JPH0566874B2

JPH0566874B2 -

Info

Publication number: JPH0566874B2
Application number: JP62097472A
Authority: JP
Inventors: Ryosuke Yokota; Shuji Yoshida; Shinji Nakazawa
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1987-04-22
Filing date: 1987-04-22
Publication date: 1993-09-22
Also published as: JPS63263643A

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は、書き換え可能な相変化型光メモリ記
録膜材料に係り、特に、記録された情報の消去時
間が短く、記録状態が安定である光メモリ記録膜
材料に関する。［従来の技術］一般に相変化型光メモリ記録膜は、非晶質と結
晶の間の相変化の際に起こる反射率の変化を利用
し記録を行うものである。すなわち、非晶質状態
が情報が記録された状態に相当し、結晶化すれ
ば、情報が消去されたことになる。記録は、レー
ザ光を記録膜上に約1μm²に集光して加熱し、そ
の部分を溶融した後、急冷して非晶質化すること
によつて行われる。また、消去は、レーザ光の出
力を記録時のものより小さくし（すなわち、融点
よりも低温となる出力で加熱し）、かつ照射時間
を記録時のものよりも長くすることによつて行な
われる。この種の相変化型光メモリ記録膜において、消
去時間が1μsecより短くなり、特に0.2μsec程度に
までなると、円形ビームをもつ半導体レーザを１
個だけもつ光ヘツドで、記録、読み取り、消去が
可能になり、光ヘツドが小形で軽量になり、その
分アクセスタイムも短くしうるという大きな利点
が生ずる。一方、相変化型光メモリ記録膜材料として、
Sb₂Te₃を中心としたSb−Te系材料が、 (i) 10⁵回以上の記録、消去の繰り返しを行なう
ことができ書き換え可能である、 (ii) Sb₂Te₃結晶は六方晶系であるので、結晶状
態と非結晶状態との反射率差が20％以上であ
る、 (iii) Sb₂Te₃近傍の組成の化合物は耐酸化性、耐
環境性にすぐれている等の利点を有するため研究が進められている。例
えば、NTT電気通信研究所の船越らは、昭和61
年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集の29a−
ZE−３及び29a−ZE−４において、Sb−Te系記
録膜材料について、Sb₂Te₃近傍の組成の化合物
が消去速度が速く、かつ非晶質状態が安定である
と報告している。しかしながら、この予稿集に記
録されたSb−Te系記録膜材料では、消去時間の
最も短いものでも1μsecであり、従来通りの消去
用と記録読取り用の２個の半導体レーザをもつ光
ヘツドが必要となる。［発明が解決しようとする問題点］従つて本発明の目的は、記録の消去時間が
1μsec以上と長い、従来のSb−Te系記録膜材料の
消去性を改良し、1μsec未満の消去時間を有し、
上述の半導体レーザを１個のみもつ光ヘツドでも
記録、読み取り、消去が可能なSb−Te系記録膜
材料を提供することにある。［問題点を解決するための手段］ Sb−Te系記録膜の場合、非晶質状態の約1μm²
の部分にレーザ光を当てたとき、その部分のまわ
りの結晶質から結晶が内部に向かつて成長して行
き、全部が結晶化されれば記録の消去が行われた
ことになるが、本発明者らは、非晶質部分の内部
に結晶の核になるものが存在すれば、それだけ結
晶化速度は速くなり、消去も速くなることに着目
し、結晶の核となる物質について探索した結果、
Ir及びAuから選ばれる少なくとも１種からなる
粒子が有効であり、これらの金属粒子を含有する
光メモリ記録膜材料は1μsec未満、最短で0.2〜
0.3μsecの消去時間を有することを見い出した。従つて本発明は、原子％でSb34〜45％、Te55
〜66％であるSb−Te系基礎ガラス１ｇに対して
Ir及びAuから選ばれる少なくとも１種を0.02〜
0.25ｇ加えたことを特徴とする書き換え可能な相
変化型光メモリ記録膜材料にある。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の光メモリ記録膜材料において母材とし
て用いられるものはSb−Te系基礎ガラスであり、
該基礎ガラスの組成は原子％でSb34〜45％、
Te55〜66％である。その理由はSbが34％未満で
Teが66％を超えると、Sb₂Te₃結晶の核となるIr
及びAuから選ばれる少なくとも１種の粒子を存
在させてもSb₂Te₃の結晶化速度が速くならず、
消去速度が1μsec以上となり、またSbが45％を超
え、Teが55％未満であると、Ir及びAuから選ば
れる少なくとも１種の粒子を存在させてSb₂Te₃
の結晶化速度を速くしても消去速度が依然として
1μsec以上となるのに対し、上記範囲内であれば、
1μsec未満の消去速度が達成されるからである。
基礎ガラスの組成はSb36〜44％、Te56〜64％で
あるのがより好ましく、Sb38〜42％、Te58〜62
％であるのが最も好ましい。また本発明の光メモリ記録膜材料において、
Sb₂Te₃の結晶の核となり、記録の消去時間の短
縮化を実現するIr及びAuから選ばれる少なくと
も１種は前記の基礎ガラス１ｇに対して0.02〜
0.25ｇ添加する。その理由はIr、Au又はこれらの
混合物の量が0.02ｇ／ｇ未満であると、Ir粒子、
Au粒子の数が少なくてSb₂Te₃の結晶化速度が速
くならず記録消去時間が1μsec以上となつてしま
い、また0.25ｇ／ｇを超えると、いかに速く冷却
しても非晶質にならず記録膜として使用不可であ
るからである。Ir及びAuから選ばれる少なくと
も１種の特に好ましい添加量は0.04〜0.16ｇ／ｇ
である。本発明の光メモリ記録膜材料は、通常のスパツ
タ法等によつて基板に適用され、光メモリ記録膜
が形成される。記録膜の形成に先立ち、基板上に
SiO₂膜等の下地層を設けても良く、また記録膜
の形成後に、SiO₂膜等の保護層を設けても良い。
また基板としては、ガラス基板その他の任意の基
板が使用される。［実施例］以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。実施例１ Sb40原子％、Te60原子％からなる基礎ガラス
原料250ｇにIrを20ｇ（基礎ガラス１ｇに対して
0.08ｇに相当）添加したものを石英ガラスアンプ
ルに対し真空封入し、900℃で20時間溶融した後、
ステンレス製の成形型に流し込んで、直径100mm、
厚さ５mmのスパツタターゲツトを作製した。直径30mm、厚さ２mmの石英ガラス基板に、まず
下地層としてSiO₂膜（膜厚100nｍ）をスパツタ
した後、上記のスパツタターゲツトを用いて、記
録膜（膜厚100nｍ）をスパツタし、さらにその
上に、保護膜としてSiO₂膜（膜厚100nｍ）をス
パツタした。得られたデイスクに、まず出力15ｍ
Ｗの半導体レーザ光を約1μｍに集光して1μsec〜
10μsec照射し、次いで出力８ｍＷの半導体レーザ
光を照射し、融点以上に加熱した後、冷却して記
録膜の初期動作状態となる初期化を行つた。次に
出力15ｍＷのレーザ光を0.2μsec照射して記録膜
を非晶質すなわち記録状態にした後、レーザ光の
パルス幅と強度を変えて、どのくらいのパルス幅
で照射したら結晶化すなわち消去できるかを求め
たところ出力８ｍＷでパルス幅が0.2μsecであつ
た。また本実施例のIr添加Sb−Te系記録膜材料の
結晶化曲線は、記録膜上にSiO₂膜があると正確
に測定できないので、以下に示すようにして行な
つた。すなわち、Sb₄₀Te₆₀ガラス１ｇIr0.08ｇ添
加したガラスからなる、上述のスパツタターゲツ
トを用いて、スパツタすることにより、石英ガラ
ス基板に記録膜（膜厚1000Å）を形成させた後、
レーザ光を照射して温度を約550℃に上昇させて
記録膜を一度溶解する。次に300℃に加熱して結
晶化し、これを150nsecのパルス幅のレーザ光で
急熱急冷して非晶質化する。更にこれを特別に高
感度示差走査熱量計（理学電機製：DSC 8240B）
を用いて結晶化曲線を測定する。得られた結晶化
曲線は第１図の曲線Ａに示すように温度260℃付
近に半値巾が狭くシヤープな発熱ピークが認めら
れ、この発熱ピークは記録膜中のIr粒子が
Sb₂Te₃の結晶化の核として働いていることを示
すものである（なお参考のためIr無添加の
Sb₄₀Te₆₀ガラスの結晶化曲線を第１図の曲線Ｂ
に示すが、同図の曲線Ａと異なり、Sb₂Te₃の結
晶化の核として働くIr粒子が存在しないために
Sb₂Te₃の結晶化速度が遅く、発熱ピークがブロ
ードであつた）。また、示差走査熱量計での熱分析の結果から得
られた結晶化温度と昇温速度との関係から、結晶
化の活性化エネルギーを求めたところ2.7eVとな
り、非晶質状態は充分安定であることがわかつ
た。実施例２ Sb42原子％、Te58原子％からなる基礎原料250
ｇにAuを20ｇ（基礎ガラス１ｇに対して0.08ｇ
に相当）添加したものを用いて、実施例１と同様
の方法でスパツタターゲツトを作製した。実施例１と同様に、SiO₂膜と記録膜をスパツ
タした後、半導体レーザ光を照射し初期化した。
次に、15ｍＷのレーザ光を0.2μsec照射して非晶
質化し、レーザ光の強度とパルス幅を変えて結晶
化に必要な最小のパルス幅を求めたところ出力８
ｍＷでパルス幅が0.3μsecであつた。また、実施例１と同様に、高感度示差走査熱量
計を用いて結晶化曲線を測定したところ、第２図
に示すように半値幅巾が狭くシヤープな発熱ピー
クが約260℃において認められ、この発熱ピーク
は記録膜中のAu粒子がSb₂Te₃の結晶化の核とし
て働いていることを示すものである。また、示差走査熱量計での熱分析結果から得ら
れた結晶化温度と昇温温度との関係から結晶化エ
ネルギーを求めたところ2.8eVであり、非晶質状
態は充分安定であることがわかつた。実施例３〜４表−１に示したような組成比のSb−Te系基礎
ガラス１ｇにIr、Au又はIrとAuの混合物を表−
１に示したような割合で添加して得られた記録膜
材料について実施例１、２と同様にして消去時間
及び結晶化の活性エネルギーを測定した。結果は
表−１に示した。

【表】

【表】表−１より明らかなように実施例３〜14の記録
膜材料においても、0.9μsec以下の消去時間と2.7
〜2.9eVの活性化エネルギーが得られ、消去の迅
速性と記録の安定性が確保されていた。なお、上述の実施例１、２の結果も併せて考察
すると、Sbが38〜42％、Teが58〜62％である基
礎ガラスを用い、該基礎ガラス１ｇに対してIr及
び／又はAuを0.04〜0.16ｇ添加した場合に消去時
間が0.2〜0.3μsecと極めて短く、最も優れている
ことが明らかである。［発明の効果］以上の通り、本発明によれば、極めて短時間で
記録の消去を行うことができ、また記録状態も充
分安定な書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜
材料が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の、Ir添加Sb₄₀Te₆₀ガラスか
らなる記録膜材料の結晶化曲線図（図中Ａ）及び
従来の、Ir無添加Sb₄₀Te₆₀ガラスからなる記録膜
材料の結晶化曲線図（図中Ｂ）であり、第２図
は、本発明のAu添加Sb₄₂Te₅₈ガラスからなる記
録膜材料の結晶化曲線図である。

Claims

【特許請求の範囲】

１原子％でSb34〜45％、Te55〜66％であるSb
−Te系基礎ガラス１ｇに対してIr及びAuから選
ばれる少なくとも１種を0.02〜0.25ｇ加えたこと
を特徴とする書き換え可能な相変化型光メモリ記
録膜材料。