JPH01252766A - 表面上にｘ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法 - Google Patents

表面上にｘ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法

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JPH01252766A
JPH01252766A JP1020963A JP2096389A JPH01252766A JP H01252766 A JPH01252766 A JP H01252766A JP 1020963 A JP1020963 A JP 1020963A JP 2096389 A JP2096389 A JP 2096389A JP H01252766 A JPH01252766 A JP H01252766A
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layer
nitride
layers
ray amorphous
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BASF SE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 するプロセスガス雰囲気内でアルミニウム又はアルミニ
ウムと珪素を反応性陰極スパッタリング又は反応性マグ
ネトロン陰極スパッタリングしかつ気相から当該の窒化
物層を析出させることにより、表面上にＸ線無定形の窒
化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造す
る方法に関する。
従来の技術 反応性陰極スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕ
ｔ−ｔｅｒｉｎｇ）では、公知のように陰極材料（ター
ゲット）をアルゴンイオンを衝突させることにより気相
に転化する、即ち陰極材料をスパッタする。このよにし
て得られたプロセスガスに、反応性のガス状成分、例え
ば酸素又は窒素を配合し、該成分をスパッタされた陰極
材料と一緒に被覆すべき表面に酸化物又は窒化物薄層と
して析出させる。反応性マグ之ネトロン陰極スパッタリ
ング（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｍａｇｎｅｔｏｎ　ｓｐｕｔ
ｔｅｒｉｎｇ）の場合には、ターゲットは公知のように
磁界内に存在する。操作パラメータ例えばスパッタリン
グ及び析出速度並びにプロセスガス圧及び組成の変更に
より、種々の組成及び／又は種々の形態の薄層を製造す
ることができる。
多結晶質又は単能定形の窒化アルミニウムもしくはＸ線
無定形の窒化アルミニウム珪素薄層の製造法は公知であ
る。
例えば、欧州特許公開第０２３３０６２号から、Ｘ線無
定形の窒化アルミニウム珪素薄層の製法が公知であり、
該方法は ｉ　）　Ｓ　：４ｏＡＱａａから成るターゲット及プロ
セスガスとして容量比１．５：１のアルゴンと窒素又は １ｉ）Ｓｉ、。Ａａｔ。から成るターゲット及びプロセ
スガスとして容量比４：ｌのアルゴンと窒素を使用する
ことより成る。この公（ＪＲ特許明細書の第７頁５８〜
６２行から明らかなように、＋ｉＱ記方法によれば、多
結晶質の窒化アルミニラＪ・膜を製造することができる
にすぎない。
更に、 Ｊ、Ｍ、Ｌａｇｏｒｓｓｅ及びＢ、５ｅｒｚｅｃ著“Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｒ　ｔｈｅ　５ｅｖｅｎｔｈ　
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｃｏｎｇ
−ｒｅｓｓ　ａｎｄ　３ｒｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ
ａｌ　　Ｃｏｎｆｅｒｒｅｎｃｅｏｎ　５ｏｌｉｄ　５
ｕｒｒａｃｅｓ、　Ｗｉｅｎ　１９７７、　ｐ、１９９
５＝１９９７”から、プロセスガスとしての窒素中又は
窒素と水素中でのアルミニウムの反応性陰極スパッタリ
ングによる窒化アルミニ０１４層の製造、Ｆ、タケダ、
Ｔ、モリ及びＴ、タカハシ著“Ｊａｐａ−ｎｅｓｅ　Ｊ
ｏｕｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｅｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、
　）３ａｎｄ　２０゜Ｎｏ、３．１９８１年３月、　Ｌ
１６４〜Ｌ１７２頁”から、プロセスガスとしての窒素
中又は窒素と水素中でのアルミニウムの反応性マグネト
ロン陰極スパッタリングによる窒化アルミニウム層の製
造、Ｌｉ　Ｘ１ｎｊｉａｏ、　Ｘｕ　Ｚｅｃｈｕａｎ、
　ｌｉｅ　Ｚｉｙｏｕ、　Ｃａ。
Ｈｕａｚｈｅ、　Ｓｕ　Ｉｕｄａ、　Ｃｈｅｎ　Ｚｈｏ
ｎｇｃａｉ、　Ｚｈｏｕ　Ｆｅｎｇ及びＩＢｎｇ　Ｅｎ
ｇｕａｎｇ著”Ｔｈ１ｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ、　
Ｂａｎｄ１３９、１！Ｊ８６．　ｐ、２６１〜２７４”
から、プロセスガスとしての容量比１：１のアルゴンと
窒素から成る混合物中でのアルミニウムの高周波陰極ス
パッタリングによる窒化アルミニウム層の製造、Ｓ、　
　Ｂｈａｈ、　Ｓ、　　Ａｓｈｏｋ、　　Ｓ、Ｊ、　　
Ｆｏｎａｓｈ及びり。
Ｔｏｎｇｓｔｏｎ著”Ｊｏｕｎａｌ　ｏｒ　Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃ　Ｉ！ａｔｃｒｉａｌｓ、　Ｂａｎｄ　１４
．　Ｎｏ、４．１９８５．　ｐ、４０！＋−４１８”か
ら、窒素と水素の混合物中での反応性イオンビームスパ
ッタリングによる窒化アルミニウム層の製、造、及び Ｃ，Ｒ，＾ｉｔａ及びＣ，Ｊ、　Ｇａｖｌａｋ著“Ｊｏ
ｕｎａｌ　ｏｆＶａｃｕｕｍ　　５ｃｉｅｎｃｅ　　ａ
ｎｄ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　　Ｂａｎｄ　　＾１
゜Ｎｏ、２．　Ａｐｒｉｌ−Ｊｕｎｉ　１９８３．　ｐ
、４０３〜４０６°から、プロセスガスとしての変動す
る組成のアルゴンと窒素の混合物中での高周波陰極スパ
ッタリングによる単能定形の窒化アルミニウム、層の製
造が公知である。
更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５００３１４
号明細書の実施例１から、プロセスガスとしての容量比
１１ニアの窒素、酸素及びアルゴンから成る混合物中で
珪素を反応性蒸着することにより窒化珪素と酸化珪素の
混合物・から成る層の製造法が公知である。更に、ドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第３５００３１４号明細書の
実施例２から、容量比２．５　：　０．５　ニア、０　
の窒素、酸素及びアルゴンから成る混合物中でアルミニ
ウムを反応性スパッタリングすることにより窒化アルミ
ニウムと酸化アルミニウムの混合物から成る層の製造法
が公知である。ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５０
０３１４号明細書からは、これらの層がＸ線無定形で生
成するのか又は多結晶質であるのか、即ちＸ線を照射し
た際にもはや格子画像を生じないかどうか又は波層がそ
の大きさがナノメータの範囲内にある微結晶から成って
いるのかどうかは明らかでない。
窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造
するためにの従来公知方法は欠点を（」゛する。
例えばＸ線無定形の窒化アルミニウム珪素薄層を製造す
るための公知方法は、窒化アルミニウムに転用すること
はできない。更に、窒化アルミニウム薄層を製造するた
めの従来公知方法は多結晶質層を生じる、その際微結晶
の配向は更に又、それが施される表面の性質に著しく左
右される。確かに、ある程度微結晶の配向（表面に対し
て垂直又は平行なＣ−軸）はその都度使用されるプロセ
スガスの窒素又はアルゴンと窒素に対して水素を添加す
ることにより変化、させることはできるが、それにも拘
わらずこの手段はＸ線無定形の窒化アルミニウム層を生
じない。
ところで多くの技術分野から、Ｘ線無定形層内において
腐食性物質の粒子境界面拡散及び／又は粒子境界面腐食
を介する層の分解が生じないために、Ｘ線無定形層が極
めて一般的に多結晶よりも良好な腐食保護を提供するこ
とは公知である。従って一般的に、Ｘ線無定形層を簡単
かつ許容される方法で製造することができる方法を見い
出す必要性が生じる。
従来、この必要性は窒化アルミニウム及び窒化アルミニ
ウム珪素層に場合には全く見い出されていないか又は実
地から要求される形式では見い出されてない。このこと
は従来の特に平面状の、多層の磁気光学的記録材料を製
造する分野において公知方法を使用する際には特に重要
な欠点をなす。それというのもまさにこの技術分野にお
いては、極めて空気及び水に対して敏感な磁気光学的記
録層（Ｂ）を腐食に対して保護することが差し迫りｔニ
ー　ｔａ　ａ点であるが、該問題点は公知方法に基づき
製造された窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素
層によっては未だに完全には解決することはできなかっ
た。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は、アルミニウム又はアルミニウムと珪素
を真空中で希ガス又は窒素を含有するプロセスガス雰囲
気内で反応性陰極スパッタリング又は反応性マグネトロ
ン陰極スパッタリングにかけ、かつ従来の技術の欠点を
もはや有していずかつしかも許容されかつ簡単な形式で
、優れた特性プロフィールを有するＸ線無定形の窒化ア
ルミニウム及び窒化アルミニウム珪素薄層を生じる、表
面にＸ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウ
ム珪素薄層を製造する新規の改良された方法を提供する
ことであった。
ス及び窒素を含有するプロセスガス雰囲気内でアルミニ
ウム又はアルミニウムと珪素を反応性陰極スパッタリン
グ又は反応性マグネトロン陰極スパッタリングしかつ気
相から当該の窒化物層を析出させることにより、表面上
にＸ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム
珪ン、クリプトン又はキセノンの１種以上とから成る混
合物を使用し、その際 ｂ）アルゴンとその他の希ガスとの容量比は２：１−１
００：Ｉであり、かつ Ｃ）希ガス混合物（ａ）と窒素との容量比は２：１〜１
０：１である ことにより解決された。
以下には、表面上にＸ線無定形の窒化アルミニウム又は
窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法を短縮して“
本発明による方法”と記載する。
発明の作用 本発明による方法は、装置的には特殊性を有しておらず
、反応性（マグネトロン）陰極スパッタリング用の常用
かつ簡単な装置で実施する。これらの装置は、主として
、常用かつ公知の被覆すべき又は被覆された材料を装入
及び取出すためのゲート、 被覆すべき材料を回転させるための装置、電流及び電圧
源の接続部、 加熱及び冷却装置、 適当な形の陰極及び陽極、 場合により強力な磁石、 イオンを発生するための適当なエネルギ源、プロセスガ
スを供給するための装置、 真空ゲート並びに 相応する常用かつ公知の電子的及び機械的測定及び制御
装置 を有する、少なくとも１つの高真空室から成るこの装置
に、ターゲットを装入しかつ陰極に載せる。ターゲット
としては、−・船釣にアルミニウム、又はアルミニウム
と珪素、又はアルミニウム／珪素合金から成るディスク
又はプレートが該当する。
被覆すべき材料を同様に装置内に装入する。
該材料は多種多様な形及び組成を有していてもよい。例
えば、珪素又はその他の半導体板（ウェハ）、ガラス、
ポリマーフィルム、金属層、色素層等を使用することが
できる。
ターゲット及び被覆すべき材料の装入後に、装置を真空
にする（１０−５〜１０−”ミリバール）。それに引続
き場合により、ターゲット及び材料の被覆すべき表面の
前処理、例えばアルゴンの存在下での当該表面へのアル
ミニウム及び／又は珪素の前スパッタリング及び析出を
行うこの（マグネトロン）陰極スパッタリングの予備調
製後に、本発明による方法を実施する。
本発明による方法においては、アルミニウム又はアルミ
ニウム珪素ターゲットをスパッタする。この場合、プロ
セスガス雰囲気は天然ガスと窒素から成る混合物を含有
する、この際天然ガスとしてはアルゴンと、希ガスのネ
オン、クリプトン又はキセノンの１種以上との混合物を
使用する。
本発明によれば、この場合アルゴンと別の希ガスとの容
量比（ｂ）は２：ｌ−１００：１である、それというの
もこの範囲内では認容されかつ確実に有利なＸ線無定形
の窒化アルミニウム及び窒化アルミニウム珪素薄層が析
出されるからである。一般には、アルゴンと別の希ガス
との容量比を２：ｌよりも小さく選択すること、即ちそ
れより多量の希ガスのネオン、クリプトン又はキセノン
を使用することは無駄である、それというのもそうする
ことによりなおそのままで既に優れた処理結果、即ちＸ
線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素
薄層の比較的僅かな向上が達成されるにすぎないからで
ある。他面では、容量比（ｂ）は１００：ｌを上回るべ
きでない、その際には所望のＸ線無定形の代わりにしば
しば多結晶質又は単能定形層が析出するからである。本
発明によれば、容量比（ｂ）は３：１〜８０：Ｉ、好ま
しくは３．５：Ｉ〜５０：Ｉ、特に４：Ｉ〜３０：ｌが
イイ利である、その際容量比（ｂ）は４：ｌ〜３０：ｌ
が優れている、それというのもこの容量比（ｂ）を使用
すると、特に有利な窒化アルミニウム及び窒化アルミニ
ウム珪素層が得られるからである。従って、この範囲内
で、容量比は有利に変動することができかつその他の操
作パラメータに合わせることができる。
本発明によれば、希ガス混合物（ａ）と窒素との容量比
（ｃ）は２：１−１０：１である。
この範囲内の容量比（ｃ）を使用すると、好ましいＸ線
無定形の窒化アルミニウム及び窒化アルミニウム珪素薄
層が得られる。２：１より小さい容量比（Ｃ）、即ち比
較的大きな窒素量を適用することは推奨されない、それ
というのもこれによりしばしば所望の無定形層の代わり
に多結晶質又は単能定形層が得られかつ窒化物層の析出
率は、企業的実地の要求をらはや満足しないだけでなく
、尚特殊な場合においてのみ代替可能であるにすぎない
程に低下せしめられるからである。他面、容量比（ｃ）
はｌＯ：１の値を上回るべきでない、それというのもこ
の場合には一面では尚処理結果の比較的僅かな向上が生
じるにすぎずかつ他面では析出した層は少なずぎる窒素
を含有するにすぎないからである。本発明によれば、３
．５：１〜６．５：１の容量比が有利であり、その際４
：ｌ〜６：ｌの範囲が特に有利である、それというのも
この範囲内で容量比（ｃ）は特に有利に変動することが
できかつその他の操作パラメータに合わせることができ
るからである。
公知方法では、（マグネトロン）陰極スッパリングでは
約０．５〜２　ｎｍ−５−’の析出率が使用される。こ
れらの析出率は又本発明による方法の場合にも適当であ
る。
公知方法では、陰極出力Ｐは（マグネトロン）陰極スッ
パリングではＰ＝０．１〜１０ｋＷ。
好ましくは０．５〜８、ｒｆ利１：　ハ０　、６〜５、
特に０．８〜２．５ｋＹである。この陰極出力Ｐを、本
発明による方法でも適用する。
一般に、プロセスガス雰囲気は（マグネトロン）陰極ス
ッパリングでは極めて低い圧力下にある。この圧力は、
一般に総計１０−’〜５・１０−３ミリバールである、
即ちプロセスガス雰囲気は一般的意味において真空であ
り、その残ガス組成は勿論極めて正確に調整される。本
発明による方法にいても、本発明に基づき使用すべきプ
ロセスガス雰囲気は上記圧力下にある。
本発明による方法のプロセスガスは水素を含有する、そ
れというのもたいていの場合水素の適用は処理結果を一
層改良するからである。水素を併用すれば、窒素と水素
との容量比（ｄ）は２：ｌ〜２０：１である。この比は
最適な範囲であり、該範囲内で水素含量を自由に選択し
かつその他の操作パラメータを適当に合わせることがで
きる。
本発明による方法の操作パラメータの選択は、本発明に
基づき使用すべきプロセスガスの容ｒｉｋ比（ｂ）及び
（ｃ）のための前記の本発明に基づく必須の範囲から行
う。更に、操作パラメータは窒素と水素との容量比（ｄ
）、析出速度、陰極出力Ｐ及びプロセスガス圧力に関す
る前記の自由選択的範囲から選択することができる。こ
れらのパラメータは総て前記範囲から選択するのが有利
である。
一定の情況下では、操作パラメータ、即ち操作条件のよ
り狭義の選択は、Ｘ線無定形の窒化アルミニウム及び窒
化アルミニウム珪素薄層を析出させる表面の性情に基づ
き決定される。この狭義の選択は、簡単な面実験により
行うことができる。
多数の種々巽なった表面において有利でることが）γ証
されかつそれらの有利なＸ線無定形の窒化アルミニウム
及び窒化アルミニウム珪素薄層に基づき得られる、適当
な操作条件又は操作パラメータの組合せの例は、 １、＾ｒｌｏ−３ミリバール、Ｎｅ５１０−’ミリバー
ル、Ｎ、２・１０−４ミリバール 析出率：　０．９Ｏｍ−ｓ　’ Ｐ　＝　１．２ｋＷ ■、＾ｒｌＯ−３ミリバール、Ｎｅ４４０−’ミリバー
ル、Ｋｒ２・１Ｇ−’ミリバール、Ｋｒ８・１Ｏ−５ミ
リバール析出率：　１．ｌｎｍ−５’ Ｐ　＝　１．２に？ ■、＾ｒ３１０−３ミリバール、Ｋｒ２．５・ｌＯ−’
ミリバール、Ｎ、２．５・１０−４ミリバール 析出率＝１ｎ−・ｓ　−１ Ｐ　＝　１ｋＷ ■、＾ｒ２１０−’ミリバール、Ｘｅ２・１０−’ミリ
バール、Ｋｒ２ＮＧ−’ミリバール、１１．３−１０−
’ミリバール析出率：　０．９Ｏｍ−ｓ−’ Ｐ＝Ｉｋｆ Ｖ、　Ａｒ２・ｌＯ−’ミリバール、ＸａｌＯ−’ミリ
バール、Ｎｅ１Ｏ−’ミリバール、Ｋｒ４．２−１０−
’ミリバール、１１　、４　、２・１Ｏ−５ミリバール
析出率：　１．２Ｏｍ−ｓ−’ Ｐ　＝　１．２ｋｌ又は Ｖｌ、　　Ａｒ３・ｌＧ−’ミリバール、Ｘｅ１．５・
１Ｇ−’ミリバール、Ｎ、５．７・１Ｇ−’ミリバール
析出率：　１．ｌｎｍ−５” Ｐ　＝　１．５ｋｌ である。
発明の効果 本発明による方法は、多数の特別の利点を有する。
例えば、本発明による方法を用いると、種々穴なった表
面例えば半導体板片（ウェハ）、ガラス、ポリマー、金
属層又は固体物質層の表面にＸ線無定形の窒化アルミニ
ウム又は窒化アルミニラム珪素層薄層を製造することが
できる。
この場合、本発明による方法は、該方法によってＸ線無
定形の窒化アルミニラＪ・及び窒化アルミニウム珪素薄
層、即らＯ，Ｉ＝Ｉ０００ｎ＠の厚さ層を製造する場合
に特に有利であることが判明した。これらの本発明によ
る方法に基づき製造された層は、優れた実用技術的特性
を有する、従って核層は例えば電気絶縁層として、先導
波体として、音響波の導体として、集積回路（マイクロ
チップ）のための保護層として又は水及び空気に敏感な
記録層を有する平面状の、多層のレーザ光学的かつ磁気
光学的記録材料における保護層として使用することがで
きる。
まさに平面状の、多層のレーザ光学的かつ磁気光学的記
録材料の技術的分野では、本発明方法の利点はしばしば
明らかに生じる。例えば、この場合に得られる方法生成
物は前記の使用目的のために特に好適であるだけでなく
、本発明による方法自体は合理的に該記録材料を製造す
るための方法に合理的に組込むことができる。
−船釣に光学的に透明な寸法安定性の支持体（Δ）と、
熱変形可能な記録層（Ｂ）を含有する、平面状の、多層
のレーザ光学的かつ磁気光学的記録材料は公知である。
°この場合、用語“平面状”とは、その厚さがその長さ
及び幅に比較して著しく小さいあらゆる立体形を包含す
る。従って、この場合にはテープ状、プレート状又はデ
ィスク状記録材料が該当し、その際ディスク状の記録材
料は一般にデータプレート又はディスクと称される。
レーザ光学的記録材料の記録層（Ｂ）に、デジタルデー
タをパルス変調された書込みレーザビームを用いて熱変
化した領域として書込む。
この際には、占込みレーザビー１１を記録層（Ｂ）に焦
点を合わせかつ／又はそれに対してｊＲ直に照射する。
アナログデータの書込みのためには、ＣＷレーザを使用
することらできる。書込まれたデジタルデータの場合に
は、記録層（Ｂ）の熱変化した領域は円形又は楕円形の
基底面を有する。アナログデータ記録の場合には、熱変
化した領域は任意の基底面を有する。
データの読出しのためには、一般に、そのエネルギが記
録層（Ｂ）内に更に変化を起こすには不七分である、連
続的に放出される読出しレーザビーム（ＣＷレーザ）を
使用する。この際、読出しレーザビームを同様に記録層
（Ｂ）に焦点を合わせかつ／又は該記録層に垂直に照射
する。読出し過程では、一般に記録層（Ｂ）から反射さ
れた光を適当な光学的装置で検出し、常用かつ公知の検
出器に供給しかつ適当な電子装置によって信号に変換す
る。
従って、これらの書込み及び読出し法並びにそのために
好適な相応する記録層は、一般に概念°レーザ光学“と
称される。
この場合、記録層（Ｂ）の熱変化した領域した領域は、
記録層を完全に貫通ずる孔の形を有することができる。
この場合には、一般にデータの腐食性レーザ光学的書込
みと称される。データを読出しレーザビームで読出す際
には、記録層（Ｂ）の孔及び未変化領域の種々の反射率
を利用する。この場合高い感度及び高いＳ　／　Ｎ比を
達成するために、孔形成によって露出されかつ読出しレ
ーザビームを特に強度に反射するレフレクタ層を併用す
ることができる。
熱変化した領域は、場合により際ｑつで形成されたウオ
ール（ｗａｌｌ）を有するビット（ｐｉｔｓ）の形を有
することができる。この場合には、データの変形性レー
ザ光学的書込みと称される。
この場合には、データはビットの読出しレーザビームの
光線の回折を介して読出される。
それにら拘わらず、熱変化により、腐食性又は変形では
なく、記録層（Ｂ）の材料の別の物質変調への相転移が
行われた領域も生じる。このような場合には、相転移に
よるデータのレーザ光学的書込みと称される。一般には
、相転移により書込まれた領域内の反射率は低下しかつ
／又は透過率が高められる。その際に、場合によっては
又反対の効果を生じる、即ち反射率が高められかつ／透
過率は低下せしめられる。−般に、この形式で熱変化し
た領域はスポット（５ｐｏｔｓ）と称される。
又、記録層（Ｂ）には、照射の際に膨張するか又はガス
を発生し、それにより記録層（Ｂ）を局所的に膨張させ
る層が施されていてもよい。この形式では、記録層（Ｉ
３）の表面内に、書込まれたデータを包含するレリーフ
構造が形成される。
しかし又、ガスは記録層（Ｂ）自体内で遊離して小さな
光散乱性気泡を形成することもできる。この方式は、−
・般に気泡状データ記録と称される。
更に、熱変化し、た領域内では、記録層（Ｂ）のｌ成分
の化学反応又は複数の成分の化学反応を起こし、それに
よりこれらの領域内の記録層（Ｂ）の光学的特性を変化
させることもできるしかし又、照射の際の記録層（Ｂ）
の反射率の局所的上昇は、小さな粒子の拡大又は溶融団
結を介して行うこともできる。この場合には、これらの
小さな粒子、例えば金粒子はマトリックス内に埋込まれ
ていてもよい。しかしこの際には、金属蒸着したプラス
チック球を使用することもできる。
これらの球から成る記録層（Ｆ（）は、昔しく低い基底
反射率をイｆする。
特にデータの腐食性又は変形性書込みのために適当であ
る、特に有利な記録層（Ｂ）は、公知のように水及び空
気に対して極めて高い感度をイｆするテルルから成る。
本発明による方法に基づきテルル（Ｂ）層に施される、
Ｘ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪
素薄層は、テルル層（Ｉ’（）を極めて良好に腐食から
保護し、その寿命を延長しかつそのＳ／Ｎ比を改良する
。
勿論、その表面に対して垂直に磁化された無定形強磁性
層から成る記録層（ｎ）の熱変化した領域は、初期の方
向とは反対の磁化方向を有するスポットの形を有するこ
とができる。これらのスポットは、印加した（外的）補
助磁界又は記録層（Ｂ）に内在（固イイ）の磁界を作用
させてレーザビームにより核層（Ｂ）を加熱することに
より生じる。加熱により、強磁性材料の保磁力磁界強度
Ｈｃは低下する。この際、保磁力磁界強度Ｉ］。が、そ
の都度使用される材料に依存する温度で外的又は内在の
磁界の磁界強度を下回れば、当該領域は磁化方向が逆転
される必要に応じて、；１込まれたデータは、その磁力
線が層表面に対して□□□直に配向された外的又は内在
の磁界を同時に作用させながら、例えばレーザビームを
用いて記録層（［３）を意図的に局所的に加熱すること
により再び消去することができ、その後新たに前記方式
でデータを書込むことができる。即ち、占込み過程はリ
バーシブルである。
熱変化した領域を読出ずためには、連続放射されるＣＷ
レーザの偏光した線状の光を使用するが、その光出力は
、材料を臨界温度を越えて史に加熱するには不十分であ
るべきである。このレーザビームは記録層（■３）自体
から又はその後方に配置された反射層から反射され、そ
の際記録層（１’３）内の磁気モーメントと及びレーザ
波長の磁気的ベクトルとの間に交番作用を生じる。この
交番作用により、スポット又はその背後にある反射層か
ら反射されるレーザビームの偏光面百は、初期の面に対
して小さな角度だけ旋回せしめられる。この偏光面百の
旋回が記録層（ｒ（）自体でビームが反射する際に行わ
れる際に、この現象はカー効果と称されかつ従って旋回
角度はカー旋回角度と称される。それに対して、ビーム
が記録層を２回通過する際面が旋回せしめられる場合に
は、ファラデー効果及びファラデー旋回角度と称される
。
この記録材料から反射したレーザビームの偏光面［Ｃの
旋回は、適当な光学的かつ電子的装置を用いて測定しか
つ信号に変換することができる。
従って、この種の記録層（Ｂ）は、一般に概念“磁気光
学的”と称される。
多層のレーザ光学的かつ磁気光学的データディスクの場
合には、一般にデジタルデータの書込み及び読出しのた
めには常用かつ公知のディスクプレイヤーが使用される
。このようなディスクプレイヤーは、主としてディスク
回転盤及びレーザ光学的書込み及び読出しヘッド、更に
またトラック位置を補正するための機械的サーボ装置、
オートフォーカス装置、トラック位置及びオートフォー
カスエラーを分析する光学的素子、データディスクから
反射されたレーザビームの光を検出するための光学成分
が前方に配置された検出装置並びに適当な構成素子を有
する。一般に、レーザ光学的書込み及び読出しヘッドは
、赤外線を放出するレーザダイオードを有しかつ半導体
材料例えばＧａＡｌＡｓから成る。更に、このような書
込み及び読出しヘッドは一般に尚別の適当な光学素子例
えば誘電性ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ又
は偏光に依存するビームスプリッタ並びにλ／４−又は
λ／２−プレートを有する。
発明の効果 本発明による方法の特別の利点を、特に磁気光学的記録
材料につき明らかにする。
公知方法に基づき、 Δ）光学的に透明な寸法安定性の支持体、１３・）熱変
化可能な、ランタニド属の遷移金属合金から構成された
記録層及び Ｃ）記録層（Ｂ）の片面及び両面北の窒化アルミニウム
及び窒化アルミニウム珪Ｎ層 を（ｆする面状の、多層の磁気光学的記録材料は１）支
持体（Ａ）上に個々の層（Ｂ）及び（Ｃ）を所望の順序
、数及び厚さでかつその都度所望の内部構造で気相を介
して施し、その際ｉｉ）層（Ｃ）を希ガス及び窒素を含
イイするプロセスガス雰囲気中でアルミニウム、又はア
ルミニウムと珪素の反応性陰極スパッタリング又は反応
性マグネトロン陰極スパッタリングにより製造し、その
後 ｉｉｉ　）記録層（Ｂ）内でその表面に対して垂直に配
向し、規程した磁化を誘導する 方法に基づき製造する。
この場合には、単数又は複数の層（Ｃ）を製造するため
には前記に詳細に記載した本発明による方法を使用する
のが特に有利であることがｑ証された。この場合、該方
法は問題なくかつ合理的に平面状の、多層の磁気光学的
記録材料を製造するための方法の範囲に適応する。
少なくとら支持体（Ａ）とは反対側のかつ不発による方
法に基づき製造された、Ｘ線無定形の窒化アルミニウム
又は窒化アルミニウム珪素薄層に、酸化物！！（Ｃ’）
を自体公知方法で製造すると、付加的な利点が生じる、
この際酸化物層（Ｃ′）の厚さは層（Ｃ）の厚さの０．
２〜０゜８倍、特に０．２５〜０．７５倍である。
層（Ｃ′）の厚さが層（Ｃ）の厚さの０．２５〜０，７
５倍である限り、層（Ｃ′）を構成するためには以下の
酸化物が特に好適である＝Ａｌｔｏｓ、　５ｉｆｔ、　
Ｓｉｎ、　ＰｂＯ，ＰｂｔＯｓ、　５ｎｏｔ、　Ｙｔ０
３゜Ｚｒ０ｔ、　ＨｒＯｔ、　Ｍｏ５ｓ、　ＮｂｔＯｓ
、　Ｔｉ１ｔ、　Ｔｈａｔ又は元素組成Ｉ： （ＡＩｘＳｉ６．□、ｌ）、−、ＣＭ’、Ｍ″ＮＭ″、
）、　　　１［式中、指数及び変数は以下のものを表す
：「０Ｍ′及びＭ”＝Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｉｆｆ、　Ｔｈ
、　Ｓｃ、　Ｙ、　Ｌａ、　　Ｃｅ、　　Ｐｒ、　　Ｎ
ｄ、　　Ｓ（Ｅｕ、　　Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　
　Ｈｏ、　　Ｅｒ。
Ｔｍ、　Ｙｂ、　Ｌｕ、　Ｖ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ
、　Ｍｏ、　ｆ、　Ｍｎ、　Ｒｅ。
Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｒｈ、　Ｃｕ、　Ｚｎ、　ｊｉｇ、　
Ｃａ、　Ｓｒ、　ｌｌａ、　Ｂ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｔ
１．　Ｇｅ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ及
びＴｅ、但しＭ’、　Ｍ’及び輩３は相互に異なってい
るか、又はＭ’、　Ｍ″及びＭ３がランタン又はランク
ニドである場合には、同じか又は異なっている、 ｘ＝Ｏ〜１、 ｚ＝ｒ＋ｓ＋ｔ。
ｒ＝０．００５〜０．＋　５、 ｓ　＝　０．００５〜０．１５． １＝ａ〜０．００５］で示される酸化物。
ｆｆ利な支持体（Δ）ハ、直径９０〜１３０１１及び厚
さ１．２ｉｍをイｆする、常用かつ公知の、円板状の、
光学的に透明な寸法安定性の支持体（Δ）である。こら
れは一般７こガラス又はプラスチック例えばポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメヂルベンテ
ン、セルロースアセトブチレート、又はポリ（弗化ビニ
リデン）とポリメチルメタクリレート、又はポリスチレ
ンとポリ（２，６−シメチルペンー１゜４−イレン−エ
ーテル）の混合物から成る。これらのうちでは、プラス
チックから成る支持体（Ａ）が特に有利である。
記録層（Ｂ　）に而する支持体（Ａ）の表面は、構造化
されていてもよい。
支持体（Ａ）の表面の構造は、マイクロメ、−タ及び／
又はサブマイクロメータ範囲内にある。該構造は読出し
レーザビームの正確なガイドのために役立ちかつディス
クプレーヤーのレーザ光学的書込み及び読出しヘッド内
でのトラック位置サーボ及びオートフォーカス装置の迅
速かつ正確な応答を保証する、即ちこれらは“トラッキ
ング°を可能又は改良する。更に、これらの構造はそれ
自体、例えば公知のオーディオ又はビデオコンパクトデ
ィスクの場合と同様にデータであってもよく、又はこれ
らは書込まれたデータのコード化のために利用すること
もできる。該構造は隆起した部分及び／又は凹所から成
る。これらは−貫した同心的又は螺旋状トラック溝の形
又は絶縁された隆起及び／又は孔として存在する。更に
、該構造は程度の差こそあれ平滑な波形を有することが
できる。この場合には、トラック溝が有利である。該ト
ラック溝はその横断面が直角なのこ歯状、■字形又は台
形状輪郭を有する。これらの凹所は、一般に“グループ
”とかつそれらの隆起部分は″ランド°と称される。ト
ラック溝が深さ５０〜２００ｎｓ及び幅０．４〜０．８
μｍのグループをＩｆＬ、該グループの間にそれぞれ幅
ｌ〜３μ−のランドが存在するのが特に有利である。
有利な磁気光学的記録層（Ｉ’（）は、主として無定形
のランタニド遷移金属合金を含有する。
これらの記録層（Ｂ）は一般に厚さｌＯ〜５００ｎ−を
有する。記録層（Ｂ）を構成するためには、ランタニド
：　Ｐｅ、　Ｎｄ、　Ｓｓ、　ＦＸｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ
、　Ｄｙ及びｔｌｏ並びに遷移金ｖ４：Ｆｅ及びＣｏが
該当する。
ランタニド対遷移金属の適当な混合比は、従来の技術か
ら公知である。更に、無定形のランタニド遷移金属合金
は面別の元素例えばＳｃ、　Ｙ。
Ｌａ、　Ｖ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｖ、
　Ｍｎ、　Ｎｉ、　Ｒｅ、　Ｒｕ。
Ｏｓ、　Ｒｈ、　Ｉｒ、　Ｐｄ、　ＰＬ、　Ｃｕ、八ｇ
、＾ｕ、　Ｚｎ、　Ｂ、　ＡＩ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｓ
ｉ、　Ｇｅ、Ｓｎ、　Ｐｄ、　Ｐ、＾ｓ、　Ｓｂ及び旧
を常用かつ公知の量で含有することができる。
更に、磁気光学的記録材料は、記録材料の機能にとって
有効である別の層を含有することができる。この場合に
は、常用かつ公知の干渉２層、反射層、腐食防１ヒ層、
接着層又はその他の磁化τＩＪ能な層が該当する。更に
、２つの記録材料を、それらの記録層（ｎ）が相互に向
かい合いかつそれらの間に一定の間隔が生じるように、
“サンドウィッヂ“構造で結合させることができ、その
際には２つの記録材料を結合させるための常用かつ公知
技術を使用する。
本発明による方法に基づき製造された層（Ｃ）の１つ又
は２つを含＜ｒする平面状の、多層の磁気光学的記録材
料は、常法で光学的に透明な寸法安定性の支持体（Ａ）
の面からパルス変調された、記録層（Ｂ）に焦点が合わ
されかっ／又は核層に対して垂直に投射するｌ０００ｎ
＠よりも小さい波長λを有する書込みレーザビームを用
いて逆転磁化したスポットの形でデータを書込むことが
できる。その後、データを書込まれた記録層（Ｅｌ）に
焦点た合わされかっ／又はそれに垂直に投射されるＣＷ
レーザビームを用いて読出すことができる。この際には
、記録層（Ｉ３）自体から又は場合により存在する反射
層から反射された光を捕捉し、分析［、かつ信号に転換
する。このためには、データプレート又はディスクの場
合には、゛ヒ導体レーザを有する常用かつ公知のレーザ
光学的ディスクプレーヤーを使用することができる。
この場合には、本発明による方法に基づき製造された層
（Ｃ）の１つ又は２−ノを含有する、・７面状の、多層
の磁気光学的記録材料は、従来の技術に比較して特別の
利点をｆＴする。例えば、該記録材料は、低いレーザ出
力でδ込むことができるにも拘らず、公知の記録材料よ
りら高い感度を有する。従って、磁気光学的データブ１
ノート（ディスク）の形で、公知ディスクよりも高いプ
レート回転数で書込むことができる。
そグ）ビー１ト密度ら、従来の技術に比較して昔しく優
れている。読出しの際には、これらは歪みの無い信号を
放出しかつ５５ｄＢよりも大きいＳ、／Ｎ比を有する。
７０℃及び９０％の相対空（（，４度で！０００時間以
にの貯蔵時間後も、ビーｒトエラー率の一ヒ昇は生じな
い、即ち情報損失は生じない。
四に、多層の、平面状の磁気光学的記録材料内に含ＦＴ
された、本発明による方法で製造されたＸ線無定形の窒
化アルミニラ１１及び窒化アルミニウム珪素層（Ｃ）は
、耐引掻き性、硬質、耐付着性、機械的強度を有しかつ
脆弱性ではない。これらの層（Ｃ）を腐食防止層として
使用する場合には、これらは空気及び水に対して極めて
敏感な記録層（１１）を極めて十分に遮蔽ずろ。これら
を支持体（Ａ）と記録層（Ｂ）との間の干渉層として使
用する場合には、その光学的適合作用において常法及び
公知方法で製造された干渉層よりら優れている。更に又
、この機能においては本発明方法で製造された層（Ｃ）
はその優れた腐食防止作用を発揮しかつそれにより当該
の平面状の、多層の、磁気光学的記録材料の特に長い寿
命に著しく寄与する。
実施例 実施例１〜６ 本発明による方法に基づくＸ線無定形窒化アルミニウム
