JP2006108889A - 固体撮像装置 - Google Patents

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誠一郎 酒井
Takumi Hiyama
拓己 樋山
Akira Okita
彰 沖田
Toru Koizumi
徹 小泉
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Abstract

【課題】 ストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダー、動画的撮影などの高速撮像時に露光時間を全画素同時としたS/Nの高い画像信号を取り出すことを課題とする。
【解決手段】 光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御する転送スイッチ手段と、前記蓄積部をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、前記増幅部を選択する選択スイッチ手段とを有する画素を行方向、列方向に二次元的に有する固体撮像装置において、前記光電変換素子を全画素一括リセットし、信号の蓄積時間を開始し、その後蓄積時間を終了し、前記蓄積部に信号電荷を転送し、順次読み出す動作において、
第一の行又は列と第二の行又は列の信号を減算して1行又は1列分の信号を得ることを特徴とする固体撮像装置。
【選択図】 図2

Description

本発明は、光電変換素子を有する固体撮像装置とその駆動方法に関し、特にストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影で、全画素露光時間一定で高速にS/Nの高い信号を読み出す方法に関するものである。
近年、パーソナルコンピューターの急速な普及により、画像入力機器としての電子スチルカメラの需要が拡大している。
上記電子スチルカメラの画質を決定する要素は幾つかあるが、その中でも撮像素子の画素数は撮影像の解像度を決定する大きな要素である。そのため、最近は1000万画素以上の多くの画素数を持った電子スチルカメラも幾つか商品化されている。
このような高解像度の撮像素子を利用した撮像系では、撮像素子からの読み出し速度がネックとなるので、構図決定時等に使用するファインダ用の信号としては適していない。
このため、精密撮像モードと高速撮像モードを有する撮像装置で、精密撮像モード時には光信号とノイズ信号を読み出し、差分することでS/Nの高い画像信号を取り出し、高速撮像モードでは光信号のみを読み出すことにより高速でリアルタイムなビデオ信号を取り出すことを可能にした撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
特開2000−004403号公報
しかしながら、上記従来例では高速撮像モード時、全画素一括で光電変換素子をリセットし、蓄積時間後、全画素、蓄積部(以後FDと呼ぶ)へ信号電荷を一括転送したあと信号を順次読み出すので、読み出しが後の方の画素は信号のFD保持時間が長く、保持時間中にFDの欠陥によって発生するリーク電流(以後FDリークと呼ぶ)、FDに光が当たることによって発生する電荷(以後外光と呼ぶ)により所望の電位を保てず、シェーディングが発生していた。(図12)
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、露光時間を全画素同時とした、高速読み出し時にシェーディングを無くすことを目的としている。
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御する転送スイッチ手段と、前記蓄積部をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、前記増幅部を選択する選択スイッチ手段とを有する画素を行方向、列方向に二次元的に有する固体撮像装置において、前記光電変換素子を全画素一括リセットし、信号の蓄積時間を開始し、その後蓄積時間を終了し、前記蓄積部に信号電荷を転送し、順次読み出す動作において、第一の行又は列と第二の行又は列の信号を減算して1行又は1列分の信号を得ることを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御する転送スイッチ手段と、前記蓄積部をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、前記増幅部を選択する選択スイッチ手段とを有する画素を行方向、列方向に二次元的に有する固体撮像装置において、前記光電変換素子を全画素一括リセットし、全画素一括で信号の蓄積時間を開始し、その後全画素一括で蓄積時間を終了し、前記蓄積部に信号電荷を一括転送し、順次読み出す動作を行い、得られた二次元的な信号を第一の画像とし、前記蓄積時間を実質0とし、前記と同様に読み出した二次元的な信号を第二の画像とし、前記第一の画像と第二の画像の差分から光画像を取得することを特徴とする。
以上説明したように、本発明によればストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダー、動画的撮影などの高速撮像時に露光時間を全画素同時としたS/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に述べる。
本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。図1は本発明の実施形態の固体撮像装置の回路概念図である。
各画素内には光電変換部のフォトダイオード1と、フォトダイオード1で発生した信号を蓄積するFDと、フォトダイオード1からFDへの電荷転送を制御する転送スイッチ2と、
