JPH03227184A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH03227184A JPH03227184A JP2022390A JP2239090A JPH03227184A JP H03227184 A JPH03227184 A JP H03227184A JP 2022390 A JP2022390 A JP 2022390A JP 2239090 A JP2239090 A JP 2239090A JP H03227184 A JPH03227184 A JP H03227184A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000037433 frameshift Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は高速、高輝度被写体により発生するスミアの除
去が可能な固体撮像素子に関する。
去が可能な固体撮像素子に関する。
(ロ)従来の技術
第4図及至第7図を参照して従来の固体撮像素子を説明
する。
する。
第4図に示すように、フレームトランスファ方式の固体
撮像素子(50)は光学像を撮像して二次元光電荷を得
る撮像部(51)と、その周縁部に形成される光学的黒
部(52)と、前記二次元光電荷を垂直方向に転送する
蓄積部(53)と、蓄積部(53)から各行毎に一斉転
送される光電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ
(54)と、この水平転送レジスタ(54)の出力電荷
を電圧もしくは電流に変換する出力部(55)、電子シ
ャッタあるいは電子アイリス動作のための排出ドレン(
56)から構成され、タイミング回路(60)が出力す
る順方向転送りロックφ、により撮像部(51)から蓄
積部(53)方向の光電荷転送を行い、逆方向転送りロ
ックφ、により撮像部(51)の光電荷を排出ドレン(
56)に排出する。
撮像素子(50)は光学像を撮像して二次元光電荷を得
る撮像部(51)と、その周縁部に形成される光学的黒
部(52)と、前記二次元光電荷を垂直方向に転送する
蓄積部(53)と、蓄積部(53)から各行毎に一斉転
送される光電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ
(54)と、この水平転送レジスタ(54)の出力電荷
を電圧もしくは電流に変換する出力部(55)、電子シ
ャッタあるいは電子アイリス動作のための排出ドレン(
56)から構成され、タイミング回路(60)が出力す
る順方向転送りロックφ、により撮像部(51)から蓄
積部(53)方向の光電荷転送を行い、逆方向転送りロ
ックφ、により撮像部(51)の光電荷を排出ドレン(
56)に排出する。
タイミング回路(60)はこの他蓄積部(53)を動作
させるクロック、水平転送レジスタ(54)を動作させ
るクロックも適宜のタイミングで出力する。さらにまた
、タイミング回路(60)は出力部(55)のレベルを
モニタしており、このレベルに応じてクロックφ3のタ
イミングを制御している。なお、図のクロックφF、φ
8は便宜的に表現されており、例えば3摺動作の固体撮
像素子ではタロツクφ、は3つの順回転パルス列であり
、クロックφRは3つの逆回転パルス列である。
させるクロック、水平転送レジスタ(54)を動作させ
るクロックも適宜のタイミングで出力する。さらにまた
、タイミング回路(60)は出力部(55)のレベルを
モニタしており、このレベルに応じてクロックφ3のタ
イミングを制御している。なお、図のクロックφF、φ
8は便宜的に表現されており、例えば3摺動作の固体撮
像素子ではタロツクφ、は3つの順回転パルス列であり
、クロックφRは3つの逆回転パルス列である。
続いて、上記構成される固体撮像素子(50)の動作を
第5図を参照して詳細に説明する。
第5図を参照して詳細に説明する。
タイミング回路(60)は垂直走査信号V Dのブラン
キング期間毎の所定のタイミングで順方向クロックφ、
を発生し、この順方向転送りロックφ。
キング期間毎の所定のタイミングで順方向クロックφ、
を発生し、この順方向転送りロックφ。
により撮像部(51)の光電荷は垂直走査信号VDのブ
ランキング期間中に蓄積部(53)に転送される。
ランキング期間中に蓄積部(53)に転送される。
固体撮像素子(50)の出力部(55)の出力レベルを
モニタする露光量判定回路(61)は露光量に応じたタ
イミング、即ち出力部(55)の出力レベルが高いとき
には比較的遅く、出力部(55)の出力レベルが低いと
きには比較的早いタイミングで排出タイミング信号BT
をタイミング回路(60)へ出力する。
モニタする露光量判定回路(61)は露光量に応じたタ
イミング、即ち出力部(55)の出力レベルが高いとき
には比較的遅く、出力部(55)の出力レベルが低いと
きには比較的早いタイミングで排出タイミング信号BT
をタイミング回路(60)へ出力する。
タイミング回路(60)はこの排出タイミング信号BT
に基づいて逆方向転送りロックφ、を出力し、撮像部(
51)の光電荷を排出ドレン(56)に排出する。従っ
て、この光電荷排出動作が終了してから順方向クロック
φ、による蓄積部(53)への転送動作開始迄の期間T
が撮像部(51)の露光時間となり、この露光時間が排
出タイミング信号BTのタイミングにより伸縮制御され
ろっ 次に、第6図(A)(B)を参照して電子シャッタ、電
子アイリスを採用しない固体撮像素子(50’)のスミ
ア障害を説明する。
に基づいて逆方向転送りロックφ、を出力し、撮像部(
51)の光電荷を排出ドレン(56)に排出する。従っ
て、この光電荷排出動作が終了してから順方向クロック
φ、による蓄積部(53)への転送動作開始迄の期間T
が撮像部(51)の露光時間となり、この露光時間が排
出タイミング信号BTのタイミングにより伸縮制御され
ろっ 次に、第6図(A)(B)を参照して電子シャッタ、電
子アイリスを採用しない固体撮像素子(50’)のスミ
ア障害を説明する。
固体撮像素子(50’)の撮像部(51)に高輝度の被
写体が撮像されると、第6図(A)に示すように、高輝
度であるが故に撮像部(51)のそれに対応する部分に
は蓄積部(53)への転送期間において、高輝度被写体
操像部(57)を通過する度に光電荷が生成される。そ
して、転送期間の各タイミングで生成された光電荷が高
輝度被写体撮像部(57)と共に蓄積部(53)へ転送
されてスミア(58)(58°)となる。次のフィール
ドでは、前記と同様にスミア(58)(58′)が生成
されると共に先のフィールド1こおいて生成されたスミ
ア(58’)が転送されてスミア(59)となる。従っ
て、モニタ(70)に再生される画像には第5図(B)
に示すように高輝度被写体撮像部(57)の情報の上下
にスミア(58) (59)が発生する。
写体が撮像されると、第6図(A)に示すように、高輝
度であるが故に撮像部(51)のそれに対応する部分に
は蓄積部(53)への転送期間において、高輝度被写体
操像部(57)を通過する度に光電荷が生成される。そ
して、転送期間の各タイミングで生成された光電荷が高
輝度被写体撮像部(57)と共に蓄積部(53)へ転送
されてスミア(58)(58°)となる。次のフィール
ドでは、前記と同様にスミア(58)(58′)が生成
されると共に先のフィールド1こおいて生成されたスミ
ア(58’)が転送されてスミア(59)となる。従っ
て、モニタ(70)に再生される画像には第5図(B)
に示すように高輝度被写体撮像部(57)の情報の上下
にスミア(58) (59)が発生する。
このように高輝度被写体操像部(57)の情報の上下に
発生するスミア(58059)の除去は例えばスミア(
58)(59)が発生する列の画像情報からスミア成分
を1フイールドにわたって減算する等して、比較的容易
に行われる。
発生するスミア(58059)の除去は例えばスミア(
58)(59)が発生する列の画像情報からスミア成分
を1フイールドにわたって減算する等して、比較的容易
に行われる。
続いて、第7図(A> (B)を参照して電子シャッ
タ、電子アイリスを採用する固体撮像素子(50)のス
ミア障害を説明する。
タ、電子アイリスを採用する固体撮像素子(50)のス
ミア障害を説明する。
固体撮像素子(50)の撮像部(51)に高輝度の被写
体が撮像されると、前記と同様にしてスミア(58)(
58°)が生成される。そして、後続の排出ドレン(5
6)への排出動作によって、撮像部(51)に生成され
るスミア(58’)は除去され、これに代わって排出動
作によりスミア(59)が生成される。このスミア(5
9)は次のフィールドにおいて、高輝度被写体操像部(
57)の情報の後に転送されるものであって、蓄積部(
53)への転送期間において同位置に再び生成されるス
ミア(58)とオーバラップする。
体が撮像されると、前記と同様にしてスミア(58)(
58°)が生成される。そして、後続の排出ドレン(5
6)への排出動作によって、撮像部(51)に生成され
るスミア(58’)は除去され、これに代わって排出動
作によりスミア(59)が生成される。このスミア(5
9)は次のフィールドにおいて、高輝度被写体操像部(
57)の情報の後に転送されるものであって、蓄積部(
53)への転送期間において同位置に再び生成されるス
ミア(58)とオーバラップする。
従って、斯る固体撮像素子(50)の再生画像は第7図
< B )に示すようなものとなって、モニタ(70)
上では高輝度被写体操像部(57)の情報の下のみにス
ミア(58)が発生する。
< B )に示すようなものとなって、モニタ(70)
上では高輝度被写体操像部(57)の情報の下のみにス
ミア(58)が発生する。
(・・)発明が解決しようとする課題
電子シャッタ、電子アイリスを採用する固体撮像素fの
スミアはモニタ画面上の高輝度被写体撮像部の情報の下
のみに発生するため、スミアが発生する列の画像情報か
らスミア成分を一律に減算する等の方法によりスミア除
去を行う場合には、高輝度被写体撮像部の情報の上部の
画像情報は誤った情報となる。
スミアはモニタ画面上の高輝度被写体撮像部の情報の下
のみに発生するため、スミアが発生する列の画像情報か
らスミア成分を一律に減算する等の方法によりスミア除
去を行う場合には、高輝度被写体撮像部の情報の上部の
画像情報は誤った情報となる。
また、得られるスミア成分は1フイールド前のものであ
り、高速、高輝度被写体の撮像により発生するスミアの
除去は極めて困難である。
り、高速、高輝度被写体の撮像により発生するスミアの
除去は極めて困難である。
本発明は従来の固体撮像素子に存する斯る課題を解決す
ることを目的とし、現フィールドのスミア成分が先に得
られる固体撮像素子を提供することにある。
ることを目的とし、現フィールドのスミア成分が先に得
られる固体撮像素子を提供することにある。
(ニ)課題を解決するための手段
前記した課題は、光学像を撮像して二次元光電荷を生成
する撮像部と、この撮像部に生成される二次元光電荷を
一時的に蓄積する蓄積部と、二の蓄積部と前記撮像部の
間に形成され、蓄積部の光電荷を一水平走査毎に外部に
出力する水平転送レジスタと、撮像部に隣接形成される
排出ドレンから構成される本発明の固体撮像素子により
解決される。
する撮像部と、この撮像部に生成される二次元光電荷を
一時的に蓄積する蓄積部と、二の蓄積部と前記撮像部の
間に形成され、蓄積部の光電荷を一水平走査毎に外部に
出力する水平転送レジスタと、撮像部に隣接形成される
排出ドレンから構成される本発明の固体撮像素子により
解決される。
(1)作用
水平転送レジスタを撮像部と蓄積部の間に形成すること
により、撮像部から蓄積部への転送方向と蓄積部から水
平転送レジスタへの転送方向が逆方向となり、これによ
り高輝度被写体の撮像により発生する現フィールドのス
ミア成分が先に出力される。
により、撮像部から蓄積部への転送方向と蓄積部から水
平転送レジスタへの転送方向が逆方向となり、これによ
り高輝度被写体の撮像により発生する現フィールドのス
ミア成分が先に出力される。
(へ)実施例
第1図を参照して本発明の固体撮像素子の平面構造を説
明する。
明する。
固体撮像素子(10)は光学像を撮像して二次元光電荷
を得る撮像部(11)、撮像部(11)の周縁に形成さ
れる光学的黒部(12)、蓄積部(13)、撮像部(1
1)と蓄積部(13)間に形成される水平転送レジスタ
(14)、水平転送レジスタ(14)から出力される光
電荷を電圧、電流に変換する出力部(15)、電子シャ
・ブタあるいは電子アイリスのための排出ドレン(16
)等から構成され、水平転送レジスタ(14)が撮像部
(11)と蓄積部(13)間に形成されるため、撮像部
(11)から蓄積部(13)への光電荷転送(以下、フ
レームシフトと称する)は、同図に矢印Bで示すように
、図面の下から上へ、水平転送レジスタ(14)を横断
して行われる。なお、チャネル構造等の断面構造、その
他の構造は従来の固体撮像素子と格別に相違しないので
説明を省略する。
を得る撮像部(11)、撮像部(11)の周縁に形成さ
れる光学的黒部(12)、蓄積部(13)、撮像部(1
1)と蓄積部(13)間に形成される水平転送レジスタ
(14)、水平転送レジスタ(14)から出力される光
電荷を電圧、電流に変換する出力部(15)、電子シャ
・ブタあるいは電子アイリスのための排出ドレン(16
)等から構成され、水平転送レジスタ(14)が撮像部
(11)と蓄積部(13)間に形成されるため、撮像部
(11)から蓄積部(13)への光電荷転送(以下、フ
レームシフトと称する)は、同図に矢印Bで示すように
、図面の下から上へ、水平転送レジスタ(14)を横断
して行われる。なお、チャネル構造等の断面構造、その
他の構造は従来の固体撮像素子と格別に相違しないので
説明を省略する。
上記のように構成される固体撮像素子(10)において
fIjl像部(11)に高輝度の被写体が撮像されると
撮像部(]1)にはそのフレームシフトの期間および排
出ドレン(16)への電荷排出の短い期間にも露光され
、フレームシフトに伴って縦方向にスミアと称される画
像欠陥が発生する。
fIjl像部(11)に高輝度の被写体が撮像されると
撮像部(]1)にはそのフレームシフトの期間および排
出ドレン(16)への電荷排出の短い期間にも露光され
、フレームシフトに伴って縦方向にスミアと称される画
像欠陥が発生する。
第2図(A)は排出ドレン(16)への電荷排出期間に
生成されるスミア(17)の形状を示し、一部破線で示
す円彩部(18)は高輝度の被写体が撮像される位置を
示す。ただし、同図に矢印Aで示す方向に電荷排出が行
われた直後には高輝度の被写体に吋応する電荷領lIC
以下、スポット領域と称するンは存在せず、高輝度の被
写体によるスミア(17)のみが確認される。
生成されるスミア(17)の形状を示し、一部破線で示
す円彩部(18)は高輝度の被写体が撮像される位置を
示す。ただし、同図に矢印Aで示す方向に電荷排出が行
われた直後には高輝度の被写体に吋応する電荷領lIC
以下、スポット領域と称するンは存在せず、高輝度の被
写体によるスミア(17)のみが確認される。
電荷排出後の所定の露光時間の後に、第2図(B)に矢
印Bで示される方向にフレームシフトが行われると、撮
像部(11)で撮像されたスポット領域(18)は新た
なスミア(19)を伴って蓄積部(13)に転送される
。このとき先のスミア(17)は新たなスミア(19)
にオーバラップされている。
印Bで示される方向にフレームシフトが行われると、撮
像部(11)で撮像されたスポット領域(18)は新た
なスミア(19)を伴って蓄積部(13)に転送される
。このとき先のスミア(17)は新たなスミア(19)
にオーバラップされている。
さらに、第2図(C)に示されるように、矢印Cの方向
に蓄積部(13)の電荷が水平転送レジスタ(14)に
転送されると、スミア(19)から先に水平転送レジス
タ(14)、図示しない出力部を介して画像情報が得ら
れる。既に明らかなように、このスミア(19)は現フ
ィールドのスミアであるため、このスミア成分を使用し
てスミア除去を行うときは、高速で移動する高輝度被写
体のスミア除去も適正に行うことができる。
に蓄積部(13)の電荷が水平転送レジスタ(14)に
転送されると、スミア(19)から先に水平転送レジス
タ(14)、図示しない出力部を介して画像情報が得ら
れる。既に明らかなように、このスミア(19)は現フ
ィールドのスミアであるため、このスミア成分を使用し
てスミア除去を行うときは、高速で移動する高輝度被写
体のスミア除去も適正に行うことができる。
第3図を参照して本発明の固体撮像素子に好適なスミア
除去回路を説明する。
除去回路を説明する。
スミア除去回路は固体撮像素子(10)の出力CCDo
υ丁をディジタル変換するA/D変換器(20)、A/
D変換器(20)が出力する光学的黒部の18分のデー
タを記憶するラインメモリ(23)、A/D変換器(2
0)のデータからラインメモリ(23)のデータを減算
するディジタル減算回路(26)、CCD OUTと撮
像部(11)の飽和レベルに等しい基準値Vthとを比
較し、CCD 0LIT > V 、 hのとき“0”
を出力し、CCD oUr< V 、hのとき“l”を
出力する比較器(24)、比較器(24)の出力レベル
が“1”のときにはラインメモリ(23)の出力端から
出力されるデータをそのまま入力端に入力し、比較器(
24)の出力レベルが“O”のときにはラインメモリ(
23)の入力端に′0″を入力する複数ビットのゲート
(25)等から構成される。
υ丁をディジタル変換するA/D変換器(20)、A/
D変換器(20)が出力する光学的黒部の18分のデー
タを記憶するラインメモリ(23)、A/D変換器(2
0)のデータからラインメモリ(23)のデータを減算
するディジタル減算回路(26)、CCD OUTと撮
像部(11)の飽和レベルに等しい基準値Vthとを比
較し、CCD 0LIT > V 、 hのとき“0”
を出力し、CCD oUr< V 、hのとき“l”を
出力する比較器(24)、比較器(24)の出力レベル
が“1”のときにはラインメモリ(23)の出力端から
出力されるデータをそのまま入力端に入力し、比較器(
24)の出力レベルが“O”のときにはラインメモリ(
23)の入力端に′0″を入力する複数ビットのゲート
(25)等から構成される。
光学的黒部のデータをディジタル変換するA、/D変換
器(20)の出力データは、そのタイミングを教えるク
ロックφopsにより制御されるゲート(21を介して
、CCD oatの出力タイミングと同期動作するライ
ンメモリ(23)に入力されており、光学的黒部のデー
タ出力が終了するとラインメモリ(23)には光学的黒
部の18分のディジタルデータが記憶される。そして、
光学的黒部のデータ出力が終了してCCD oarに画
像情報が出力されると、ラインメモリ(23)はゲニ)
(21)によりA /’ D変換器(20)から遮断
される。
器(20)の出力データは、そのタイミングを教えるク
ロックφopsにより制御されるゲート(21を介して
、CCD oatの出力タイミングと同期動作するライ
ンメモリ(23)に入力されており、光学的黒部のデー
タ出力が終了するとラインメモリ(23)には光学的黒
部の18分のディジタルデータが記憶される。そして、
光学的黒部のデータ出力が終了してCCD oarに画
像情報が出力されると、ラインメモリ(23)はゲニ)
(21)によりA /’ D変換器(20)から遮断
される。
本発明の固体撮像素子によれば、画像情報は第2図(C
)に示すように、スポット領域(18)のデータの前に
スミア(19)のデータが出力されるが、このスミア(
19)のデータは前記したようにラインメモリ(23)
に記憶されており、CCD o、ニアの出力タイミング
と同期動作するラインメモリ(23)がゲート(22)
(25)を介する右ローテートを行うことによって、ス
ミア成分がディジタル減算回路(26)に減算入力され
てスミア除去が行われる。
)に示すように、スポット領域(18)のデータの前に
スミア(19)のデータが出力されるが、このスミア(
19)のデータは前記したようにラインメモリ(23)
に記憶されており、CCD o、ニアの出力タイミング
と同期動作するラインメモリ(23)がゲート(22)
(25)を介する右ローテートを行うことによって、ス
ミア成分がディジタル減算回路(26)に減算入力され
てスミア除去が行われる。
さて、本発明の固体撮像素子(10)はスポット領域(
18)のデータ出力の後にはスミアが出力されない。従
って、上記のようなスミア除去を1フイールドの全期間
にわたって行うと、スミアが出力されないスポット領域
(18)の上部r蓄積部(13)における上下関係をい
う)では補正誤りが発生する。
18)のデータ出力の後にはスミアが出力されない。従
って、上記のようなスミア除去を1フイールドの全期間
にわたって行うと、スミアが出力されないスポット領域
(18)の上部r蓄積部(13)における上下関係をい
う)では補正誤りが発生する。
これを防止するため、本スミア除去回路は比較器(24
)を備えている。比較器(24)は前述したようにCC
DoUテと撮像部(11)の飽和レベルに等しい基準V
1vIhとを比較し、CCD ovr> V 、 、ノ
トキ、即ちスポット領域(18)のデータ出力を検知す
ると“0”を出力する。そして、この“0”出力により
ゲート(25)が遮断され、ラインメモリ(23)には
それまでのデータに代えてディジタルデータとしての“
0”が記憶される。従って、スポット領域(18)のの
データの後に出力されるスポット領域(18)の上部の
データからは“0″′が減算され、従ってスミア補正が
行われない。
)を備えている。比較器(24)は前述したようにCC
DoUテと撮像部(11)の飽和レベルに等しい基準V
1vIhとを比較し、CCD ovr> V 、 、ノ
トキ、即ちスポット領域(18)のデータ出力を検知す
ると“0”を出力する。そして、この“0”出力により
ゲート(25)が遮断され、ラインメモリ(23)には
それまでのデータに代えてディジタルデータとしての“
0”が記憶される。従って、スポット領域(18)のの
データの後に出力されるスポット領域(18)の上部の
データからは“0″′が減算され、従ってスミア補正が
行われない。
(ト)発明の効果
以上述べたように本発明の(i1体操像素子は撮像部、
水平転送レジスタおよび蓄積部のレイアウトを変更する
のみで構成できると共に、現フィールドのスミアが先に
出力されるため、高速に移動する高輝度被写体のスミア
であっても適正に除去することができる。
水平転送レジスタおよび蓄積部のレイアウトを変更する
のみで構成できると共に、現フィールドのスミアが先に
出力されるため、高速に移動する高輝度被写体のスミア
であっても適正に除去することができる。
また、本発明の固体撮像素子に適合するスミア除去回路
が使用するA 、/ D変換器等は近年の固体撮像素子
の殆どが備えるものであり、格別の素子・を付加するこ
となく構成でき、適正なスミア除去を行うことができる
。
が使用するA 、/ D変換器等は近年の固体撮像素子
の殆どが備えるものであり、格別の素子・を付加するこ
となく構成でき、適正なスミア除去を行うことができる
。
第1図は本発明の固体撮像素子の平面構造図、第2図は
本発明の固体撮像素子の光電荷転送方式およびスミア障
害を説明する図、第3図は本発明の固体撮像素子に適合
するスミア除去回路を説明する回路図、第4図は従来の
固体撮像素子を説明するブロック図、第5図は従来の固
体撮像素子の動作を説明するタイミングチャート、第6
図(A)(B)はそれぞれ電子アイリス、電子シャッタ
を採用しない固体撮像素子のスミア障害を説明する図、
第7図(A)(B)はそれぞれ電子アイリス、電子シャ
ッタを採用する固体撮像素子のスミア障害を説明する図
である。 10・・・固体撮像素子、 11・・・撮像部1,1
2・・・光学的黒部、 1 3・・・蓄積部、 4・・・水平転 送レジスタ、 5・・・出力部、 6・・・排出ドレ
本発明の固体撮像素子の光電荷転送方式およびスミア障
害を説明する図、第3図は本発明の固体撮像素子に適合
するスミア除去回路を説明する回路図、第4図は従来の
固体撮像素子を説明するブロック図、第5図は従来の固
体撮像素子の動作を説明するタイミングチャート、第6
図(A)(B)はそれぞれ電子アイリス、電子シャッタ
を採用しない固体撮像素子のスミア障害を説明する図、
第7図(A)(B)はそれぞれ電子アイリス、電子シャ
ッタを採用する固体撮像素子のスミア障害を説明する図
である。 10・・・固体撮像素子、 11・・・撮像部1,1
2・・・光学的黒部、 1 3・・・蓄積部、 4・・・水平転 送レジスタ、 5・・・出力部、 6・・・排出ドレ
Claims (4)
- (1)光学像を撮像して二次元光電荷を生成する撮像部
と、この撮像部に生成される二次元光電荷を一時的に蓄
積する蓄積部と、この蓄積部と前記撮像部の間に形成さ
れ、蓄積部の光電荷を一水平走査毎に外部に出力する水
平転送レジスタと、撮像部に隣接形成される排出ドレン
から構成される固体撮像素子。 - (2)撮像部の光電荷が水平転送レジスタを横断して蓄
積部に転送され、この蓄積部の光電荷が前記転送方向と
は逆方向に転送されて、水平転送レジスタに入力される
請求項1記載の固体撮像素子。 - (3)固体撮像素子の出力をディジタルデータに変換す
るA/D変換器と、固体撮像素子の出力タイミングと同
期動作し、A/D変換器の光学的黒部のデータを記憶す
るラインメモリと、前記A/D変換器のデータからライ
ンメモリのデータを減算するディジタル減算回路から構
成されるスミア除去回路を備える請求項1記載の固体撮
像素子。 - (4)前記スミア除去回路が固体撮像素子の出力とその
受光部の飽和レベルに等しい基準値とを比較する比較器
を備え、この比較器出力により前記ラインメモリのデー
タが書き替えられる請求項3記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022390A JP2944122B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022390A JP2944122B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03227184A true JPH03227184A (ja) | 1991-10-08 |
JP2944122B2 JP2944122B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=12081329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022390A Expired - Lifetime JP2944122B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2944122B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5528294A (en) * | 1992-08-31 | 1996-06-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for eradicating smear in a charge-coupled device camera |
FR2794896A1 (fr) * | 1999-06-11 | 2000-12-15 | Thomson Csf | Dispositif photosensible du type utilisant une zone memoire |
US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022390A patent/JP2944122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5528294A (en) * | 1992-08-31 | 1996-06-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for eradicating smear in a charge-coupled device camera |
FR2794896A1 (fr) * | 1999-06-11 | 2000-12-15 | Thomson Csf | Dispositif photosensible du type utilisant une zone memoire |
US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2944122B2 (ja) | 1999-08-30 |
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