JPS63304087A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPS63304087A JPS63304087A JP14064587A JP14064587A JPS63304087A JP S63304087 A JPS63304087 A JP S63304087A JP 14064587 A JP14064587 A JP 14064587A JP 14064587 A JP14064587 A JP 14064587A JP S63304087 A JPS63304087 A JP S63304087A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
″Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”
Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４ （１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−３ｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ （ｔｗｉｓｔｅ
ｄ ｎｅｍａｔｉｃ） 型の液晶を用いたものであ
る。
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
″Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”
Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４ （１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−３ｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ （ｔｗｉｓｔｅ
ｄ ｎｅｍａｔｉｃ） 型の液晶を用いたものであ
る。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向（効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面ディスプレイへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス”方式においては、走査電極群と信
号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され
、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアド
レス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号
をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分
割駆動方式が採用される。
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向（効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面ディスプレイへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス”方式においては、走査電極群と信
号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され
、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアド
レス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号
をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分
割駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、あるいは走査電極が選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界
がかかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点に
かかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直
に配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に
設定されるならば、表示素子は正常に動作するわけであ
るが、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体
（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電
界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で
減少してしまう。このために、くり返し走査を行った場
合の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は
、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には
画像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点
となっている。このような現象は、双安定性を有さない
液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向しているの
が安定状態であり、電界が有効に印加されている間のみ
垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆動する
（即ち、繰り返し走査する）ときに生ずる本質的には避
は難い問題点である。この点を改良するために、電圧平
均化法、２周波駆動法や、多重マトリクス法等が既に提
案されているが、いずれの方法でも不充分であり、表示
素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせ
ないことによって頭打ちになっているのが現状である。
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、あるいは走査電極が選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界
がかかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点に
かかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直
に配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に
設定されるならば、表示素子は正常に動作するわけであ
るが、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体
（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電
界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で
減少してしまう。このために、くり返し走査を行った場
合の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は
、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には
画像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点
となっている。このような現象は、双安定性を有さない
液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向しているの
が安定状態であり、電界が有効に印加されている間のみ
垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆動する
（即ち、繰り返し走査する）ときに生ずる本質的には避
は難い問題点である。この点を改良するために、電圧平
均化法、２周波駆動法や、多重マトリクス法等が既に提
案されているが、いずれの方法でも不充分であり、表示
素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせ
ないことによって頭打ちになっているのが現状である。
このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ
およびＬａｇｅｒｗａｌｌ により提案されている（
特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７
９２４号明細書等）。双安定性液晶としては、一般に、
カイラルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相（
ＳｍＨ＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強
誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２
の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って前
述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり
、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定
状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。また、この型
の液晶は、加えられる電界に応答して、上記２つの安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質（双安定性）を有する。
て、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ
およびＬａｇｅｒｗａｌｌ により提案されている（
特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７
９２４号明細書等）。双安定性液晶としては、一般に、
カイラルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相（
ＳｍＨ＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強
誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２
の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って前
述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり
、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定