FDをリセットするリセットスイッチ3と、FDの電位を入力とする画素アンプ4と、画素アンプを選択する選択スイッチ5とが設けてあり、図1のように接続されている。
また光信号転送ゲート8a及びノイズ信号転送ゲート8bは光信号転送パルスφTS及びノイズ信号転送パルスφTNによって駆動し、選択スイッチ5は行選択パルスφSELによって駆動し、選択された行の出力が負荷電流源7と画素アンプ4で構成されるソースフォロワ回路により、信号出力線6からラインメモリ11へ光信号が、また、別のラインメモリ11にノイズ信号が書き込まれる。ラインメモリ11に一時記憶された出力は水平走査回路12によって読み出され、後段の差動アンプ13で差分演算され、差分が出力する。
この固体撮像素子を図2に示すタイミングチャートの駆動パルスで駆動させた場合、次のように動作する。
光信号読み出し行一括転送パルスφATXS(この説明では光信号読み出し行を偶数行とする。)、ノイズ信号読み出し行一括転送パルスφATXN(この説明ではノイズ信号読み出し行を奇数行とする。)、全画素一括リセットパルスφARESをすべてhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATXS、φATXNをlowにし、信号の蓄積時間を開始する。その後φARESをlowにし、φATXSをhighにすることで蓄積時間を終了し、光信号読み出し行のみ信号をFDへ一括転送し、ノイズ信号読み出し行は転送しない。時系列的にφSELによって選択された行を順次、光信号読み出し行の信号をφTSにより、ラインメモリ11に書き込み、ノイズ信号読み出し行の信号をφTNにより上記とは別のラインメモリ11に書き込み、水平走査回路によりその差分が出力部より出力する。その動作終了後、また全フォトダイオードが一括リセットされ、蓄積時間に入る。
上述したφATXS、φATXN、φSELなどのパルスはCPUなどのコントローラによって駆動されるパルス発生回路から出力される。
このような動作により光信号読み出し行からは蓄積時間にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVとする)、ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリークとする)、外光(この説明ではVS外光とする)が混ざった信号が読み出される。
光信号読み出し行の信号をVとして文字式であらわすと
=V+VSFDリーク+VS外光
となる。
ノイズ読み出し行からはFDリーク(この説明ではVNFDリークとする)、外光(この説明ではVN外光とする)のノイズ信号が読み出される。
ノイズ信号読み出し行の信号をVとして文字式であらわすと
=VNFDリーク+VN外光
となる。
概念図を図3に示す。
上記光信号読み出し行の信号とノイズ信号読み出し行の信号の差分を文字式であらわすと
−V=V+VSFDリーク+VS外光−VNFDリーク−VN外光
となる。
この実施例では上記光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行は偶数行と奇数行であり、隣接している。これにより上記光信号読み出し行のノイズ信号、ノイズ信号読み出し行のノイズ信号はほぼ同じ値であるから
SFDリーク≒VNFDリーク
S外光≒VN外光
である。
よって差分をとることで
−V=V
となり、良好な信号を得ることができる。
本発明のポイントは暗電流成分(FDリーク)のみならず遮光層が半導体表面からはなれている三層ALからなるようなCMOSセンサの特徴的な構造においては特に有効である。
すなわち、CCDとは異なり、遮光層が高いため、外光の影響が著しく、スメアが発生する強い光以外でも画像に悪影響を及ぼすためである。
また、外光成分を減算するためにはできるだけ近い値となる、近傍の同色画素間で信号を減算することが好ましい。
また、リアルタイムに光信号とノイズ信号の差分を出力しているのでストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影などの高速撮像に適している。
実施例2の画素部の回路概念図を図13に示す。ある行に着目しており、G(green)、R(red)・・・と交互に配列されている。また、n,n+1列目はφATXSにつながっており、n,n+2列目はφATXNにつながっており、2列周期で交互につながっている。
この固体撮像素子を図4に示すタイミングチャートの駆動パルスで駆動させた場合、次のように動作する。(図4中のK行は読み出しが前半の行である。L行は読み出しが後半の行である。)
光信号読み出し列一括転送パルスφATXS(この説明では光信号読み出し列をn列とする。)、ノイズ信号読み出し列一括転送パルスφATXN(この説明ではノイズ信号読み出し列をn+2列とする。)、全画素一括リセットパルスφARESをすべてhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。(n列とn+2列は同色画素である。)その後φATXSのみをlowにし、光信号読み出し列は蓄積時間1+2を開始する。その後φATXNをlowにし、φARESをlowにし、行リセットパルスφRESをhighにし(φRESの動作を説明すると、φRES high、lowに関わらず、選択行以外のリセットスイッチはオンしている。φRESをhighにすると選択行のリセットスイッチをオンし、φRESをlowにすると選択行のみリセットスイッチをオフする)、ノイズ信号読み出し列は蓄積時間2を開始する。光信号読み出し列、ノイズ信号読み出し列ともに、時系列的にφSELによって選択されて、読み出せる状態になった行はφRESをlowにし、行転送パルスφTXをhighにし(φTXの動作を説明すると、φTX high、lowに関わらず、選択行以外の転送スイッチはオフである。φTXをhighにすると選択行の転送スイッチをオンし、φTXをlowにすると選択行の転送スイッチをオフする。)、蓄積時間を終了して信号をFDへ転送し、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分が出力部より出力する。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに保存し、外部で光信号読み出し列とノイズ信号読み出し列の信号の差分をとる処理を行う。その動作終了後、また全フォトダイオードが一括リセットされ、蓄積時間に入る。
