JPS63246001A - 高周波用プツシユプルトランスフオ−マ - Google Patents
高周波用プツシユプルトランスフオ−マInfo
- Publication number
- JPS63246001A JPS63246001A JP62080165A JP8016587A JPS63246001A JP S63246001 A JPS63246001 A JP S63246001A JP 62080165 A JP62080165 A JP 62080165A JP 8016587 A JP8016587 A JP 8016587A JP S63246001 A JPS63246001 A JP S63246001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stub
- push
- capacitor
- outer conductor
- inner conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波用ブツシュプルトランスフォーマに係り
、とくに高周波プッシュプルトランス増幅器に好適な高
周波用プッシュプルトランスフォーマに関する。
、とくに高周波プッシュプルトランス増幅器に好適な高
周波用プッシュプルトランスフォーマに関する。
高周波用プッシュプル増幅器は、その主要部が第3図に
示すように入力側の高周波用プッシュプルトランスフォ
ーマ10と、増幅用トランジスタ回路20と、出力側の
高周波用ブツシュプルトランスフォーマ30とを備えた
構成となっている。
示すように入力側の高周波用プッシュプルトランスフォ
ーマ10と、増幅用トランジスタ回路20と、出力側の
高周波用ブツシュプルトランスフォーマ30とを備えた
構成となっている。
この内、入力側と出力側の各高周波用ブツシュプルトラ
ンスフォーマ(以下、単に「プッシュプルトランス」と
いう。以下同じ)10.30は、その回路構成が同一に
形成されている。そして、出力側のプッシュプルトラン
ス30は、入力側のプッシュプルトランス10に対して
、その入力端子が逆になるように反転した形態をもって
接続されている。
ンスフォーマ(以下、単に「プッシュプルトランス」と
いう。以下同じ)10.30は、その回路構成が同一に
形成されている。そして、出力側のプッシュプルトラン
ス30は、入力側のプッシュプルトランス10に対して
、その入力端子が逆になるように反転した形態をもって
接続されている。
このプッシュプルトランス10の従来例を、第4図に示
す。この第4図の従来例において、11は入力用同軸線
路、IIAは同軸線路の内導体を示し、11Bは外導体
を示す。°内導体11A及び外導体11Bには、それぞ
れスタブ12.スタブ13が接続されている。このスタ
ブ12及び13の長さはれぞれ使用周波数体において4
分の1波長線路となるようにその長さが決定される。
す。この第4図の従来例において、11は入力用同軸線
路、IIAは同軸線路の内導体を示し、11Bは外導体
を示す。°内導体11A及び外導体11Bには、それぞ
れスタブ12.スタブ13が接続されている。このスタ
ブ12及び13の長さはれぞれ使用周波数体において4
分の1波長線路となるようにその長さが決定される。
内導体11A及び外導体lIBは直流カット用コンデン
サ14.15をそれぞれ通じて出力線路16.17に出
力される。この出力線路16.17は、この図ではマイ
クロストリップ線路で示しである。
サ14.15をそれぞれ通じて出力線路16.17に出
力される。この出力線路16.17は、この図ではマイ
クロストリップ線路で示しである。
この第4図に示されたようなプッシュプルトランス10
は高周波用プッシュプル増幅器を構成する場合に不可欠
なもので、出力端子18A、18Bには、それぞれ互い
に180”の位相差をもった等振幅の出力があられれる
。この出力は、出力端子18A、18Bからの出力は、
それぞれのトランジスタまたは真空管にその出力が導か
れて増幅される。
は高周波用プッシュプル増幅器を構成する場合に不可欠
なもので、出力端子18A、18Bには、それぞれ互い
に180”の位相差をもった等振幅の出力があられれる
。この出力は、出力端子18A、18Bからの出力は、
それぞれのトランジスタまたは真空管にその出力が導か
れて増幅される。
真空管やトランジスタで増幅された電力は、第3図に示
す如く更に同様のプッシュプルトランス30を用いて一
つにまとめられ、全体でプッシュプルアンプを構成する
ようになっている。IOAは入力端子を示す。
す如く更に同様のプッシュプルトランス30を用いて一
つにまとめられ、全体でプッシュプルアンプを構成する
ようになっている。IOAは入力端子を示す。
しかしながら、このようなプッシュプルトランスlOに
あってはスタブ12.L3の長さが使用周波数の4分の
1波長という制限があり、この周波数以外では全体の反
射係数が大きくなる。このため、使用周波数が決まると
その大きさが決まってしまい、比較的低い周波数におい
てこの回路を用いようとするときには、スタブ12.1
3の寸法が大きくなり、従って、これを装備する高周波
プッシュプル増幅器が全体に大型化して取扱いにくいと
いう欠点があった。
あってはスタブ12.L3の長さが使用周波数の4分の
1波長という制限があり、この周波数以外では全体の反
射係数が大きくなる。このため、使用周波数が決まると
その大きさが決まってしまい、比較的低い周波数におい
てこの回路を用いようとするときには、スタブ12.1
3の寸法が大きくなり、従って、これを装備する高周波
プッシュプル増幅器が全体に大型化して取扱いにくいと
いう欠点があった。
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされた
もので、スタブが接続されている部分に微少容量を負荷
することにより効果的にスタブの長さを長くする効果を
与え、それによってスタブ全体の機械的寸法を小さくす
るとともに、高周波用プッシュプル増幅器全体の小形化
を可能とした高周波用プッシュプルトランスフォーマを
提供することを、その目的とする。
もので、スタブが接続されている部分に微少容量を負荷
することにより効果的にスタブの長さを長くする効果を
与え、それによってスタブ全体の機械的寸法を小さくす
るとともに、高周波用プッシュプル増幅器全体の小形化
を可能とした高周波用プッシュプルトランスフォーマを
提供することを、その目的とする。
本発明では、単一の入力端子に一端が接続された同軸線
路を有し、この同軸線路の他端の内導体と外導体がそれ
ぞれ所定の長さのスタブを介して接地されるとともに、
この内導体と外導体の各々が、各別に設けられた出力線
路を介してそれぞれ二つの出力端子に各別に接続されて
なる高周波プッシュプルトランスフォーマにおいて、前
記同軸線路の他端の内導体と外導体との間に、適当な容
量のコンデンサを接続する、という構成を採り、これに
よって前記目的を達成しようとするものである。
路を有し、この同軸線路の他端の内導体と外導体がそれ
ぞれ所定の長さのスタブを介して接地されるとともに、
この内導体と外導体の各々が、各別に設けられた出力線
路を介してそれぞれ二つの出力端子に各別に接続されて
なる高周波プッシュプルトランスフォーマにおいて、前
記同軸線路の他端の内導体と外導体との間に、適当な容
量のコンデンサを接続する、という構成を採り、これに
よって前記目的を達成しようとするものである。
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第2図に基づい
て説明する。ここで、前述した従来例と同一の構成部材
については同一の符号を用いることとする。
て説明する。ここで、前述した従来例と同一の構成部材
については同一の符号を用いることとする。
この第1図の実施例は、前述した第4図の場合と同様に
、入力段に入力用同軸線路11を有している。そして、
この同軸線路11の内導体11Aは、直流カット用コン
デンサ14及び出力線路16を介して出力端子18Aに
接続されている。同様に、同軸線路11の外導体11B
も、直流カット用コンデンサ15及び出力線路17を介
して出力端子18Bに接続されている。
、入力段に入力用同軸線路11を有している。そして、
この同軸線路11の内導体11Aは、直流カット用コン
デンサ14及び出力線路16を介して出力端子18Aに
接続されている。同様に、同軸線路11の外導体11B
も、直流カット用コンデンサ15及び出力線路17を介
して出力端子18Bに接続されている。
内導体11Aと外導体11Bとの間には適当な大きさの
容量から成るコンデンサ1が接続されている。また、内
扉体11Aはスタブ2を介して接地され、同じく外導体
11Bもスタブ3と介して接地されている。この各スタ
ブ2.3は、各々同一の長さlに形成されている。この
スタブ2.3の長さlは、後述するコンデンサlの容量
によって特定される見かけ長の周波数における4分の1
波長の値に設定されている。その他の構成は前述した従
来例と同一となっている。
容量から成るコンデンサ1が接続されている。また、内
扉体11Aはスタブ2を介して接地され、同じく外導体
11Bもスタブ3と介して接地されている。この各スタ
ブ2.3は、各々同一の長さlに形成されている。この
スタブ2.3の長さlは、後述するコンデンサlの容量
によって特定される見かけ長の周波数における4分の1
波長の値に設定されている。その他の構成は前述した従
来例と同一となっている。
ここで、スタブ2,3の長さlとコンデンサ1との関係
を実験データに基づいて説明する。
を実験データに基づいて説明する。
第2図は、入力端子10Aにおける入力反射景と使用周
波数との関係を実測値に基づいて図示したもので、曲線
Aは第1図のコンデンサ1を使用しない場合を示し、曲
線Bは第1図に示す如くコンデンサ1を使用した場合を
示す。すなわち、曲線Aでは反射の最小限が約800
(MH,)付近となっているのに対し、曲線Bでは約4
30(MH2〕付近となっている。このことは、コンデ
ンサ1を付すことにより800(MH,)に適したスタ
ブ2.3の長さlが、その実質的長さが同一であるにも
かかわらす430(MH,)に適したスタブ2.3とな
っていることを意味する。このため、430(MH,)
用としては、スタブ2,3の各長さを約2βに設定しな
ければならないのに対しβで充分間に合うこととなる。
波数との関係を実測値に基づいて図示したもので、曲線
Aは第1図のコンデンサ1を使用しない場合を示し、曲
線Bは第1図に示す如くコンデンサ1を使用した場合を
示す。すなわち、曲線Aでは反射の最小限が約800
(MH,)付近となっているのに対し、曲線Bでは約4
30(MH2〕付近となっている。このことは、コンデ
ンサ1を付すことにより800(MH,)に適したスタ
ブ2.3の長さlが、その実質的長さが同一であるにも
かかわらす430(MH,)に適したスタブ2.3とな
っていることを意味する。このため、430(MH,)
用としては、スタブ2,3の各長さを約2βに設定しな
ければならないのに対しβで充分間に合うこととなる。
従ってスタブ2.3の長さはコンデンサ1を第1図の如
く付すことにより約2分の1の大きさに設定し得ること
となる。
く付すことにより約2分の1の大きさに設定し得ること
となる。
本発明は以上のように構成され機能するので、内導体と
外導体との間に接続されたコンデンサの作用によりスタ
ブの長さを著しく短くすることができ、これによって全
体的に小型化された取扱いが容易な貰周波用プッシュプ
ルトランスフォーマを提供することができる。このため
、本発明に係る高周波用プッシュプルトランスフォーマ
を使用することにより、反射の少ない小型化された高周
波用プッシュプル増幅器を得ることができる。
外導体との間に接続されたコンデンサの作用によりスタ
ブの長さを著しく短くすることができ、これによって全
体的に小型化された取扱いが容易な貰周波用プッシュプ
ルトランスフォーマを提供することができる。このため
、本発明に係る高周波用プッシュプルトランスフォーマ
を使用することにより、反射の少ない小型化された高周
波用プッシュプル増幅器を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図における作用を示す比較説明用の線図、第3図ないし
第4図は各々従来例を示すブロック図である。 1・・・・・・コンデンサ、2.3・・・・・・スタブ
、■OA・・・・・・入力端子、11・・・・・・同軸
線路、IIA・・・・・・内導体、IIB・・・・・・
外導体、16.t7・・・・・・出力線路、18A、1
8B・・・・・・出力端子。 特許出願人 株式会社 東京計器 ノ/B タトSa− 第2図 CMl液k) 第3図 第4図
図における作用を示す比較説明用の線図、第3図ないし
第4図は各々従来例を示すブロック図である。 1・・・・・・コンデンサ、2.3・・・・・・スタブ
、■OA・・・・・・入力端子、11・・・・・・同軸
線路、IIA・・・・・・内導体、IIB・・・・・・
外導体、16.t7・・・・・・出力線路、18A、1
8B・・・・・・出力端子。 特許出願人 株式会社 東京計器 ノ/B タトSa− 第2図 CMl液k) 第3図 第4図
Claims (1)
- (1)、単一の入力端子に一端が接続された同軸線路を
有し、この同軸線路の他端の内導体と外導体がそれぞれ
所定の長さのスタブを介して接地されるとともに、この
内導体と外導体の各々が、各別に設けられた出力線路を
介してそれぞれ二つの出力端子に各別に接続されてなる
高周波プッシュプルトランスフォーマにおいて、 前記同軸線路の他端の内導体と外導体との間に、適当な
容量のコンデンサを接続したことを特徴とする高周波プ
ッシュプルトランスフォーマ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080165A JPS63246001A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 高周波用プツシユプルトランスフオ−マ |
US07/169,423 US4857869A (en) | 1987-04-01 | 1988-03-17 | High frequency push-pull transformer |
GB8807077A GB2204185B (en) | 1987-04-01 | 1988-03-24 | High frequency push-pull transformer |
DE3810673A DE3810673A1 (de) | 1987-04-01 | 1988-03-29 | Hochfrequenzgegentakttransformator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080165A JPS63246001A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 高周波用プツシユプルトランスフオ−マ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63246001A true JPS63246001A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13710707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62080165A Pending JPS63246001A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 高周波用プツシユプルトランスフオ−マ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4857869A (ja) |
JP (1) | JPS63246001A (ja) |
DE (1) | DE3810673A1 (ja) |
GB (1) | GB2204185B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2652197B1 (fr) * | 1989-09-18 | 1992-09-18 | Motorola Semiconducteurs Borde | Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes. |
US4954790A (en) * | 1989-11-15 | 1990-09-04 | Avantek, Inc. | Enhanced coupled, even mode terminated baluns, and mixers and modulators constructed therefrom |
US5148130A (en) * | 1990-06-07 | 1992-09-15 | Dietrich James L | Wideband microstrip UHF balun |
US5049837A (en) * | 1990-06-25 | 1991-09-17 | Tektronix, Inc. | Push-pull transformer coupled RF amplifier with response to DC |
US5337002A (en) * | 1991-03-01 | 1994-08-09 | Mercer John E | Locator device for continuously locating a dipole magnetic field transmitter and its method of operation |
US6137376A (en) * | 1999-07-14 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | Printed BALUN circuits |
DE502004001283D1 (de) * | 2003-05-14 | 2006-10-05 | Rohde & Schwarz | Umsymmetrieranordnung |
US20100007568A1 (en) * | 2008-03-24 | 2010-01-14 | Uti Limited Partnership | Antenna with Balun |
EP2980656B1 (en) | 2010-06-11 | 2020-10-14 | Ricoh Company, Ltd. | Information storage device, removable device, developer container,and image forming apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019228B2 (ja) * | 1977-01-31 | 1985-05-15 | 三菱電機株式会社 | ゲ−ト逆バイアス式サイリスタの制御装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2636122A (en) * | 1949-04-28 | 1953-04-21 | Austin C Hayes | Antenna system |
US2744167A (en) * | 1950-12-14 | 1956-05-01 | Amy Aceves & King Inc | Booster amplifier |
US3223939A (en) * | 1963-06-27 | 1965-12-14 | Jr James F Lawrence | Self-neutralizing drive system for push-pull radio frequency amplifiers |
US3404404A (en) * | 1965-05-24 | 1968-10-01 | Beam Aerials Ltd J | Combined dipole and linear antenna with balun |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62080165A patent/JPS63246001A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-17 US US07/169,423 patent/US4857869A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-24 GB GB8807077A patent/GB2204185B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-29 DE DE3810673A patent/DE3810673A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019228B2 (ja) * | 1977-01-31 | 1985-05-15 | 三菱電機株式会社 | ゲ−ト逆バイアス式サイリスタの制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2204185A (en) | 1988-11-02 |
GB2204185B (en) | 1991-01-30 |
GB8807077D0 (en) | 1988-04-27 |
DE3810673A1 (de) | 1988-10-20 |
US4857869A (en) | 1989-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11251849A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
CA2074126A1 (en) | High-frequency power amplifier | |
JPS63246001A (ja) | 高周波用プツシユプルトランスフオ−マ | |
JPH0452642B2 (ja) | ||
JPH0376609B2 (ja) | ||
JPH0226881B2 (ja) | ||
US4949053A (en) | Oscillator having feedback isolated from its output | |
JPH0936675A (ja) | 出力電力可変多段増幅装置 | |
JP2906863B2 (ja) | ストリップ線路デュアル・モード・フィルタ | |
JPS63219210A (ja) | Fet増幅器 | |
JPS6139606A (ja) | バイアス回路 | |
JPH0376604B2 (ja) | ||
JPH04298105A (ja) | 半導体増幅器 | |
JPH0585101U (ja) | マイクロ波半導体装置用バイアス回路 | |
JPH10163758A (ja) | ミキサ | |
JPH0535923B2 (ja) | ||
JPS63209203A (ja) | 位相反転器 | |
JP2763031B2 (ja) | 位相反転器及びこれを用いたプッシュプル電力増幅器 | |
JPH08139501A (ja) | 伝送線路スイッチ | |
JPS6241448Y2 (ja) | ||
JPS60182801A (ja) | ストリツプ線路−同軸線路変換器 | |
JPS6213113A (ja) | マイクロ波半導体増幅器 | |
JPH0328582Y2 (ja) | ||
JPH0540561Y2 (ja) | ||
JPS5846570Y2 (ja) | 超高周波トランジスタ増幅器回路 |