JPS63307514A - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
- Publication number
- JPS63307514A JPS63307514A JP62143002A JP14300287A JPS63307514A JP S63307514 A JPS63307514 A JP S63307514A JP 62143002 A JP62143002 A JP 62143002A JP 14300287 A JP14300287 A JP 14300287A JP S63307514 A JPS63307514 A JP S63307514A
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- current
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電源電圧の変動による影Cを回避した定電
流回路に関する。
流回路に関する。
定電流回路は、たとえば、第3図に示すように、電流ミ
ラー回路2.4を以て構成し、トランジスタQ1のベー
ス・エミッタ間の順方向電圧降下■2に抵抗R1による
電圧降下R,−1を加えた電圧(VF +RI ・■
)と、トランジスタQ2の順方向電圧降下■、とで設定
される定電流Iを、電流ミラー回路4のPNP型トラン
ジスタQ3、Q、 、Q、を通して取り出し、その定電
流■を負荷としての抵抗R3に供給している。この定電
流回路において、トランジスタQ、および抵抗R。
ラー回路2.4を以て構成し、トランジスタQ1のベー
ス・エミッタ間の順方向電圧降下■2に抵抗R1による
電圧降下R,−1を加えた電圧(VF +RI ・■
)と、トランジスタQ2の順方向電圧降下■、とで設定
される定電流Iを、電流ミラー回路4のPNP型トラン
ジスタQ3、Q、 、Q、を通して取り出し、その定電
流■を負荷としての抵抗R3に供給している。この定電
流回路において、トランジスタQ、および抵抗R。
は、起動回路を構成している。
ところで、この定電流回路では、電源電圧VCCが一定
であるとき、安定した定電流Iが得られるが、電源電圧
VCCが変化すると、トランジスタQ1の出力アドミタ
ンスh。、の影響により、電源電圧■。、の変化に応じ
て定電流■の値が変化する電源電圧依存性を持っている
。
であるとき、安定した定電流Iが得られるが、電源電圧
VCCが変化すると、トランジスタQ1の出力アドミタ
ンスh。、の影響により、電源電圧■。、の変化に応じ
て定電流■の値が変化する電源電圧依存性を持っている
。
したがって、このような定電流回路では、電源電圧■c
cが激しく変動すると、その出力電流は定電流として得
られないばかりか、電池のように消耗によって電圧が減
衰すると、それに応じて定電流の値が減少するので、定
電流出力の信頼性が低いものであった。
cが激しく変動すると、その出力電流は定電流として得
られないばかりか、電池のように消耗によって電圧が減
衰すると、それに応じて定電流の値が減少するので、定
電流出力の信頼性が低いものであった。
そこで、この発明は、電源電圧の変化に無関係に安定し
た定電流を得ようとするものである。
た定電流を得ようとするものである。
この発明の定電流回路は、第1図に示すように、第1の
トランジスタQ、のベース・コレクタに第2のトランジ
スタQ + xのベースを接続した第1の電流ミラー回
路3と、第3のトランジスタQ+3のベース・コレクタ
に第4のトランジスタQ + aのベースを接続した第
2の電流ミラー回路5と、第1のトランジスタQ、のベ
ース・コレクタと第3のトランジスタQIffのベース
・コレクタとの間に設置されるとともに、第2および第
4のトランジスタQ1□、Q Iaのコレクタにベース
を接続した第5のトランジスタQ + sとを備えたも
のである。
トランジスタQ、のベース・コレクタに第2のトランジ
スタQ + xのベースを接続した第1の電流ミラー回
路3と、第3のトランジスタQ+3のベース・コレクタ
に第4のトランジスタQ + aのベースを接続した第
2の電流ミラー回路5と、第1のトランジスタQ、のベ
ース・コレクタと第3のトランジスタQIffのベース
・コレクタとの間に設置されるとともに、第2および第
4のトランジスタQ1□、Q Iaのコレクタにベース
を接続した第5のトランジスタQ + sとを備えたも
のである。
このように構成されたことによって、第1の電流ミラー
回路3の第2のトランジスタQ + tのコレクタ電位
が、第5のトランジスタQ lsによって固定される結
果、第2のトランジスタQ+zのコレクタ・エミッタ間
電位が一定になる。この結果、トランジスタQIzの出
力アドミタンスh。、の補正が行われ、電源電圧vcc
の変動の影響が軽減され、安定した定電流■を得ること
ができるのである。
回路3の第2のトランジスタQ + tのコレクタ電位
が、第5のトランジスタQ lsによって固定される結
果、第2のトランジスタQ+zのコレクタ・エミッタ間
電位が一定になる。この結果、トランジスタQIzの出
力アドミタンスh。、の補正が行われ、電源電圧vcc
の変動の影響が軽減され、安定した定電流■を得ること
ができるのである。
第1図は、この発明の定電流回路の実施例を示す。
第1の電流ミラー回路3は、第1のトランジスタQ1.
のベース・コレクタに第2のトランジスタQIzのベー
スを接続するとともに、トランジスタQllのエミッタ
側に抵抗R11を接続したものである。また、第2の電
流ミラー回路5は、第3のトランジスタQ + sのベ
ース・コレクタに第4のトランジスタQ + aのベー
スを接続するとともに、各トランジスタQ l 3、Q
14のエミッタ側に抵抗RI2、RI3を接続し、トラ
ンジスタQ 11% Q10のベース・コレクタ間をト
ランジスタQ + sのエミッタ・コレクタ間を介して
接続し、トランジスタQISのベースをトランジスタQ
1□、Q + 4のコレクタに接続したものである。ト
ランジスタQ8、Q+zはNPN型トランジスタ、トラ
ンジスタQ + 3、Q14はPNP型トランジスタを
以て構成し、トランジスタQ I +のエミッタ面積を
トランジスタQ + tのn倍に設定する。ただし、電
流ミラー回路を構成する場合、PNP型のトランジスタ
からなるトランジスタQ I :l % Q + a、
Q + bは、ベース電流の影響を無視できる程度に十
分な電流増幅率り、。を備えていることが必要である。
のベース・コレクタに第2のトランジスタQIzのベー
スを接続するとともに、トランジスタQllのエミッタ
側に抵抗R11を接続したものである。また、第2の電
流ミラー回路5は、第3のトランジスタQ + sのベ
ース・コレクタに第4のトランジスタQ + aのベー
スを接続するとともに、各トランジスタQ l 3、Q
14のエミッタ側に抵抗RI2、RI3を接続し、トラ
ンジスタQ 11% Q10のベース・コレクタ間をト
ランジスタQ + sのエミッタ・コレクタ間を介して
接続し、トランジスタQISのベースをトランジスタQ
1□、Q + 4のコレクタに接続したものである。ト
ランジスタQ8、Q+zはNPN型トランジスタ、トラ
ンジスタQ + 3、Q14はPNP型トランジスタを
以て構成し、トランジスタQ I +のエミッタ面積を
トランジスタQ + tのn倍に設定する。ただし、電
流ミラー回路を構成する場合、PNP型のトランジスタ
からなるトランジスタQ I :l % Q + a、
Q + bは、ベース電流の影響を無視できる程度に十
分な電流増幅率り、。を備えていることが必要である。
電流ミラー回路5には、トランジスタQ13に流れる定
電流Iを取り出すために、トランジスタQ+3のベース
・コレクタに共通にベースヲ接続シたトランジスタQI
&が出力用トランジスタとして設置されている。
電流Iを取り出すために、トランジスタQ+3のベース
・コレクタに共通にベースヲ接続シたトランジスタQI
&が出力用トランジスタとして設置されている。
トランジスタQ + 4のコレクタ・エミッタ間電圧も
電源電圧VCCに依存し、出力アドミタンスh0゜の変
化をもたらすが、抵抗R+z、RI3により帰還をかけ
ることによって電流変化を防ぐことができる。
電源電圧VCCに依存し、出力アドミタンスh0゜の変
化をもたらすが、抵抗R+z、RI3により帰還をかけ
ることによって電流変化を防ぐことができる。
そして、トランジスタQ + 、および抵抗R1&は、
電源投入時、トランジスタQIフを通してトランジスタ
Q13に起動電流を流す起動回路を構成している。
電源投入時、トランジスタQIフを通してトランジスタ
Q13に起動電流を流す起動回路を構成している。
このように構成すると、トランジスタQI5が導通ずる
条件としてトランジスタQCsのベース電位がそのエミ
ッタ電位より、トランジスタQl+のベース・エミッタ
間電圧Vat(=Vri順方向ダイオード電圧)だけ高
くなることが必要である。そして、トランジスタQ r
sのベース・エミッタ間電圧■rと、トランジスタQ
、のベース・エミッタ間電圧vFとから設定されるトラ
ンジスタQCsのベース電位(=2VF)によって、ト
ランジスタQ + 2のコレクタ電位が固定される。こ
のため、トランジスタQ + 2のコレクタ・エミッタ
間電位■。
条件としてトランジスタQCsのベース電位がそのエミ
ッタ電位より、トランジスタQl+のベース・エミッタ
間電圧Vat(=Vri順方向ダイオード電圧)だけ高
くなることが必要である。そして、トランジスタQ r
sのベース・エミッタ間電圧■rと、トランジスタQ
、のベース・エミッタ間電圧vFとから設定されるトラ
ンジスタQCsのベース電位(=2VF)によって、ト
ランジスタQ + 2のコレクタ電位が固定される。こ
のため、トランジスタQ + 2のコレクタ・エミッタ
間電位■。
が一定になり、トランジスタQ12の出力アドミタンス
h0゜が補正される。電源電圧VCCの変動による影響
が軽減され、安定した定電流rを取り出すことができる
。この場合、定電流Iは、トランジスタQ + bを通
して負荷としての抵抗RI5に流れる。
h0゜が補正される。電源電圧VCCの変動による影響
が軽減され、安定した定電流rを取り出すことができる
。この場合、定電流Iは、トランジスタQ + bを通
して負荷としての抵抗RI5に流れる。
ここで、抵抗R0の抵抗値をR、トランジスタQ +
r、Q t zのエミツタ面積比をn:1とすると定電
流Iは、 となる。7丁は、電圧定数を表す。
r、Q t zのエミツタ面積比をn:1とすると定電
流Iは、 となる。7丁は、電圧定数を表す。
第2図は、第1図および第3図に示した定電流回路にお
ける電源電圧VCCに対する定電流■の変化を示してお
り、Aは、従来の定電流回路によって得られた定電流I
の変化、Bは、第1図に示す定電流回路で得られた定電
流■の変化を表す、出力アドミタンスh0゜の補正を行
った第1図に示す定電流回路では、大幅に出力定電流の
変化が小さく、電源電圧VCCの依存度が低いことが分
かる。
ける電源電圧VCCに対する定電流■の変化を示してお
り、Aは、従来の定電流回路によって得られた定電流I
の変化、Bは、第1図に示す定電流回路で得られた定電
流■の変化を表す、出力アドミタンスh0゜の補正を行
った第1図に示す定電流回路では、大幅に出力定電流の
変化が小さく、電源電圧VCCの依存度が低いことが分
かる。
この発明によれば、第1の電流ミラー回路の第1のトラ
ンジスタのベース・コレクタと、第2の電流ミラー回路
の第3のトランジスタのベース・コレクタとの間に、第
2および第4のトランジスタのコレクタにベースを接続
した第5のトランジスタを設置したので、第2のトラン
ジスタのコレクタ電位が第5のトランジスタによって固
定されて第2のトランジスタのコレクタ・エミッタ間電
位が一定になる結果、電源電圧の変化に無関係に安定し
た定電流を得ることができる。
ンジスタのベース・コレクタと、第2の電流ミラー回路
