JPS63239455A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体に関する。

従来の技術 従来、有機光導電体を用いた電子写真感光体は、無公害
、高生産性、低コスト等の利点があるため、種々研究さ
れており、感光層に増感材としてジフェニルジシアノエ
チレン誘導体を用いたものも知られている（例えば、特
開昭５４−３０８３４＠公報参照）。

ところで有機光導電体のうち、可視光を吸収して電荷を
発生する物質は、電荷保持力に乏しく、逆に、電荷保持
力が良好で、成膜性に優れた物質は、一般に可視光によ
る光導電性がほとんど無いという欠点がある。この問題
を解決するために、感光層を可視光を吸収して電荷を発
生する電荷発生材と、その電荷の輸送を行う電荷輸送材
とに機能分離した層構成を有する積層型の感光層とする
ことが行われている。そして、電荷発生材及び電荷輸送
材については、数多くのものが提案されている。モして
正孔輸送材としては、アミン化合物、ヒドラゾン化合物
、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジア
ゾール化合物、スチルベン化合物、カルバゾール化合物
等が知られており、又、電子輸送材としては、２，４．
７−ドリニトロフルオレノン等がある。その他、例えば
、特公昭４８−９９８８号公報及びカナダ特許第９１２
０１９号明細書にはボロンを含む化合物が記載されてい
る。

発明が解決しようとする問題点 ところで、有機光導電体を用いた単層構造の電子写真感
光体においては、増感材として充分実用的なものは未だ
知られていない。又、積層構造の機能分離型電子写真感
光体においては、コロトロンにおけるオゾンの発生防止
、現像におけるトナーの帯電制御等の点から、正帯電型
の方が望ましい。ところが、正帯電型として用いる場合
、電子輸送材が正孔輸送性のものの場合、電荷発生層を
上層とする必要があるが、電荷発生層はその性質上、薄
膜化させるのが通常であり、感光体としての機械的特性
を満足させるには不充分である。又、負帯電で用いるた
めの複写機側の工夫も必要である。そこで比較的厚膜の
電荷輸送層を上層として正帯電性の感光体を得たいとい
う要望も一方にあり、そのためには、電荷輸送層におい
て、充分に有効な電子輸送材を用いることが必要でおる
。しかしながら、従来提案されている電子輸送材で充分
有効なものは知られていない。

本発明は、従来の上記のような問題点に鑑みてなされた
ものでおる。

したがって、本発明の目的は、優れた電子写真特性を有
する電子写真感光体を提供することにある。

本発明の伯の目的は、優れた電子写真特性を有する正帯
電用の積層型電子写真感光体を提供することにおる。

問題点を解決するための手段 本発明者等は、研究の結果、一群のほう素含有ジフェニ
ルジシアノエチレン誘導体を増感材又は電子輸送材とし
て用いると、良好な電子写真特性を示す電子写真感光体
が得られることを見出だし、本発明を完成するに至った
。

本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に、感光層
を有し、そして、感光層が下記一般式（Ｉ＞で示される
ジフェニルジシアノエチレン誘導体を含有することを特
徴とする。

（１３ＭｅＳ２）ｎ（ＢＭｅＳ２）Ｉｌｌ（式中、Ｒ１
及びＲ２は、それぞれ水素原子、アルキル基、ニトロ基
又はアルコキシカルボニル基を表わし、ＭｅＳはメシチ
ル基を表わし、ｎ及びｍは、それぞれ０，１又は２を表
わすが、ｍ＋ｎ≧１である） 本発明において用いられる上記一般式（Ｉ）で示される
化合物としては、例えば、次のものが例示される。

（３）　　　　　　　　　　　　　　　　（／ｆ）（５
）　　　　　　　　　　　（（ｉ）これらの化合物は、
例えば、相当するベンゾフェノン誘導体をマロンニトリ
ルと、溶媒中で、所望により触媒の存在下、５０℃乃至
溶媒の沸点迄での温度で縮合反応させることによって合
成することができる。この反応は、カルボニル基と活性
メチレンとの脱水縮合反応であり、ＫｎＯｅＶｅｒｎａ
ｇｅ　１反応として知られている。（実験化学講座　第
１８巻「有機化合物の反応■（中）」（日本化学金偏、
１９５８年、丸首　発行）参照） 次に、上記化合物のうちの代表例について合成例を示す
が、他のものも同様にして製造することができる。

（合成例１）　例示化合物（１）の合成４−ブロモベン
ゾフェノン　　　　　２５ｇエチレングリコール　　　
　　　　　５０９ｐ−トルエンスルホン酸　　　　　　
１．８ｇ上記成分をトルエン８００ｒｄ中で２０時間還
流した後、希Ｎ　８２　ＣＯ３溶液、続いて水で充分洗
浄した。Ｎａ２ＳＯ４で乾燥債、溶媒を留去・し、残渣
をＭｅＯＨ（メタノール）から再結晶して、４−ブロモ
ベンゾフェノンエチレンケタール１５ｇを得た。ｍｐ、
５４〜５６℃ ４−ブロモベンゾフェノンエチレンケタール８．０ｇを
１００ｍ’のエーテル中、窒素気流下攪拌し、その溶液
にｎ−０４Ｈ９Ｌｉのヘキサン溶液（１，７２モル濃度
）を１６ｒｒＩｌ加え、室温下で５分間撹拌し、次にジ
メシチルボロンフルオライド（（Ｍｅｓ）２８Ｆ＞８．
８ｇを１００ｍのエーテルに溶かした溶液をできるだけ
素早く加えた。

なお、ジメシチルボロンフルオライド （（Ｍｅｓ）２８Ｆ）Ｇｅｔカナタ特許第９１２０１９
号明細書に記載の方法と同様の方法により合成した。

加え終った後、２．５時間還流し、冷却した後、２００
ｒｒｄｌの水を加えエーテル層を分離し、さらに、水層
を塩化メチレン３０ｍで２回抽出した。有機層をすべて
まとめて乾燥した後、溶媒を減圧画人した。残渣をエタ
ノール　４００ｄ、水　２０！ｎｌ、製塩ｒ１ｉ　２０
ｄ中で５時間還流後、５００ｄ（７）水を加え、析出し
た結晶を分離し、メタノール／ヘキサンより再結晶して
４−ジメシチルボロペンゾフエノン　７ｇを得た。

次に、４−ジメシチルボロペンゾフエノンを１．５ｇと
マロンニトリル　０．７５ｇとピリジン　３０ｄ中で、
窒素気流下８時間還流した。その後、ピリジンを減圧留
去し、残渣を塩化メチレンに溶解した後、乾燥し、塩化
メチレンを減圧留去した。残渣をメタノール／ＣＨ２Ｃ
ｌ２から再結晶して例示化合物（１）１．１ｇを得た。

ｒｒ＋ｐ、１５９〜１６０℃ マススペクトル　Ｍ＋　４７８ 元素分析　　　　ＣＨＮ 計算値　　８５．３６　６．５３　５．８６実測値　　
８５．５０　　Ｂ、３５　５．９３Ｉ　　Ｒ２２２４３
−１（ＫＢｒ） ＮＭＲ７，５Ｏ−７，１５ｐｐｍ（Ａｒ、９■）、６．
７６ｐｐｍ（３，４８）。

２、２６ＤＩ）ｍ（Ｓ、　６Ｈ）、　１．９５ｐＤｍ（
Ｓ、　１２Ｈ）。

（ＣＤＣＩ　３） （合成例２）　例示化合物（５）の合成４．４′−ジブ
ロモベンゾフェノン　２０　　ｇエチレングリコール　
　　　　　　　５０　　ｇｐ−トルエンスルホン酸　　
　　　　　１．８ｇ上記成分をトルエン　８００ａ２中
で２０時間還流した後、実施例１と同様の処理をして、
４．４′−ジブロモベンゾフェノンエチレンケタール　
１３ｇを得た。ｍｐ、１０３〜１０４°Ｃ（エタノール
） 次に４，４′−ジブロモベンゾフェノンエチレンケター
ル　６．０ｇを１０ＣＭ！のエーテル中、窒素気流下攪
拌し、その溶液にｎ　　０４８ｇＬ！のヘキサン溶液（
１，７２モル濃度）を１９．２ｄ加え、室温下で５分間
攪拌した後に、（Ｍｅｓ）２８Ｆ　　８．７ｇの１００
ｄエーテル溶液をできるだけ素早く加え、２．５時間還
流後、実施例１と同様の処理、反応を行って、４，４′
−ビスジメシチルボロベンゾフエノン　７．３ｇを得た
。ｍｐ、１３０〜１４０℃（エタノール／ＣＨ２Ｃｌ２
） 次に、４，４−−ビスジメシチルボロペンゾフエノン　
７ｇとマロンニトリル　１．４ｇをピリジン１０ｏＩｎ
ｌ中で８時間還流した後、実施例１と同様の処理を行っ
て例示化合物（５）５．２９を得た。　ｒＴＩＤ、２４
５〜２４７．５℃（ＣＨ２Ｃ１２／メタノール） マススペクトル　Ｍ＋　７２７ 元素分析　　　　ＣＨＮ 計算値　　８５．９６　７．２１　３．８６実測値　　
８５．５７　７．２４　３．７３Ｉ　　Ｒ２２２４ｃｍ
−’（にＢｒ） Ｎ　Ｍ　Ｒ７，５５［）ｌ）ｆｆｉ（ｄ、　４旧、　７
．３２ｐｐｍ（ｄ、　４Ｈ）、　６．７８ｐｐｍ（Ｓ、
８旧、２．２９１）ｌ）ＩＩＩ（Ｓ、　１２Ｈ）、　１
．９１３１）ｌ）ｍ（Ｓ、　２４旧、　（ＣＤＣｌ２） 本発明の電子写真感光体において、導電性支持体として
は、例えば、金属パイプ、金属板、金属シート、金属筋
、導電処理を施した高分子フィルム、Ａ１等の金属の蒸
着層を設けた高分子フィルム、ＳｎＯ２等の金属酸化物
第４級アンモニウム塩等により被覆された高分子フィル
ム又は紙等が用いられる。

本発明の電子写真感光体において、導電性支持体上には
、感光層が設けられるが、感光層は単層構造のものでも
よく、又、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のものでもよい。

感光層が単層構造の場合には、例えば、ポリビニルカル
バゾール等の公知の材料から構成された感光層中に上記
一般式（Ｉ＞で示される化合物を増感材として含有させ
たもの、又は公知の電荷発生材を含む結着樹脂層中に上
記一般式（Ｉ＞で示される化合物を電子輸送材として含
有させたものなどが挙げられる。

一方、感光層が積層構造の場合において、電荷発生層は
、例えば、電荷発生材を導電性支持体上に蒸着して得ら
れたものでもよく、又、電荷発生材と結着樹脂とを主成
分とする塗布液を塗布するこ゛とによって形成されたも
のでもよい。

電荷発生材及び結着樹脂としては、公知のものならば、
どのようなものでも使用できる。例えば、電荷発生材と
しては、ｔｒｉ　−３ｅなどの無機半導体、ポリビニル
カルバゾール等の有機半導体、ビスアゾ系化合物、トリ
スアゾ系化合物、フタロシアニン類、ビリリウム化合物
、スクェアリウム化合物等の有機顔料が使用でき、又、
結着樹脂としては、ポリスチレン、シリコーン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
ポリエステル、ビニル系重合体、セルロース類、アルキ
ッド樹脂等が使用できる。

電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１０μ程度に設定され
る。

電荷発生層の上には電荷輸送層が形成される。

この電荷輸送層は、上記ジフェニルジシアノエチレン誘
導体と結着樹脂とより構成されるものであって、ジフェ
ニルジシアノエチレン誘導体、結着樹脂及び適当な溶媒
を主成分とする塗布液を、アプリケータ、バーコータ、
ディップコータ等により、電荷発生層上に塗布すること
によって形成される。この場合、ジフェニルジシアノエ
チレン誘導体と結着樹脂との混合比は、１：２０〜２０
：１程度に設定される。

電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、公知のものなら
ば、どのようなものでも使用できる。例えば、スチレン
−ブタジェン共重合体、ビニルトルエン−スチレン共重
合体、スチレン変性アルキッド樹脂、シリコーン変性ア
ルキッド樹脂、大豆油変性アルキッド樹脂、塩化ビニル
デンー塩化ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ニ
トロ化ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソブ
チレン、ポリエステル、フェノール樹脂、ケトン樹脂、
ポリアミド、ポリカーボネート、ポリチオカーボネート
、ポリビニルハロアリレート、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン、ポリビニルアクリレート、ポリスルホン、ポ
リメタクリレート等があげられる。

電荷輸送層の膜厚は、２〜１００μ程度に設定される。

なお、本発明の電子写真感光体においては、導電性支持
体の上に、障壁層を設けてもよい。障壁層は、導電性支
持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有効で
あり、画質を向上させる作用がある。障壁層を構成する
材料としては、酸化アルミニウム等の金属酸化物あるい
はアクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリウレタン等があげられる。

実施例 以下、本発明の実施例を示す。

実施例１ 導電性基板上に三方晶型−３ｅ／ポリビニルカルバゾー
ル（三方晶−５ｅ　　７０ｗｔ％〉からなる電荷発生Ｂ
（２，５μｍ）を設け、その上に、例示化合物（１）０
．５ｇ、ビスフェノール（Ａ）ポリカーボネート（マク
ロロン５７０５　）　０．７５３を塩化メチレン　７ｇ
に溶かした溶液を、湿潤時のギャップ　５ｍ１ｌ（ミル
）で塗布し、８０°Ｃで１時間乾燥して電子写真感光体
を作製した。

これについて、静電複写紙試験装置（川口電機製作所Ｓ
　Ｐ　４２８　”）　ｒ＋５ｏｏｖ又バーａｏｏｖ　ニ
帯電シ、５ルツクスの白色光を露光し、感度を測定した
。

実施例２ 例示化合物（５）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て電子写真感光体を得た。

実施例３ 導電性基板上に例示化合物（１）０．５ＳＪ及びポリビ
ニルカルバゾール　０．７５ｇを塩化メチレン　７ｇに
溶かして得た溶液を、湿潤時のギャップ　５ｍ１ｌ（ミ
ル）で塗布し、８０℃で１時間乾燥して電子写真感光体
を得た。

実施例４ 例示化合物（５）を用いた以外は、実施例３と同様にし
て電子写真感光体を得た。

比較例１ ２．４．７−ドリニトロフルオレノン（以下、ＴＮＦと
略記）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真
感光体を得た。

比較例２ ＴＮＦを用いた以外は、実施例３と同様にして電子写真
感光体を得た。

これ等の電子写真感光体について、帯電電位＋８００Ｖ
　及０’−８００Ｖ　（７）場合の初期感度（ｄＶ／ｄ
ｔ）　ヲ以下に示す。

発明の効果 上記実施例及び比較例の比較からも明らかなように、本
発明において用いる上記一般式（Ｉ）で示されるジフェ
ニルジシアノエチレン誘導体は、従来比較的優れたもの
として知られているＴＮＦと同等以上の電子輸送性を示
し、したがって、このものを、感光層の増感材又は電子
輸送材として用いた電子写真感光体は、優れた電子写真
特性を示す。特に、積層型の電子写真感光体の電荷輸送
層において電子輸送材として用いた場合には、正帯電用
の電子写真感光体として優れた電子写真特性を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体
   において、該感光層が下記一般式（ I ）で示されるジ
   フェニルジシアノエチレン誘導体を含有することを特徴
   とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は、それぞれ水素原子、アル
   キル基、ニトロ基又はアルコキシカルボニル基を表わし
   、Ｍｅｓはメシチル基を表わし、ｎ及びｍは、それぞれ
   ０、１又は２を表わすが、ｍ＋ｎ≧１である）
2. （２）感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とよりなり、
   該電荷輸送層が上記一般式（ I ）で示されるジフェニ
   ルジシアノエチレン誘導体を含有することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。