JPH0540561Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、VHF，UHF帯の高周波伝送路にお
けるリミツタ回路機能を有した位相調整回路に関
する。

〔従来の技術〕

従来、この種の位相調整回路は、第４図に示す
ようなサーキユレータ３１と可変コンデンサ３３
を用いた位相調整器と約４分の１波長の長さの高
周波伝送路３２の両端にダイオード５とコンデン
サ３を接続したリミツタ回路をカスケード接続す
る、又は第５図に示すようにサーキユレータを用
いた位相調整器の替りに、3dB結合器６の零度位
相端子と−90度位相端子に可変容量ダイオード又
はバタフライ型可変空気コンデンサ等４を接続し
た位相調整器と、前述のリミツタ回路をカスケー
ド接続する回路が用いられていた。

〔考案が解決しようとする問題点〕

上述した従来の位相調整回路は、位相調整器と
リミツタ回路がカスケード接続されているため、
４分の１波長の高周波伝送路の分実装が大きくな
り、特にVHF帯の低周波では、４分の１波長の
高周波伝送路は、長さが約1m近くにもなり実装
スペースをとる欠点を有していた。

本考案の目的は、従来の位相調整回路が有する
実装スペースをとるという欠点を解決し、実装ス
ペースをとらないコンパクトなリミツト回路機能
を有する位相調整回路を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案の位相調整器は、3dB結合器の入力端子
及びアイソレーシヨン端子にコンデンサとダイオ
ードの直列接続回路を接続し、ダイオードのカソ
ードに高周波阻止コイルを通してバイアス電圧を
加え、3dB結合器の零度位相端子と−90度位相端
子にコンデンサとバタフライ型可変空気コンデン
サ又は、コンデンサと可変容量ダイオードの直列
接続回路を接続し、ダイオードのカソードに高周
波阻止コイルを通してバイアス電圧を加えてい
る。

すなわち、3dB結合器の入力端子及びアイソレ
ーシヨン端子にコンデンサと１個又は２個以上並
列にしたダイオードの直列接続回路を、一方は高
周波伝送路にコンデンサが接続され、ダイオード
のカソードがコンデンサに、そしてダイオードの
アノードが接地されるよう接続し、他方は高周波
伝送路にダイオードのアノードが接続され、ダイ
オードのカソードがコンデンサを通して高周波に
おいて接地されるよう接続し、3dB結合器の零度
位相端子及び−90度位相端子に共通端子を接地し
たバタフライ型可変コンデンサあるいは、高周波
バイパスコンデンサとアノード端子を接地した１
個又は２個以上の可変容量ダイオードからなる直
列接続回路を接続し、3dB結合器の入力端子及び
アイソレーシヨン端子に接続したコンデンサとダ
イオードの直列接続回路のダイオードのカソード
に高周波阻止コイルを通してリミツタレベル設定
用のバイアス電圧を供給し、3dB結合器の零度位
相端子及び−90度位相端子に接続したコンデンサ
と可変容量ダイオードの直列接続回路の可変容量
ダイオードのカソードに高周波阻止コイルを通し
てバイアス電圧を供給し、3dB結合器の入力端子
側を高周波信号の入力、アイソレーシヨン端子側
を高周波信号の出力とした。

〔実施例〕

次に、本考案について図面を参照にして詳細に
説明する。第１図は本考案の一実施例の回路図で
ある。第１図によると、高周波信号は入力１から
3dB結合器の入力１１へ入力され、3dB結合器６
の入力１１とアース間には、高周波バイパスコン
デンサ３とダイオード５の直列接続回路が接続さ
れ、ダイオード５のカソード側に高周波リミツタ
レベル設定用のバイアス電圧が高周波阻止コイル
７を通して加えられ、ダイオード５のアノードが
接地される。

3dB結合器６に入力された高周波信号は、3dB
結合器６の零度位相端子１２と−90度位相端子１
３に分配され、零度位相端子１２及び−90度位相
端子１３の各々に接続された高周波バイパスコン
デンサ３とアノード端子を接地した可変容量ダイ
オード４の直列接続回路によつて反射され、3dB
結合器６のアイソレーシヨン端子１４に出力され
る。ここでアイソレーシヨン端子１４から出力さ
れる高周波信号は、高周波阻止コイル７を通して
カソードにバイアス電圧をかけられた可変容量ダ
イオード４の静電容量によつて位相を変化させる
ことが可能である。一方3dB結合器６の入力１１
には、3dB結合器の原理上可変容量ダイオード４
によつて反射された高周波信号は出力されない。
更に、3dB結合器６のアイソレーシヨン端子１４
には、ダイオード５と高周波バイパスコンデンサ
３の直列接続回路が高周波伝送路とアース間に接
続されダイオード５のアノードが高周波伝送路に
接続し、カソードに高周波阻止コイル７を通して
リミツタレベル設定用のバイアス電圧が供給され
る。

実施例において、入出力端子間に位相調整回路
が設けられており、コンデンサによる位相変化は
90度より増え、入出力間の位相差は必ずしも90度
とはならないが、位相差が90度から150度程度の
場合は十分リミツタ特性が得られる。

また、3dB結合器６は、3dB結合器として２芯
のセミリジツトケーブルを用いた場合の概念図第
３図ａ，ｂに示すように、3dB結合器の入力端子
１１と−90度位相端子１３を結ぶ伝送路を構成す
る内導体２４及び3dB結合器の零度位相端子１２
とアイソレーシヨン端子１４を結ぶ伝送路を構成
する内導体２５は、誘電体２３により直流的には
絶縁され、高周波的には、ある一定の結合度を保
ち、伝送周波数の約４分の１波長の長さを有す
る。このため3dB結合器の入力端子１１及びアイ
ソレーシヨン端子１４にダイオード５と高周波バ
イパスコンデンサ３から構成されるダイオードリ
ミツタを接続することにより、従来のように位相
調整器と伝送周波数の４分の１波長の長さの伝送
路を用いたリミツタ回路をカスケード接続する回
路と同等の性能を実装スペースをとらずに実現可
能である。

尚、ダイオード５及び可変容量ダイオード４は
特性上２つ以上並列に使用する場合もあり、第２
図に示すように可変容量ダイオード４の替りに一
方の電極が共通で他方の電極が独立しているバタ
フライ型可変空気コンデンサ１６を用いることも
可能である。

また3dB結合器として、ストリツプ線路を用い
たもの等を使用することも可能である。

さらに、高周波信号の入出力を逆にして、出力
２より信号を入力し、入力１より出力することも
可能である。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案は3dB結合器を用い
た位相調整器の入出力にダイオードとコンデンサ
の直列接続回路を3dB結合器の入出力とアース間
に接続し、ダイオードにリミツタレベル設定用の
バイアス電圧をかけることにより、伝送周波数の
４分の１波長の伝送路の両端にダイオードとコン
デンサから成るリミツタ回路を位相調整器とカス
ケード接続する必要がなく、良好なリミツタ特性
を得ることが可能であり、大幅に実装面積を削減
する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
第二の実施例を示し、第１図の可変容量ダイオー
ドの替りにバタフライ型可変空気コンデンサを用
いた場合の回路図、第３図は本考案の概念図を示
す図で、ａは第１図の3dB結合器として２芯のセ
ミリジツトケーブルを用いた場合の概念図であ
り、ｂはａで示した3dB結合器の断面図である。
第４図及び第５図は位相調整器とリミツタ回路を
カスケード接続した従来技術の回路図である。 図において、１……入力、２……出力、３……
高周波バイパスコンデンサ、４……可変容量ダイ
オード、５……ダイオード、６……3dB結合器、
７……高周波阻止コイル、９……ポテンシヨメー
タ、１０……バイアス電圧入力端子、１１……
3dB結合器の入力端子、１２……3dB結合器の零
度位相端子、１３……3dB結合器の−90度位相端
子、１４……3dB結合器のアイソレーシヨン端
子、１６……バタフライ型可変空気コンデンサ、
２１……外導体、２２……誘導体、２３……誘導
体、２４……内導体１、２５……内導体２、３１
……サーキユレータ、３２……同軸ケーブル、３
３……可変コンデンサ、４１……高周波伝送路。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 3dB結合器を用いた位相調整回路において、前
   記3dB結合器の入力端子とアース間にコンデンサ
   と第１のダイオードの直列回路を接続し、前記
   3dB結合器のアイソレーシヨン端子とアース間に
   コンデンサと接続極性が前記第１のダイオードと
   反対になつた第２のダイオードの直列接続回路を
   接続し、前記3dB結合器の零度位相端子及び−90
   度位相端子にそれぞれコンデンサを介して一方の
   端子を接地した可変容量コンデンサ手段を接続
   し、前記3dB結合器の入力端子側を高周波信号の
   入力とし、アイソレーシヨン端子側を高周波信号
   の出力とすることを特徴とした位相調整回路。