JPS63239279A - 新規な置換テトラヒドロフラン誘導体 - Google Patents
新規な置換テトラヒドロフラン誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、置換テトラヒドロフラン誘導体に関する。
特に、本発明の主題は、
(a) 次の一般式■
(ここで2は求電子性基、特にヒドロキシル基、ニトロ
基、p−)!jルスルホニル基又ハハロトリフェニルホ
スホニオ基を表わし、RはアルコールROHの残基を燥
わす) の化合物、及び (b) 次の一般式Vl又は■ 〔ここでXはハロゲン原子、特に臭素又は塩素原子を表
わし、Wは水素又は基R,(基R9はキラルであってよ
いアルコールR,OHの残基を表わす)を表わす〕 の化合物 にある。
基、p−)!jルスルホニル基又ハハロトリフェニルホ
スホニオ基を表わし、RはアルコールROHの残基を燥
わす) の化合物、及び (b) 次の一般式Vl又は■ 〔ここでXはハロゲン原子、特に臭素又は塩素原子を表
わし、Wは水素又は基R,(基R9はキラルであってよ
いアルコールR,OHの残基を表わす)を表わす〕 の化合物 にある。
上記の一般式Ivの化合物は、次式I
の3−ホルミル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸
の製造中間体である。この式Iの化合物は、上記の一般
式■又は■の中間体を経由して、高活性の殺虫エステル
の合成中間体となるへ6−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ〔3゜to〕へキサン−2−オンの
製造に用いられる。
の製造中間体である。この式Iの化合物は、上記の一般
式■又は■の中間体を経由して、高活性の殺虫エステル
の合成中間体となるへ6−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ〔3゜to〕へキサン−2−オンの
製造に用いられる。
例えば、一般式■の化合物に塩基性試剤(例えば含水メ
タノール中で用いられる炭酸ナトリウム)を作用させる
ことにより式lの化合物が容易に得られ、また一般式■
の化合物に塩基性試剤を作用させ、次いで生成物を加水
分解することにより46−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2−オンが容
易に得られる。
タノール中で用いられる炭酸ナトリウム)を作用させる
ことにより式lの化合物が容易に得られ、また一般式■
の化合物に塩基性試剤を作用させ、次いで生成物を加水
分解することにより46−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2−オンが容
易に得られる。
式■の化合物は、次式■
CH。
CH,−CH−Z II
(ここでZは求電子性基を表わす)
の誘導体を次式■
(ここでRは、アルコールROHf)残基Rを表わす)
の誘導体と反応させることによって得られる。
上記の方法において基2がKO2基であるときは、化合
物■と■を第三アミン、第三アミン、水酸化第四アンモ
ニウム及び炭酸アルカリよりなる群から選ばれる塩基の
存在下に反応させる。
物■と■を第三アミン、第三アミン、水酸化第四アンモ
ニウム及び炭酸アルカリよりなる群から選ばれる塩基の
存在下に反応させる。
化合物■と■を反応させる際に存在させる第三アミンと
しては、トリエチルアミンが有利に用いられる。
しては、トリエチルアミンが有利に用いられる。
また、基2がヒドロキシル基であるときは、化合物■と
■を放射線照射下で又はラジカル開始剤の存在下で反応
させる。
■を放射線照射下で又はラジカル開始剤の存在下で反応
させる。
ラジカル開始剤としては、過酸化ベンゾイル、アゾビス
イソブチロニトリル、過酸化ジーt−ブチル、過安息香
酸t−ブチル又は過酸化シラクロイルが有利に用いられ
る。
イソブチロニトリル、過酸化ジーt−ブチル、過安息香
酸t−ブチル又は過酸化シラクロイルが有利に用いられ
る。
また、基Zがアリールスルホニル基であるときは、化合
物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応させる。
物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応させる。
アリールスルホニル基のアリール基は、特にp−トリル
基である。
基である。
また、基2がハロトリアリールホスホニオ基であるとき
は化合物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応さ
せる。
は化合物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応さ
せる。
ハロトリアリールホスホニオ基は、特に、ヨードトリフ
ェニルホスホニオ基である。
ェニルホスホニオ基である。
また、本発明の主題である式■の化合物は、式lの3−
ホルミル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸を無水
条件下に有機溶媒中でハロゲン化リチウムLiXの存在
下に水素酸)IX(ここでXはハロゲン原子を表わす)
と反応させることによって次式■ の形で得られる、とのよ5にして得られた式■の化合物
をアキラルなアルコールR,OHと反応させると次式■ のラセミ形化合物(これは誘導体■と同様にテトラヒド
ロフランの4と5の置換基の間でtrans立体配置を
有する)が得られるか、成るいはキシルなアルコールR
1OHと反応させるととKより式■の化合物が二つの所
期のジアステレオマーの混合物の形で得られる。この混
合物は物理的方法によってその成分に分離することがで
きる。
ホルミル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸を無水
条件下に有機溶媒中でハロゲン化リチウムLiXの存在
下に水素酸)IX(ここでXはハロゲン原子を表わす)
と反応させることによって次式■ の形で得られる、とのよ5にして得られた式■の化合物
をアキラルなアルコールR,OHと反応させると次式■ のラセミ形化合物(これは誘導体■と同様にテトラヒド
ロフランの4と5の置換基の間でtrans立体配置を
有する)が得られるか、成るいはキシルなアルコールR
1OHと反応させるととKより式■の化合物が二つの所
期のジアステレオマーの混合物の形で得られる。この混
合物は物理的方法によってその成分に分離することがで
きる。
式lの化合物から式■の化合物への変換は無水エチルエ
ーテル中でBrH/L4Br又はHCI / LiC1
カップルによつ【行なわれ、そしてアキ2ルな又はキシ
ルなアルコールR,OHと化合物■との反応はp−)ル
エンスルホン酸の存在下に行なわれる。
ーテル中でBrH/L4Br又はHCI / LiC1
カップルによつ【行なわれ、そしてアキ2ルな又はキシ
ルなアルコールR,OHと化合物■との反応はp−)ル
エンスルホン酸の存在下に行なわれる。
化合物■のラセミ体に対するキシルなアルコールR,O
Hの作用により生ずる二つのジアステレオマーはクロマ
トグラフィー又は結晶化によって分離される。
Hの作用により生ずる二つのジアステレオマーはクロマ
トグラフィー又は結晶化によって分離される。
式■の化合物に対して塩基性試剤を反応させると次式V
の二環式化合物が、R1がそれぞれアキラルか又はキシ
ルな残基であるかどうかによってラセミ形か成るいはそ
のエナンチオマー形の一方又は他方の形態で得られ(こ
の化合物の4位置の絶対配置並びにこれから生じる1及
び5位置での立体配置は使用するジアステレオマー■の
立体化学により決定される)、次いで所望により式Vの
エーテルを酸性媒体中で、絶対配置を完全に保持して、
加水分解すると次式VA の化合物が得られる。
ルな残基であるかどうかによってラセミ形か成るいはそ
のエナンチオマー形の一方又は他方の形態で得られ(こ
の化合物の4位置の絶対配置並びにこれから生じる1及
び5位置での立体配置は使用するジアステレオマー■の
立体化学により決定される)、次いで所望により式Vの
エーテルを酸性媒体中で、絶対配置を完全に保持して、
加水分解すると次式VA の化合物が得られる。
ところで、式7人の46−シメチルー4−ヒドロキク−
3−オキサビシクロ(XtO)へキチン−2−オンを非
常に複雑な化合物の菊酸から製造するのを可能にする生
合成法は既に存在していた(例えばフランス国特許第1
,580,474号を参照)。
3−オキサビシクロ(XtO)へキチン−2−オンを非
常に複雑な化合物の菊酸から製造するのを可能にする生
合成法は既に存在していた(例えばフランス国特許第1
,580,474号を参照)。
本発明者は、ここに、式1の化合物によって、ラセミ形
又は光学活性形のへ6−シメチルー4−ヒドロキシ−3
−オキサビシクロ(5,t O)ヘキサン−2−オン又
はそのエーテルの全合成法を完成した。この方法は容易
に入手できる薬剤を使用し、そしてその工程数は少ない
ものである。
又は光学活性形のへ6−シメチルー4−ヒドロキシ−3
−オキサビシクロ(5,t O)ヘキサン−2−オン又
はそのエーテルの全合成法を完成した。この方法は容易
に入手できる薬剤を使用し、そしてその工程数は少ない
ものである。
高活性を持つ多くの殺虫性エステルの合成中間体(例え
ば、フランス国特許第2.18へ612号を参照)とな
る6、6−シメチルー4−ヒドロキシ−3−オキサビシ
クロ(XtO)ヘキサンニ2−オンのような化合物の全
合成法は、特に有益である。
ば、フランス国特許第2.18へ612号を参照)とな
る6、6−シメチルー4−ヒドロキシ−3−オキサビシ
クロ(XtO)ヘキサンニ2−オンのような化合物の全
合成法は、特に有益である。
下記の例は本発明を例示するが、これを何ら制限しない
。
。
オン
9ccの2−二トロプロパン、7yの5−メトキシ−2
,5−ジヒドロ7ランー2−オン−5−二ン及び1cc
のトリエチルアミンを20〜25℃で70時間かきまぜ
、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液で洗い、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残
留物をイソプロピルエーテルで溶解し、結晶化を開始し
、かきまぜなから0℃に冷却し、分離し、R42,pの
結晶質生成物を得る。MP≧53℃。
,5−ジヒドロ7ランー2−オン−5−二ン及び1cc
のトリエチルアミンを20〜25℃で70時間かきまぜ
、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液で洗い、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残
留物をイソプロピルエーテルで溶解し、結晶化を開始し
、かきまぜなから0℃に冷却し、分離し、R42,pの
結晶質生成物を得る。MP≧53℃。
然翌: C,H13No5= 205.18計算: C
X47.29 HX&45 NX487実測:
47.10 &50 47ONMRスペク
トル gem−メチルの水素に帰する1 6 ppmのピーク
、シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 0
−117 ppmのピークZ シクロペンチルの5位の水素に帰する5、25−5、2
8 ppmのピーク、 メトキシの水素に帰するl 5 ppmのピーク。
X47.29 HX&45 NX487実測:
47.10 &50 47ONMRスペク
トル gem−メチルの水素に帰する1 6 ppmのピーク
、シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 0
−117 ppmのピークZ シクロペンチルの5位の水素に帰する5、25−5、2
8 ppmのピーク、 メトキシの水素に帰するl 5 ppmのピーク。
18.9gの炭酸ナトリウムを18088の水に溶解し
、0℃に冷却し、1B、2.@の上で得たニトロラクト
ンを一度に加え、25Ceのメタノールに溶解する。周
囲温度で120時間放置した後、反応混合物をエチルエ
ーテルで洗い、0℃に冷却し、不活性雰囲気下に注意し
ながら若干の濃硫酸をpH=1まで加え、クロロホルム
、次いで酢酸エチルで抽出し、−緒にした有機相を乾燥
し、減圧下に°濃縮乾固して9.51の粗生成物を得、
これを水から結晶化して7.41iの純生成物を得る。
、0℃に冷却し、1B、2.@の上で得たニトロラクト
ンを一度に加え、25Ceのメタノールに溶解する。周
囲温度で120時間放置した後、反応混合物をエチルエ
ーテルで洗い、0℃に冷却し、不活性雰囲気下に注意し
ながら若干の濃硫酸をpH=1まで加え、クロロホルム
、次いで酢酸エチルで抽出し、−緒にした有機相を乾燥
し、減圧下に°濃縮乾固して9.51の粗生成物を得、
これを水から結晶化して7.41iの純生成物を得る。
MP=102℃。
分析: C,H,。O,=142.156計算:CX5
9.14 HX109 実測: 59.20 7.O NMRスペクトル 5位の水素に帰する2、0ppmのピーク、4位のメチ
ルの水素に帰する2、 26 ppm(7) ピーク、 2位の水素に帰する3、s e ppmのピーク、ホル
ミルの水素に帰する1α15 ppmのピーク。
9.14 HX109 実測: 59.20 7.O NMRスペクトル 5位の水素に帰する2、0ppmのピーク、4位のメチ
ルの水素に帰する2、 26 ppm(7) ピーク、 2位の水素に帰する3、s e ppmのピーク、ホル
ミルの水素に帰する1α15 ppmのピーク。
五5gの5− (3−フェノキシフェニル)メトキシ−
2,5−ジヒドロフラン−2−オンを100閃のインプ
ロパツール中で不活性雰囲気下にかきまぜながら加熱還
流し、300ダの過酸化ベンゾイルを25■づつ1時間
半にわたり規則的に加え。
2,5−ジヒドロフラン−2−オンを100閃のインプ
ロパツール中で不活性雰囲気下にかきまぜながら加熱還
流し、300ダの過酸化ベンゾイルを25■づつ1時間
半にわたり規則的に加え。
40〜50℃で減圧下に濃縮乾固し、その残留物をシリ
カでクロマトグラフィーし、次いでベンゼン/酢酸エチ
ル混合物(8:2)で溶離し、五7Iの粗生成物を回収
し、これをイノプロピルエーテルで溶解し、白色結晶を
得る。MP=50〜55℃。
カでクロマトグラフィーし、次いでベンゼン/酢酸エチ
ル混合物(8:2)で溶離し、五7Iの粗生成物を回収
し、これをイノプロピルエーテルで溶解し、白色結晶を
得る。MP=50〜55℃。
分析:C2゜H22Q、 = 542.59計算: C
X7 (LO6H!X6.4実測: 69.9
6.5 NMRスペクトル メチルの水素に帰するt18及びt 21 ppmのピ
ーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 16
−2.75 ppmのピーク、ベンジルメチレンの水素
に帰する448−4.55及び48−5 ppmのピー
ク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 59−5.
58 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 85−7.5 ppmの
ピーク、 ヒドロキシルの水素に帰するt 5 ppmのピーク。
X7 (LO6H!X6.4実測: 69.9
6.5 NMRスペクトル メチルの水素に帰するt18及びt 21 ppmのピ
ーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 16
−2.75 ppmのピーク、ベンジルメチレンの水素
に帰する448−4.55及び48−5 ppmのピー
ク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 59−5.
58 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 85−7.5 ppmの
ピーク、 ヒドロキシルの水素に帰するt 5 ppmのピーク。
この例の開始時で用いた5−(3−フェノキシフェニル
)メトキシ−2,5−ジヒドロフラン−2−オンは次の
ように製造した。
)メトキシ−2,5−ジヒドロフラン−2−オンは次の
ように製造した。
12.9の5−ヒドロキシ−2(5H)−フラノン、2
50eCのベンゼン、25.9のm −フェノキシベン
ジルアルコール及び200■のp−トルエンスルホン酸
を混合し、反応混合物中のベンゼンを蒸留し、同−景の
乾燥ベンゼンで数回置換しながらかきまぜ、2時間後に
周囲温度で冷却せしめ、重炭酸ナトリウム飽和溶液で洗
い、次いで水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、39
7gの油状物を得、これをシリカでクロマトグラフィー
し、ベンゼン/酢酸エチル混合物(9:1)で溶離して
精製し、249yの所期化合物を回収する。
50eCのベンゼン、25.9のm −フェノキシベン
ジルアルコール及び200■のp−トルエンスルホン酸
を混合し、反応混合物中のベンゼンを蒸留し、同−景の
乾燥ベンゼンで数回置換しながらかきまぜ、2時間後に
周囲温度で冷却せしめ、重炭酸ナトリウム飽和溶液で洗
い、次いで水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、39
7gの油状物を得、これをシリカでクロマトグラフィー
し、ベンゼン/酢酸エチル混合物(9:1)で溶離して
精製し、249yの所期化合物を回収する。
フラノン04位の水素に帰する7、 5−7.4 pp
mのピーク、 フラノンの3位の水素に帰する&1B−&32ppmの
ピーク、 フラノンの5位の水素に帰する6、 05 ppmのビ
−り、 メトキシの水素に帰する4、 58−476及び4.8
5−5.12 ppmのピーク、芳香族核に帰する6、
92−7.5 ppmのピーク。
mのピーク、 フラノンの3位の水素に帰する&1B−&32ppmの
ピーク、 フラノンの5位の水素に帰する6、 05 ppmのビ
−り、 メトキシの水素に帰する4、 58−476及び4.8
5−5.12 ppmのピーク、芳香族核に帰する6、
92−7.5 ppmのピーク。
619■の炭酸ナトリウムを6ccの水に溶解し、0℃
に冷却し、1gの上で得られたヒトμキシ2クトンと2
ccのメタノールをかきまぜながら加え、周囲温度で1
9時間接触させた後、エチルエーテルで洗い、0℃に冷
却し、若干の濃硫酸をゆっくりと加え、メタノール及び
クロロホルムで抽出し、有機相を一緒にし、乾燥し、減
圧下に濃縮乾固し、245ダの粗生成物を得、これを再
結晶して102℃で融解する生成物を得る。
に冷却し、1gの上で得られたヒトμキシ2クトンと2
ccのメタノールをかきまぜながら加え、周囲温度で1
9時間接触させた後、エチルエーテルで洗い、0℃に冷
却し、若干の濃硫酸をゆっくりと加え、メタノール及び
クロロホルムで抽出し、有機相を一緒にし、乾燥し、減
圧下に濃縮乾固し、245ダの粗生成物を得、これを再
結晶して102℃で融解する生成物を得る。
500■のイングロピルp−)リルスルホンと10cc
の無水テトラヒドロ7ランを不活性雰囲気下にかきまぜ
ながら混合し、−70℃に冷却し、tsecの195M
ブチルリチウムのヘキサン溶液をゆっくりと加え、−7
0℃で半時間かきまぜ、次いで287■の5−メトキシ
−2,5−ジヒドロフラン−2−オンを4eCのテトラ
ヒドロ7ランに溶解してなるものを10分間で加え、−
70℃に1時間保ち、反応混合物を0℃のりん酸モノナ
トリウム水溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗
し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残留物をイソプ
ロピルエーテルで結晶化し、490171;1の白色結
晶を得る。MP=129℃。
の無水テトラヒドロ7ランを不活性雰囲気下にかきまぜ
ながら混合し、−70℃に冷却し、tsecの195M
ブチルリチウムのヘキサン溶液をゆっくりと加え、−7
0℃で半時間かきまぜ、次いで287■の5−メトキシ
−2,5−ジヒドロフラン−2−オンを4eCのテトラ
ヒドロ7ランに溶解してなるものを10分間で加え、−
70℃に1時間保ち、反応混合物を0℃のりん酸モノナ
トリウム水溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗
し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残留物をイソプ
ロピルエーテルで結晶化し、490171;1の白色結
晶を得る。MP=129℃。
分析
計算: CX57.67 HXA45 SX1α2
6実測: 57.6 45 IQ、
INMRスペクトル g6m−メチルの水素に帰するt27−t52ppmの
ピーク、 芳香族上のメチルの水素に帰する2、 46 ppmの
ピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 75
ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、58ppmの
ピーク、 メトキシの水素に帰する5、51 ppmのピーク、芳
香族の3及び5位の水素に帰する7、 28−7、42
ppmのピーク、 芳香族の2及び6位の水素に帰する7、 66−7、8
ppmのピーク。
6実測: 57.6 45 IQ、
INMRスペクトル g6m−メチルの水素に帰するt27−t52ppmの
ピーク、 芳香族上のメチルの水素に帰する2、 46 ppmの
ピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 75
ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、58ppmの
ピーク、 メトキシの水素に帰する5、51 ppmのピーク、芳
香族の3及び5位の水素に帰する7、 28−7、42
ppmのピーク、 芳香族の2及び6位の水素に帰する7、 66−7、8
ppmのピーク。
250■の上で得た生成物、4ccの水、1B田のメタ
ノール及び2501n9の炭酸ナトリウムを周囲温度で
2日間かきまぜる。エーテルで洗浄した後、水性相を1
N塩酸によりpH3〜五5まで酸性化し、塩化ナトリウ
ムで飽和させ、クロロホルムで抽出し、乾燥し、減圧下
に濃縮乾固し、87ダの所期生成物を得る。MP=10
2℃。
ノール及び2501n9の炭酸ナトリウムを周囲温度で
2日間かきまぜる。エーテルで洗浄した後、水性相を1
N塩酸によりpH3〜五5まで酸性化し、塩化ナトリウ
ムで飽和させ、クロロホルムで抽出し、乾燥し、減圧下
に濃縮乾固し、87ダの所期生成物を得る。MP=10
2℃。
この生成物は、別の方法で得た3−ホルミル−4−メチ
ルペンタ−3−エン−1−酸と全ての点で同等である。
ルペンタ−3−エン−1−酸と全ての点で同等である。
例■ よう化[1−(5−メトキシ−2−オキソラム
博訃−−−■−−−―■■燗開謝−−
a)イリドの製造
5.917)よ5化)リフェニルイソプロビルホスホニ
ウムを40CCのテトラヒドロフランに加えてなる懸濁
液に、五5ccの2Mブチルリチウムのシクロヘキサン
溶液を一度で加え、周囲温度で10分間かきまぜ、イリ
ド溶液(溶液A)を得る。
ウムを40CCのテトラヒドロフランに加えてなる懸濁
液に、五5ccの2Mブチルリチウムのシクロヘキサン
溶液を一度で加え、周囲温度で10分間かきまぜ、イリ
ド溶液(溶液A)を得る。
b)イリドのフラノンに対する付加
0800gの5−メトキシ−2,5−ジヒドロフラン−
2−オン−3−エンを50ccのテトラヒドロ7ランに
溶解して一60℃に冷却した溶液に、−60℃に冷却し
た溶液Aを不活性雰囲気下にゆっくりと加える。10分
間かきまぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液
と氷との混合物上に注ぎ、エーテルで洗い、塩化メチレ
ンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約140℃
で融解する3、4gのホスホニウム塩を得る。
2−オン−3−エンを50ccのテトラヒドロ7ランに
溶解して一60℃に冷却した溶液に、−60℃に冷却し
た溶液Aを不活性雰囲気下にゆっくりと加える。10分
間かきまぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液
と氷との混合物上に注ぎ、エーテルで洗い、塩化メチレ
ンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約140℃
で融解する3、4gのホスホニウム塩を得る。
分析: C26H8I03P = 54437計算:0
%57.15 HN3..1d IX2&24
PN2.67実測: 57.3 5.2
22.4 5.3りんのβ位メチルの水素に帰する
t63−ta。
%57.15 HN3..1d IX2&24
PN2.67実測: 57.3 5.2
22.4 5.3りんのβ位メチルの水素に帰する
t63−ta。
−t 95−2.10 ppmのピーク、フラノンの5
及び4位炭素上の水素に帰する2、22−五53ppm
のピーク、 メトキシの水素に帰する1 25 ppmのピーク、フ
ラノンの5位水素に帰する5、46−5.54ppmの
ピーク、 芳香族核の水1gK帰する7、 81−7.92 pp
mのピーク。
及び4位炭素上の水素に帰する2、22−五53ppm
のピーク、 メトキシの水素に帰する1 25 ppmのピーク、フ
ラノンの5位水素に帰する5、46−5.54ppmの
ピーク、 芳香族核の水1gK帰する7、 81−7.92 pp
mのピーク。
0.700pのよう化(1−(5−メトキシ−2−オキ
ソ−4,5−ジヒドロー3H−フラン−4−イル)−1
−メチル−1−エチル〕トリフェニルホスホニウムを1
ccのメタノールに溶解してなる溶液に、0.700.
pの炭酸ナトリウムをaCCの水に溶解してなる溶液を
加え、20℃で2時間かきまぜ、生じた不溶物を炉別し
て除去し、ν液をpH2まで酸性化し、塩化ナトリウム
で飽和し、クロ目ホルムで抽出し、濃縮乾固し、イノプ
ロピルエーテルで精製し、α095gの3−ホルミル−
4−メチルペンタ−3−エン−1−酸を得る。
ソ−4,5−ジヒドロー3H−フラン−4−イル)−1
−メチル−1−エチル〕トリフェニルホスホニウムを1
ccのメタノールに溶解してなる溶液に、0.700.
pの炭酸ナトリウムをaCCの水に溶解してなる溶液を
加え、20℃で2時間かきまぜ、生じた不溶物を炉別し
て除去し、ν液をpH2まで酸性化し、塩化ナトリウム
で飽和し、クロ目ホルムで抽出し、濃縮乾固し、イノプ
ロピルエーテルで精製し、α095gの3−ホルミル−
4−メチルペンタ−3−エン−1−酸を得る。
MP=102℃。
例V
1!iの例1.2.3又は4で得た3−ホルミル−4−
メチルペンタ−3−エン−1−酸、25ccの無水エチ
ルエーテル及び1gの乾燥塩化リチウムを乾−燥塩化水
素気流中で一50℃で2時間、次いで0℃で2時間かき
まぜ、塩化水素の流れを−止め、周囲温度で48時間か
きまぜ続け、54時間接触させた後、反応混合物を氷水
中に注ぎ、デカンテーションし、ベンゼンで抽出し、乾
燥し、減圧下KJI縮乾固し、1111の粗生成物を得
、これを゛シリカでクロマトグラフィーし、ベンゼン/
酢酸エチル混合物(1:1)で溶離し、545M9の結
晶質生成物を回収する。MP=80℃。
メチルペンタ−3−エン−1−酸、25ccの無水エチ
ルエーテル及び1gの乾燥塩化リチウムを乾−燥塩化水
素気流中で一50℃で2時間、次いで0℃で2時間かき
まぜ、塩化水素の流れを−止め、周囲温度で48時間か
きまぜ続け、54時間接触させた後、反応混合物を氷水
中に注ぎ、デカンテーションし、ベンゼンで抽出し、乾
燥し、減圧下KJI縮乾固し、1111の粗生成物を得
、これを゛シリカでクロマトグラフィーし、ベンゼン/
酢酸エチル混合物(1:1)で溶離し、545M9の結
晶質生成物を回収する。MP=80℃。
分析: C,H4,CIO,= 17 a 617計算
=C%47.07 HN3.21 ClX19.8
5実測: 47.2 &2 19.
5NMRスペクトル メチルの水素に僅するt55及び16 ppmのピーク
、 環の3及び4位の水素に帰する2、42−2.92pp
mのピーク、 環の5位の水素に帰する5、 82−5.89 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰する五〇 s ppmのピーク
。
=C%47.07 HN3.21 ClX19.8
5実測: 47.2 &2 19.
5NMRスペクトル メチルの水素に僅するt55及び16 ppmのピーク
、 環の3及び4位の水素に帰する2、42−2.92pp
mのピーク、 環の5位の水素に帰する5、 82−5.89 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰する五〇 s ppmのピーク
。
393ダの上で得た生成物、668〜のm−フェノキシ
ベンジルアルコール、20■のp−)ルエンスルホン酸
及び5CCのベンゼンを周囲温度で19時間かきまぜ、
少量の重炭酸ナトリウムで中和し、乾燥し、減圧下に濃
縮乾固し、tl Bgの粗生成物を得、これをシリカで
クロマトグラフィーし、ベンゼンで溶離し、467■の
生成物を回収する。石油エーテルで再結晶した後、はぼ
50℃の融点を有する。
ベンジルアルコール、20■のp−)ルエンスルホン酸
及び5CCのベンゼンを周囲温度で19時間かきまぜ、
少量の重炭酸ナトリウムで中和し、乾燥し、減圧下に濃
縮乾固し、tl Bgの粗生成物を得、これをシリカで
クロマトグラフィーし、ベンゼンで溶離し、467■の
生成物を回収する。石油エーテルで再結晶した後、はぼ
50℃の融点を有する。
分析:C2゜H2,Cl04= 56α84計算:(X
6457 HN5.87 ClX9.85実測:
6a6o 5.80 9.90メチルの
水素に帰するt5及び1.55 ppmのピーク、 シクロペンチルσゴ3及び4位の水素に帰する2、55
−2.72ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 52−5、
56 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰するt5.92−7.5 ppmの
ピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、47−4.66及
び477−4.971)pmのピーク。
6457 HN5.87 ClX9.85実測:
6a6o 5.80 9.90メチルの
水素に帰するt5及び1.55 ppmのピーク、 シクロペンチルσゴ3及び4位の水素に帰する2、55
−2.72ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 52−5、
56 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰するt5.92−7.5 ppmの
ピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、47−4.66及
び477−4.971)pmのピーク。
dl −6,6−シメチルー4−ヒドロキシ−3−オ鼾
0.55ccの1Mジイソプロピルアミンのテトラヒド
ロフラン溶液と5ccのテトラヒドロフランを約−20
℃に冷却し、(L25CCの2Mn−ブチルリチウムの
シクロヘキサン溶液を加え、温度な0’CK戻し、次い
で−60〜−70℃に冷却し、180rn9の工程Bで
得た生成物を一度に加え、0℃に2時間加熱した後、こ
の温度で1時間保ち、反応混合物を冷2N塩酸中に注ぎ
、強くかきまぜながら20℃に17時間放蓋し、デカン
テーションし、クロロホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾
固し、得られた残留物をイソプロピルエーテル/石油エ
ーテル混合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に
濃縮乾固して30■の結晶質生成物を得る。MP=80
℃。
ロフラン溶液と5ccのテトラヒドロフランを約−20
℃に冷却し、(L25CCの2Mn−ブチルリチウムの
シクロヘキサン溶液を加え、温度な0’CK戻し、次い
で−60〜−70℃に冷却し、180rn9の工程Bで
得た生成物を一度に加え、0℃に2時間加熱した後、こ
の温度で1時間保ち、反応混合物を冷2N塩酸中に注ぎ
、強くかきまぜながら20℃に17時間放蓋し、デカン
テーションし、クロロホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾
固し、得られた残留物をイソプロピルエーテル/石油エ
ーテル混合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に
濃縮乾固して30■の結晶質生成物を得る。MP=80
℃。
例Vl
工程A : dl−trans−4−(2−ブロム−2
−プロピル)5−ヒドロキシテトラヒドロフラン−2−
オン 2.3511の例1又は2で得た3−ホルミル−4−メ
チルペンタ−3−エン−1−酸、2.7gの乾′燥臭化
リチウム及び60CCの無水エチルエーテルの混合物を
一55℃に冷却し、乾燥臭化水素気流下に90分間かき
まぜ、次いで温度を−30〜−40℃の温度を保ちなが
ら乾燥窒素の強い気流によって臭化水素を追出し、反応
混合物を氷水中に注ぎ、ベンゼンで抽出し、有機相を乾
燥し、減圧下に加熱せずに濃縮乾固し、!L27.9の
油状物を回収し、これは結晶化するが、これを石油エー
テルより再結晶し、2.5gの白色結晶を単離する。
−プロピル)5−ヒドロキシテトラヒドロフラン−2−
オン 2.3511の例1又は2で得た3−ホルミル−4−メ
チルペンタ−3−エン−1−酸、2.7gの乾′燥臭化
リチウム及び60CCの無水エチルエーテルの混合物を
一55℃に冷却し、乾燥臭化水素気流下に90分間かき
まぜ、次いで温度を−30〜−40℃の温度を保ちなが
ら乾燥窒素の強い気流によって臭化水素を追出し、反応
混合物を氷水中に注ぎ、ベンゼンで抽出し、有機相を乾
燥し、減圧下に加熱せずに濃縮乾固し、!L27.9の
油状物を回収し、これは結晶化するが、これを石油エー
テルより再結晶し、2.5gの白色結晶を単離する。
MPニア 5℃。
分析: C,H,、BrO,= 223.075計算:
0%57.69 HN3.97 BrX35.82
実測: 37.+30 5.20 35.2
ONMRスペクトル メチルの水素に帰する174及びt 86 ppmのピ
ーク、 環の3及び4位の水素に帰する2、25−&0ppmの
ピーク、 環の5位の水素に帰する5、87及び5.95 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰スル192 ppmノ?’ −
り。
0%57.69 HN3.97 BrX35.82
実測: 37.+30 5.20 35.2
ONMRスペクトル メチルの水素に帰する174及びt 86 ppmのピ
ーク、 環の3及び4位の水素に帰する2、25−&0ppmの
ピーク、 環の5位の水素に帰する5、87及び5.95 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰スル192 ppmノ?’ −
り。
s、 s !Iの上で得られた生成物、5.2yのm−
フェノキシベンジルアルコール、5gccのベンゼン及
び270■の1)−)ルエンスルホン酸を周囲温度で2
4時間かきまぜ、反応媒質を重炭酸ナトリウム水溶液で
洗い、ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し
、約109の油状物を得、この生成物は結晶化するが、
これをイソプロピルエーテルと石油エーテルとの混合物
(7Qc:5Ce)で再結晶し、5.859の生成物を
得る。MP=60℃。母液のクロマトグラフィーにより
11の同一純度の生成物を回収する。
フェノキシベンジルアルコール、5gccのベンゼン及
び270■の1)−)ルエンスルホン酸を周囲温度で2
4時間かきまぜ、反応媒質を重炭酸ナトリウム水溶液で
洗い、ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し
、約109の油状物を得、この生成物は結晶化するが、
これをイソプロピルエーテルと石油エーテルとの混合物
(7Qc:5Ce)で再結晶し、5.859の生成物を
得る。MP=60℃。母液のクロマトグラフィーにより
11の同一純度の生成物を回収する。
分析:C2oH2,Br04
計算:0%59.27H%5.22 BrX19.7
2実測= 6α10 5.60 2t50メチ
ルの水素に帰するt 67−17 ppmのピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、22−
2.92ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 53−5、
58 ppmのピーク1 ベンジルメチレンの水素に帰する4、48−468及び
4.78−4.98 ppmのピーク、芳香族核の水素
に帰するlh 92−7.58 ppmのピーク。
2実測= 6α10 5.60 2t50メチ
ルの水素に帰するt 67−17 ppmのピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、22−
2.92ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 53−5、
58 ppmのピーク1 ベンジルメチレンの水素に帰する4、48−468及び
4.78−4.98 ppmのピーク、芳香族核の水素
に帰するlh 92−7.58 ppmのピーク。
0.55ccの1Mジイソプロピルアミンのテトラヒド
ロフラン溶液を5ccのテトラヒドロフランで希釈し、
約−20℃に冷却し、(L 25 ecの2 M n−
ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液を加え、この混合
物を約0℃まで加熱させ、次いで−60”GK冷却し、
200■の上で得た臭素化誘導体を一度で加え、この温
度で15分間反応させた後、di −6,6−シメチル
ー4−(:(5−フェノキシフェニル)メトキシツー3
−オキサビシクロ(XtO〕ヘキサン−2−オンの溶液
を得、これを冷2N塩酸上に注ぎ、強くかきまぜながら
20℃で17時間放置し、デカンテーションし、クロロ
ホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾固し、170ダの生成
物を得、これをイソプロピルエーテル/石油エーテル混
合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に濃縮乾固
して、50■の結晶性生成物を得る。MP=80℃。
ロフラン溶液を5ccのテトラヒドロフランで希釈し、
約−20℃に冷却し、(L 25 ecの2 M n−
ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液を加え、この混合
物を約0℃まで加熱させ、次いで−60”GK冷却し、
200■の上で得た臭素化誘導体を一度で加え、この温
度で15分間反応させた後、di −6,6−シメチル
ー4−(:(5−フェノキシフェニル)メトキシツー3
−オキサビシクロ(XtO〕ヘキサン−2−オンの溶液
を得、これを冷2N塩酸上に注ぎ、強くかきまぜながら
20℃で17時間放置し、デカンテーションし、クロロ
ホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾固し、170ダの生成
物を得、これをイソプロピルエーテル/石油エーテル混
合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に濃縮乾固
して、50■の結晶性生成物を得る。MP=80℃。
ジアステレオマーAとBとの混合物並びに別個のジアス
テレオマーA及びB) 407gの例Vlの工程Aにおけるようにして得たブロ
ムラクトン、5.83.pの(S)α−メチル−3−フ
ェノキシベンジルアルコール、50(1!I9のp−)
ルエンスルホン酸、60ccのベンゼン及び10yの脱
水剤である脱色「アクチゲル」を20〜25℃で24時
間かきまぜ、反応混合物を重炭酸ナトリウム水溶液で洗
い、ベンゼンで抽出し、゛乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95gの粗生成物を得、この粗生成物をシリカでクロ
マトグラフィーシ、塩化メチレンで溶離する。そのよう
にして得られたジアステレオマーの純混合物の5gから
、50Xの石油エーテルを含有するイソプロピルエーテ
ルより結晶化することにより960■の異性体Bを単離
する。MPよ76℃、〔α) p =+ 188.5
’(IXベンゼン)。母液をシリカでクロマトグラフィ
ーし、塩化メチレンで溶離して純異性体Bを油状物とし
て得る。
テレオマーA及びB) 407gの例Vlの工程Aにおけるようにして得たブロ
ムラクトン、5.83.pの(S)α−メチル−3−フ
ェノキシベンジルアルコール、50(1!I9のp−)
ルエンスルホン酸、60ccのベンゼン及び10yの脱
水剤である脱色「アクチゲル」を20〜25℃で24時
間かきまぜ、反応混合物を重炭酸ナトリウム水溶液で洗
い、ベンゼンで抽出し、゛乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95gの粗生成物を得、この粗生成物をシリカでクロ
マトグラフィーシ、塩化メチレンで溶離する。そのよう
にして得られたジアステレオマーの純混合物の5gから
、50Xの石油エーテルを含有するイソプロピルエーテ
ルより結晶化することにより960■の異性体Bを単離
する。MPよ76℃、〔α) p =+ 188.5
’(IXベンゼン)。母液をシリカでクロマトグラフィ
ーし、塩化メチレンで溶離して純異性体Bを油状物とし
て得る。
300ダの上で得た結晶質臭素化誘導体(異性体B)、
3ccの塩化メチレン、5ccの50%(W/W)水酸
化ナトリウム水溶液及び約30■の塩化トリエチルベン
ジルアンモニウムを周囲温度で2時間30分かきまぜ、
反応混合物を冷りん酸モノナトリウム水溶液上に注ぎ、
塩化メチレンで抽出し、水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮
乾固し、 。
3ccの塩化メチレン、5ccの50%(W/W)水酸
化ナトリウム水溶液及び約30■の塩化トリエチルベン
ジルアンモニウムを周囲温度で2時間30分かきまぜ、
反応混合物を冷りん酸モノナトリウム水溶液上に注ぎ、
塩化メチレンで抽出し、水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮
乾固し、 。
221叩の粗生成物を得、これは結晶化するが、この生
成物を4Ceの石油エーテル/イソプ鴛ビルエーテル混
合物(7:5)で再結晶し、1659の白色生成物を得
る。MP”110℃。
成物を4Ceの石油エーテル/イソプ鴛ビルエーテル混
合物(7:5)で再結晶し、1659の白色生成物を得
る。MP”110℃。
1gの上で得た白色生成物、1occのアセトン及び5
ccの1N塩酸水溶液を20〜25℃で2時間かきま
ぜ、反応混合物を重炭酸ナトリウムでpH8となし、塩
化メチレンで洗い、水性相を濃塩酸で酸性化し、酢酸エ
チルで抽出し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発する。38
4ダの結晶を得る。
ccの1N塩酸水溶液を20〜25℃で2時間かきま
ぜ、反応混合物を重炭酸ナトリウムでpH8となし、塩
化メチレンで洗い、水性相を濃塩酸で酸性化し、酢酸エ
チルで抽出し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発する。38
4ダの結晶を得る。
MP=117℃。
この生成物は、フランス国特許第1,580,474号
で得られた化合物と同一である。
で得られた化合物と同一である。
〔α]D=−110’ (C=I X、ジメチルホル
ムアミド)。
ムアミド)。
ビル)−5−イソプロピルオキシテトラヒドロフt9s
!iの例■の工程人におけるようKして得た臭素化誘導
体、2ccのイソプロパツール、100■のp−)ルエ
ンスルホン醗及び30ccのベンゼンを周囲温度で60
時間かきまぜ、反応媒体を重炭酸ナトリウム水溶液で洗
い、ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、
2gの油状生成物を得た。
!iの例■の工程人におけるようKして得た臭素化誘導
体、2ccのイソプロパツール、100■のp−)ルエ
ンスルホン醗及び30ccのベンゼンを周囲温度で60
時間かきまぜ、反応媒体を重炭酸ナトリウム水溶液で洗
い、ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、
2gの油状生成物を得た。
728ηの上で得た生成物、5CCの無水テトラヒドロ
フラン及び1ccの無水ジメチルスルホキシドを混合し
、0℃に冷却し、150即の水素化ナトリウムを一度で
加え、不活性雰囲気下に周囲温度で20時間かきまぜた
後、りん酸モノナトリウム水溶液中に注ぎ、ベンゼンで
抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、450rn9の
粗生成物を得、これをシリカでクロマトグラフィーし、
石油二一チル/エチルエーテル溶媒系(7:3)で溶離
し、:5501n9の生成物を得る。
フラン及び1ccの無水ジメチルスルホキシドを混合し
、0℃に冷却し、150即の水素化ナトリウムを一度で
加え、不活性雰囲気下に周囲温度で20時間かきまぜた
後、りん酸モノナトリウム水溶液中に注ぎ、ベンゼンで
抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、450rn9の
粗生成物を得、これをシリカでクロマトグラフィーし、
石油二一チル/エチルエーテル溶媒系(7:3)で溶離
し、:5501n9の生成物を得る。
上で得た生成物の150■を300のアセトン及び1c
cの1N塩酸水溶液とともに20〜25℃で4時間かき
まぜ、反応混合物に塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メ
チレンで抽出し、有機相を乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95W9の白色結晶を得る。MP=80℃。
cの1N塩酸水溶液とともに20〜25℃で4時間かき
まぜ、反応混合物に塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メ
チレンで抽出し、有機相を乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95W9の白色結晶を得る。MP=80℃。
Claims (2)
- (1)次の一般式IV ▲数式、化学式、表等があります▼IV (ここでZは求電子性基、特にヒドロキシル基、ニトロ
基、p−トリルスルホニル基又はハロトリフェニルホス
ホニオ基を表わし、RはアルコールROHの残基を表わ
す) の化合物。 - (2)次の一般式VI又はVII ▲数式、化学式、表等があります▼VI又はVII 〔ここでXはハロゲン原子、特に臭素又は塩素原子を表
わし、Wは水素又は基R_1(基R_1はキラルであつ
てよいアルコールR_1OHの残基を表わす)を表わす
〕 の化合物。
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---|---|---|---|
FR79-14425 | 1979-06-06 | ||
FR7914425A FR2458533A1 (fr) | 1979-06-06 | 1979-06-06 | Acide pentenoique substitue, son procede de preparation et son application a la preparation de derives cyclopropaniques substitues |
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---|---|---|---|
JP2302825A Division JPH03173880A (ja) | 1979-06-06 | 1990-11-09 | 新規な置換テトラヒドロフラン誘導体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JPH0321550B2 JPH0321550B2 (ja) | 1991-03-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7569080A Granted JPS5629544A (en) | 1979-06-06 | 1980-06-06 | Novel subtituted pentenoic acid* its manufacture* use in manufacture of substituted cyclopropane derivative and novel compound obtained therefrom |
JP62004211A Granted JPS62161778A (ja) | 1979-06-06 | 1987-01-13 | 置換シクロプロパン誘導体の製造法 |
JP62004212A Granted JPS63239279A (ja) | 1979-06-06 | 1987-01-13 | 新規な置換テトラヒドロフラン誘導体 |
JP2302825A Granted JPH03173880A (ja) | 1979-06-06 | 1990-11-09 | 新規な置換テトラヒドロフラン誘導体 |
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---|---|---|---|
JP7569080A Granted JPS5629544A (en) | 1979-06-06 | 1980-06-06 | Novel subtituted pentenoic acid* its manufacture* use in manufacture of substituted cyclopropane derivative and novel compound obtained therefrom |
JP62004211A Granted JPS62161778A (ja) | 1979-06-06 | 1987-01-13 | 置換シクロプロパン誘導体の製造法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2302825A Granted JPH03173880A (ja) | 1979-06-06 | 1990-11-09 | 新規な置換テトラヒドロフラン誘導体 |
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---|---|
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EP (3) | EP0057045B1 (ja) |
JP (4) | JPS5629544A (ja) |
AT (2) | ATE9225T1 (ja) |
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HU (1) | HU180358B (ja) |
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FR2463134A1 (fr) * | 1979-08-10 | 1981-02-20 | Roussel Uclaf | Nouveaux composes sulfones comportant un cycle lactonique, leur procede de preparation et leur application a la preparation de derives cyclopropaniques |
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