴とする固体撮像装置
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114915A JPH0815322B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 固体撮像装置 |
US07/051,456 US4845566A (en) | 1986-05-21 | 1987-05-19 | Solid-state image pickup apparatus having controllable means for eliminating surplus charge |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114915A JPH0815322B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62272773A true JPS62272773A (ja) | 1987-11-26 |
JPH0815322B2 JPH0815322B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=14649812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61114915A Expired - Fee Related JPH0815322B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4845566A (ja) |
JP (1) | JPH0815322B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190791A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 光検出素子、光検出素子の制御方法、空間情報検出装置 |
US7476841B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-01-13 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Photodetector, spatial information detecting device using the photodetector, and photo detection method |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4949172A (en) * | 1988-09-26 | 1990-08-14 | Picker International, Inc. | Dual-mode TDI/raster-scan television camera system |
US5168364A (en) * | 1988-11-30 | 1992-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
JP2808315B2 (ja) * | 1989-08-08 | 1998-10-08 | 旭光学工業株式会社 | 撮像素子駆動装置 |
EP0419752B1 (en) * | 1989-09-25 | 1995-05-10 | Rai Radiotelevisione Italiana | System for encoding and transmitting video signals comprising motion vectors |
DE4117020C2 (de) * | 1990-05-25 | 1993-12-02 | Asahi Optical Co Ltd | Steuervorrichtung für einen Bildsensor |
US5055667A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-08 | Loral Fairchild Corporation | Non-linear photosite response in CCD imagers |
JP3222586B2 (ja) * | 1992-10-26 | 2001-10-29 | 旭光学工業株式会社 | 撮像素子駆動装置 |
JP3822919B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2006-09-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
US6100552A (en) * | 1998-01-14 | 2000-08-08 | Dalsa, Inc. | Multi-tapped bi-directional CCD readout register |
JP3592147B2 (ja) | 1998-08-20 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US7023479B2 (en) * | 2000-05-16 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image input apparatus having addition and subtraction processing |
EP1176808A3 (en) * | 2000-07-27 | 2003-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
US20050212936A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Eastman Kodak Company | Extended dynamic range image sensor with fixed pattern noise reduction |
US7763837B2 (en) * | 2007-11-20 | 2010-07-27 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for controlling anti-blooming timing to reduce effects of dark current |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3896485A (en) * | 1973-12-03 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge-coupled device with overflow protection |
US3953733A (en) * | 1975-05-21 | 1976-04-27 | Rca Corporation | Method of operating imagers |
JPS5246677A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dewatering device |
US4233632A (en) * | 1977-11-07 | 1980-11-11 | Hitachi, Ltd. | Solid state image pickup device with suppressed so-called blooming phenomenon |
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
US4622596A (en) * | 1983-02-21 | 1986-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
JPS59201586A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Canon Inc | 撮像装置 |
DE3501138A1 (de) * | 1984-01-18 | 1985-07-18 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildaufnahmevorrichtung |
US4663669A (en) * | 1984-02-01 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
JPS60223389A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子 |
JPS61113367A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
US4743778A (en) * | 1985-03-25 | 1988-05-10 | Nippon Kogaku K. K. | Solid-state area imaging device having interline transfer CCD |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61114915A patent/JPH0815322B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-05-19 US US07/051,456 patent/US4845566A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190791A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 光検出素子、光検出素子の制御方法、空間情報検出装置 |
US7476841B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-01-13 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Photodetector, spatial information detecting device using the photodetector, and photo detection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0815322B2 (ja) | 1996-02-14 |
US4845566A (en) | 1989-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100301886B1 (ko) | 고체촬상장치및그구동방법 | |
JPS62272773A (ja) | 固体撮像装置 | |
US5117292A (en) | Solid-state camera having changeable sensitivity | |
JPS6115475A (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
US4697200A (en) | Field storage drive in interline transfer CCD image sensor | |
US4901154A (en) | Image pickup apparatus with coordinated clear and shutter functions | |
US7973843B2 (en) | Active pixel sensor with reduced fixed pattern noise | |
EP0403939B1 (en) | Method of driving a solid state imaging device | |
US4985776A (en) | Method of driving solid-state imaging element | |
US4845568A (en) | Image pickup apparatus for selectively storing electrical signals | |
JPS6161589B2 (ja) | ||
JPH0759055B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2671307B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
EP0712236B1 (en) | Timing signal generator for a solid state imaging device having an electronic shutter | |
JPS62104074A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2003258234A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法 | |
JP2532645B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7683957B2 (en) | Image sensing apparatus for stable clamping operation and draining unnecessary charges | |
JPH0720217B2 (ja) | 撮像装置 | |
JPH03227184A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2684377B2 (ja) | カラー用固体撮像素子 | |
JPS5919479A (ja) | 撮像装置 | |
JPH0134506B2 (ja) | ||
JPS63232684A (ja) | 撮像装置 | |
JPH01151891A (ja) | カラー用固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |