JPS63263643A - 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 - Google Patents
書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料Info
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- JPS63263643A JPS63263643A JP62097472A JP9747287A JPS63263643A JP S63263643 A JPS63263643 A JP S63263643A JP 62097472 A JP62097472 A JP 62097472A JP 9747287 A JP9747287 A JP 9747287A JP S63263643 A JPS63263643 A JP S63263643A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 24
- 239000006121 base glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 20
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料
に係り、特に、記録された情報の消去時間が短く、記録
状態が安定である光メモリ記録膜材料に関する。
に係り、特に、記録された情報の消去時間が短く、記録
状態が安定である光メモリ記録膜材料に関する。
［従来の技術］
一般に相変化型光メモリ記録膜は、非晶質と結晶の間の
相変化の際に起こる反射率の変化を利用し記録を行うも
のである。すなわち、非晶質状態が情報が記録された状
態に相当し、結晶化すれば、情報が消去されたことにな
る。記録は、レーザ光を記録膜上に約１μ−に集光して
加熱し、その部分を溶融した後、急冷して非晶質化する
ことによって行われる。また、消去は、レーザ光の出力
を記録時のものより小さクシ（すなわち、融点よりも低
温となる出力で加熱し）、かつ照射時間を記録時のもの
よりも長くすることによって行なわれる。
相変化の際に起こる反射率の変化を利用し記録を行うも
のである。すなわち、非晶質状態が情報が記録された状
態に相当し、結晶化すれば、情報が消去されたことにな
る。記録は、レーザ光を記録膜上に約１μ−に集光して
加熱し、その部分を溶融した後、急冷して非晶質化する
ことによって行われる。また、消去は、レーザ光の出力
を記録時のものより小さクシ（すなわち、融点よりも低
温となる出力で加熱し）、かつ照射時間を記録時のもの
よりも長くすることによって行なわれる。
この種の相変化型光メモリ記録膜において、消去時間が
１μｓ”ｅｃより短くなり、特に０．２μｓｅｃ程度に
までなると、円形ビームをもつ半導体レーザを１個だけ
もつ光ヘッドで、記゛録、読み取り、消去が可能になり
、光ヘッドが小形で軽節になり、その分アクセスタイム
も短くしうるという大きな利点が生ずる。
１μｓ”ｅｃより短くなり、特に０．２μｓｅｃ程度に
までなると、円形ビームをもつ半導体レーザを１個だけ
もつ光ヘッドで、記゛録、読み取り、消去が可能になり
、光ヘッドが小形で軽節になり、その分アクセスタイム
も短くしうるという大きな利点が生ずる。
一方、相変化型光メモリ記録膜材料として、Ｓｂ２Ｔｅ
３を中心としたＳｂ−Ｔｅ系材料が、（ｉ）１０５回以
上の記録、消去の繰り返しを行なうことができ書き換え
可能である、 （ｉｉ） ”３’ｂ２Ｔ ｅ ３結ａ Ｌｅｔ 六方晶
Ｍ ”Ｑ アル（Ｆ） Ｔ：、結晶状態と非晶質状態と
の反射率差が２０％以上である、 （ｉ） Ｓｂ２Ｔｅ３近傍の可成の化合物は耐酸化性、
耐環境性にすぐれている 等の利点を有するため研究が進められている。例えば、
ＮＴＴ電気通信研究所の船越らは、昭和６１年度秋季応
用物理学会学術講演会予稿集の２９ａ−ＺＥ−３及び２
９ａ−ＺＥ−４において、Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜材料にラ
イて、Ｓｂ２Ｔｅ３近傍の組成の化合物が消去速度が速
（、かつ非晶質状態が安定であると報告している。しか
しながら、この予稿集に記録されたＳｂ−Ｔｅ系記録膜
材料では、消去時間の最も短いものでも１μｓｅｃであ
り、従来通りの消去用と記録読取り用の２個の半導体レ
ーザをもつ光ヘッドが必要となる。
３を中心としたＳｂ−Ｔｅ系材料が、（ｉ）１０５回以
上の記録、消去の繰り返しを行なうことができ書き換え
可能である、 （ｉｉ） ”３’ｂ２Ｔ ｅ ３結ａ Ｌｅｔ 六方晶
Ｍ ”Ｑ アル（Ｆ） Ｔ：、結晶状態と非晶質状態と
の反射率差が２０％以上である、 （ｉ） Ｓｂ２Ｔｅ３近傍の可成の化合物は耐酸化性、
耐環境性にすぐれている 等の利点を有するため研究が進められている。例えば、
ＮＴＴ電気通信研究所の船越らは、昭和６１年度秋季応
用物理学会学術講演会予稿集の２９ａ−ＺＥ−３及び２
９ａ−ＺＥ−４において、Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜材料にラ
イて、Ｓｂ２Ｔｅ３近傍の組成の化合物が消去速度が速
（、かつ非晶質状態が安定であると報告している。しか
しながら、この予稿集に記録されたＳｂ−Ｔｅ系記録膜
材料では、消去時間の最も短いものでも１μｓｅｃであ
り、従来通りの消去用と記録読取り用の２個の半導体レ
ーザをもつ光ヘッドが必要となる。
［発明が解決しようとする問題点］
従って本発明の目的は、記録の消去時間が１μｓｅｃ以
上と長い、従来のＳｂ−Ｔｅ系記録膜材料の消去性を改
良し、１μｓｅｃ未満の消去時間を有し、上述の半導体
レーザを１個のみもつ光ヘッドでも記録、読み取り、消
去が可゛能なＳｂ−Ｔｅ系記録膜材料を提供することに
ある。
上と長い、従来のＳｂ−Ｔｅ系記録膜材料の消去性を改
良し、１μｓｅｃ未満の消去時間を有し、上述の半導体
レーザを１個のみもつ光ヘッドでも記録、読み取り、消
去が可゛能なＳｂ−Ｔｅ系記録膜材料を提供することに
ある。
Ｅ問題点を解決するための手段］
Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜の場合、非晶質状態の約１μ麓の部
分にレーザ光を当てたとき、その部分のまわりの結晶質
から結晶が内部に向かって成長して行き、全部が結晶化
されれば記録の消去が行われたことになるが、木登町名
らは、非晶質部分の内部に結晶の核になるものが存在す
れば、それだけ結晶化速度は速（なり、消去も速くなる
ことに看目し、結晶の核となる物質について探索した結
果、Ｉｒ及び／又はＡｕからなる粒子が有効であり、こ
れらの金属粒子を含有する光メモリ記録膜材料は１μｓ
ｅｃ未満、最短で０．２〜０．３μＳｅｃの消去時間を
有することを見い出した。
分にレーザ光を当てたとき、その部分のまわりの結晶質
から結晶が内部に向かって成長して行き、全部が結晶化
されれば記録の消去が行われたことになるが、木登町名
らは、非晶質部分の内部に結晶の核になるものが存在す
れば、それだけ結晶化速度は速（なり、消去も速くなる
ことに看目し、結晶の核となる物質について探索した結
果、Ｉｒ及び／又はＡｕからなる粒子が有効であり、こ
れらの金属粒子を含有する光メモリ記録膜材料は１μｓ
ｅｃ未満、最短で０．２〜０．３μＳｅｃの消去時間を
有することを見い出した。
従って本発明は、Ｓｂ−Ｔｅ系基礎ガラスにＩｒ及び／
又はＡｕを加えたことを特徴とする書き換え可能な相変
化型光メモリ記録膜材料にある。
又はＡｕを加えたことを特徴とする書き換え可能な相変
化型光メモリ記録膜材料にある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光メモリ記録膜材料において母材として用いら
れるものはＳｂ−Ｔｅ系基礎ガラスであり、該基礎ガラ
スの組成は原子％でＳｂ３４〜４５％、Ｔｅ５５〜６６
％であるのが好ましい。
れるものはＳｂ−Ｔｅ系基礎ガラスであり、該基礎ガラ
スの組成は原子％でＳｂ３４〜４５％、Ｔｅ５５〜６６
％であるのが好ましい。
その理由はＳｂが３４％未満でＴｅが６６％を超えると
、Ｓｂ２Ｔｅ３結晶の核となるＩｒ及び／又はＡｕの粒
子を存在させてもＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度が速くなら
ず、−去速度が１μｓａｃ ＪＪ上となり、またｓｂが
４５％を超え、Ｔｅが５５％未満であると、Ｉｒ及び／
又はＡｕの粒子を存在させてＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度
を速くしても消去速度が依然として１μｓｅｃ以上とな
るのに対し、上記範囲内であれば、１μｓｅｃ未満の消
去速度が達成されるからである。基礎ガラスの組成はＳ
ｂ３６〜４４％、Ｔｅ５６〜６４％であるのがより好ま
しく、Ｓｂ３８〜４２％、１０５８〜６２％であるのが
最も好ましい。
、Ｓｂ２Ｔｅ３結晶の核となるＩｒ及び／又はＡｕの粒
子を存在させてもＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度が速くなら
ず、−去速度が１μｓａｃ ＪＪ上となり、またｓｂが
４５％を超え、Ｔｅが５５％未満であると、Ｉｒ及び／
又はＡｕの粒子を存在させてＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度
を速くしても消去速度が依然として１μｓｅｃ以上とな
るのに対し、上記範囲内であれば、１μｓｅｃ未満の消
去速度が達成されるからである。基礎ガラスの組成はＳ
ｂ３６〜４４％、Ｔｅ５６〜６４％であるのがより好ま
しく、Ｓｂ３８〜４２％、１０５８〜６２％であるのが
最も好ましい。
また本発明の光メモリ記録ＷＡ材料において、Ｓ ｂ
２ Ｔ ｅ ３の結晶の核となり、記録の消去時間の短
縮化を実現するＩｒ及び／又はＡｕは前記の基礎ガラス
１１に対して０．０２〜０．２５ｇ添加するのが好まし
い。その理由はＩｒ、Ａｕ又はこれらの混合物の聞が０
．０２９７９未満であると、Ｉｒ粒子、Ａｕ粉粒子数が
少なくてＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度が速くならず記録河
去時間が１μｓｅｃ以上となってしまい、また０、２５
９／９を超えると、いかに速く冷却しても非晶質になら
ず記録膜として使用不可であるがらである。Ｉｒ及び／
又はＡｕの特に好ましい添加ｍは０．０４〜０．１６ｇ
／ｇである。
２ Ｔ ｅ ３の結晶の核となり、記録の消去時間の短
縮化を実現するＩｒ及び／又はＡｕは前記の基礎ガラス
１１に対して０．０２〜０．２５ｇ添加するのが好まし
い。その理由はＩｒ、Ａｕ又はこれらの混合物の聞が０
．０２９７９未満であると、Ｉｒ粒子、Ａｕ粉粒子数が
少なくてＳｂ２Ｔｅ３の結晶化速度が速くならず記録河
去時間が１μｓｅｃ以上となってしまい、また０、２５
９／９を超えると、いかに速く冷却しても非晶質になら
ず記録膜として使用不可であるがらである。Ｉｒ及び／
又はＡｕの特に好ましい添加ｍは０．０４〜０．１６ｇ
／ｇである。
本発明の光メモリ記録膜材料は、通常のスパッタ法等に
よって基板に適用され、光メモリ記録膜が形成される。
よって基板に適用され、光メモリ記録膜が形成される。
記録膜の形成に先立ち、基板上にＳｉＯ２膜等の下地層
を設けても良く、また記録膜の形成後に、５ｉｎ２膜等
の保護層を設けても良い。また基板としては、ガラス基
板その伯の任意の基板が使用される。
を設けても良く、また記録膜の形成後に、５ｉｎ２膜等
の保護層を設けても良い。また基板としては、ガラス基
板その伯の任意の基板が使用される。
［実施例］
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１
Ｓｂ４０原子％、Ｔｅ６０原子％からなる基礎ガラス原
料２５０ｇに１ｒを２０ｇ（基礎ガラス１ｇに対して０
．０８ｇに相当）添加したものを石英ガラスアンプルに
真空封入し、９００℃で２０ｖｔ間？［１ｔ、た後、ス
テンレス製の成形型に流し込んで、直径１００１＋１１
１１、厚さ５ｍのスパッタターゲットを作製した。
料２５０ｇに１ｒを２０ｇ（基礎ガラス１ｇに対して０
．０８ｇに相当）添加したものを石英ガラスアンプルに
真空封入し、９００℃で２０ｖｔ間？［１ｔ、た後、ス
テンレス製の成形型に流し込んで、直径１００１＋１１
１１、厚さ５ｍのスパッタターゲットを作製した。
直径３０ ｍ 、厚さ２ｍの石英ガラス基板に、まず下
地層としてＳ ｉ ０２股（膜厚１００ｎａ）をスパッ
タした後、上記のスパッタターゲットを用いて、記録膜
（膜厚１００ｎｎ＋）をスパッタし、さらにその上に、
保護膜としてＳ ｉ ０２ ｍ （Ｉｆ！厚１０Ｑｎｍ
）をスパッタした。得られたディスクに、まず出力１５
１１４の半導体レーザ光を約１μｍに集光して１μｓｅ
ｃ〜１０μｓｅｃ照射し、次いで出力８１の半導体レー
ザ光を照射し、融点以上に加熱した後、冷却して記録膜
の初期動作状態となる初期化を行った。次に出力１５１
％４のレーザ光を０．２μＳａＣ照射して記録膜を非晶
質すなわち記録状態にした後、レーザ光のパルス幅と強
度を変えて、どのくらいのパルス幅で照射したら結晶化
すなわち消去できるかを求めたところ出力８ｎ１４でパ
ルス幅が０．２μｓｅｃであった。
地層としてＳ ｉ ０２股（膜厚１００ｎａ）をスパッ
タした後、上記のスパッタターゲットを用いて、記録膜
（膜厚１００ｎｎ＋）をスパッタし、さらにその上に、
保護膜としてＳ ｉ ０２ ｍ （Ｉｆ！厚１０Ｑｎｍ
）をスパッタした。得られたディスクに、まず出力１５
１１４の半導体レーザ光を約１μｍに集光して１μｓｅ
ｃ〜１０μｓｅｃ照射し、次いで出力８１の半導体レー
ザ光を照射し、融点以上に加熱した後、冷却して記録膜
の初期動作状態となる初期化を行った。次に出力１５１
％４のレーザ光を０．２μＳａＣ照射して記録膜を非晶
質すなわち記録状態にした後、レーザ光のパルス幅と強
度を変えて、どのくらいのパルス幅で照射したら結晶化
すなわち消去できるかを求めたところ出力８ｎ１４でパ
ルス幅が０．２μｓｅｃであった。
また本実施例のＩｒ添加Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜材料の結晶
化曲線は、配録膜上に５１０２膜があると正確に測定で
きないので、以下に示すようにして行なった。すなわち
、Ｓｂ４゜Ｔ ｅ ６ｏガラス１ｇにＩｒｅ、０８ｇ添
加したガラスからなる、上述のスパッタターゲットを用
いて、スパッタすることにより、石英ガラス基板に記録
膜（膜厚１０００人）を形成させた後、レーザ光を照射
して温度を約５５０℃に上昇させて記録膜を一変溶解す
る。
化曲線は、配録膜上に５１０２膜があると正確に測定で
きないので、以下に示すようにして行なった。すなわち
、Ｓｂ４゜Ｔ ｅ ６ｏガラス１ｇにＩｒｅ、０８ｇ添
加したガラスからなる、上述のスパッタターゲットを用
いて、スパッタすることにより、石英ガラス基板に記録
膜（膜厚１０００人）を形成させた後、レーザ光を照射
して温度を約５５０℃に上昇させて記録膜を一変溶解す
る。
次に３００℃に加熱して結晶化し、これを１５０ｎｓｅ
ｃ のパルス幅のレーザ光で急熱急冷して非晶質化す
る。更にこれを特別高感度示差走査熱量計（理学型１！
ｌ：ＤＳＣ８２４０Ｂ）ｅｆｆＪいて結晶化曲線を測定
する。得られた結晶化曲線は第１図の曲ｌ１Ｉ（ハ）に
示すように温度２６０℃付近に半値巾が狭くシャープな
発熱ピークが認められ、この発熱ピークは記録膜中のＩ
ｒ粒子がＳｂ２Ｔｅ３の結晶化の核として働いているこ
とを示すものである（なお参考のためＩｒ無添加のＳｂ
４ｏＴｅ６゜ガラスの結晶化曲線を第１図の曲線■に示
すが、同図の曲ｆｉｔ（Ａ）と異なり、Ｓｂ Ｔｅ３の
結晶化の核として働＜Ｉｒ粒子が存在しないためにＳｂ
Ｔｅ３の結晶化連着が遅く、発熱ピークがブロードで
あった）。
ｃ のパルス幅のレーザ光で急熱急冷して非晶質化す
る。更にこれを特別高感度示差走査熱量計（理学型１！
ｌ：ＤＳＣ８２４０Ｂ）ｅｆｆＪいて結晶化曲線を測定
する。得られた結晶化曲線は第１図の曲ｌ１Ｉ（ハ）に
示すように温度２６０℃付近に半値巾が狭くシャープな
発熱ピークが認められ、この発熱ピークは記録膜中のＩ
ｒ粒子がＳｂ２Ｔｅ３の結晶化の核として働いているこ
とを示すものである（なお参考のためＩｒ無添加のＳｂ
４ｏＴｅ６゜ガラスの結晶化曲線を第１図の曲線■に示
すが、同図の曲ｆｉｔ（Ａ）と異なり、Ｓｂ Ｔｅ３の
結晶化の核として働＜Ｉｒ粒子が存在しないためにＳｂ
Ｔｅ３の結晶化連着が遅く、発熱ピークがブロードで
あった）。
また、示差走査熱量計での熱分析の結果から得られた結
晶化温度と昇温速度との関係から、結晶化の活性化エネ
ルギーを求めたところ２，ＴｅＶとなり、非晶質状態は
充分安定であることがねかつた。
晶化温度と昇温速度との関係から、結晶化の活性化エネ
ルギーを求めたところ２，ＴｅＶとなり、非晶質状態は
充分安定であることがねかつた。
実施例２
Ｓｂ４２原子％、Ｔｅ５Ｂ原子％からなる！！礎原料２
５０ｇにＡｕを２０ｇ（基礎ガラス１ｇに対して０．０
８ｇに相当）添加したものを用いて、実施例１と同様の
方法でスパッタターゲットを作製した。
５０ｇにＡｕを２０ｇ（基礎ガラス１ｇに対して０．０
８ｇに相当）添加したものを用いて、実施例１と同様の
方法でスパッタターゲットを作製した。
実施例１と同様に、ＳｉＯ□膜と記録膜をスパッタした
後、半導体レーザ光を照射し初期化した。
後、半導体レーザ光を照射し初期化した。
次に、１５ｍＷのレーザ光を０．２μｓｅｃ照射して非
晶質化し、レーザ光の強度とパルス幅を変えて結晶化に
必要な最小のパルス幅を求めたところ出力８ｓ１４でパ
ルス幅が０．３μｓｅｃであった。
晶質化し、レーザ光の強度とパルス幅を変えて結晶化に
必要な最小のパルス幅を求めたところ出力８ｓ１４でパ
ルス幅が０．３μｓｅｃであった。
また、実施例１と同様に、高感度示差走査熱量計を用い
て結晶化曲線を測定したところ、第２図に示すように半
値幅中が狭くシャープな発熱ピークが約２６０℃におい
て認められ、この発熱ピークは記録膜中のＡｕ粉粒子Ｓ
ｂ Ｔｅ３の結晶化の核として働いていることを示すも
のである。
て結晶化曲線を測定したところ、第２図に示すように半
値幅中が狭くシャープな発熱ピークが約２６０℃におい
て認められ、この発熱ピークは記録膜中のＡｕ粉粒子Ｓ
ｂ Ｔｅ３の結晶化の核として働いていることを示すも
のである。
また示差走査熱量計での熱分析結果から得られた結晶化
温度と昇温湿度との関係から結晶化エネルギーを求めた
ところ２，８ｅＶであり、非晶質状態は充分安定である
ことがわかった。
温度と昇温湿度との関係から結晶化エネルギーを求めた
ところ２，８ｅＶであり、非晶質状態は充分安定である
ことがわかった。
実施例３〜４
表−１に示したような組成比のＳｂ−Ｔｅ系基礎ガラス
１ｇに［ｒ、Ａｕ又はＩｒとＡｕの混合物を表−１に示
したような割合で添加して得られた記録膜材料について
実施例１．２と同様にして消去時間及び結晶化の活性エ
ネルギーを測定した。
１ｇに［ｒ、Ａｕ又はＩｒとＡｕの混合物を表−１に示
したような割合で添加して得られた記録膜材料について
実施例１．２と同様にして消去時間及び結晶化の活性エ
ネルギーを測定した。
結果は表−１に示した。
表−１より明らかなように実施例３〜１４の記録膜材料
においても、０．９μｓｅｃ以下の消去時間と２．７〜
２．９ｅＶの活性化エネルギーが得られ、消去の迅速性
と記録の安定性が確保されていた。
においても、０．９μｓｅｃ以下の消去時間と２．７〜
２．９ｅＶの活性化エネルギーが得られ、消去の迅速性
と記録の安定性が確保されていた。
なお、−Ｆ述の実施例１．２の結果も併せて考察すると
、ｓｂが３８〜４２％、Ｔｅが５８〜６２％である基礎
ガラスを用い、該基礎ガラス１ｇに対してＩｒ及び／又
はＡｕを０．０４〜０．１６ＳＦ添加した場合に消去時
間が０．２〜０．３μｓｅｃと極めて短く、最も優れて
いることが明らかである。
、ｓｂが３８〜４２％、Ｔｅが５８〜６２％である基礎
ガラスを用い、該基礎ガラス１ｇに対してＩｒ及び／又
はＡｕを０．０４〜０．１６ＳＦ添加した場合に消去時
間が０．２〜０．３μｓｅｃと極めて短く、最も優れて
いることが明らかである。
［発明の効果１
以上の通り、本発明によれば、極めて短時間で記録の消
去を行うことができ、また記録状態も充分安定な書き換
え可能な相変化型光メモリ記録膜材料が得られる。
去を行うことができ、また記録状態も充分安定な書き換
え可能な相変化型光メモリ記録膜材料が得られる。
第１図は、本発明の、Ｉｒ添加Ｓ ｂ 、ｓｏ Ｔ ｅ
ｓｏガラスからなる記録膜材料の結晶化曲線図（図中
（へ））及び従来の、Ｉｒ無添加Ｓｂ４ｏＴｅ６゜ガラ
スからなる記録膜材料の結晶化曲線図（図中■）であり
、第２図は、本発明のＡｕ添加Ｓｂ４□Ｔｅ５８ガラス
からなる記録膜材料の結晶化曲線図である。
ｓｏガラスからなる記録膜材料の結晶化曲線図（図中
（へ））及び従来の、Ｉｒ無添加Ｓｂ４ｏＴｅ６゜ガラ
スからなる記録膜材料の結晶化曲線図（図中■）であり
、第２図は、本発明のＡｕ添加Ｓｂ４□Ｔｅ５８ガラス
からなる記録膜材料の結晶化曲線図である。
Claims (2)
- （１）Ｓｂ−Ｔｅ系基礎ガラスにＩｒ及び／又はＡｕを
加えたことを特徴とする書き換え可能な相変化型光メモ
リ記録膜材料。 - （２）原子％でＳｂ３４〜４５％、Ｔｅ５５〜６６％で
あるＳｂ−Ｔｅ系基礎ガラス１ｇに対してＩｒ及び／又
はＡｕを０．０２〜０．２５ｇ加えた、特許請求の範囲
第１項に記載の書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097472A JPS63263643A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097472A JPS63263643A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263643A true JPS63263643A (ja) | 1988-10-31 |
| JPH0566874B2 JPH0566874B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=14193246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62097472A Granted JPS63263643A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245440A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
| JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| JPS62202345A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS62208441A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光デイスク用記録媒体 |
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS6376120A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 消去可能型光記録媒体 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62097472A patent/JPS63263643A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| JPS62202345A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS62208441A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光デイスク用記録媒体 |
| JPS62208442A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS6376120A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 消去可能型光記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245440A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
| JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566874B2 (ja) | 1993-09-22 |
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