JPH03150254A

JPH03150254A - 多結晶性か、配位されていないか、またはｘ線非晶質の炭化物、酸化物および／または窒化物のセラミック

Info

Publication number: JPH03150254A
Application number: JP2175442A
Authority: JP
Inventors: Helmut Steininger; ヘルムート、シュタイニンガー
Original assignee: BASF SE
Current assignee: BASF SE
Priority date: 1989-07-28
Filing date: 1990-07-04
Publication date: 1991-06-26
Also published as: DE3925050A1; EP0410337A3; EP0410337A2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、元素組成物Ｉ：Ｇ　ｅ　１−．ｃＭ　ｘ　　　　　（１）［式中、Ｍはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、トリウム、ス
カンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラ
セオジム、ネオジム、サマリウム、オイロピウム、ガド
リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
エルピウム、ツリウム、イッテルピウム、ルテチウム、
バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、
タングステン、マンガン、レニウム、鉄、コバルト、ニ
ッケル、ルテニウム、ロジウム、銅、◆鉛、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、硼素、ア
ルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、珪素、
錫、鉛、燐、砒素、アンチモン、蒼鉛およびテルルの群
からの少なくとも１つの元素を表わし：Ｘは０．０１−
１７を表わす］により−で形成されている多結晶性か、
配位されていないか、またはＸ線非晶質の炭化物、酸化
物および／または窒化物のセラミックに関する。

更に、本発明は、ゲルマニウムの前記セラミ・１りから
なる薄層、ならびに機械的摩耗から表面を保護するか、
または腐蝕から磁気光学的記録層を保護するための拡散
遮断層、耐蝕層または干渉層としての該薄層の使用に関
する。

その」二、本発明は、ゲルマニウムの首記した新規セラ
ミックの１つからなる少なくとも１つの薄層を含有する
新規磁気光学的記録素子に関する。

更に、本発明は、ゲルマニウムの首記したセラミ・１り
からなる薄層の製造法に関する。

従来の技術元素組成：（Ａ　Ｉ　ＸＳ　ｉ　ｌ−ｘ）ｌ−ｘ（ＭｒＭ＝２Ｍｔ
）ｚによって形成されている炭化物、酸化物および／ま
たは窒化物のセラミックからなる多結晶性かまたはＸ線
非晶質の薄層は、欧州特許出願公開第０３２６９３２号
明細書に記載されているこの元素組成に基づき、この欧
州特許出願公開明細書に記載の条件二Ｍ　ｌ、　　　Ｍ　２　　Ｔｉ、Ｚｒ、ＩＩ　ｒ　、Ｔ
　ｈ　％　Ｓ　ｃ　％Ｙ　％Ｉ−ａ　％Ｃｅ　％Ｐ　ｒ
　１Ｎ　ｄ　％Ｓ　ｗａ、およびＭ　３Ｅｕ　％Ｇ　ｄ
　％Ｔ　ｂ　％Ｄ　ｙ　−Ｈｏ　％　ｈ　ｒ　ｓ　Ｔ＠
、Ｙｂ％１．ｕ、ＶＪＩｂ。

Ｔａ、Ｃｒ％Ｍｏ％Ｗ、Ｍｕ％Ｒｅ％Ｆｅ％Ｃｏ、Ｒｈ
、Ｃｕ、Ｚｙ＋。

Ｍｇ、Ｃａ％Ｓｒ、Ｂａ％Ｈ，Ｇａ、　Ｉｎ、ＴＩ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂ。

Ｐ％Ａｓ％ＳｂおよびＴｅ、但し、Ｍｌ、ＭｌおよびＭ
３は互いに異なるものであるか、或いはＭｌ、Ｍ２およびＭｌが−ランタンまたは
ランタニドである場合には、互いに同一でも異なっていてもよい：ｘ　　　　　Ｏ−１；ｚ　　　　　ｒ＋ｓ＋ｔ　；ｒ　　　　　Ｏ−ｏ　０５〜０．１５；ｓ　　　　　０
−００５〜０．１５　；１　　　　Ｏ〜［００５に注意しながら、例えば窒化物セラミフクＡ　ｌ　１１
　ｓｓｓｃ　ｅ　ｎ−１ｓＬ　ａ　Ｏ−１ｓｓＮのよう
なゲルマニウム含有セラミフクを得ることができ、この
セラミックは、勿論最大でゲルマニウム１５原子％のみ
を含有していてもよい。欧州特許出願公開第０３２６９
３２号明細書に記載の多結晶性かまたはＸ線非晶質のセ
ラミック層は、なかんず（非晶質のランタニド遷移金属
合金からなる磁気光学的記録層の腐蝕に対する保護に使
用される。

米国特許第４６６１４２０号明細書の記載から、ゲルマ
ニウムまたはゲルマニウムおよび珪素とともになお水素
、炭素、弗素、窒素および酸素の群からの少なくとも１
つの他の元素を５０ＦＱ子％まで、殊に３０原子％の量
で含有しているＸ線非晶質の薄層は、公知である。この
公知のＸ線非晶質の薄層は、磁気光学的記録素子の記録
層のカー回転角（Ｋｅｒｒ−Ｄｒｅｈｗｉｎｋｅｌ）の
増加に使用される。

ゲルマニウムを含有するＸ線非晶質の薄層の耐蝕作用に
関しては、米国特許第４６６１４２０号明細書には何も
記載されていない。同様に、欧州特許出願公開第０３２
６９３２号明細書から、その中に記載された多結晶性か
またはＸ線非晶質のセラミ１り層のカー回転角に対する
影響に関する記載が少ないことは、明らかである。

磁気光学的記録素子は、同様に公知である。

一般に、磁気光学的記録素子は、光学的に透明な寸法安
定性担体（Ａ）、非晶質のランタニド遷移金属合金から
なる熱変形可能な記録層（Ｂ）および少なくとも記録層
（Ｂ）の担体（Ａ）から離れた面上の多結晶性かまたは
Ｘ線非晶質の耐蝕性層（Ｃ）を包含する。そのＦ、この
公知の磁気光学的記録素子は、他の層、例えば反射層ま
たは干渉層を有することができる。

この公知の磁気光学的記録素子は、パルス変調されたレ
ーザー光を用いてのデータの書込みに使用され、この場
合このレーザー光は、記録層（Ｂ）にビント調節されお
よび／またはこの記録層（Ｂ）に対して垂直に衝突する
。

