JP2904989B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
の記録・再生を行う光磁気ディスク等の光磁気記録媒体
に関するものである。
の記録・再生を行う光磁気ディスク等の光磁気記録媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録再生装置では、基板上に第１
誘電体膜、垂直磁化膜、第２誘電体膜、反射膜を順次形
成した光磁気記録媒体の垂直磁化膜に基板側からレーザ
ー光を光スポットとして照射し、光スポット内の垂直磁
化膜の温度をキュリー温度付近まで上昇させることによ
り保磁力を低下させ、この状態で外部磁界を印加するこ
とにより情報を記録している。
誘電体膜、垂直磁化膜、第２誘電体膜、反射膜を順次形
成した光磁気記録媒体の垂直磁化膜に基板側からレーザ
ー光を光スポットとして照射し、光スポット内の垂直磁
化膜の温度をキュリー温度付近まで上昇させることによ
り保磁力を低下させ、この状態で外部磁界を印加するこ
とにより情報を記録している。
【０００３】記録された情報は、記録時よりも弱いレー
ザー光を基板側から照射し、反射光の偏光方向を検出す
ることにより再生される。
ザー光を基板側から照射し、反射光の偏光方向を検出す
ることにより再生される。
【０００４】持ち運び可能なコンパクトな光磁気記録再
生装置においては、長時間記録を実現するためには、消
費電力を小さくする必要がある。そこで、できるだけ弱
いレーザー光で情報を記録できるように、光磁気記録媒
体の垂直磁化膜には、キュリー温度の低い材料が使用さ
れている。さらに、レーザー光が垂直磁化膜により吸収
され、発熱した際、この熱が反射膜中に散逸しないよう
に、換言すれば、レーザー光が垂直磁化膜の昇温に有効
に利用されるように、できるだけ薄い反射膜が使用され
ている。
生装置においては、長時間記録を実現するためには、消
費電力を小さくする必要がある。そこで、できるだけ弱
いレーザー光で情報を記録できるように、光磁気記録媒
体の垂直磁化膜には、キュリー温度の低い材料が使用さ
れている。さらに、レーザー光が垂直磁化膜により吸収
され、発熱した際、この熱が反射膜中に散逸しないよう
に、換言すれば、レーザー光が垂直磁化膜の昇温に有効
に利用されるように、できるだけ薄い反射膜が使用され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、反射膜の膜厚をあまり薄くすると、反射率お
よびＣＮ比（carrier-to-noise ratio) が低下するの
で、情報の再生が困難になるという問題点を有してい
る。
構成では、反射膜の膜厚をあまり薄くすると、反射率お
よびＣＮ比（carrier-to-noise ratio) が低下するの
で、情報の再生が困難になるという問題点を有してい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記録
媒体は、上記の課題を解決するために、透光性を有する
基体上に第１の誘電体膜と、垂直磁化膜と、第２の誘電
体膜と、反射膜が順次形成されており、レーザー光によ
り情報の記録および再生を行う光磁気記録媒体におい
て、前記反射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以
下であるという第１の条件、前記第１および第２の誘電
体膜の熱伝導率は０を越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であ
るという第２の条件、前記垂直磁化膜のキュリー温度は
１６０℃以上であり１９０℃以下であるという第３の条
件、前記垂直磁化膜の膜厚は２００Å以上であり３００
Å未満であるという第４の条件の全４条件が満足されて
いることを特徴としている。
媒体は、上記の課題を解決するために、透光性を有する
基体上に第１の誘電体膜と、垂直磁化膜と、第２の誘電
体膜と、反射膜が順次形成されており、レーザー光によ
り情報の記録および再生を行う光磁気記録媒体におい
て、前記反射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以
下であるという第１の条件、前記第１および第２の誘電
体膜の熱伝導率は０を越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であ
るという第２の条件、前記垂直磁化膜のキュリー温度は
１６０℃以上であり１９０℃以下であるという第３の条
件、前記垂直磁化膜の膜厚は２００Å以上であり３００
Å未満であるという第４の条件の全４条件が満足されて
いることを特徴としている。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、透光性を有する基体上に
第１の誘電体膜と、垂直磁化膜と、第２の誘電体膜と、
反射膜が順次形成されており、レーザー光により情報の
記録および再生を行う光磁気記録媒体において、前記反
射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以下であると
いう第１の条件、前記第１および第２の誘電体膜の熱伝
導率は０を越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であるという第
２の条件、前記垂直磁化膜のキュリー温度は１６０℃以
上であり１９０℃以下であるという第３の条件、前記垂
直磁化膜の膜厚は２００Å以上であり３００Å未満であ
るという第４の条件の全４条件を満足しているので、記
録時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。
第１の誘電体膜と、垂直磁化膜と、第２の誘電体膜と、
反射膜が順次形成されており、レーザー光により情報の
記録および再生を行う光磁気記録媒体において、前記反
射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以下であると
いう第１の条件、前記第１および第２の誘電体膜の熱伝
導率は０を越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であるという第
２の条件、前記垂直磁化膜のキュリー温度は１６０℃以
上であり１９０℃以下であるという第３の条件、前記垂
直磁化膜の膜厚は２００Å以上であり３００Å未満であ
るという第４の条件の全４条件を満足しているので、記
録時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。
【０００８】すなわち、第１の条件によれば、垂直磁化
膜の熱が反射膜内を面内方向に散逸しにくくなるので、
記録時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。し
かも、充分な反射率を確保できるので、再生時に高いＣ
Ｎ比を得ることができる。
膜の熱が反射膜内を面内方向に散逸しにくくなるので、
記録時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。し
かも、充分な反射率を確保できるので、再生時に高いＣ
Ｎ比を得ることができる。
【０００９】第２の条件によれば、第１の条件と同様
に、垂直磁化膜３の熱が第１および第２の誘電体膜内を
面内方向に散逸しにくくなるので、記録時のレーザー光
の強度を従来よりも弱くできる。
に、垂直磁化膜３の熱が第１および第２の誘電体膜内を
面内方向に散逸しにくくなるので、記録時のレーザー光
の強度を従来よりも弱くできる。
【００１０】第３の条件によれば、記録温度付近におけ
る保磁力が低下するので、記録時のレーザー光の強度を
従来よりも弱くできる。しかも、記録ビットを長期間安
定に維持できる。
る保磁力が低下するので、記録時のレーザー光の強度を
従来よりも弱くできる。しかも、記録ビットを長期間安
定に維持できる。
【００１１】第４の条件によれば、第３の条件と同様
に、記録温度付近における保磁力が低下するので、記録
時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。しか
も、再生時に高いＣＮ比を得ることができる。
に、記録温度付近における保磁力が低下するので、記録
時のレーザー光の強度を従来よりも弱くできる。しか
も、再生時に高いＣＮ比を得ることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１３】本実施例の光磁気ディスク（光磁気記録媒
体）は、図４に示すように、透光性のある円盤状の基板
１（基体）に、第１の誘電体膜２、垂直磁化膜３、第２
の誘電体膜４、反射膜５を順次積層した構成になってい
る。
体）は、図４に示すように、透光性のある円盤状の基板
１（基体）に、第１の誘電体膜２、垂直磁化膜３、第２
の誘電体膜４、反射膜５を順次積層した構成になってい
る。
【００１４】基板１には、ガラス、または、ポリカーボ
ネイトやアクリル等のプラスチックが使用される。第１
および第２の誘電体膜２・４には、ＡｌＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯＮ等の窒化物が主に使用される。垂
直磁化膜３には、Ｔｂx （Ｆｅ1-yＣｏy ) 1-x 等の希
土類遷移金属合金が使用される。反射膜５には、Ａｌ等
の金属が使用される。
ネイトやアクリル等のプラスチックが使用される。第１
および第２の誘電体膜２・４には、ＡｌＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯＮ等の窒化物が主に使用される。垂
直磁化膜３には、Ｔｂx （Ｆｅ1-yＣｏy ) 1-x 等の希
土類遷移金属合金が使用される。反射膜５には、Ａｌ等
の金属が使用される。
【００１５】上記の光磁気ディスクは、例えば、スパッ