の第3のトランジスタのベース・コレクタとの間に、第
2および第4のトランジスタのコレクタにベースを接続
した第5のトランジスタを設置したので、第2のトラン
ジスタのコレクタ電位が第5のトランジスタによって固
定されて第2のトランジスタのコレクタ・エミッタ間電
位が一定になる結果、電源電圧の変化に無関係に安定し
た定電流を得ることができる。
第1図はこの発明の定電流回路の実施例を示す回路図、
第2図は電源電圧の変動に対する定電流の変化を示す図
、第3図は従来の定電流回路を示す回路図である。 3・・・第1の電流ミラー回路 5・・・第2の電流ミラー回路 Q、・・・トランジスタ(第1のトランジスタ)Q I
z・・・トランジスタ(第2のトランジスタ)Q +3
・・・トランジスタ(第3のトランジスタ)Q + a
・・・トランジスタ(第4のトランジスタ)QIS・・
・トランジスタ(第5のトランジスタ)3:第1の電流
ミラー回路 5:第2の電流ミラー回路 第 1 図 第2図
第2図は電源電圧の変動に対する定電流の変化を示す図
、第3図は従来の定電流回路を示す回路図である。 3・・・第1の電流ミラー回路 5・・・第2の電流ミラー回路 Q、・・・トランジスタ(第1のトランジスタ)Q I
z・・・トランジスタ(第2のトランジスタ)Q +3
・・・トランジスタ(第3のトランジスタ)Q + a
・・・トランジスタ(第4のトランジスタ)QIS・・
・トランジスタ(第5のトランジスタ)3:第1の電流
ミラー回路 5:第2の電流ミラー回路 第 1 図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1のトランジスタのベース・コレクタに第2のトラン
ジスタのベースを接続した第1の電流ミラー回路と、 第3のトランジスタのベース・コレクタに第4のトラン
ジスタのベースを接続した第2の電流ミラー回路と、 第1のトランジスタのベース・コレクタと第3のトラン
ジスタのベース・コレクタとの間に設置されるとともに
、第2および第4のトランジスタのコレクタにベースを
接続した第5のトランジスタとを備えた定電流回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62143002A JP2537235B2 (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62143002A JP2537235B2 (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 定電流回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63307514A true JPS63307514A (ja) | 1988-12-15 |
JP2537235B2 JP2537235B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=15328663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62143002A Expired - Lifetime JP2537235B2 (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 定電流回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2537235B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5030903A (en) * | 1989-01-11 | 1991-07-09 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Voltage generator for generating a stable voltage independent of variations in the ambient temperature and of variations in the supply voltage |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54156153A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-08 | Toshiba Corp | Temperature compensating constant voltage circuit |
-
1987
- 1987-06-08 JP JP62143002A patent/JP2537235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54156153A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-08 | Toshiba Corp | Temperature compensating constant voltage circuit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5030903A (en) * | 1989-01-11 | 1991-07-09 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Voltage generator for generating a stable voltage independent of variations in the ambient temperature and of variations in the supply voltage |
USRE34772E (en) * | 1989-01-11 | 1994-11-01 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.A. | Voltage generator for generating a stable voltage independent of variations in the ambient temperature and of variations in the supply voltage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2537235B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |