JPS63285006A - 電流ミラ−回路 - Google Patents
電流ミラ−回路Info
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- JPS63285006A JPS63285006A JP62120815A JP12081587A JPS63285006A JP S63285006 A JPS63285006 A JP S63285006A JP 62120815 A JP62120815 A JP 62120815A JP 12081587 A JP12081587 A JP 12081587A JP S63285006 A JPS63285006 A JP S63285006A
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- resistor
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- current mirror
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、1’FC流ミラ一回路の改良に関するもので
、特に入力電流と出力電流との整合率が良く、減電圧特
性も良好な電流ミラー回路を提供せんとするものである
。
、特に入力電流と出力電流との整合率が良く、減電圧特
性も良好な電流ミラー回路を提供せんとするものである
。
(ロ)従来の技術
IC(集積回路)内には、電流ミラー回路が多用されて
いる。第2図は、従来の電流ミラー回路の一例を示すも
ので、前記電流ミラー回路は、ベース・コレクタが共通
接続され、エミッタが電源に、コレクタが入力電流源(
1)に接続された第1トランジスタ(2)と、ベースが
前記第1トランジスタ(2)のベースに共通接続され、
エミッタが電源に、コレクタが負荷(3)にそれぞれ接
続された第2トランジスタ(4)とによって構成されて
いる。この様な電流ミラー回路は、例えば特開昭59−
79614号公報に記載されている。
いる。第2図は、従来の電流ミラー回路の一例を示すも
ので、前記電流ミラー回路は、ベース・コレクタが共通
接続され、エミッタが電源に、コレクタが入力電流源(
1)に接続された第1トランジスタ(2)と、ベースが
前記第1トランジスタ(2)のベースに共通接続され、
エミッタが電源に、コレクタが負荷(3)にそれぞれ接
続された第2トランジスタ(4)とによって構成されて
いる。この様な電流ミラー回路は、例えば特開昭59−
79614号公報に記載されている。
しかして、第2図の電流ミラー回路は、その動作電圧ト
シテ、Va*+ Vci(タだし、Vllは第1トラン
ジスタ(2)のベース・エミッタ間電圧、VClは入力
電流源(1)の飽和電圧)の電圧を必要とするだけなの
で、約0.8V程度のW、源電圧で動作する。その為、
低電圧電源(例えば1.5V)を使用するIC内に組込
むことが出来る。
シテ、Va*+ Vci(タだし、Vllは第1トラン
ジスタ(2)のベース・エミッタ間電圧、VClは入力
電流源(1)の飽和電圧)の電圧を必要とするだけなの
で、約0.8V程度のW、源電圧で動作する。その為、
低電圧電源(例えば1.5V)を使用するIC内に組込
むことが出来る。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第2図の電流ミラー回路は、入出力電流
の整合率が低い為、高い整合率が要求される場合に使用
することが出来ないという問題があった。すなわち、第
2図の電流ミラー回路の場合、入力電流源(1)に流れ
る電流をIrとすれば、負荷(3)に流れる電流I0は
、 (ただし、βはトランジスタ(2)及び(4)の電流増
幅率) となる。その為、β−20とすれば、1゜−:0.91
1rとなり、約9%の電流誤差が生じる。
の整合率が低い為、高い整合率が要求される場合に使用
することが出来ないという問題があった。すなわち、第
2図の電流ミラー回路の場合、入力電流源(1)に流れ
る電流をIrとすれば、負荷(3)に流れる電流I0は
、 (ただし、βはトランジスタ(2)及び(4)の電流増
幅率) となる。その為、β−20とすれば、1゜−:0.91
1rとなり、約9%の電流誤差が生じる。
入出力電流の整合率を向上させる為には、第3図に示す
如く、第1トランジスタ(2)のベース・コレクタ間を
短絡するかわりに、第1トランジスタ(2)のベースに
エミッタが、前記第1トランジスタ(2)のコレクタに
ベースがそバぞれ接続された第3トランジスタ(5)を
設ければよい。その場合、負荷(3)に流れる電流1.
は、 となり、β−20とすればI、 * 0.995となり
、電流誤差は約0.5%となる。従って、第3図の如き
回路構成とすれば、第2図の回路に比べ入出力電流の整
合率を大幅に改善することが出来る。
如く、第1トランジスタ(2)のベース・コレクタ間を
短絡するかわりに、第1トランジスタ(2)のベースに
エミッタが、前記第1トランジスタ(2)のコレクタに
ベースがそバぞれ接続された第3トランジスタ(5)を
設ければよい。その場合、負荷(3)に流れる電流1.
は、 となり、β−20とすればI、 * 0.995となり
、電流誤差は約0.5%となる。従って、第3図の如き
回路構成とすれば、第2図の回路に比べ入出力電流の整
合率を大幅に改善することが出来る。
しかしながら、第3図の電流ミラー回路は、第2図の回
路に比べ、減電圧特性がVIEだけ悪化する為、低電圧
電源を使用するIC内に組込むことが出来ないという問
題がある。
路に比べ、減電圧特性がVIEだけ悪化する為、低電圧
電源を使用するIC内に組込むことが出来ないという問
題がある。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、エミッタが
第1抵抗を介して電源に接続きれ、コレクタが入力電流
源に接続された第1トランジスタと、該第1トランジス
タのベースΦフレクタ間に接読された第2抵抗と、エミ
ッタが第3抵抗を介して電源に接続され、コレクタが負
荷に接続された第2トランジスタと、該第2トランジス
タのべ=スと前記第1トランジスタのコレクタとの間に
接続された第4抵抗とから成り、前記第2抵抗の値を前
記第4抵抗の値のn倍に設定したことを特徴とする。
第1抵抗を介して電源に接続きれ、コレクタが入力電流
源に接続された第1トランジスタと、該第1トランジス
タのベースΦフレクタ間に接読された第2抵抗と、エミ
ッタが第3抵抗を介して電源に接続され、コレクタが負
荷に接続された第2トランジスタと、該第2トランジス
タのべ=スと前記第1トランジスタのコレクタとの間に
接続された第4抵抗とから成り、前記第2抵抗の値を前
記第4抵抗の値のn倍に設定したことを特徴とする。
(ホ)作用
本発明に依れば、第1乃至第4抵抗を設け、それらの値
を適切に設定しているので、入力電流と出力電流との整
合率を大幅に高めることが出来る。その為、2つのトラ
ンジスタで電流ミラー回路を構成しても、十分な整合率
を得ることが出来、減電圧特性を悪化させることも無い
。
を適切に設定しているので、入力電流と出力電流との整
合率を大幅に高めることが出来る。その為、2つのトラ
ンジスタで電流ミラー回路を構成しても、十分な整合率
を得ることが出来、減電圧特性を悪化させることも無い
。
(へ)実施例
第1図は、本発明の一実施例を示すもので、(6)はエ
ミッタが第1抵抗(7)を介して電源(+Vcc)に接
続された第1トランジスタ、(8)は該第1トランジス
タ(6)のコレクタに接続された入力電流源、(9)は
前記第1トランジスタ(6)のベース・コレクタ間に接
続された第2抵抗、(10)はエミッタが第3抵抗(1
1)を介して電源に接続きれた第2トランジスタ、(1
2)は該第2トランジスタ(10)のベースと前記第1
トランジスタ(6)のコレクタとの間に接続された第4
抵抗、及び(13)は前記第2トランジスタ(10)の
コレクタに接続された負荷である。
ミッタが第1抵抗(7)を介して電源(+Vcc)に接
続された第1トランジスタ、(8)は該第1トランジス
タ(6)のコレクタに接続された入力電流源、(9)は
前記第1トランジスタ(6)のベース・コレクタ間に接
続された第2抵抗、(10)はエミッタが第3抵抗(1
1)を介して電源に接続きれた第2トランジスタ、(1
2)は該第2トランジスタ(10)のベースと前記第1
トランジスタ(6)のコレクタとの間に接続された第4
抵抗、及び(13)は前記第2トランジスタ(10)の
コレクタに接続された負荷である。
入力電流源(8)に流れる電流工、は、ミラー関係に接
続された第1及び第2トランジスタ(6)及び(10)
で反転され、第2トランジスタ(10)のコレクタから
負荷(13)に供給される。その時、第1及び第3抵抗
(7)及び(11)の値をRI%第4抵抗(12)の値
をR1、第2抵抗(9)の値をnR1とすれば、R1(
β+1)tmt”Vii+”nRtL+u−R+(β”
l)tmt”Vaix+Rnimt−’−−−−−”・
(3)Xl−(β+1)im++Lmx ・
・・・・・・・・・・・(4)工、!β1□
・・・・・・・・・・・・(5)となる。
続された第1及び第2トランジスタ(6)及び(10)
で反転され、第2トランジスタ(10)のコレクタから
負荷(13)に供給される。その時、第1及び第3抵抗
(7)及び(11)の値をRI%第4抵抗(12)の値
をR1、第2抵抗(9)の値をnR1とすれば、R1(
β+1)tmt”Vii+”nRtL+u−R+(β”
l)tmt”Vaix+Rnimt−’−−−−−”・
(3)Xl−(β+1)im++Lmx ・
・・・・・・・・・・・(4)工、!β1□
・・・・・・・・・・・・(5)となる。
前記第(5)式から1affiは、となり、前記第(4
)及び第(6)式からL+は、となるので、V IIE
I =V IIEmとすれば、前記第(3)、第(6)
及び第(7)式から1.と1.との関係は、となる。こ
こでR,/R,−mとおけば、前記第(8)式は、 となる。前記第(9)式において、第2項が零ならば、
L”Lとなり、整合率が100%になる。その条件を見
い出す為に、前記第(9>式の第2項を零とおけば、 となり、前記第(10)式を満たす様にnの値を設定す
れば、整合率の高い電流ミラー回路を得ることが出来る
。例えば第(10)式において、m=2、β−50に設
定すれば、n−2,08となり、第1抵抗(7)の値を
3にΩとすれば、第4抵抗(12)の値は6にΩとなり
、第2抵抗(9)の値は、約12.5にΩとなる。特に
、前記βの値を使用範囲(例えば20〜100)の最小
値に設定すれば、整合率は非常に安定となる。
)及び第(6)式からL+は、となるので、V IIE
I =V IIEmとすれば、前記第(3)、第(6)
及び第(7)式から1.と1.との関係は、となる。こ
こでR,/R,−mとおけば、前記第(8)式は、 となる。前記第(9)式において、第2項が零ならば、
L”Lとなり、整合率が100%になる。その条件を見
い出す為に、前記第(9>式の第2項を零とおけば、 となり、前記第(10)式を満たす様にnの値を設定す
れば、整合率の高い電流ミラー回路を得ることが出来る
。例えば第(10)式において、m=2、β−50に設
定すれば、n−2,08となり、第1抵抗(7)の値を
3にΩとすれば、第4抵抗(12)の値は6にΩとなり
、第2抵抗(9)の値は、約12.5にΩとなる。特に
、前記βの値を使用範囲(例えば20〜100)の最小
値に設定すれば、整合率は非常に安定となる。
ところで、ICにおいては、その製造工程に起因してト
ランジスタの電流増幅率がバラつく。その為、nの値を
最適値位設定しても、整合率が必ずしも適切にはならな
い。第5図は、nをパラメータとしたときの電流増幅率
βと整合率との関係を示す特性図である。第5図の場合
、I+−100μA、R,−3にΩ、m−2として特性
を計測している。第5図から明らかな如く、nを2から
3の範囲に設定すれば、電流増幅率βを20から100
迄変化させても、整合率を約±4%以内に押さえること
が出来る。尚、第5図における点線で示される特性は、
第2図の従来回路における整合率を示すものであり、電
流増幅率が20に低下すると、整合率が9%低下するこ
とを示している。
ランジスタの電流増幅率がバラつく。その為、nの値を
最適値位設定しても、整合率が必ずしも適切にはならな
い。第5図は、nをパラメータとしたときの電流増幅率
βと整合率との関係を示す特性図である。第5図の場合
、I+−100μA、R,−3にΩ、m−2として特性
を計測している。第5図から明らかな如く、nを2から
3の範囲に設定すれば、電流増幅率βを20から100
迄変化させても、整合率を約±4%以内に押さえること
が出来る。尚、第5図における点線で示される特性は、
第2図の従来回路における整合率を示すものであり、電
流増幅率が20に低下すると、整合率が9%低下するこ
とを示している。
従って、本発明における第2抵抗(9)の値nR0は、
基本的に前記第(10)式に基きnの箕田を行ない、を
流増幅率βの変化に応じて前記箕出されたnの値を適宜
変更することにより設定すればよい。
基本的に前記第(10)式に基きnの箕田を行ない、を
流増幅率βの変化に応じて前記箕出されたnの値を適宜
変更することにより設定すればよい。
第4図は、本発明の別の実施例を示すもので、第3抵抗
(11)、第4抵抗(12)及び第2トランジスタ(1
0)から成る出力段を複数個設けた点を特徴とする。第
4図の場合、第2トランジスタ(10)の数をkとすれ
ば、第1図と同様の計箕により、となる。前記第(11
)式において、k−1とすれば、前記第(10)式と等
しくなる。従って、本発明を用いれば、複数個の負荷に
整合率の良い′frt流を供給することが出来る。
(11)、第4抵抗(12)及び第2トランジスタ(1
0)から成る出力段を複数個設けた点を特徴とする。第
4図の場合、第2トランジスタ(10)の数をkとすれ
ば、第1図と同様の計箕により、となる。前記第(11
)式において、k−1とすれば、前記第(10)式と等
しくなる。従って、本発明を用いれば、複数個の負荷に
整合率の良い′frt流を供給することが出来る。
(ト)発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、抵抗の値を設定する
だけで整合率の良い電流ミラー回路を提供出来る。また
、本発明に依れば、2つのトランジスタのみを用いて電
流ミラー回路を構成出来るので、減電圧特性の良好な電
流ミラー回路を提供出来る。
だけで整合率の良い電流ミラー回路を提供出来る。また
、本発明に依れば、2つのトランジスタのみを用いて電
流ミラー回路を構成出来るので、減電圧特性の良好な電
流ミラー回路を提供出来る。
第1凶は、本発明の一実施例を示す回路図、第2図及び
第3図は従来の電流ミラー回路を示す回路図、第4図は
本発明の別の実施例を示す回路図、及び第5図は本発明
の説明に供する為の特性図である。 (6)・・・第1トランジスタ、 (7)・・・第1抵
抗、(8)・・・入力電流源、 (9)・・・第2抵抗
、 (10)・・・第2トランジスタ、(11)・・・
第3抵抗、(12)・・・第4抵抗。
第3図は従来の電流ミラー回路を示す回路図、第4図は
本発明の別の実施例を示す回路図、及び第5図は本発明
の説明に供する為の特性図である。 (6)・・・第1トランジスタ、 (7)・・・第1抵
抗、(8)・・・入力電流源、 (9)・・・第2抵抗
、 (10)・・・第2トランジスタ、(11)・・・
第3抵抗、(12)・・・第4抵抗。
Claims (2)
- (1)エミッタが第1抵抗を介して電源に接続され、コ
レクタが入力電流源に接続された第1トランジスタと、
該第1トランジスタのベース・コレクタ間に接続された
第2抵抗と、エミッタが第3抵抗を介して電源に接続さ
れ、コレクタが負荷に接続された第2トランジスタと、
該第2トランジスタのベースと前記第1トランジスタの
コレクタとの間に接続された第4抵抗とから成り、前記
第2抵抗の値を前記第4抵抗の値のn倍に設定したこと
を特徴とする電流ミラー回路。 - (2)前記第4抵抗と第1抵抗との比をmとするとき、
前記nの値を略m+2+/+m+2(m+2)/m(β
−1)に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の電流ミラー回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62120815A JPS63285006A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 電流ミラ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62120815A JPS63285006A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 電流ミラ−回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285006A true JPS63285006A (ja) | 1988-11-22 |
JPH0479165B2 JPH0479165B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=14795658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62120815A Granted JPS63285006A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 電流ミラ−回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63285006A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1255333A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-11-06 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Current generator circuit and method of providing drive current to a laser diode driver |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5312348A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | Electrochromic display device |
JPS5628510A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Current miller circuit |
JPS60153612A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | Rohm Co Ltd | 電流反転回路 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120815A patent/JPS63285006A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5312348A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | Electrochromic display device |
JPS5628510A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Current miller circuit |
JPS60153612A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | Rohm Co Ltd | 電流反転回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1255333A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-11-06 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Current generator circuit and method of providing drive current to a laser diode driver |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0479165B2 (ja) | 1992-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071215 Year of fee payment: 15 |