JPS6331049A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS6331049A JPS6331049A JP17481386A JP17481386A JPS6331049A JP S6331049 A JPS6331049 A JP S6331049A JP 17481386 A JP17481386 A JP 17481386A JP 17481386 A JP17481386 A JP 17481386A JP S6331049 A JPS6331049 A JP S6331049A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体のスパツj1法による製造方法に
関する。
関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録膜に集光したレーザ光を
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるv−hは記録膜にレーザを照射し、記録膜の
結晶構造を変化させる(結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆等)相変態によシ情
報を記録する方法。
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるv−hは記録膜にレーザを照射し、記録膜の
結晶構造を変化させる(結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆等)相変態によシ情
報を記録する方法。
あるVhFi記録膜にレーザ光を照射することにより穴
を開ける方法、バブルを形成するなどの記録部分の形状
を変化させ情報を記録する方法によジ用いられて米た。
を開ける方法、バブルを形成するなどの記録部分の形状
を変化させ情報を記録する方法によジ用いられて米た。
待に従来の光磁気記録媒体の記録膜としては、垂直磁化
膜となり間密反記録が可能という待機。
膜となり間密反記録が可能という待機。
また粒界ノイズが少なく、キュリー温度が120℃〜2
00℃までと半導体レーザでも十分曹き込めるとβう特
数から、希土類−遷移金属非晶質材料が主として用いら
れている。しかしながらこれらの優れた特徴をもつ反面
、希土類−遷移金属材料は非常に酸化・腐食され易^欠
点を有し、このため希土類−遷移金属非晶質材料を記録
膜として基板上に単層で用いると、記録膜表面からの酸
化及び水分の浸透による記録膜の暦食などを引き起こす
。
00℃までと半導体レーザでも十分曹き込めるとβう特
数から、希土類−遷移金属非晶質材料が主として用いら
れている。しかしながらこれらの優れた特徴をもつ反面
、希土類−遷移金属材料は非常に酸化・腐食され易^欠
点を有し、このため希土類−遷移金属非晶質材料を記録
膜として基板上に単層で用いると、記録膜表面からの酸
化及び水分の浸透による記録膜の暦食などを引き起こす
。
このため従来の光記録媒体は、透明基板と光記録媒体間
や、光記録媒体の上下面に保護膜が形成されている。そ
してこのような保護膜として、特開昭58−21574
4号公報のよりにsho。
や、光記録媒体の上下面に保護膜が形成されている。そ
してこのような保護膜として、特開昭58−21574
4号公報のよりにsho。
等の酸化物や、特開昭59−110052号公報l持開
昭60−131659号公報のようにアルミニウムの窒
化物、珪素の窒化物t ”QF′! 、 ZnB。
昭60−131659号公報のようにアルミニウムの窒
化物、珪素の窒化物t ”QF′! 、 ZnB。
CeF 3. AA′F3.3NaF などの非酸化
物が、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法などの真空薄膜成膜法により形成され用いられてき
た。
物が、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法などの真空薄膜成膜法により形成され用いられてき
た。
しかし、前述の従来技術では、形成した採ff1Uにピ
ンホールが生じ易く、このピンホールkaして光記録膜
へ水分が浸透し前記光記録膜が腐食されるという問題を
有する。″また透明基板として。
ンホールが生じ易く、このピンホールkaして光記録膜
へ水分が浸透し前記光記録膜が腐食されるという問題を
有する。″また透明基板として。
保護膜との@着力が弱く、温度・湿度変化による膨張率
が著しく異なるPMMA(ポリメチルメタクリレート)
tic(ポリカーボネート)、エポキシ樹脂等のプラス
チック基板を用いた場合、@反・湿度変化により、保護
膜にクラックが発生する。また保護膜の前記プラスチッ
ク基板からの模浮きが発生する等の問題を有する。
が著しく異なるPMMA(ポリメチルメタクリレート)
tic(ポリカーボネート)、エポキシ樹脂等のプラス
チック基板を用いた場合、@反・湿度変化により、保護
膜にクラックが発生する。また保護膜の前記プラスチッ
ク基板からの模浮きが発生する等の問題を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、保護膜にピンホール、クラック
、俟浮きが発生することがなく、耐候性に浸れた光記録
媒体を提供することにある。
の目的とするところは、保護膜にピンホール、クラック
、俟浮きが発生することがなく、耐候性に浸れた光記録
媒体を提供することにある。
本発明の光記録媒体の製造方法は、透明基板とに光記録
膜を形成し、前記光記録膜に集光したレーザ光を照射す
ることにより、情報を記録、再生あるlfhは消去する
光記録媒体において、前記光記録媒体の耐候性を向上さ
せるための保護膜のスパッタ法による製造において、前
記保護膜を形成する基板上にRIFバイアス電力、また
1jDCバイアス亀圧を印加することを特徴とする。
膜を形成し、前記光記録膜に集光したレーザ光を照射す
ることにより、情報を記録、再生あるlfhは消去する
光記録媒体において、前記光記録媒体の耐候性を向上さ
せるための保護膜のスパッタ法による製造において、前
記保護膜を形成する基板上にRIFバイアス電力、また
1jDCバイアス亀圧を印加することを特徴とする。
第1図は本発明の実施列における。スパッタ装置の概略
図であって% 1はターゲット用”N源、2はバイアス
印加用RII’またはDC電源、3i1tPC基板、4
は基板セット用治具で、5F′iターゲツト、6はシー
ルド板、7は基板ホルダー、8はチャンバーでアースに
落ちている。9はパツキンである、1OtlAyガス導
入用パルプ、 11はM2ガス導入用バルブである。
図であって% 1はターゲット用”N源、2はバイアス
印加用RII’またはDC電源、3i1tPC基板、4
は基板セット用治具で、5F′iターゲツト、6はシー
ルド板、7は基板ホルダー、8はチャンバーでアースに
落ちている。9はパツキンである、1OtlAyガス導
入用パルプ、 11はM2ガス導入用バルブである。
このスパッタ装置によ多形成した光記録媒体の断面財欲
を図2に、またこの構造における保護膜の成膜条件を表
1に示す。
を図2に、またこの構造における保護膜の成膜条件を表
1に示す。
まず、保l1IIK13を成膜した。実空槽内をI X
1r)−’TOff” まで排気し、次に表1に示
した条件に従い99、995%の高純反ATガス及びM
2ガスを導入し、その後バイアス印加用電詠2を条件電
力また?lj:電圧に設定する1次にターゲット用のR
F%、源’に500Wに設定しスパッタを開始する。膜
厚は1000Aと固定した。その後光記録膜14として
1JdDyFeco ’r摸厚400 A成膜した。
1r)−’TOff” まで排気し、次に表1に示
した条件に従い99、995%の高純反ATガス及びM
2ガスを導入し、その後バイアス印加用電詠2を条件電
力また?lj:電圧に設定する1次にターゲット用のR
F%、源’に500Wに設定しスパッタを開始する。膜
厚は1000Aと固定した。その後光記録膜14として
1JdDyFeco ’r摸厚400 A成膜した。
その後保護膜15を、前記保護膜13と同−栄沖で成膜
することによ91図2に示した光記録媒体を形成した。
することによ91図2に示した光記録媒体を形成した。
また、比較列として、保護膜成膜時に基板バイアスを印
加しなかったもの(比較列1〜3)についても、それぞ
れ第1表に示した条件で保護膜を成模し、図2に示した
構造の光記録媒体を形成し。
加しなかったもの(比較列1〜3)についても、それぞ
れ第1表に示した条件で保護膜を成模し、図2に示した
構造の光記録媒体を形成し。
各試料および比較列の60’090%R,H高温高湿下
における5000時間の加速試験による保護膜1:3.
15のクラック発生及びpc基板12からの膜浮き、光
記録膜であるNdDyFeC6膜の腐食発生の有無?ま
とめ、第2表に示す。
における5000時間の加速試験による保護膜1:3.
