JPS6122456A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6122456A JPS6122456A JP14294084A JP14294084A JPS6122456A JP S6122456 A JPS6122456 A JP S6122456A JP 14294084 A JP14294084 A JP 14294084A JP 14294084 A JP14294084 A JP 14294084A JP S6122456 A JPS6122456 A JP S6122456A
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- magneto
- optical recording
- recording medium
- conductive film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、磁気
カー効果などの磁気光学効果を利用して読み出すことの
できる磁気記録媒体に関するものである。
カー効果などの磁気光学効果を利用して読み出すことの
できる磁気記録媒体に関するものである。
光磁気メモリの研究は、１９５７年にＭｚＢｊ薄膜上に
熱ペンを用いて記録を行ない、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのがその端緒であるといわれ
ている。その後のレーザの発展に刺激されて、ＭｎＢ１
系の材料を中心として精力的な研究が行なわれてきたが
、レーザ光源ならびにその利用技術が未成熟にあったた
めに実用化には至らなかった。
熱ペンを用いて記録を行ない、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのがその端緒であるといわれ
ている。その後のレーザの発展に刺激されて、ＭｎＢ１
系の材料を中心として精力的な研究が行なわれてきたが
、レーザ光源ならびにその利用技術が未成熟にあったた
めに実用化には至らなかった。
しかし、１９７０年代における光情報処理関連技術の進
展および非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新
しい磁性薄膜材料の研究が進み、ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦ
ｅ 、 Ｄ７７Ｆｅ、 ＧｄＣ６などの合金薄膜が開発
されてきた。これらの材料は、一般に次のような特徴を
有している。
展および非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新
しい磁性薄膜材料の研究が進み、ＧｄＦｅ 、 ＴｂＦ
ｅ 、 Ｄ７７Ｆｅ、 ＧｄＣ６などの合金薄膜が開発
されてきた。これらの材料は、一般に次のような特徴を
有している。
ＧｄＦｅ 、 ＧｄＣｏなどの補償点記録用光磁気記録
媒体は、カー回転角がキューリ一点記録用光磁気記録媒
体に比較して大きく光再生特性は優れているものの保磁
力が小さく（数百エルステッド）１尾径程度の微小ビッ
トが安定に得られない、また、ＴｂＦｅ 、 ＤｙＦ（
３などのキューリ一点記録用光磁気記録媒体は、上述と
逆に保磁力が大きく（数キロエルステッド）１μｍ径程
鹿の微小ビットを安定に得ることが出来るものの、カー
回転角が小さく光再生特性があまり良くないなどの欠点
を有していた。
媒体は、カー回転角がキューリ一点記録用光磁気記録媒
体に比較して大きく光再生特性は優れているものの保磁
力が小さく（数百エルステッド）１尾径程度の微小ビッ
トが安定に得られない、また、ＴｂＦｅ 、 ＤｙＦ（
３などのキューリ一点記録用光磁気記録媒体は、上述と
逆に保磁力が大きく（数キロエルステッド）１μｍ径程
鹿の微小ビットを安定に得ることが出来るものの、カー
回転角が小さく光再生特性があまり良くないなどの欠点
を有していた。
これらの二元合金薄膜の欠点を補うため、従来８つの方
法が試みられてきた。
法が試みられてきた。
（１）三元あるいは四元化する。例えば、二元のＧｄ’
ＰａとＴｂＦ、の長所を生かし、欠点を補うＧｄＴｌ）
Ｆｅ三元合金あるいはＧｄＴｌ）ＦｅＣ，四元合金のよ
うに多元化していく方法。
ＰａとＴｂＦ、の長所を生かし、欠点を補うＧｄＴｌ）
Ｆｅ三元合金あるいはＧｄＴｌ）ＦｅＣ，四元合金のよ
うに多元化していく方法。
（２）二元合金薄膜のままで、作製法の改善あるいは新
しい作製法で特性を改善する方法。
しい作製法で特性を改善する方法。
（３）多層構造化する方法。記録媒体に誘電体層を重ね
て多重反射によるカー効果の増大をはかる。
て多重反射によるカー効果の増大をはかる。
また記録層と再生層を分離して、それぞれに適した材料
を用いる。あるいは記録媒体の裏側に反射層を設けて、
表面からの反射光だけでなく、媒体を透過した光も反射
させて利用するなどの方法である。上記（２）で述べて
いる作製法の改善とは、光磁気記録媒体作製時に、基板
にＤＣバイアスを印加するという方法である。この方法
を図示したのが図１であり、１１は基板ホルダー、１２
は基板、１３は基板固定用治具、１４ 、１５はシール
ド板、１６はシャッター、１７はＤＣバイアス電源、１
８は高周波電源、１９はターゲットである。
を用いる。あるいは記録媒体の裏側に反射層を設けて、
表面からの反射光だけでなく、媒体を透過した光も反射
させて利用するなどの方法である。上記（２）で述べて
いる作製法の改善とは、光磁気記録媒体作製時に、基板
にＤＣバイアスを印加するという方法である。この方法
を図示したのが図１であり、１１は基板ホルダー、１２
は基板、１３は基板固定用治具、１４ 、１５はシール
ド板、１６はシャッター、１７はＤＣバイアス電源、１
８は高周波電源、１９はターゲットである。
しかしながら上記（２）で述べているＤＣバイアス法は
、通常光磁気記録基板としガラス、ＰＭＭＡ、ｐｃ基板
等の透明絶縁体が用いられるため、ＤＣバイアスの効果
を有せしめるには■上記基板上に予めＡＩ／、 Ｃ１Ｌ
、 Ａ４ 、 Ａｌ１等の金属薄膜を積層し、これと基
板ホルダーとを接触させて光磁気記録層を積層したもの
■基板外周に沼って帯状に導電性塗料を塗布し、形成さ
れた導電性塗膜と基板ホルダーとを接触させながら磁性
薄膜を積層したものが提案されたが、■のものでは、金
属膜が不透明なために基板側から光磁気記録再生が出来
ないという欠点があり、■のものでは塗膜が基板全体に
形成されていないことから基板全体に連続した光磁気記
録層が形成された後でないと全体にバイアス電圧が作用
することがないので光磁気記録層が多層化（バイアスの
かかった所とそうでない所）してしまい異常ヒステリシ
スループになるなど、して磁気特性の劣化、再現性の悪
化につながるという欠点を有していた。これらの欠点の
改良として、透明基板上に透明導電膜を作成し導通を取
って基板全体にＤＣバイアスがかかるよう（シ（特開昭
５８−２１５７４４）、その後光磁気記録層を作成する
という方法が考えられた。その光磁気記録媒体の構造は
図２に示すようＫなる。
、通常光磁気記録基板としガラス、ＰＭＭＡ、ｐｃ基板
等の透明絶縁体が用いられるため、ＤＣバイアスの効果
を有せしめるには■上記基板上に予めＡＩ／、 Ｃ１Ｌ
、 Ａ４ 、 Ａｌ１等の金属薄膜を積層し、これと基
板ホルダーとを接触させて光磁気記録層を積層したもの
■基板外周に沼って帯状に導電性塗料を塗布し、形成さ
れた導電性塗膜と基板ホルダーとを接触させながら磁性
薄膜を積層したものが提案されたが、■のものでは、金
属膜が不透明なために基板側から光磁気記録再生が出来
ないという欠点があり、■のものでは塗膜が基板全体に
形成されていないことから基板全体に連続した光磁気記
録層が形成された後でないと全体にバイアス電圧が作用
することがないので光磁気記録層が多層化（バイアスの
かかった所とそうでない所）してしまい異常ヒステリシ
スループになるなど、して磁気特性の劣化、再現性の悪
化につながるという欠点を有していた。これらの欠点の
改良として、透明基板上に透明導電膜を作成し導通を取
って基板全体にＤＣバイアスがかかるよう（シ（特開昭
５８−２１５７４４）、その後光磁気記録層を作成する
という方法が考えられた。その光磁気記録媒体の構造は
図２に示すようＫなる。
２１はガラス・ＰＭＭＡ＠ＰＣ等の透明基板で、ｎが透
明導電膜、るは光磁気記録層、冴は＆＃ 、 Ｃｗ等の
反射膜もしくはｓｈｏ ２等の保護膜である。しかしな
がら、この透明導電膜を作成する方法は、光磁気記録層
を作成する際にＤＣバイアスを印加する事が出来、さら
に基板側からレーザー光による記録再生が出来るものの
、多重反射によるカー効果の増大をはかることが出来な
い、さらには光磁気記録媒体としての耐候性が悪いとい
う重大な欠点を有していた。
明導電膜、るは光磁気記録層、冴は＆＃ 、 Ｃｗ等の
反射膜もしくはｓｈｏ ２等の保護膜である。しかしな
がら、この透明導電膜を作成する方法は、光磁気記録層
を作成する際にＤＣバイアスを印加する事が出来、さら
に基板側からレーザー光による記録再生が出来るものの
、多重反射によるカー効果の増大をはかることが出来な
い、さらには光磁気記録媒体としての耐候性が悪いとい
う重大な欠点を有していた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、光磁気記録層を作成する際ＫＤＣバイ
アスを印加することが出来、かつ基板側からレーザー光
による記録ビットの再生の際に多重反射によるカー効果
の増大をはかること、さらには耐候性の良い光磁気記録
媒体を提供することＫある。
とするところは、光磁気記録層を作成する際ＫＤＣバイ
アスを印加することが出来、かつ基板側からレーザー光
による記録ビットの再生の際に多重反射によるカー効果
の増大をはかること、さらには耐候性の良い光磁気記録
媒体を提供することＫある。