上述したφATXS、φATXN、φSELなどのパルスはCPUなどのコントローラによって駆動されるパルス発生回路から出力される。
このような動作により光信号読み出し列からは蓄積時間1+2にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVP1+VP2とする)が読み出される。
光信号読み出し列の信号をVとして文字式であらわすと
=VP1+VP2
となる。
ノイズ読み出し列からは蓄積時間2にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVP2’とする)が読み出される。
ノイズ信号読み出し列の信号をVとして文字式であらわすと
=VP2’
となる。
概念図を図5に示す。
上記光信号読み出し列の信号とノイズ信号読み出し列の信号の差分を文字式であらわすと
−V=VP1+VP2−VP2’
となる。
この実施例では上記光信号読み出し列とノイズ信号読み出し列はそれぞれ同色の隣接している画素であるので蓄積時間2に発生した光信号はほぼ同じ値であるから
P2≒VP2’
である。
よって差分をとることで
−V=VP1
となり、良好な信号を得ることができる。
また、近傍の同色画素間で信号を減算しているので、より外光成分を除去することができ、よりS/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
また、リアルタイムに光信号とノイズ信号の差分を出力しているのでストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影などの高速撮像に適している。
この固体撮像素子を図6に示すタイミングチャートの駆動パルスで駆動させた場合、次のように動作する。
第一の動作で、全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATX、φARESをlowにする。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第一の信号が出力部より出力する(蓄積時間はない)。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第一の画像として保存する。
第二の動作で、全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATXをlowにし、蓄積時間を開始する。その後、φARESをlowにし、φATXをhighにすることで蓄積時間を終了し、全画素信号をFDへ一括転送する。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第二の信号が出力部より出力する。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第二の画像として保存する。
その後、固体撮像素子外で第二の画像から第一の画像を差分して光画像を得る。
第一の動作、第二の動作を繰り返す。
上述したφATXS、φATXN、φSELなどのパルスはCPUなどのコントローラによって駆動されるパルス発生回路から出力される。
このような動作により第一の信号はFDリーク(この説明ではVNFDリークとする)、外光(この説明ではVN外光とする)のノイズ信号が読み出される。
第一の信号をVとして文字式であらわすと
=VNFDリーク+VN外光
となる。
第二の信号は蓄積時間にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVとする)、ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリークとする)、外光(この説明ではVS外光とする)が混ざった信号が読み出される。
第二の信号をVとして文字式であらわすと
=V+VSFDリーク+VS外光
となる。
概念図を図7に示す。
上記第二の信号と第一の信号の差分を文字式であらわすと
−V=V+VSFDリーク+VS外光−VNFDリーク−VN外光
となる。
この実施例では上記第二の信号と第一の信号は近い時間のうちに読み出されている。これにより上記第二の信号のノイズ信号、第一の信号のノイズ信号はほぼ同じ値であるから
SFDリーク≒VNFDリーク
S外光≒VN外光
である。
よって差分をとることで
−V≒V
となり、FDリーク、外光などのノイズ成分を除去することができ、比較的S/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
また、リアルタイムに光信号とノイズ信号の差分を出力しているのでストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影などの高速撮像に適している。
この固体撮像素子を図8に示すタイミングチャートの駆動パルスで駆動させた場合、次のように動作する。
第一の動作で、全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATX、φARESをlowにする。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第一の信号が出力部より出力する(蓄積時間はない)。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第一の画像として保存する。