ター法により製造される。
ター法により製造される。
【００１６】まず、らせん状の案内溝が形成されたガラ
ス製の基板１をスパッター装置のアノード上にセット
し、窒素プラズマによるボンバードメント等によって、
基板１の表面クリーニングを行うと共に、スパッター装
置のチャンバー壁の脱ガスを行う。
ス製の基板１をスパッター装置のアノード上にセット
し、窒素プラズマによるボンバードメント等によって、
基板１の表面クリーニングを行うと共に、スパッター装
置のチャンバー壁の脱ガスを行う。
【００１７】次に、第１の誘電体膜２が反応性スパッタ
ーにより基板１上に形成される。すなわち、チャンバー
内に酸素ガス、窒素ガスおよびＡｒガスを導入し、Ｓｉ
ＡｌＯＮセラミックスをターゲットとして、スパッター
することにより、ＳｉＡｌＯＮを基板１上に約１０００
Å成膜する。
ーにより基板１上に形成される。すなわち、チャンバー
内に酸素ガス、窒素ガスおよびＡｒガスを導入し、Ｓｉ
ＡｌＯＮセラミックスをターゲットとして、スパッター
することにより、ＳｉＡｌＯＮを基板１上に約１０００
Å成膜する。
【００１８】それから、スパッターにより、垂直磁化膜
３としてのＴｂ21（Ｆｅ95Ｃｏ5 ）79を第１の誘電体膜
２上に約２００Å成膜する。
３としてのＴｂ21（Ｆｅ95Ｃｏ5 ）79を第１の誘電体膜
２上に約２００Å成膜する。
【００１９】次に、第１の誘電体膜２と同じ成膜方法に
より、第２の誘電体膜４としてのＳｉＡｌＯＮを垂直磁
化膜３１上に約３００Å成膜する。
より、第２の誘電体膜４としてのＳｉＡｌＯＮを垂直磁
化膜３１上に約３００Å成膜する。
【００２０】最後に、スパッターにより、反射膜５とし
てのＡｌを第２の誘電体膜４上に約２５０Å成膜する。
てのＡｌを第２の誘電体膜４上に約２５０Å成膜する。
【００２１】垂直磁化膜３として使用されたＴｂ21（Ｆ
ｅ95Ｃｏ5 ）79の保磁力の温度依存性を図３に示す。保
磁力は温度上昇と共に低下し、１７０℃でゼロになっ
た。すなわち、キュリー温度は１７０℃であった。
ｅ95Ｃｏ5 ）79の保磁力の温度依存性を図３に示す。保
磁力は温度上昇と共に低下し、１７０℃でゼロになっ
た。すなわち、キュリー温度は１７０℃であった。
【００２２】Ｔｂx （Ｆｅ1-y Ｃｏy ) 1-x の場合、ｙ
を小さくすると、キュリー温度が低下する。記録時のレ
ーザー光の強度を小さくするためには、キュリー温度が
低い方が望ましい。しかしながら、キュリー温度を下げ
過ぎると、記録ビットの保存性が低下する。実際、キュ
リー温度を１６０℃未満に設定した場合、８５℃の恒温
室に２４０時間放置すると、再生時のＣＮ比が３ｄＢ以
上、低下することが分かった。
を小さくすると、キュリー温度が低下する。記録時のレ
ーザー光の強度を小さくするためには、キュリー温度が
低い方が望ましい。しかしながら、キュリー温度を下げ
過ぎると、記録ビットの保存性が低下する。実際、キュ
リー温度を１６０℃未満に設定した場合、８５℃の恒温
室に２４０時間放置すると、再生時のＣＮ比が３ｄＢ以
上、低下することが分かった。
【００２３】そこで、記録時のレーザー光の強度を小さ
くし、かつ、記録ビットを長期間安定に維持するために
は、垂直磁化膜３のキュリー温度（Ｔc ）は、 １６０℃≦Ｔc ≦１９０℃ であることが好ましい。
くし、かつ、記録ビットを長期間安定に維持するために
は、垂直磁化膜３のキュリー温度（Ｔc ）は、 １６０℃≦Ｔc ≦１９０℃ であることが好ましい。
【００２４】記録時に必要なレーザーパワーおよび再生
時のＣＮ比は、図１に示すように、垂直磁化膜３の膜厚
に依存した。このレーザーパワーは、膜厚が小さくなる
にしたがって、曲線６のように小さくなった。これは、
膜厚を小さくすると、記録温度付近（約１６０℃）での
保磁力が小さくなるためである。一方、ＣＮ比は、膜厚
が２００Å未満になると、曲線７のように急激に低下し
た。
時のＣＮ比は、図１に示すように、垂直磁化膜３の膜厚
に依存した。このレーザーパワーは、膜厚が小さくなる
にしたがって、曲線６のように小さくなった。これは、
膜厚を小さくすると、記録温度付近（約１６０℃）での
保磁力が小さくなるためである。一方、ＣＮ比は、膜厚
が２００Å未満になると、曲線７のように急激に低下し
た。
【００２５】そこで、記録時のレーザー光の強度を小さ
くし、かつ、再生時に高いＣＮ比が得られるためには、
垂直磁化膜３の膜厚（ｔ1 ）は、 ２００Å≦ｔ1 ＜３００Å であることが好ましい。このとき、記録に必要なレーザ
ーパワーは４〜６ｍＷとなる。
くし、かつ、再生時に高いＣＮ比が得られるためには、
垂直磁化膜３の膜厚（ｔ1 ）は、 ２００Å≦ｔ1 ＜３００Å であることが好ましい。このとき、記録に必要なレーザ
ーパワーは４〜６ｍＷとなる。
【００２６】基板１側からレーザー光を照射したときの
反射率および再生時のＣＮ比は、図２に示すように、反
射膜５の膜厚に依存した。反射膜５の膜厚が２５０Å未
満になると、反射率は曲線８のように急激に低下した。
また、反射膜５の膜厚が２５０Å未満になると、ＣＮ比
も曲線９のように急激に低下した。
反射率および再生時のＣＮ比は、図２に示すように、反
射膜５の膜厚に依存した。反射膜５の膜厚が２５０Å未
満になると、反射率は曲線８のように急激に低下した。
また、反射膜５の膜厚が２５０Å未満になると、ＣＮ比
も曲線９のように急激に低下した。
【００２７】一方、反射膜５の膜厚が５００Åを越える
と、垂直磁化膜３の熱が反射膜５内を面内方向に散逸す
るので、レーザー光を垂直磁化膜３の昇温に有効に利用
できなくなる。
と、垂直磁化膜３の熱が反射膜５内を面内方向に散逸す
るので、レーザー光を垂直磁化膜３の昇温に有効に利用
できなくなる。
【００２８】そこで、記録時のレーザー光の強度を小さ
くし、かつ、再生時に高いＣＮ比が得られるためには、
反射膜５の膜厚（ｔ2 ）は、 ２５０Å≦ｔ2 ≦５００Å であることが好ましい。
くし、かつ、再生時に高いＣＮ比が得られるためには、
反射膜５の膜厚（ｔ2 ）は、 ２５０Å≦ｔ2 ≦５００Å であることが好ましい。
【００２９】また、垂直磁化膜３の熱は、反射膜５の場
合と同様に、第１および第２の誘電体膜２・４内を面内
方向に散逸するので、誘電体膜２・４の熱伝導率が小さ
い方が、レーザー光を垂直磁化膜３の昇温に有効利用す
る上で好ましい。
合と同様に、第１および第２の誘電体膜２・４内を面内
方向に散逸するので、誘電体膜２・４の熱伝導率が小さ
い方が、レーザー光を垂直磁化膜３の昇温に有効利用す
る上で好ましい。
【００３０】そこで、記録時のレーザー光の強度を小さ
くするためには、誘電体膜２・４の熱伝導率（ε）は、 ０Ｗ／ｃｍ・Ｋ＜ε≦０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ であることが好ましい。
くするためには、誘電体膜２・４の熱伝導率（ε）は、 ０Ｗ／ｃｍ・Ｋ＜ε≦０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ であることが好ましい。
【００３１】ちなみに、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＡｌ
ＯＮの熱伝導率は、それぞれ、３．５、１．７、０．２
Ｗ／ｃｍ・Ｋであり、この中では、ＳｉＡｌＯＮだけが
上記の条件を満足する。
ＯＮの熱伝導率は、それぞれ、３．５、１．７、０．２
Ｗ／ｃｍ・Ｋであり、この中では、ＳｉＡｌＯＮだけが
上記の条件を満足する。
【００３２】比較例として、ガラスの基板１と、ＳｉＮ
からなる誘電体膜２・４と、キュリー温度が２００℃で
膜厚が３００ÅのＴｂ21（Ｆｅ90Ｃｏ10）79と、膜厚が
５００ÅのＡｌの反射膜５からなる光磁気ディスクを上
記と同様の製造方法により、試作した。
からなる誘電体膜２・４と、キュリー温度が２００℃で
膜厚が３００ÅのＴｂ21（Ｆｅ90Ｃｏ10）79と、膜厚が
５００ÅのＡｌの反射膜５からなる光磁気ディスクを上
記と同様の製造方法により、試作した。
【００３３】そして、この光磁気ディスクおよび前記の
本実施例の光磁気ディスクに記録を行い、再生時のＣＮ
比を測定した結果、比較例の光磁気ディスクに７．０ｍ
Ｗのレーザーパワーで記録を行ったときに得られたＣＮ
比と、本実施例の光磁気ディスクに３．５ｍＷのレーザ
ーパワーで記録を行ったときに得られたＣＮ比がほぼ一
致した。すなわち、本実施例の光磁気ディスクでは、記
録時のレーザーパワーを比較例の光磁気ディスクの半分
に低減させることができた。
本実施例の光磁気ディスクに記録を行い、再生時のＣＮ
比を測定した結果、比較例の光磁気ディスクに７．０ｍ
Ｗのレーザーパワーで記録を行ったときに得られたＣＮ
比と、本実施例の光磁気ディスクに３．５ｍＷのレーザ
ーパワーで記録を行ったときに得られたＣＮ比がほぼ一
致した。すなわち、本実施例の光磁気ディスクでは、記
録時のレーザーパワーを比較例の光磁気ディスクの半分
に低減させることができた。
【００３４】以上の実施例では、光磁気記録媒体として
光磁気ディスクを挙げて説明したが、光磁気テープや光
磁気カード等の光磁気記録媒体にも本発明を応用でき
る。なお、光磁気テープに応用する場合、基板１の代わ
りに、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック製
テープを使用すればよい。
光磁気ディスクを挙げて説明したが、光磁気テープや光
磁気カード等の光磁気記録媒体にも本発明を応用でき
る。なお、光磁気テープに応用する場合、基板１の代わ
りに、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック製
テープを使用すればよい。
【００３５】
【発明の効果】本発明に係る光磁気記録媒体は、以上の
ように、反射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以
下であるという第１の条件、誘電体膜の熱伝導率は０を
越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であるという第２の条件、
垂直磁化膜のキュリー温度は１６０℃以上であり１９０
℃以下であるという第３の条件、垂直磁化膜の膜厚は２
００Å以上であり３００Å未満であるという第４の条件
の全４条件が満足されているので、記録時のレーザー光
の強度を従来よりも弱くできる。これにより、低消費電
力になるため、持ち運び可能なコンパクトな光磁気記録
再生装置による長時間記録を実現できるという効果を奏
する。
ように、反射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以
下であるという第１の条件、誘電体膜の熱伝導率は０を
越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であるという第２の条件、
垂直磁化膜のキュリー温度は１６０℃以上であり１９０
℃以下であるという第３の条件、垂直磁化膜の膜厚は２
００Å以上であり３００Å未満であるという第４の条件
の全４条件が満足されているので、記録時のレーザー光
の強度を従来よりも弱くできる。これにより、低消費電
力になるため、持ち運び可能なコンパクトな光磁気記録
再生装置による長時間記録を実現できるという効果を奏
する。
【図１】記録時に必要なレーザーパワーおよび再生時の
ＣＮ比を垂直磁化膜の膜厚に対してプロットしたグラフ
である。
ＣＮ比を垂直磁化膜の膜厚に対してプロットしたグラフ
である。
【図２】レーザー光の反射率および再生時のＣＮ比を反
射膜の膜厚に対してプロットしたグラフである。
射膜の膜厚に対してプロットしたグラフである。
【図３】垂直磁化膜の保磁力の温度依存性を示すグラフ
である。
である。
【図４】光磁気ディスクの概略の構成を示す縦断面図で
ある。
ある。
１ 基板（基体） ２ 誘電体膜（第１の誘電体膜） ３ 垂直磁化膜 ４ 誘電体膜（第２の誘電体膜） ５ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506 G11B 11/10 521 G11B 11/10 523
Claims (1)
- 【請求項１】透光性を有する基体上に第１の誘電体膜
と、垂直磁化膜と、第２の誘電体膜と、反射膜が順次形
成されており、レーザー光により情報の記録および再生
を行う光磁気記録媒体において、 前記反射膜の膜厚は２５０Å以上であり５００Å以下で
あるという第１の条件、前記第１および第２の誘電体膜
の熱伝導率は０を越え０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であると
いう第２の条件、前記垂直磁化膜のキュリー温度は１６
０℃以上であり１９０℃以下であるという第３の条件、
前記垂直磁化膜の膜厚は２００Å以上であり３００Å未
満であるという第４の条件の全４条件が満足されている
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4695892A JP2904989B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4695892A JP2904989B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250740A JPH05250740A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2904989B2 true JP2904989B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=12761799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4695892A Expired - Fee Related JP2904989B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904989B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684601B1 (en) * | 1994-05-26 | 1997-10-01 | Teijin Limited | Optical recording medium |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4695892A patent/JP2904989B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05250740A (ja) | 1993-09-28 |
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