本発明の光磁気記録媒体は、光磁気記録層と光磁気記録
に用いる透明基板間に前記透明基板から見て順に透明導
電膜と誘電体膜の少なくとも２層が形成されていること
を特徴とす名。
に用いる透明基板間に前記透明基板から見て順に透明導
電膜と誘電体膜の少なくとも２層が形成されていること
を特徴とす名。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
本発明の基本構造を第８図（α）、第８図（ｂ）に示す
、３１はガラス又はＰＭＭＡ 、ＰＣ等のプラスチック
基板、３２はエフＬ２０３．８７）Ｏ，、ＴｚＯ等の透
明導電膜、３３はＡ！Ｎ＠ Ｓ＠３Ｎ４ ｌＢ’ ＋
Ｓｚｏ、 ｅ Ｓ＠Ｏ＊Ａ、５２０３ 、 ＺｒＯ２，
’ｒｈｏ２． Ｍ１７ＦＺ 、 ＺｎＳ 、 Ｅｉ等の
誘電体膜、３４はＴｂＦ、 、 Ｇ４Ｆ、 、 ＴｂＦ
６Ｃ，、ＧｄＴｂＦｅ 。
、３１はガラス又はＰＭＭＡ 、ＰＣ等のプラスチック
基板、３２はエフＬ２０３．８７）Ｏ，、ＴｚＯ等の透
明導電膜、３３はＡ！Ｎ＠ Ｓ＠３Ｎ４ ｌＢ’ ＋
Ｓｚｏ、 ｅ Ｓ＠Ｏ＊Ａ、５２０３ 、 ＺｒＯ２，
’ｒｈｏ２． Ｍ１７ＦＺ 、 ＺｎＳ 、 Ｅｉ等の
誘電体膜、３４はＴｂＦ、 、 Ｇ４Ｆ、 、 ＴｂＦ
６Ｃ，、ＧｄＴｂＦｅ 。
ＮｄＦｅＢ 、 ＮｄＦ’ｇＴｊ 等の光磁気記録層
、３５はＡ７Ｎ 。
、３５はＡ７Ｎ 。
５ｉｏ２．等の保護膜もしくは、ＡＡ 、 Ｃｕ 、
Ａｇ 、 Ａｕ等の反射膜である。
Ａｇ 、 Ａｕ等の反射膜である。
そして３６はポリエチレンテレフタレー） （ＰＪＤＴ
）等の絶縁膜である。この絶縁膜は電気的に透明導電膜
からの電場により絶縁破壊する厚みで良い（１，０μｍ
まで）、上記薄膜（透明導電膜、誘電体膜、絶縁膜、光
磁気記録膜、保護膜、反射膜）は真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、ＣＶＤ、ＰＶＤなどの薄
膜形成技術により作成する。次に本発明により笑際に作
成した光磁気記録実施例１ 第３図（、Ｚ）に示す構造を有する媒体で基板３１とし
て、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用いて前
記ガラス基板上ＩＣ３２として透明導電膜である工Ｔｏ
（工ｎｚＯｓ ： ＥｎＯｚ＝ ９５：５ｗｔ％）膜を
ａＯＯ久″作成しておく。その後、図１に示す基板ホル
ダ１１と前記透明導電膜付ガラス基板とを基板固定用治
具１３を用いて固定し、透明導電膜と基板ホルダーとの
導通を取る。そして、第３図０）の３３としてＡＡＮの
誘電体膜を８０ＯＡスパツタ法で作成し、その後ＤＣバ
イアスＶｂ ＝−７０Ｖを印加しながらあのＴｂｚｓＦ
ｅ７６ ａｔ％膜１０００Ａをスパッタ法テ形成した。
）等の絶縁膜である。この絶縁膜は電気的に透明導電膜
からの電場により絶縁破壊する厚みで良い（１，０μｍ
まで）、上記薄膜（透明導電膜、誘電体膜、絶縁膜、光
磁気記録膜、保護膜、反射膜）は真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、ＣＶＤ、ＰＶＤなどの薄
膜形成技術により作成する。次に本発明により笑際に作
成した光磁気記録実施例１ 第３図（、Ｚ）に示す構造を有する媒体で基板３１とし
て、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用いて前
記ガラス基板上ＩＣ３２として透明導電膜である工Ｔｏ
（工ｎｚＯｓ ： ＥｎＯｚ＝ ９５：５ｗｔ％）膜を
ａＯＯ久″作成しておく。その後、図１に示す基板ホル
ダ１１と前記透明導電膜付ガラス基板とを基板固定用治
具１３を用いて固定し、透明導電膜と基板ホルダーとの
導通を取る。そして、第３図０）の３３としてＡＡＮの
誘電体膜を８０ＯＡスパツタ法で作成し、その後ＤＣバ
イアスＶｂ ＝−７０Ｖを印加しながらあのＴｂｚｓＦ
ｅ７６ ａｔ％膜１０００Ａをスパッタ法テ形成した。
さらに最後に３５の反射膜としてへ！膜５００Ａを形成
した。
した。
上述と同様の方法で、ＡＡＮの誘電体膜の膜厚を変化さ
せたものさらに、ＤＣバイアスを変化させたものの実験
をおこなった。カー回転角θには波長８８０ｎｍで測定
した。この結果を第４図に示す。
せたものさらに、ＤＣバイアスを変化させたものの実験
をおこなった。カー回転角θには波長８８０ｎｍで測定
した。この結果を第４図に示す。
４１は誘電体膜が無の媒体、４２は誘電体膜が１００Ａ
、４３は誘電体膜が８０ ＯＡ 、 ４４は５００ Ａ
、 ４５は８００Ａ厚である。これから明らかな様に
窮電体腓が無い媒体よりも誘電体膜の存在している媒体
の方がＯｋは大きくしかもｖｂの絶縁値の増大とともに
θには大きくなる。さらに比較のために工Ｔ。
、４３は誘電体膜が８０ ＯＡ 、 ４４は５００ Ａ
、 ４５は８００Ａ厚である。これから明らかな様に
窮電体腓が無い媒体よりも誘電体膜の存在している媒体
の方がＯｋは大きくしかもｖｂの絶縁値の増大とともに
θには大きくなる。さらに比較のために工Ｔ。
膜を付けずに誘電体膜だけを形成したもののｅｊｋを示
す、４６は４４の場合と同じ５００ Ａ 、 ４８は４
３と同じ８００ Ａ 、 ４９は４２と同じ１００Ａで
ある。これらから明らかなように本発明による透明導電
膜付誘電体膜による光磁気記録媒体はカー回転角のエン
ハンスメント効果もあり、さらにバイアス効果によるカ
ー回転角の増大もある。第５図に第４図の４５の場合に
よるカーヒステリシスを示す。この図から判るようにバ
イアス電圧の絶縁値の増大とともに角型比も良くなり膜
質が向上し、より垂直磁化膜となっている。さらに耐候
試験による光磁気記録媒体の安定性を調べることを目的
に、第４図４５ ＯＶｂ ＝−７０ｖノ媒体と、同じく
第４図４１のＶｂ ＝−７０Ｖの媒体とをω℃９０％Ｒ
′Ｈの恒温恒湿槽に入れ保持力の変化を測定した。第６
図にその結果を示す。縦軸に変化後の保磁力を初期の保
磁力で割ったもの、又は横軸は経過日数である。６１は
光磁気記録層が補償組成よりＲＦ！ −ｒｉｃｈであり
、６８は’Ｐｅ −ｒｉｃｈの膜である。６１及び６８
がガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｅ ＋ Ａ ７の構造、
６２は本発明によるガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ ＋
ＴｂＰｅ ＋ ＡＡの構造である。この図から明らかな
ように本発明による６２の媒体は全く経時変化がなく非
常に安定している。一方、従来の６１及び６８の媒体は
、経時変化が激しい。これは、希土類の酸化によるもの
と考えられる。
す、４６は４４の場合と同じ５００ Ａ 、 ４８は４
３と同じ８００ Ａ 、 ４９は４２と同じ１００Ａで
ある。これらから明らかなように本発明による透明導電
膜付誘電体膜による光磁気記録媒体はカー回転角のエン
ハンスメント効果もあり、さらにバイアス効果によるカ
ー回転角の増大もある。第５図に第４図の４５の場合に
よるカーヒステリシスを示す。この図から判るようにバ
イアス電圧の絶縁値の増大とともに角型比も良くなり膜
質が向上し、より垂直磁化膜となっている。さらに耐候
試験による光磁気記録媒体の安定性を調べることを目的
に、第４図４５ ＯＶｂ ＝−７０ｖノ媒体と、同じく
第４図４１のＶｂ ＝−７０Ｖの媒体とをω℃９０％Ｒ
′Ｈの恒温恒湿槽に入れ保持力の変化を測定した。第６
図にその結果を示す。縦軸に変化後の保磁力を初期の保
磁力で割ったもの、又は横軸は経過日数である。６１は
光磁気記録層が補償組成よりＲＦ！ −ｒｉｃｈであり
、６８は’Ｐｅ −ｒｉｃｈの膜である。６１及び６８
がガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｅ ＋ Ａ ７の構造、
６２は本発明によるガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ ＋
ＴｂＰｅ ＋ ＡＡの構造である。この図から明らかな
ように本発明による６２の媒体は全く経時変化がなく非
常に安定している。一方、従来の６１及び６８の媒体は
、経時変化が激しい。これは、希土類の酸化によるもの
と考えられる。
他の誘電体、透明導電膜を使用した場合の実施例を次に
示す。
示す。
実施例２
透明導電膜にＴｚＯ膜８００Ａを使用し、誘電体膜にＡ
＃ １００ Ｘ 、 ａｏｏ久、５００λ１８００久を
それぞれ用いた場合の本発明効果を図示したものが第７
図である。７１がＴｈｏ膜８００Ａシリ媒体、７２，７
８．７４．７５がそれぞれＴｉＯ膜８００ Ａ Ｋ Ａ
ｌ２Ｏ２Ａ 、 ８００ Ａ 、 ５００ Ａ’ 、
８００ Ａ膜付けた媒体である。この結果は第４図の場
合と同じ傾向であり、本発明は透明導電膜にＴｏｏ”を
用いた場合も有効である。
＃ １００ Ｘ 、 ａｏｏ久、５００λ１８００久を
それぞれ用いた場合の本発明効果を図示したものが第７
図である。７１がＴｈｏ膜８００Ａシリ媒体、７２，７
８．７４．７５がそれぞれＴｉＯ膜８００ Ａ Ｋ Ａ
ｌ２Ｏ２Ａ 、 ８００ Ａ 、 ５００ Ａ’ 、
８００ Ａ膜付けた媒体である。この結果は第４図の場
合と同じ傾向であり、本発明は透明導電膜にＴｏｏ”を
用いた場合も有効である。
実施例３
誘電体膜１ｃ ５ｉｓＮ４． Ｂ Ｎ 、 Ｂｉａｓ
、 ＳｊＯ、Ａ／、Ｏｓｅ ｚｏｏ２ａ Ｔｚｏ２＃
”ｙｌ ｅ ｚｎｓｅ ｓｚＭ ７００ Ｘ ’ｃ Ａ
ぞれ使用し、透明導電膜に工ＴＯ８００Ｘ用いた場合の
本発明の効果を第８図釦示す、８１は工ＴＯ膜のみ、８
２，８８．８４，８５，８６，８７．８８，８９，９０
．９１はそれぞれ８ｉ０ 、 ＳｚＯ。
、 ＳｊＯ、Ａ／、Ｏｓｅ ｚｏｏ２ａ Ｔｚｏ２＃
”ｙｌ ｅ ｚｎｓｅ ｓｚＭ ７００ Ｘ ’ｃ Ａ
ぞれ使用し、透明導電膜に工ＴＯ８００Ｘ用いた場合の
本発明の効果を第８図釦示す、８１は工ＴＯ膜のみ、８
２，８８．８４，８５，８６，８７．８８，８９，９０
．９１はそれぞれ８ｉ０ 、 ＳｚＯ。
、 ＴｚＯ２、Ａ７２０３ 、 ｚｊｏ、 、 ＢＮ
、 ＺｆＬ８ 、 ＭｇＦ２ 、 Ｅｉ。
、 ＺｆＬ８ 、 ＭｇＦ２ 、 Ｅｉ。
５ｚ３Ｎ４、膜である。この結果も第４図の場合と同じ
傾向を示し、本発明は上記に示す誘電体膜を用いた場合
も有効である。
傾向を示し、本発明は上記に示す誘電体膜を用いた場合
も有効である。
以上の実施例に示された様に本発明による構造を有する
光磁気記録媒体では、光磁気記録層を作成する際に：Ｄ
Ｃバイアスを印加することが出来、さらに多重反射によ
るカー効果の増大をはかることが出来る。又、耐候性が
良く、長期信頼性に優れるものである。
光磁気記録媒体では、光磁気記録層を作成する際に：Ｄ
Ｃバイアスを印加することが出来、さらに多重反射によ
るカー効果の増大をはかることが出来る。又、耐候性が
良く、長期信頼性に優れるものである。
尚、本発明による実施例の光磁気記録媒体に用いた基板
はガラスでありたが、ＰＭＭＡ 、ＰＣ。
はガラスでありたが、ＰＭＭＡ 、ＰＣ。
等のプラスチック基板であっても何らさしつかえない。
さらに上記基板にトラッキング用の溝が形成されていて
も本発明は有効である。また、それぞれの基板を２枚重
ねで貼り合わせてもよい。さらに、光磁気記録層がＴｂ
Ｆ、以外に、 ＧｄＦ６ 。
も本発明は有効である。また、それぞれの基板を２枚重
ねで貼り合わせてもよい。さらに、光磁気記録層がＴｂ
Ｆ、以外に、 ＧｄＦ６ 。
ＧｄｃＯ、ＴｂＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＦ６ＣＯ
、Ｔ６ＤＹＦｅ、 ＧｄＴｂＦ、Ｃｏ、 ＮｄＦ’ｇＢ
、 １ｉ、ｙｅｒ６等のカー効果を有する光磁気記録
層全てに対して効果がある。
、Ｔ６ＤＹＦｅ、 ＧｄＴｂＦ、Ｃｏ、 ＮｄＦ’ｇＢ
、 １ｉ、ｙｅｒ６等のカー効果を有する光磁気記録
層全てに対して効果がある。
又、実施例では透明導電膜の膜厚は８００Ａで使用して
いるが、導通がとれて、しかも透明であれは膜厚はいく
らでも良く、又、誘電体膜の膜厚も８００八程度までで
なくともカー効果のエンハンスする範囲であればいくら
でも良い。さらに１誘電体膜として上記実施例以外のｃ
４、ｏ、 、 ５ｂ２０３゜Ｎｄ、Ｏ，、ＣｇＦ、を用
いても本発明は有効である。
いるが、導通がとれて、しかも透明であれは膜厚はいく
らでも良く、又、誘電体膜の膜厚も８００八程度までで
なくともカー効果のエンハンスする範囲であればいくら
でも良い。さらに１誘電体膜として上記実施例以外のｃ
４、ｏ、 、 ５ｂ２０３゜Ｎｄ、Ｏ，、ＣｇＦ、を用
いても本発明は有効である。
第１図はＤＣバイアス、スパッタ装置を示す断面図で、
第２図は従来のｒｉｃバイアスを印加歯、来第４図は、
本発明によるＤＣバイアスが印加出来、しかもカー効果
がエンハンスした実験結果を示すグラフであり、第５図
（イ）〜（ホ）は、本発明によるカーヒステリシスを示
した図である。さらに第６図は本発明による光磁気記録
媒体の安定性を示したグラフであり、恒温恒湿槽６０℃
９ＱｌＲＨ中のデータを示すグラフである。第７図は本
発明の透明導電膜にＴｚＯを用いた場合の特性を示した
グラフ、第８図は誘電性膜に、Ｓ’３Ｎ４ ＊ ＳＬ
、 ＺＴｏ、 、 Ｚ、ｒ８等の膜を用いた場合の本発
明の効果を図示したものである。 ＩＩ・・・基板ホルダー １２・・・基板 １３・・Φ基板固定用治具 １４・・・シールド板 １５・嚇・シールド板 １６−−・シャッター １７・倫・ＤＣバイアス電源 １８・・・高周波電源 １９・・・ターゲット ２１・・・ガラス・ＰＭＭＡΦＰＧ等の透明基板２２・
・・透明導電膜 ｎ・・・光磁気記録層 冴・・・Ａ７ 、 Ｃ１Ｌ等の反射膜もしくは５ｈｏ２
等の保護膜 ３１・−・ガラス又はＰＭＭＡ 、ＰＣ等のプラスチッ
ク基板 ３２−−−１’ｒＬ＊Ｏｓ 、 ｓｎｏ、 、 Ｔｏｏ
等の透明導電膜３３１＋＠・Ａ７Ｎ 、 ５ｚ３Ｎ４
、 ＢＮ 、 ＢｉＯ２、ＢｉＯ、ＡＡ２０ｇ 、 Ｚ
ｙＯ２ｊＴｊＯ，、Ｍｇ’ＦＢ 、 ７７１Ｂ 、 Ｂ
ｉ等の誘電体膜 ３４ ｍ ＊ ＊ Ｔｌ）ＦＢ 、 ＧｄＩ’６ 、
ＴｂＦｇＣＯａ Ｇ（ｌＴｂ’ｅ ａｙｄＦ、Ｂ、 １
Ｊ（１ｙ、Ｔｚ等の光磁気記録層３５・・・ＡＪＮ 、
ｓｈｏ、等の保護膜もしくは、Ａ〕、 ＣＢ 、 Ａ
ｇ 、 Ａ４等の反射膜である。 ３６・・・ポリエチレンテレフタレート等の絶縁膜 ４１−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｇ ＋ ＡＡ４
２−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ Ａ、１ＮＩＯＱＡ＋Ｔｂ
Ｆｇ＋ＡＪ４３・・・ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ８０
