JPH0424696B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0424696B2 JPH0424696B2 JP1099494A JP9949489A JPH0424696B2 JP H0424696 B2 JPH0424696 B2 JP H0424696B2 JP 1099494 A JP1099494 A JP 1099494A JP 9949489 A JP9949489 A JP 9949489A JP H0424696 B2 JPH0424696 B2 JP H0424696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- optionally substituted
- group
- electrophotographic photoreceptor
- charge transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXCYSACZTOKNNS-UHFFFAOYSA-N diethoxy(oxo)phosphanium Chemical compound CCO[P+](=O)OCC LXCYSACZTOKNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 2
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- -1 triphenylphosphonium halide Chemical class 0.000 description 2
- VPPJVTGBNASTBW-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-tris(bromomethyl)benzene Chemical compound BrCC1=CC=C(CBr)C(CBr)=C1 VPPJVTGBNASTBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJKMOHIGRNELRP-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(chloromethyl)benzene Chemical compound ClCC1=CC(CCl)=CC(CCl)=C1 PJKMOHIGRNELRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAWVMPOAIVZWFQ-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-2-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC=C1CCl UAWVMPOAIVZWFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C=C1 MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004142 LEXAN™ Polymers 0.000 description 1
- 239000004418 Lexan Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- AEKQNAANFVOBCU-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarbaldehyde Chemical compound O=CC1=CC(C=O)=CC(C=O)=C1 AEKQNAANFVOBCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUAHORSUHVUKBD-UHFFFAOYSA-N benzo[c]phenanthrene Chemical compound C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=CC=C21 TUAHORSUHVUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003008 phosphonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005547 polycyclic aromatic hydrocarbon Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0605—Carbocyclic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
- G03G5/061473—Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
- G03G5/0661—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in different ring systems, each system containing at least one hetero ring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、更に詳しく
は、特定の三官能化合物を電荷輸送層中に含む高
感度、高耐久性の電子写真感光体に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 近年、電子写真方式を用いた複写機、プリンタ
ーの発展は目覚ましく、用途に応じて様々な形
態、種類の機種が開発され、それに対応してそれ
らに用いられる感光体も多種多様のものが開発さ
れつつある。 従来、電子写真感光体としては、その感度、耐
久性の面から無機化合物が主として用いられてき
た。これらの無機化合物としては、例えば酸化亜
鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げる事ができ
る。しかしながらも、これらは有害物質を使用し
ている場合が多く、その廃棄が問題となり、公害
をもたらす原因となる。又、感度の良好なセレン
を用いる場合、蒸着法等により導電性基体上に薄
膜を形成する必要があり、生産性が劣り、コスト
アツプの原因となる。近年、無公害性の無機物感
光体としてアモルフアスシリコンが注目され、そ
の研究開発が進められている。しかしながら、こ
れらも、感度については優れているが、薄膜形成
時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣つており、感光体コスト、
ランニングコストとも大きなものとなつている。 一方、有機感光体は、焼却が可能であり、無公
害の利点を有し、更に多くのものは塗工により薄
膜形成が可能で大量生産が容易である。それ故に
コストが大幅に低下でき、又、用途に応じて様々
な形状に加工する事ができるという長所を有して
いる。しかしながら、有機感光体においては、そ
の感度、耐久性に問題が残されており、高感度、
高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。 有機感光体の感度向上の手段として様々な方法
が提案されているが、現在では電荷発生層と電荷
輸送層とに機能が分離した主に二層構造の機能分
離型感光体が主流となつている。例えば、露光に
より電荷発生層で発生した電荷は、電荷輸送層に
注入され、電荷輸送層中を通つて表面に輸送さ
れ、表面電荷を中和することにより感光体表面に
静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比
して発生した電荷が捕獲される可能性が小さくな
り、各層がそれぞれの機能を阻害される事なく、
効率良く電荷が感光体表面に輸送され得る(アメ
リカ特許第2803541号)。 電荷発生層に用いられる有機電荷発生材として
は、照射される光のエネルギーを吸収し、効率よ
く電荷を発生する化合物が選択使用されており、
例えば、アゾ系顔料(特開昭54−14967号公報)、
無金属フタロシアニン顔料(特開昭60−143346号
公報)、金属フタロシアニン顔料(特開昭50−
16538号公報)、スクエアリウム塩(特開昭53−
27033号公報)等を挙げる事ができる。 電荷輸送層に用いられる電荷輸送材としては、
電荷発生層からの電荷の注入効率が大きく、更に
電荷輸送層内で電荷の移動度が大である化合物を
選定する必要がある。そのためには、イオン化ポ
テンシヤルが小さい化合物、ラジカルカチオンが
発生しやすい化合物が選ばれ、例えばトリアリー
ルアミン誘導体(特開昭53−47260号公報)、ヒド
ラゾン誘導体(特開昭57−101844号公報)、オキ
サジアゾール誘導体(特公昭34−5466号公報)、
ピラゾリン誘導体(特公昭52−4188号公報)、ス
チルベン誘導体(特開昭58−198043号公報)、ト
リフエニルメタン誘導体(特公昭45−555号公
報)、1,3−ブタジエン誘導体(特開昭62−
287257号公報)等が提案されている。 しかしながら、これらの電荷移動度は無機物に
比較すると小さいものであり、感度もまだまだ満
足できないものであつた。 また、帯電、露光、現像、転写、除電という一
連の電子写真プロセスにおいて感光体は極めて苛
酷な条件下に置かれ、特にその耐オゾン性、耐摩
耗性が大きな問題となる。感光体に用いられる材
料についても、これら耐久性が要求される一方、
結合剤や保護層についても開発が進んでいるが、
満足できるものは未だ得られていない。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記課題を解決し、高感度、高
耐久性の電子写真感光体を得るべく鋭意検討した
結果、特定の三官能化合物を電荷輸送層中に含む
電子写真感光体が感度、耐久性ともに優れている
事を見出し、本発明に至つた。 即ち、本発明は、導電性支持体、電荷発生層及
び電荷輸送層を必須の構成要素とする電子写真感
光体において、一般式(1) (式中、R1,R1′,R1″は、同一もしくは相異
なつて、水素原子、置換されていてもよい直鎖又
は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリ
ール基のいずれかを表し、R2,R3,R2′,R3′,
R2″,R3″は、同一もしくは相異なつて、水素原
子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換さ
れていてもよいアルケニル基、置換されていても
よい複素環のいずれかを表すか、あるいはR2と
R3及び/又はR2′とR3′及び/又はR2″とR3″が隣
接する炭素原子とともに環を形成する。 Aは芳香族炭化水素からなる3価の基を表す。)
で示される化合物を電荷輸送層中に含むことを特
徴とする電子写真感光体を提供するものである。 本発明においては、電荷輸送層中に一般式(1)で
示される芳香族炭化水素からなる3価の基Aにス
チリル基等の置換ビニル基が3個結合した化合物
を含有せしめる。 上記の3価の基Aとしては例えば次の各式で示
すものが挙げられる。
は、特定の三官能化合物を電荷輸送層中に含む高
感度、高耐久性の電子写真感光体に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 近年、電子写真方式を用いた複写機、プリンタ
ーの発展は目覚ましく、用途に応じて様々な形
態、種類の機種が開発され、それに対応してそれ
らに用いられる感光体も多種多様のものが開発さ
れつつある。 従来、電子写真感光体としては、その感度、耐
久性の面から無機化合物が主として用いられてき
た。これらの無機化合物としては、例えば酸化亜
鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げる事ができ
る。しかしながらも、これらは有害物質を使用し
ている場合が多く、その廃棄が問題となり、公害
をもたらす原因となる。又、感度の良好なセレン
を用いる場合、蒸着法等により導電性基体上に薄
膜を形成する必要があり、生産性が劣り、コスト
アツプの原因となる。近年、無公害性の無機物感
光体としてアモルフアスシリコンが注目され、そ
の研究開発が進められている。しかしながら、こ
れらも、感度については優れているが、薄膜形成
時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣つており、感光体コスト、
ランニングコストとも大きなものとなつている。 一方、有機感光体は、焼却が可能であり、無公
害の利点を有し、更に多くのものは塗工により薄
膜形成が可能で大量生産が容易である。それ故に
コストが大幅に低下でき、又、用途に応じて様々
な形状に加工する事ができるという長所を有して
いる。しかしながら、有機感光体においては、そ
の感度、耐久性に問題が残されており、高感度、
高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。 有機感光体の感度向上の手段として様々な方法
が提案されているが、現在では電荷発生層と電荷
輸送層とに機能が分離した主に二層構造の機能分
離型感光体が主流となつている。例えば、露光に
より電荷発生層で発生した電荷は、電荷輸送層に
注入され、電荷輸送層中を通つて表面に輸送さ
れ、表面電荷を中和することにより感光体表面に
静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比
して発生した電荷が捕獲される可能性が小さくな
り、各層がそれぞれの機能を阻害される事なく、
効率良く電荷が感光体表面に輸送され得る(アメ
リカ特許第2803541号)。 電荷発生層に用いられる有機電荷発生材として
は、照射される光のエネルギーを吸収し、効率よ
く電荷を発生する化合物が選択使用されており、
例えば、アゾ系顔料(特開昭54−14967号公報)、
無金属フタロシアニン顔料(特開昭60−143346号
公報)、金属フタロシアニン顔料(特開昭50−
16538号公報)、スクエアリウム塩(特開昭53−
27033号公報)等を挙げる事ができる。 電荷輸送層に用いられる電荷輸送材としては、
電荷発生層からの電荷の注入効率が大きく、更に
電荷輸送層内で電荷の移動度が大である化合物を
選定する必要がある。そのためには、イオン化ポ
テンシヤルが小さい化合物、ラジカルカチオンが
発生しやすい化合物が選ばれ、例えばトリアリー
ルアミン誘導体(特開昭53−47260号公報)、ヒド
ラゾン誘導体(特開昭57−101844号公報)、オキ
サジアゾール誘導体(特公昭34−5466号公報)、
ピラゾリン誘導体(特公昭52−4188号公報)、ス
チルベン誘導体(特開昭58−198043号公報)、ト
リフエニルメタン誘導体(特公昭45−555号公
報)、1,3−ブタジエン誘導体(特開昭62−
287257号公報)等が提案されている。 しかしながら、これらの電荷移動度は無機物に
比較すると小さいものであり、感度もまだまだ満
足できないものであつた。 また、帯電、露光、現像、転写、除電という一
連の電子写真プロセスにおいて感光体は極めて苛
酷な条件下に置かれ、特にその耐オゾン性、耐摩
耗性が大きな問題となる。感光体に用いられる材
料についても、これら耐久性が要求される一方、
結合剤や保護層についても開発が進んでいるが、
満足できるものは未だ得られていない。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記課題を解決し、高感度、高
耐久性の電子写真感光体を得るべく鋭意検討した
結果、特定の三官能化合物を電荷輸送層中に含む
電子写真感光体が感度、耐久性ともに優れている
事を見出し、本発明に至つた。 即ち、本発明は、導電性支持体、電荷発生層及
び電荷輸送層を必須の構成要素とする電子写真感
光体において、一般式(1) (式中、R1,R1′,R1″は、同一もしくは相異
なつて、水素原子、置換されていてもよい直鎖又
は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリ
ール基のいずれかを表し、R2,R3,R2′,R3′,
R2″,R3″は、同一もしくは相異なつて、水素原
子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換さ
れていてもよいアルケニル基、置換されていても
よい複素環のいずれかを表すか、あるいはR2と
R3及び/又はR2′とR3′及び/又はR2″とR3″が隣
接する炭素原子とともに環を形成する。 Aは芳香族炭化水素からなる3価の基を表す。)
で示される化合物を電荷輸送層中に含むことを特
徴とする電子写真感光体を提供するものである。 本発明においては、電荷輸送層中に一般式(1)で
示される芳香族炭化水素からなる3価の基Aにス
チリル基等の置換ビニル基が3個結合した化合物
を含有せしめる。 上記の3価の基Aとしては例えば次の各式で示
すものが挙げられる。
【式】
【式】
更に、(d)ナフタレン、(e)アントラセン、(f)フエ
ナントレン、〓ピレン、〓ナフタセン、〓1,2
−ベンゾアントラセン、〓3,4−ベンゾフエナ
ントレン、〓クリセン、(1)トリフエニレン等の多
核芳香族炭化水素からなる3価の基も挙げられ
る。 上記3価の基Aの中でも、原料が入手し易く合
成が容易な点から、
ナントレン、〓ピレン、〓ナフタセン、〓1,2
−ベンゾアントラセン、〓3,4−ベンゾフエナ
ントレン、〓クリセン、(1)トリフエニレン等の多
核芳香族炭化水素からなる3価の基も挙げられ
る。 上記3価の基Aの中でも、原料が入手し易く合
成が容易な点から、
【式】
が好ましい。
一般式(1)において、R1,R1′,R1″は、同一も
しくは相異なつて、水素原子、置換されていても
よい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていて
もよいアリール基のいずれかを表すが、製造の容
易さ、得られた化合物の性能等の点から、R1,
R1′,R1″が同一であり、水素原子、炭素数1〜6
個のアルキル基、アリール基のいずれかであるも
のが好ましく、アルキル基、アリール基としては
メチル基、エチル基、フエニル基等が例示でき
る。 また、一般式(1)において、R2,R3,R2′,R3′,
R2″,R3″は同一もしくは相異なつて、水素原子、
置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換され
ていてもよいアルケニル基、置換されていてもよ
い複素環基のいずれかを表すか、あるいはR2と
R3及び/又はR2′とR3′及び/又はR2″とR3″が、
隣接する炭素原子とともに環を形成する。 これらの中でも、特にR2,R2′,R2″及びR3,
R3′,R3″がそれぞれ同一であり、各々が炭素数1
〜12個のアルキル基、アリール基、アルケニル
基、複素環基のいずれかであるもの、あるいは、
隣接する炭素原子とともに炭素数4〜12個の環を
形成するものが好ましい。 アルキル基、アリール基、複素環基としては、
メチル基、エチル基、フエニル基、ナフチル基、
ピリジル基、カルバゾール基、及びこれらの置換
されたもの、アルケニル基としては
しくは相異なつて、水素原子、置換されていても
よい直鎖又は分岐のアルキル基、置換されていて
もよいアリール基のいずれかを表すが、製造の容
易さ、得られた化合物の性能等の点から、R1,
R1′,R1″が同一であり、水素原子、炭素数1〜6
個のアルキル基、アリール基のいずれかであるも
のが好ましく、アルキル基、アリール基としては
メチル基、エチル基、フエニル基等が例示でき
る。 また、一般式(1)において、R2,R3,R2′,R3′,
R2″,R3″は同一もしくは相異なつて、水素原子、
置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換され
ていてもよいアルケニル基、置換されていてもよ
い複素環基のいずれかを表すか、あるいはR2と
R3及び/又はR2′とR3′及び/又はR2″とR3″が、
隣接する炭素原子とともに環を形成する。 これらの中でも、特にR2,R2′,R2″及びR3,
R3′,R3″がそれぞれ同一であり、各々が炭素数1
〜12個のアルキル基、アリール基、アルケニル
基、複素環基のいずれかであるもの、あるいは、
隣接する炭素原子とともに炭素数4〜12個の環を
形成するものが好ましい。 アルキル基、アリール基、複素環基としては、
メチル基、エチル基、フエニル基、ナフチル基、
ピリジル基、カルバゾール基、及びこれらの置換
されたもの、アルケニル基としては
【式】及びこれに置換基のつい
たものが例示できる。
上記化合物の合成法は、特に限定されるもので
はないが、通常スチリル化合物を合成する際に用
いられている方法に準じ合成する事ができる。例
えば、トリアシル化されたAとトリフエニルホス
ホニウムハライド又はホスホン酸エステルとを縮
合させる方法、あるいは、
はないが、通常スチリル化合物を合成する際に用
いられている方法に準じ合成する事ができる。例
えば、トリアシル化されたAとトリフエニルホス
ホニウムハライド又はホスホン酸エステルとを縮
合させる方法、あるいは、
【式】又は
以下、実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 合成例 1 1,3,5−トリス(β−(p−メトキシスチ
リル))ベンゼン(例示化合物(4)の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備
えつけた24つ口フラスコにp−クロロメチル
アニソールより合成したホスホン酸ジエチル77.4
g(0.3モル)を入れ、ジメチルホルムアミド500
mlに溶解した。そこへ水酸化ナトリウム40gを溶
かしたメタノール200mlを室温で加えた。そこへ、
1,3,5−トリホルミルベンゼン16.2g(0.1
モル)を溶解したジメチルホルムアミド400mlを
室温でゆつくり滴下した。滴下終了後室温で1時
間撹拌し、生じた黄色結晶を濾過した。この結晶
を水で3回、メタノールで2回洗浄し、エタノー
ルにより再結晶し、1,3,5−トリス(β−
(P−メトキシスチリル))ベンゼンを36g(収率
78%)得た。 合成例 2 1,3,5−トリス(β−(p−N,N−ジエ
チルアミノスチリル))ベンゼン(例示化合物
(6)の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、温度計を備え
つけた14つ口フラスコに1,3,5−トリス
(クロロメチル)ベンゼンより合成したホスホン
酸ジエチル3g(5.7ミリモル)、p−N,N−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド3g(17ミリモ
ル)、水素化ナトリウム1.2g、1,2−ジメトキ
シエタン300mlを入れ、窒素を導入しながら85℃
で3時間撹拌した。その後、反応混合物を室温に
まで冷却し、2の水に注いだ。更に酢酸エチル
1を加えてよく混合し、酢酸エチル層を分取し
た。この酢酸エチル溶液を水で2回洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、酢酸エチル
を減圧留去して黄色固体を得、n−ヘキサン/酢
酸エチル(4/1)より再結晶し、黄色結晶3g
(収率90%)を得た。 合成例 3 1,2,4−トリス(β(p−N,N−ジエチ
ルアミノスチリル))ベンゼン(例示化合物(4
1))の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、温度計を備え
つけた14つ口フラスコに1,2,4−トリス
(ブロモメチル)ベンゼンより合成したホスホン
酸ジエチル5g(9.5ミリモル)、エチレングリコ
ールジメチルエーテル300mlを入れて溶解させ、
そこへ3.0gの水素化ナトリウムを室温で加えた。
30分撹拌後、p−N,N−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド5g(28.5ミリモル)のエチレングリ
コールジメチルエーテル溶液50mlを室温で滴下し
た。滴下終了後、85℃にまで温度を上昇させ、そ
の温度で5時間撹拌した。その後、反応混合物を
室温にまで冷却し、2の水に注いだ。更に酢酸
エチル1を加えてよく混合し、酢酸エチル層を
分取した。この酢酸エチル溶液を水で2回洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、酢
酸エチルを減圧留去して黄色固体を得、シリカゲ
ルカラム(酢酸エチル)により1回精製し、さら
にイソプロパノールにより再結晶し、黄色結晶
4.7g(収率83%)を得た。 実施例 1 バナジルフタロシアニン5g、ブチラール樹脂
(エスレツクBM−2、積水化学(株)製)5g
をシクロヘキサノン90mlに溶解し、ボールミル中
で24時間混練した。得られた分散液をアルミ板上
にバーコーターにて乾燥後の膜厚が0.5μmになる
ように塗布し、乾燥させ、電荷発生層を形成し
た。 次に合成例−1により得たトリスチリル化合物
(4)5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン141−
111、エンジニアリングプラスチツクス(株)製)5
gを塩化メチレン90mlに溶解し、これを先に形成
した電荷発生層上にブレードコーターにて乾燥後
の膜厚が25μmになるように塗布して乾燥させ、
電荷輸送層を形成した。 このようにして作製した電子写真感光体を(株)川
口電機製作所製,静電複写紙試験装置SP−428を
用いて、−5.5kVのコロナ電圧で帯電させたとこ
ろ初期表面電位V0は−780Vであつた。暗所にて
5秒放置後の表面電位V5は−760Vとなつた。次
いで発振波長780nmの半導体レーザーを照射し、
半減露光量E1/2を求めたところ、0.5μJ/cm2であ
り、残留電位VRは−8.5Vであつた。 次に、5000回上記操作を繰り返した後、V0,
V5,E1/2、VRを測定したところ、それぞれ−
760V,−740V,0.5μJ/cm2,−8.4Vであり、感光
体としての性能はほとんど衰えておらず、高い耐
久性を示す事がわかつた。 実施例 2〜10 電荷輸送材として、それぞれ第1表に示した化
合物を用いる以外は実施例−1と同様にして感光
体を作製し、性能評価を行つた。その結果を第1
表に示した。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 合成例 1 1,3,5−トリス(β−(p−メトキシスチ
リル))ベンゼン(例示化合物(4)の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備
えつけた24つ口フラスコにp−クロロメチル
アニソールより合成したホスホン酸ジエチル77.4
g(0.3モル)を入れ、ジメチルホルムアミド500
mlに溶解した。そこへ水酸化ナトリウム40gを溶
かしたメタノール200mlを室温で加えた。そこへ、
1,3,5−トリホルミルベンゼン16.2g(0.1
モル)を溶解したジメチルホルムアミド400mlを
室温でゆつくり滴下した。滴下終了後室温で1時
間撹拌し、生じた黄色結晶を濾過した。この結晶
を水で3回、メタノールで2回洗浄し、エタノー
ルにより再結晶し、1,3,5−トリス(β−
(P−メトキシスチリル))ベンゼンを36g(収率
78%)得た。 合成例 2 1,3,5−トリス(β−(p−N,N−ジエ
チルアミノスチリル))ベンゼン(例示化合物
(6)の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、温度計を備え
つけた14つ口フラスコに1,3,5−トリス
(クロロメチル)ベンゼンより合成したホスホン
酸ジエチル3g(5.7ミリモル)、p−N,N−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド3g(17ミリモ
ル)、水素化ナトリウム1.2g、1,2−ジメトキ
シエタン300mlを入れ、窒素を導入しながら85℃
で3時間撹拌した。その後、反応混合物を室温に
まで冷却し、2の水に注いだ。更に酢酸エチル
1を加えてよく混合し、酢酸エチル層を分取し
た。この酢酸エチル溶液を水で2回洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、酢酸エチル
を減圧留去して黄色固体を得、n−ヘキサン/酢
酸エチル(4/1)より再結晶し、黄色結晶3g
(収率90%)を得た。 合成例 3 1,2,4−トリス(β(p−N,N−ジエチ
ルアミノスチリル))ベンゼン(例示化合物(4
1))の合成 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、温度計を備え
つけた14つ口フラスコに1,2,4−トリス
(ブロモメチル)ベンゼンより合成したホスホン
酸ジエチル5g(9.5ミリモル)、エチレングリコ
ールジメチルエーテル300mlを入れて溶解させ、
そこへ3.0gの水素化ナトリウムを室温で加えた。
30分撹拌後、p−N,N−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド5g(28.5ミリモル)のエチレングリ
コールジメチルエーテル溶液50mlを室温で滴下し
た。滴下終了後、85℃にまで温度を上昇させ、そ
の温度で5時間撹拌した。その後、反応混合物を
室温にまで冷却し、2の水に注いだ。更に酢酸
エチル1を加えてよく混合し、酢酸エチル層を
分取した。この酢酸エチル溶液を水で2回洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、酢
酸エチルを減圧留去して黄色固体を得、シリカゲ
ルカラム(酢酸エチル)により1回精製し、さら
にイソプロパノールにより再結晶し、黄色結晶
4.7g(収率83%)を得た。 実施例 1 バナジルフタロシアニン5g、ブチラール樹脂
(エスレツクBM−2、積水化学(株)製)5g
をシクロヘキサノン90mlに溶解し、ボールミル中
で24時間混練した。得られた分散液をアルミ板上
にバーコーターにて乾燥後の膜厚が0.5μmになる
ように塗布し、乾燥させ、電荷発生層を形成し
た。 次に合成例−1により得たトリスチリル化合物
(4)5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン141−
111、エンジニアリングプラスチツクス(株)製)5
gを塩化メチレン90mlに溶解し、これを先に形成
した電荷発生層上にブレードコーターにて乾燥後
の膜厚が25μmになるように塗布して乾燥させ、
電荷輸送層を形成した。 このようにして作製した電子写真感光体を(株)川
口電機製作所製,静電複写紙試験装置SP−428を
用いて、−5.5kVのコロナ電圧で帯電させたとこ
ろ初期表面電位V0は−780Vであつた。暗所にて
5秒放置後の表面電位V5は−760Vとなつた。次
いで発振波長780nmの半導体レーザーを照射し、
半減露光量E1/2を求めたところ、0.5μJ/cm2であ
り、残留電位VRは−8.5Vであつた。 次に、5000回上記操作を繰り返した後、V0,
V5,E1/2、VRを測定したところ、それぞれ−
760V,−740V,0.5μJ/cm2,−8.4Vであり、感光
体としての性能はほとんど衰えておらず、高い耐
久性を示す事がわかつた。 実施例 2〜10 電荷輸送材として、それぞれ第1表に示した化
合物を用いる以外は実施例−1と同様にして感光
体を作製し、性能評価を行つた。その結果を第1
表に示した。
【表】
【表】
実施例 11
実施例−1において、バナジルフタロシアニン
の代わりにX型無金属フタロシアニンを、電荷輸
送材として式(6)に示されるトリスチリル化合物を
用いる以外は全く同様にして感光体を作製し、性
能評価を行つた。 初期表面電位V0は−730Vであり、暗所にて5
秒放置後の表面電位V5は−715Vとなつた。発振
波長780nmの半導体レーザーを照射したときの半
減露光量E1/2は0.5μJ/cm2であり、残留電位VRは
−13.5Vであつた。 また、5000回上記操作を繰り返した後のV0,
V5,E1/2、VRはそれぞれ−720V,−750V,
0.5μJ/cm2,−15.0Vであり、感光体としての性能
はほとんど衰えておらず、高い耐久性を示した。 実施例 12〜23 実施例−1において、バナジルフタロシアニン
の代わりにX型無金属フタロシアニンを、ブチラ
ール樹脂の代わりに塩化ビニル・酢酸ビニル共重
合樹脂(エスレツクC,積水化学(株)製)を用い、
アルミ蒸着ポリエステルフイルム上に電荷発生層
を形成した。、この上に、第2表に示すトリスチ
リル化合物からなる電荷輸送層(膜厚20μm)を
実施例−1と同様にして形成し、感光体としての
性能を評価した。 結果を第2表に示す。 第2表から明らかなように高感度・高耐久性を
示した。
の代わりにX型無金属フタロシアニンを、電荷輸
送材として式(6)に示されるトリスチリル化合物を
用いる以外は全く同様にして感光体を作製し、性
能評価を行つた。 初期表面電位V0は−730Vであり、暗所にて5
秒放置後の表面電位V5は−715Vとなつた。発振
波長780nmの半導体レーザーを照射したときの半
減露光量E1/2は0.5μJ/cm2であり、残留電位VRは
−13.5Vであつた。 また、5000回上記操作を繰り返した後のV0,
V5,E1/2、VRはそれぞれ−720V,−750V,
0.5μJ/cm2,−15.0Vであり、感光体としての性能
はほとんど衰えておらず、高い耐久性を示した。 実施例 12〜23 実施例−1において、バナジルフタロシアニン
の代わりにX型無金属フタロシアニンを、ブチラ
ール樹脂の代わりに塩化ビニル・酢酸ビニル共重
合樹脂(エスレツクC,積水化学(株)製)を用い、
アルミ蒸着ポリエステルフイルム上に電荷発生層
を形成した。、この上に、第2表に示すトリスチ
リル化合物からなる電荷輸送層(膜厚20μm)を
実施例−1と同様にして形成し、感光体としての
性能を評価した。 結果を第2表に示す。 第2表から明らかなように高感度・高耐久性を
示した。
【表】
【表】
比較例
実施例−1において、式(4)で示されるトリスチ
リル化合物の代わりに、次式で示されるパラビス
スチリル化合物を用いる以外は全く同様にして感
光体を作製し、評価を行つた。該パラビススチリ
ル化合物は溶剤への溶解性が悪く、電荷輸送層を
うまく形成することができなかつた。 また初期のV0,V5,E1/2,VRはそれぞれ−
570V,−520V,0.6μJ/cm2,−21Vであつた。 5000回繰り返した後のV0,V5,E1/2,Vrはそ
れぞれれ−430V,−400V,−0.67μJ/cm2,−53Vで
あり、感度、耐久性ともに劣る結果であつた。 〔発明の効果〕 本発明における三官能化合物を電荷輸送層中に
含む事を特徴とする電子写真感光体は、初期電位
が安定し、暗減衰が小さく、感度が高いものであ
る。又、繰り返しによる劣化が小さく、耐久性に
優れたものである。 従つて、複写機及び各種プリンター(レーザー
ビームプリンター、光プリンター、LEDプリン
ター、液晶プリンター等)等、電子写真方式を応
用する機器の感光体として好適に用いることがで
きる。
リル化合物の代わりに、次式で示されるパラビス
スチリル化合物を用いる以外は全く同様にして感
光体を作製し、評価を行つた。該パラビススチリ
ル化合物は溶剤への溶解性が悪く、電荷輸送層を
うまく形成することができなかつた。 また初期のV0,V5,E1/2,VRはそれぞれ−
570V,−520V,0.6μJ/cm2,−21Vであつた。 5000回繰り返した後のV0,V5,E1/2,Vrはそ
れぞれれ−430V,−400V,−0.67μJ/cm2,−53Vで
あり、感度、耐久性ともに劣る結果であつた。 〔発明の効果〕 本発明における三官能化合物を電荷輸送層中に
含む事を特徴とする電子写真感光体は、初期電位
が安定し、暗減衰が小さく、感度が高いものであ
る。又、繰り返しによる劣化が小さく、耐久性に
優れたものである。 従つて、複写機及び各種プリンター(レーザー
ビームプリンター、光プリンター、LEDプリン
ター、液晶プリンター等)等、電子写真方式を応
用する機器の感光体として好適に用いることがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体、電荷発生層及び電荷輸送層を
必須の構成要素とする電子写真感光体において、
一般式(1) (式中、R1,R1′,R1″は、同一もしくは相異
なつて、水素原子、置換されていてもよい直鎖又
は分岐のアルキル基、置換されていてもよいアリ
ール基のいずれかを表し、R2,R3,R2′,R3′,
R2″,R3″は、同一もしくは相異なつて、水素原
子、置換されていてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換さ
れていてもよいアルケニル基、置換されていても
よい複素環基のいずれかを表すか、あるいはR2
とR3及び/又はR2′とR3′及び/又はR2″とR3″が
隣接する炭素原子とともに環を形成する。 Aは芳香族炭化水素からなる3価の基を表す。) で示される化合物を電荷輸送層中に含むことを特
徴とする電子写真感光体。 2 一般式(1)において、Aが式【式】で 表される3価の基である、請求項1記載の電子写
真感光体。 3 一般式(1)において、Aが式【式】で表 される3価の基である、請求項1記載の電子写真
感光体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-152703 | 1988-06-21 | ||
JP15270388 | 1988-06-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0284657A JPH0284657A (ja) | 1990-03-26 |
JPH0424696B2 true JPH0424696B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=15546301
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1099494A Granted JPH0284657A (ja) | 1988-06-21 | 1989-04-19 | 電子写真感光体 |
JP1142732A Pending JPH0284658A (ja) | 1988-06-21 | 1989-06-05 | 電子写真感光体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1142732A Pending JPH0284658A (ja) | 1988-06-21 | 1989-06-05 | 電子写真感光体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5032479A (ja) |
EP (1) | EP0347854B1 (ja) |
JP (2) | JPH0284657A (ja) |
DE (1) | DE68922935T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0466094B1 (en) * | 1990-07-10 | 1999-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
JP3134077B2 (ja) * | 1991-03-15 | 2001-02-13 | コニカ株式会社 | ビススチリル化合物及び電子写真感光体 |
AU2010336009B2 (en) | 2009-12-21 | 2014-04-03 | Boulos & Cooper Pharmaceuticals Pty Ltd | Antimicrobial compounds |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3837851A (en) * | 1973-01-15 | 1974-09-24 | Ibm | Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer |
DD114874A1 (ja) * | 1974-05-16 | 1975-08-20 | ||
JPS52124728A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-20 | Kensuke Asakura | Method of destroying reinforced portion for bridge beam expansion joint and bridge beam expansion joint |
US4390608A (en) * | 1980-12-09 | 1983-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Layered charge generator/transport electrophotographic photoconductor uses bisazo pigment |
JPH0693124B2 (ja) * | 1986-05-12 | 1994-11-16 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
JPS6313047A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP1099494A patent/JPH0284657A/ja active Granted
- 1989-06-05 JP JP1142732A patent/JPH0284658A/ja active Pending
- 1989-06-15 US US07/366,439 patent/US5032479A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-20 EP EP89111234A patent/EP0347854B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-20 DE DE68922935T patent/DE68922935T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0284657A (ja) | 1990-03-26 |
US5032479A (en) | 1991-07-16 |
EP0347854B1 (en) | 1995-06-07 |
DE68922935D1 (de) | 1995-07-13 |
EP0347854A3 (en) | 1991-01-30 |
JPH0284658A (ja) | 1990-03-26 |
EP0347854A2 (en) | 1989-12-27 |
DE68922935T2 (de) | 1996-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4477550A (en) | Electrophotographic photoreceptor with hydrazone | |
JPS6355059B2 (ja) | ||
JPH0746227B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS61148159A (ja) | イオウ含有ジシアノメチレンフルオレンカルボシシレ−ト化合物を含む多層型感光性像形成部材 | |
JPH01134462A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05107784A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0580550A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0424696B2 (ja) | ||
JP3005334B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0315853A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02282262A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP3005336B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP3576953B2 (ja) | 電子写真感光体、それに用いるベンゾフラン−スチリル化合物、およびその製造方法 | |
JPH05224442A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02285356A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05255364A (ja) | フェロセン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH03290665A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05281765A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0561224A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0578261A (ja) | 三置換スチリル化合物の製造方法 | |
JPH0210366A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH03135570A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02285358A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH04327573A (ja) | カルバゾール化合物及びそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH01298364A (ja) | 電子写真感光体 |