状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。また、この型
の液晶は、加えられる電界に応答して、上記２つの安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質（双安定性）を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面ディスプレイへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広（研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いるに十分な特性を備えているとは云い難い。
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面ディスプレイへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広（研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いるに十分な特性を備えているとは云い難い。
本発明の目的は前述の欠点又は不利を解消した強誘電性
液晶組成物および該液晶組成物を使用する液晶素子を提
供することにある。
液晶組成物および該液晶組成物を使用する液晶素子を提
供することにある。
さらに詳しくは、特定の液晶組成物を混合することによ
って低温作動特性を改良し、従来の液晶組成物からなる
液晶素子では得られない表示特性を有する液晶素子を提
供することである。
って低温作動特性を改良し、従来の液晶組成物からなる
液晶素子では得られない表示特性を有する液晶素子を提
供することである。
本発明はピラジン環を有する液晶性化合物の少な（とも
１種と、ピリミジン環を有する液晶性化合物の少なくと
も１種とを含有する液晶組成物からなる強誘電性液晶素
子を提供するものである。
１種と、ピリミジン環を有する液晶性化合物の少なくと
も１種とを含有する液晶組成物からなる強誘電性液晶素
子を提供するものである。
強誘電性液晶素子を実用化するためには、実用に耐えう
る高速応答性、温度依存性および良好な閾値特性を同時
に確保する必要がある。
る高速応答性、温度依存性および良好な閾値特性を同時
に確保する必要がある。
ところが、これまでの強誘電性液晶素子は、応答特性、
特に応答速度の温度依存性が良くなく、閾値特性が悪い
等の欠点を有しており、必ずしも満足すべきものではな
い。
特に応答速度の温度依存性が良くなく、閾値特性が悪い
等の欠点を有しており、必ずしも満足すべきものではな
い。
本発明者らは上記欠点を解消すべ（努力した結果、以下
の発明を完成したのである。
の発明を完成したのである。
すなわち、ピラジン環を有する液晶性化合物の少なくと
も１種と、ピリミジン環を有する液晶性化合物の少な（
とも１種とを含有する液晶組成物からなる強誘電性液晶
素子は、高速応答性、低温作動特性、応答速度の温度依
存性などの応答特性がすぐれ、また電界応答に対する閾
値特性にすぐれているため、クロストークを防止し良好
なコントラストを与えることを見い出したのである。
も１種と、ピリミジン環を有する液晶性化合物の少な（
とも１種とを含有する液晶組成物からなる強誘電性液晶
素子は、高速応答性、低温作動特性、応答速度の温度依
存性などの応答特性がすぐれ、また電界応答に対する閾
値特性にすぐれているため、クロストークを防止し良好
なコントラストを与えることを見い出したのである。
以下本発明について詳細に説明する。また以下において
量比は、いずれも重量基準とする。
量比は、いずれも重量基準とする。
骨格にフェニルピラジンを有する液晶性化合物、好まし
くは一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例の構造式
を以下に示す。
くは一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例の構造式
を以下に示す。
（Ｉ −１）
（Ｉ −２）
（Ｉ−３）
（Ｉ−５）
（Ｉ−７）
（Ｉ−８）
（Ｉ−９）
（Ｉ −１０）
（Ｉ −ＩＩ）
（Ｉ −１２）
（Ｉ−１３）
（Ｉ −１４）
（Ｉ−１５）
（Ｉ −１６）
（Ｉ −１８）
（Ｉ−１９）
（Ｉ −２１）
（Ｉ−２５）
（Ｉ −２６）
（Ｔ−２８）
（Ｉ−３０）
（Ｉ−３１）
（Ｉ−３３）
（Ｉ−３４）
（Ｉ−３５）
（Ｉ−３６）
（Ｉ−３７）
（［−３８）
（Ｉ −３９）
（ｒ −４０）
（Ｉ −４１）
（Ｉ −４２）
（Ｉ−４３）
（Ｉ−４４）
（Ｉ−４５）
（Ｉ−４６）
（Ｉ−４７）
（Ｉ−４８）
（Ｉ−４９）
（Ｉ −５０）
（Ｉ −５２）
（Ｉ −５３）
（Ｉ −５４）
（Ｉ−５６）
○
（Ｉ −５７）
（Ｉ−５８）
（Ｉ−５９）
（ｒ−６０）
（Ｉ−６１）
（Ｉ −６２）
（Ｉ−６３）
（Ｉ −６４）
（Ｉ−６６）
（Ｉ−６７）
（Ｉ−６８）
（Ｉ −６９）
（Ｉ−７０）
（Ｉ −７１）
（Ｉ−７２）
（Ｉ −７３）
（Ｉ−７４）
（Ｉ−７５）
一般式（Ｄで示される本発明の化合物のうち、例えば
Ｒ５−ｅｏ’ｌ−（◇−！） Ｏ−Ｒ，の式で示される
ものは、下記の方法で製造できる。
ものは、下記の方法で製造できる。
Ｊへ６
（式中、Ｒ，、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素数１〜
１８のアルキル基を示し、Ｒ５，Ｒ６の少な（とも一方
が不斉炭素原子を有してもよい。ｒは０または１を示す
。） また骨格にフェニルピリミジンを有する液晶性化合物、