データの書込みの場合、磁場線は、記録層（Ｂ）の表面
に対して垂直な方向に向いている補助磁場が記録素子に
加えられるか、或いは記録層ＣＢ）は、相応する方向に
向いた層内在（真性）磁場を有する。

周知のように、非晶質のフェリ磁性ランタニド遷移金属
合金からなる、表面に対して垂直に磁化された記録層（
Ｂ）は、レーザー光によるデータの書込みの際に衝突個
所で加熱される。

この加熱によって合金の保磁力Ｈｃは減少する。保磁力
Ｈｅがそれぞれ使用される合金に依存する臨界温度の際
に接する補助磁場または真性磁場の強さを下廻る場合に
は、衝突個所で元来の方向とは反対の磁化方向の１つを
有する領域が生じる。このような領域は、スポット”と
も呼称される。

書込まれたデータは、意図的に、書込まれた記録層（Ｂ
）を、例えば磁場線が層表面に向いている外部または真
性磁場中でレーザー光を用いて局部的に加熱することに
よって必要に応じ再び消去することができ、その後に新
しいデータを書込むことができる。すなわち、書込む過
程は、可逆的である。

データの読取りのためには、連続的に放出する連続波長
レーザーの線形偏光が使用され、このレーザーの光効率
は、材料を臨界温度を越えて加熱するには不十分である
。このレーザー光は、記録層（Ｂ）それ自体によって反
射されるか、またはこの記録層の背後に配置された反射
層によって反射され、この場合には、記録層（Ｂ）中の
磁気モーメントと、レーザー光源の磁気ベクトルとの相
互作用を生じる。この相互作用によって、スポット”ま
たはこのスポットの背後に存在する反射層によって反射
されるレーザー光の偏光面Ｅは、元来の平面に対して小
さな角度だけ回転される。この偏光面Ｅの回転が記録層
（Ｂ）それ自体での光の反射の際に行なわれる場合には
、このことはカー効果と呼ばれ、それに応じて回転角は
カー回転角と呼ばれ：これとは異なり、平面は、光が２
回通過した際に記録層（Ｂ）によって回転され、この場
合には、ファラデー効果およびファラデ一回転角と呼ば
れる。

磁気光学的記録素子によって反射されたレーザー光の偏
光面Ｅの前記回転は、適当な光学的装置および電子的装
置を用いて測定され、かつ信号に変換される。

公知の磁気光学的記録素子でデータを読取る際にファラ
デー効果を利用する場合には、記録素子は、必要に応じ
て反射層を有しなければならない。それというのも、記
録層（Ｂ）それ自体は、光透過性であるからである。更
に、干渉層は、支障ある回折現象を抑制するために存在
していなければならない。勿論、公知の磁気光学的記録
素子中に存在する干渉層および反射層ならびにその組合
せは、極端に酸素および水に敏感な記録層が腐蝕される
ことを一定の範囲内で阻止する拡散遮断層としても作用
する。それにも拘わらず、この公知の干渉層および反射
層ならびにその組合せは、前記機能を実地に対して十分
な程度に充足させるものではない。それというのも、こ
の公知の干渉層および反射層ならびにその組合せの構造
および組成は、専ら拡散遮断作用または耐蝕作用によっ
て定められるのではな（、主として別の機能によって定
められるからである。従って、常になお付加的に磁気光
学的記録素子を空気から隔絶する耐蝕層（Ｃ）を一緒に
使用しなければならない。

しかし、これまで公知の耐蝕層（Ｃ）は、公知の磁気光
学的記録素子に包含されている他の層に対する付着力、
安定性、内部応力または機械的強度に関連してなお常に
欠点を有する。

しかし、この場合欧州特許出願公開第０３２６９３２号
明細書に記載の耐蝕層（Ｃ）によって１つの重要な巡歩
が達成された。それというのも、この耐蝕層（Ｃ）は、
耐引掻性であり、硬質で接着強さを有し、機械的に強く
、かつ十分に応力除去されており、また磁気光学的記録
素子の極端に空気および水に敏感な記録層（Ｂ）を有利
に遮蔽しているからである。同様に、この耐蝕層（Ｃ）
は、担体（Ａ）と記録層（Ｂ）との間の光学的に透明な
干渉層として使用することができ、かつその腔に光学的
適合作用の点で別の干渉層を明らかに凌駕しており、こ
の場合この耐蝕層の耐蝕作用は、前記使用の場合にも完
全に保持されている。また、更にこの耐蝕層（Ｃ）は、
光学的性質および機械的性質ならびに付着性の点で磁気
光学的記録素子の残りの層に良好に適合させることがて
きる。

前記の記載のように、米国特許第４６６１４２０号明細
書に記載のＸ線非晶質のゲルマニウムおよび窒素を含有
する層を用いてカー回転角の増大は達成される。それに
も拘わらず、このことがファラデ一回転角についても起
こるか否かは、前記米国特許明細書の記載からは明らか
ではない。更に、米国特許第４６６１４２０号明細書に
記載のｘ１９非晶質の薄層の耐蝕作用は、この薄層が磁
気光学的記録素子を空気から遮蔽する場合には、所望の
ものにかなり程遠い。

発明が解決しようとする課題本発明の課題は、光学的装置の場合に薄層の形で全く一
般的に拡散遮断層または干渉層として適当であるかまた
は敏感な表面を腐蝕もしくは機械的摩耗から保護するの
に適当である、多結晶性か、配位されていないか、また
はＸ線非晶質の炭化物、酸化物および／または窒化物の
新規セラミ・ツクを提供することである。殊に、多結晶
性か、配位されていないか、またはＸ線非晶質の新規セ
ラミックは、薄層の形で磁気光学的記録層を腐蝕から保
護するのに適当であり、この場合には、公知技術水準の
欠点を示さないはずである。

課題を解決するための手段意外なことに、本発明の課題は、ゲルマニウムならびに
炭素、酸素および／または窒素とともになお他の元素を
正確に定義された量で含有する、ゲルマニウムの多結晶
性か、配位されていないか、またはＸ線非晶質の炭化物
、酸化物および／または窒化物のセラミックによって解
決することができ、この場合公知技術水準に関連して、
まさに特殊な組成を有するゲルマニウムの新規セラミッ
クが前記欠点をもはやこれ以上有さずかつさらになお付
加的に利点をもたらすことは、予想することができなか
った。

それに応じて、本発明の対象は、元素組成Ｉによって形
成されている、ゲルマニウムの多結晶性か、配位されて
いないか、またはＸ線非晶質の炭化物、酸化物および／
または窒化物の首記したセラミックであり、このセラミ
ックは、以下略して本発明によるセラミック”と呼ぶこ
とにする。

本発明によるセラミフクは、有利に光学的に透明であり
、すなわち本発明によるセラミックは、例えばレーザー
光を分散させるのでもなく、大規模に吸収するのでもな
く、当該レーザー光は、光の強さおよび光の横断面積の
本質的な変化なしに通過することができる。

本発明によるセラミックは、多結晶性か、配位されてい
ないか、またはＸ線非晶質である。

この場合、多結晶性かまたは配位されていない本発明に
よるセラミックは、微結晶ＣＷ４微鏡的大きさの結晶）
から構成されており、この微結晶の大きさは、実際にナ
ノメートルの範囲内にあり、それにも拘わらず、この微
結晶はなお常にＸ線を回折する能力を有し、この場合配
位されていない本発明によるセラミック中には、微結晶
の優先配位はもはや存在していない。

これとは異なり、Ｘ線非晶質の本発明によるセラミック
は、Ｘ線での照射の際にもはや回折パターンを生じず、
かっこの点で公知の非晶質ガラスに匹敵する。

多結晶性かまたは配位されていない本発明によるセラミ
ックは、光学的性質および使用技術的性質ならびに特に
好ましい作用の点で十分にＸ線非晶質の本発明によるセ
ラミックに相応し、この場合には、使用目的に依存して
一定の相違が明らかになるが、この相違は、とにか（有
利に利用可能である。

本発明によるセラミックは、性質により通常の意味でセ
ラミック材料に相応し、これは、粘土等のような材料を
灼熱（焼成”）することによって得られかつ高い物理的
安定性および化学的安定性を有する早期の無機工業製品
または製作材料であった。この概念の意味は、近年目立
ましい開発のために無機工業製作材料の分野で著しく拡
大しており、この概念は、今や灼熱または焼成に依るの
ではなく、別の方法により！Ａ遺される材料をも包括す
る。この材料は、古典的セラミックの性質プロフィール
を数多くの点で凌駕しかつ屡々希有の性質を一緒に包含
する性質プロフィールを有する。従って、これらの材料
は、屡々モダンセラミックス（霞ｏｄｅｒｎｃｅｒａｍ
ｉｃｓ）”と呼称される。本発明によるセラミックは、
このモダンセラミ−ｔクス”の１つの新しい代表例であ
る。

本発明によるセラミックは、組成の点で炭化物、酸化物
および／または窒化物のセラミ・ツクとして把握するこ
とができ、すなわち本発明によるセラミックは、炭化物
、酸化物または窒化物からなるか、または炭化物と窒化
物の混合物、酸化物と炭化物の混合物、炭化物と窒化物
の混合物または酸化物および炭化物と窒化物の混合物か
らなる。本発明１こよるセラミフクは、本発明により使
用すべき元素組成！によって形成され、この元素組成は
、炭素、酸素および／または窒素以外の残りの成分で互
いに存在するモル比を概観的に記載している。この原子
比またはモル比は、記載した本発明によるセラミフクに
対して全体的または十分に確定している。これとは異な
り、元素組成１に対する炭素、酸素および／または窒素
のモル比は、規定した元素組成Ｉに応じて、原子価およ
び／または存在する電気的に正もしくは電気的に負の電
荷の数によって強制的に予め記載される方法で変動する
。従って、本発明による炭素含量、酸素含量および／ま
たは窒素含量は、それぞれ使用される元素組成物Ｉによ
り容易に計算することができ、それ故に以下、それぞれ
の炭素含量、酸素含量および／または窒素含量の正確な
記載は、不要であり、例えば本発明による酸化物セラミ
１りもしくは窒化物セラミックまたは一定の酸素／窒素
比の本発明による酸化物／窒化物セラミフクが重要であ
るという一括した記載は、当該の本発明によるセラミッ
クの完全に物質的な特性決定にとって十分なものである
。

本発明により使用すべき元素組成物ｌは、ゲルマニウム
成分を含有する。更に、元素組成物ｌは、成分Ｍを含有
する。これは、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ト
リウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリ
ウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、オイロピ
ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホ
ルミウム、エルピウム、ツリウム、イフテルビウム、ル
テチウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モ
リブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、コ
バルト、二・１ケル、ルテニウム、ロジウム、銅、亜鉛
、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ム、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリ
ウム、錫、鉛、燐、砒素、アンチモン、蒼鉛およびテル
ルの群から選択される少なくとも１つの元素である。

この場合、本発明により使用すべき元素組成物■は、専
ら前記元素Ｍの１個を含有することができる。それにも
拘わらず、本発明により使用すべき元素組成物Ｉが前記
元素Ｍの２または３個を含有する場合には、利点を有す
る。それというのも、この場合には、当該元素組成物夏
から生じる本発明によるセラミックの使用技術的性質プ
ロフィールは、特５こ簡単で有利な方法で特殊な使用目
的に適合しうるからである。場合によっては、３個を上
廻る、例えば４．５、６または７個の元素Ｍを本発明に
より使用すべき元素組成物１に導入することを推奨する
ことができ、それによってとにか（本発明によるセラミ
ックの既に卓越している使用技術的性質ブ−ロフィール
の比較的に任かな他の改善がさらに生じる。　本発明に
より特に有利に使用される元素組成物■は、スカンジウ
ム、イットリウム、ランタン、アルミニウムおよび／ま
たは珪素を含有する。それというのも、この元素組成物
１を基礎とする本発明によるセラミックは、特に十分に
磁気光学的記録素子の耐蝕性層（Ｃ）の製造に好適であ
るからである。

本発明により使用すべき元素組成物Ｉの場合、ゲルマニ
ウムおよび成分Ｍは、一定のモル比で互いに存在し、こ
のことは、首記した−般式ＩのＸで表わされている。こ
の場合、Ｘは、０．０１〜０−７の任意のプラスの数で
あることができる。実際に、Ｘは、０−７よりも大きい
値、例えば０．７５〜０．８５の値を取ることがてきる
が、それにも拘わらず当該元素組成物から生じるゲルマ
ニウム含有セラミックは、実地の要求をもはや完全には
満たすものではない。本発明によれば、Ｘが０．０５〜
０．５、殊に０゜１〜０．４の任意のプラスの数を表わ
すことは、有利である。それというのも、本発明により
使用すべき元素組成物Ｉは、前記モル比で特に広範に使
用可能な本発明によるセラミックを供給し、この場合こ
の本発明によるセラミックは、多種多様な使用形で特別
の利点を示す。

本発明により特に有利に使用される元素組成物Ｉの例は
、次の組成から認めることができるｍ滅：１１　　Ｇｅｏ−ｔＡ１ｏ−２３ｃｏ、ｔ１−２　　Ｇ
ｅｏ−ｔＡ１ｏ−ｔｓＹｏ−ａｓ１−３　　Ｇｅｅ−３
Ａ　ｌｏ−ｏｓｓ　ｉｏ、ｏｒ１−４　　Ｇｅａ−ｓｓ
Ａ　１０−ａ＋Ｌａｏ−ａｔト５　　Ｇｅｏ−ｔｓｓ　
ｉｎ−ｔＹｏ−ｏｓ＊Ｌａｏ−ａｔ１−６　　Ｇｅｅ−
ａｓＡ１ｏ、ｔｓｃｏ、ｏ３Ｙｏ−ａｔ１−７　　Ｇｅ
ｅ−ａＡ１ｏ、ｏｓｓｃｏ、ｏ２Ｌａｎ−ｏ３１−８　
　ＧｅＯ，ｌＩＡＩＬＩＳＹＩ１．０２ＬａＬＯ３１−
９Ｇｅｍ−ｓｓＡＩｆｆ、−ｏａｓｉａ−ａ＋Ｌａａ−
ａｔト１０　Ｇｅｏ−ｔｓｓｉａ、２ｓｃｏ−ｏ３Ｌａ
ｌｌ−ａｔ■−１１ｃｅｏ−ｙｅｓｓ　ｉｏ、２Ｙｏ、
ｏｓ本発明によるセラミックは、多種多様の別の形で、
例えば中実の球体、環状体、円筒体、ブフロク体または
形状および構造がそれぞれの使用目的により左右され８
他の成形部材として使用することができる。とにかく、
本発明によるセラミックは、薄層の本発明による特に有
利な実施態様で特別な利点を明示している。

この場合、本発明によるセラミックからなる新規の薄層
は、種々の方法で構成させることができる。このような
新規の薄層が例えば酸化物および窒化物からなる場合に
は、酸素および窒素は、統計的分布で当該の新規薄層中
に存在することができ、すなわちこの層は、均質であり
、この場合この層は、多結晶性であっても、配位されて
いなくとも、Ｘ線非晶質であってもよい。それとともに
、この新規の薄層は、酸化物／窒化物セラミ・ツタであ
ってもよく、その際に酸化物からなる微結晶は、窒化物
からなる微結晶とともに統計的分布で並列的に存在し、
すなわち当該の新規薄層は、多結晶性混合物である。こ
のことは、意味的に酸化物と炭化物からなるか、炭化物
と窒化物からなるか、または酸化物、炭化物および窒化
物からなる新規の薄層についても云えることである。

しかし、多結晶性か、配位されていないか、またはｘａ
算品質の新規薄層は、例えば層厚全体に亘る酸素および
窒素の分布に関連して１つの勾配を有することができる
。このことは、窒素のを度が新規薄層の片側から出発し
て別の側へ均一に増大しうろことを意味し、この場合に
は、さらに酸素の濃度は、化学量論によって強制的に確
認された相応する方法で減少する。しかし、このことは
、窒素の濃度が新規薄層の片側から出発してまず増大し
、次に再び徐々に、すなわち流れるように減少するかま
たは突然に減少することをも意味することができ、この
場合には、本明細書中でも酸素の濃度は、相応する方法
で最終的および事後的に再び増大する。

このことは、新規の薄層の全厚に亘って数回生じうるこ
とであり、それによって当該層の数層の構成が生じる。

このことは、意味的に酸化物と炭化物からなるか、炭化
物と窒化物からなるか、または酸化物、炭化物および窒
化物からなる新規の薄層についても云えることである。

それに応じて、この数層の新規薄層は、２個またはそれ
以上の別個の層からなることができ、この場合この別個
の層は、それぞれ炭化物層、窒化物層もしくは酸化物層
または炭化物／酸化物層、炭化物／窒化物層、酸化物／
窒化物、または炭化物／酸化物／窒化物層であることが
できる。

その際、最も一般的な場合に最適な性質プロフィールに
調節するには、３〜５個の別個の層で十分であるが、特
殊な場合には、６．７または８個の層からなる新規の薄
層を使用することができる。９、ｌＯ個またはそれ以上
の層からなる新規薄層は、殆ど使用されない。それとい
うのも、この場合には、より高いｆ！Ａ造費は、全ての
場合にそれ自体既に特に好ましい性質がさらに高揚して
しまうことによって全うされないからである。従って、
特に有利なのは、比較的に作かな費用で製造することが
できかつその際既に最適な性質を有するので、３〜５個
の層からなる新規の薄層である。

この新規薄層中の層は、種々の厚さを有することができ
る。それにも拘わらず、この層は、はぼ同じ厚さである
のが有利である。

更に、１つの層から別の層への移行は、突然であっても
よく、すなわち層間には、例えば化学量論的に構成され
た窒化物層から酸化物層または炭化物層への移行の場合
と同様に正確に定義された境界面が存在する。しかし、
この移行は、流れるようにスムーズであってもよい。す
なわち、例えば化学量論的に構成された窒化物層は、窒
素の濃度が多少とも迅速に減少しかつ酸素または炭素の
濃度が多少とも迅速に増大する１つの帯域に亘って純粋
な酸化物層または純粋な炭化物層へ移行することができ
る。

この場合、本発明によれば、１つの層から直ぐ次の層へ
の流れるような移行は、有利である本発明により使用す
べき元素組成物ｌの窒化物、炭化物および／または酸化
物からなる多結晶性か、配位されていないか、またはＸ
線非晶質の単層または多層の新規薄層を使用するか否か
とは無関係に、本発明によれば、１つの表面、例えば保
護すべき磁気光学的記録層（Ｂ）の表面に対向している
かまたは直接この表面に接している当該新規薄層の面が
主としてまたは専ら窒化物からなることは、特に有利で
ある。

窒化物および酸化物、炭化物および酸化物、窒化物およ
び炭化物からなるかまたは炭化物、酸化物および窒化物
からなる多結晶性か、配位されていないか、またはＸ線
非晶質の単層または多層の薄層、或いは炭化物、酸化物
および窒化物からなる多結晶性かまたはＸ線非晶質の新
規薄層を使用するか否かとは無関係に、新規の薄層は、
１０００ｎｍまでの厚さである。本発明によるセラミッ
クから明らかな特別の性質および工業的効果のために、
層厚をより厚くすることは、不要である。更に、とにか
（既に好ましい性質プロフィールがなお比較的僅かに高
揚することは、このために必要とされるいっそう高い材
料消費と関連している。新規薄層の厚さは、他面で２０
ｎｍを下廻ってはならない。それというのも、その際に
は例えば酸素および水に対する遮断作用は、もはや完全
には満足されていないからである。有利なのは、３０〜
８０Ｑｎｍの厚さであり、この場合には、３０〜５００
ｎｍの厚さの範囲を特に強調することができ、特に有利
には、４０〜２５０１ｍの範囲を強調することができる
。更に、４０〜２５０１ｍの範囲内では、４０−１００
０ｍの範囲が特に重要になる。それというのも、前記厚
さの新規薄層は、遮断作用、材料消費、製造費、機械的
強度、靭性および安定性に関連して最適な性質プロフィ
ール、ひいては特に良好な使用可能性を有するからであ
る。それに応じて、４０〜１００ｎｍの範囲が最適であ
り、その範囲内で新規薄層の厚さは変動し、かつ好まし
い方法で、例えば磁気光学的記録素子の物質的パラメー
ターおよび工業的パラメーターに有利に適合させること
ができる。

窒化物および酸化物、炭化物および酸化物、窒化物およ
び炭化物からなるかまたは炭化物、酸化物および窒化物
からなる厚さ２０〜ｌＯＯＱｎｍの多結晶性か、配位さ
れていないか、またはＸ線非晶質の単層または多層の新
規薄層、或いは炭化物、酸化物または窒化物からなる厚
さ２０　＝　ｌ　Ｏ００ｎ　ｍの多結晶性か、配位され
ていないか、またはＸ線非晶質の新規薄層を使用するか
否かとは無関係に、この新規薄層の本発明による炭化物
セラミック、酸化物セラミ。

りおよび／または窒化物セラミックは、常に本発明によ
り使用すべき元素組成物Ｉによって形成されている。

このことは、新規の薄層を形成する本発明によるセラミ
ックが元素組成物Ｉに関連して全容積に亘り均一かもし
くは十分に均一の構造を介し、すなわち新規の薄層が元
素組成物ｉに関連して濃度勾配を含まないかもしくは十
分に含まないことを意味する。

新規の本発明によるセラミ、りの５１２遣は、方法的に
特殊性を有するのではな（、所謂モダンセラミフクス”
製造の常用の公知技術により行なわれる。本発明によれ
ば、本発明によるセラミックの製造は、薄層の特に好ま
しい実施態様が有利である。また、新規薄層の製造は、
方法的に特殊性を有するのではな（、蒸着、反応性蒸着
、イオンメ・１キ（０イオンブレーティング）、イオン
クラスタービーム析出（ｉｏｎ　ｃｌｕｓｔｅｒ　ｂｅ
ａｓ＋　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）−（Ｊ　ＣＢ　）　、
陰極スパッタリング（スパッタリング）、または反応性
陰極スパッタリング（反応性スバ・ツタリング）による
炭化物薄層、酸化物薄層および／または窒化物薄層の製
造の常用の公知技術によって行なわれる。これらの技術
の中、反応性陰極スパッタリングは有利に使用され、反
応性マグネトロン陰極スパッタリング（反応性マグネト
ロンスパ・ツタリング）は、特に有利に使用される。

反応性陰極スパッタリングの場合には、周知のように、
陰極（ターゲット”）材料は、ヘリウムイオン、ネオン
イオン、アルゴンイオン、クリプトンイオンおよび／ま
たはキセノンイオンを真空中で衝突させることによって
ガス相中に移される（スパッタされる）。こうして生じ
るガスに、他の成分、例えば炭化水素、酸素および／ま
たは窒素が混入され、この成分は、スパッタされた陰極
材料と一緒になって処理ガスを形成する。この処理ガス
から、スパッタされた陰極材料は、反応性成分と一緒に
なって被覆すべき表面上に薄いセラミフク層として沈着
される。反応性マグネトロン陰極スパッタリングの場合
には、ターゲット”は、周知のように磁場中に存在する
。

更に、スパッタリング速度および析出速度ならびに処理
ガス圧および組成のような処理パラメーターを変えるこ
とにより、望ましい組成の本発明によるセラミックから
なる新規の薄層は、完全に意図的に極めて正確に多結晶
性であるか、配位されていないか、またはＸ線非晶質で
あるように製造することができる。適当な処理パラメー
ターの選択は、反応性（マグネトロン）陰極スパッタリ
ングの分野の存在する専門知識に基づきおよび／または
予備試験によって行なうことができる。

本発明によれば、新規薄層の製造には、陰極（ターゲッ
ト”）が使用され、このターゲットは、本発明により使
用すべき元素組成物Ｉを有する。陰極は、平らな円板ま
たは板の形を有し、かつ常用の公知の混合技術および成
形技術によりゲルマニウムおよび前記成分Ｍから緊密な
混合、均質化および成形によって製造される。　特に良
好に好適な陰極組成Ｉの例は、前記組成の元素組成物ｉ
ｆ〜Ｉ−１１である。

とは、特に有利であり、この真空雰囲気中、稀ガス対反
応性ガスの容量比は、ｌ：５〜１００：１であり、この
場合には、稀ガスとしてネオン、アルゴン、クリプトン
およびキセノンの群からの少なくとも１つの稀ガスまた
は有利にアルゴンと、ネオン、クリプトンおよびキセノ
ンの群からの少なくとも１つの稀ガスとの混合物（この
場合、アルゴンと、別の稀ガスとの容量比は、ｌ：５〜
ｉｏ：ｌである）が使用される。更に、処理ガスが水素
を含有することは、多くの場合に水素の存在により処理
結果がさらに改善されるので、有利である。水素を一緒
に使用する場合には、反応性ガス対水素の容量比は、２
：１〜２０：１である。

本発明によるセラミックは、殊に新規の薄層の形で有利
に拡散遮断層、耐蝕層または干渉層として適当であるか
、または機械的摩耗から敏感な表面を保護するために適
当である。殊に、本発明によるセラミックは、新規の磁
気光学的記録素子の極めて空気および水に敏感な記録層
（Ｂ）の腐蝕からの保護に使用される。この機能の点で
、新規の薄層は、新規の耐蝕層（Ｃ）と呼称される。こ
の新規の薄層は、新規の磁気光学的記録素子の本発明に
よる本質的な成分である。この新規の薄層の製造は、前
記の方法により、新規の磁気光学的記録素子の製造の範
囲内で行なわれ、この場合、個々の処理工程の順序は、
それぞれ５２造すべき新規の磁気光学的記録素子の望ま
しい構成により必然的に明らかになる。

新規の磁気光学的記録素子の他の本質的な成分は、光学
的に透明な寸法安定性の担体（Ａ）である。

好ましい担体（Ａ）は、直径９０または１３Ｑ　ｍ　ｍ
および厚さｌ−２ｍｍの常用で公知の円板形の光学的に
透明の寸法安定性の担体（Ａ）である。この担体（Ａ）
は、一般にガラスまたはプラスチック、例えばポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペン
タン、セルロースアセテートブチレートからなるかまた
はポリ−（ビニリデンフルオリド）とポリメチルメタク
リレートとの混合物もしくはポリスチロールとポリ−（
２，６−ジメチルフェニー１．４−イレン−エーテル）
との混合物からなる。この中、プラスチックからなる担
体（Ａ）が特に有利である。

記録層（Ｂ）に而している寸法安定性の担体（Ａ）の表
面は、パターンを有することができる。

担体（Ａ）の表面内のパターンは、ミクロンメートルの
範囲内および／またはサブミクロンメートルの範囲内に
ある。パターンは、読取りレーザー光の正確な案内に使
用され、かつディスクドライブのレーザー光学的な書込
みヘッドおよび読取りへフド内のトラフキングサーボ装
；δおよびオートフォーカス装置の迅速で正確な応答を
保証する。すなわち、このパターンは、トラ、キングを
可能にする。更に、このパターンそれ自体は、例えば公
知のオーディオ−コンパクト−ディスクもしくはビデオ
−コンパクト−ディスクの場合と同様にデータであるこ
とができるか、或いはこのパターンは、書込みデータの
コード化に使用することができる。パターンは、隆起し
た部分および／または凹所からなる。このパターンは、
通しで同心的かまたは螺旋形のシュプール溝の形で存在
するか、或いは孤立した丘陵および／または孔として存
在する。更に、パターンは、多少とも平滑な波形を有す
ることができる。この場合には、シュプール溝が優先的
に記載される。このジ−プールは、横方向に矩形の鋸歯
状か、■字形か、または台形状の輪郭を有する。このシ
ュプールの凹所は、一般にグループズ（ｇｒｏｏｖｅｓ
）”と呼称され、隆起部分は、ランド（ｌａｎｄ）”と
呼称される。特に有利なのは、深さ５０〜２００ｎｍお
よび幅広のグループズを有するシュプール溝であり、こ
のグループズの間には、それぞれ幅１〜３μｍのランド
”が存在する。

特に有利に使用される寸法安定性の担体（Ａ）の５２　
Ｂは、自体公知の方法でクリーンルームの条件下で射出
成形技術により担体（Ａ）を構成するプラスチ・１りま
たはプラスチック混合物を成形加工することによって行
なわれ、例えばこのことは、詳細には、ドイツ連邦共和
国特許出願第Ｐ３７２７０９３１号明細書に記載されて
いる。

前記方法で、表面上にシュブーＪし溝を有する寸法安定
性の担体（Ａ）を製造するのが特に有利である。

更に、新規の磁気光学的記録素子の本質的な成分は、非
晶質のランタニド遷移金属合金力１らなる磁気光学的記
録層（Ｂ）である。記録層（Ｂ）は、１０〜５０００ｍ
の厚さである。Ｊ己録層（Ｂ）の構成には、ランタニド
Ｐｒ、　ｌｉｄ、　Ｓ■、Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄ
ｙおよびＨＯならびＣこ遷移金属ＦｅおよびＣＯが当て
はまる。ランタニド対遷移金属の適当な混合比は、公知
技術水準から公知である。更に、非晶質のランタニド遷
移金属合金６１、なお他の元素、例えばＳｃ％Ｙ、Ｌａ
、Ｖ、ｌｌｂ％Ｔａ％Ｃｒ、ｌｌｏ。

Ｗ、Ｍｎ１Ｎｉ％Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、　Ｉｒ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｂ、ＡＩ％Ｇａ、
Ｉ　ｎ　、Ｓ　ｉ　−Ｇ　ｅ　ｓ　Ｓ　ｎ　、Ｐ　ｂ　
ｓ　Ｐ　、Ａ　ｓ　％Ｓ　ｂおよび／またはＢｉを常用
の公知量で含有することができる。

新規の磁気光学的記録素子の製造の範囲内で、記録層（
Ｂ）は、新規の薄層の製造のための前記技術により、寸
法安定性の担体（Ａ）上、有利に担体（Ａ）にａ置され
ている層上に製造される。

更に、新規の磁気光学的記録素子は、記録素子の機能に
利用される他の層を含有することができる。これは、常
用の公知の干渉層、反射層または付着層であるか、また
は他の磁化可能な層である。更に、新規の磁気光学的記
録素子の２つは、サントイブチ”状に互いに結合されて
いてもよく、したがってこの磁気光学的記録素子の記録
層（Ｂ）は、互いに面しており、かつそれらの間には一
定の間隔が支配しており、この場合常用で公知の技術は
、２つの記録素子を結合させるために使用される。

通常、記録層（Ｂ）中には、新規の磁気光学的記録素子
の製造後に限定された、層表面に対して垂直に配位され
た磁化が誘起される。

特に有利な新規の磁気光学的記録素子は、１、前記の特
に有利に使用される寸法安定性の担体（Ａ）、２、第１の新規の耐蝕層（Ｃ）、３、前記の記録層（Ｂ）および４、第２の新規の耐蝕層（Ｃ）ならびに場合によっては付加的に常用の公知の層を有す
る新規の磁気光学的データ板またはディスクである。

この新規の磁気光学的データ板の製造は、前記方法によ
り行なわれ、この場合処理工程の順序は、不可避的に構
成（Ａ）、（Ｃ）、（Ｂ）、（Ｃ）から明らかである。

新規の磁気光学的記録素子は、常法で光学的に透明の寸
法安定性の担体（Ａ）の側から７＜　）レス変調された
、記録層（Ｂ）　Ｉ：にピント合ワセされたおよび／ま
たは記録層（Ｂ）上に垂直に衝突する、１０００ｎｍ未
満の波長λのｈ込みレーザーを用いて非磁性化スボブト
”の形のデータで書込むことができる。その後に、この
データは、書込まれた記録層（Ｂ）上にピント合わせさ
れたおよび／または書込まれた記録層（Ｂ）上に垂直に
衝突する連続波長レーザー光を用いて読取ることができ
、この場合記録層（Ｂ）それ自体または場合によっては
存在する反射層によって反射された光が検出され、分析
され、かつ信号に変換される。新規の磁気光学的データ
板またはディスクの場合には、このために半導体レーザ
ーを備えているレーザー光学的ヘッドを有する常用の公
知のレーザー光学的ディスクドライブを使用することが
できる。

新規の磁気光学的記録素子は、公知技術に比較して、新
規の耐蝕層（Ｃ）の構成に対する本発明によるセラミフ
クの使用から最終的に明らかになる特別の利点を有する
。この新規の磁気光学的記録素子は、公知の磁気光学的
記録素子よりも高い感度を有し、それ故にこの新規の磁
気光学的記録素子は、相応する僅かなレーザー効串で書
込むことができる。従って、新規の磁気光学的データ板
（ディスク）は、同じレーザー効率で公知のディスクの
場合よりも高い板回転数で書込むことができる。また、
新規の磁気光学的データ板（ディスク）のビット密度は
、公知技術に比較して明らかに高められている。

読取りの場合、この新規の磁気光学的データ板（ディス
ク）は、歪のない信号を供給し、かつ５５ｄＢよりも大
−きい信号雑音比を有する。７０℃および相対空気湿度
９０％で１０００時間よりも多い貯蔵時間の後であって
も、ビット誤差率の上昇を生じない、すなわち情報の損
失を起こさない。

前記のように、新規の磁気光学的記録素子は、本発明に
よるセラミックからなる少なくとも１つの新規の耐蝕層
（Ｃ）を有する。この新規耐蝕層（Ｃ）は、耐引掻性で
あり、硬質で何首強さを有し、機械的に強く、応力を有
さず、かつ極端に空気および水に敏感な記録層（Ｂ）を
有利に遮蔽する。また、新規の耐蝕層（Ｃ）が光学的に
透明な干渉層として担体（Ａ）と記録層（Ｂ）との１ｍ
で使用される場合には、この新規の耐蝕層（Ｃ）は、光
学的適合作用の点で従来の干渉層を明らかに凌駕する。

その上、新規の耐蝕層（Ｃ）の卓越した耐蝕作用は、こ
の場合にも完全に支持されている。記録層（Ｂ）の両側
を新規の耐蝕層（Ｃ）で被覆することは、特に有利であ
ることが判明した。それによって、なかんず（本発明に
よる記録材料の寿命は、これまで達成可能であった時間
を越えて延長される。更に、新規の耐蝕層（Ｃ）が光学
的性質および機械的性質ならびに付着性に関連して新規
の磁気光学的記録素子の残りの層に、有利な、しかも簡
単な方法で適合させることができることは、有利に認め
ることができる。その上なお、新規の耐蝕層（Ｃ）は、
機能の点で干渉層としてカー回転角およびファラデ一回
転角を高めることができ、このことは、新規の磁気光学
的記録素子を実地に対してなお魅力的なものにする。

実施例次の実施例および比較試験において、本発明によるセラ
ミックの製造および特別の工業的利点を新規の磁気光学
的記録素子の５２造および使用のｉｉＦｊＩ内で詳細に
記載する。

実施例１〜２２新規の磁気光学的データ板の製造および使用技術的性質寸法安定性の担体（Ａ）として、４４個の直径１３０ｍ
ｍ、厚さｌ　−２ｍ　ｍの、シュプール溝を備えたポリ
カーボネート円板をクリーンルーム条件下で射出成形に
よって製造した。

その後に、ポリカーボネート円板（Ａ）　　（２２個、
実施例１〜２２）の回転下にシュプール溝が備えられて
いる側に個々の層（Ｂ）および（Ｃ）を所望の数、順序
および厚さでそれぞれ望ましい内部構造をもってガス相
から施こした。この場合、新規の耐蝕層（Ｃ）の施与は
、真空中での当該元素組成物ｍｌ〜Ｉ−１１の反応性マ
グネトロン陰極スバ、ツタリング（反応性マグネトロン
スパッタリング）ならびにそれぞれの処理ガスに対する
炭化水素、酸素および／または窒素の望ましい量の混合
によって行なわれた。これとは異なり、記録層（Ｂ）は
、Ｔｂ、ｏｙおよびＦｅからなるターゲット”の陰極ス
パッタリングによって製造された。この場合、処理パラ
メーターは、新規の磁気光学的データ板の第１表に記載
の組成が得られるように選択された（実施例１〜２２）
。

処理結果および分析すべき目的を試験するために、さら
に２２個の新規の磁気光学的データ板をそれぞれ比較可
能な条件下で製造した（実施例１ａ〜２２ａ）。このデ
ータ板につき、本発明によるセラミックからなる新規の
耐蝕層（Ｃ）の形態および物質的組成を、常用公知の、
部分的に物質を分解する分析法、例えば化学元素分析法
、光学顕微鏡法、走査電子顕微鏡法、Ｘ線分光分析法、
ＥＳＣＡ　（化学分析のための電子分光分析法）および
フレーム光度分析法により試験した。更に、常用公知の
分解なしの光学的方法および分光分析法により、１対の
実施例（１、ｌａ）〜（２２，２２ａ）のそれぞれの新
規の耐蝕層（Ｃ）がそれぞれ互いに同一であることを確
認し、したがって実施例１ａ〜２２ａにつき測定した物
質的パラメーターおよび形態的パラメーターを第１表中
に記入することができた。

実施例１〜２２の新規の磁気光学的データ板の記録層（
Ｂ）を製造直後に表面に対して垂直に磁化した。引続き
、新規の磁気光学的データ板を２３±２℃で４８時間空
気圧１０３±３゜５ｋＰａおよび相対空気湿度４５〜５
５％で状態調節した。

その後に、状態調節したデータ板に常用公知のディスク
ドライブを用いて正確に比較可能な条件下でデータを書
き込んだ。そのために、波長λ−８３０ｎｍの線形偏光
を放出する、パルス変調されたＧａＡＩＡｓ半導体レー
ザーを使用した。ビット長さ、すなわち非磁性化スポフ
ト”の直径ならびにビット間隔、すなわちスポット”か
らスポット”への間隔は、約１μｍであった。

書き込まれたデータをカー効果（実施例１〜１１）また
はファラデー効果（実ｔｉ＋Ｎ１２〜２２）により読み
取るには、光効率２ｍＷを有する連続波長装置中のＧａ
ＡＩＡｓ半導体レーザーを使用した。未修正のビット誤
差率を常用公知の時間間隔分析装置（ｔｉｍｅ　ｉｎｔ
ｅｒｖａｌ　ａｎａｌｙｚｅｒ”）を用いて測定した。

新規の磁気光学的データ板をまず書込み直後に読み取っ
た（１回目の読取り）。その後に、データ板に６０℃、
７０℃および８０℃で相対空気湿度９０％で磁気光学的
記録素子にとって典型的な加速寿命試験（ｂｅｓｃｂｌ
ｅｕａｉｇｔｅａ　ＬｅｂｅｎｓｄａｕｅｒｔｅｓＬ）
”を行ない、その後に再び読み取った（２回目の読取り
）。その際に得られた未修正のビット誤差率ならびに新
規の磁気光学的データ板の記録層（Ｂ）の光学電子顕微
鏡による鑑定および走査電子顕微鏡による鑑定から、新
規の磁気光学的データ板の寿命を標準条件下（３０℃、
相対空気湿度９０％）で評価した。この結果は、第２表
中に示されている。

比較試験ｖ１米国特許第４６６１４２０号明細書の記載から公知の磁
気光学的記録素子の製造および使用技術的性質米国特許第４６６１４２０号明細書、第６欄、第１８行
〜第２７行に記載の方法により、次の構成および次の組
成の比較板を製造したニー担体（Ａ）：厚さ１　、２　
ｍ　ｍ、直径１３０ｍｍのガラス板ニー第１の層：　（Ｇ　ｅ　Ｓ　ｉ　）ｏ、ｓＮｏ、１：
　Ｘ線非晶質、１層、１２０ｎｍ； −記録層（Ｂ）：ＴｂＦｅ、ｌｏＯｎｍ；−公知の耐蝕
層：Ｓｉ０２．１００ｎｍ。

この比較板を実施例１〜２２の記載と同様に磁化し、デ
ータを書き込み、読み取り、かつ試験した。この場合に
得られた試験結果を第２表中で実施例１〜２２からの値
と比較した。

この比較により、公知の組成の前記磁気光学的記録素子
は、貯蔵安定性に関連して新規の磁気光学的記録素子に
服することが判明し、このことは、第２のレーザーの際
に明らかに高められたビット誤差率につき認めることが
できた。

ｗ　　　　　ＬＯ（ＯトＱ）　　　　　の−−−−〜Ｃｑ　　　　　　　Ｃｑ第２表：試験結果実施例　　　　　ビット誤差率（未修Ｄ　　　　　　　
　寿命１回目の読取り　　２回目の読取り　　　　　（
積１　　　　　　＜ｔｏ−ｓ　　　　　　＜ｔｏ−ｓ　
　　　　　　＞１５２　　　　　　＜１０　　　　　　
＜１０−５　　　　　　　＞１５３　　　　　　＜ｉｏ
−ｓ　　　　　　＜ｔｏ−ｓ　　　　　　　）ｔｓ４　
　　　　　＜１０−５　　　　　　１０−５　　　　　
　−１５５　　　　　　＜ｔｏ−Ｓ　　　　　　＜１０
−５　　　　　　　＞１５６　　　　　　　　ｔｏ−ｓ
　　　　　　　ｔｏ−ｓ　　　　　　　−１５７＜１０
−５　　　　　　１０−５　　　　　　−１５８　　　
　　　　ｌｏ−５１０−５−１５９＜ｔｏ−ｓ　　　　
　　＜１０−５　　　　　　　＞１５１０　　　　　　
＜ｔｏ−ｓ　　　　　　＜ｌｏ−５＞１５１１　　　　
　　＜ｌｏ−”＋　　　　　　　１０−５　　　　　　
　＞１５１２　　　　　　＜ｔｏ−ｓ　　　　　　＜ｔ
ｏｓ　　　　　　　＞１５１４　　　　　＜ｔｏ−ｓ　
　　　　＜１０−５　　　　　＞１５１５　　　　　　
＜ｔｏ−ｓ　　　　　　　１０−５　　　　　　　＞１
５１８　　　　　　＜１０−５　　　　　　＜１０〜５
　　　　　　）１５１９　　　　　　　１０−５　　　
　　　　ｇｏ−５−１５２０＜ｔｏ−ｓ　　　　　　　
１０−５　　　　　　　＞１５２１　　　　　　＜１０
−５　　　　　　＜１０−５　　　　　　　＞１５２２
　　　　　　＜ｔｏ−ｓ　　　　　　　１０−５　　　
　　　　＞１５比較試験

Claims

【特許請求の範囲】

１．　元素組成物Ｉ：Ｇｅ＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ（Ｉ）［式中、Ｍはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、トリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セ
リウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、オイロ
ピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、
ホルミウム、エルピウム、ツリウム、イッテルピウム、
ルテチウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、
モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、
コバルト、ニッケル、ルテニゥム、ロジウム、銅、亜鉛
、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ム、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリ
ウム、珪素、錫、鉛、燐、砒素、アンチモン、蒼鉛およ
びテルルの群からの少なくとも１つの元素を表わし；ｘは０．０１〜０．７を表わす］によって形成されてい
る多結晶性か、配位されていないか、またはＸ線非晶質
の炭化物、酸化物および／または窒化物のセラミック。