JPH01264648A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH01264648A JPH01264648A JP63091533A JP9153388A JPH01264648A JP H01264648 A JPH01264648 A JP H01264648A JP 63091533 A JP63091533 A JP 63091533A JP 9153388 A JP9153388 A JP 9153388A JP H01264648 A JPH01264648 A JP H01264648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- polycarbonate
- resin
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光を用いて記録・再生・消去を行う
光ディスクにおいて、ディスクの高信頼化、長寿命化に
交通な光ディスクの製造方法に関する。
光ディスクにおいて、ディスクの高信頼化、長寿命化に
交通な光ディスクの製造方法に関する。
近年の高度情報化壮士の進展により、大容量高密度でし
かも書換え可能な光メモリに対するニーズが高まってい
る。こhを実現するメモリとして光記録が着目されてい
る。各種光記録の中で、最も実用化に近いものとして、
光磁気記録と相変化型光ディスクの二つのタイプがあり
、各所で研究開発が活性化している。ところで、ディス
ク価格の低減及びディスクの生産性向上をめざして、プ
ラスチック基板を用いたディスクの性能、信頼性につい
て検討したところ、■基板と記録媒体との密着性が悪い
、■基板と記録媒体との間の熱膨張率が異なる、■基板
が湿度により膨張したり収縮したすする、等のために記
録媒体が剥離したりクラックが入ったりしていた。それ
に対する対策を施した公知の例として、プラスチック基
板上にスパッタ法により有機膜を成膜した中間層を介し
て記録媒体を成膜する耐剥離性向上策を挙げることがで
きる。(第33回応用物理学会1986年春季大会予稿
集、pHl) 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来技術では、基板と記録媒体との
密着性の不良、熱膨張率の違いによる膜の剥離やクラッ
クの発生、さらにはプラスチック基板またはプラスチッ
ク層が水を含んだために基板が吸水膨張し、その結果ク
ラックや剥離が発生し、高信頼性でかつ長寿命を有する
ディスクが得られないという問題があった。
かも書換え可能な光メモリに対するニーズが高まってい
る。こhを実現するメモリとして光記録が着目されてい
る。各種光記録の中で、最も実用化に近いものとして、
光磁気記録と相変化型光ディスクの二つのタイプがあり
、各所で研究開発が活性化している。ところで、ディス
ク価格の低減及びディスクの生産性向上をめざして、プ
ラスチック基板を用いたディスクの性能、信頼性につい
て検討したところ、■基板と記録媒体との密着性が悪い
、■基板と記録媒体との間の熱膨張率が異なる、■基板
が湿度により膨張したり収縮したすする、等のために記
録媒体が剥離したりクラックが入ったりしていた。それ
に対する対策を施した公知の例として、プラスチック基
板上にスパッタ法により有機膜を成膜した中間層を介し
て記録媒体を成膜する耐剥離性向上策を挙げることがで
きる。(第33回応用物理学会1986年春季大会予稿
集、pHl) 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来技術では、基板と記録媒体との
密着性の不良、熱膨張率の違いによる膜の剥離やクラッ
クの発生、さらにはプラスチック基板またはプラスチッ
ク層が水を含んだために基板が吸水膨張し、その結果ク
ラックや剥離が発生し、高信頼性でかつ長寿命を有する
ディスクが得られないという問題があった。
そこで本発明の目的は、高信頼性でかつ長寿命を有する
光ディスクの製造方法を提供することにある。
光ディスクの製造方法を提供することにある。
上記目的は、各層間のうち密着性の弱い界面、或いは熱
膨張率が大きく異なる界面やいずれか一方の層が吸水膨
張するような基板を用いたディスクにおいて、基板また
は層状薄膜の基板と薄膜の界面にその界面を形成する2
種類の材料の混合物層または化合物層を、その界面に形
成することにより、達成される。
膨張率が大きく異なる界面やいずれか一方の層が吸水膨
張するような基板を用いたディスクにおいて、基板また
は層状薄膜の基板と薄膜の界面にその界面を形成する2
種類の材料の混合物層または化合物層を、その界面に形
成することにより、達成される。
界面を構成する2種の材料の混合物層または化合物層を
設け、さらにこの層中に組成勾配を設けることで、熱膨
張率の違いにより発生するクラックを抑制しかつ密着性
の改善に効果があり、長寿命で高信頼性を有するディス
クを得ることができる。さらに、吸湿膨張する層或いは
基板を有するディスクに対しても、この化合物層もしく
は混合物層は膨張もしくは収縮の応力の緩和に有効で、
゛クラック剥離を防止することができる。
設け、さらにこの層中に組成勾配を設けることで、熱膨
張率の違いにより発生するクラックを抑制しかつ密着性
の改善に効果があり、長寿命で高信頼性を有するディス
クを得ることができる。さらに、吸湿膨張する層或いは
基板を有するディスクに対しても、この化合物層もしく
は混合物層は膨張もしくは収縮の応力の緩和に有効で、
゛クラック剥離を防止することができる。
以下、本発明の詳細を実施例をもとに説明する。
[実施例1]
本実施例はディスク基板にポリカーボネート樹脂基板を
用いた場合で、断面構造の模式図は第1図に示すとおり
である。この基板1上に二元同時スパッタ法により約5
0人の膜厚にポリカーボネート樹脂とSj、gNt混合
物層2を形成し、スパッタを停止することなくひきつづ
きSiN下地層3を600人に形成した。ターゲットに
ポリカーボネー1〜樹脂と5iaN4焼結体を用い、放
電ガスにArを使用した。また、投入RF電力は、スパ
ッタ初期はポリカーボネー1〜が多くスパッタされ、ス
パッタの進行とともにポリカーボネートターゲラ1−に
投入する電力を低下させるとともに5isN4ターゲツ
)〜に投入する電力を増してゆき、最終的によりはS:
i、aN4のみをスパッタした。そして、これにこきつ
づき光磁気記録層4を形成した。組成はl’bzaFe
5acoIJbaで、磁気特性は、カー回転角: I7
に=0.33’ 、キュリー温度二Tc= 250 ’
C1補償温度: T co、p = 80 ℃、保磁カ
ニ Ha = 1. OKOeであった。そして最後に
、保護膜5として窒化シリコン膜を形成した。作製はマ
グネ1−ロンスパッタ法で行なった。5iaN4fl(
6給体をArでスパッタするかまたはSxをAr/N2
混合ガスでスパッタする手法のいずれかを用いた。形成
した膜質に大差ないが、後者の手法まSiとNの比が任
意に変えられるので、熱伝導率を変えることができ、記
録感度も制御できる。これは、下地膜3についても同様
の効果が得られた。
用いた場合で、断面構造の模式図は第1図に示すとおり
である。この基板1上に二元同時スパッタ法により約5
0人の膜厚にポリカーボネート樹脂とSj、gNt混合
物層2を形成し、スパッタを停止することなくひきつづ
きSiN下地層3を600人に形成した。ターゲットに
ポリカーボネー1〜樹脂と5iaN4焼結体を用い、放
電ガスにArを使用した。また、投入RF電力は、スパ
ッタ初期はポリカーボネー1〜が多くスパッタされ、ス
パッタの進行とともにポリカーボネートターゲラ1−に
投入する電力を低下させるとともに5isN4ターゲツ
)〜に投入する電力を増してゆき、最終的によりはS:
i、aN4のみをスパッタした。そして、これにこきつ
づき光磁気記録層4を形成した。組成はl’bzaFe
5acoIJbaで、磁気特性は、カー回転角: I7
に=0.33’ 、キュリー温度二Tc= 250 ’
C1補償温度: T co、p = 80 ℃、保磁カ
ニ Ha = 1. OKOeであった。そして最後に
、保護膜5として窒化シリコン膜を形成した。作製はマ
グネ1−ロンスパッタ法で行なった。5iaN4fl(
6給体をArでスパッタするかまたはSxをAr/N2
混合ガスでスパッタする手法のいずれかを用いた。形成
した膜質に大差ないが、後者の手法まSiとNの比が任
意に変えられるので、熱伝導率を変えることができ、記
録感度も制御できる。これは、下地膜3についても同様
の効果が得られた。
比較例として、ポリカーボネイトと窒化シリコンとの混
合層を有していないディスクを用いた。
合層を有していないディスクを用いた。
次にこのディスクの信頼性試験を行なった。手法として
、作製したディスクを60℃−95%RH(相対湿度)
中に放置したときの、記録媒体の変質、ディスク基板か
らの剥離やクラックの発生について調べた。その結果、
比較例では、80時間経過後ディスク全面にわたり剥離
が発生した。
、作製したディスクを60℃−95%RH(相対湿度)
中に放置したときの、記録媒体の変質、ディスク基板か
らの剥離やクラックの発生について調べた。その結果、
比較例では、80時間経過後ディスク全面にわたり剥離
が発生した。
これに対し、本発明を用いて作製したディスクは、10
00時間経過した後でも記録媒体の剥離や変質或いはク
ラックは生じていない。このように、本発明を用いるこ
とにより基板と記録媒体の密着性を大幅に向上させ、高
信頼性光ディスクを得ることができた。
00時間経過した後でも記録媒体の剥離や変質或いはク
ラックは生じていない。このように、本発明を用いるこ
とにより基板と記録媒体の密着性を大幅に向上させ、高
信頼性光ディスクを得ることができた。
[実施例2]
本実施例は、基板旧として熱硬化性UV樹脂を用いた場
合である。ディスクの作製方法及びディスタ構造は、ス
パッタのターゲットに基板材と同一の熱硬化型UV樹脂
を用いた以外は実施例1と同様とした。
合である。ディスクの作製方法及びディスタ構造は、ス
パッタのターゲットに基板材と同一の熱硬化型UV樹脂
を用いた以外は実施例1と同様とした。
このように作製したディスクの信頼性試験を実施例1と
同様の手法により行なった。すなわち、先に作製したデ
ィスクを60℃−95%RH中に放置したときの記録媒
体の変質、ティスフ基板からの剥離やクラックの発生に
ついて調べた。比較例には熱硬化型UV樹脂と窒化シリ
コンとを同時スパッタしないで、基板に直接窒化シリコ
ンを形成したディスクを用いた。その結果、本実施例の
ディスクは、1000時間この環境中に放置してもクラ
ックや剥離の発生、或いは光磁気記録膜の変質もみら札
なかった。これに対し比較例のディスクを回−環境中に
放置すると約150時間でクラックか発生した。このよ
うに本発明を用いることにより基板と記録媒体との密着
性を大幅に向上させ、高信頼性光ディスクを得ることが
できた。
同様の手法により行なった。すなわち、先に作製したデ
ィスクを60℃−95%RH中に放置したときの記録媒
体の変質、ティスフ基板からの剥離やクラックの発生に
ついて調べた。比較例には熱硬化型UV樹脂と窒化シリ
コンとを同時スパッタしないで、基板に直接窒化シリコ
ンを形成したディスクを用いた。その結果、本実施例の
ディスクは、1000時間この環境中に放置してもクラ
ックや剥離の発生、或いは光磁気記録膜の変質もみら札
なかった。これに対し比較例のディスクを回−環境中に
放置すると約150時間でクラックか発生した。このよ
うに本発明を用いることにより基板と記録媒体との密着
性を大幅に向上させ、高信頼性光ディスクを得ることが
できた。
[実施例3]
本実施例は、基板材としてポリオレフィン系樹脂を用い
た場合である。作製したディスクの構造は、第2図に示
すとおりで以下に述べる手順で製造した。ポリオレフィ
ン系樹脂基板1−上にまず、マグネ1〜ロンスパツタ装
置を用いて、基板1と同一材(6のポリオレフィン樹脂
ターゲットおよびS]0ターゲッj−を用い二元同時ス
バ′ツタ〃tにより基板材と下地膜材との混合層2を形
成した。その場合、膜形成の初期は、樹脂層を多く、s
10ヲ少すく、スパッタし、その後時間の経過とともに
S i Oを徐々に多くスパッタし、逆に樹脂のスパッ
タ率を減少させた。こうして混合層2は約70人の膜1
りどした。その後、放電を止めることなくスパッタはS
′ioのみとし、連続して約900人の下地Ia3を形
成した。ひきつづき、スパッタ法によりS n −Te
−S e糸情報記録媒体層6を500人膜厚に作製し
た。最後SiO保護膜5を2000人形成し、光ディス
クを形成した。
た場合である。作製したディスクの構造は、第2図に示
すとおりで以下に述べる手順で製造した。ポリオレフィ
ン系樹脂基板1−上にまず、マグネ1〜ロンスパツタ装
置を用いて、基板1と同一材(6のポリオレフィン樹脂
ターゲットおよびS]0ターゲッj−を用い二元同時ス
バ′ツタ〃tにより基板材と下地膜材との混合層2を形
成した。その場合、膜形成の初期は、樹脂層を多く、s
10ヲ少すく、スパッタし、その後時間の経過とともに
S i Oを徐々に多くスパッタし、逆に樹脂のスパッ
タ率を減少させた。こうして混合層2は約70人の膜1
りどした。その後、放電を止めることなくスパッタはS
′ioのみとし、連続して約900人の下地Ia3を形
成した。ひきつづき、スパッタ法によりS n −Te
−S e糸情報記録媒体層6を500人膜厚に作製し
た。最後SiO保護膜5を2000人形成し、光ディス
クを形成した。
そしてこのディスタの信頼性試験を実施例1と同様の1
法にて行なった。比較例には、基板材−下地膜混合層2
を設けず、基板1上に直接下地膜;3を形成したディス
クを用いた。その結果、本実施例で作製したディスクは
、60 ℃−95%RH中に1000時間放置しても、
媒体の剥離やクラック或いは記録媒体の変質はみられな
かった。これに対し、比較例では80時間で膜の剥離が
発生した。このように本発明の手法を用いることにより
、光ディスクの高イ;1頼化を達成した。
法にて行なった。比較例には、基板材−下地膜混合層2
を設けず、基板1上に直接下地膜;3を形成したディス
クを用いた。その結果、本実施例で作製したディスクは
、60 ℃−95%RH中に1000時間放置しても、
媒体の剥離やクラック或いは記録媒体の変質はみられな
かった。これに対し、比較例では80時間で膜の剥離が
発生した。このように本発明の手法を用いることにより
、光ディスクの高イ;1頼化を達成した。
本発明の効果は、下地膜、情報記録膜、或いは保護膜の
材質や膜厚に依存せず、プラスチツタ基板或いは表面が
樹脂の基板を用いたディスクからプラスチック上への膜
形成に対して顕著に表われる。
材質や膜厚に依存せず、プラスチツタ基板或いは表面が
樹脂の基板を用いたディスクからプラスチック上への膜
形成に対して顕著に表われる。
本発明によれば、基板材と基板表面に形成する膜材との
混合層を設しづることにより、基板とその表面に形成す
る膜との密着性向上や熱膨張率の違いによる膜の剥離や
割れ(クラック)の防止等にrq) 効果があり、ディスクの信頼性、ひいては形成した膜寿
命に対して延命効果を有する。
混合層を設しづることにより、基板とその表面に形成す
る膜との密着性向上や熱膨張率の違いによる膜の剥離や
割れ(クラック)の防止等にrq) 効果があり、ディスクの信頼性、ひいては形成した膜寿
命に対して延命効果を有する。
第1図および第2図は本発明の実施例による方法で作製
した光ディスクの縦断面図である。 ]・・・基板、2・・基板−下地膜混合層、3 下地膜
、4・・・光磁気記録膜、5・保護膜、6・・情報記録
媒体。
した光ディスクの縦断面図である。 ]・・・基板、2・・基板−下地膜混合層、3 下地膜
、4・・・光磁気記録膜、5・保護膜、6・・情報記録
媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザー光を用いて記録や再生成いは消去を行う光
ディスクにおいて基板材とその表面上に形成する媒体層
との間、或いは媒体各層の界面に、基板材媒体層材の混
合物層または化合物層或いは、各媒体層界面に両媒体の
混合層または化合層を設けたことを特徴とする光ディス
クの製造方法。 2、基板材として樹脂材料さらに優位には、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン、アクリル系樹脂、或いはUV
樹脂を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の光ディスクの製造方法。 3、混合層の形成において、基板に近い側には基板材の
濃度を高くし、媒体層側は、媒体材の濃度を高くする等
して混合層中に組成勾配を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63091533A JPH01264648A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63091533A JPH01264648A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01264648A true JPH01264648A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14029086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63091533A Pending JPH01264648A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01264648A (ja) |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63091533A patent/JPH01264648A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6122458A (ja) | 光磁気記録素子 | |
JPS6124041A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
JPH01264648A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
JPS61190734A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH02265052A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
JPH0442452A (ja) | 光磁気ディスク及びその製法 | |
JPH1116211A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
JPH04219650A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JPS6316439A (ja) | 光学的磁気記録媒体の製造法 | |
JPH0619859B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0430343A (ja) | 光記録媒体用保護膜 | |
JP2703003B2 (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
JPH03122846A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH01173457A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS6157053A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JPH02252150A (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 | |
JPS62109247A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
JPH038147A (ja) | 光デイスク | |
JPS63197043A (ja) | 光デイスク | |
JPS6314346A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
JPH03268249A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS62256246A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS639049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS63119049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH01286151A (ja) | 光磁気記録媒体 |