好ましくは一般式（ＩＴ）で表わされる液晶性化合物の
具体例の構造式を以下に示す。
１８のアルキル基を示し、Ｒ５，Ｒ６の少な（とも一方
が不斉炭素原子を有してもよい。ｒは０または１を示す
。） また骨格にフェニルピリミジンを有する液晶性化合物、
好ましくは一般式（ＩＴ）で表わされる液晶性化合物の
具体例の構造式を以下に示す。
（１’Ｉ −１）
（ｎ −２）
Ｈ３
（ｎ−３）
（ｎ −４）
（ｎ−５）
（［１−６）
（ｎ−７）
（ｎ−８）
（ｎ−９）
（ｎ−１０）
（ｒＩ −１１）
（ｎ −１２）
（Ｉｆ−１３）
Ｈ
（ＩＴ −１４）
Ｎ
（ｎ −１５）
（［１−１６）
（ｎ −１７）
（ｎ−１８）
（ＩＩ−１９）
（ｒｌ−２０）
（ｎ −２１）
（ｎ−２２）
Ｈ３
（ｎ−２３）
Ｈ３
（［１−２４）
（Ｉｆ−２５）
Ｈ３
（ｎ−２６）
（ＩＴ−２７）
（ＩＩ−２８）
（ＩＩ−２９）
（ｎ−３０）
（ｎ −３１）
（ｎ−３２）
（ｎ−３ａ）
（ｎ −３４）
（ｎ−３５）
（ＩＩ−３６）
（ｎ−３８）
（ｒＩ−３９）
（［１−４０）
（ｎ −４１）
（ｒｌ−４２）
（ｎ −４３）
（ＴＩ−４４）
（ｎ−４５）
（ｎ −４６）
（ｎ −４７）
（Ｈ−４８）
（ｎ −４９）
（［１−５０）
（■−５１）
（ｎ−５２）
（ｎ −５３）
（ＩＴ −５４）
（ＩＴ−５５）
（［１−５６）
（ｎ−５７）
す
（ｎ−５８）
（ｎ −５９）
（ｎ−６０）
一般式（ｎ）で示される本発明の化合物のうち例えば、
下記の方法で製造できる。
下記の方法で製造できる。
ＨＯ
署
（式中、Ｒ７は置換基を有してもよい炭素数１〜１８の
アルキル基であり、Ｒ８は炭素数１〜１６のアルキル基
を示す。）以下、実施例により、本発明について更に詳
細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
アルキル基であり、Ｒ８は炭素数１〜１６のアルキル基
を示す。）以下、実施例により、本発明について更に詳
細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
〔実施例１〕
前記液晶性化合物のうち、（１−３８）と（ｒｌ−２４
）を３ニアの割合で、混合して液晶組成物を得た。上記
液晶性化合物および液晶組成物を電極を覆うＰＩ被被覆
ラビング処理を施した一対の電極基板間に挾持し、液晶
層厚を２μｍとした液晶素子を作製した。この液晶素子
を用い、ピーク・トウ・ピーク電圧２０Ｖの電圧印加に
より直交ニコル下での光学的な応答を検知して応答速度
を測定した。その結果を以下に示す。
）を３ニアの割合で、混合して液晶組成物を得た。上記
液晶性化合物および液晶組成物を電極を覆うＰＩ被被覆
ラビング処理を施した一対の電極基板間に挾持し、液晶
層厚を２μｍとした液晶素子を作製した。この液晶素子
を用い、ピーク・トウ・ピーク電圧２０Ｖの電圧印加に
より直交ニコル下での光学的な応答を検知して応答速度
を測定した。その結果を以下に示す。
（Ｉ−３８）５５°０ ４５°Ｃ
３，２ｍ５ ６．１ ｍ５
（ｎ−２４）
４５℃ ３５℃
２３０μ５３００μ５
（１−３８） ／ （ｎ −２４） ＝３／７４５℃
３５℃ ２００μ５２７０μ５ （１−３８）と（ｒＩ−２４）を混合することにより、
室温付近での応答特性が向上した。
３５℃ ２００μ５２７０μ５ （１−３８）と（ｒＩ−２４）を混合することにより、
室温付近での応答特性が向上した。
〔実施例２〕
前記液晶性化合物のうち（Ｉ−４４）と（ｒＩ −２５
）を３；７の割合で混合して液晶組成物を得た。上記液
晶性化合物と液晶組成物を用い、実施例１と同様にそれ
ぞれ素子を作成し、全く同じ条件で応答速度を測定した
。その結果を以下に示す。
）を３；７の割合で混合して液晶組成物を得た。上記液
晶性化合物と液晶組成物を用い、実施例１と同様にそれ
ぞれ素子を作成し、全く同じ条件で応答速度を測定した
。その結果を以下に示す。
（Ｉ−４４）
６５℃
３．４ｍ５
（ｎ−２５）
４５℃ ３５℃ ２５℃
２２０μ５３００μ５４２０μ５
（Ｉ−４４） ／ （ｎ −２５） ＝７／３５０℃
４５℃ ３５°Ｃ２５°Ｃ３００μ５３８０μ
Ｓ ４４０μ５５３０μ５（Ｉ−４４）と（ＩＩ−
２５）を混合することにより、応答特性、特に応答速度
の温度依存性が軽減した。
４５℃ ３５°Ｃ２５°Ｃ３００μ５３８０μ
Ｓ ４４０μ５５３０μ５（Ｉ−４４）と（ＩＩ−
２５）を混合することにより、応答特性、特に応答速度
の温度依存性が軽減した。
〔実施例３〕
前記液晶性化合物のうち（１−４６）と（ＩＴ−２６）
を７：３の割合で混合して液晶組成物を得た。上記液晶
性化合物と液晶組成物を用い、実施例１と同様にそれぞ
れ素子を作製し、全く同じ条件で応答速度を測定した。
を７：３の割合で混合して液晶組成物を得た。上記液晶
性化合物と液晶組成物を用い、実施例１と同様にそれぞ
れ素子を作製し、全く同じ条件で応答速度を測定した。
その結果を以下に示す。
４５°Ｃ４０°Ｃ
３５０μ５３７０μ５
（ｎ−２６）
４５°０ ３５℃ ２５℃
３１０μ５４６０μ５６００μ５
（１−４６） ／ （ｒＴ −２６） ＝７／３４０℃
３５°Ｃ２５°Ｃ ４２０μ５４７０μ５５３０μ５ （Ｉ−４４）と（ｎ−２５）を混合することにより、応
答特性、特に温度依存性が向上した。
３５°Ｃ２５°Ｃ ４２０μ５４７０μ５５３０μ５ （Ｉ−４４）と（ｎ−２５）を混合することにより、応
答特性、特に温度依存性が向上した。
〔実施例４〕
前記液晶性化合物（ＩＩ）のうち、ＩＴ −１２，ＩＴ
−２４゜１１−２５．ＩＴ−３２を下記の比率で混合
し、液晶組成物Ａを得た。
−２４゜１１−２５．ＩＴ−３２を下記の比率で混合
し、液晶組成物Ａを得た。
Ｔｌ−１２： ｌｌ−２４：ｒＩ−２５： ｎ−３２＝
２：３：３：１上記液晶組成物を用い実施例１と同様に
素子を作製し、全く同じ条件で応答速度を測定した。
２：３：３：１上記液晶組成物を用い実施例１と同様に
素子を作製し、全く同じ条件で応答速度を測定した。
液晶組成物Ａ
４５℃ ３５°０ ２５℃
２９０ μｓｅｃ ３５０ ｐ ｓｅｃ ４１０
μｓｅｃ次に上記素子に２５℃において２ｖの電界を２
ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転してしまった。
μｓｅｃ次に上記素子に２５℃において２ｖの電界を２
ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転してしまった。
そこで、液晶組成物Ａに、前記液晶性化合物（Ｉ）のう
ち、（１−４１）を４：１の比率で混合し、液晶組成物
Ｂを得、実施例１と同様に素子を作製し、全く同じ条件
で応答速度を測定した。
ち、（１−４１）を４：１の比率で混合し、液晶組成物
Ｂを得、実施例１と同様に素子を作製し、全く同じ条件
で応答速度を測定した。
液晶組成物Ｂ
４５℃ ３５°０ ２５°Ｃ
３１０μ５３７５μ５４３０μｓ
次に、この液晶組成物Ｂを用いた素子に、２５℃におい
て２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転
はおこらなかった。
て２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転
はおこらなかった。
以上のことからピリミジン環を含有する化合物から構成
される液晶組成物Ａに、ピラジン環を含有する（１−４
１）を混合すると、優れた応答特性を有し、かつ閾値特
性が改善されることがわかった。
される液晶組成物Ａに、ピラジン環を含有する（１−４
１）を混合すると、優れた応答特性を有し、かつ閾値特
性が改善されることがわかった。
〔実施例５〕・
前記液晶性化合物（Ｉ）のうち、（Ｉ−４４）と（Ｉ−
４５）をｌ：ｌの割合で混合して液晶組成物Ｃを得た。
４５）をｌ：ｌの割合で混合して液晶組成物Ｃを得た。
また、前記液晶性化合物（Ｉｆ）のうち、（ｎ−２４）
と（ｒｌ−２５）をｌ＝１の割合で混合して液晶組成物
りを得た。さらに液晶組成物Ｃと液晶組成物りとを４：
６の割合で混合して液晶組成物Ｅを得た。上記液晶組成
物Ｅを用い、実施例１と、同様に素子を作製したところ
、均一な七ノドメインの良好な配向状態が得られた。ま
た液晶組成物Ｃ，Ｄについても同様に素子を作製し、実
施例１と全く同じ条件でそれぞれ応答速度を測定した。
と（ｒｌ−２５）をｌ＝１の割合で混合して液晶組成物
りを得た。さらに液晶組成物Ｃと液晶組成物りとを４：
６の割合で混合して液晶組成物Ｅを得た。上記液晶組成
物Ｅを用い、実施例１と、同様に素子を作製したところ
、均一な七ノドメインの良好な配向状態が得られた。ま
た液晶組成物Ｃ，Ｄについても同様に素子を作製し、実
施例１と全く同じ条件でそれぞれ応答速度を測定した。
その結果を以下に水子。
液晶組成物Ｃ
４５℃ ３５℃ ２５℃
７５０ μＳ ９６０ μＳ １．３５ｍ５液
晶組成物Ｄ ４５℃ ３５℃ ２５℃ ２１０μ３ ２８０μ５４００μｓ 液晶組成物Ｅ ４５℃ ３５℃ ２５°Ｃ１５°Ｃ３２０μ５
４００μ５４７０μ５５５０μｓまた、それぞれの素子
に２５℃において２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加
したところ液晶組成物Ｃと液晶組成物Ｅは反転しなかっ
た。
晶組成物Ｄ ４５℃ ３５℃ ２５℃ ２１０μ３ ２８０μ５４００μｓ 液晶組成物Ｅ ４５℃ ３５℃ ２５°Ｃ１５°Ｃ３２０μ５
４００μ５４７０μ５５５０μｓまた、それぞれの素子
に２５℃において２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加
したところ液晶組成物Ｃと液晶組成物Ｅは反転しなかっ
た。
以上のことから液晶組成物Ｅは、液晶組成物Ｃ９液晶組
成物りに比し、応答特性、閾値特性の両方を大幅に改善
していることがわかった。
成物りに比し、応答特性、閾値特性の両方を大幅に改善
していることがわかった。
〔実施例６〕
下記液晶化合物を下記割合で混合して液晶組成物Ｆを得
た。
た。
Ｏｏ
また、前記液晶化合物のうち、（Ｉ−４３）、 （Ｉ−
４４）。
４４）。
（Ｉ−４５）、 （Ｉ−４７）、 （ｒＩ−５）、 （
ｎ−１２）を下記割合で混合して液晶組成物Ｇを得た。
ｎ−１２）を下記割合で混合して液晶組成物Ｇを得た。
（１−４３） ： （１−４４） ： （１−４５）
： （Ｉ−４７） ： （ＴＩ−５） ： （ＴＩ −
１２）＝１０：１０：１０：３０：２０：２５さらに液
晶組成物Ｆと液晶組成物Ｇとを７５ ： ２５の割合で
混合して、液晶組成物Ｈを得た。
： （Ｉ−４７） ： （ＴＩ−５） ： （ＴＩ −
１２）＝１０：１０：１０：３０：２０：２５さらに液
晶組成物Ｆと液晶組成物Ｇとを７５ ： ２５の割合で
混合して、液晶組成物Ｈを得た。
次に液晶組成物Ｆと液晶組成物Ｈを用い、実施例１と同
様にそれぞれ素子を作製し、全（同じ条件で応答速度を
測定した。その結果を以下に示す。
様にそれぞれ素子を作製し、全（同じ条件で応答速度を
測定した。その結果を以下に示す。
液晶組成物Ｆ
３５℃ ２５℃ １５℃ ５°Ｃ３５０
μｓｅｃ ７５０ μｓｅｃ １．４ｍ５ｅｃ
３．２ｍ５ｅｃ液晶組成物Ｈ ３５°０ ２５℃ １５℃ ５°Ｃ３０
０μｓｅｃ ６００ μｓｅｃ ９５０ μｓｅ
ｃ １．６ｍ５ｅｃまた、それぞれの素子に２５℃に
おいて２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ
液晶組成物Ｆは反転したが液晶組成物Ｈは反転しなかっ
た。
μｓｅｃ ７５０ μｓｅｃ １．４ｍ５ｅｃ
３．２ｍ５ｅｃ液晶組成物Ｈ ３５°０ ２５℃ １５℃ ５°Ｃ３０
０μｓｅｃ ６００ μｓｅｃ ９５０ μｓｅ
ｃ １．６ｍ５ｅｃまた、それぞれの素子に２５℃に
おいて２ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ
液晶組成物Ｆは反転したが液晶組成物Ｈは反転しなかっ
た。
以上のことから液晶組成物Ｆに、ピラジンとピリミジン
の液晶性組成物を混合することにより応答特性、閾値特
性の両方を大幅に改善していることがわかった。
の液晶性組成物を混合することにより応答特性、閾値特
性の両方を大幅に改善していることがわかった。
〔実施例７〕
前記液晶化合物のうち、（１−８）、 （Ｉ−１０）、
（Ｉ−２４）。
（Ｉ−２４）。
（Ｉ−４７）、 （Ｉ−６０）、 （Ｉ−７２）、 （
ｎ−２５）、 （ｎ−３０）、 （ＴＩ−４９）。
ｎ−２５）、 （ｎ−３０）、 （ＴＩ−４９）。
（ＩＴ −５２）、’ （ｒｌ−５６）を下記割合で混
合して液晶組成物Ｉを得た。
合して液晶組成物Ｉを得た。
（Ｉ−８） ： （Ｉ−１０） ： （Ｉ−２４
） ： （Ｉ−４７） ： （Ｉ−６０） ： （Ｉ−
７２） ：（ｎ−２５） ＋ （ｎ −３０） ： （
ｎ−４９） ： （ｎ −５２） ： （ＦＴ −５６
）＝２：２：１０：３０：１０：５：３０：１０：６二
１０：１０さらに、液晶組成物Ｉと、実施例６で用いた
液晶組成物Ｆとを２５ ： ７５の割合で混合して液晶
組成物Ｊを得た。
） ： （Ｉ−４７） ： （Ｉ−６０） ： （Ｉ−
７２） ：（ｎ−２５） ＋ （ｎ −３０） ： （
ｎ−４９） ： （ｎ −５２） ： （ＦＴ −５６
）＝２：２：１０：３０：１０：５：３０：１０：６二
１０：１０さらに、液晶組成物Ｉと、実施例６で用いた
液晶組成物Ｆとを２５ ： ７５の割合で混合して液晶
組成物Ｊを得た。
次に液晶組成物Ｊを用い、実施例１と同様に素子を作製
し、全く同じ条件で応答速度を測定した。その結果を以
下に示す。
し、全く同じ条件で応答速度を測定した。その結果を以
下に示す。
液晶組成物Ｊ
３５°０２５℃ １５℃ ５℃２７０ ｐ ｓ
ｅｃ ４９０１．ｔ ｓｅｒ： ７０５μｓｅｃ
１．２ｍ５ｅｃまた上記素子に２５℃において２
ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転しな
かった。
ｅｃ ４９０１．ｔ ｓｅｒ： ７０５μｓｅｃ
１．２ｍ５ｅｃまた上記素子に２５℃において２
ｖの電界を２ ｍ ｓ ｅ ｃ印加したところ反転しな
かった。
以上のことから、液晶組成物Ｆにピラジンとピリミジン
からなる液晶組成物■を混合することにより、応答特性
、閾値特性の両方を大幅に改善していることがわかった
。
からなる液晶組成物■を混合することにより、応答特性
、閾値特性の両方を大幅に改善していることがわかった
。
以上の実施例からもわかるように本発明に従いピラジン
環を有する液晶性化合物の少なくとも１種とピリミジン
環を有する液晶性化合物の少なくとも１種とを含有する
液晶組成物からなる強誘電性液晶素子は、高速応答性、
温度特性など応答特性がすぐれ、また電界応答に対する
閾値特性にすぐれているなど、表示特性が大幅に改善さ
れている。
環を有する液晶性化合物の少なくとも１種とピリミジン
環を有する液晶性化合物の少なくとも１種とを含有する
液晶組成物からなる強誘電性液晶素子は、高速応答性、
温度特性など応答特性がすぐれ、また電界応答に対する
閾値特性にすぐれているなど、表示特性が大幅に改善さ
れている。
Claims (4)
- （１）基板間に、強誘電性液晶層を有する強誘電性液晶
素子において該強誘電性液晶層が、ピラジン環を有する
液晶性化合物の少なくとも１種と、ピリミジン環を有す
る液晶性化合物の少なくとも１種とを含有する液晶組成
物からなることを特徴とする強誘電性液晶素子。 - （２）前記液晶組成物に含有されるピラジン環を有する
液晶性化合物とピリミジン環を有する液晶性化合物のう
ち少なくとも１種が光学活性な液晶性化合物であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶
素子。 - （３）前記ピラジン環を有する化合物が下記一般式（
I ） Ｒ＿１−Ｘ＿１−Ｙ＿１−Ｘ＿２−Ｚ＿１−Ｘ＿３−Ｒ
＿２（ I ）（上記一般式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基
を有してもよい、炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
Ｒ＿１、Ｒ＿２の少なくとも一方が不斉炭素原子を有し
ても良い。Ｘ＿１、Ｘ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼を示し、
Ｘ＿２は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 またＹ＿１はピラジン環を有る２価の基を示し、Ｚ＿１
は、単結合または▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼を示す） で表わされる液晶性化合物からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （４）前記ピリミジン環を有する化合物が下記一般式（
II） Ｒ＿３−Ｘ＿４−Ｙ＿２−Ｘ＿５−Ｚ＿２−Ｘ＿６−Ｒ
＿４（II）（上記一般式中、Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基を
有してもよい炭素数１〜１８のアルキル基を示し、Ｒ＿
１、Ｒ＿２の少なくとも一方が不斉炭素原子を有しても
良い。Ｘ＿４、Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼を示し、Ｘ＿
２は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−Ｏ
ＣＨ＿２−を示す。また、Ｙ＿２はピリミジン環を有す
る２価の基を示し、Ｚ＿２は単結合、または▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼を示す） で表わされる液晶性化合物からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14064587A JPS63304087A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 強誘電性液晶素子 |
| DE3887569T DE3887569T2 (de) | 1987-06-04 | 1988-06-03 | Flüssigkristallzusammensetzung und Flüssigkristall-Vorrichtung, die diese enthält. |
| EP19930100329 EP0541509A3 (en) | 1987-06-04 | 1988-06-03 | Liquid crystal composition and liquid crystal device containing same |
| EP88108909A EP0293910B1 (en) | 1987-06-04 | 1988-06-03 | Liquid crystal composition and liquid crystal device containing same |
| US07/980,116 US5389296A (en) | 1987-06-04 | 1992-11-23 | Liquid crystal composition and liquid crystal device containing same |
| US08/266,472 US5482652A (en) | 1987-06-04 | 1994-06-27 | Chiral smectic liquid crystal composition and device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14064587A JPS63304087A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63304087A true JPS63304087A (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=15273478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14064587A Pending JPS63304087A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63304087A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
| JPH0312484A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Canon Inc | 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物おこよびこれを含む液晶素子 |
| JPH0312477A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Canon Inc | 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
| JPH0362886A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Canon Inc | 液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP14064587A patent/JPS63304087A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
| JPH0312484A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Canon Inc | 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物おこよびこれを含む液晶素子 |
| JPH0312477A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Canon Inc | 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
| JPH0362886A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Canon Inc | 液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 |
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