JP3357407B2 - カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents
カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子Info
- Publication number
- JP3357407B2 JP3357407B2 JP34737792A JP34737792A JP3357407B2 JP 3357407 B2 JP3357407 B2 JP 3357407B2 JP 34737792 A JP34737792 A JP 34737792A JP 34737792 A JP34737792 A JP 34737792A JP 3357407 B2 JP3357407 B2 JP 3357407B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- carboxylic acid
- group
- compound
- mmol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 200
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 87
- -1 Carboxylic acid ester compound Chemical class 0.000 title claims description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 54
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 210
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 33
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003262 carboxylic acid ester group Chemical class [H]C([H])([*:2])OC(=O)C([H])([H])[*:1] 0.000 claims 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N dichloromethane Natural products ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 159
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 108
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 65
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 45
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 45
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 41
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 40
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 39
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 28
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 27
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 23
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 23
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 23
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 23
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 20
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 13
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 11
- OVILBHCXFQTFMU-UHFFFAOYSA-N 6-phenylmethoxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C=1C=C2CC(C(=O)O)CCC2=CC=1OCC1=CC=CC=C1 OVILBHCXFQTFMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 10
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- RRYULKFLVMRGPW-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2CC(C(=O)O)CCC2=C1 RRYULKFLVMRGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LTEQHMIRAJEJQC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1h-naphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C=CC(C(=O)O)(O)CC2=C1 LTEQHMIRAJEJQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- NTAGXJQHJQUOOA-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2CC(C(=O)O)CCC2=C1 NTAGXJQHJQUOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NZNICZRIRMGOFG-UHFFFAOYSA-N 4-decoxybenzoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCOC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 NZNICZRIRMGOFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMVZENJLSONFBP-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxy-5,6,7,8-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2CC(O)CCC2=C1 UMVZENJLSONFBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOEUACGJYOALBK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-decylphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(CCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 JOEUACGJYOALBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIOAVQYSSKOCQP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC(O)=C21 NIOAVQYSSKOCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNAGNIMZVDMTQZ-UHFFFAOYSA-N 6-decoxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1C(C(O)=O)CCC2=CC(OCCCCCCCCCC)=CC=C21 RNAGNIMZVDMTQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VPLLXBJRUZPGPL-UHFFFAOYSA-N 6-decoxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(OCCCCCCCCCC)=CC=C21 VPLLXBJRUZPGPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WYAAQQHKARXGCD-UHFFFAOYSA-N 6-heptoxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(OCCCCCCC)=CC=C21 WYAAQQHKARXGCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- USSLAFCGNMDMNX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(O)=O)C(C(=O)O)CCC2=C1 USSLAFCGNMDMNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 1-bromodecane Chemical compound CCCCCCCCCCBr MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 1-bromooctane Chemical compound CCCCCCCCBr VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKPSIIAXIDAQLG-UHFFFAOYSA-N 1-bromoundecane Chemical compound CCCCCCCCCCCBr IKPSIIAXIDAQLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XRDQOEYGTXLTLK-UHFFFAOYSA-N 1-octyl-2-phenylbenzene Chemical group CCCCCCCCC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XRDQOEYGTXLTLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVTYOXUVQQMLD-UHFFFAOYSA-N 4-(4-decoxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HQVTYOXUVQQMLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPZPFOIOJPBNKK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-dodecoxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HPZPFOIOJPBNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXBKPYIEQLLNBK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-octylphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HXBKPYIEQLLNBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEEZUYSAPKNGBX-UHFFFAOYSA-N 6-(4-decoxybenzoyl)oxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCCCC)=CC=C1C(=O)OC1=CC=C(CC(CC2)C(O)=O)C2=C1 IEEZUYSAPKNGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- SJWFXCIHNDVPSH-MRVPVSSYSA-N (2R)-octan-2-ol Chemical compound CCCCCC[C@@H](C)O SJWFXCIHNDVPSH-MRVPVSSYSA-N 0.000 description 1
- INAIBHXNHIEDAM-SSDOTTSWSA-N (2r)-1,1,1-trifluorooctan-2-ol Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C(F)(F)F INAIBHXNHIEDAM-SSDOTTSWSA-N 0.000 description 1
- PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 1-bromododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCBr PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=CC=C21 SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJWVRCBRZWEQHL-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(2-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(O)=C1C1=CC=CC=C1O PJWVRCBRZWEQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJQBLRUMXTLKR-UHFFFAOYSA-N 4-(4-dodecylphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(CCCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ODJQBLRUMXTLKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLUFYSVGNWSCMG-UHFFFAOYSA-N 4-(4-undecoxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HLUFYSVGNWSCMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTRTWCIWPQFYDU-UHFFFAOYSA-N 4-decylbenzoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 RTRTWCIWPQFYDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNJMFJSKMRYHSR-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 NNJMFJSKMRYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMKXSOXZAXIOPJ-UHFFFAOYSA-N 5,6,7,8-tetrahydro-2-naphthol Chemical compound C1CCCC2=CC(O)=CC=C21 UMKXSOXZAXIOPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 6-Hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APSIWDOXMIIYKK-UHFFFAOYSA-N 6-octoxy-1-phenylnaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(C=CC2=CC(=CC=C12)OCCCCCCCC)C(=O)O APSIWDOXMIIYKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N Cyclohexanecarboxylic acid Natural products OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 125000005337 azoxy group Chemical group [N+]([O-])(=N*)* 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GYOYZWDANINBSE-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;n,n'-dicyclohexylmethanediimine Chemical compound ClCCl.C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 GYOYZWDANINBSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OKDQKPLMQBXTNH-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-2h-pyridin-1-amine Chemical compound CN(C)N1CC=CC=C1 OKDQKPLMQBXTNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、新規なカルボン酸エステ
ル化合物、この化合物からなる液晶材料、この化合物を
含む液晶組成物およびこの化合物を含有する液晶物質が
充填された液晶素子に関する。
ル化合物、この化合物からなる液晶材料、この化合物を
含む液晶組成物およびこの化合物を含有する液晶物質が
充填された液晶素子に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】現在、広汎に使用されている液晶
化合物を用いた表示デバイスは、通常はＴＮ（ツイスト
ネマチック）モードによって駆動されている。
化合物を用いた表示デバイスは、通常はＴＮ（ツイスト
ネマチック）モードによって駆動されている。
【０００３】しかしながら、この方式を採用した場合、
表示されている画像を変えるためには、素子中における
液晶化合物の分子の位置を変える必要があるために、駆
動時間が長くなり、液晶化合物の分子位置を変えるため
に必要とする電圧、すなわち消費電力も大きくなるとい
う問題点がある。
表示されている画像を変えるためには、素子中における
液晶化合物の分子の位置を変える必要があるために、駆
動時間が長くなり、液晶化合物の分子位置を変えるため
に必要とする電圧、すなわち消費電力も大きくなるとい
う問題点がある。
【０００４】強誘電性液晶化合物を用いたスイッチング
素子は、ＴＮモードあるいはＳＴＮモードを利用したス
イッチング素子とは異なり、液晶化合物の分子の配向方
向を変えるだけでスイッチング素子として機能させるこ
とができるため、スイッチング時間が非常に短縮され
る。さらに、強誘電性液晶化合物のもつ自発分極（Ｐ
ｓ）と電界強度（Ｅ）とにより与えられるＰｓ×Ｅの値
が液晶化合物の分子の配向方向を変えるための実効エネ
ルギー強度であるので、消費電力も非常に少なくなる。
そして、このような強誘電性液晶化合物は、印加電界の
方向によって二つの安定状態、すなわち双安定性を持つ
ので、スイッチングのしきい値特性も非常に良好であ
り、動画用の表示デバイスなどとして用いるのに特に適
している。
素子は、ＴＮモードあるいはＳＴＮモードを利用したス
イッチング素子とは異なり、液晶化合物の分子の配向方
向を変えるだけでスイッチング素子として機能させるこ
とができるため、スイッチング時間が非常に短縮され
る。さらに、強誘電性液晶化合物のもつ自発分極（Ｐ
ｓ）と電界強度（Ｅ）とにより与えられるＰｓ×Ｅの値
が液晶化合物の分子の配向方向を変えるための実効エネ
ルギー強度であるので、消費電力も非常に少なくなる。
そして、このような強誘電性液晶化合物は、印加電界の
方向によって二つの安定状態、すなわち双安定性を持つ
ので、スイッチングのしきい値特性も非常に良好であ
り、動画用の表示デバイスなどとして用いるのに特に適
している。
【０００５】
【従来技術における問題点】このような強誘電性液晶化
合物あるいは反強誘電性液晶化合物を光スイッチング素
子などに使用する場合、強誘電性液晶化合物あるいは反
強誘電性液晶化合物には、例えば動作温度範囲が常温付
近あるいはそれ以下にあること、動作温度幅が広いこ
と、スイッチング速度が大きい（速い）ことおよびスイ
ッチングしきい値電圧が適正な範囲内にあることなど多
くの特性が要求される。殊にこれらのうちでも、動作温
度範囲は強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化
合物を実用化する際に特に重要な特性である。
合物あるいは反強誘電性液晶化合物を光スイッチング素
子などに使用する場合、強誘電性液晶化合物あるいは反
強誘電性液晶化合物には、例えば動作温度範囲が常温付
近あるいはそれ以下にあること、動作温度幅が広いこ
と、スイッチング速度が大きい（速い）ことおよびスイ
ッチングしきい値電圧が適正な範囲内にあることなど多
くの特性が要求される。殊にこれらのうちでも、動作温
度範囲は強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶化
合物を実用化する際に特に重要な特性である。
【０００６】しかしながら、これまで知られている強誘
電性液晶化合物においては、一般に動作温度範囲が狭
く、また動作温度範囲が広い強誘電性液晶化合物あるい
は反強誘電性液晶化合物であっても室温を含まない高温
度域であるなど、強誘電性液晶化合物として実用上満足
できるものは得られていない。
電性液晶化合物においては、一般に動作温度範囲が狭
く、また動作温度範囲が広い強誘電性液晶化合物あるい
は反強誘電性液晶化合物であっても室温を含まない高温
度域であるなど、強誘電性液晶化合物として実用上満足
できるものは得られていない。
【０００７】また、反強誘電性液晶としても実用上満足
できるものは得られていない。
できるものは得られていない。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題点を解決しようとするものであって、新規なカルボ
ン酸エステル化合物およびこの化合物からなる液晶材料
を提供することを目的としている。また、本発明は、こ
のカルボン酸エステル化合物を含有する液晶組成物およ
び二枚の基板の間にこの化合物を含有する液晶物質が充
填された液晶素子を提供することを目的としている。さ
らに詳しくは本発明は、動作温度が広く、スイッチング
速度が大きく、消費電力が極めて少なく、しかも安定し
たコントラストが得られる液晶素子を形成することがで
きる新規なカルボン酸エステル化合物およびこの用途を
提供することを目的としている。
問題点を解決しようとするものであって、新規なカルボ
ン酸エステル化合物およびこの化合物からなる液晶材料
を提供することを目的としている。また、本発明は、こ
のカルボン酸エステル化合物を含有する液晶組成物およ
び二枚の基板の間にこの化合物を含有する液晶物質が充
填された液晶素子を提供することを目的としている。さ
らに詳しくは本発明は、動作温度が広く、スイッチング
速度が大きく、消費電力が極めて少なく、しかも安定し
たコントラストが得られる液晶素子を形成することがで
きる新規なカルボン酸エステル化合物およびこの用途を
提供することを目的としている。
【０００９】
【発明の概要】本発明のカルボン酸エステル化合物は、
次式［I］で表すことができる。
次式［I］で表すことができる。
【００１０】
【化１３】
【００１１】ただし、式[I]において、Rは、炭素数３〜
２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基およ
び炭素数３〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群か
ら選ばれる１種の基であり、XおよびYは、それぞれ独立
に、−COO−、−OCO−、−CH 2 O−、−OCH 2 −または単結
合を表し、Ａは、
２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基およ
び炭素数３〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群か
ら選ばれる１種の基であり、XおよびYは、それぞれ独立
に、−COO−、−OCO−、−CH 2 O−、−OCH 2 −または単結
合を表し、Ａは、
【００１２】
【化１４】
【００１３】よりなる群から選ばれる基を表し、Ｂは、
【００１４】
【化１５】
【００１５】よりなる群から選ばれる基を表し、R*は、
−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C
5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 6 H 13 、−CH
2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 および
−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から選ばれる基
を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表
す。
−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C
5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 6 H 13 、−CH
2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 および
−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から選ばれる基
を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表
す。
【００１６】また、本発明の液晶材料は、上記式［I］
で表されるカルボン酸エステル化合物からなることを特
徴としている。さらに、本発明の液晶組成物は、上記式
［I］で表されるカルボン酸エステル化合物を含有する
ことを特徴としている。
で表されるカルボン酸エステル化合物からなることを特
徴としている。さらに、本発明の液晶組成物は、上記式
［I］で表されるカルボン酸エステル化合物を含有する
ことを特徴としている。
【００１７】またさらに、本発明の液晶素子は、互いに
対向する二枚の基板と該基板によって構成される間隙と
からなるセル、および該セルの間隙に充填された液晶物
質より構成される液晶素子であって、該液晶物質が前記
式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物を含有す
ることを特徴としている。
