JPH01245440A - 情報記録用薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光、電子線等の記録用エネルギービーム
によって、たとえば映像や音声などのアナログ信号をＦ
Ｍ変調した信号や、例えば電子計算機のデータやディジ
タルオーディオ信号などのディジタル情報をリアルタイ
ムで記録することが可能な情報の記録用薄膜に関するも
のである。

［従来の技術］ レーザ光などのエネルギービームによって薄膜に記録を
行う記録原理は種々あるが、非晶質−結晶間、結晶−結
晶間、非晶質−非晶質間の相変化、および、フォトダー
クニングなどの原子配列変イ、ヒによる記録は、膜の変
形をほとんど伴わないので、２枚のディスクを直接貼り
合わせた両面ディスクができることおよび、記録の書き
換えができるという長所を持っている。この種の記録に
関する発明は多数出願されており、最も早いものは特公
昭４７−２６８９７号公報に開示されている。ここでは
、Ｔｅ−Ｇｅ系、Ａｓ　　Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔｅ−０系。

Ｉｎ−８ｂ−Ｔｅ、Ｇａ−８ｂ−Ｔｅ系などの多くの薄
膜について述べられている。また、Ｇｅ、　Ｔｅ、およ
びｓｂを主成分とする４元素以上を含む薄膜に関しては
、特開昭６１−２５８７８７号公報に開示されており、
その記録膜組成は （（Ｓｂｘ　Ｔｅｔ−ｘ）ｙ　Ｇｅｔ−ｙ）ｔ−ｚ　Ｍ
ｚ　（ただし、Ｘは０　、２〜０　、７　、　ｙは０．
４〜０．８．ｚは０．０１〜０．５の範囲の数であり、
Ｍは、ＡＱ。

Ｓｉ、Ｔｉなど、原子番号３７までの金属元素の群から
選ばれる元素である）である。

［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術に示された情報記録用薄膜はいず　　　　
−れも、−回書き込み可能あるいは書き換え可能な相変
化型記録膜として用いる場合に、非晶質記録点の結晶化
の活性化エネルギーが小さいため、エネルギビーム照射
中の結晶化速度が小さく、常温での非晶質状態の安定性
が悪い、あるいは再生信号強度が十分大きくない、書き
換えの繰り返し回数が十分でない、単一ビームで重ね書
きを行う際の前信号の消え残りが大きい、などの欠点も
有しており、実用化が困難である。

本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無くし、記録
・再生・消去特性が良好で安定性の良い情報記録用薄膜
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために本発明の情報記録用薄膜に
おいては、その膜厚方向の平均組成を次式で表わされる
ものとする。

Ｇ　ｅ　ｘ　Ｔ　ｅ　ｙ　Ｓ　ｂ　ｚ　Ａ　ｃｔＢ　β
ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚ、αおよびβはそれぞれ原子パーセ
ントで、ＯくＸ＜１８，４５≦Ｙ≦’７０゜１１≦Ｚ≦
５４、０≦α≦２０、０，０くβく２０゜１≦α＋β≦
２０の範囲の値である。ＡはＴｌ。

ハロゲン元素およびアルカリ金属元素のうち少なくとも
一元素である。これらの元素は、Ｔｅを含む材料中でＴ
ｅの鎖状原子配列を切断し、結晶化速度を速くする効果
を持つ。Ｂは、Ｃｏ、　Ｆｅ、　Ｎｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ
、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｎ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ。

Ｎｂ、　Ｍｏ、　Ｒｕ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ｃ
ｄ。

Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｎから選
ばれた少なくとも一元素である。

なお、上記の各元素の他に少量の他元素を含んでも差し
支えないことはもちろんである。たとえばＴｅの一部を
置換してＳｅを１原子％以上２０％以下添加すると、附
子酸化性向上などの効果が有る。しかし製膜の容易さな
どの点からは、これら元素の添加量は１０原子％未満が
好ましく１原子％未満が特に好ましい。

本発明の記録用薄膜は膜厚方向の平均組成が上記の範囲
内に有れば膜厚方向に組成が変化していてもよい。ただ
し組成の変化は不連続的でない方がより好ましい。Ｂで
表わされる元素であるＣ。

等遷移金属元素は、半導体レーザ光などの長波長光の吸
収を容易にして記録感度を高め、また、結晶化温度の高
温化、すなわち非晶質状態の安定性を増す効果を持つも
のである。

上記の組成範囲に有る本発明の情報記録用薄膜は優れた
記録・再生特性を持ち、記録および消去に用いるレーザ
光のパワーが低くてよい。また、安定性も優れている。

Ｘ、Ｙ、Ｚ、αおよびβのより好ましい範囲は２くＸく
９．５４くＹ＜、６’７．２２＜、Ｚく４２゜０くαく
１０．Ｏ＜βく１５，２くα＋β＜２０である。これら
の条件の２つ以上をできるだけ多く同時に満たせばさら
に好ましい。また、ｘ、ｙ。

Ｚ、αおよびβの特に好ましい範囲は、２くＸく９．５
４≦Ｙ≦６７．２２．≦Ｚ≦４２゜１くαく７，１くβ
く１０，２くα＋β＜１５である。これらの条件はすべ
て同時に満たされるものとする。

Ａで表わされる元素のうち特に好ましいのは、Ｔｌであ
り、次いでＩ、Ｎａが好ましい。

Ｂで表わされる元素のうち、特に好ましいものはＣｏ、
次いで好ましいものはＴｉ、Ｎｉ次いで好ましいものは
Ｖ、Ｃｒ次いで好ましいものはＰｄ。

Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｍｎ、である。

Ａで表わされる元素とＢで表わされる元素のいずれか一
方だけを含む場合、製膜の容易さではＡで表わされる元
素の方が好ましいが、耐酸化性の点ではＢで表わされる
元素の方が好ましい。

本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他の物質で密着
して保護されているのが好ましい。両側が保護されてい
ればさらに好ましい、これらの保護膜は、基板あるいは
基材（テープなど）でもあるアクリル樹脂、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポ
リアミド、ポリスチレン、ポリエチレンなどの有機物で
もよく、酸化物、弗化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホ
ウ化物、ホウ素、炭素、あるいは金属などを主成分とす
る無機物でもよい。また、これらの複合材料でも良い。

記録膜に隣接する保護層のうちの少なくとも一方は無機
物であるのが好ましい。ガラス。

石英、サファイア、鉄、あるいはアルミニウムを主成分
とする基板も一方の無機物保護層として働き得る。有機
物、無機物のうちでは無機物と密着している方が耐熱性
の面で好ましい。しかし無機物層（基板の場合を除く）
を厚くするのは、クラック発生、透過率低下、感度低下
のうちの少なくとも１つを起こしやすいので、上記の無
機物層の記録膜と反対の側には１機械的強度を増すため
に厚い有機物層が密着している方が好ましい。この有機
物層は基板であってもよい。これによって変形も起こり
にくくなる。有機物としては、例えば、ポリスチレン、
アクリル樹脂、ポリカーボネート。

エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ホットメルト
接着剤として知られているエチレン−酢酸ビニル共重合
体など、および粘着剤などが用いられる。紫外線硬化樹
脂でもよい。無機物より成る保護層の場合は、そのまま
の形で電子ビーム蒸着。

スパッタリング等で形成してもよいが１反応性スパッタ
リングや、金属、半金属、半導体の少なくとも一元素よ
りなる膜を形成した後、酢酸、硫黄。

窒素のうちの少なくとも一者と反応させるようにすると
製造が容易である。無機物保護層の例を挙げると、Ｃｅ
、Ｌａ＋　Ｓｉ、Ｉｎ、ＡＱ、Ｇｅ、Ｐｂ。

Ｓｎ、　Ｂｉ、　Ｔｅ、　Ｔａ、　Ｓｃ、　Ｙ　＋　Ｔ
ｌｌ　Ｚｒ、　ｖ。

Ｎｂ、　Ｃｒ、およびＷよりなる群より選ばれた少なく
とも一元素の酸化物、Ｃｄ、　Ｚｎ、　Ｇａ、　Ｉｎ。

Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂよりなる群より選ばれた少なく
とも一元素の硫化物、またはセレン化物、Ｍ　ｇ　＋Ｃ
ｅ、Ｃａなどの弗化物、Ｓｉ、ＡＱ、Ｔａ、Ｂなどの窒
化物、Ｔｉなどのホウ化物、ホウ素などの炭化物、ホウ
素、炭素より成るものであって、たとえば主成分がＣｅ
Ｏ２，Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ，５ｉ０２゜Ｉ　ｎ２０３ｙ
　Ａ　Ｑ　２０３ｔ　ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ｐｂｏ。

ＳｎＯ，５ｎ０２ｅ　　Ｂ１２ｏ３．ＴｅＯ２，ｗｏ。

、ｗｏ３ｔＴａ２０５，５ｃ２０３．Ｙ２Ｏ３，ＴｉＯ
２，ＺｒＯ２゜ＣｄＳ　、ＺｎＳ　、ＣｄＳｅ、Ｚｎ５
ｅ、　　Ｉｎ２Ｓ３゜Ｉ　ｎ２　Ｓ　Ｂ３　、　　Ｓ　
ｂ２　Ｓ　３　、　　Ｓ　ｂ２　Ｓ　Ｂ３　、　　Ｇ　
ａ２Ｓ　３　。

Ｇａ２Ｓｅ３．ＭｇＦ２．ＣｅＦ２．ＣｅＦ３．ＣａＦ
２゜ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２．ＳｎＳ、５ｎＳｅ
、ＰｂＳ。

Ｐｂ５ｅ、Ｂｉ２Ｓｅ３．Ｂｉ２５２．ＴａＮ、Ｓｉ３
Ｎ４゜ＡＱＮ、Ｓｉ、ＴｉＢ２．Ｂ４Ｃ，Ｂ、Ｃのうち
の一者に近い組成を持ったものである。

これらのうち、窒化物では表面反射率であまり高くなく
、膜が安定であり、強固である点でＴａＮ、Ｓｉ３Ｎ４
またはＡＱＮに近い組成のものが好ましい。酸化物で好
ましいのはＹ２Ｏ３゜５ｃ２０３．ＣｅＯ２，ＴｉＯ２
，ＺｒＯ２，Ｉｎ２０３ｙＡ　Ｑ　２０３　、　Ｓ　ｎ
　Ｏ２または５ｉ０２に近い組成のものである。Ｓｉま
たはＣも好ましい。

一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ね合せになる
ため干渉をおこす。反射率の変化で信号を読みとる場合
には、記録膜に近接して光反射（吸収）層を設けること
により、干渉の効果を大きくし、読み出し信号を大きく
できる。干渉の効果をより大きくするためには記録膜と
反射（吸収）Ｈの間に中間層を設けるのが好ましい。

中間層は記録書き換え時に記録膜と反射層との相互拡散
が起こるのを防止する効果も有する。

本発明の記録膜は、共蒸着や共スパッタリングなどによ
って、保護膜として使用可能と述べた酸化物、弗化物、
窒化物、有機物などの中に分散させた形態としてもよい
。そうすることによって光吸収係数を調節し、再生信号
強度を大きくすることができる場合が有る。混合比率は
、酸素、弗素。

窒素、炭素が膜全体で占める割合が４０％以下が好まし
い。このような複合膜化を行なうことにより、結晶化の
速度が低下し、感度が低下するのが普通である。ただし
有機物との複合膜化では感度が向上する。

各部分の膜厚の好ましい範囲は下記のとおりである。

記録膜単層膜の場合　６０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下。８
０ｎｍ以上 ２００ｎｍ以下の範囲が 再生信号強度および記録 感度の点で特に好ましい。

反射層との２ＷＪ以上の構造の場合 １５ｎｍ以上１１００ｎ 以下 無機物保護層　　５ｎｍ以上５００ｎｍ以下ただし無機
物基板自体で保護す る時は、０．１〜２０ｎｍ 有機物保護膜：１０ｎｍ以上、１０ｍｍ以下中　間　層
　：　　３ｎｍ以上５００ｎｍ以下光反射層　：　　５
ｎｍ以上、３００ｎｍ以下以上の各層の形成方法は、真
空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、イオンビームス
パッタリング、イオンビーム蒸着、イオンブレーティン
グ。

電子ビーム蒸着、射出成形、キャスティング、回転塗布
、プラズマ重合などのうちのいずれかを適宜選ぶもので
ある。

本発明の記録膜は必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の
変化を記録に利用する必要は無く、たとえば結晶化度の
変化、結晶形あるいは結晶粒径の変化などの何らかの原
子配列変化によって光学的性質の変化を起こさせればよ
い。

本発明の記録用部材は、ディスク状としてばかりでなく
、テープ状、カード状などの他の形態でも使用可能であ
る。

［作用］ 本発明の情報記録用薄膜は結晶化の速度が速く、非晶質
状態の安定性が高く、半導体レーザ光の吸収が多く、再
生信号強度が大きく、かつ、耐酸化性が良い。従って、
記録・消去特性が良好で、感度が高く、記録状態の安定
性が良い。

実施例１ 第１図に示したように、トラッキング用の溝とアドレス
を示すピットを表面に形成したポリカーボネート基板上
にマグネトロンスパッタリングによってまず反射防止層
兼保護層である厚さ約１１００ｎのＺｎ８層２０を形成
した０次にこの基板を第２図に示したような内部構造の
真空蒸着装置中に配置した。

３つの蒸着ボートに、それぞれ、　Ｇｅ、　Ｔｅ。

Ｉｎ、および５ｂ−Ｔｌ混合金物入れ、電子ビーム蒸発
源にＣｏを入れた。基板を１２０ｒｐｍで回転させてお
いて、各ボートに電流を流し、また、電子ビームを当て
て蒸着原料を蒸発させた。

各蒸発源からの蒸発量は水晶振動子式膜厚モニターで検
出し、蒸発速度が一定になるように電流を制御した。

基板上のＺｎＳ層上にＧｅＢＴｅ５５Ｓｂ３２Ｔ　Ｑ　
５の組成の記録膜２１を約１１００ｎの膜厚に蒸着した
。

この膜厚は記録膜の表面と裏面で反射した光が干渉し、
記録膜が非晶質状態あるいは結晶性の悪い状態にある時
、−読出しに用いるレーザ光の波長付近で反射率がほぼ
極小になるような膜厚である。

続いて再びマグネトロンスパッタリングによってＺｎＳ
に近い組成の中間層２２を２００ｎｍの膜厚に形成した
。最後にＮｉの反射層を膜厚１１００ｎに形成した。同
様にしてもう１枚の同様な基板上にＺｎＳに近い組成の
保護層、 Ｇ　ｅ９　Ｔ　ｅ５５　Ｓ　ｂ３ｚ　Ｔ　Ｑ　ｓの組成
の記録膜、ＺｎＳに近い組成の中間層およびＮｉ反射層
を蒸着した。このようにして得た２枚の基板を上記の反
射層側を内側にして有機物接着剤層によって貼り合わせ
てディスクを作製した。

光デイスクドライブ（記録・再生装置）における記録は
次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、半導体レーザ（波長８２０ｎｍ）の光を記録
が行なわれないレベル（約１ｍＷ）に保って、記録ヘッ
ド中のレンズで集光して基板を通して一方の記録膜に照
射し、反射光を検出することによって、トラッキング用
の溝上に光スポットの中心が常に一致するようにヘッド
を駆動した。このようにトラッキングを行ないながら、
さらに記録膜上に焦点が来るように自動焦点合わせを行
ない、記録を行なう部分では。

レーザパワーを結晶化が起こる７ｍＷと、非晶質に近い
状態への変化が起こる１６ｍＷとの間で第３図に示した
ように変化させることにより記録を行なった。記録され
た部分の非晶質に近い状態の部分を記録点と考える。記
録を行なう部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷ
に下げてトラッキングおよび自動焦点合わせを続けた。

なお、記録中もトラッキングおよび自動焦点合わせは継
続される。このような記録方法は、既に記録されている
部分に対して行っても記録されていた情報が新たに記録
した情報に書き換えられる。すなわち単一の円形光スポ
ットによるオーバーライドが可能である。もちろん、一
定パワーの照射で消去した後、パワー変調した照射で記
録してもよい。このようにオーバーライドができ、かつ
記録状態の保持時間が長いのが本実施例および他の実施
例で述べる本発明の記録膜材料の特長である。

記録・消去は３　Ｘ　１０５回以上繰返し可能であった
。記録膜の上下に形成するＺｎＳ層を省略した場合は、
数回の記録・消去で多少の雑音増加が起こった。

読出しは次のようにして行なった。ディスクを１８００
ｒｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと
自動焦点合わせを行ないながら、記録および消去が行な
われない低パワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検
出し、情報を再生した。本実施例では約１００ｍＶの信
号出力が得られた。

本実施例の記録膜は耐酸化性も優れており、ＺｎＳ、ｌ
ｉｔやＮｉ暦を形成しないものを６０°Ｃ相対湿度９５
％の条件下に置いてもほとんど酸化されなかった。また
、レーザ光照射により形成された非晶質に近い点の結晶
化の活性化エネルギーは３、ＯｅＶと大きな値を示した
。

上記のＧｅ　−Ｔｅ　−Ｓ　ｂ　−Ｔ　Ｑ系記録膜にお
イテ、Ｔｌを１原子％とし、Ｔｅとｓｂの含有量の相対
的な比率を一定に保ってＧｅの含有量を変化させた場合
、結晶化に必要な照射時間は次のように変化した。

結晶化時間 Ｘ”　　　Ｏａｔ％　　　　　　０．１　５　μｓＸ＝
　　２　　　　　０．１　　μｓ Ｘ＝　　３　　　　　０．０８μｓ Ｘ＝　　　５　　　　　　　　０．０６μｓＸ＝　　　
６　　　　　　　　０．０８ｕｓＸ＝　　　９　　　　
　　　　０．１　　　μ５Ｘ＝１８　　　　　　　　０
．３　　　μｓＸ＝　２０　　　　　　　　０．４　　
　μ５Ｘ＝２５１　　　　　、Ｌｇ Ｘ＝４０　　　　　　　　２　　　　　μｓ上記のＧｅ
　−Ｔｅ　−Ｓ　ｂ　−Ｔ　Ｑ系記録膜において、Ｔｌ
が１原子％　Ｇｅ１２原子％でＴｅとｓｂの比を変えた
時、結晶化に必要な照射時間は次のように変化した。

結晶化時間 Ｙ＝７３　２＝１４　　　０．６　　μ５Ｙ＝７０　２
＝１７　　　０．３　　μ５Ｙ＝６７　　Ｚ＝２０　　
　０．２　　μ５Ｙ＝６５　　Ｚ＝２２　　　０．１５
μｓＹ＝５６　　２＝３１　　　　　０．１５μ５Ｙ＝
５４　　　Ｚ＝３３　　　　　０．２　　　μ５Ｙ＝５
０　　　Ｚ＝３７　　　　　０．２５μ５Ｙ＝４５　　
　Ｚ＝４２　　　　　０．３　　　μ５Ｙ＝４０　　　
Ｚ＝４７　　　　　０．６　　　μｓまた。Ｔｌが１原
子％でＧｅ１８ｙＫ子％の時、結晶化時間 Ｙ＝７０　　Ｚ＝１１　　　０．３　　μ５Ｙ＝４５　
　Ｚ＝３６　　　０．３　　μｓまた、Ｔｌを１原子％
として 結晶化時間 Ｙ＝７３　２＝２６　　　０．６　　μ５Ｙ＝７０　　
Ｚ＝２９　　　０．３　　μ５Ｙ＝６７　７＝３２　　
　０．２　　μ５Ｙ＝６５　２＝３４　　　０．１５μ
５Ｙ＝５６　２＝４３　　　０．１５μ５Ｙ＝５４　　
２＝４５　　　　　０．１５μ５Ｙ＝５０　　２＝４７
　　　　　０．２　　　μ５Ｙ＝４５　　２＝５４　　
　　　０．３　　　μ５Ｙ＝４０　　　Ｚ＝５９　　　
　　０．６　　　μｓ次に、Ｔｌを２原子％として 結晶化時間 Ｙ＝７３　　Ｚ＝１９　　　０．６　　μ５Ｙ＝７０　
２＝２２　　　０．２　　μ５Ｙ＝６７　２＝２５　　
　０．１　　μ５Ｙ＝６５　　Ｚ＝２７　　　０．０８
μ５Ｙ＝５６　２＝３６　　　０．０８μ５Ｙ＝５４　
２＝３８　　　０．１　　μ５Ｙ＝５０　２＝４２　　
　０．２　　μ５Ｙ＝４５　　Ｚ＝４７　　　０．３　
　μ５Ｙ＝４０　２＝５２　　　０．６　　μｓまた、
Ｔｌが２原子％でＧｅが９原子％の時結晶化時間 Ｙ＝６７　２＝２２　　　０．１　　μ５Ｙ＝５４　２
＝３５　　　０．１　　μｓＴｌが２原子％でＧｅが２
原子％の時 結晶化時間 Ｙ＝６７　　Ｚ＝２９　　　．０．１　　μ５Ｙ＝５４
　　Ｚ＝４２　　　０．１　　μｓであった。

また、上記のＧｅ　−Ｔｅ　−Ｓｂ　−Ｔ　Ｑ系記録膜
において、Ｇｅ、Ｔｅおよびｓｂの含有量の相対的な比
率を一定に保ってＴｅの含有量を変化させた場合、結晶
化時間および、保護膜を着けずに置いた時の表面反射率
変化は次のように変化した。

α＝　　０　　３００ｎｓ［０，３μｓ］　　　　０％
（Ｅ＝０．５　　２５０ｎｓ　　　　　　　　Ｏ％α＝
　　１　　２００ｎｓ　　　　　　　　Ｏ％ａ＝２１０
０ｎｓｏ％ α＝　　　７　　　　　５０ｎｓ　　　　　　　　　　
−２％ａ＝１０　　　　　５０ｎｓ　　　　　　　　　
　−５％α＝１５　　　　　５０ｎｓ　　　　　　　　
　　−８％α＝２０　　　　　５０ｎｓ　　　　　　　
　−１０％（！＝２５　　　　　５０ｎｓ　　　　　　
　　　−２０％ここで、上部保護膜を形成する前に時間
が経過した時の酸化による劣化はＴｌ含有量が２０原子
％以上の時顕著となった。

ここで、Ｔｌの一部または全部を置換してハロゲン元素
、アルカリ金属元素のうち少なくとも一元素を添加して
もよく似た特性が得られる。ハロゲン元素Ｆ、ＣＱ、Ｂ
ｒ、ＩのうちではＩが特に好ましく、次いでＣＱ、アル
カリ金属元素ｊ　Ｌ　ｌ　ｌＮａ、に、Ｒｈ、Ｃｓのう
ちではＮａが特に好ましく、次いでＫが好ましい。

また、上記のＧｅ−Ｔｅ−８ｂ−Ｔｌ系記録膜において
、Ｇｅ、Ｔｅおよびｓｂの相対的な比率を一定に保って
、Ｔｌの代わりに（Ｔｌの含有量は０原子％）Ｃｏを添
加し、Ｃｏの含有量を変化させた場合、記録に必要なレ
ーザ光のパワーおよび、結晶化温度は次のように変化し
た。

結晶化温度 β＝　　０　　　　１２５℃ β＝０．５　　　　１６０℃ β＝１　　　　．２００℃ β＝　　２　　　　２４０℃ β＝　　５　　　　２６０℃ β＝１０　　　　２６０℃ β：１５　　　　２４０℃ β＝２０　　　　２００’Ｃ β＝＝２５　　　　１５０℃ ＣｏなどのＢで表わされる元素よりもＴｌなとのＡで表
わされる元素を含む方が製膜が容易な点では優れている
が耐酸化性では劣っている。

また、上記のＧｅ−Ｔｅ−８ｂ−Ｔｌ系記録膜において
、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂおよび、Ｔｌの含有量の相対的な比
率を一定に保って、Ｃｏを添加し、Ｃｏの含有量を変化
させた場合、記録に必要なレーザ光のパワーは次のよう
に変化した。

記録レーザ β＝　　０　　　　１２ｍＷ β＝０．５　　　　１２ｍＷ β＝　　１　　　　１０ｍＷ β＝２　　　　　９ｍＷ β＝　　５　　　　　９ｍＷ β＝１０　　　　１０ｍＷ β＝１５　　　　１３ｍＷ αとβの和は２０％以下、より好ましくは１５％以下と
しないと信号対雑音比が小さくなった。

Ａで表わされる元素とＢで表わされる元素の両方を含む
ことによって記録点の安定性が増すが、再現性の良い製
膜が困難になる。ここで、上記のＧｅ−Ｔｅ−８ｂ−Ｃ
ｏ系またはＧｅ−Ｔｅ−３ｂ−Ｔｌ−Ｃｏ系において、
Ｃｏの一部または全部を置換してｐｅ、Ｎｉ、Ｓｃ、Ｔ
ｉｐ　ＶＰＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ。

Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ、Ｐｔ、および、Ａｕのうち、少な
くとも一元素を添加してもよく似た性質が得られる。こ
れらのうちで、記録レーザパワーの点ではＴｉ、Ｎｉ、
Ｐｄ、が好ましく、再生信号強度の点ではＶ、Ｃｒ、が
好ましく、結晶化時間の点ではＦｅ、Ｒｈが好ましく、
結晶化温度の点ではＺｒ、Ｍｎ、が好ましく、耐環境性
の点ではＮｂ、Ｐｔ、Ａｕが好ましい。

中間層および保護層にはＺｒＳの代わりにＧ　ｅ　Ｏ□
、　Ａ　Ｑ　２０３．　Ｓ　ｉ　０２．　Ｃｅ　Ｏ３，
Ｙ２Ｏ３ｔＳｉＯ，Ｙを含むＺｒＯ２，Ｔａ２０５．Ａ
ＱＮ。

Ｔ　ａ　Ｎ等に近い組成の他の無機透明物質を用いても
よい。有機物層を用いてもよいが書き換え可能回数が少
なくなる。中間層は膜厚を３〜４０ｎｍとすれば記録書
き換え時の記録膜と反射層との相互拡散を防ぐが光学的
にほとんど存在しないのと同じである。従って、光の干
渉による反射率の波長による変化は、記録膜と反射層と
の２層構造の場合に近い。

反射層も記録時に原子配列変化を起こすと、再生信号が
少し大きくなる。

記録膜の膜厚は１Ｓｎｍ以上１１００ｎ以下の範囲で記
録膜が非晶質状態に有る時の反射率が干渉によって低く
なり大きな再生信号が得られる。

反射層の膜厚はＳｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲。

より好ましくは４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲に有
るのが好ましい。反射層を設けることにより、記録膜の
膜厚が上記のように単層の場合よりも薄い領域で大きな
再生信号を得られることから、記録膜の吸収係数が単層
の場合より大きい組成領域でも良い特性が得られる。

反射層の材質としては１本実施例のＮｉの代わりにＢｉ
、Ｂｉ２Ｔｅ３．Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、ＡＱ。

Ａｕ、Ｐｂ、Ｎｉ−Ｃｒなどの多くの半導体、半金属、
金属やそれらの混合物、化合物が使用可能である。

本実施例の記録膜は耐酸化性が優れており５たとえ保護
膜にピンホールｒ有ってもその周辺に酸化が進行するこ
とは無い。また、Ｎｉ反射層の無いディスクでは、記録
書き換えによるノイズ増加が少し見られたが、実用可能
なディスクであった。

この場合の記録膜膜厚の好ましい範囲は６０ｎｍ以上３
５０ｎｍ以下、より好ましいのは、８０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下であった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、製造プロセスが
簡単で、再現性がよく、記録・再生特性が良く、かつ長
期間安定な情報の記録用部材を得ることができる。記録
の書換えも多数回可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における記録用部材の構造を示
す断面図、第２図は本発明の記録用部材の作製に用いる
真空蒸着装置の内部構造を示す図、第３図は本発明の一
実施例における記録レーザパワーの波形を示す線図であ
る。 １．２．３・・・蒸着ボート、４・・・電子ビーム蒸発
源、６，７，８．９・・・扇形スリットを持ったマスク
、１０，１１，１２．１３・・・シャッター、１４・・
・基板、１５，１６，１７．１８・・・水晶振動子式膜
厚モニター、１９．１９’・・・基板、２０．２０’　
、２２．２２’　−ＺｎＳ層、２１．２１’・・・記録
膜、２３．２３’　・・・Ｎｉ反射層、２４・・・有機
接着剤層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基材上に直接もしくは無機物および有機物のうち、
   少なくとも一者からなる保護層を介して形成された記録
   用エネルギービームの照射を受けて膜の変形をほとんど
   伴わずに原子配列変化を生ずる情報記録用薄膜において
   、上記情報記録用薄膜はその膜厚方向の平均組成が一般
   式Ｇｅ＿ＸＴｅ＿ＹＳｂ＿ＺＡ＿αＢ＿β （ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚ、αおよびβはそれぞれ原子パー
   セントで、０≦Ｘ≦１８、４５≦Ｙ≦７０、１１≦Ｚ≦
   ５４、０≦α≦２０、０≦β≦２０、１≦α＋β≦２０
   の範囲の値であり、ＡはＴｌ、ハロゲン元素およびアル
   カリ金属元素のうち、少なくとも一元素、ＢはＣｏ、Ｆ
   ｅ、Ｎｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｎ、Ｚｎ、
   Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ
   、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｎから
   選ばれた少なくとも一元素）であることを特徴とする情
   報記録用薄膜。 ２、Ａで表わされる元素がＴｌであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の情報記録用薄膜。 ３、Ｂで表わされる元素がＣｏであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の情報記録用薄膜。