０Ａ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ４４−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
Ａ、／、Ｎ５ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＪ４５−−−ガラス
子工Ｔ Ｏ４−ＩＪＮ８００Ａ＋ＴｂＦｅ＋ＡＡ４６−
−−ガラス＋Ａ７ＮＩＱＱＡ ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＡＡ
４７争・・ガラス＋ＡＪＮ８００Ａ ＋ ＴｂＦｇ ＋
＆＃４８・ａｓガラス＋Ａ、１Ｎ５ＱＱＡ −１−Ｔ
ｂＦ、 ＋ ＡＡ４９・―・ガラス＋ＡＡＮ８００Ａ
＋ ＴｂＦｅ ＋ Ａ７６１−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
ＴｂＦｅ（Ｔｂ−ｒｉｃｈ）＋ＡＺ６２−− ＠ガラ
ス子工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ ＋ ＴｂＦｌｌ ＋ ＡＡ６
Ｂ −−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｇ（Ｆｇ−ｒｊ
ｃＡ）＋ＡＡ７１−−−ガラス＋ＴｚＯ＋ Ｔ６Ｆ、
＋ Ａ、＃７２−−−ガラス＋ＴｉＯ＋ ＡＡＮ１００
Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ１７Ｂ ｍ ｍ ｍ 、ｌ’／ ラス
＋ ＴｉＯ＋ Ａｊ’、Ｎ８ＱＱＸ＋ＴｂＦｇ＋Ａ、ｉ
７４−−−ガラｘ ＋ ＴｊＯ＋ Ａ７１Ｊ５００Ａ＋
ＴｂＦｇ＋ＡＡ７５−−−ガラス＋ Ｔｚｏ ＋ Ａ７
Ｎ８ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ７６−−−ガラス＋Ａ７Ｎ
ＩＯＱＡ＋Ｔ６Ｆｇ＋ＡＪ７７・ｅ・ガラス＋Ａ７Ｎ３
ＱＱＡ ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＆＃７８−−−ガラス＋Ａ
ＡＮ５００Ａ ＋ ＴｂＦ、 ＋ ＡＡ７９・・・ガラ
ス＋Ａ、１Ｎ８ＱＱＡ ＋ ＴｂＦｅ＋ Ａ７８１−−
−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＡＡ８２−−−
ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ５ｉ０７００Ｘ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ
８８１１ ＠ １１ガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＢｉＯ２７０
０Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ７８４−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
Ｔ４０２７０ＯＡ＋Ｔｂ’？６＋Ａ、／＞８５ ・・串
’ｉｆ ラス＋ Ｉ Ｔ Ｏ＋ ＆＃２０３７００Ａ＋
ＴｂＦｇ＋ＡＡ８６−−−ガラス子工Ｔ○＋ｚｒ０２７
０ＯＡ＋Ｔｂｌ１′ｅ＋Ａｊ８７ ＠−−ガラス＋工Ｔ
Ｏ＋ Ｂ Ｎ ７００Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ７ｇ３６ ＠
＠ガラス子工Ｔ ０−１− ＺｒＬＳ７００Ａ午Ｔｂ
Ｆｇ＋Ａ、／８９−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＭｇＦｚ
７ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ９０ ＠−−ガラス＋工Ｔ
Ｏ−１−５７７ＱＱＡ＋ＴｂＦｅ＋ＡＪ９１−−−ガ
ラス子工Ｔ Ｏ＋ Ｓｉｓ Ｎ４７００Ａ＋ＴｂＦｅ＋
Ａ７以 上
第２図は従来のｒｉｃバイアスを印加歯、来第４図は、
本発明によるＤＣバイアスが印加出来、しかもカー効果
がエンハンスした実験結果を示すグラフであり、第５図
（イ）〜（ホ）は、本発明によるカーヒステリシスを示
した図である。さらに第６図は本発明による光磁気記録
媒体の安定性を示したグラフであり、恒温恒湿槽６０℃
９ＱｌＲＨ中のデータを示すグラフである。第７図は本
発明の透明導電膜にＴｚＯを用いた場合の特性を示した
グラフ、第８図は誘電性膜に、Ｓ’３Ｎ４ ＊ ＳＬ
、 ＺＴｏ、 、 Ｚ、ｒ８等の膜を用いた場合の本発
明の効果を図示したものである。 ＩＩ・・・基板ホルダー １２・・・基板 １３・・Φ基板固定用治具 １４・・・シールド板 １５・嚇・シールド板 １６−−・シャッター １７・倫・ＤＣバイアス電源 １８・・・高周波電源 １９・・・ターゲット ２１・・・ガラス・ＰＭＭＡΦＰＧ等の透明基板２２・
・・透明導電膜 ｎ・・・光磁気記録層 冴・・・Ａ７ 、 Ｃ１Ｌ等の反射膜もしくは５ｈｏ２
等の保護膜 ３１・−・ガラス又はＰＭＭＡ 、ＰＣ等のプラスチッ
ク基板 ３２−−−１’ｒＬ＊Ｏｓ 、 ｓｎｏ、 、 Ｔｏｏ
等の透明導電膜３３１＋＠・Ａ７Ｎ 、 ５ｚ３Ｎ４
、 ＢＮ 、 ＢｉＯ２、ＢｉＯ、ＡＡ２０ｇ 、 Ｚ
ｙＯ２ｊＴｊＯ，、Ｍｇ’ＦＢ 、 ７７１Ｂ 、 Ｂ
ｉ等の誘電体膜 ３４ ｍ ＊ ＊ Ｔｌ）ＦＢ 、 ＧｄＩ’６ 、
ＴｂＦｇＣＯａ Ｇ（ｌＴｂ’ｅ ａｙｄＦ、Ｂ、 １
Ｊ（１ｙ、Ｔｚ等の光磁気記録層３５・・・ＡＪＮ 、
ｓｈｏ、等の保護膜もしくは、Ａ〕、 ＣＢ 、 Ａ
ｇ 、 Ａ４等の反射膜である。 ３６・・・ポリエチレンテレフタレート等の絶縁膜 ４１−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｇ ＋ ＡＡ４
２−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ Ａ、１ＮＩＯＱＡ＋Ｔｂ
Ｆｇ＋ＡＪ４３・・・ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ８０
０Ａ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ４４−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
Ａ、／、Ｎ５ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＪ４５−−−ガラス
子工Ｔ Ｏ４−ＩＪＮ８００Ａ＋ＴｂＦｅ＋ＡＡ４６−
−−ガラス＋Ａ７ＮＩＱＱＡ ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＡＡ
４７争・・ガラス＋ＡＪＮ８００Ａ ＋ ＴｂＦｇ ＋
＆＃４８・ａｓガラス＋Ａ、１Ｎ５ＱＱＡ −１−Ｔ
ｂＦ、 ＋ ＡＡ４９・―・ガラス＋ＡＡＮ８００Ａ
＋ ＴｂＦｅ ＋ Ａ７６１−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
ＴｂＦｅ（Ｔｂ−ｒｉｃｈ）＋ＡＺ６２−− ＠ガラ
ス子工Ｔ Ｏ＋ ＡＡＮ ＋ ＴｂＦｌｌ ＋ ＡＡ６
Ｂ −−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦｇ（Ｆｇ−ｒｊ
ｃＡ）＋ＡＡ７１−−−ガラス＋ＴｚＯ＋ Ｔ６Ｆ、
＋ Ａ、＃７２−−−ガラス＋ＴｉＯ＋ ＡＡＮ１００
Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ１７Ｂ ｍ ｍ ｍ 、ｌ’／ ラス
＋ ＴｉＯ＋ Ａｊ’、Ｎ８ＱＱＸ＋ＴｂＦｇ＋Ａ、ｉ
７４−−−ガラｘ ＋ ＴｊＯ＋ Ａ７１Ｊ５００Ａ＋
ＴｂＦｇ＋ＡＡ７５−−−ガラス＋ Ｔｚｏ ＋ Ａ７
Ｎ８ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ７６−−−ガラス＋Ａ７Ｎ
ＩＯＱＡ＋Ｔ６Ｆｇ＋ＡＪ７７・ｅ・ガラス＋Ａ７Ｎ３
ＱＱＡ ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＆＃７８−−−ガラス＋Ａ
ＡＮ５００Ａ ＋ ＴｂＦ、 ＋ ＡＡ７９・・・ガラ
ス＋Ａ、１Ｎ８ＱＱＡ ＋ ＴｂＦｅ＋ Ａ７８１−−
−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＴｂＦ６ ＋ ＡＡ８２−−−
ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ５ｉ０７００Ｘ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ
８８１１ ＠ １１ガラス＋工Ｔ Ｏ＋ ＢｉＯ２７０
０Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ７８４−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋
Ｔ４０２７０ＯＡ＋Ｔｂ’？６＋Ａ、／＞８５ ・・串
’ｉｆ ラス＋ Ｉ Ｔ Ｏ＋ ＆＃２０３７００Ａ＋
ＴｂＦｇ＋ＡＡ８６−−−ガラス子工Ｔ○＋ｚｒ０２７
０ＯＡ＋Ｔｂｌ１′ｅ＋Ａｊ８７ ＠−−ガラス＋工Ｔ
Ｏ＋ Ｂ Ｎ ７００Ａ＋ＴｂＦｇ＋Ａ７ｇ３６ ＠
＠ガラス子工Ｔ ０−１− ＺｒＬＳ７００Ａ午Ｔｂ
Ｆｇ＋Ａ、／８９−−−ガラス子工Ｔ Ｏ＋ ＭｇＦｚ
７ＱＱＡ＋ＴｂＦｇ＋ＡＡ９０ ＠−−ガラス＋工Ｔ
Ｏ−１−５７７ＱＱＡ＋ＴｂＦｅ＋ＡＪ９１−−−ガ
ラス子工Ｔ Ｏ＋ Ｓｉｓ Ｎ４７００Ａ＋ＴｂＦｅ＋
Ａ７以 上
Claims (3)
- （１）磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの２
値をとる光磁気記録層に光を照射し記録再生する光磁気
記録媒体において、前記光磁気記録層と前記光磁気記録
媒体に用いる透明基板間に該透明基板から見て順に透明
導電膜と誘電体膜の少なくとも２層が形成されているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）透明導電膜がＳｎＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３、Ｔｉ
Ｏ、ＺｎＯのうち少なくとも１種類以上から成っている
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光磁
気記録媒体。 - （３）誘電体膜がＡｌＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＢＮ、Ｓｉ
Ｏ＿２、ＳｉＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ
＿２、ＭｇＦ＿２、ＺｎＳ、Ｓｉのうち少なくとも１種
類以上から成っていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載及び第（２）項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294084A JPS6122456A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294084A JPS6122456A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122456A true JPS6122456A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15327180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14294084A Pending JPS6122456A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122456A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110642A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-05-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気媒体 |
| EP0239390A2 (en) * | 1986-03-27 | 1987-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optomagnetic recording medium |
| EP0245833A2 (en) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| JPS6331049A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| US4897320A (en) * | 1986-03-20 | 1990-01-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| JPH05144107A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14294084A patent/JPS6122456A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110642A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-05-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気媒体 |
| US4897320A (en) * | 1986-03-20 | 1990-01-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| EP0239390A2 (en) * | 1986-03-27 | 1987-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optomagnetic recording medium |
| EP0245833A2 (en) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| JPS6331049A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH05144107A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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