及び窒化アルミニウム珪素薄膜の製造及びそうして得ら
れた層（Ｃ）の実用技術的特性 実験仕様 本発明による方法に基づくＸ線無定形窒化アルミニウム
及び窒化アルミニウム珪素薄膜（Ｃ）の製造は、磁気光
学的データプレートの範囲内でかつひいては実地に適す
るように実施した。その後、本発明による方法の特別な
技術的効果は、記録材料の有利な特性につき特に明らか
に生じた。
支持体（Ａ）としては、ポリスチレン及びポリ（２，６
−シメチルフエンー１．４−イレン−エーテル）から成
る、６枚の直径１３０　ｍｍ。
厚さ１．２ｘｍの、トラック溝を施したディスクを使用
した。
６枚のディスク（Ａ）のトラック溝を施した側に、ディ
スク（Ａ）を回転させながら個々の層（Ｂ）及び（Ｃ）
を所望の数、順序及び厚さでかつその都度所望の内部構
造で気相から施しノこ　。
この際、まず支持体（Ａ）の表面に窒化アルミニウム珪
素から成るＸ線無定形の干渉層（Ｃ）をアルミニウム／
珪素ターゲットの反応性マグネトロン陰極スパッタリン
グにより被覆し、その際本発明による方法を使用した。
この場合、以下の操作条件を適用した： 実施例Ｉ プロセスガス　：　＾ｒｌｏ−’ミリバール、　Ｎｅ５
・１０−４ミリバール、　Ｎ、２・１０−’ミリパール
： 析出速ば：　０．９ｎ醜・ｓ−１； 陰極用カニ　Ｐ＝　ｌ０ｋｆ　。
実施例２ プロセスガス　：　＾ｒｌＧ−３ミリバール、　Ｎｅ４
・１０−’ミリバール、　Ｎ、２・ｉｏ−’ミリバール
、　ＩＩ、８・１０−’ミリバール：析出速度：　１．
Ｉｎ−・ｓ−１； 陰極用カニ　Ｐ＝　１．２に？　。
実施例３ プロセスガス　：　Ａｒ３・ｌｏ−３ミリバール、　Ｋ
ｒ５・１ｏ−４ミリバール、　Ｎ、２．５・１０１ミリ
バール；析出速度：　１．Ｏｒ＋＋ａ−ｓ−’　；陰極
用カニＰ＝１ｋＷ； 実施例４ プロセスガス　：　Ａｒ２・１０−３ミリバール、　Ｘ
ｅ２・１ｏ−４ミリバール、　Ｋｒ２・１０−’ミリバ
ール、　Ｎ、３−１０−’ミリバール；析出速度：　０
．９ｏｍ−ｓ伺： 陰極用カニＰ＝１ｋｌ。
実施例５ プロセスガス　：　　Ａｒ２・１０−″ミリバール、　
Ｘｅ１Ｏ−’ミリバール、　Ｎｅ１０−’ミリバール、
　Ｎｔ４．２１０−’ミリバール、　ｌＬ４．２・ｔｏ
−’ミリバール； 析出速度：　１．２ｎｍ・ｓ−’　； 陰極用カニ　Ｐ＝　１．２ｋＷ　： 実施例６ プ［１セスガス　：　　Ａｒ３・１Ｏ−３ミリバール、
　Ｘｅ１．５１０−’ミリバール、　Ｎ、５ゴ弓ｏ−’
ミリバール：析出速度：　１．ｌｎｍ−５’　； 陰極用カニ　Ｐ−１，５に？ その後、慣用かつ公知方法で干渉層（Ｃ）の表面にＴｂ
ＤｙＦｅターゲットのマグネトロン陰極スパッタリング
によりＴｂＤｙＦｅ合金から成る、無定形の磁気光学的
記録層（Ｂ）を製造した。
引続き、記録層（ｎ）の表面に、本発明による方法に基
づきＸ線無定形の窒化アルミニウム（実施例１〜３）又
は窒化アルミニウム珪素（実施例４〜６）から成る腐食
防止層を施した、この場合も個々の実施例で前記のその
都度の操作条件を層（Ｃ）を製造するために適用した。
実施例３では、腐食防止層（Ｃ）の表面に尚酸化タンタ
ル層（Ｃ′）を慣用かつ公知方法でアルゴン及び酸素を
含イ了するプ【Ｊセスガス雰囲気中で反応性マグネトロ
ン陰極スパッタリングにより施した。
磁気光学的データディスクを製造するための方法では、
操作条件は総て、第１表に示したデータディスク１〜６
の組成が得られるように選択した。
操作順序を調査するためかつ分析目的のために、その都
度正確に比較可能な条件下で６枚の磁気光学的データデ
ィスクを製造した（実施例Ｉａ〜６ａ）。これらのデー
タディスクにつき、本発明方法に基づき製造した新規の
層（Ｃ）の形態及び物質組成を慣用かつ公知の、部分的
材料分解的測定方法、例えば化学的元素分析、光学顕微
鏡、走査電子顕微鏡、Ｘ線分光分析、Ｘ線散乱又は回折
、ＥＳ　ＣＡ　（化学分析のための電子分光分析）及び
フレーム光度定量によって測定した。更に、慣用かつ公
知の破壊することのない光学的かつ分光分析的方法で、
実施例対（１、Ｉ　ａ　）　〜（６、６ａ　）のその都
度の層（Ｃ）はその都度相互に同一であり、従って実施
例１ａ〜６ａにつき確偲した物質的かつ形態学的パラメ
ータを第１表に表示することができることが証明された
。
実施例１〜６の磁気光学的データディスクの記録層（Ｅ
（）を、それらの製造直後にそれらの表面に対して垂直
方向で磁化した。引続き、データディスクを２３℃２℃
、空気圧１０３±３．５ｋＰａ及び相対空気湿度４５〜
５５％で４８時間状態調節した。
その後に、状態調節したデータディスクに常用かつ公知
のディスクプレーヤーを用いて正確に比較可能な条件下
でデータを書込んだ。このためには、波長λ−８３０ｎ
ｍの線状の偏光した光を放出するパルス変調したＧａＡ
ｌＡｓ半導体レーザを使用した。ビット長さ、即ち磁化
反転した“スポット°並びに又ビット間隔、即ち“スポ
ットからスポットまでの間隔”は約１μ醜であった。
カー効果を介して占込んだデータを読出すために、ｆａ
ｔより小さいビーム出力で連続運転でＧａＡｌＡｓ半導
体レーザを使用した。未補ＩＥビットエラー率は、常用
かつ公知方法で時間間隔分析Ａ　（”Ｌｉ５ｅ　１ｎｔ
ｅｒｖａｌ　ａｎａｌｙｚｅｒ＠、Ｔｌ＾）を用いて測
定した。
データディスクをまず占込み直後に読出した（第１回目
の読出し）。その後、データディスクを磁気光学的記録
材料のために典型的な“加速寿命試験１に６０．７０及
び８０℃で９０％の相対空気湿度でかけかつその後に新
たに読出した（第２回目の読出し）。この場合得られた
未ｈｌｉ正ビットエラー率及びデータディスクの記録層
（ｎ）の光学的及び走査電子顕微鏡的判定から、それら
の寿命を標準条件（３０℃、相対空気湿度９０％）下で
評価した。当該結果は第２表に示す。
比較実験Ｖｌ−Ｖ６ 公知方法に基づく窒化アルミニウム及び窒化アルミニウ
ム珪素薄膜の製造及びそうして得られた層（Ｃ）の実用
技術的特性 実験仕様： 実施例１〜６を繰り返したが、但しこの場合には層（Ｃ
）を反応性マグネトロン陰極スパッタリグの公知方法に
基づき製造した。その際、以下の操作条件を適用した： 比較実験Ｖｌ−Ｖ６ プロセスガス：＾ｒ４・１Ｏ−３ミリバール、Ｎｙｌ・
１０−４ミリバール： 析出速度：　０．９ｎ−・ＳＩ； 陰極出カニＰ＝１に？ 操作条件は総て、第１表に一緒に記載した比較ディスク
■１〜■６の組成が生じるように選択した。比較ディス
ク■１〜■６で確認した実験結果は、第２表において実
施例１〜６からの結果と対比させる。
この場合、 実施例１は比較実験Ｖｌと、 実施例２は比較実験■２と、 実施例３は比較実験ｖ３と、 実施例４は比較実験■４と、 実施例５は比較実験■５と及び 実施例６は比較実験■６と 直接的に比較することができる。
比較により、本発明方法で製造された層（Ｃ）を含有す
る磁気光学的データディスク（実施例１〜６）は、専ら
公知方法で製造した層（Ｃ）を含有する磁気光学的デー
タディスク（比較実験Ｖｌ−Ｖ６）よりも明らかに優れ
ていることを間違いなく示す。このことは、本発明によ
る方法が包括的方法（磁気光学的データディスクの製造
）の範囲内でも著しく明らかでる特に予測されなかった
技術的効果をもたらすことを証明している。
第一−−ｍ−１−孝 本発明方法で製造した（実施例１〜６）及び公知方法で
製造した（比較実験Ａ−Ｆ）層ＣＣ）を有する磁気光学
的データプレートの製造及び組成実施　　干渉層（Ｃ）
　　　記録層ＣＢ）　　腐食防止層（Ｃ）　　酸化物層
（Ｃ′）ｆＭｌｊ−−−！’−１！−ン−一一−（−Ｉ
Ｉｍ）−、−（ニーｎ−）　　　　　−□　　４Ｈｓｌ
−−ｌ　　　窒化Ｉルミニウムｕ＊　　　　　ＴｏＤｙ
Ｐｅ　　　　　　　窒化１にミニ９ム（を素Ｘ線無定形
　　　　　　　　　　　Ｘ線無定形２　　　窒化アルミ
ニウム珪素　　　　ＴｏＤｙＰｅ　　　　　　　窒化ア
ルミニウム（を素Ｘ線無定形　　　　　　　　　　　Ｘ
線無定形３　　　窒化アルミニウムｊｌＲＴｏＤｙＦｅ
　　　　　　　窒化アルミニウム（七素　　　　　　Ｔ
ａｇ’ｓＸ線無定形　　　　　　　　　　　Ｘ線無定形
　　　　　多結晶（７５）　　　　　　　　（８０）　
　　　　（ｔｏｏ）　　　　　　　　　（２５）４　　
　　窒化γルミニウム珪素　　　　ＴｏＤｙＰｅ　　　
　　　　窒化アルミニウムＸ線無定形　　　　　　　　
　　　Ｘ線無定形（８５）　　　　　　　　（８５）　
　　　　（１２Ｇ）５　　　　窒化アルミニウム１を素
　　　　ＴｏＤｙＦｅ　　　　　　　窒化アルミニウム
【を素Ｘ線無定形　　　　　　　　　　　Ｘ線無定形６
　　　　窒化７にミ；ウムＩｔ素　　　　　ＴｏＤｙＦ
ｅ　　　　　　　窒化アルミニウム　　　　　　　　　
　Ｔｉ０−Ｘ線無定形　　　　　　　　　　　Ｘ線無定
形　　　　　多結晶（８５）　　　　　　　　（＋１０
）　　　　　（１００）　　　　　　　　　（７５）Ｌ
−１４（続き） 比較　　干渉層（Ｃ）　　　記録層（Ｂ）　　腐食防止
層（Ｃ）　　酸化物層（Ｃ′）’Ｍ＠　　　　（ｎｍ）
　　　　　　　（ｎｓ）　　　　　　（１！ＩＩ＞　　
　　　　　　ｐｒｉｍ）−−ｖｌ　　　窒化アルミニウ
ムｒｉｇ　　　　　ＴｂＤｙＦｅ　　　　　　　窒化ア
ルミニウム半無定形　　　　　　　　　　　　多結晶ｖ
２　　　窒化フルミニウムｆｌ素　　　　ＴｏＤｙＦｅ
　　　　　　　窒化アルミニウム多結晶〜 生能定形 ｖ３　　　窒化アルミニウムＬＩＴ：　　　　　ＴｏＤ
ｙＦｅ　　　　　　　窒化アルミニウム　　　　　　　
　　　Ｔａｘｅｓ無定形範囲を　　　　　　　　　　多
結晶　　　　　　　多結晶有する生能定形 ｖ４　　　窒化Ｔルミニウム【を素　　　　ＴｂＤｙＦ
ｅ　　　　　　　窒化アルミニウムＸ線無定形　　　　
　　　　　　多結晶ｖ５　　窒化アルミニウム！を素　
　　　ＴｏＤｙＰｅ　　　　　　　窒化アルミニラｊ圭
素Ｘ線無定形　　　　　　　　　　多結晶半無定形範囲
を イｆするＸ線無定形

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空中で希ガス及び窒素を含有するプロセスガス雰
    囲気内でアルミニウム又はアルミニウムと珪素を反応性
    陰極スパッタリング又は反応性マグネトロン陰極スパッ
    タリングしかつ気相から当該の窒化物層を析出させるこ
    とにより、表面上にＸ線無定形の窒化アルミニウム又は
    窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法において、 ａ）希ガスとしてアルゴンと、希ガスのネオン、クリプ
    トン又はキセノンの１種以上とから成る混合物を使用し
    、その際 ｂ）アルゴンとその他の希ガスとの容量比は２：１〜１
    ００：１であり、かつ ｃ）希ガス混合物（ａ）と窒素との容量比は２：１〜１
    ０：１である ことを特徴とする、表面上にＸ線無定形の窒化アルミニ
    ウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法。
JP1020963A 1988-02-02 1989-02-01 表面上にｘ線無定形の窒化アルミニウム又は窒化アルミニウム珪素薄層を製造する方法 Pending JPH01252766A (ja)

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DE3802998A DE3802998A1 (de) 1988-02-02 1988-02-02 Verfahren zur herstellung einer duennen roentgenamorphen aluminiumnitrid- oder aluminiumsiliciumnitridschicht auf einer oberflaeche
DE3802998.7 1988-02-02

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JP2018135260A (ja) * 2017-02-07 2018-08-30 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ コーティングされた保護ウインドウ

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