第二の動作で、全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATXをlowにし、蓄積時間を開始する。その後、φARESをlowにし、φATXをhighにすることで蓄積時間を終了し、全画素信号をFDへ一括転送する。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第二の信号が出力部より出力する。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第二の画像として保存する。
その後、固体撮像素子外で第二の画像から第一の画像を差分して光画像を得る。
第三の動作で、全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATXをlowにし、蓄積時間を開始する。その後、φARESをlowにし、φATXをhighにすることで蓄積時間を終了し、全画素信号をFDへ一括転送する。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第三の信号が出力部より出力する。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第三の画像として保存する。
その後、固体撮像素子外で第三の画像から第一の画像を差分して光画像を得る。
第一の動作、第二の動作、第三の動作を繰り返す。
上述したφATXS、φATXN、φSELなどのパルスはCPUなどのコントローラによって駆動されるパルス発生回路から出力される。
このような動作により第一の信号はFDリーク(この説明ではVNFDリークとする)、外光(この説明ではVN外光とする)のノイズ信号が読み出される。
第一の信号をVとして文字式であらわすと
=VNFDリーク+VN外光
となる。
第二の信号は蓄積時間にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVP1とする)、ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリーク1とする)、外光(この説明ではVS外光1とする)が混ざった信号が読み出される。
第二の信号をVS1として文字式であらわすと
S1=VP1+VSFDリーク1+VS外光1
となる。
第三の信号は蓄積時間にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVP2とする)、ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリーク2とする)、外光(この説明ではVS外光2とする)が混ざった信号が読み出される。
第三の信号をVS2として文字式であらわすと
S2=VP2+VSFDリーク2+VS外光2
となる。
概念図を図9に示す。
上記第二の信号と第一の信号の差分を文字式であらわすと
S1−V=VP1+VSFDリーク1+VS外光1−VNFDリーク−VN外光
となる。
上記第三の信号と第一の信号の差分を文字式であらわすと
S2−V=VP2+VSFDリーク2+VS外光2−VNFDリーク−VN外光
となる。
この実施例では上記第一の信号と第二の信号と第三の信号は近い時間のうちに読み出されている。これにより上記第一の信号のノイズ信号、第二の信号のノイズ信号、第三の信号のノイズ信号はほぼ同じ値であるから
SFDリーク1≒VSFDリーク2≒VNFDリーク
S外光1≒VS外光2≒VN外光
である。
よって差分をとることで
S1−V≒VP1
S2−V≒VP2
となり、FDリーク、外光などのノイズ成分を除去することができ、比較的S/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
また、リアルタイムに光信号とノイズ信号の差分を出力しているのでストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影などの高速撮像に適している。
ノイズ信号の取得のための第一の動作が光信号の取得のための第二、第三の動作回数よりも少ないことでより高速撮像に適している。
この固体撮像素子を図10に示すタイミングチャートの駆動パルスで駆動させた場合、次のように動作する。
全画素一括転送パルスφATX、全画素一括リセットパルスφARESをhighにすることにより、全フォトダイオードが一括リセットされる。その後φATX、φARESをlowにし、蓄積時間を開始する。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第一の信号が出力部より出力する(転送していないので読み出される信号の蓄積時間は0である)。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第一の画像として保存する。
次に、全画素一括リセットパルスφARESをhighにし、蓄積時間中はhighに保つことで全FDが一括リセットされ続ける。その後φARESをlowにし、φATXをhighにすることで蓄積時間を終了し、全画素信号をFDへ一括転送する。時系列的にφSELによって選択された行の信号を順次、φTSにより、ラインメモリ11に書き込み、水平走査回路により基準電圧との差分をとり第二の信号が出力部より出力する。読み出した信号は固体撮像素子外のメモリに第二の画像として保存する。
その後、固体撮像素子外で第二の画像から第一の画像を差分して光画像を得る。
その動作終了後、また全フォトダイオードが一括リセットされ、蓄積時間に入る。
上述したφATXS、φATXN、φSELなどのパルスはCPUなどのコントローラによって駆動されるパルス発生回路から出力される。
このような動作により第一の信号はFDリーク(この説明ではVNFDリークとする)、外光(この説明ではVN外光とする)のノイズ信号が読み出される。
第一の信号をVとして文字式であらわすと
=VNFDリーク+VN外光
となる。
第二の信号は蓄積時間にフォトダイオードで発生した光信号(この説明ではVとする)、ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリークとする)、外光(この説明ではVS外光とする)が混ざった信号が読み出される。
第二の信号をVとして文字式であらわすと
=V+VSFDリーク+VS外光
となる。
概念図を図11に示す。
上記第二の信号と第一の信号の差分を文字式であらわすと
−V=V+VSFDリーク+VS外光−VNFDリーク−VN外光
となる。
この実施例では上記第二の信号と第一の信号は近い時間のうちに読み出されている。これにより上記第二の信号のノイズ信号、第一の信号のノイズ信号はほぼ同じ値であるから
SFDリーク≒VNFDリーク
S外光≒VN外光
である。
よって差分をとることで
−V≒V
となり、FDリーク、外光などのノイズ成分を除去することができ、S/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
また、リアルタイムに光信号とノイズ信号の差分を出力しているのでストロボ調光用信号、AF用信号、電子ビューファインダーなど動画的撮影などの高速撮像に適している。
ノイズ信号が蓄積時間中に取得されることで、ノイズ信号取得のために時間をかける必要が無いこと、ノイズ信号と、光信号が実施例4、実施例5よりもより近い時間に読み出されることから、より高速に、S/Nの高い画像信号を取り出すことができる。
本発明の実施形態の固体撮像装置の回路構成を示した概念図である。 本発明の実施例1の駆動パルスタイミング図である。 本発明の実施例1の動作概念図である。 本発明の実施例2の駆動パルスタイミング図である。 本発明の実施例2の動作概念図である。 本発明の実施例3の駆動パルスタイミング図である。 本発明の実施例3の動作概念図である。 本発明の実施例4の駆動パルスタイミング図である。 本発明の実施例4の動作概念図である。 本発明の実施例5の駆動パルスタイミング図である。 本発明の実施例5の動作概念図である。 従来技術の動作概念図である。 本発明の実施例2の回路概念図である。
符号の説明
1 フォトダイオード
2 転送スイッチ
3 リセットスイッチ
4 画素アンプ
5 選択スイッチ
6 信号出力線
7 負荷定電流源
8 信号転送ゲート
11 ラインメモリ
12 水平走査回路
φATXS 光信号読み出し行一括転送パルス
φATXN ノイズ信号読み出し行一括転送パルス
φARES 全画素一括リセットパルス
φTS 光信号の転送パルス
φTN ノイズ信号の転送パルス
φSEL 行選択パルス
φRES 行リセットパルス
φTX 行転送パルス
φATX 全画素一括転送パルス

Claims (6)

  1. 光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御する転送スイッチ手段と、前記蓄積部をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、前記増幅部を選択する選択スイッチ手段とを有する画素を行方向、列方向に二次元的に有する固体撮像装置において、
    前記光電変換素子を全画素一括リセットし、信号の蓄積時間を開始し、その後蓄積時間を終了し、前記蓄積部に信号電荷を転送し、順次読み出す動作において、
    第一の行又は列と第二の行又は列の信号を減算して1行又は1列分の信号を得ることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 請求項1に記載の固体撮像装置において、
    前記第一の行又は列は、信号電荷が前記光電変換素子から前記蓄積部へ一括転送され、前記第二の行又は列は、信号電荷が転送されず、一括転送される行又は列と、転送されない行又は列の信号を減算して1行又は1列分の信号を得ることを特徴とする固体撮像装置。
  3. 請求項1に記載の固体撮像装置において、前記第一の行又は列と前記第二の行又は列は同色の行又は列であり、それぞれ前記蓄積時間が異なっており、前記同色行又は列間で信号を減算して1行又は1列分の信号を得ることを特徴とする固体撮像装置。
  4. 光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御する転送スイッチ手段と、前記蓄積部をリセットするリセットスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、前記増幅部を選択する選択スイッチ手段とを有する画素を行方向、列方向に二次元的に有する固体撮像装置において、
    前記光電変換素子を全画素一括リセットし、全画素一括で信号の蓄積時間を開始し、その後全画素一括で蓄積時間を終了し、前記蓄積部に信号電荷を一括転送し、順次読み出す動作を行い、得られた二次元的な信号を第一の画像とし、
    前記蓄積時間を実質0とし、前記と同様に読み出した二次元的な信号を第二の画像とし、前記第一の画像と第二の画像の差分から光画像を取得することを特徴とする固体撮像装置。
  5. 請求項4に記載の固体撮像装置において、
    前記第一の画像より前記第二の画像の撮影回数が少ないことを特徴とする固体撮像装置。
  6. 請求項4又は5に記載の固体撮像装置において、
    前記第一および第二の画像を撮影する際に、メカシャッタを常時開としていることを特徴とする固体撮像装置。
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