15のクラック発生及びpc基板12からの膜浮き、光
記録膜であるNdDyFeC6膜の腐食発生の有無?ま
とめ、第2表に示す。
第3図には前記加速試験による。前記試料及び比較列の
磁気光学特注θ?(ファラデー回転角)の初期匝θFO
の1直に対する経時変化を、また第4図には磁気¥fa
Hc(保磁力)の初期直Hcoに対する経時変化を示す
、ここで第3図、第4図中で試料1.4の結果のみ示し
であるが、他の試料2,3及び5〜12につ0ても試料
1,4と同様、θy 、HCは共に全く変化が認められ
なかった。
磁気光学特注θ?(ファラデー回転角)の初期匝θFO
の1直に対する経時変化を、また第4図には磁気¥fa
Hc(保磁力)の初期直Hcoに対する経時変化を示す
、ここで第3図、第4図中で試料1.4の結果のみ示し
であるが、他の試料2,3及び5〜12につ0ても試料
1,4と同様、θy 、HCは共に全く変化が認められ
なかった。
第2民から明らかな如く、本発明による光記録媒体の製
造方法により形成した光記録媒体は、長期の加速試験に
おいても%保護膜のクラック、膜浮きが発生することな
く、かつ記録膜が腐食することもなかった、また磁気光
学特性θ?、磁気特性。
造方法により形成した光記録媒体は、長期の加速試験に
おいても%保護膜のクラック、膜浮きが発生することな
く、かつ記録膜が腐食することもなかった、また磁気光
学特性θ?、磁気特性。
H,についても全く変化することなく、加速試験による
推定寿命10年以上と、非常に耐候性に優れている。
推定寿命10年以上と、非常に耐候性に優れている。
このような、保護膜のクラック、膜浮き発生が抑えられ
た理由として、保護膜形成時基板にRFバイアス電力、
またはDCバイアス亀正圧印加することによう基板洗浄
効果が加わったこと、また゛保護膜が緻密になったこと
により、クラック、膜浮きの原因と考えられる、基板と
保Mi&)間の警翫力の弱さが改善されたためと思われ
る。また光記録膜の腐食が抑えられたのは、基板にRF
バイアスiに力、またはDCバイアス珈、圧を印加する
ことにより保礁膜が緻密になp、ピンホールの発生が抑
えられ1g食の原因となる水分が光記録膜に浸透しなか
ったためと考えられる。
た理由として、保護膜形成時基板にRFバイアス電力、
またはDCバイアス亀正圧印加することによう基板洗浄
効果が加わったこと、また゛保護膜が緻密になったこと
により、クラック、膜浮きの原因と考えられる、基板と
保Mi&)間の警翫力の弱さが改善されたためと思われ
る。また光記録膜の腐食が抑えられたのは、基板にRF
バイアスiに力、またはDCバイアス珈、圧を印加する
ことにより保礁膜が緻密になp、ピンホールの発生が抑
えられ1g食の原因となる水分が光記録膜に浸透しなか
ったためと考えられる。
筒、本実施列において保護膜材料としてA# 4π、
A、4N 、 B13k14について述べたが、この池
に5i02等の酸化物p ”QI HZn日、 0g7
3. AJ?、 、 3NFなどの非酸化物についても
同碌の効果が得られる。
A、4N 、 B13k14について述べたが、この池
に5i02等の酸化物p ”QI HZn日、 0g7
3. AJ?、 、 3NFなどの非酸化物についても
同碌の効果が得られる。
また、プラスチック基板にpcを用ハたが、これ以外に
I’MMA 、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、さらに
はガラス基板においても本発明は有効である。また光記
録膜としてはNdDyF6GOの池、TbC0、TI)
DyCo 、 TbDyFleCO、NdFg 、 N
dDyCo。
I’MMA 、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、さらに
はガラス基板においても本発明は有効である。また光記
録膜としてはNdDyF6GOの池、TbC0、TI)
DyCo 、 TbDyFleCO、NdFg 、 N
dDyCo。
などの希土類−遷移金鴎膜の他、光相変態膜としてTI
−TgO2、Ag工n糸、 T6BgS% 系、酸化
物磁性膜としてバリウムフェライト、コバルトフェライ
トについても用いる仁とができる。
−TgO2、Ag工n糸、 T6BgS% 系、酸化
物磁性膜としてバリウムフェライト、コバルトフェライ
トについても用いる仁とができる。
また今回は基板バイアスとしてRF5QQW。
DC−5QQVまでであったが、これはRFバイアス電
力、またはDCバイアス亀正圧印加する時発生する熱に
よ5pc基板が変形しない限界の条件であシ、基板冷却
法を考えることにより、より高いバイアスを印加するこ
とができる。今回ターゲットにはRIF[源を用いたが
、試料5,6のよりにターゲットに金属材料を用いると
きは、DCt源を用いても1本発明の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
力、またはDCバイアス亀正圧印加する時発生する熱に
よ5pc基板が変形しない限界の条件であシ、基板冷却
法を考えることにより、より高いバイアスを印加するこ
とができる。今回ターゲットにはRIF[源を用いたが
、試料5,6のよりにターゲットに金属材料を用いると
きは、DCt源を用いても1本発明の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
またj$:実施列においては、第2図に示す溝造にクハ
てのみ述べたが、保護膜を1層のみとした場合、他の透
明基板とはり合せて用いる場合も同様第 2
戎 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、光記録媒体の耐侯注
を向上させるための保護膜のスパッタ法による製造にお
いて、前記保護膜を作成する基板上にバイアス電力を印
加することにより、保護膜にピンホール、クラック、膜
浮きが発生することがなく光記録媒体の信!l1llI
注を著しく向上させる(推定寿命10年以上)効果?有
するものである。
てのみ述べたが、保護膜を1層のみとした場合、他の透
明基板とはり合せて用いる場合も同様第 2
戎 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、光記録媒体の耐侯注
を向上させるための保護膜のスパッタ法による製造にお
いて、前記保護膜を作成する基板上にバイアス電力を印
加することにより、保護膜にピンホール、クラック、膜
浮きが発生することがなく光記録媒体の信!l1llI
注を著しく向上させる(推定寿命10年以上)効果?有
するものである。
第1図は本発明に用いたスパッタ装置の概略図、第2図
は本発明によシ形成した光記録媒体の断面構造図、第3
図は表1の条件の下で第2図に示すように形成した光記
録媒体のω℃90%RHの環境下における磁気光学特注
θF(ファラデー回転角)の初期匝θ−に対する経時変
化図を、第4図は前記試験における磁気¥f性H6(保
磁力)の初期1直Hc0に対する経時変化図t−示す。 1・・ターゲット用RIF電源 2・・バイアス印加用RF’ま九はDCm源3・・PC
基板 4・e基板セット用治具 50ターゲツト 6・・シールド板 7・・基板ホルダー 8・・チャ/パー 911φパツキン 10・・Aデガス導入用パルプ 11・・N!ガス導入用バルブ 12・・PC基板 13・・保!!膜 14・・光記録膜 15・11保F!l@ 16・・試料lの場合 17Φ・試料4の場合 18・・比較列1の場合 19・・比較列2の場合 I・・比較列3の場合 2111・試料1の場合 4・・試料4の場合 η・・比較列lの場合 冴・・比較列2の場合 δ・・比較列3の場合 以 上 出願人 セイコーエプソン昧式会社 第 10 12、P、C基長 第7図
は本発明によシ形成した光記録媒体の断面構造図、第3
図は表1の条件の下で第2図に示すように形成した光記
録媒体のω℃90%RHの環境下における磁気光学特注
θF(ファラデー回転角)の初期匝θ−に対する経時変
化図を、第4図は前記試験における磁気¥f性H6(保
磁力)の初期1直Hc0に対する経時変化図t−示す。 1・・ターゲット用RIF電源 2・・バイアス印加用RF’ま九はDCm源3・・PC
基板 4・e基板セット用治具 50ターゲツト 6・・シールド板 7・・基板ホルダー 8・・チャ/パー 911φパツキン 10・・Aデガス導入用パルプ 11・・N!ガス導入用バルブ 12・・PC基板 13・・保!!膜 14・・光記録膜 15・11保F!l@ 16・・試料lの場合 17Φ・試料4の場合 18・・比較列1の場合 19・・比較列2の場合 I・・比較列3の場合 2111・試料1の場合 4・・試料4の場合 η・・比較列lの場合 冴・・比較列2の場合 δ・・比較列3の場合 以 上 出願人 セイコーエプソン昧式会社 第 10 12、P、C基長 第7図
Claims (1)
- 透明基板上に光記録膜を形成し、前記光記録膜に集光し
たレーザ光を照射することにより、情報を記録、再生あ
るいは消去する光記録媒体において、前記光記録媒体の
耐候性を向上させるための保護膜のスパッタ法による製
造において、前記保護膜を作成する基板上にRFバイア
ス電力、またはDCバイアス電圧を印加することを特徴
とする、光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17481386A JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17481386A JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6331049A true JPS6331049A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15985115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17481386A Pending JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6331049A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0426864A1 (en) * | 1989-03-28 | 1991-05-15 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical medium |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215744A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Yoshifumi Sakurai | 光熱磁気記録媒体 |
JPS6122456A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS62109247A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17481386A patent/JPS6331049A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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