対向する二枚の基板と該基板によって構成される間隙と
からなるセル、および該セルの間隙に充填された液晶物
質より構成される液晶素子であって、該液晶物質が前記
式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物を含有す
ることを特徴としている。
【００１８】本発明により新規なカルボン酸エステル化
合物が提供される。このカルボン酸エステル化合物は液
晶材料としての有用性が高い。従って、この化合物を含
有する液晶組成物およびこのカルボン酸エステル化合物
からなる液晶材料が二枚の基板の間に充填された液晶素
子は、液晶としての特性に優れている。
合物が提供される。このカルボン酸エステル化合物は液
晶材料としての有用性が高い。従って、この化合物を含
有する液晶組成物およびこのカルボン酸エステル化合物
からなる液晶材料が二枚の基板の間に充填された液晶素
子は、液晶としての特性に優れている。
【００１９】このような本発明のカルボン酸エステル化
合物を液晶材料として用いることにより、動作温度範囲
が広く、スイッチング速度が大きく、消費電力がきわめ
て少なく、しかも安定したコントラストが得られるなど
の優れた特性を有する各種ディバイスを得ることができ
る。
合物を液晶材料として用いることにより、動作温度範囲
が広く、スイッチング速度が大きく、消費電力がきわめ
て少なく、しかも安定したコントラストが得られるなど
の優れた特性を有する各種ディバイスを得ることができ
る。
【００２０】
【発明の具体的説明】次に本発明について具体的に説明
する。まず本発明のカルボン酸エステル化合物および液
晶材料について説明する。
する。まず本発明のカルボン酸エステル化合物および液
晶材料について説明する。
【００２１】本発明のカルボン酸エステル化合物は、次
式［I］で表すことができる。
式［I］で表すことができる。
【００２２】
【化１６】
【００２３】・・・［I］ ただし、上記式［I］において、Ｒは、炭素数３〜２０
のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭
素数３〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選
ばれる１種の基である。
のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭
素数３〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選
ばれる１種の基である。
【００２４】上記式［I］において、Ｒが炭素数３〜２
０のアルキル基である場合には、直鎖状、分枝状および
脂環状のいずれの形態であってもよいが、特にＲが直鎖
状のアルキル基であるカルボン酸エステル化合物の分子
は、分子がまっ直ぐに伸びた剛直構造をとるため、優れ
た液晶性を示す。このような直鎖状のアルキル基の具体
的な例としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
テトラデシル基、ヘキサデシル基およびオクタデシル基
などを挙げることができる。
０のアルキル基である場合には、直鎖状、分枝状および
脂環状のいずれの形態であってもよいが、特にＲが直鎖
状のアルキル基であるカルボン酸エステル化合物の分子
は、分子がまっ直ぐに伸びた剛直構造をとるため、優れ
た液晶性を示す。このような直鎖状のアルキル基の具体
的な例としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
テトラデシル基、ヘキサデシル基およびオクタデシル基
などを挙げることができる。
【００２５】また、Ｒが炭素数３〜２０のアルコキシ基
である場合には、上記のようなアルキル基を有するアル
コキシ基を挙げることができる。このようなアルコキシ
基の具体的な例としては、ヘキソキシ基、ヘプトキシ
基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ
基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデ
シルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、ヘキサデシルオ
キシ基およびオクタデシルオキシ基を挙げることができ
る。
である場合には、上記のようなアルキル基を有するアル
コキシ基を挙げることができる。このようなアルコキシ
基の具体的な例としては、ヘキソキシ基、ヘプトキシ
基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ
基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデ
シルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、ヘキサデシルオ
キシ基およびオクタデシルオキシ基を挙げることができ
る。
【００２６】さらに、Ｒが炭素数３〜２０のハロゲン化
アルキル基である場合、上記のようなアルキル基の水素
原子の少なくとも一部が、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩなど
のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
アルキル基である場合、上記のようなアルキル基の水素
原子の少なくとも一部が、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩなど
のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
【００２７】上記のようなＲを有する化合物のうちアル
コキシ基を有する化合物が特に優れた液晶性を示す。式
［I］におけるＲは、また、光学活性を有していてもよ
い。光学活性を有する基としては、CmHn-C*H(CpHq)-、C
mHn-C*H(CpFq)-、CmHn-C*H(CpHq)-O-およびC mHn-C*H(Cp
Fq)-O-で表される基を挙げることができる。ただし上記
式においてｍは１〜２０の整数であり、ｍ＝２ｎ＋１の
関係を有する。またｐは１〜５の整数でありｐ＝２ｑ＋
１の関係を有する。さらにｍとｐとは常に異なる。この
ような光学活性基の具体的な例としては、C6H13-C*H(CH
3)-O-、C6H13-C*H(C2H5)-O-、C 6H13-C*H(CH3)-、C6H13-
C*H(C2H5)-、C6H13-C*H(CF3)-O-、C6H13-C*H(C2F5)-O
-、C6H13-C*H(CF3)-およびC6H13-C*H(C2F5)-を挙げるこ
とができる。
コキシ基を有する化合物が特に優れた液晶性を示す。式
［I］におけるＲは、また、光学活性を有していてもよ
い。光学活性を有する基としては、CmHn-C*H(CpHq)-、C
mHn-C*H(CpFq)-、CmHn-C*H(CpHq)-O-およびC mHn-C*H(Cp
Fq)-O-で表される基を挙げることができる。ただし上記
式においてｍは１〜２０の整数であり、ｍ＝２ｎ＋１の
関係を有する。またｐは１〜５の整数でありｐ＝２ｑ＋
１の関係を有する。さらにｍとｐとは常に異なる。この
ような光学活性基の具体的な例としては、C6H13-C*H(CH
3)-O-、C6H13-C*H(C2H5)-O-、C 6H13-C*H(CH3)-、C6H13-
C*H(C2H5)-、C6H13-C*H(CF3)-O-、C6H13-C*H(C2F5)-O
-、C6H13-C*H(CF3)-およびC6H13-C*H(C2F5)-を挙げるこ
とができる。
【００２８】さらに、式［I］において、ＸおよびＹ
は、それぞれ独立に、-COO-、-OCO-、-CH 2 O-および-OCH
2 -よりなる群から選ばれる基または単結合を表す。これ
らの内、本発明のカルボン酸エステル化合物を液晶材料
として使用する場合、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、
-COO-、-OCO-、-CH 2 O-および-OCH2-よりなる群から選ば
れる基または単結合であることが好ましい。さらに、こ
れらの内でも、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、-COO
-、-OCO-および単結合よりなる群から選ばれる基もしく
は単結合のいずれかであることが好ましい。特に分子の
直線性を考慮すると、ＸおよびＹの内、少なくともいず
れか一方、好ましくは両者が、-COO-であることが好ま
しい。
は、それぞれ独立に、-COO-、-OCO-、-CH 2 O-および-OCH
2 -よりなる群から選ばれる基または単結合を表す。これ
らの内、本発明のカルボン酸エステル化合物を液晶材料
として使用する場合、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、
-COO-、-OCO-、-CH 2 O-および-OCH2-よりなる群から選ば
れる基または単結合であることが好ましい。さらに、こ
れらの内でも、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、-COO
-、-OCO-および単結合よりなる群から選ばれる基もしく
は単結合のいずれかであることが好ましい。特に分子の
直線性を考慮すると、ＸおよびＹの内、少なくともいず
れか一方、好ましくは両者が、-COO-であることが好ま
しい。
【００２９】また、式［I］において、Ａは、
【００３０】
【化１７】
【００３１】よりなる群から選ばれる基を表す。さら
に、式［I］において、Ｂは、
に、式［I］において、Ｂは、
【００３２】
【化１８】
【００３３】よりなる群から選ばれる基を表す。また、
式［I］において、Ｒ*は、不斉炭素を少なくとも１個有
する炭素数４〜２０の光学活性基を表す。さらに、この
光学活性基を構成する炭素原子に結合した水素原子は、
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩなどのハロゲン原子で置換され
ていてもよい。
式［I］において、Ｒ*は、不斉炭素を少なくとも１個有
する炭素数４〜２０の光学活性基を表す。さらに、この
光学活性基を構成する炭素原子に結合した水素原子は、
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩなどのハロゲン原子で置換され
ていてもよい。
【００３４】特に、上記式［I］において、Ｒ*が次式
［II］で表される基であることが好ましい。 −Ｑ1−Ｃ*Ｈ（Ｑ2）−Ｑ3 ・・・［II］ ただし、式［II］において、Ｑ1は、-(CH2)q-を表す。
ここでｑは０〜６の整数である。また、Ｑ2およびＱ
3は、それぞれ独立に、炭素原子１〜１０個を有するア
ルキル基、フルオロアルキル基およびハロゲン原子より
なる群から選ばれる相互に異なる基若しくは原子を表
す。ここで炭素原子１〜１０個を有するアルキル基の例
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基およびデシル基を挙げることができる。ま
た、炭素原子１〜１０個を有するフルオロアルキル基の
例としては、上記例示したアルキル基の炭素原子に結合
した水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換され
た基を挙げることができる。さらに、ハロゲン原子の例
としてはＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩなどを挙げることがで
きる。ただし、Ｑ2およびＱ3は常に異なる基若しくは原
子であり、両者が同一になることはない。さらに、Ｑ2
およびＱ3のいずれか一方がハロゲン原子である場合に
は、通常他方はアルキル基またはフルオロアルキル基で
ある。
［II］で表される基であることが好ましい。 −Ｑ1−Ｃ*Ｈ（Ｑ2）−Ｑ3 ・・・［II］ ただし、式［II］において、Ｑ1は、-(CH2)q-を表す。
ここでｑは０〜６の整数である。また、Ｑ2およびＱ
3は、それぞれ独立に、炭素原子１〜１０個を有するア
ルキル基、フルオロアルキル基およびハロゲン原子より
なる群から選ばれる相互に異なる基若しくは原子を表
す。ここで炭素原子１〜１０個を有するアルキル基の例
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基およびデシル基を挙げることができる。ま
た、炭素原子１〜１０個を有するフルオロアルキル基の
例としては、上記例示したアルキル基の炭素原子に結合
した水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換され
た基を挙げることができる。さらに、ハロゲン原子の例
としてはＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩなどを挙げることがで
きる。ただし、Ｑ2およびＱ3は常に異なる基若しくは原
子であり、両者が同一になることはない。さらに、Ｑ2
およびＱ3のいずれか一方がハロゲン原子である場合に
は、通常他方はアルキル基またはフルオロアルキル基で
ある。
【００３５】上記式［II］におけるＱ1、Ｑ2およびＱ3
中にＣＨ2基（-ＣＨ2-構造）またはＣＦ2基（-ＣＦ2-構
造）を有する場合に、これらの少なくとも一部が-O-、-
S-、-CO-、-CHX-;(Xはハロゲン原子)、-CHCN-、-O-CO
-、-O-COO-、-CO-O-および-CH=CH-よりなる群から選ば
れる少なくとも一種類の基で置換されていてもよい。た
だし、この場合にこれらの基を形成するヘテロ原子
（Ｎ、Ｏ等）が直接結合しないようにこれらの基が導入
される。従って、これらの基が置換したことによって、
新たに-O-O-あるいは-N-O-などの結合状態は形成され得
ない。
中にＣＨ2基（-ＣＨ2-構造）またはＣＦ2基（-ＣＦ2-構
造）を有する場合に、これらの少なくとも一部が-O-、-
S-、-CO-、-CHX-;(Xはハロゲン原子)、-CHCN-、-O-CO
-、-O-COO-、-CO-O-および-CH=CH-よりなる群から選ば
れる少なくとも一種類の基で置換されていてもよい。た
だし、この場合にこれらの基を形成するヘテロ原子
（Ｎ、Ｏ等）が直接結合しないようにこれらの基が導入
される。従って、これらの基が置換したことによって、
新たに-O-O-あるいは-N-O-などの結合状態は形成され得
ない。
【００３６】さらに、これらの内でも、Ｒ*は、-C*H(CF
3)-C6H13、-C*H(CH3)-C6H13、-C*H(CH3)-C5H11、-C*H(C
2H5)-C5H11、-C*H(C2H5)-C6H13、-CH2-C*H(CH3)-C2H5、
-(CH2)3-C*H(CH3)-C2H5および-C*H(CF3)-CH2-COO-C2H5
よりなる群から選ばれる基であることが好ましい。すな
わち、このＲ*は、不整炭素を少なくとも１個有する光
学活性基である。なお、この光学活性基を構成する炭素
原子に結合している炭素原子は、上記のように例えばフ
ッ素原子を有していてもよい。
3)-C6H13、-C*H(CH3)-C6H13、-C*H(CH3)-C5H11、-C*H(C
2H5)-C5H11、-C*H(C2H5)-C6H13、-CH2-C*H(CH3)-C2H5、
-(CH2)3-C*H(CH3)-C2H5および-C*H(CF3)-CH2-COO-C2H5
よりなる群から選ばれる基であることが好ましい。すな
わち、このＲ*は、不整炭素を少なくとも１個有する光
学活性基である。なお、この光学活性基を構成する炭素
原子に結合している炭素原子は、上記のように例えばフ
ッ素原子を有していてもよい。
【００３７】これらの基のうち、本発明のカルボン酸エ
ステル化合物を液晶材料として使用する場合にその特性
を考慮すると、以下に示す基が好ましい。-C*H(CF3)-C6
H13、-C*H(CH3)-C6H13、また、式［I］において、ｍ
は、１を表し、ｎは、０、１または２を表す。特に、こ
のカルボン酸エステル化合物を液晶化合物として使用す
る場合には、ｎは、０または１であることが好ましい。
ステル化合物を液晶材料として使用する場合にその特性
を考慮すると、以下に示す基が好ましい。-C*H(CF3)-C6
H13、-C*H(CH3)-C6H13、また、式［I］において、ｍ
は、１を表し、ｎは、０、１または２を表す。特に、こ
のカルボン酸エステル化合物を液晶化合物として使用す
る場合には、ｎは、０または１であることが好ましい。
【００３８】さらに、上記式［I］において、主骨格を
構成する1,2,3,4-テトラヒドロナフチル基には、1,2,3,
4-テトラヒドロ-1,5-ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒド
ロ-1,6-ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒドロ-2,6-ナフチ
ル基および1,2,3,4-テトラヒドロ-1,7-ナフチル基があ
る。
構成する1,2,3,4-テトラヒドロナフチル基には、1,2,3,
4-テトラヒドロ-1,5-ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒド
ロ-1,6-ナフチル基、1,2,3,4-テトラヒドロ-2,6-ナフチ
ル基および1,2,3,4-テトラヒドロ-1,7-ナフチル基があ
る。
【００３９】特に本発明のカルボン酸エステル化合物を
液晶材料として使用する場合には、分子全体が直線状に
なることが好ましく、このため1,2,3,4-テトラヒドロナ
フチル基としては、1,2,3,4-テトラヒドロ-2,6-ナフチ
ル基が特に好ましい。
液晶材料として使用する場合には、分子全体が直線状に
なることが好ましく、このため1,2,3,4-テトラヒドロナ
フチル基としては、1,2,3,4-テトラヒドロ-2,6-ナフチ
ル基が特に好ましい。
【００４０】従って、上記式［I］で表されるカルボン
酸エステル化合物としては、具体的には次表１−１〜表
１−７に記載した化合物を挙げることができる。なお、
以下に記載する表において、Ｒ、Ｒ*、Ｘ、Ｙ、ｍ、ｎ
およびテトラリンの結合状態は、下記式［I］における
それぞれの状態を示すものである。
酸エステル化合物としては、具体的には次表１−１〜表
１−７に記載した化合物を挙げることができる。なお、
以下に記載する表において、Ｒ、Ｒ*、Ｘ、Ｙ、ｍ、ｎ
およびテトラリンの結合状態は、下記式［I］における
それぞれの状態を示すものである。
【００４１】
【化１９】
【００４２】・・・［I］
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】
【表５】
【００４８】
【表６】
【００４９】
【表７】
【００５０】
【表８】
【００５１】
【表９】
【００５２】
【表１０】
【００５３】
【表１１】
【００５４】
【表１２】
【００５５】
【表１３】
【００５６】
【表１４】
【００５７】
【表１５】
【００５８】
【表１６】
【００５９】
【表１７】
【００６０】上記のようなカルボン酸エステル化合物
は、公知の合成技術を組み合わせて利用することにより
製造することができる。例えば、上記のカルボン酸エス
テル化合物は、以下に示す合成経路に従って合成するこ
とができる。
は、公知の合成技術を組み合わせて利用することにより
製造することができる。例えば、上記のカルボン酸エス
テル化合物は、以下に示す合成経路に従って合成するこ
とができる。
【００６１】
【化２０】
【００６２】すなわち、例えば、6-n-アルコキシナフタ
レン-2-カルボン酸と1,2-エトキシエタンとの混合物を
金属ナトリウムの存在下にイソアミルアルコールを滴下
しながら還流することにより、1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-n-アルコキシナフタレン-2-カルボン酸を得る。
レン-2-カルボン酸と1,2-エトキシエタンとの混合物を
金属ナトリウムの存在下にイソアミルアルコールを滴下
しながら還流することにより、1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-n-アルコキシナフタレン-2-カルボン酸を得る。
【００６３】こうして得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-n-アルコキシナフタレン-2-カルボン酸を、酢酸および
臭化水素酸と反応させることにより、1,2,3,4-テトラヒ
ドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸を得る。
-n-アルコキシナフタレン-2-カルボン酸を、酢酸および
臭化水素酸と反応させることにより、1,2,3,4-テトラヒ
ドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸を得る。
【００６４】上記のようにして得られた1,2,3,4-テトラ
ヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸と臭化ベ
ンジルとを水酸化カリウムの存在下に反応させることに
より1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレ
ン-2-カルボン酸を得る。
ヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸と臭化ベ
ンジルとを水酸化カリウムの存在下に反応させることに
より1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレ
ン-2-カルボン酸を得る。
【００６５】次いで、4-N,N-ジメチルアミノピリジンお
よび溶剤として塩化メチレンを用い、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド溶液を滴下しながら、ヒドロキシ
安息香酸と不整炭素を有するアルコールとから得られる
エステル化合物と、上記工程で得られた1,2,3,4-テトラ
ヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸を反
応させることにより4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステ
ルを得る。
よび溶剤として塩化メチレンを用い、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド溶液を滴下しながら、ヒドロキシ
安息香酸と不整炭素を有するアルコールとから得られる
エステル化合物と、上記工程で得られた1,2,3,4-テトラ
ヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸を反
応させることにより4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステ
ルを得る。
【００６６】得られた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'
-ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステ
ルを、テトラヒドロフラン等の溶媒に投入し、パラジウ
ム／炭素等の還元触媒の存在下に水素ガスを用いて還元
することにより、4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒ
ドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステルを得
る。
-ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステ
ルを、テトラヒドロフラン等の溶媒に投入し、パラジウ
ム／炭素等の還元触媒の存在下に水素ガスを用いて還元
することにより、4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒ
ドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸エステルを得
る。
【００６７】次いで、4-N,N-ジメチルアミノピリジンお
よび溶剤として塩化メチレンを用い、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド溶液を滴下しながら、別途常法に
より合成した4-アルコキシ安息香酸と、上記工程で得ら
れた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒドロキシ-2'-
ナフトイルオキシ)安息香酸エステルを反応させること
により本発明のカルボン酸エステルを得ることができ
る。
よび溶剤として塩化メチレンを用い、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド溶液を滴下しながら、別途常法に
より合成した4-アルコキシ安息香酸と、上記工程で得ら
れた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒドロキシ-2'-
ナフトイルオキシ)安息香酸エステルを反応させること
により本発明のカルボン酸エステルを得ることができ
る。
【００６８】なお、上記方法は、本発明のカルボン酸エ
ステル化合物の製造方法の一例であり、本発明のカルボ
ン酸エステル化合物は、この製造方法によって限定され
るものではない。
ステル化合物の製造方法の一例であり、本発明のカルボ
ン酸エステル化合物は、この製造方法によって限定され
るものではない。
【００６９】例えば上記のようにして製造される本発明
のカルボン酸エステル化合物の内、次式で表される4-
［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)1',2',3',4'-
テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］安息香酸R-1"'-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（４）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図１に示す。
のカルボン酸エステル化合物の内、次式で表される4-
［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)1',2',3',4'-
テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］安息香酸R-1"'-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（４）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図１に示す。
【００７０】
【化２１】
【００７１】なお、本発明において式中「ｅｑ」はエカ
トリアル、［ａｘ」はアキシャルの立体配座を示す。ま
た、上記式中において１〜１２の番号は、水素原子を示
し、この番号は図１におけるピークに付した番号と対応
している。
トリアル、［ａｘ」はアキシャルの立体配座を示す。ま
た、上記式中において１〜１２の番号は、水素原子を示
し、この番号は図１におけるピークに付した番号と対応
している。
【００７２】また、次式で表される6-［6'-(4"-デシル
オキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-
2'-ナフトイルオキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエ
ステル［例示化合物（２１）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャー
トを図２に示す。
オキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-
2'-ナフトイルオキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエ
ステル［例示化合物（２１）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャー
トを図２に示す。
【００７３】
【化２２】
【００７４】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図２におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'
-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］-5,6,7,8-テトラ
ヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［例示化合物（２２）］の1Ｈ−
ＮＭＲのチャートを図３に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図２におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'
-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］-5,6,7,8-テトラ
ヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［例示化合物（２２）］の1Ｈ−
ＮＭＲのチャートを図３に示す。
【００７５】
【化２３】
【００７６】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図３におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［4'-(4"-デシルオキシビフェニルカルボキシ)-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリフ
ルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５１）］
の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図４に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図３におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［4'-(4"-デシルオキシビフェニルカルボキシ)-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリフ
ルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５１）］
の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図４に示す。
【００７７】
【化２４】
【００７８】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図４におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［4'-(4"-デシルオキシフェニルシクロヘキシル)カルボ
キシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸
R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（６７）］の１Ｈ−ＮＭＲのチャートを図５に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図４におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
［4'-(4"-デシルオキシフェニルシクロヘキシル)カルボ
キシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸
R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（６７）］の１Ｈ−ＮＭＲのチャートを図５に示す。
【００７９】
【化２５】
【００８０】なお、上記式中において１〜１２の番号
は、水素原子を示し、この番号は図５におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
(6'-ヘプチルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テ
トラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（９６）］の1Ｈ
−ＮＭＲのチャートを図６に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図５におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
(6'-ヘプチルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テ
トラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（９６）］の1Ｈ
−ＮＭＲのチャートを図６に示す。
【００８１】
【化２６】
【００８２】なお、上記式中において１〜１４の番号
は、水素原子を示し、この番号は図６におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
(6'-デシルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テト
ラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［例示化合物（９９）］の1Ｈ−
ＮＭＲのチャートを図７に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図６におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
(6'-デシルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テト
ラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［例示化合物（９９）］の1Ｈ−
ＮＭＲのチャートを図７に示す。
【００８３】
【化２７】
【００８４】なお、上記式中において１〜１４の番号
は、水素原子を示し、この番号は図７におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
[4'-(5"-デシル-2"-ピリミジニル)ベンゾイルオキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1'"-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
８３）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図８に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図７におけるピークに
付した番号と対応している。また、次式で表される6-
[4'-(5"-デシル-2"-ピリミジニル)ベンゾイルオキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1'"-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
８３）］の1Ｈ−ＮＭＲのチャートを図８に示す。
【００８５】
【化２８】
【００８６】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図８におけるピークに
付した番号と対応している。また、6-(4'-デシルオキシ
ベンゾイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2
-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（３５）の］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図９に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図８におけるピークに
付した番号と対応している。また、6-(4'-デシルオキシ
ベンゾイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2
-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（３５）の］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図９に示す。
【００８７】
【化２９】
【００８８】なお、上記式中において１〜１１の番号
は、水素原子を示し、この番号は図９におけるピークに
付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ウンデシ
ルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（５２）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートを図１０に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図９におけるピークに
付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ウンデシ
ルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（５２）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートを図１０に示す。
【００８９】
【化３０】
【００９０】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１０におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ドデシ
ルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（５３）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートを図１１に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図１０におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ドデシ
ルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（５３）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートを図１１に示す。
【００９１】
【化３１】
【００９２】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１１におけるピーク
に付した番号と対応している。6-[4'-(4"-デシルビフェ
ニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２３３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１２に示す
は、水素原子を示し、この番号は図１１におけるピーク
に付した番号と対応している。6-[4'-(4"-デシルビフェ
ニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２３３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１２に示す
【００９３】
【化３２】
【００９４】なお、上記式中において１〜１５の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１２におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-デシル
ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（２３５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペク
トルのチャートを図１３に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図１２におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-デシル
ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（２３５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペク
トルのチャートを図１３に示す。
【００９５】
【化３３】
【００９６】なお、上記式中において１〜１５の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１３におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル
［例示化合物（２３７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１４に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図１３におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル
［例示化合物（２３７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１４に示す。
【００９７】
【化３４】
【００９８】なお、上記式中において１〜１５の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１４におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル
［例示化合物（３１３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１５に示す
は、水素原子を示し、この番号は図１４におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル
［例示化合物（３１３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチ
ャートを図１５に示す
【００９９】
【化３５】
【０１００】なお、上記式中において１〜１５の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１５におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-デシル
ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル［例
示化合物（３１５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャー
トを図１６に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図１５におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-デシル
ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステル［例
示化合物（３１５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャー
トを図１６に示す。
【０１０１】
【化３６】
【０１０２】なお、上記式中において１〜１５の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１６におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-(S-1"'
-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル)カルボキシ]-1,2,
3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（１８
１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１７に示
す。
は、水素原子を示し、この番号は図１６におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-(S-1"'
-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル)カルボキシ]-1,2,
3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（１８
１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１７に示
す。
【０１０３】
【化３７】
【０１０４】なお、上記式中において１〜１３の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１７におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルオキシフェニルシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６５）］の
1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１８に示す。
は、水素原子を示し、この番号は図１７におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-オクチ
ルオキシフェニルシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６５）］の
1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１８に示す。
【０１０５】
【化３８】
【０１０６】なお、上記式中において１〜１２の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１８におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ドデシ
ルオキシフェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]
-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６
９）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１９に示
す。
は、水素原子を示し、この番号は図１８におけるピーク
に付した番号と対応している。また、6-[4'-(4"-ドデシ
ルオキシフェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]
-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６
９）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図１９に示
す。
【０１０７】
【化３９】
【０１０８】なお、上記式中において１〜１２の番号
は、水素原子を示し、この番号は図１９におけるピーク
に付した番号と対応している。また。6-[4'-(4"-デシル
フェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２５１）］
の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図２０に示す
は、水素原子を示し、この番号は図１９におけるピーク
に付した番号と対応している。また。6-[4'-(4"-デシル
フェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２５１）］
の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを図２０に示す
【０１０９】
【化４０】
【０１１０】なお、上記式中において１〜１０の番号
は、水素原子を示し、この番号は図２０におけるピーク
に付した番号と対応している。上記のようにして得られ
た式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物は、例
えば液晶材料として使用することができる。
は、水素原子を示し、この番号は図２０におけるピーク
に付した番号と対応している。上記のようにして得られ
た式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物は、例
えば液晶材料として使用することができる。
【０１１１】特に光学活性を有するカルボン酸エステル
化合物は、強誘電性液晶化合物または反強誘電性液晶化
合物として使用することができる。そして、このような
カルボン酸エステル化合物の内、次式［４］、［２
１］、［２２］、［５１］、［６７］、［８８］、［９
６］、［９９］および［１３１］で表される化合物が特
に優れた液晶特性を示す。
化合物は、強誘電性液晶化合物または反強誘電性液晶化
合物として使用することができる。そして、このような
カルボン酸エステル化合物の内、次式［４］、［２
１］、［２２］、［５１］、［６７］、［８８］、［９
６］、［９９］および［１３１］で表される化合物が特
に優れた液晶特性を示す。
【０１１２】
【化４１】
【０１１３】また、上記化合物以外にも以下に示すカル
ボン酸エステル化合物［１２］、［３５］、［５２］、
［５３］、［６５］、［６９］、［１８１］、［２３
３］、［２３５］、［２３７］、［２５１］、［３１
３］、［３１５］も、表３に示すように優れた液晶性を
示す。
ボン酸エステル化合物［１２］、［３５］、［５２］、
［５３］、［６５］、［６９］、［１８１］、［２３
３］、［２３５］、［２３７］、［２５１］、［３１
３］、［３１５］も、表３に示すように優れた液晶性を
示す。
【０１１４】
【化４２】
【０１１５】このように液晶材料として特に優れてい
る、式［４］、［２１］、［２２］、［５１］、［６
７］、［８８］、［９６］、［９９］および［１３１］
でそれぞれ表される化合物の相転移温度を表２に示す。
なお、以下に示す表２において、Ｃryは、結晶相を、Ｓ
m ＣＡ*は、反強誘電相を、Ｓm Ａは、スメクチックＡ
相を、そして、Ｉsoは、等方性液体を表す。
る、式［４］、［２１］、［２２］、［５１］、［６
７］、［８８］、［９６］、［９９］および［１３１］
でそれぞれ表される化合物の相転移温度を表２に示す。
なお、以下に示す表２において、Ｃryは、結晶相を、Ｓ
m ＣＡ*は、反強誘電相を、Ｓm Ａは、スメクチックＡ
相を、そして、Ｉsoは、等方性液体を表す。
【０１１６】
【表１８】
【０１１７】また、上記以外のカルボン酸エステル化合
物［１２］、［３５］、［５２］、［５３］、［６
５］、［６９］、［１８１］、［２３３］、［２３
５］、［２３７］、［２５１］、［３１３］および［３
１５］についての相転移温度を表３に示す。
物［１２］、［３５］、［５２］、［５３］、［６
５］、［６９］、［１８１］、［２３３］、［２３
５］、［２３７］、［２５１］、［３１３］および［３
１５］についての相転移温度を表３に示す。
【０１１８】
【表１９】
【０１１９】上記表３−１において、表中の各相の下に
記載した「・」の印は、その化合物が印が付された相を
示すことを表し、この「・」とその左に記載された
「・」との間の数字は、右の相から左の相への転移温度
（℃）を表す。また、各層の下に記載した「−」の印
は、その化合物が「−」が付された相を示さないことを
表す。さらに化合物［３１３］および［３１５］におい
てカッコ内は降温過程における転移温度を表す。
記載した「・」の印は、その化合物が印が付された相を
示すことを表し、この「・」とその左に記載された
「・」との間の数字は、右の相から左の相への転移温度
（℃）を表す。また、各層の下に記載した「−」の印
は、その化合物が「−」が付された相を示さないことを
表す。さらに化合物［３１３］および［３１５］におい
てカッコ内は降温過程における転移温度を表す。
【０１２０】本発明の液晶材料中には、表２および表３
−１に示したように、広い温度範囲で、スメクチック相
を呈する化合物が多い。従来、液晶化合物を単独で使用
した場合に、上記の化合物のように広い温度範囲でスメ
クチック相を呈する液晶材料はほとんど知られていな
い。
−１に示したように、広い温度範囲で、スメクチック相
を呈する化合物が多い。従来、液晶化合物を単独で使用
した場合に、上記の化合物のように広い温度範囲でスメ
クチック相を呈する液晶材料はほとんど知られていな
い。
【０１２１】そして、本発明の液晶材料は、スメクチッ
ク相を示す温度範囲が広いだけでなく、このような液晶
材料を用いて製造された光スイッチング素子は、高速応
答性にも優れている。
ク相を示す温度範囲が広いだけでなく、このような液晶
材料を用いて製造された光スイッチング素子は、高速応
答性にも優れている。
【０１２２】本発明の液晶材料は単独で使用することも
できるが、他の液晶材料と混合することにより液晶組成
物として使用することもできる。例えば、本発明の液晶
材料は、反強誘電性液晶組成物の主剤あるいは他のスメ
クチック相を呈する化合物を主剤とする液晶組成物の助
剤として使用することができる。すなわち、本発明のカ
ルボン酸エステル化合物の内、スメクチック相を呈する
化合物は、液晶組成物の主剤として、あるいは他の液晶
材料を主剤とする液晶組成物の助剤として使用すること
ができ、またスメクチック相を示さない化合物は、他の
液晶材料を主剤とする液晶組成物の助剤として使用する
ことができる。
できるが、他の液晶材料と混合することにより液晶組成
物として使用することもできる。例えば、本発明の液晶
材料は、反強誘電性液晶組成物の主剤あるいは他のスメ
クチック相を呈する化合物を主剤とする液晶組成物の助
剤として使用することができる。すなわち、本発明のカ
ルボン酸エステル化合物の内、スメクチック相を呈する
化合物は、液晶組成物の主剤として、あるいは他の液晶
材料を主剤とする液晶組成物の助剤として使用すること
ができ、またスメクチック相を示さない化合物は、他の
液晶材料を主剤とする液晶組成物の助剤として使用する
ことができる。
【０１２３】本発明において式［I］で表される化合物
と共に使用することができる液晶化合物の例としては、
(+)-4'-(2"-メチルブチルオキシ)フェニル-6-オクチル
オキシナフタレン-2-カルボン酸エステル、4'-デシルオ
キシフェニル-6-（(+)-2"-メチルブチルオキシ）ナフタ
レン-2-カルボン酸エステル、
と共に使用することができる液晶化合物の例としては、
(+)-4'-(2"-メチルブチルオキシ)フェニル-6-オクチル
オキシナフタレン-2-カルボン酸エステル、4'-デシルオ
キシフェニル-6-（(+)-2"-メチルブチルオキシ）ナフタ
レン-2-カルボン酸エステル、
【０１２４】
【化４３】
【０１２５】のような液晶化合物の他、
【０１２６】
【化４４】
【０１２７】あるいは
【０１２８】
【化４５】
【０１２９】のような環状構造を有するとともに光学活
性を有する化合物、および
性を有する化合物、および
【０１３０】
【化４６】
【０１３１】のような不整炭素を有すると共に、光学活
性を有する液晶化合物を挙げることができる。さらに、
性を有する液晶化合物を挙げることができる。さらに、
【０１３２】
【化４７】
【０１３３】のようなシッフ塩基系液晶化合物、
【０１３４】
【化４８】
【０１３５】のようなアゾキシ系液晶化合物、
【０１３６】
【化４９】
【０１３７】のような安息香酸エステル系液晶化合物、
【０１３８】
【化５０】
【０１３９】のようなシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル系液晶化合物、
ル系液晶化合物、
【０１４０】
【化５１】
【０１４１】のようなフェニル系液晶化合物、
【０１４２】
【化５２】
【０１４３】のようなターフェノール系液晶化合物、
【０１４４】
【化５３】
【０１４５】のようなシクロヘキシル系液晶化合物、お
よび
よび
【０１４６】
【化５４】
【０１４７】のようなピリミジン系液晶化合物を挙げる
ことができる。本発明の液晶組成物は上記式［I］で表
されるカルボン酸エステル化合物および上記例示した化
合物をはじめとする他の化合物を含有している。この液
晶組成物中における式［I］で表されるカルボン酸エス
テル化合物の配合割合は、得られる液晶組成物の特性等
を考慮して任意に設定することができる。本発明の組成
物は、この組成物中における液晶材料の総量１００重量
部中に式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物
を、通常は１〜９９重量部、好ましくは５〜７５重量部
の範囲内の量で含有している。
ことができる。本発明の液晶組成物は上記式［I］で表
されるカルボン酸エステル化合物および上記例示した化
合物をはじめとする他の化合物を含有している。この液
晶組成物中における式［I］で表されるカルボン酸エス
テル化合物の配合割合は、得られる液晶組成物の特性等
を考慮して任意に設定することができる。本発明の組成
物は、この組成物中における液晶材料の総量１００重量
部中に式［I］で表されるカルボン酸エステル化合物
を、通常は１〜９９重量部、好ましくは５〜７５重量部
の範囲内の量で含有している。
【０１４８】この液晶組成物中には、上記液晶材料に加
えて、さらに、例えば電導性賦与剤および寿命向上剤
等、通常の液晶組成物に配合される添加剤が配合されて
いてもよい。
えて、さらに、例えば電導性賦与剤および寿命向上剤
等、通常の液晶組成物に配合される添加剤が配合されて
いてもよい。
【０１４９】本発明で使用される液晶組成物は、上記の
ようなカルボン酸エステル化合物ならびに所望により他
の液晶化合物および添加剤を混合することにより製造す
ることができる。
ようなカルボン酸エステル化合物ならびに所望により他
の液晶化合物および添加剤を混合することにより製造す
ることができる。
【０１５０】上述した液晶材料を含有する液晶組成物
（液晶物質）は、電圧を印加することにより、光スイッ
チング現象を起こすので、この現象を利用して応答性の
良い表示装置を作成することができる。本発明におい
て、このような現象を利用した素子あるいは素子の駆動
方法に関しては、例えば特開昭56-107216号、同59-1187
44号公報を参照することができる。
（液晶物質）は、電圧を印加することにより、光スイッ
チング現象を起こすので、この現象を利用して応答性の
良い表示装置を作成することができる。本発明におい
て、このような現象を利用した素子あるいは素子の駆動
方法に関しては、例えば特開昭56-107216号、同59-1187
44号公報を参照することができる。
【０１５１】このような表示装置で使用される液晶物質
としては、スメクチックＣ相、スメクチックＦ相、スメ
クチックＧ相、スメクチックＨ相、スメクチックＩ相、
スメクチックＪ相およびスメクチックＫ相のいずれかの
相を示す化合物を使用することができるが、スメクチッ
クＣ相以外では、このような液晶物質を用いた表示素子
の応答速度が一般に遅くなる（低くなる）ため、従来か
ら、実用上は、応答速度の高いスメクチックＣ相で駆動
させることが有効であるとされていた。
としては、スメクチックＣ相、スメクチックＦ相、スメ
クチックＧ相、スメクチックＨ相、スメクチックＩ相、
スメクチックＪ相およびスメクチックＫ相のいずれかの
相を示す化合物を使用することができるが、スメクチッ
クＣ相以外では、このような液晶物質を用いた表示素子
の応答速度が一般に遅くなる（低くなる）ため、従来か
ら、実用上は、応答速度の高いスメクチックＣ相で駆動
させることが有効であるとされていた。
【０１５２】しかしながら、本発明者が特開昭64-3632
号公報で既に提案したようなスメクチックＡ相における
表示装置の駆動方法を利用することにより、本発明にお
いてはスメクチックＣ相だけでなく、スメクチックＡ相
で使用することもできる。すなわち、この駆動方法を利
用することにより、本発明の液晶材料を含有する液晶物
質を使用して液晶素子を広い範囲で駆動させることがで
きるようになると共に、電気光学対応性の高速化を図る
ことができる。
号公報で既に提案したようなスメクチックＡ相における
表示装置の駆動方法を利用することにより、本発明にお
いてはスメクチックＣ相だけでなく、スメクチックＡ相
で使用することもできる。すなわち、この駆動方法を利
用することにより、本発明の液晶材料を含有する液晶物
質を使用して液晶素子を広い範囲で駆動させることがで
きるようになると共に、電気光学対応性の高速化を図る
ことができる。
【０１５３】本発明の液晶素子は、液晶物質が充填され
たセルと偏光板とからなる。すなわち、本発明の液晶素
子は、例えば、第２１図に示すように、液晶物質を充填
する間隙14を形成するように配置された二枚の透明基板
11a,11bと、この二枚の透明基板11a,11bの液晶物質12に
対面する面に形成された透明電極15a,15bとからなるセ
ル13と、このセル13の間隙14に充填された液晶物質12お
よびこのセル13の両外側に一枚ずつ配置された偏光板
（図示なし）から形成されている。
たセルと偏光板とからなる。すなわち、本発明の液晶素
子は、例えば、第２１図に示すように、液晶物質を充填
する間隙14を形成するように配置された二枚の透明基板
11a,11bと、この二枚の透明基板11a,11bの液晶物質12に
対面する面に形成された透明電極15a,15bとからなるセ
ル13と、このセル13の間隙14に充填された液晶物質12お
よびこのセル13の両外側に一枚ずつ配置された偏光板
（図示なし）から形成されている。
【０１５４】本発明において、透明基板としては、例え
ば、ガラスおよび透明高分子板等を用いることができ
る。なお、ガラス基板を用いる場合には、アルカリ成分
の溶出による液晶物質の劣化を防止するために、ガラス
基板表面に、例えば酸化珪素等を主成分とするアンダー
コート層（不要成分透過防止層）を設けることもでき
る。透明基板の厚さは、例えばガラス基板の場合には通
常は０.０１〜１.０mmの範囲内にある。
ば、ガラスおよび透明高分子板等を用いることができ
る。なお、ガラス基板を用いる場合には、アルカリ成分
の溶出による液晶物質の劣化を防止するために、ガラス
基板表面に、例えば酸化珪素等を主成分とするアンダー
コート層（不要成分透過防止層）を設けることもでき
る。透明基板の厚さは、例えばガラス基板の場合には通
常は０.０１〜１.０mmの範囲内にある。
【０１５５】また、本発明においては、透明基板とし
て、可撓性透明基板を用いることもできる。この場合、
透明基板の少なくとも一方の基板として可撓性透明基板
を用いることができ、さらに両者とも可撓性基板であっ
てもよい。このような可撓性透明基板としては、高分子
フィルム等を用いることができる。
て、可撓性透明基板を用いることもできる。この場合、
透明基板の少なくとも一方の基板として可撓性透明基板
を用いることができ、さらに両者とも可撓性基板であっ
てもよい。このような可撓性透明基板としては、高分子
フィルム等を用いることができる。
【０１５６】本発明において、透明基板として可撓性透
明基板を使用する場合、可撓性透明基板の厚さｔ(mm)、
弾性率Ｅ(Kgf/m2)およびセルに形成されている間隙の幅
ａ(mm)が次式で示される関係を有していることが好まし
い。
明基板を使用する場合、可撓性透明基板の厚さｔ(mm)、
弾性率Ｅ(Kgf/m2)およびセルに形成されている間隙の幅
ａ(mm)が次式で示される関係を有していることが好まし
い。
【０１５７】
【数１】
【０１５８】このような透明基板の表面には透明電極が
設けられている。透明電極は、例えば酸化イリジウム、
酸化スズ等で透明基板表面をコーティングすることによ
り形成される。透明電極は、公知の方法により形成する
ことができる。透明電極の厚さは通常は１００〜２００
０オングストロームの範囲内にある。
設けられている。透明電極は、例えば酸化イリジウム、
酸化スズ等で透明基板表面をコーティングすることによ
り形成される。透明電極は、公知の方法により形成する
ことができる。透明電極の厚さは通常は１００〜２００
０オングストロームの範囲内にある。
【０１５９】このような透明電極が設けられた透明基板
には、さらに透明電極上に配向層あるいは強誘電体層が
設けられていてもよい。配向層としては、例えば有機シ
ランカップリング剤あるいはカルボン酸多核錯体等を化
学吸着させることにより形成される有機薄膜および無機
薄膜を挙げることができる。有機薄膜の例としては、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール（ポバール）およびポリイミ
ドなどの高分子薄膜を挙げることができる。このような
有機薄膜は、塗布、接着、蒸着、基板上での重合（例え
ばプラズマ重合）等の方法を利用することにより形成す
ることができる。
には、さらに透明電極上に配向層あるいは強誘電体層が
設けられていてもよい。配向層としては、例えば有機シ
ランカップリング剤あるいはカルボン酸多核錯体等を化
学吸着させることにより形成される有機薄膜および無機
薄膜を挙げることができる。有機薄膜の例としては、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール（ポバール）およびポリイミ
ドなどの高分子薄膜を挙げることができる。このような
有機薄膜は、塗布、接着、蒸着、基板上での重合（例え
ばプラズマ重合）等の方法を利用することにより形成す
ることができる。
【０１６０】また、無機薄膜の例としては、酸化珪素、
酸化ゲルマニウムおよびアルミナ等の酸化物薄膜、窒化
珪素のような窒化物薄膜並びに他の半導体薄膜を挙げる
ことができる。このような無機薄膜は、蒸着（例えば斜
方蒸着）およびスパッタリングなどの方法を利用して形
成することができる。
酸化ゲルマニウムおよびアルミナ等の酸化物薄膜、窒化
珪素のような窒化物薄膜並びに他の半導体薄膜を挙げる
ことができる。このような無機薄膜は、蒸着（例えば斜
方蒸着）およびスパッタリングなどの方法を利用して形
成することができる。
【０１６１】さらに、上記のような薄膜に配向性を賦与
する方法としては、膜成形時に薄膜自体に異方性あるい
は形状特異性を賦与する方法、薄膜作成後に外部から配
向性を賦与する方法がある。具体的には、透明電極上に
ポリイミド樹脂などの高分子物質を塗布して薄膜を形成
した後、この薄膜を一定方向にラビングする方法、高分
子フィルムを延伸して配向性を賦与する方法、酸化物を
斜方蒸着する方法などを挙げることができる。
する方法としては、膜成形時に薄膜自体に異方性あるい
は形状特異性を賦与する方法、薄膜作成後に外部から配
向性を賦与する方法がある。具体的には、透明電極上に
ポリイミド樹脂などの高分子物質を塗布して薄膜を形成
した後、この薄膜を一定方向にラビングする方法、高分
子フィルムを延伸して配向性を賦与する方法、酸化物を
斜方蒸着する方法などを挙げることができる。
【０１６２】このような薄膜、例えば配向層等は後述の
スペーサを兼ねるように形成されていてもよい。上記の
ような透明基板を、透明電極が対面し、そしてこの透明
基板により液晶物質を充填する間隙が形成されるように
二枚配置する。上記のようにして形成される間隙の幅
は、通常は１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍであ
る。このような間隙は、例えば、スペーサを挟持するよ
うに二枚の基板を配置することにより、容易に形成する
ことができる。このようなスペーサとしては、例えば、
感光性ポリイミド前駆体をパターニングして得られるポ
リイミド系高分子物質等を用いることができる。スペー
サを用いることにより、このスペーサと液晶物質との界
面効果により、モノドメインが形成される。
スペーサを兼ねるように形成されていてもよい。上記の
ような透明基板を、透明電極が対面し、そしてこの透明
基板により液晶物質を充填する間隙が形成されるように
二枚配置する。上記のようにして形成される間隙の幅
は、通常は１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍであ
る。このような間隙は、例えば、スペーサを挟持するよ
うに二枚の基板を配置することにより、容易に形成する
ことができる。このようなスペーサとしては、例えば、
感光性ポリイミド前駆体をパターニングして得られるポ
リイミド系高分子物質等を用いることができる。スペー
サを用いることにより、このスペーサと液晶物質との界
面効果により、モノドメインが形成される。
【０１６３】また、第２２図(a)およびこのＡ−Ａ断面
図である図(b)に示すように、例えば、配向膜として作
用する同心円形状のスペーサ26を用いて配向膜とスペー
サとを一体化することもできる。第２２図(a)および(b)
において、透明基板は27で、透明電極は25で、液晶物質
は23で示されている。
図である図(b)に示すように、例えば、配向膜として作
用する同心円形状のスペーサ26を用いて配向膜とスペー
サとを一体化することもできる。第２２図(a)および(b)
において、透明基板は27で、透明電極は25で、液晶物質
は23で示されている。
【０１６４】また、第２３図(a)およびこのＡ−Ａ断面
図である(b)に示すように、例えば、配向膜として作用
するクシ状のスペーサ36を用いて配向膜とスペーサとを
一体化することもできる。第２３図(a)および(b)におい
て、透明基板は37で、透明電極は35で、液晶物質は33で
示されている。
図である(b)に示すように、例えば、配向膜として作用
するクシ状のスペーサ36を用いて配向膜とスペーサとを
一体化することもできる。第２３図(a)および(b)におい
て、透明基板は37で、透明電極は35で、液晶物質は33で
示されている。
【０１６５】また、第２４図に示すように、上記のよう
なスペーサの他に、液晶物質43中にファイバー46を配合
して、このファイバーにより、透明電極45が付設された
透明基板47が一定の間隙を形成するように保持すること
もできる。
なスペーサの他に、液晶物質43中にファイバー46を配合
して、このファイバーにより、透明電極45が付設された
透明基板47が一定の間隙を形成するように保持すること
もできる。
【０１６６】ここで使用されるファイバーとしては、平
均直径および平均長さが次式で表されるものを使用する
ことが好ましい。
均直径および平均長さが次式で表されるものを使用する
ことが好ましい。
【０１６７】
【数２】
【０１６８】ただし、上記式において、ｄはファイバー
の平均直径を表し、ｑはファイバーの平均長さを表す。
ここで使用されるファイバーとしては、種々のものを挙
げることができるが、特にアルカリガラスを紡糸するこ
とにより形成されるファイバーが好ましい。
の平均直径を表し、ｑはファイバーの平均長さを表す。
ここで使用されるファイバーとしては、種々のものを挙
げることができるが、特にアルカリガラスを紡糸するこ
とにより形成されるファイバーが好ましい。
【０１６９】さらに、上記ファイバーの代わりに、ある
いは上記ファイバーと共に粒状物を配合することもでき
る。このような粒状物としては、メラミン樹脂、尿素樹
脂あるいはベンゾグアナミン樹脂等からなる粒子径が１
〜１０μｍの粒状物を挙げることができる。
いは上記ファイバーと共に粒状物を配合することもでき
る。このような粒状物としては、メラミン樹脂、尿素樹
脂あるいはベンゾグアナミン樹脂等からなる粒子径が１
〜１０μｍの粒状物を挙げることができる。
【０１７０】上記のようにして間隙を形成して配置され
た二枚の透明基板は、通常は周辺をシール材でシールす
ることにより貼り合わされる。シール材としては、エポ
キシ系樹脂およびシリコン系樹脂等を用いることができ
る。さらに、このエポキシ樹脂等がアクリル系材料ある
いはシリコン系ゴム等で変性されていてもよい。
た二枚の透明基板は、通常は周辺をシール材でシールす
ることにより貼り合わされる。シール材としては、エポ
キシ系樹脂およびシリコン系樹脂等を用いることができ
る。さらに、このエポキシ樹脂等がアクリル系材料ある
いはシリコン系ゴム等で変性されていてもよい。
【０１７１】上記のような構成を有する液晶セルの間隙
には、上述したような式［I］で表されるカルボン酸エ
ステル化合物を含む液晶物質が充填されている。液晶セ
ルの間隙に充填されたこのような液晶物質は、たとえば
スペーサエッジを利用した温度勾配法あるいは配向膜を
用いた表面処理法等の一軸配向制御法方法を利用して配
向させることができる。また、本発明においては、例え
ば、液晶物質を加熱しながら、直流バイアス電圧を用い
て電界を印加することにより、液晶物質の初期配向を行
うこともできる。
には、上述したような式［I］で表されるカルボン酸エ
ステル化合物を含む液晶物質が充填されている。液晶セ
ルの間隙に充填されたこのような液晶物質は、たとえば
スペーサエッジを利用した温度勾配法あるいは配向膜を
用いた表面処理法等の一軸配向制御法方法を利用して配
向させることができる。また、本発明においては、例え
ば、液晶物質を加熱しながら、直流バイアス電圧を用い
て電界を印加することにより、液晶物質の初期配向を行
うこともできる。
【０１７２】このようにして液晶物質が充填され、初期
配向された液晶セルは、二枚の偏光板の間に配置され
る。さらに第２５図に示すように、上記ようにして調製
された二枚の透明基板57、透明電極55および液晶物質53
からなるセル58を、この二枚の偏光板56の間に二個以上
配置することもできる。
配向された液晶セルは、二枚の偏光板の間に配置され
る。さらに第２５図に示すように、上記ようにして調製
された二枚の透明基板57、透明電極55および液晶物質53
からなるセル58を、この二枚の偏光板56の間に二個以上
配置することもできる。
【０１７３】本発明の液晶素子において、それぞれの偏
光板の偏光面のなす角度が７０〜１１０度になるように
配置することができる。そして、この二枚の偏光板の偏
光方向が直交するように、すなわち上記角度が９０度に
なるように偏光板を配置することが好ましい。
光板の偏光面のなす角度が７０〜１１０度になるように
配置することができる。そして、この二枚の偏光板の偏
光方向が直交するように、すなわち上記角度が９０度に
なるように偏光板を配置することが好ましい。
【０１７４】このような偏光板としては、例えばポリビ
ニルアルコール樹脂フィルム、ポリビニルブチラール樹
脂フィルム等の樹脂フィルムをヨウ素等の存在下で延伸
することによりフィルム中にヨウ素を吸収させて偏光性
を賦与した偏光フィルムを用いることができる。このよ
うな偏光フィルムは、他の樹脂などで表面を被覆して多
層構造にすることもできる。
ニルアルコール樹脂フィルム、ポリビニルブチラール樹
脂フィルム等の樹脂フィルムをヨウ素等の存在下で延伸
することによりフィルム中にヨウ素を吸収させて偏光性
を賦与した偏光フィルムを用いることができる。このよ
うな偏光フィルムは、他の樹脂などで表面を被覆して多
層構造にすることもできる。
【０１７５】本発明において、上記のような液晶セル
は、上記のように配置された偏光板の間に、透過する光
量が最も少ない状態（すなわち、最暗状態）から±１０
度の範囲内の角度（回転角度）を形成するように、好ま
しくは最暗状態になるように二枚の偏光板の間に配置す
ることができる。さらに、上記のように配置された偏光
板の間に、透過する光量が最も多い状態（すなわち、最
明状態）から±１０度の範囲内の角度（回転角度）を形
成するように、好ましくは最明状態になるように二枚の
偏光板の間に配置することができる。
は、上記のように配置された偏光板の間に、透過する光
量が最も少ない状態（すなわち、最暗状態）から±１０
度の範囲内の角度（回転角度）を形成するように、好ま
しくは最暗状態になるように二枚の偏光板の間に配置す
ることができる。さらに、上記のように配置された偏光
板の間に、透過する光量が最も多い状態（すなわち、最
明状態）から±１０度の範囲内の角度（回転角度）を形
成するように、好ましくは最明状態になるように二枚の
偏光板の間に配置することができる。
【０１７６】上記のような構成を有するセル13の間隙14
に充填されている液晶物質15は、上記式［I］で表され
るカルボン酸エステル化合物を含有している。本発明の
液晶素子は、第９図に示すように、上記のような液晶物
質15をセル13の間隙14に充填して、この液晶物質15を初
期配向させることにより製造することができる。
に充填されている液晶物質15は、上記式［I］で表され
るカルボン酸エステル化合物を含有している。本発明の
液晶素子は、第９図に示すように、上記のような液晶物
質15をセル13の間隙14に充填して、この液晶物質15を初
期配向させることにより製造することができる。
【０１７７】液晶物質15は、通常、溶融状態になるまで
加熱され、この状態で内部が減圧にされているセルの間
隙14に充填（注入）される。このように液晶物質を充填
した後、セル13に設けられている液晶物質の注入口は密
封される。
加熱され、この状態で内部が減圧にされているセルの間
隙14に充填（注入）される。このように液晶物質を充填
した後、セル13に設けられている液晶物質の注入口は密
封される。
【０１７８】次いで、このように注入口が密封されたセ
ル13をセル内に充填された液晶物質15が等方相を示す温
度以上の温度に加熱し、その後、この液晶物質15が液晶
を示す温度にまで冷却する。
ル13をセル内に充填された液晶物質15が等方相を示す温
度以上の温度に加熱し、その後、この液晶物質15が液晶
を示す温度にまで冷却する。
【０１７９】そして、本発明においては、この冷却の際
の降温速度を２℃／分以下にすることが好ましい。特に
降温速度を０.１〜２.０℃／分の範囲内にすることが好
ましく、さらに０.１〜０.５℃／分の範囲内にすること
が特に好ましい。このような冷却速度でセル13を冷却す
ることにより、液晶物質15の初期配合状態が向上し、配
向欠陥の少ないモノドメインからなる液晶相を有する液
晶素子を容易に形成することができる。ここで初期配向
性とは、液晶素子に電圧の印加等を行って液晶物質の配
向ベクトルを変える前の液晶物質の配列状態をいう。
の降温速度を２℃／分以下にすることが好ましい。特に
降温速度を０.１〜２.０℃／分の範囲内にすることが好
ましく、さらに０.１〜０.５℃／分の範囲内にすること
が特に好ましい。このような冷却速度でセル13を冷却す
ることにより、液晶物質15の初期配合状態が向上し、配
向欠陥の少ないモノドメインからなる液晶相を有する液
晶素子を容易に形成することができる。ここで初期配向
性とは、液晶素子に電圧の印加等を行って液晶物質の配
向ベクトルを変える前の液晶物質の配列状態をいう。
【０１８０】このようにして形成される本発明の液晶素
子は、従来の液晶素子と比較して、コントラスト等の特
性が著しく優れ、例えば表面安定化強誘電性液晶素子、
ヘリカル変調素子、過度散乱型素子、ゲストホスト型素
子、垂直配向液晶素子などとして好適に使用することが
できる。
子は、従来の液晶素子と比較して、コントラスト等の特
性が著しく優れ、例えば表面安定化強誘電性液晶素子、
ヘリカル変調素子、過度散乱型素子、ゲストホスト型素
子、垂直配向液晶素子などとして好適に使用することが
できる。
【０１８１】例えば、本発明の液晶素子に、電界を印加
することによりこの液晶素子を駆動させる場合には、周
波数が通常は１Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは１０Ｈ
ｚ〜１０ＫＨｚ、電界が通常は０.０１〜６０Ｖp-p／μ
mt(厚さ１μｍ当たり電圧)、好ましくは０.０５〜３０
Ｖp-p／μmtに制御された電界をかけることにより駆動
させることができる。
することによりこの液晶素子を駆動させる場合には、周
波数が通常は１Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは１０Ｈ
ｚ〜１０ＫＨｚ、電界が通常は０.０１〜６０Ｖp-p／μ
mt(厚さ１μｍ当たり電圧)、好ましくは０.０５〜３０
Ｖp-p／μmtに制御された電界をかけることにより駆動
させることができる。
【０１８２】そして、前記式［I］で表されるカルボン
酸エステル化合物を含有する光学活性を有する液晶物質
を使用することにより、本発明の液晶素子は、電界を印
加して駆動する際に印加する電界の波形（駆動波）の幅
を変えることにより、この液晶素子を透過する光量が２
種類のヒステリシス曲線を描くようになる。このうち一
方は、いわゆる双安定型を利用する駆動方法であり、も
う一方は、いわゆる三安定型を利用する駆動方法であ
る。
酸エステル化合物を含有する光学活性を有する液晶物質
を使用することにより、本発明の液晶素子は、電界を印
加して駆動する際に印加する電界の波形（駆動波）の幅
を変えることにより、この液晶素子を透過する光量が２
種類のヒステリシス曲線を描くようになる。このうち一
方は、いわゆる双安定型を利用する駆動方法であり、も
う一方は、いわゆる三安定型を利用する駆動方法であ
る。
【０１８３】上記のような光学活性を有する液晶物質が
充填された液晶セルを、偏光面が直交するように配置さ
れた二枚の偏光板の間に、電界を印加しない状態で最暗
状態になるように配置した本発明の液晶素子に、例えば
周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは７０Ｈｚ〜
１０ＫＨｚの矩形波（あるいはパルス波）、三角波、正
弦波およびこれらを組み合わせた波形の内のいずれかの
波形の電界を印加することによりこの液晶素子を駆動さ
せることができる。例えば、矩形波（あるいはパルスま
たは両者の組み合わせ波）を印加する場合には、電界の
幅を１０ミリ秒以下、好ましくは０.０１〜１０ミリ秒
の範囲内にすることにより、液晶素子の駆動速度を高く
することができ、この領域では本発明の液晶素子を双安
定型液晶素子として使用することができる。また、この
電界の幅を１０ミリ秒より大きくすることにより、好ま
しくは３３〜１０００ミリ秒の範囲内にすることによ
り、それほど高速で駆動することが必要でない領域で、
本発明の液晶素子を三安定型液晶素子として使用するこ
とができる。ここで、電界の幅とは、例えば矩形波にお
いては、所定の電圧に維持される電界の長さ（すなわち
時間）を意味する。
充填された液晶セルを、偏光面が直交するように配置さ
れた二枚の偏光板の間に、電界を印加しない状態で最暗
状態になるように配置した本発明の液晶素子に、例えば
周波数５０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、好ましくは７０Ｈｚ〜
１０ＫＨｚの矩形波（あるいはパルス波）、三角波、正
弦波およびこれらを組み合わせた波形の内のいずれかの
波形の電界を印加することによりこの液晶素子を駆動さ
せることができる。例えば、矩形波（あるいはパルスま
たは両者の組み合わせ波）を印加する場合には、電界の
幅を１０ミリ秒以下、好ましくは０.０１〜１０ミリ秒
の範囲内にすることにより、液晶素子の駆動速度を高く
することができ、この領域では本発明の液晶素子を双安
定型液晶素子として使用することができる。また、この
電界の幅を１０ミリ秒より大きくすることにより、好ま
しくは３３〜１０００ミリ秒の範囲内にすることによ
り、それほど高速で駆動することが必要でない領域で、
本発明の液晶素子を三安定型液晶素子として使用するこ
とができる。ここで、電界の幅とは、例えば矩形波にお
いては、所定の電圧に維持される電界の長さ（すなわち
時間）を意味する。
【０１８４】本発明の液晶素子を用いて各種の液晶表示
装置および電気光学表示装置を製造することができる。
また、本発明の液晶素子の内、スメクチック相を呈する
液晶物質が充填された液晶素子は、熱書き込み型液晶表
示素子、レーザー書き込み型液晶表示素子等の記憶型液
晶表示装置のような液晶表示装置あるいは電気光学表示
装置を製造することができる。さらに、強誘電性を有す
るカルボン酸エステル化合物を含有する液晶物質を用い
ることにより、上記のような用途の他、光シャッターあ
るいは液晶プリンターなどの光スイッチング素子、圧電
素子および焦電素子のような液晶表示装置あるいは電気
光学表示装置を製造することができる。
装置および電気光学表示装置を製造することができる。
また、本発明の液晶素子の内、スメクチック相を呈する
液晶物質が充填された液晶素子は、熱書き込み型液晶表
示素子、レーザー書き込み型液晶表示素子等の記憶型液
晶表示装置のような液晶表示装置あるいは電気光学表示
装置を製造することができる。さらに、強誘電性を有す
るカルボン酸エステル化合物を含有する液晶物質を用い
ることにより、上記のような用途の他、光シャッターあ
るいは液晶プリンターなどの光スイッチング素子、圧電
素子および焦電素子のような液晶表示装置あるいは電気
光学表示装置を製造することができる。
【０１８５】すなわち、本発明で使用される液晶素子
は、例えば、双安定性を示すため、双安定状態を達成す
るように電界を反転することにより、本発明の液晶素子
に光スイッチング機能あるいは表示機能をもたせること
ができる。
は、例えば、双安定性を示すため、双安定状態を達成す
るように電界を反転することにより、本発明の液晶素子
に光スイッチング機能あるいは表示機能をもたせること
ができる。
【０１８６】また、本発明で使用される液晶物質は、自
発分極を有するから一度電圧を印加すると電界消去後も
メモリー効果を有する。そこで、このメモリーを維持す
るために液晶素子に電界を印加し続ける必要がなく、本
発明の液晶素子を用いた表示装置では消費電力の低減を
図ることができる。しかもこの表示装置は、安定したコ
ントラストを有しているので非常に鮮明である。
発分極を有するから一度電圧を印加すると電界消去後も
メモリー効果を有する。そこで、このメモリーを維持す
るために液晶素子に電界を印加し続ける必要がなく、本
発明の液晶素子を用いた表示装置では消費電力の低減を
図ることができる。しかもこの表示装置は、安定したコ
ントラストを有しているので非常に鮮明である。
【０１８７】さらに、前記式［I］で表される液晶性ラ
セミ混合物を用いた本発明のスイッチング素子では、分
子の配向方向を変えるだけでスイッチング操作が可能に
なり、この場合、電界強度の一次項がこのスイッチング
素子の駆動に作用するため、本発明のスイッチング素子
では低電圧駆動が可能になる。
セミ混合物を用いた本発明のスイッチング素子では、分
子の配向方向を変えるだけでスイッチング操作が可能に
なり、この場合、電界強度の一次項がこのスイッチング
素子の駆動に作用するため、本発明のスイッチング素子
では低電圧駆動が可能になる。
【０１８８】そして、このスイッチング素子を用いるこ
とにより、数十μ秒以下の高速応答性を実現することが
できるので、素子の操作時間は大幅に短縮される。従っ
て、本発明の液晶素子を用いることにより走査線の多い
大画面のディスプレイ（液晶表示装置）を容易に製造す
ることができる。しかも、このディスプレイは、室温あ
るいはそれ以下の温度で駆動させることができるので、
駆動温度をコントロールするための補助手段を用いるこ
となくこのディスプレイを駆動させることができる。
とにより、数十μ秒以下の高速応答性を実現することが
できるので、素子の操作時間は大幅に短縮される。従っ
て、本発明の液晶素子を用いることにより走査線の多い
大画面のディスプレイ（液晶表示装置）を容易に製造す
ることができる。しかも、このディスプレイは、室温あ
るいはそれ以下の温度で駆動させることができるので、
駆動温度をコントロールするための補助手段を用いるこ
となくこのディスプレイを駆動させることができる。
【０１８９】さらに、本発明で使用される液晶物質は、
一般には双安定性を示さないとされているスメクチック
Ａ相においても、電界が印加されると誘起的に分子が傾
くので、この性質を利用して光スイッチングを行うこと
できる。すなわち、従来強誘電性液晶化合物を用いる場
合には実用的な応答速度を達成できないため、通常は使
用されていなかったスメクチックＡ相においても、本発
明者が既に特願昭62-157808号で提案した駆動法および
装置を利用することにより、本発明の表示装置を駆動さ
せることが可能である。さらに、本発明で使用される液
晶物質は、スメクチックＣ相よりもさらに高い秩序を有
するスメクチックＦ相などにおいても、二つ以上の安定
状態を示すので、これらの相における複数の安定状態を
利用して上記と同様にして光スイッチングを行うことが
できる。
一般には双安定性を示さないとされているスメクチック
Ａ相においても、電界が印加されると誘起的に分子が傾
くので、この性質を利用して光スイッチングを行うこと
できる。すなわち、従来強誘電性液晶化合物を用いる場
合には実用的な応答速度を達成できないため、通常は使
用されていなかったスメクチックＡ相においても、本発
明者が既に特願昭62-157808号で提案した駆動法および
装置を利用することにより、本発明の表示装置を駆動さ
せることが可能である。さらに、本発明で使用される液
晶物質は、スメクチックＣ相よりもさらに高い秩序を有
するスメクチックＦ相などにおいても、二つ以上の安定
状態を示すので、これらの相における複数の安定状態を
利用して上記と同様にして光スイッチングを行うことが
できる。
【０１９０】本発明の液晶素子を用いた表示装置は、種
々の方法で駆動させることができるが、この駆動方法の
具体的な例としては以下に記載する方法を挙げることが
できる。
々の方法で駆動させることができるが、この駆動方法の
具体的な例としては以下に記載する方法を挙げることが
できる。
【０１９１】第１の方法は、本発明の液晶素子を二枚の
偏光板の間に介在させ、この液晶素子に外部電圧を印加
し、液晶物質の配向ベクトルを変えることにより、二枚
の偏光板と液晶物質の複屈折とを利用して表示を行う方
法である。
偏光板の間に介在させ、この液晶素子に外部電圧を印加
し、液晶物質の配向ベクトルを変えることにより、二枚
の偏光板と液晶物質の複屈折とを利用して表示を行う方
法である。
【０１９２】第２の方法は、二色性色素が配合された液
晶物質を用いて色素の二色性を利用する方法である。こ
の方法は液晶化合物の配向方向を変えることにより色素
による光の吸収波長を変えて表示を行う方法である。こ
の場合に使用される色素は、通常二色性色素であり、こ
のような二色性色素の例としては、アゾ色素、ナフトキ
ノン色素、シアニン系色素およびアントラキノン系色素
等を挙げることができる。
晶物質を用いて色素の二色性を利用する方法である。こ
の方法は液晶化合物の配向方向を変えることにより色素
による光の吸収波長を変えて表示を行う方法である。こ
の場合に使用される色素は、通常二色性色素であり、こ
のような二色性色素の例としては、アゾ色素、ナフトキ
ノン色素、シアニン系色素およびアントラキノン系色素
等を挙げることができる。
【０１９３】本発明の液晶素子を用いて製造される表示
ディバイスは、スタチィック駆動、単純マトリックス駆
動および複合マトリックス駆動等の電気アドレス表示方
式、光アドレス表示方式、熱アドレス表示方式並びに光
ビーム表示方式により駆動させることができる。
ディバイスは、スタチィック駆動、単純マトリックス駆
動および複合マトリックス駆動等の電気アドレス表示方
式、光アドレス表示方式、熱アドレス表示方式並びに光
ビーム表示方式により駆動させることができる。
【０１９４】また、本発明の表示装置を電界駆動する際
には各絵素を駆動させるための素子として、非線形素子
あるいは能動素子を用いることができる。より具体的に
は、２端子素子の非線形素子としては、例えば第２６図
(a)に示すように一方の透明基板上にバリスタ、ＭＩＭ
（Metal Insulator Metal)、ダイオードなどを配置し
て、これらの非線形性を利用した素子を挙げることがで
きる。また、３端子素子の能動素子としては、例えば第
２６図(b)に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）、Ｓｉ-ＭＯＳ（Si-metal oxide semi conductor f
ield-effect transistor）、およびＳＯＳ（Sillicon o
n Sapphire）などが絵素に配置された素子を挙げること
ができる。
には各絵素を駆動させるための素子として、非線形素子
あるいは能動素子を用いることができる。より具体的に
は、２端子素子の非線形素子としては、例えば第２６図
(a)に示すように一方の透明基板上にバリスタ、ＭＩＭ
（Metal Insulator Metal)、ダイオードなどを配置し
て、これらの非線形性を利用した素子を挙げることがで
きる。また、３端子素子の能動素子としては、例えば第
２６図(b)に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）、Ｓｉ-ＭＯＳ（Si-metal oxide semi conductor f
ield-effect transistor）、およびＳＯＳ（Sillicon o
n Sapphire）などが絵素に配置された素子を挙げること
ができる。
【０１９５】
【発明の効果】本発明により新規なカルボン酸エステル
化合物が提供される。このカルボン酸エステル化合物は
液晶材料としての有用性が高い。従って、この化合物を
含有する液晶組成物およびこのカルボン酸エステル化合
物からなる液晶材料が二枚の基板の間に充填された液晶
素子は、液晶としての特性に優れている。
化合物が提供される。このカルボン酸エステル化合物は
液晶材料としての有用性が高い。従って、この化合物を
含有する液晶組成物およびこのカルボン酸エステル化合
物からなる液晶材料が二枚の基板の間に充填された液晶
素子は、液晶としての特性に優れている。
【０１９６】このような本発明の化合物に、同種および
／または他種の液晶物質を配合することにより、本発明
の化合物が有する強誘電性または反強誘電性を損なうこ
となく、液晶を使用できる温度範囲を広域化することが
できる。
／または他種の液晶物質を配合することにより、本発明
の化合物が有する強誘電性または反強誘電性を損なうこ
となく、液晶を使用できる温度範囲を広域化することが
できる。
【０１９７】従って、このような化合物を用いることに
より、広い温度範囲において高速応答性を有する液晶素
子等を得ることができる。さらに、このような素子を用
いて製造した液晶ディスプレイにおいては、操作時間を
大幅に短縮することができる。
より、広い温度範囲において高速応答性を有する液晶素
子等を得ることができる。さらに、このような素子を用
いて製造した液晶ディスプレイにおいては、操作時間を
大幅に短縮することができる。
【０１９８】このようなディスプレイでは、消費電力の
低減を図ることができると共に、安定したコントラスト
が得られる。また、低電圧駆動も可能である。また、本
発明のカルボン酸エステル化合物を反強誘電性液晶化合
物として使用する場合、メモリー性の実現が容易にな
り、配向性を向上させるなどの特性を付与することがで
きる。
低減を図ることができると共に、安定したコントラスト
が得られる。また、低電圧駆動も可能である。また、本
発明のカルボン酸エステル化合物を反強誘電性液晶化合
物として使用する場合、メモリー性の実現が容易にな
り、配向性を向上させるなどの特性を付与することがで
きる。
【０１９９】このような本発明のカルボン酸エステル化
合物を液晶材料として用いることにより、動作温度範囲
が広く、スイッチング速度が大きく、消費電力がきわめ
て少なく、しかも安定したコントラストが得られるなど
の優れた特性を有する各種ディバイスを得ることができ
る。
合物を液晶材料として用いることにより、動作温度範囲
が広く、スイッチング速度が大きく、消費電力がきわめ
て少なく、しかも安定したコントラストが得られるなど
の優れた特性を有する各種ディバイスを得ることができ
る。
【０２００】
【実施例】次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。なおＲ、Ｓは光
学活性体のＲ体、Ｓ体を表わす。
らの実施例に限定されるものではない。なおＲ、Ｓは光
学活性体のＲ体、Ｓ体を表わす。
【０２０１】
【実施例１】 4-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)1',2',3',
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］安息香酸R-1"'
-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（４）］の合成
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］安息香酸R-1"'
-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（４）］の合成
【０２０２】
【化５５】
【０２０３】・・・（４）第１段階 6-n-デシルオキシ-ナフタレン-2-カルボン酸３.８６ｇ
（11.8ミリモル）および1,2-ジエトキシエタン１３０ml
の混合物に、窒素雰囲気下、１２０℃で攪拌下に金属ナ
トリウム３.０ｇ（130ミリグラム原子）を加え、さらに
還流温度にまで加熱した。
（11.8ミリモル）および1,2-ジエトキシエタン１３０ml
の混合物に、窒素雰囲気下、１２０℃で攪拌下に金属ナ
トリウム３.０ｇ（130ミリグラム原子）を加え、さらに
還流温度にまで加熱した。
【０２０４】この混合物にイソ-アミルアルコール１０
ｇ（114ミリモル）を１時間かけて滴下し、さらに１１
時間還流下に反応させた。室温に冷却後、残存する金属
ナトリウムをエタノールを加えてアルコラートに変えた
後、反応混合物を２０％塩酸を用いて、酸性にした。
ｇ（114ミリモル）を１時間かけて滴下し、さらに１１
時間還流下に反応させた。室温に冷却後、残存する金属
ナトリウムをエタノールを加えてアルコラートに変えた
後、反応混合物を２０％塩酸を用いて、酸性にした。
【０２０５】この反応混合物に水１００mlを加えた後、
有機相を分離し、さらにこの有機相を水洗した。有機相
を減圧下に濃縮して固体４.２５ｇを得た。この固体を
トルエンを用いて再結晶することにより、1,2,3,4-テト
ラヒドロ-6-n-デシルオキシナフタレン-2-カルボン酸、
２.９５ｇ（8.89ミリモル）を得た。
有機相を分離し、さらにこの有機相を水洗した。有機相
を減圧下に濃縮して固体４.２５ｇを得た。この固体を
トルエンを用いて再結晶することにより、1,2,3,4-テト
ラヒドロ-6-n-デシルオキシナフタレン-2-カルボン酸、
２.９５ｇ（8.89ミリモル）を得た。
【０２０６】第２段階 第１段階の方法で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-デ
シルオキシナフタレン-2-カルボン酸１６.６ｇ（50ミリ
モル）と酢酸２５０ｃｃ、４７％臭化水素酸８６.５ｇ
（0.5モル）を１３０℃で７時間加熱還流した。この反
応物に蒸留水を添加後、減圧下に濃縮することにより、
1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カル
ボン酸１０.６０ｇ（50ミリモル）を得た。
シルオキシナフタレン-2-カルボン酸１６.６ｇ（50ミリ
モル）と酢酸２５０ｃｃ、４７％臭化水素酸８６.５ｇ
（0.5モル）を１３０℃で７時間加熱還流した。この反
応物に蒸留水を添加後、減圧下に濃縮することにより、
1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カル
ボン酸１０.６０ｇ（50ミリモル）を得た。
【０２０７】第３段階 第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸１０.６０ｇ（50ミリモ
ル）、臭化ベンジル１２.８５ｇ（75ミリモル）、８５
％水酸化カリウム６.６ｇ（100ミリモル）、ヨウ化ナト
リウム０.５２５ｇ（３.５ミリモル）、エタノール２０
０mlおよび蒸留水２５mlの混合物を１００℃で１２時間
加熱還流した。さらに１０％水酸化カリウム５０mlを添
加し２時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水中に
加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にした。析
出物を濾過により分別し、これをトルエンを用いて再結
晶することにより1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオ
キシナフタレン-2-カルボン酸１３.０８ｇ（46.4ミリモ
ル）を得た。
シナフタレン-2-カルボン酸１０.６０ｇ（50ミリモ
ル）、臭化ベンジル１２.８５ｇ（75ミリモル）、８５
％水酸化カリウム６.６ｇ（100ミリモル）、ヨウ化ナト
リウム０.５２５ｇ（３.５ミリモル）、エタノール２０
０mlおよび蒸留水２５mlの混合物を１００℃で１２時間
加熱還流した。さらに１０％水酸化カリウム５０mlを添
加し２時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水中に
加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にした。析
出物を濾過により分別し、これをトルエンを用いて再結
晶することにより1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオ
キシナフタレン-2-カルボン酸１３.０８ｇ（46.4ミリモ
ル）を得た。
【０２０８】第４段階 第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.８４６ｇ（3ミリモ
ル）、別途常法により合成した4-ヒドロキシ安息香酸R-
1'-トリフルオロメチルヘプチルエステル０.９１２ｇ
（3ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０３
７ｇ（0.3ミリモル）および塩化メチレン１５mlの混合
物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.６８ｇ
（3.3ミリモル）を含む塩化メチレン溶液７mlを室温
で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.８４６ｇ（3ミリモ
ル）、別途常法により合成した4-ヒドロキシ安息香酸R-
1'-トリフルオロメチルヘプチルエステル０.９１２ｇ
（3ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０３
７ｇ（0.3ミリモル）および塩化メチレン１５mlの混合
物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.６８ｇ
（3.3ミリモル）を含む塩化メチレン溶液７mlを室温
で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
【０２０９】さらに室温下で３時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、白
色固体である4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフル
オロメチルヘプチルエステル１.５６ｇ（2.75ミリモ
ル）を得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、白
色固体である4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフル
オロメチルヘプチルエステル１.５６ｇ（2.75ミリモ
ル）を得た。
【０２１０】第５段階 第４段階で得られた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル１.５６ｇ（2.75ミ
リモル）、５％パラジウム／炭素０.１６ｇおよびテト
ラヒドロフラン２０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に
水素ガスを２０時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤
であるセライトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を
濃縮し、白色半固体である4-(1',2',3',4'-テトラヒド
ロ-6'-ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-
トリフルオロメチルヘプチルエステル１.３６ｇ（2.75
ミリモル）を得た。
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル１.５６ｇ（2.75ミ
リモル）、５％パラジウム／炭素０.１６ｇおよびテト
ラヒドロフラン２０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に
水素ガスを２０時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤
であるセライトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を
濃縮し、白色半固体である4-(1',2',3',4'-テトラヒド
ロ-6'-ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-
トリフルオロメチルヘプチルエステル１.３６ｇ（2.75
ミリモル）を得た。
【０２１１】第６段階 第５段階で得られた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフ
ルオロメチルヘプチルエステル０.４７８ｇ（1ミリモ
ル）、別途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸
０.２７８ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレン１
０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５
mlを室温で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフ
ルオロメチルヘプチルエステル０.４７８ｇ（1ミリモ
ル）、別途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸
０.２７８ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレン１
０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５
mlを室温で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
【０２１２】さらに室温下で５時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色の半固体０.４３ｇを得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色の半固体０.４３ｇを得た。
【０２１３】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７３８であった。図１にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする4-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ］安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［上記例示化合物（４）］であると同定
した。
Ｍ／ｅ＝７３８であった。図１にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする4-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ］安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［上記例示化合物（４）］であると同定
した。
【０２１４】
【実施例２】 6-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-1,2,3,4-テト
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（２１）］の合成
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-1,2,3,4-テト
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（２１）］の合成
【０２１５】
【化５６】
【０２１６】・・・（２１）第１段階 実施例１の第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸５.６４ｇ（2
0ミリモル）、R-1-トリフルオロメチルヘプタノール３.
６８ｇ（20ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン
０.２４４ｇ（0.2ミリモル）および塩化メチレン７０ml
の混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド４.
５３ｇ（22ミリモル）を含む塩化メチレン溶液２５mlを
室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸５.６４ｇ（2
0ミリモル）、R-1-トリフルオロメチルヘプタノール３.
６８ｇ（20ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン
０.２４４ｇ（0.2ミリモル）および塩化メチレン７０ml
の混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド４.
５３ｇ（22ミリモル）を含む塩化メチレン溶液２５mlを
室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
【０２１７】さらに室温下で２時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色液体である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプ
チルエステル８.１９ｇ（18.3ミリモル）を得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色液体である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプ
チルエステル８.１９ｇ（18.3ミリモル）を得た。
【０２１８】第２段階 第１段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル８.１９ｇ（18.3ミリモル）、５％
パラジウム／炭素３.６ｇおよびテトラヒドロフラン５
０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを２４時
間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセライトを
用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、褐色液体
である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-
2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチルエステ
ル６.７８ｇ（18.3ミリモル）を得た。
オキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル８.１９ｇ（18.3ミリモル）、５％
パラジウム／炭素３.６ｇおよびテトラヒドロフラン５
０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを２４時
間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセライトを
用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、褐色液体
である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-
2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチルエステ
ル６.７８ｇ（18.3ミリモル）を得た。
【０２１９】第３段階 第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル０.４３ｇ（1.2ミリモル）、実施例１の
第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.３４ｇ（1.2ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１５ｇ（0.1
2ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.３０ｇ（1.4ミ
リモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下
に２時間かけて滴下した。
シナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル０.４３ｇ（1.2ミリモル）、実施例１の
第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.３４ｇ（1.2ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１５ｇ（0.1
2ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.３０ｇ（1.4ミ
リモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下
に２時間かけて滴下した。
【０２２０】さらに室温下で６時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロ
キシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル０.７０ｇ（0.125ミリモル）を得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロ
キシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル０.７０ｇ（0.125ミリモル）を得た。
【０２２１】第４段階 第３段階で得られた6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル０.７０ｇ（1.125ミリモル）、
５％パラジウム／炭素０.１４ｇおよびテトラヒドロフ
ラン１０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを
１６時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセラ
イトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロ
キシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル０.６４ｇ（1.125ミリモル）を得た。
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル０.７０ｇ（1.125ミリモル）、
５％パラジウム／炭素０.１４ｇおよびテトラヒドロフ
ラン１０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを
１６時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセラ
イトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベンジ
ルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロ
キシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル０.６４ｇ（1.125ミリモル）を得た。
【０２２２】第５段階 第４段階で得られた6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル０.６４ｇ（1.125ミリモル）、
別途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸０.３
１３ｇ（1.125ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０１４ｇ（0.113ミリモル）および塩化メチレン
１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２８ｇ（1.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶液
５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル０.６４ｇ（1.125ミリモル）、
別途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸０.３
１３ｇ（1.125ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０１４ｇ（0.113ミリモル）および塩化メチレン
１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２８ｇ（1.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶液
５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
【０２２３】さらに室温下で５.５時間反応させた。反
応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物を
カラムクロマトグラフィーを用いて分離することによ
り、無色の半固体０.７６ｇを得た。
応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物を
カラムクロマトグラフィーを用いて分離することによ
り、無色の半固体０.７６ｇを得た。
【０２２４】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７９２であった。図２にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（２１）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝７９２であった。図２にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（２１）］であると同定した。
【０２２５】
【実施例３】 6-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1',2',3',
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］-5,6,7,8-テト
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（２２）］の合成
4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］-5,6,7,8-テト
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（２２）］の合成
【０２２６】
【化５７】
【０２２７】・・・（２２）第１段階 6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸３０ｇ（１６０
ミリモル）、５％パラジウム／炭素５ｇおよびテトラヒ
ドロフラン５００mlを、容量１リットルのオートクレー
ブに入れて混合し、窒素雰囲気下で１０５℃まで加熱し
た。
ミリモル）、５％パラジウム／炭素５ｇおよびテトラヒ
ドロフラン５００mlを、容量１リットルのオートクレー
ブに入れて混合し、窒素雰囲気下で１０５℃まで加熱し
た。
【０２２８】温度を１０５℃に保ちながらオートクレー
ブを水素圧２０Ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力に保ち、攪拌下、
３時間反応した。３時間経過後室温まで放冷し、次いで
水素ガスを放出して脱圧して得られた反応混合物を、濾
過助材であるセライトを用いて濾過し、さらに得られた
濾液を濃縮した。
ブを水素圧２０Ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力に保ち、攪拌下、
３時間反応した。３時間経過後室温まで放冷し、次いで
水素ガスを放出して脱圧して得られた反応混合物を、濾
過助材であるセライトを用いて濾過し、さらに得られた
濾液を濃縮した。
【０２２９】得られた混合物をトルエンを用いて再結晶
することにより、白色結晶１６.１ｇを得た。この化合
物のＦＤ−マススペクトルの値はＭ／ｅ＝１９２であっ
た。
することにより、白色結晶１６.１ｇを得た。この化合
物のＦＤ−マススペクトルの値はＭ／ｅ＝１９２であっ
た。
【０２３０】分析結果より、この化合物は、5,6,7,8-テ
トラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸であ
ると同定した。第２段階 第１段階で得られた5,6,7,8-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸２.８８ｇ（15ミリモル）、
R-1'-トリフルオロメチルヘプタノール２.７６ｇ（15ミ
リモル）、4-N,N'-ジメチルアミノピリジン０.１８３ｇ
（1.5ミリモル）および塩化メチレン５０mlを混合し、
得られた混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド３.４０ｇ（16.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液２０mlを室温で、攪拌下に５時間かけて滴下した。
トラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸であ
ると同定した。第２段階 第１段階で得られた5,6,7,8-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸２.８８ｇ（15ミリモル）、
R-1'-トリフルオロメチルヘプタノール２.７６ｇ（15ミ
リモル）、4-N,N'-ジメチルアミノピリジン０.１８３ｇ
（1.5ミリモル）および塩化メチレン５０mlを混合し、
得られた混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド３.４０ｇ（16.5ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液２０mlを室温で、攪拌下に５時間かけて滴下した。
【０２３１】室温下で、２４時間反応させたのち、N,N'
-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.４１ｇ（2ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液２mlを添加し、さらに３日
間反応させた。
-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.４１ｇ（2ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液２mlを添加し、さらに３日
間反応させた。
【０２３２】反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮
した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離
することにより、無色で粘稠な液体である5,6,7,8-テト
ラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル３.１１ｇ（8.69
ミリモル）を得た。
した。濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離
することにより、無色で粘稠な液体である5,6,7,8-テト
ラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル３.１１ｇ（8.69
ミリモル）を得た。
【０２３３】第３段階 第２段階で得られた5,6,7,8-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル０.７１６ｇ（2ミリモル）、実施例１の
第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.５６４ｇ（2ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０２４４ｇ
（0.2ミリモル）および塩化メチレン１５mlの混合物
に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.４５ｇ
（2.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温
で、攪拌下に４時間かけて滴下した。
シナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル０.７１６ｇ（2ミリモル）、実施例１の
第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸０.５６４ｇ（2ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０２４４ｇ
（0.2ミリモル）および塩化メチレン１５mlの混合物
に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.４５ｇ
（2.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温
で、攪拌下に４時間かけて滴下した。
【０２３４】さらに室温下で２３時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
白色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベン
ジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル１.１５ｇ（1.85ミリモル）を得
た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
白色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ベン
ジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル１.１５ｇ（1.85ミリモル）を得
た。
【０２３５】第４段階 第３段階で得られた6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル１.１５ｇ（1.85ミリモル）、
５％パラジウム／炭素０.２３ｇおよびテトラヒドロフ
ラン１０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを
１６時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセラ
イトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒドロ
キシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒドロキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプ
チルエステル０.９８ｇ（1.84ミリモル）を得た。
ベンジルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラ
ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル１.１５ｇ（1.85ミリモル）、
５％パラジウム／炭素０.２３ｇおよびテトラヒドロフ
ラン１０mlの混合物中に室温、常圧攪拌下に水素ガスを
１６時間吹きこんだ。反応混合物を濾過助剤であるセラ
イトを用いて濾過し、さらに得られた濾液を濃縮し、白
色固体である6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒドロ
キシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒドロキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプ
チルエステル０.９８ｇ（1.84ミリモル）を得た。
【０２３６】第５段階 第４段階で得られた6-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-
ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル０.４８ｇ（0.9ミリモル）、別途常
法で合成した4-デシルオキシ安息香酸０.２５ｇ（0.9ミ
リモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１１ｇ
（0.09ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物
に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２２ｇ
（1.1ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温
で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)-5,6,7,8-テトラヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル０.４８ｇ（0.9ミリモル）、別途常
法で合成した4-デシルオキシ安息香酸０.２５ｇ（0.9ミ
リモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１１ｇ
（0.09ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物
に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２２ｇ
（1.1ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温
で、攪拌下に１時間かけて滴下した。
【０２３７】さらに室温下で６５時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５１ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５１ｇを得た。
【０２３８】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７９２であった。図３にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ]-5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（２２）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝７９２であった。図３にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［6'-(4"-デシルオキ
シベンゾイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナ
フトイルオキシ]-5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（２２）］であると同定した。
【０２３９】
【実施例４】 6-［4'-(4"-デシルオキシビフェニルカルボキシ)-1,2,
3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
１）］の合成
3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
１）］の合成
【０２４０】
【化５８】
【０２４１】・・・（５１）第１段階 4'-ヒドロキシビフェニル-4-カルボン酸２１.４ｇ（0.1
モル）、n-デシルブロマイド３３.１５ｇ（0.15モ
ル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（0.2モル）、
ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（7ミリモル）、エタノール
５００ml、蒸留水１００mlの混合物を１００℃で１２時
間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリウム４０mlを
添加し２時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水中
に加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にした。
析出物を濾過により分別し、これをアセトンに溶解させ
熱時濾過し濾液を濃縮することにより、4'-デシルオキ
シビフェニル-4-カルボン酸１.９７ｇ（6ミリモル）を
得た。
モル）、n-デシルブロマイド３３.１５ｇ（0.15モ
ル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（0.2モル）、
ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（7ミリモル）、エタノール
５００ml、蒸留水１００mlの混合物を１００℃で１２時
間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリウム４０mlを
添加し２時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水中
に加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にした。
析出物を濾過により分別し、これをアセトンに溶解させ
熱時濾過し濾液を濃縮することにより、4'-デシルオキ
シビフェニル-4-カルボン酸１.９７ｇ（6ミリモル）を
得た。
【０２４２】第２段階 第１段階で得られた4'-デシルオキシビフェニル-4-カル
ボン酸０.３５ｇ（1ミリモル）、実施例２の第２段階で
得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル０.３６ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピ
リジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレン
１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液
５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
ボン酸０.３５ｇ（1ミリモル）、実施例２の第２段階で
得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル０.３６ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピ
リジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレン
１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩化メチレン溶液
５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
【０２４３】さらに室温下で４８時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５１ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５１ｇを得た。
【０２４４】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６９４であった。図４にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［4'-(4"-デシルオキ
シビフェニルカルボキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸］R-1"'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル［上記例示化合物（５１）］であると同定し
た。
Ｍ／ｅ＝６９４であった。図４にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［4'-(4"-デシルオキ
シビフェニルカルボキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸］R-1"'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル［上記例示化合物（５１）］であると同定し
た。
【０２４５】
【実施例５】 6-［4'-(4"-デシルオキシフェニルシクロヘキサンカル
ボキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸］R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（６７）］の合成
ボキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸］R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（６７）］の合成
【０２４６】
【化５９】
【０２４７】・・・（６７）第１段階 4'-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸４
４ｇ（0.2モル）、n-デシルブロマイド６６.４ｇ（0.3
モル）、８５％水酸化カリウム２６.４ｇ（0.4モル）、
ヨウ化ナトリウム３.０ｇ（20ミリモル）、エタノール
３６０ｇ、蒸留水１８０ｇの混合物を１００℃で９時間
加熱還流した。さらに１０％水酸化カリウム１００mlを
添加し２０時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水
中に加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にし
た。析出物を濾過し、ヘキサン洗浄することにより、4'
-デシルオキシフェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸６
７.４ｇ（0.187ミリモル）を得た。
４ｇ（0.2モル）、n-デシルブロマイド６６.４ｇ（0.3
モル）、８５％水酸化カリウム２６.４ｇ（0.4モル）、
ヨウ化ナトリウム３.０ｇ（20ミリモル）、エタノール
３６０ｇ、蒸留水１８０ｇの混合物を１００℃で９時間
加熱還流した。さらに１０％水酸化カリウム１００mlを
添加し２０時間加熱還流を続けた。室温まで放冷後冷水
中に加え、反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にし
た。析出物を濾過し、ヘキサン洗浄することにより、4'
-デシルオキシフェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸６
７.４ｇ（0.187ミリモル）を得た。
【０２４８】第２段階 第１段階で得られた4'-デシルオキシフェニルシクロヘ
キサン-4-カルボン酸０.３６ｇ（1ミリモル）、実施例
２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル０.３６ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジ
メチルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）およ
び塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩
化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴
下した。
キサン-4-カルボン酸０.３６ｇ（1ミリモル）、実施例
２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒド
ロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチ
ルヘプチルエステル０.３６ｇ（1ミリモル）、4-N,N-ジ
メチルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）およ
び塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.２５ｇ（1.2ミリモル）を含む塩
化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に２時間かけて滴
下した。
【０２４９】さらに室温下で１９時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５８ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.５８ｇを得た。
【０２５０】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７００であった。図５にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［4'-(4"-デシルオキ
シフェニルシクロヘキサンカルボキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［上記例示化合物（６７）］であ
ると同定した。
Ｍ／ｅ＝７００であった。図５にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-［4'-(4"-デシルオキ
シフェニルシクロヘキサンカルボキシ)-1,2,3,4-テトラ
ヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"'-トリフルオロメ
チルヘプチルエステル［上記例示化合物（６７）］であ
ると同定した。
【０２５１】
【実施例６】 4-［6'-(6"-ヘプチルオキシ-2"-ナフトイルオキシ)-1',
2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]安息香酸
R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（８８）］の合成
2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]安息香酸
R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（８８）］の合成
【０２５２】
【化６０】
【０２５３】・・・（８８）第１段階 常法により合成した6-ヘプチルオキシナフタレン-2-カ
ルボン酸０.２４ｇ（0.84ミリモル）、実施例１の第５
段階で得られた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒド
ロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.５６ｇ（0.84ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1
ミリモル）および塩化メチレン２０mlの混合物に、N,N'
-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２０ｇ（1ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液２mlを室温で、攪拌下に１
時間かけて滴下した。
ルボン酸０.２４ｇ（0.84ミリモル）、実施例１の第５
段階で得られた4-(1',2',3',4'-テトラヒドロ-6'-ヒド
ロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R-1"-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.５６ｇ（0.84ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1
ミリモル）および塩化メチレン２０mlの混合物に、N,N'
-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２０ｇ（1ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液２mlを室温で、攪拌下に１
時間かけて滴下した。
【０２５４】さらに室温下で１４時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.０５ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.０５ｇを得た。
【０２５５】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７４６であった。この分析の結果より、この化
合物は目的とする4-［6'-(6"-ヘプチルオキシ-2"-ナフ
トイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイ
ルオキシ]安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［上記例示化合物（８８）］あると同定した。
Ｍ／ｅ＝７４６であった。この分析の結果より、この化
合物は目的とする4-［6'-(6"-ヘプチルオキシ-2"-ナフ
トイルオキシ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイ
ルオキシ]安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［上記例示化合物（８８）］あると同定した。
【０２５６】
【実施例７】 6-(6'-ヘプチルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル［例示化合物（９６）］の合
成
テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル［例示化合物（９６）］の合
成
【０２５７】
【化６１】
【０２５８】・・・（９６）第１段階 常法により合成した6-ヘプチルオキシナフタレン-2-カ
ルボン酸０.２４ｇ（0.84ミリモル）、実施例２の第２
段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナ
フタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル０.６９ｇ（0.84ミリモル）、4-N,N-ジメチ
ルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩
化メチレン２０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド０.１７ｇ（0.84ミリモル）を含む塩化
メチレン溶液２mlを室温で、攪拌下に１時間かけて滴下
した。
ルボン酸０.２４ｇ（0.84ミリモル）、実施例２の第２
段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナ
フタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル０.６９ｇ（0.84ミリモル）、4-N,N-ジメチ
ルアミノピリジン０.０１２ｇ（0.1ミリモル）および塩
化メチレン２０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド０.１７ｇ（0.84ミリモル）を含む塩化
メチレン溶液２mlを室温で、攪拌下に１時間かけて滴下
した。
【０２５９】さらに室温下で１４時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.２７ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０.２７ｇを得た。
【０２６０】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６２６であった。図６にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-(6'-ヘプチルオキシ-
2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル［上記例示化合物（９６）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６２６であった。図６にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-(6'-ヘプチルオキシ-
2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル［上記例示化合物（９６）］であると同定した。
【０２６１】
【実施例８】 6-(6'-デシルオキシ-2'-ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テ
トラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（９９）］の合成
トラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（９９）］の合成
【０２６２】
【化６２】
【０２６３】・・・（９９）第１段階 実施例７において6-ヘプチルオキシナフタレン-2-カル
ボン酸のかわりに6-デシルオキシナフタレン-2-カルボ
ン酸を用いて、同様に反応を行うことにより、無色の半
固体０.６４ｇを得た。
ボン酸のかわりに6-デシルオキシナフタレン-2-カルボ
ン酸を用いて、同様に反応を行うことにより、無色の半
固体０.６４ｇを得た。
【０２６４】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６６８であった。図７にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-(6'-デシルオキシ-2'-
ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2
ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（９９）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６６８であった。図７にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-(6'-デシルオキシ-2'-
ナフトイルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2
ーカルボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［上記例示化合物（９９）］であると同定した。
【０２６５】
【実施例９】6-[4'-(5"-デシル-2"-ピリミジニル)ベン
ゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカ
ルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２８３）］の合成
ゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカ
ルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２８３）］の合成
【０２６６】
【化６３】
【０２６７】 ・・・（２８３） 第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.３５８ｇ（1ミリモル）、
4-(5'-デシル-2'-ピリミジニル)安息香酸０.３３ｇ（1
ミリモル、小島化学株式会社製）、4-N,N-ジメチルアミ
ノピリジン０.０１ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレ
ン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジ
イミド０.２３ｇ（1.1ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液３mlを室温で、攪拌下に１.５時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.３５８ｇ（1ミリモル）、
4-(5'-デシル-2'-ピリミジニル)安息香酸０.３３ｇ（1
ミリモル、小島化学株式会社製）、4-N,N-ジメチルアミ
ノピリジン０.０１ｇ（0.1ミリモル）および塩化メチレ
ン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジ
イミド０.２３ｇ（1.1ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液３mlを室温で、攪拌下に１.５時間かけて滴下した。
【０２６８】さらに室温下で５時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色の半固体０.７４ｇを得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色の半固体０.７４ｇを得た。
【０２６９】この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６７０であった。図８にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-[4'-(5"-デシル-2"-ピ
リミジニル)ベンゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレンー2ーカルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［上記例示化合物（２８３）］であると
同定した。
Ｍ／ｅ＝６７０であった。図８にこの化合物の1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。これらの分析の結果
より、この化合物は目的とする6-[4'-(5"-デシル-2"-ピ
リミジニル)ベンゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレンー2ーカルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［上記例示化合物（２８３）］であると
同定した。
【０２７０】
【実施例１０】 [6-(4'-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1,2,3,4-テト
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（３５）］の合成
ラヒドロナフタレン-2-カルボン酸]R-1"-トリフルオロ
メチルヘプチルエステル［例示化合物（３５）］の合成
【０２７１】
【化６４】
【０２７２】・・・（３５）第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１.０ミリモル）と、別
途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸０.２８
ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.
０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチレン１０ml
の混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.
２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５ml
を室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１.０ミリモル）と、別
途常法により合成した4-デシルオキシ安息香酸０.２８
ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.
０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチレン１０ml
の混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.
２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５ml
を室温で、攪拌下に２時間かけて滴下した。
【０２７３】さらに室温で４８時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより白色
固体０.５ｇを得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより白色
固体０.５ｇを得た。
【０２７４】この白色固体のＦＤ-マススペクトルの値
はＭ／ｅ＝６１８であった。図９にこの化合物の1Ｈ-Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。この分析の結果よ
り、この化合物は目的とする6-(4'-デシルオキシベンゾ
イルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（３５）］であると同定した。
はＭ／ｅ＝６１８であった。図９にこの化合物の1Ｈ-Ｎ
ＭＲスペクトルのチャートを示す。この分析の結果よ
り、この化合物は目的とする6-(4'-デシルオキシベンゾ
イルオキシ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（３５）］であると同定した。
【０２７５】
【実施例１１】 6-[4'-(4"-ウンデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
２）］の合成
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
２）］の合成
【０２７６】
【化６５】
【０２７７】・・・（５２）第１段階 4'-ヒドロキシビフェニル-4-カルボン酸２１.４ｇ（０.
１モル）、n-ウンデシルブロマイド３４.２５ｇ（０.１
５モル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（０.２モ
ル）、ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（７ミリモル）、エ
タノール５００mlおよび蒸留水１００mlの混合物を１０
０℃で１２時間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリ
ウム４０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
１モル）、n-ウンデシルブロマイド３４.２５ｇ（０.１
５モル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（０.２モ
ル）、ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（７ミリモル）、エ
タノール５００mlおよび蒸留水１００mlの混合物を１０
０℃で１２時間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリ
ウム４０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
【０２７８】室温まで放冷下後、反応液を冷却水中に加
え、この反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にして反
応物を析出させた。析出物を濾別し、これをアセトンに
溶解させ熱時濾過して得られた濾液を濃縮することによ
り、4'-ウンデシルオキシビフェニル-4-カルボン酸２.
２１ｇ（６ミリモル）を得た。
え、この反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にして反
応物を析出させた。析出物を濾別し、これをアセトンに
溶解させ熱時濾過して得られた濾液を濃縮することによ
り、4'-ウンデシルオキシビフェニル-4-カルボン酸２.
２１ｇ（６ミリモル）を得た。
【０２７９】第２段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.７２ｇ（２ミリモル）と、上記
第１段階で得られた4'-ウンデシルオキシビフェニル-4-
カルボン酸０.７７３ｇ（２.１ミリモル）、4-N,N'-ジ
メチルアミノピリジン０.０２４ｇ（０.２ミリモル）お
よび塩化メチレン２０mlの混合物にN,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.４９５ｇ（２.４ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下２時間かけ
て滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.７２ｇ（２ミリモル）と、上記
第１段階で得られた4'-ウンデシルオキシビフェニル-4-
カルボン酸０.７７３ｇ（２.１ミリモル）、4-N,N'-ジ
メチルアミノピリジン０.０２４ｇ（０.２ミリモル）お
よび塩化メチレン２０mlの混合物にN,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.４９５ｇ（２.４ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下２時間かけ
て滴下した。
【０２８０】さらに室温下で１２時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
白色固体１.０６ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
白色固体１.０６ｇを得た。
【０２８１】この白色固体のＦＤ-マススペクトルの値
はＭ／ｅ＝７０８であった。図１０にこの化合物（白色
固体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これ
らの分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-
(4"-ウンデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５２）］で
あると同定した。
はＭ／ｅ＝７０８であった。図１０にこの化合物（白色
固体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これ
らの分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-
(4"-ウンデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4
-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５２）］で
あると同定した。
【０２８２】
【実施例１２】 6-[4'-(4"-ドデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,
2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
３）］の合成
2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-ト
リフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５
３）］の合成
【０２８３】
【化６６】
【０２８４】・・・（５３）第１段階 4'-ヒドロキシビフェニル-4-カルボン酸２１.４ｇ（０.
１モル）、n-ドデシルブロマイド３７.３５ｇ（０.１５
モル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（０.２モ
ル）、ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（７ミリモル）、エ
タノール５００mlおよび蒸留水１００mlの混合物を１０
０℃で１２時間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリ
ウム４０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
１モル）、n-ドデシルブロマイド３７.３５ｇ（０.１５
モル）、８５％水酸化カリウム１３.２０ｇ（０.２モ
ル）、ヨウ化ナトリウム１.０５ｇ（７ミリモル）、エ
タノール５００mlおよび蒸留水１００mlの混合物を１０
０℃で１２時間加熱還流した。さらに２５％水酸化カリ
ウム４０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
【０２８５】室温まで放冷下後、反応液を冷却水中に加
え、この反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にして反
応物を析出させた。析出物を濾別し、これをアセトンに
溶解させ熱時濾過して得られた濾液を濃縮することによ
り、4'-ドデシルオキシビフェニル-4-カルボン酸２.２
９ｇ（６ミリモル）を得た。
え、この反応混合物を３６％塩酸を用いて酸性にして反
応物を析出させた。析出物を濾別し、これをアセトンに
溶解させ熱時濾過して得られた濾液を濃縮することによ
り、4'-ドデシルオキシビフェニル-4-カルボン酸２.２
９ｇ（６ミリモル）を得た。
【０２８６】第２段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.７１６ｇ（２ミリモル
と、上記第１段階で合成した4'-ドデシルオキシビフェ
ニル-4-カルボン酸０.８０２ｇ（２.１ミリモル）、4-
N,N-ジメチルアミノピリジン０.０２４（０.２ミリモ
ル）および塩化メチレン２０mlの混合物にN.N'-ジシク
ロヘキシルカルボジイミド０.４９５ｇ（２.４ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下に
２時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル０.７１６ｇ（２ミリモル
と、上記第１段階で合成した4'-ドデシルオキシビフェ
ニル-4-カルボン酸０.８０２ｇ（２.１ミリモル）、4-
N,N-ジメチルアミノピリジン０.０２４（０.２ミリモ
ル）および塩化メチレン２０mlの混合物にN.N'-ジシク
ロヘキシルカルボジイミド０.４９５ｇ（２.４ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下に
２時間かけて滴下した。
【０２８７】さらに室温下で１２時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、白
色固体１.０８ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、白
色固体１.０８ｇを得た。
【０２８８】この白色固体のＦＤ-マススペクトルの値
はＭ／ｅ＝７２２であった。図１１にこの化合物（白色
固体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これ
らの分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-
(4"-ドデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５３）］で
あると同定した。
はＭ／ｅ＝７２２であった。図１１にこの化合物（白色
固体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これ
らの分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-
(4"-ドデシルオキシビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（５３）］で
あると同定した。
【０２８９】
【実施例１３】 6-[4'-(4"-オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３３）］
の合成
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３３）］
の合成
【０２９０】
【化６７】
【０２９１】・・・（２３３）第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-オ
クチルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学(株)製FK-11
24-8）０.３１ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミ
ノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メ
チレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカル
ボジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチ
レン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけて滴下
した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-オ
クチルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学(株)製FK-11
24-8）０.３１ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミ
ノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メ
チレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカル
ボジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチ
レン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけて滴下
した。
【０２９２】さらに室温下で３６時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、無
色の半固体０.５５ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、無
色の半固体０.５５ｇを得た。
【０２９３】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６５０であった。図１２にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（２３３）］と同定し
た。
Ｍ／ｅ＝６５０であった。図１２にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（２３３）］と同定し
た。
【０２９４】
【実施例１４】 6-[4'-(4"-デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テ
トラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３５）］の
合成
トラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオ
ロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３５）］の
合成
【０２９５】
【化６８】
【０２９６】・・・（２３５）第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-デ
シルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学(株)製FK-1124
-10）０.３４ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノ
ピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチ
レン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチレ
ン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけて滴下し
た。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-デ
シルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学(株)製FK-1124
-10）０.３４ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノ
ピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチ
レン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモル）を含む塩化メチレ
ン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけて滴下し
た。
【０２９７】さらに室温下で２０時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、無
色の半固体０.５０ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより、無
色の半固体０.５０ｇを得た。
【０２９８】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６７８であった。図１３にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［例示化合物（２３５）］と同定した。
Ｍ／ｅ＝６７８であった。図１３にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘ
プチルエステル［例示化合物（２３５）］と同定した。
【０２９９】
【実施例１５】 6-[4'-(4"-ドデシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３７）］
の合成
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフル
オロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２３７）］
の合成
【０３００】
【化６９】
【０３０１】・・・（２３７）第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-ド
デシルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製F
K-1124-12）０.３７ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチル
アミノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩
化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド０.２５ｇ（１.２５ミリモル）を含む塩
化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけ
て滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、4'-ド
デシルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製F
K-1124-12）０.３７ｇ（１ミリモル）、4-N,N-ジメチル
アミノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモル）および塩
化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシル
カルボジイミド０.２５ｇ（１.２５ミリモル）を含む塩
化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に２.５時間かけ
て滴下した。
【０３０２】さらに室温下で２０時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５４ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５４ｇを得た。
【０３０３】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７０６であった。図１４にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
ドデシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（２３７）］であると同
定した。
Ｍ／ｅ＝７０６であった。図１４にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
ドデシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（２３７）］であると同
定した。
【０３０４】
【実施例１６】 6-[4'-(4"-オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘ
プチルエステル［例示化合物（３１３）］の合成
テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘ
プチルエステル［例示化合物（３１３）］の合成
【０３０５】
【化７０】
【０３０６】・・・（３１３）第１段階 6-n-デシルオキシ-ナフタレン-2-カルボン酸３.８６ｇ
（１１.８ミリモル）および1,2-ジエトキシエタン１３
０mlの混合物に、窒素雰囲気下、１２０℃で攪拌下に金
属ナトリウム３.０ｇ（１３０ミリグラム原子）を加
え、さらに還流温度にまで加熱した。
（１１.８ミリモル）および1,2-ジエトキシエタン１３
０mlの混合物に、窒素雰囲気下、１２０℃で攪拌下に金
属ナトリウム３.０ｇ（１３０ミリグラム原子）を加
え、さらに還流温度にまで加熱した。
【０３０７】この混合物にイソアミルアルコール１０ｇ
（１１４ミリモル）を１時間かけて滴下し、さらに１１
時間還流下に反応させた。室温に冷却後、残存する金属
ナトリウムをエタノールを加えてアルコアラートに変え
た後、反応混合物を２０％塩酸を用いて、酸性にした。
（１１４ミリモル）を１時間かけて滴下し、さらに１１
時間還流下に反応させた。室温に冷却後、残存する金属
ナトリウムをエタノールを加えてアルコアラートに変え
た後、反応混合物を２０％塩酸を用いて、酸性にした。
【０３０８】この反応混合物に水１００mlを加えた後、
有機相を分離し、さらにこの有機相を水洗した。有機相
を減圧下に濃縮して固体４.２５ｇを得た。この固体を
トルエンを用いて再結晶することにより、1,2,3,4-テト
ラヒドロ-6-n-デシルオキシナフタレン-2-カルボン酸
２.９５ｇ（８.８９ミリモル）を得た。
有機相を分離し、さらにこの有機相を水洗した。有機相
を減圧下に濃縮して固体４.２５ｇを得た。この固体を
トルエンを用いて再結晶することにより、1,2,3,4-テト
ラヒドロ-6-n-デシルオキシナフタレン-2-カルボン酸
２.９５ｇ（８.８９ミリモル）を得た。
【０３０９】第２段階 第１段階の方法で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-デ
シルオキシナフタレン-2-カルボン酸１６.６ｇ（５０ミ
リモル）と酢酸２５０cc、４７％臭化水素酸８６.５ｇ
（０.５モル）の混合物を１３０℃で７時間加熱還流し
た。蒸留水を添加後減圧下で濃縮することにより、1,2,
3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン
酸１０.６０ｇ（５０ミリモル）を得た。
シルオキシナフタレン-2-カルボン酸１６.６ｇ（５０ミ
リモル）と酢酸２５０cc、４７％臭化水素酸８６.５ｇ
（０.５モル）の混合物を１３０℃で７時間加熱還流し
た。蒸留水を添加後減圧下で濃縮することにより、1,2,
3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン
酸１０.６０ｇ（５０ミリモル）を得た。
【０３１０】第３段階 第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ヒドロキ
シナフタレン-2-カルボン酸１０.６０ｇ（５０ミリモ
ル）、臭化ベンジル１２.８５ｇ（７５ミリモル）、８
５％水酸化カリウム水溶液６.６ｇ（１００ミリモ
ル）、ヨウ化ナトリウム０.５２５ｇ（３.５ミリモ
ル）、エタノール２００ml、蒸留水２５mlの混合物を１
００℃で１２時間加熱還流した。さらに１０％水酸化カ
リウム５０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
シナフタレン-2-カルボン酸１０.６０ｇ（５０ミリモ
ル）、臭化ベンジル１２.８５ｇ（７５ミリモル）、８
５％水酸化カリウム水溶液６.６ｇ（１００ミリモ
ル）、ヨウ化ナトリウム０.５２５ｇ（３.５ミリモ
ル）、エタノール２００ml、蒸留水２５mlの混合物を１
００℃で１２時間加熱還流した。さらに１０％水酸化カ
リウム５０mlを添加し２時間加熱還流を続けた。
【０３１１】室温まで放冷後冷水中に加え、反応混合物
を３６％塩酸を用いて酸性にした。析出物を濾過により
分別し、これをトルエンを用いて再結晶することにより
1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレン-2-
カルボン酸１３.０８ｇ（４６.４ミリモル）を得た。
を３６％塩酸を用いて酸性にした。析出物を濾過により
分別し、これをトルエンを用いて再結晶することにより
1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシナフタレン-2-
カルボン酸１３.０８ｇ（４６.４ミリモル）を得た。
【０３１２】第４段階 第３段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジル
オキシナフタレン-2-カルボン酸５.６４ｇ（２０ミリモ
ル）、R-1-メチルヘプタノール２.３２ｇ（２０ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.２４４ｇ（０.
２ミリモル）および塩化メチレン７０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド４.５３ｇ（２２ミ
リモル）を含む塩化メチレン溶液２５mlを室温で、攪拌
下に２時間かけて滴下した。
オキシナフタレン-2-カルボン酸５.６４ｇ（２０ミリモ
ル）、R-1-メチルヘプタノール２.３２ｇ（２０ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.２４４ｇ（０.
２ミリモル）および塩化メチレン７０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド４.５３ｇ（２２ミ
リモル）を含む塩化メチレン溶液２５mlを室温で、攪拌
下に２時間かけて滴下した。
【０３１３】さらに室温下で２時間反応させた。反応混
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色液体である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチルヘプチルエステル
５.９６ｇ（１８ミリモル）を得た。
合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、無
色液体である1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベンジルオキシ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチルヘプチルエステル
５.９６ｇ（１８ミリモル）を得た。
【０３１４】第５段階 上記の第４段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6-ベ
ンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチルヘプ
チルエステル０.３１ｇ（１ミリモル）、4'-オクチルビ
フェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製FK-1124-
8）０.３１（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０２ｇ（０.１６ミリモル）および塩化メチレン
１５mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２７ｇ（１.３ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液を室温で、攪拌下に３時間かけて滴下した。
ンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチルヘプ
チルエステル０.３１ｇ（１ミリモル）、4'-オクチルビ
フェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製FK-1124-
8）０.３１（１ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリ
ジン０.０２ｇ（０.１６ミリモル）および塩化メチレン
１５mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド０.２７ｇ（１.３ミリモル）を含む塩化メチレン溶
液を室温で、攪拌下に３時間かけて滴下した。
【０３１５】さらに、室温で２０時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.４５ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.４５ｇを得た。
【０３１６】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝５９６であった。図１５にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物が目的とする6-[4'-(4"-
オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエス
テル［例示化合物（３１３）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝５９６であった。図１５にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物が目的とする6-[4'-(4"-
オクチルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエス
テル［例示化合物（３１３）］であると同定した。
【０３１７】
【実施例１７】 6-[4'-(4"-デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テ
トラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプ
チルエステル［例示化合物（３１５）］の合成
トラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプ
チルエステル［例示化合物（３１５）］の合成
【０３１８】
【化７１】
【０３１９】・・・（３１５）第１段階 実施例１６の第４段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ
-6-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチ
ルヘプチルエステル０.３７ｇ（１.１ミリモル）、4'-
デシルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製F
K-1124-10）０.３３（１.１ミリモル）、4-N,N-ジメチ
ルアミノピリジン０.０１３ｇ（０.１１ミリモル）およ
び塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.２７ｇ（１.３ミリモル）を含む
塩化メチレン溶液を室温で、攪拌下に３時間かけて滴下
した。
-6-ベンジルオキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-メチ
ルヘプチルエステル０.３７ｇ（１.１ミリモル）、4'-
デシルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)製F
K-1124-10）０.３３（１.１ミリモル）、4-N,N-ジメチ
ルアミノピリジン０.０１３ｇ（０.１１ミリモル）およ
び塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘキ
シルカルボジイミド０.２７ｇ（１.３ミリモル）を含む
塩化メチレン溶液を室温で、攪拌下に３時間かけて滴下
した。
【０３２０】さらに、室温下で６０時間反応させた。反
応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物を
カラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無
色の半固体０.６０ｇを得た。
応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物を
カラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無
色の半固体０.６０ｇを得た。
【０３２１】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６２４であった。図１６にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物が目的とする6-[4'-(4"-
デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステ
ル［例示化合物（３１５）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６２４であった。図１６にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物が目的とする6-[4'-(4"-
デシルビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-メチルヘプチルエステ
ル［例示化合物（３１５）］であると同定した。
【０３２２】
【実施例１８】 6-[4'-(4"-(S-1"'-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル)
カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（１８１）］の合成
カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（１８１）］の合成
【０３２３】
【化７２】
【０３２４】・・・（１８１）第１段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３５８ｇ（１ミリモル）と、4'-
(S-1"-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル-4-カルボン酸
（荒川化学工業(株)製、KB502-8(S)）０.３２６ｇ（１
ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２
ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合
物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ
（１.２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温
で、攪拌下に３時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３５８ｇ（１ミリモル）と、4'-
(S-1"-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル-4-カルボン酸
（荒川化学工業(株)製、KB502-8(S)）０.３２６ｇ（１
ミリモル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２
ｇ（０.１ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合
物に、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ
（１.２ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温
で、攪拌下に３時間かけて滴下した。
【０３２５】さらに室温下で４７時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５４ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５４ｇを得た。
【０３２６】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６６６であった。図１７にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
(S-1"'-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル)カルボキシ]
-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（１
８１）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６６６であった。図１７にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
(S-1"'-メチルヘプチルオキシ)ビフェニル)カルボキシ]
-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（１
８１）］であると同定した。
【０３２７】
【実施例１９】 6-[4'-(4"-オクチルオキシフェニルシクロヘキサン)カ
ルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボ
ン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（６５）］の合成
ルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボ
ン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（６５）］の合成
【０３２８】
【化７３】
【０３２９】・・・（６５）第１段階 4'-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸４
４ｇ（０.２モル）、n-オクチルブロマイド５７.９ｇ
（０.３モル）、８５％水酸化カリウム水溶液２６.４ｇ
（０.４モル）、ヨウ化ナトリウム３.０ｇ（２０ミリモ
ル）、エタノール３６０ｇおよび蒸留水１８０ｇの混合
物を１００℃で９時間加熱還流した。さらに１０％水酸
化カリウム水溶液１００mlを添加し２０時間加熱還流を
続けた。
４ｇ（０.２モル）、n-オクチルブロマイド５７.９ｇ
（０.３モル）、８５％水酸化カリウム水溶液２６.４ｇ
（０.４モル）、ヨウ化ナトリウム３.０ｇ（２０ミリモ
ル）、エタノール３６０ｇおよび蒸留水１８０ｇの混合
物を１００℃で９時間加熱還流した。さらに１０％水酸
化カリウム水溶液１００mlを添加し２０時間加熱還流を
続けた。
【０３３０】室温まで放冷した後、反応物を冷却水に加
え、この反応混合物に３６％塩酸を用いて混合物を酸性
にして反応物を析出された。次いで析出物を濾過し、ヘ
キサンで洗浄して、4'-オクチルオキシフェニルシクロ
ヘキサン-4-カルボン酸５９.８ｇ（０.１８ミリモル）
を得た。
え、この反応混合物に３６％塩酸を用いて混合物を酸性
にして反応物を析出された。次いで析出物を濾過し、ヘ
キサンで洗浄して、4'-オクチルオキシフェニルシクロ
ヘキサン-4-カルボン酸５９.８ｇ（０.１８ミリモル）
を得た。
【０３３１】第２段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、上記
第１段階で得られた4'-オクチルオキシフェニルシクロ
ヘキサン-4-カルボン酸０.３３ｇ（１ミリモル）、4-N,
N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモ
ル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシ
クロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に３
時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１ミリモル）と、上記
第１段階で得られた4'-オクチルオキシフェニルシクロ
ヘキサン-4-カルボン酸０.３３ｇ（１ミリモル）、4-N,
N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（０.１ミリモ
ル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,N'-ジシ
クロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ（１.２ミリモ
ル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌下に３
時間かけて滴下した。
【０３３２】さらに室温下で２０時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.３５ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.３５ｇを得た。
【０３３３】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６７２であった。図１８にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
オクチルオキシフェニルシクロヘキサン)カルボキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６
５）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６７２であった。図１８にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
オクチルオキシフェニルシクロヘキサン)カルボキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（６
５）］であると同定した。
【０３３４】
【実施例２０】 6-[4'-(4"-ドデシルオキシフェニルトランスシクロヘキ
サン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（６９）］の合成
サン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-
カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（６９）］の合成
【０３３５】
【化７４】
【０３３６】・・・（６９）第１段階 実施例１９の第１段階において、n-オクチルブロマイド
の代わりにn-ウンデシルブロマイド７４.７ｇ（０.３モ
ル）を使用した以外は同様にして4'-ウンデシルオキシ
フェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸を合成した。
の代わりにn-ウンデシルブロマイド７４.７ｇ（０.３モ
ル）を使用した以外は同様にして4'-ウンデシルオキシ
フェニルシクロヘキサン-4-カルボン酸を合成した。
【０３３７】第２段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.５４ｇ（１.５ミリモル）と、上
記第１段階で得られた4'-ウンデシルオキシフェニルシ
クロヘキサン-4-カルボン酸０.６１ｇ（１.７ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１８ｇ（０.
１５ミリモル）および塩化メチレン２０mlの混合物に、
N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.３７ｇ（１.
８ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、
攪拌下に４時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.５４ｇ（１.５ミリモル）と、上
記第１段階で得られた4'-ウンデシルオキシフェニルシ
クロヘキサン-4-カルボン酸０.６１ｇ（１.７ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１８ｇ（０.
１５ミリモル）および塩化メチレン２０mlの混合物に、
N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.３７ｇ（１.
８ミリモル）を含む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、
攪拌下に４時間かけて滴下した。
【０３３８】さらに室温下で２０時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５３ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５３ｇを得た。
【０３３９】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７００であった。図１９にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
ドデシルオキシフェニルトランスシクロヘキサン)カル
ボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（６９）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝７００であった。図１９にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
ドデシルオキシフェニルトランスシクロヘキサン)カル
ボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（６９）］であると同定した。
【０３４０】
【実施例２１】 6-[4'-(4"-デシルフェニルトランスシクロヘキサン)カ
ルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボ
ン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（２５１）］の合成
ルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボ
ン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示
化合物（２５１）］の合成
【０３４１】
【化７５】
【０３４２】・・・（２５１）第１段階 4'-デシルビフェニル-4-カルボン酸（帝国化学産業(株)
製、FK-1124-10）５.０７ｇ（１５ミリモル）、金属ナ
トリウム４.４９ｇ（０.１９５モル）および1,2-ジエト
キシエタン２００mlの混合物を１５０℃で４時間加熱攪
拌した。その後、この混合物にイソアミルアルコール２
０ｇを１５０℃で加熱還流させながら、攪拌下に８時間
かけて滴下した。さらに２時間加熱還流させながら攪拌
した。
製、FK-1124-10）５.０７ｇ（１５ミリモル）、金属ナ
トリウム４.４９ｇ（０.１９５モル）および1,2-ジエト
キシエタン２００mlの混合物を１５０℃で４時間加熱攪
拌した。その後、この混合物にイソアミルアルコール２
０ｇを１５０℃で加熱還流させながら、攪拌下に８時間
かけて滴下した。さらに２時間加熱還流させながら攪拌
した。
【０３４３】放冷後、反応液にエタノール８０mlおよび
蒸留水１００mlを加えて金属ナトリウムを失活させた。
分液により水相を分離し、塩酸を加えて中和して沈澱を
生成させた。
蒸留水１００mlを加えて金属ナトリウムを失活させた。
分液により水相を分離し、塩酸を加えて中和して沈澱を
生成させた。
【０３４４】生成した沈澱を濾過し、カラムクロマトグ
ラフィーを用いてシス体とトランス体とに分離して、目
的物である4'-デシルフェニルトランスシクロヘキサン-
4-カルボン酸２.４２ｇを得た。
ラフィーを用いてシス体とトランス体とに分離して、目
的物である4'-デシルフェニルトランスシクロヘキサン-
4-カルボン酸２.４２ｇを得た。
【０３４５】第２段階 実施例２の第２段階で得られた1,2,3,4-テトラヒドロ-6
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１.０ミリモル）と、上
記第１段階で得られた4'-デシルフェニルトランスシク
ロヘキサン-4-カルボン酸０.３９ｇ（１.１ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（０.
１ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ（１.２
ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌
下に４時間かけて滴下した。
-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸R-1'-トリフルオ
ロヘプチルエステル０.３６ｇ（１.０ミリモル）と、上
記第１段階で得られた4'-デシルフェニルトランスシク
ロヘキサン-4-カルボン酸０.３９ｇ（１.１ミリモ
ル）、4-N,N-ジメチルアミノピリジン０.０１２ｇ（０.
１ミリモル）および塩化メチレン１０mlの混合物に、N,
N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド０.２５ｇ（１.２
ミリモル）を含む塩化メチレン溶液５mlを室温で、攪拌
下に４時間かけて滴下した。
【０３４６】さらに室温下で１９時間反応させた。反応
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５９ｇを得た。
混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィを用いて分離することにより無色
の半固体０.５９ｇを得た。
【０３４７】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝６８４であった。図２０にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
デシルフェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
５１）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝６８４であった。図２０にこの化合物（半固
体）の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。これら
の分析の結果より、この化合物は目的とする6-[4'-(4"-
デシルフェニルトランスシクロヘキサン)カルボキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
５１）］であると同定した。
【０３４８】
【実施例２２】4-[6'-(4"-デシルベンゾイル)-1,2,3,4-
テトラヒドロナフタレン-2'-ナフトイルオキシ]安息香
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（１２）］
テトラヒドロナフタレン-2'-ナフトイルオキシ]安息香
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（１２）］
【０３４９】
【化７６】
【０３５０】・・・（１２）第１段階 実施例１の第５段階で得られた4-(1',2',3',4'-テトラ
ヒドロ-6'-ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R
-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル０.６９ｇ
（１.４６ミリモル）と、別途常法により合成した4-デ
シル安息香酸０.３９ｇ（１.５ミリモル）、4-N,N-ジメ
チルアミノピリジン０.０１８ｇ（０.１５ミリモル）お
よび塩化メチレン３０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド０.３７ｇ（１.８ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下に４時間か
けて滴下した。
ヒドロ-6'-ヒドロキシ-2'-ナフトイルオキシ)安息香酸R
-1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル０.６９ｇ
（１.４６ミリモル）と、別途常法により合成した4-デ
シル安息香酸０.３９ｇ（１.５ミリモル）、4-N,N-ジメ
チルアミノピリジン０.０１８ｇ（０.１５ミリモル）お
よび塩化メチレン３０mlの混合物に、N,N'-ジシクロヘ
キシルカルボジイミド０.３７ｇ（１.８ミリモル）を含
む塩化メチレン溶液１０mlを室温で、攪拌下に４時間か
けて滴下した。
【０３５１】さらに室温で２０時間反応させた。次いで
反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物
をカラムクロマトグラフィを用いて分離することにより
無色の半固体０.３９ｇを得た。
反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮物
をカラムクロマトグラフィを用いて分離することにより
無色の半固体０.３９ｇを得た。
【０３５２】この半固体のＦＤ-マススペクトルの値は
Ｍ／ｅ＝７１８であった。この分析の結果から、この化
合物（半固体）は目的とする4-[6'-(4"-デシルベンゾイ
ル)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2'-ナフトイルオ
キシ]安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル［例示化合物（１２）］であると同定した。
Ｍ／ｅ＝７１８であった。この分析の結果から、この化
合物（半固体）は目的とする4-[6'-(4"-デシルベンゾイ
ル)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2'-ナフトイルオ
キシ]安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエス
テル［例示化合物（１２）］であると同定した。
【０３５３】
【実施例２３】実施例１で得られた次式［４］で表され
る例示化合物（４）と、次式［Ａ］で表される化合物と
を、５０:５０の重量比で混合して本発明の液晶組成物
を製造した。
る例示化合物（４）と、次式［Ａ］で表される化合物と
を、５０:５０の重量比で混合して本発明の液晶組成物
を製造した。
【０３５４】
【化７７】
【０３５５】この組成物の相転移温度を測定した結果を
表３−２に示す。
表３−２に示す。
【０３５６】
【表２０】
【０３５７】註）上記表３−２において、［４］は上記
例示化合物［４］を表し、［Ａ］は上記の化合物［Ａ］
を表す。
例示化合物［４］を表し、［Ａ］は上記の化合物［Ａ］
を表す。
【０３５８】
【実施例２４】実施例４で得られた次式［５１］で表さ
れる例示化合物［５１］と、次式［Ｂ］で表される化合
物［Ｂ］とを、８０:２０の重量比で混合して本発明の
液晶組成物を製造した。
れる例示化合物［５１］と、次式［Ｂ］で表される化合
物［Ｂ］とを、８０:２０の重量比で混合して本発明の
液晶組成物を製造した。
【０３５９】
【化７８】
【０３６０】この組成物の相転移温度を測定した結果を
表４に示す。
表４に示す。
【０３６１】
【表２１】
【０３６２】註）上記表４において、［51］は上記例示
化合物［51］を表し、［Ｂ］は上記の化合物［Ｂ］を表
す。
化合物［51］を表し、［Ｂ］は上記の化合物［Ｂ］を表
す。
【０３６３】
【実施例２５】実施例５で得られた次式［６７］で表さ
れる例示化合物［６７］と、 実施例４で得られた次式
［５１］で表される例示化合物［５１］とを、５０:５
０の重量比で混合して本発明の液晶組成物を製造した。
れる例示化合物［６７］と、 実施例４で得られた次式
［５１］で表される例示化合物［５１］とを、５０:５
０の重量比で混合して本発明の液晶組成物を製造した。
【０３６４】
【化７９】
【０３６５】この組成物の相転移温度を測定した結果を
表５に示す。
表５に示す。
【０３６６】
【表２２】
【０３６７】註）上記表５において、［67］は上記例示
化合物［67］を表し、［51］は上記の例示化合物［51］
を表す。
化合物［67］を表し、［51］は上記の例示化合物［51］
を表す。
【０３６８】
【実施例２６】実施例１で得られた次式［４］で表され
る例示化合物（４）と、次式［Ａ］で表される化合物と
を、５０:５０の重量比で混合して本発明の液晶組成物
を製造した。
る例示化合物（４）と、次式［Ａ］で表される化合物と
を、５０:５０の重量比で混合して本発明の液晶組成物
を製造した。
【０３６９】
【化８０】
【０３７０】この組成物の相転移温度を測定した結果を
表６に示す。
表６に示す。
【０３７１】
【表２３】
【０３７２】註）上記表６において、［96］は上記例示
化合物［96］を表し、［Ａ］は上記の化合物［Ａ］を表
す。
化合物［96］を表し、［Ａ］は上記の化合物［Ａ］を表
す。
【０３７３】
【実施例２７】実施例９で得られた次式［１３１］で表
される例示化合物（１３１）と、実施例４で得られた次
式［５１］で表される例示化合物［５１］とを、１０:
９０の重量比で混合して本発明の液晶組成物を製造し
た。
される例示化合物（１３１）と、実施例４で得られた次
式［５１］で表される例示化合物［５１］とを、１０:
９０の重量比で混合して本発明の液晶組成物を製造し
た。
【０３７４】
【化８１】
【０３７５】この組成物の相転移温度を測定した結果を
表７に示す。
表７に示す。
【０３７６】
【表２４】
【０３７７】註）上記表７において、［131］は上記例
示化合物［131］を表し、［51］は上記の例示化合物［5
1］を表す。
示化合物［131］を表し、［51］は上記の例示化合物［5
1］を表す。
【図１】は、4-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキ
シ)1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］
安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（４）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャー
トである。
シ)1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ］
安息香酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（４）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャー
トである。
【図２】は、6-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキ
シ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-
1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図３】は、6-［6'-(4"-デシルオキシベンゾイルオキ
シ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-
5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
２）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ)-1',2',3',4'-テトラヒドロ-2'-ナフトイルオキシ]-
5,6,7,8-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-
トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（２
２）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図４】は、6-［4'-(4"-デシルオキシビフェニル)カル
ボキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（５１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
ボキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン
酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化
合物（５１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
【図５】は、6-［4'-(4"-デシルオキシフェニルシクロ
ヘキサン)カルボキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエ
ステル［例示化合物（６７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトル
のチャートである。
ヘキサン)カルボキシ］-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレ
ン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエ
ステル［例示化合物（６７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトル
のチャートである。
【図６】は、6-(6'-ヘプチルオキシ-2'-ナフトイルオキ
シ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-
1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（９６）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-
1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（９６）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図７】は、6-(6'-デシルオキシ-2'-ナフトイルオキ
シ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-
1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（９９）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカルボン酸R-
1"-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（９９）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図８】は、6-[4'-(5"-デシル-2"-ピリミジニル)ベン
ゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカ
ルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２８３）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの
チャートである。
ゾイルオキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレンー2ーカ
ルボン酸R-1'"-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（２８３）］の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの
チャートである。
【図９】は、6-(4'-デシルオキシベンゾイルオキシ)-1,
2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（３５）
の］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-1"-トリ
フルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物（３５）
の］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図１０】は、6-[4'-(4"-ウンデシルオキシビフェニ
ル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カ
ルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（５２）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャ
ートである。
ル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カ
ルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル
［例示化合物（５２）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャ
ートである。
【図１１】は、6-[4'-(4"-ドデシルオキシビフェニル)
カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（５３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャート
である。
カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カル
ボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例
示化合物（５３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャート
である。
【図１２】は、6-[4'-(4"-オクチルビフェニル)カルボ
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（２３３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（２３３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
【図１３】は、6-[4'-(4"-デシルビフェニル)カルボキ
シ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-
1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（２３５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
シ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-
1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合物
（２３５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
【図１４】は、6-[4'-(4"-ドデシルビフェニル)カルボ
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（２３７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-トリフルオロメチルヘプチルエステル［例示化合
物（２３７）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートであ
る。
【図１５】は、6-[4'-(4"-オクチルビフェニル)カルボ
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-メチルヘプチルエステル［例示化合物（３１
３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
キシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R
-1"'-メチルヘプチルエステル［例示化合物（３１
３）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図１６】は、6-[4'-(4"-デシルビフェニル)カルボキ
シ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-
1"'-メチルヘプチルエステル［例示化合物（３１５）］
の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
シ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2-カルボン酸R-
1"'-メチルヘプチルエステル［例示化合物（３１５）］
の1Ｈ-ＮＭＲスペクトルのチャートである。
【図１７】は、6-[4'-(4"-(S-1"'-メチルヘプチルオキ
シ)ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル［例示化合物（１８１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペ
クトルのチャートである。
シ)ビフェニル)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフ
タレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチ
ルエステル［例示化合物（１８１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペ
クトルのチャートである。
【図１８】は、6-[4'-(4"-オクチルオキシフェニルシク
ロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（６５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクト
ルのチャートである。
ロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（６５）］の1Ｈ-ＮＭＲスペクト
ルのチャートである。
【図１９】は、6-[4'-(4"-ドデシルオキシフェニルトラ
ンスシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（６９）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートである。
ンスシクロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒド
ロナフタレン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチル
ヘプチルエステル［例示化合物（６９）］の1Ｈ-ＮＭＲ
スペクトルのチャートである。
【図２０】は、6-[4'-(4"-デシルフェニルトランスシク
ロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（２５１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペク
トルのチャートである。
ロヘキサン)カルボキシ]-1,2,3,4-テトラヒドロナフタ
レン-2-カルボン酸R-1"'-トリフルオロメチルヘプチル
エステル［例示化合物（２５１）］の1Ｈ-ＮＭＲスペク
トルのチャートである。
【図２１】は、本発明の液晶素子の断面形状を模式的に
示す図である。
示す図である。
【図２２】は、同心円形状のスペーサーを有する液晶素
子およびそのＡ−Ａ断面図である。
子およびそのＡ−Ａ断面図である。
【図２３】は、クシ型スペーサを有する液晶素子および
そのＡ−Ａ断面図である。
そのＡ−Ａ断面図である。
【図２４】は、スペーサとしてファイバーを用いた本発
明の液晶素子の断面構造を示す図である。
明の液晶素子の断面構造を示す図である。
【図２５】は、二枚の偏光板のセルを配置した本発明の
液晶素子の断面構造を示す図である。
液晶素子の断面構造を示す図である。
【図２６】は、非線形素子および３端子素子の例を示す
図である。
図である。
11a,11b,27a,27b,37,47,57・・・透明基板 12,23,33,43,53・・・液晶物質 13,58・・・セル 14・・・間隙 15a,15b,25a,25b,35,45,55・・・透明電極 26・・・同心円形状のスペーサ 36・・・クシ型スペーサ 46・・・ファイバー 56・・・偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 69/767 Ｃ０７Ｃ 69/767 69/773 69/773 69/86 69/86 69/92 69/92 69/94 69/94 Ｃ０７Ｄ 239/26 Ｃ０７Ｄ 239/26 Ｃ０９Ｋ 19/32 Ｃ０９Ｋ 19/32 19/34 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 山 中 徹 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三井石油化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−251556（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−91189（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−59746（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76093（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76094（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−55811（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 69/753 - 69/94 C07D 239/26 C09K 19/32 C09K 19/34 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】次式[I]で表わされるカルボン酸エステル
化合物； 【化１】 [ただし、式[I]において、Rは、炭素数３〜２０のアル
キル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭素数３
〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基であり、 XおよびYは、それぞれ独立に、−COO−、−OCO−、−CH
2 O−、−OCH 2 −または単結合を表し、Ａは、 【化２】 よりなる群から選ばれる基を表し、Ｂは、 【化３】 よりなる群から選ばれる基を表し、 R*は、−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(C
H 3 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C
6 H 13 、−CH 2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C
2 H 5 および−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から
選ばれる基を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表す ]。 - 【請求項２】 次式[I]で表わされるカルボン酸エステ
ル化合物からなる液晶材料； 【化４】 [ただし、式[I]において、Rは、炭素数３〜２０のアル
キル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭素数３
〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基であり、 XおよびYは、それぞれ独立に、−COO−、−OCO−、−CH
2 O−、−OCH 2 −または単結合を表し、Ａは、 【化５】 よりなる群から選ばれる基を表し、Ｂは、 【化６】 よりなる群から選ばれる基を表し、 R*は、−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(C
H 3 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C
6 H 13 、−CH 2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C
2 H 5 および−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から
選ばれる基を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表す ]。 - 【請求項３】 次式[I]で表わされるカルボン酸エステ
ル化合物を含有する液晶組成物； 【化７】 [ただし、式[I]において、Rは、炭素数３〜２０のアル
キル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭素数３
〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基であり、 XおよびYは、それぞれ独立に、−COO−、−OCO−、−CH
2 O−、−OCH 2 −または単結合を表し、Ａは、 【化８】 よりなる群から選ばれる基を表し、Ｂは、 【化９】 よりなる群から選ばれる基を表し、 R*は、−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(C
H 3 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C
6 H 13 、−CH 2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C
2 H 5 および−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から
選ばれる基を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表す ]。 - 【請求項４】 互いに対向する二枚の基板と該基板によ
って構成される間隙とからなるセル、および該セルの間
隙に充填された液晶物質により構成される液晶素子であ
って、 該液晶物質が下記式[I]で表わされるカルボン酸エステ
ル化合物を含有することを特徴とする液晶素子； 【化１０】 [ただし、式[I]において、Rは、炭素数３〜２０のアル
キル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基および炭素数３
〜２０のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基であり、 XおよびYは、それぞれ独立に、−COO−、−OCO−、−CH
2 O−、−OCH 2 −または単結合を表し、Ａは、 【化１１】 よりなる群から選ばれる基を表し、Ｂは、 【化１２】 よりなる群から選ばれる基を表し、 R*は、−C * H(CF 3 )-C 6 H 13 、−C * H(CH 3 )−C 6 H 13 、−C * H(C
H 3 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C 5 H 11 、−C * H(C 2 H 5 )−C
6 H 13 、−CH 2 −C * H(CH 3 )−C 2 H 5 、−(CH 2 ) 3 −C * H(CH 3 )−C
2 H 5 および−C * H(CF 3 )−CH 2 −COO−C 2 H 5 よりなる群から
選ばれる基を表し、ｍは、１を表し、ｎは、０、１または２を表す ]。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34737792A JP3357407B2 (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-25 | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-347122 | 1991-12-27 | ||
| JP34712291 | 1991-12-27 | ||
| JP34737792A JP3357407B2 (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-25 | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246952A JPH05246952A (ja) | 1993-09-24 |
| JP3357407B2 true JP3357407B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=26578432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34737792A Expired - Fee Related JP3357407B2 (ja) | 1991-12-27 | 1992-12-25 | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357407B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030330A1 (fr) * | 1995-03-27 | 1996-10-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Compose polycyclique, matiere a cristaux liquides constitue de ce compose, ainsi que composition a cristaux liquides et dispositif a cristaux liquides contenant cette matiere |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34737792A patent/JP3357407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05246952A (ja) | 1993-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0825176A1 (en) | Azine derivative, process for the preparation thereof, nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same | |
| US5246622A (en) | Liquid crystal racemic mixture, liquid crystal composition and liquid crystal element, process for manufacturing liquid crystal element, and uses of liquid crystal element | |
| KR960009564B1 (ko) | 카본산 에스테르 화합물, 액정물질, 액정조성물 및 액정소자 | |
| JP2763339B2 (ja) | 液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 | |
| JPH04359990A (ja) | 液晶組成物、その用途およびその製造方法 | |
| EP0566379B1 (en) | Tetralin compound, liquid crystal material, liquid crystal composition and liquid crystal element | |
| EP0431929B1 (en) | Carboxylate compounds, liquid crystal compositions and liquid crystal elements containing said compounds and method of optical modulation using said elements | |
| US5356561A (en) | Carboxylate compounds, liquid crystal compositions and liquid crystal elements containing said compounds and method of optical modulation using said elements | |
| JP3357407B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| EP0617109A1 (en) | Liquid crystal material, liquid crystal composition and liquid crystal element | |
| EP0549347B1 (en) | Novel carboxylate compounds, liquid crystal materials, liquid crystal compositions and liquid crystal elements | |
| JP3357390B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JP3357389B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JPH06329591A (ja) | 液晶材料、液晶組成物および液晶素子、ならびにエステル化合物 | |
| JP3779339B2 (ja) | 含フッ素カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH0358980A (ja) | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを使用した液晶素子 | |
| JPH0789903A (ja) | テトラリン化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JPH0625098A (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶材料、液晶組成物及び液晶素子 | |
| JPH07316555A (ja) | 液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JP3597556B2 (ja) | 液晶組成物および液晶素子 | |
| JP2752246B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物、液晶化合物および液晶組成物 | |
| JP2795468B2 (ja) | カルボン酸エステル化合物および液晶化合物 | |
| JPH069500A (ja) | テトラリン化合物、液晶材料、液晶組成物および液晶素子 | |
| JPH02295943A (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JP2739373B2 (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101004 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |